WO2022138709A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2022138709A1
WO2022138709A1 PCT/JP2021/047535 JP2021047535W WO2022138709A1 WO 2022138709 A1 WO2022138709 A1 WO 2022138709A1 JP 2021047535 W JP2021047535 W JP 2021047535W WO 2022138709 A1 WO2022138709 A1 WO 2022138709A1
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layer
hole transport
bulk
transport layer
electrode
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PCT/JP2021/047535
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紘子 須佐
竹雄 塚本
美樹 君島
彰 渡部
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ソニーグループ株式会社
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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    • G—PHYSICS
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    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements

Definitions

  • This disclosure relates to a display device and an electronic device equipped with the display device.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing a leakage of a drive current generated between adjacent sub-pixels and an electronic device including the display device.
  • the first disclosure is A first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, With an insulating layer provided between adjacent electrodes, The electroluminescence layer comprises a hole transport layer in which the hole transport layer is adjacent to the insulating layer.
  • the energy level E interface (1) at the interface between the insulating layer and the hole transport layer and the energy level E bulk (1) at the bulk of the hole transport layer are display devices satisfying the following equation (1). .. 0 ⁇ E bulk (1) -E interface (1) ⁇ 0.3eV ... (1)
  • the second disclosure is A first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, With an insulating layer provided between adjacent electrodes,
  • the electroluminescence layer comprises a hole transport layer and
  • the hole transport layer includes at least a first hole transport layer and a second hole transport layer, and the first hole transport layer is adjacent to the insulating layer.
  • the bulk energy level E bulk (2a) of the first hole transport layer and the bulk energy level E bulk (2b) of the second hole transport layer are display devices satisfying the following equation (2). Is. 0 ⁇ E bulk (2b) -E bulk (2a) ⁇ 0.3eV ... (2)
  • the third disclosure is A first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, With an insulating layer provided between adjacent electrodes, The electroluminescence layer includes a hole transport layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is adjacent to the insulating layer.
  • the fourth disclosure is A first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, With an insulating layer provided between adjacent electrodes,
  • the electroluminescence layer includes a hole transport layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is adjacent to the insulating layer.
  • the hole transport layer includes at least a first hole transport layer and a second hole transport layer, and the first hole transport layer is adjacent to the hole injection layer.
  • the bulk energy level E bulk (4a) of the first hole transport layer and the bulk energy level E bulk (4b) of the second hole transport layer are display devices satisfying the following equation (4). Is. 0 ⁇ E bulk (4b) -E bulk (4a) ⁇ 0.3eV ... (4)
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the organic EL layer.
  • FIG. 4A is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (1) -E interface (1) ⁇ 0.3 eV is satisfied.
  • FIG. 4B is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (1) -E interface (1) ⁇ 0.3 eV is not satisfied.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6A is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (2b) -E bulk (2a) ⁇ 0.3eV is satisfied.
  • FIG. 6B is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (2b) -E bulk (2a) ⁇ 0.3eV is not satisfied.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8A is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (3) -E interface (3) ⁇ 0.3 eV is satisfied.
  • FIG. 8B is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (3) -E interface (3) ⁇ 0.3 eV is not satisfied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10A is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (4b) -E bulk (4a) ⁇ 0.3eV is satisfied.
  • FIG. 10B is a diagram showing an example of an energy diagram when the relationship of E bulk (4b) -E bulk (4a) ⁇ 0.3eV is not satisfied.
  • FIG. 11 is a plan view showing an example of the schematic configuration of the module.
  • FIG. 12A is a front view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 12B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 13 is a perspective view showing an example of the appearance of the head-mounted display.
  • FIG. 14 is a perspective view showing an example of the appearance of the television device.
  • FIG. 15 is a graph showing the relationship between the binding energy E HILN of N1s in the hole injection layer and the binding energy E ILN of N1s in the insulating layer (E HILN ⁇ E ILN ) and the leakage current between the sub-pixels. ..
  • FIG. 16 is a graph showing the relationship between the HOMO of the hole injection layer and the HOMO of the insulating layer, and the hole concentration.
  • FIG. 17A is a diagram showing an example of an energy diagram when leakage can be suppressed.
  • FIG. 17B is a diagram showing an example of an energy diagram when leakage cannot be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 has a display area 110A and a peripheral area 110B provided on the peripheral edge of the display area 110A.
  • a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a predetermined arrangement pattern such as a matrix.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are generically referred to without particular distinction, they are referred to as sub-pixel 100.
  • a combination of adjacent sub-pixels 100R, 100G, and 100B constitutes one pixel.
  • FIG. 1 shows an example in which a combination of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the row direction (horizontal direction) constitutes one pixel, but the arrangement of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B is shown. It is not limited to this.
  • the peripheral region 110B is provided with a signal line drive circuit 111 and a scanning line drive circuit 112, which are drivers for displaying images.
  • the signal line drive circuit 111 supplies the signal voltage of the video signal corresponding to the luminance information supplied from the signal supply source (not shown) to the sub-pixel 100 selected via the signal line 111A.
  • the scanning line drive circuit 112 is configured by a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line drive circuit 112 scans the video signals in line units when writing the video signals to the sub-pixels 100, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 112A.
  • the display device 10 may be a micro display.
  • the display device 10 may be provided in a VR (Virtual Reality) device, an MR (Mixed Reality) device, an AR (Augmented Reality) device, an electronic viewfinder (EVF), a small projector, or the like.
  • VR Virtual Reality
  • MR Magnetic Reality
  • AR Augmented Reality
  • EVF electronic viewfinder
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 includes a drive substrate 11, a first electrode layer 12, an insulating layer 13, an organic EL layer 14, a second electrode layer 15, a protective layer 16, a color filter 17, and a filled resin layer. 18 and a facing substrate 19 are provided.
  • the display device 10 is an example of a light emitting device.
  • the display device 10 is a top emission type display device.
  • the opposite board 19 side of the display device 10 is the top side, and the drive board 11 side of the display device 10 is the bottom side.
  • the surface on the top side of the display device 10 is referred to as a first surface, and the surface on the bottom side of the display device 10 is referred to as a second surface.
  • the display device 10 includes a plurality of light emitting elements 20.
  • the plurality of light emitting elements 20 are composed of a first electrode layer 12, an organic EL layer 14, and a second electrode layer 15.
  • the light emitting element 20 is, for example, a white light emitting element such as a white OLED or a white Micro-OLED (MODEL).
  • a colorization method in the display device 10 a method using a white light emitting element and a color filter 17 is used.
  • the drive board 11 is a so-called backplane and drives a plurality of light emitting elements 20.
  • the drive board 11 is provided with a drive circuit for driving the plurality of light emitting elements 20, a power supply circuit for supplying electric power to the plurality of light emitting elements 20, and the like (none of which are shown).
  • the substrate body of the drive substrate 11 may be made of, for example, a semiconductor such as a transistor that can be easily formed, or may be made of glass or resin having low water and oxygen permeability.
  • the substrate body may be a semiconductor substrate, a glass substrate, a resin substrate, or the like.
  • the semiconductor substrate includes, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, single crystal silicon, and the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass and the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethylmethacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate and the like.
  • the first electrode layer 12 is provided on the first surface of the drive substrate 11.
  • the first electrode layer 12 is an anode.
  • the first electrode layer 12 also functions as a reflective layer, and it is preferable that the first electrode layer 12 is made of a material having as high a reflectance as possible and a large work function in order to increase the luminous efficiency.
  • the first electrode layer 12 has a plurality of electrodes 12A.
  • the plurality of electrodes 12A are electrically separated from each other between the adjacent light emitting elements 20.
  • the plurality of electrodes 12A share the organic EL layer 14.
  • the plurality of electrodes 12A are two-dimensionally arranged in a predetermined arrangement pattern such as a matrix.
  • the electrode 12A is composed of at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the electrode 12A is composed of a single-layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the electrode 12A is composed of a laminated film, the metal oxide layer may be provided on the organic EL layer 14 side, or the metal layer may be provided on the organic EL layer 14 side, but the work is high. From the viewpoint of making the layer having a function adjacent to the organic EL layer 14, it is preferable that the metal oxide layer is provided on the organic EL layer 14 side.
  • the metal layer is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al). , Magnesium (Mg), Iron (Fe), Tungsten (W) and Silver (Ag).
  • the metal layer may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy.
  • alloys include aluminum alloys and silver alloys.
  • Specific examples of the aluminum alloy include, for example, AlNd or AlCu.
  • the metal oxide layer contains, for example, a transparent conductive oxide (TCO: Transparent Conductive Oxide).
  • TCO Transparent Conductive Oxide
  • the transparent conductive oxide is, for example, a transparent conductive oxide containing indium (hereinafter referred to as "indium-based transparent conductive oxide”) and a transparent conductive oxide containing tin (hereinafter referred to as “tin-based transparent conductive oxide”). ”) And a transparent conductive oxide containing zinc (hereinafter referred to as“ zinc-based transparent conductive oxide ”).
  • the indium-based transparent conductive oxide includes, for example, indium tin oxide (ITO), indium tin oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO) or indium gallium zinc oxide (IGZO) fluorine-doped indium oxide (IFO).
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium tin oxide
  • Tin-based transparent conductive oxides include, for example, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO) or fluorine-doped tin oxide (FTO).
  • Zinc-based transparent conductive oxides include, for example, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), boron-doped zinc oxide or gallium-doped zinc oxide (GZO).
  • the second electrode layer 15 is provided so as to face the first electrode layer 12.
  • the second electrode layer 15 is provided as an electrode common to all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the second electrode layer 15 is a cathode.
  • the second electrode layer 15 is a transparent electrode having transparency to the light generated by the organic EL layer 14.
  • the transparent electrode also includes a translucent reflective layer.
  • the second electrode layer 15 is made of a material having as high a transparency as possible and a small work function in order to increase the luminous efficiency.
  • the second electrode layer 15 is composed of, for example, at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the second electrode layer 15 is composed of a single layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the second electrode layer 15 is composed of a laminated film, the metal layer may be provided on the organic EL layer 14 side, or the metal oxide layer may be provided on the organic EL layer 14 side. From the viewpoint of making the layer having a low work function adjacent to the organic EL layer 14, it is preferable that the metal layer is provided on the organic EL layer 14 side.
  • the metal layer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), calcium (Ca) and sodium (Na).
  • the metal layer may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy. Specific examples of the alloy include MgAg alloy, MgAl alloy, AlLi alloy and the like.
  • the metal oxide layer contains a transparent conductive oxide. As the transparent conductive oxide, the same material as the transparent conductive oxide of the above-mentioned electrode 12A can be exemplified.
  • the organic EL layer 14 is provided between the first electrode layer 12 and the second electrode layer 15.
  • the organic EL layer 14 is continuously provided in the display area 110A over all the sub-pixels 100 (that is, a plurality of electrodes 12A), and is provided as a layer common to all the sub-pixels 100 in the display area 110A. There is.
  • the organic EL layer 14 is configured to be capable of emitting white light.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the organic EL layer 14.
  • the organic EL layer 14 is, for example, from the first electrode layer 12 toward the second electrode layer 15, the hole transport layer 14A, the red light emitting layer 14B, the light emitting separation layer 14C, the blue light emitting layer 14D, and the green light emitting layer 14E.
  • the electron transport layer 14F and the electron injection layer 14G are laminated in this order.
  • the hole transport layer 14A is adjacent to the first electrode layer 12 and the insulating layer 13.
  • the hole transport layer 14A is for increasing the hole transport efficiency to the light emitting layers 14B, 14D, and 14E.
  • the hole transport layer 14A contains, for example, ⁇ -NPD (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine). ..
  • the electron transport layer 14F is for increasing the electron transport efficiency to the light emitting layers 14B, 14D, and 14E.
  • the electron transport layer 14F is at least selected from the group consisting of, for example, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3 (aluminum quinolinol complex), Bphenyl (basofenantroline) and the like. Includes one.
  • the electron injection layer 17H is for enhancing electron injection from the cathode.
  • the electron injection layer 17H contains, for example, a simple substance of an alkali metal or an alkaline earth metal or a compound containing them, specifically, for example, lithium (Li) or lithium fluoride (LiF).
  • the light emitting separation layer 14C is a layer for adjusting the injection of carriers into the light emitting layers 14B, 14D, 14E, and electrons and holes are injected into the light emitting layers 14B, 14D, 14E via the light emitting separation layer 14C. By doing so, the emission balance of each color is adjusted.
  • the luminescence separation layer 14C contains, for example, a 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl derivative and the like.
  • the holes injected from the electrode 12A and the electrons injected from the second electrode layer 15 are recombined. It produces red, blue, and green.
  • the red light emitting layer 14B contains, for example, a red light emitting material.
  • the red light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the red light emitting layer 14B is composed of, for example, 4,4-bis (2,2-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi) and 2,6-bis [(4'-methoxydiphenylamino) styryl] -1, Includes a mixture of 5-dicyanonaphthalene (BSN).
  • the blue light emitting layer 14D contains, for example, a blue light emitting material.
  • the blue light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the blue light emitting layer 14D contains, for example, a mixture of DPVBi with 4,4'-bis [2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl] biphenyl (DPAVBi).
  • the green light emitting layer 14E contains, for example, a green light emitting material.
  • the green light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the green light emitting layer 14E includes, for example, a mixture of DPVBi and coumarin 6.
  • the insulating layer 13 is provided on the first surface of the drive substrate 11 and between the adjacent electrodes 12A.
  • the insulating layer 13 insulates between the separated electrodes 12A.
  • the insulating layer 13 has a plurality of openings 13A. Each of the plurality of openings 13A is provided corresponding to each sub-pixel 100. More specifically, the plurality of openings 13A are each provided on the first surface (the surface facing the second electrode layer 15) of each of the separated electrodes 12A.
  • the electrode 12A and the organic EL layer 14 come into contact with each other through the opening 13A.
  • the insulating layer 13 may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate thereof.
  • the organic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide-based resin, acrylic-based resin, novolak-based resin and the like.
  • the inorganic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ) and the like.
  • the protective layer 16 is provided on the first surface of the second electrode layer 15 and covers a plurality of light emitting elements 20.
  • the protective layer 16 blocks the light emitting element 20 from the outside air and suppresses the infiltration of moisture from the external environment into the light emitting element 20.
  • the protective layer 16 may have a function of suppressing oxidation of the metal layer.
  • the protective layer 16 contains, for example, an inorganic material or a polymer resin having low hygroscopicity.
  • the protective layer 16 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. When increasing the thickness of the protective layer 16, it is preferable to have a multi-layer structure. This is to relieve the internal stress in the protective layer 16.
  • the inorganic material is selected from the group consisting of, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxide nitride (SiO x Ny ), titanium oxide (TiO x ), aluminum oxide (AlO x ) and the like. Includes at least one species.
  • the polymer resin contains, for example, at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet curable resins and the like.
  • the color filter 17 is provided on the first surface of the protective layer 16.
  • the color filter 17 is, for example, an on-chip color filter (OCCF).
  • the color filter 17 includes, for example, a red filter 17R, a green filter 17G, and a blue filter 17B.
  • the red filter 17R, the green filter 17G, and the blue filter 17B are each provided facing the light emitting element 20.
  • the red filter 17R and the light emitting element 20 form a sub pixel 100R
  • the green filter 17G and the light emitting element 20 form a sub pixel 100G
  • the blue filter 17B and the light emitting element 20 form a sub pixel 100B.
  • each light emitting element 20 in the subpixels 100R, 100G, and 100B passes through the red filter 17R, the green filter 17G, and the blue filter 17B, respectively, so that the red light, the green light, and the blue light are emitted.
  • a light-shielding layer 17BM may be provided between the color filters 17R, 17G, and 17B, that is, between the sub-pixels 100.
  • the color filter 17 is not limited to the on-chip color filter, and may be provided on the second surface of the facing substrate 19 (the surface facing the organic EL layer 14).
  • the filling resin layer 18 is provided between the color filter 17 and the facing substrate 19.
  • the filled resin layer 18 has a function as an adhesive layer for adhering the color filter 17 and the facing substrate 19.
  • the packed resin layer 18 contains at least one selected from the group consisting of, for example, a thermosetting resin and an ultraviolet curable resin.
  • the facing board 19 is provided so as to face the drive board 11. More specifically, the opposed substrate 19 is provided so that the second surface of the opposed substrate 19 and the first surface of the drive substrate 11 face each other.
  • the facing substrate 19 and the filled resin layer 18 seal the light emitting element 20, the color filter 17, and the like.
  • the facing substrate 19 contains a material such as glass that is transparent to each color light emitted from the color filter 17.
  • FIG. 4A is a diagram showing an example of an energy diagram of the insulating layer 13 and the hole transport layer 14A.
  • the energy level E interface (1) at the interface between the hole transport layer 14A and the insulating layer 13 and the energy level E bulk (1) in the bulk of the hole transport layer 14A satisfy the following formula (1). 0 ⁇ E bulk (1) -E interface (1) ⁇ 0.3eV ... (1)
  • the positional relationship between the insulating layer 13 and the hole transport layer 14A at the fermi level may be controlled.
  • the energy level E interface (1) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 14 is removed. After removal, the organic EL layer 14 is etched from the interface between the insulating layer 13 and the hole transport layer 14A to the hole transport layer 14A side to a position of 2 nm by ion sputtering. Subsequently, the energy level (HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital)) of the surface exposed by etching is measured by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), and this measured value is defined as the energy level E interface (1) .
  • the measurement conditions of XPS are as follows. ⁇ XPS device: ULVAC-PHI Quantum2000 -Radioactive source: Al K ⁇ ray 1486.6 eV ⁇ Beam diameter: 100 ⁇ m ⁇ Emission angle: 90 degrees
  • the energy level E bulk (1) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 14 is removed. After removal, the organic EL layer 14 is etched from the interface between the insulating layer 13 and the hole transport layer 14A to the hole transport layer 14A side to a position of 10 nm by ion sputtering. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (1) . The measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) .
  • a metal layer and a metal oxide layer are sequentially formed on the first surface of the drive substrate 11 by, for example, a sputtering method, and then the metal layer and the metal oxide layer are patterned by using, for example, photolithography and etching techniques. .. As a result, the first electrode layer 12 having the plurality of electrodes 12A is formed.
  • an insulating layer 13 is formed on the first surface of the drive substrate 11 so as to cover the plurality of electrodes 12A.
  • a CVD (Chemical Vapor Deposition) method an insulating layer 13 is formed on the first surface of the drive substrate 11 so as to cover the plurality of electrodes 12A.
  • two types of gas, SiH 4 and NH 3 are used as the process gas, and the flow rate ratio of these two types of process gas is adjusted to adjust the energy level E interface (1) and the energy level E. It is possible to set bulk (1) so as to satisfy the above equation (1).
  • an opening 13A is formed in a portion of the insulating layer 13 located on the first surface of each electrode 12A by a photolithography technique and a dry etching technique.
  • the hole transport layer 14A, the red light emitting layer 14B, the light emitting separation layer 14C, the blue light emitting layer 14D, the green light emitting layer 14E, the electron transport layer 14F, and the electron injection layer 14G are attached to the plurality of electrodes 12A.
  • the organic EL layer 14 is formed by laminating in this order on the surface 1 and the first surface of the insulating layer 13.
  • the second electrode layer 15 is formed on the first surface of the organic EL layer 14 by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. As a result, a plurality of light emitting elements 20 are formed on the first surface of the drive substrate 11.
  • the color filter 17 is formed on the first surface of the protective layer 16 by, for example, photolithography. Form.
  • the flattening layer may be formed on both the upper, lower or upper and lower sides of the color filter 17.
  • ODF One Drop Fill
  • the drive substrate 11 and the facing substrate 19 are formed via the filled resin layer 18. Are pasted together. As a result, the display device 10 is sealed. As a result, the display device 10 shown in FIG. 2 is obtained.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 30 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the display device 30 is different from the display device 10 according to the first embodiment in that the organic EL layer 34 is provided in place of the organic EL layer 14 (see FIG. 2).
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the organic EL layer 34 is different from the organic EL layer 14 in the first embodiment in that the hole transport layer 34A having a two-layer structure is provided instead of the hole transport layer 14A having a single layer structure.
  • the hole transport layer 34A includes a first hole transport layer 34A1 and a second hole transport layer 34A2.
  • the first hole transport layer 34A1 is adjacent to the first electrode layer 12 and the insulating layer 13 (see FIG. 2).
  • the second hole transport layer 34A2 is adjacent to the red light emitting layer 14B.
  • FIG. 6A is a diagram showing an example of an energy diagram of the insulating layer 13, the first hole transport layer 34A1 and the second hole transport layer 34A2.
  • the bulk energy level E bulk (2a) of the first hole transport layer 34A1 and the bulk energy level E bulk (2b) of the second hole transport layer 34A2 satisfy the following equation (2). .. 0 ⁇ E bulk (2b) -E bulk (2a) ⁇ 0.3eV ... (2)
  • the energy level E bulk (2a) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 34 is removed. After removal, the organic EL layer 34 is etched from the interface between the insulating layer 13 and the first hole transport layer 34A1 to the position of 10 nm on the first hole transport layer 34A1 side by ion sputtering. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (2a) .
  • the measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) in the first embodiment.
  • the energy level E bulk (2b) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 34 is removed. After removal, the organic EL layer 34 is etched by ion sputtering from the interface between the first hole transport layer 34A1 and the second hole transport layer 34A2 to the position of 10 nm on the second hole transport layer 34A2 side. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (2b) .
  • the measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 40 according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the display device 40 is different from the display device 10 according to the first embodiment in that the organic EL layer 44 is provided in place of the organic EL layer 14 (see FIG. 2).
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the organic EL layer 44 is different from the organic EL layer 14 in the first embodiment in that the hole injection layer 44A is further provided.
  • the hole injection layer 44A is provided between the first electrode layer 12 (see FIG. 2) and the hole transport layer 14A, and is adjacent to the first electrode layer 12 and the insulating layer 13.
  • the hole injection layer 31A is for increasing the hole injection efficiency into each light emitting layer 14B, 14D, 14E and suppressing leakage.
  • the hole injection layer 44A contains, for example, hexaazatriphenylene carbonitrile (HATCN) and the like.
  • FIG. 8A is a diagram showing an example of an energy diagram of the insulating layer 13, the hole injection layer 44A, and the hole transport layer 14A.
  • the energy level E interface (3) at the interface between the hole injection layer 44A and the hole transport layer 14A and the energy level E bulk (3) in the bulk of the hole transport layer 14A satisfy the following equation (3). .. 0 ⁇ E bulk (3) -E interface (3) ⁇ 0.3eV ... (3)
  • the energy level E interface (3) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 44 is etched from the interface between the hole injection layer 44A and the hole transport layer 14A to the hole transport layer 14A side by ion sputtering to a position of 2 nm. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is referred to as the energy level E interface (3) .
  • the measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) in the first embodiment.
  • the energy level E bulk (3) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 44 is etched from the interface between the hole injection layer 44A and the hole transport layer 14A to the hole transport layer 14A side to a position of 10 nm by ion sputtering. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (3) . The measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) .
  • the binding energy E HILN of N1s in the hole injection layer 44A and the binding energy E ILN of N1s in the insulating layer 13 satisfy the following formula (3a). Is preferable. 2.7eV ⁇ E HILN- E ILN ... (3a)
  • the binding energy E HILN is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 44 is etched by ion sputtering to expose the surface (first surface) of the hole injection layer 44A. Subsequently, the XPS measurement of the surface of the exposed hole injection layer 44A is performed, and the XPS spectrum is acquired. From this XPS spectrum, the binding energy value of the peak of the peak derived from the N1s orbital of the hole injection layer 44A is obtained and used as the binding energy E HILN .
  • the binding energy E ILN is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 44 is then etched by ion sputtering to expose the surface (first surface) of the insulating layer 13. Next, the XPS measurement of the surface of the exposed insulating layer 13 is performed, and the XPS spectrum is acquired. From this XPS spectrum, the binding energy value of the peak of the peak derived from the N1s orbital of the insulating layer 13 is obtained and used as the binding energy E ILN .
  • the measurement conditions for XPS are the same as the measurement method for the energy level E interface (1) .
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 50 according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • the display device 50 is different from the display device 40 according to the third embodiment in that the organic EL layer 54 is provided instead of the organic EL layer 14 (see FIG. 7).
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the third embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the organic EL layer 54 is different from the organic EL layer 44 in the third embodiment in that the hole transport layer 54A having a two-layer structure is provided instead of the hole transport layer 14A having a single layer structure.
  • the hole transport layer 54A includes a first hole transport layer 54A1 and a second hole transport layer 54A2.
  • the first hole transport layer 54A1 is adjacent to the hole injection layer 44A.
  • the second hole transport layer 54A2 is adjacent to the red light emitting layer 14B.
  • FIG. 10A is a diagram showing an example of an energy diagram of the insulating layer 13, the hole injection layer 44A, the first hole transport layer 54A1 and the second hole transport layer 54A2.
  • the bulk energy level E bulk (4a) of the first hole transport layer 54A1 and the bulk energy level E bulk (4b) of the second hole transport layer 54A2 satisfy the following equation (4). .. 0 ⁇ E bulk (4b) -E bulk (4a) ⁇ 0.3eV ... (4)
  • the energy level E bulk (4a) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 54 is etched from the interface between the hole injection layer 44A and the first hole transport layer 54A1 to the position of 10 nm on the first hole transport layer 34A1 side by ion sputtering. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (4a) . The measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) .
  • the energy level E bulk (4b) is measured as follows. Each layer formed on the first surface of the organic EL layer 44 is removed. After removal, the organic EL layer 54 is etched by ion sputtering from the interface between the first hole transport layer 54A1 and the second hole transport layer 54A2 to the position of 10 nm on the second hole transport layer 54A2 side. Subsequently, the energy level (HOMO) of the surface exposed by etching is measured by XPS, and this measured value is defined as the energy level E bulk (4b) .
  • the measurement conditions of XPS are the same as the measurement method of the energy level E interface (1) in the first embodiment.
  • Band bending may be controlled by adjusting the film forming conditions of the insulating layer 13 other than the process gas flow rate ratio. Specifically, for example, the hydrogen content in the insulating layer 13 may be controlled. Alternatively, the insulating layer 13 may be subjected to p-type doping or n-type doping to change the donor level or acceptor level in the insulating layer 13.
  • the constituent materials of the hole transport layers 14A, 34A, and 54A may be selected to control band bending.
  • a hole transport material having a fermi level HOMO, LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)
  • the hole transport material of the first hole transport layer 34A1 and the second hole transport layer 34A2 is the first hole transport layer.
  • Those having a fermi level (HOMO, LUMO) such that the energy difference of HOMO is 0.3 eV or less in a state where 34A1 and the second hole transport layer 34A2 are joined may be used.
  • the hole transport material of each layer may be selected in the same manner as in the case of the hole transport layer 34A having the above laminated structure.
  • the display devices 10, 30, 40, 50 (hereinafter referred to as “display device 10 and the like”) according to the first to fourth embodiments described above and modifications thereof can be used in various electronic devices. ..
  • the display device 10 and the like are incorporated into various electronic devices, for example, as a module as shown in FIG. In particular, it is suitable for those that require high resolution such as electronic viewfinders or head-mounted displays of video cameras and single-lens reflex cameras, and are used by enlarging them near the eyes.
  • This module has a region 210 exposed on one short side of the drive board 11 without being covered by the facing board 19 or the like, and the wiring of the signal line drive circuit 111 and the scanning line drive circuit 112 is connected to this region 210.
  • An external connection terminal (not shown) is formed by extending it.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 220 for signal input / output may be connected to the external connection terminal.
  • This digital still camera 310 is a single-lens reflex type with interchangeable lenses, and has an interchangeable shooting lens unit (interchangeable lens) 312 in the center of the front of the camera body (camera body) 311 and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for the photographer to grip.
  • interchangeable shooting lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back of the camera body 311.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided on the upper part of the monitor 314. By looking into the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 any of the display devices 10 and the like can be used.
  • FIG. 13 shows an example of the appearance of the head-mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 for being worn on the user's head on both sides of the eyeglass-shaped display unit 321.
  • the display unit 321 any of the display devices 10 and the like can be used.
  • FIG. 14 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television device 330 has, for example, a video display screen unit 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the video display screen unit 331 is composed of any one of the display devices 10 and the like.
  • Examples 1 and 2 Comparative Examples 1 and 2
  • a metal layer (Al alloy layer) and a metal oxide layer (ITO layer) are sequentially formed on the first surface of the drive substrate by a sputtering method, and then the metal layer and the metal are formed by using photolithography technology and etching technology. The oxide layer was patterned. As a result, a first electrode layer having a plurality of electrodes was formed.
  • an insulating layer (SiN layer) having an average thickness of 40 nm was formed on the first surface of the drive substrate by the CVD method.
  • SiH 4 gas and NH 3 gas were used as the process gas.
  • the flow rate ratio of SiH4 gas and NH3 gas was adjusted so that E HILN -E ILN had the values shown in Table 1.
  • a layer having a fixed charge was simultaneously formed on the first surface of the insulating layer. The amount of fixed charge decreased as E HILN -E ILN increased.
  • an organic EL layer was formed by laminating a hole injection layer (HATCN), a hole transport layer ( ⁇ -NPD), a light emitting layer, and an electron transport layer on an electrode and an insulating layer by a vapor deposition method.
  • a second electrode layer MgAg alloy layer was formed on the first surface of the organic EL layer. As a result, the target display device was obtained.
  • E HILN- E ILN The E HILN and E ILN of the display devices of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 obtained as described above were measured in the same manner as in the third embodiment, and E HILN -E ILN was obtained. .. The results are shown in Table 1.
  • FIG. 15 shows the relationship between E HILN and E ILN and the leakage current between sub-pixels.
  • Table 1 shows the evaluation results of the display devices of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.
  • the device simulation conditions were set as follows. In the device simulation, the state in which the display device is driven was simulated.
  • E 1 and E 2 are expressed as follows.
  • E 1 -E 2 0.3eV
  • the band bending amount in the state where the leak current is suppressed to 104 times the leak current is 0.3 eV.
  • the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. given in the above-mentioned first to fourth embodiments and modifications thereof are merely examples, and different configurations, methods, and the like are required.
  • the process, shape, material, numerical value, etc. may be used.
  • the present disclosure may also adopt the following configuration.
  • a first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, It is provided with an insulating layer provided between the adjacent electrodes.
  • the electroluminescence layer includes a hole transport layer, and the hole transport layer is adjacent to the insulating layer.
  • the energy level E interface (1) at the interface between the insulating layer and the hole transport layer and the energy level E bulk (1) in the bulk of the hole transport layer satisfy the following equation (1).
  • the electroluminescence layer includes a hole transport layer and has a hole transport layer.
  • the hole transport layer includes at least a first hole transport layer and a second hole transport layer, and the first hole transport layer is adjacent to the insulating layer.
  • the bulk energy level E bulk (2a) of the first hole transport layer and the bulk energy level E bulk (2b) of the second hole transport layer satisfy the following equation (2). Display device. 0 ⁇ E bulk (2b) -E bulk (2a) ⁇ 0.3eV ...
  • the electroluminescence layer includes a hole transport layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is adjacent to the insulating layer.
  • the energy level E interface (3) at the interface between the hole injection layer and the hole transport layer and the energy level E bulk (3) in the bulk of the hole transport layer satisfy the following equation (3). Display device. 0 ⁇ E bulk (3) -E interface (3) ⁇ 0.3eV ...
  • the electroluminescence layer includes a hole transport layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is adjacent to the insulating layer.
  • the hole transport layer includes at least a first hole transport layer and a second hole transport layer, and the first hole transport layer is adjacent to the hole injection layer.
  • the bulk energy level E bulk (4a) of the first hole transport layer and the bulk energy level E bulk (4b) of the second hole transport layer satisfy the following equation (4). Display device.
  • the hole injection layer and the insulating layer contain nitrogen, and the hole injection layer and the insulating layer contain nitrogen.
  • the hole injection layer contains hexaazatriphenylene carbonitrile and contains.

Landscapes

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Abstract

隣接するサブ画素間で生じる駆動電流のリークを抑制することができる表示装置を提供する。　表示装置は、２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、隣接する電極の間に設けられた絶縁層とを備える。エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、正孔輸送層が絶縁層に隣接する。絶縁層と正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)と、正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(1)は、下記の式（１）を満たす。　０≦Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶ　・・・（１）

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
　近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置（以下単に「表示装置」という。）として、全サブ画素に共通の有機層を有するものが提案されている。しかしながら、このような構成を有する表示装置では、隣接するサブ画素間で駆動電流のリークが発生しやすい。そこで、隣接するサブ画素間で駆動電流のリークを抑制するための技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
国際公開第２０２０／１１１２０２号パンフレット
　上述したように、近年では、全サブ画素に共通の有機ＥＬ層を有する表示装置では、隣接するサブ画素間で生じる駆動電流のリークを抑制する技術が望まれている
　本開示の目的は、隣接するサブ画素間で生じる駆動電流のリークを抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、正孔輸送層が絶縁層に隣接し、
　絶縁層と正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)と、正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(1)は、下記の式（１）を満たす表示装置である。
　０≦Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶ　・・・（１）
　第２の開示は、
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、
　正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、第１の正孔輸送層が、絶縁層に隣接し、
　第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2a)と、第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2b)は、下記の式（２）を満たす表示装置である。
　０≦Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶ　・・・（２）
　第３の開示は、
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、正孔注入層が絶縁層に隣接し、
　正孔注入層と正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(3)と正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(3)が、下記の式（３）を満たす表示装置である。
　０≦Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶ　・・・（３）
　第４の開示は、
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、正孔注入層が絶縁層に隣接し、
　正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、第１の正孔輸送層が、正孔注入層に隣接し、
　第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4a)と、第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4b)は、下記の式（４）を満たす表示装置である。
　０≦Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶ　・・・（４）
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３は、有機ＥＬ層の構成の一例を示す断面図である。 図４Ａは、Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶの関係を満たす場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。図４Ｂは、Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶの関係を満たさない場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。 図５は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図６Ａは、Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶの関係を満たす場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。図６Ｂは、Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶの関係を満たさない場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。 図７は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図８Ａは、Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶの関係を満たす場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。図８Ｂは、Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶの関係を満たさない場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。 図９は、本開示の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０Ａは、Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶの関係を満たす場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。図１０Ｂは、Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶの関係を満たさない場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。 図１１は、モジュールの概略構成の一例を示す平面図である。 図１２Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図１２Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図１３は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図１４は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 図１５は、正孔注入層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥHILNと絶縁層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥILNとの差（ＥHILN－ＥILN）、およびサブ画素間のリーク電流の関係を示すグラフである。 図１６は、正孔注入層のＨＯＭＯと絶縁層のＨＯＭＯの差、および正孔濃度との関係を示すグラフである。 図１７Ａは、リークを抑制することができる場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。図１７Ｂは、リークを抑制することができない場合のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。
　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
　１　第１の実施形態（表示装置の例）
　２　第２の実施形態（表示装置の例）
　３　第３の実施形態（表示装置の例）
　４　第４の実施形態（表示装置の例）
　５　変形例（表示装置の変形例）
　６　応用例（電子機器の例）
＜１　第１の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置１０は、表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａの周縁に設けられた周辺領域１１０Ｂとを有している。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
　サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別せず総称する場合には、サブ画素１００という。隣接するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図１では、行方向（水平方向）に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されているが、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの配列はこれに限定されるものではない。
　周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）装置、ＭＲ（Mixed Reality）装置、ＡＲ（Augmented Reality）装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に備えられてもよい。
　図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１と、第１の電極層１２と、絶縁層１３と、有機ＥＬ層１４と、第２の電極層１５と、保護層１６と、カラーフィルタ１７と、充填樹脂層１８と、対向基板１９とを備える。
　表示装置１０は、発光装置の一例である。表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０の対向基板１９側がトップ側となり、表示装置１０の駆動基板１１側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側となる面を第２の面という。
　表示装置１０は、複数の発光素子２０を備えている。複数の発光素子２０は、第１の電極層１２と有機ＥＬ層１４と第２の電極層１５とにより構成されている。発光素子２０は、例えば、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）等の白色発光素子である。表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色発光素子とカラーフィルタ１７とを用いる方式が用いられる。
（駆動基板）
　駆動基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子２０を駆動する。駆動基板１１には、複数の発光素子２０を駆動する駆動回路、および複数の発光素子２０に電力を供給する電源回路等（いずれも図示せず）が設けられている。
　駆動基板１１の基板本体は、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されていてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよい。具体的には、基板本体は、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（第１の電極層）
　第１の電極層１２は、駆動基板１１の第１の面上に設けられている。第１の電極層１２は、アノードである。第１の電極層１２と第２の電極層１５の間に電圧が加えられると、第１の電極層１２から有機ＥＬ層１４に正孔が注入される。第１の電極層１２は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。第１の電極層１２は、複数の電極１２Ａを有する。複数の電極１２Ａは、隣接する発光素子２０間で電気的に分離されている。複数の電極１２Ａは、有機ＥＬ層１４を共有している。複数の電極１２Ａは、マトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
　電極１２Ａは、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、電極１２Ａは、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。電極１２Ａが積層膜により構成されている場合、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられていてもよいし、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層を有機ＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。
　金属酸化物層は、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的に有機ＥＬ層１４への正孔注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。
（第２の電極層）
　第２の電極層１５は、第１の電極層１２と対向して設けられている。第２の電極層１５は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の電極として設けられている。第２の電極層１５は、カソードである。第１の電極層１２と第２の電極層１５の間に電圧が加えられると、第２の電極層１５から有機ＥＬ層１４に電子が注入される。第２の電極層１５は、有機ＥＬ層１４で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２の電極層１５は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
　第２の電極層１５は、例えば、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極層１５は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第２の電極層１５が積層膜により構成されている場合、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられてもよいし、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機ＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上述の電極１２Ａの透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
（ＥＬ層）
　有機ＥＬ層１４は、第１の電極層１２と第２の電極層１５の間に設けられている。有機ＥＬ層１４は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００（すなわち複数の電極１２Ａ）に亘って連続して設けられ、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の層として設けられている。有機ＥＬ層１４は、白色光を発光可能に構成されている。
　図３は、有機ＥＬ層１４の構成の一例を示す断面図である。有機ＥＬ層１４は、例えば、第１の電極層１２から第２の電極層１５に向かって、正孔輸送層１４Ａ、赤色発光層１４Ｂ、発光分離層１４Ｃ、青色発光層１４Ｄ、緑色発光層１４Ｅ、電子輸送層１４Ｆ、電子注入層１４Ｇがこの順序で積層された構成を有する。
　正孔輸送層１４Ａは、第１の電極層１２および絶縁層１３に隣接している。正孔輸送層１４Ａは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１４Ａは、例えば、α－ＮＰＤ（N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl〕-4,4'-diamine）を含む。
　電子輸送層１４Ｆは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｆは、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミキノリノール錯体）およびＢｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　電子注入層１７Ｈは、カソードからの電子注入を高めるためのものである。電子注入層１７Ｈは、例えば、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の単体またはそれらを含む化合物、具体的には例えばリチウム（Ｌｉ）またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）等を含む。
　発光分離層１４Ｃは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへのキャリアの注入を調整するための層であり、発光分離層１４Ｃを介して各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅに電子や正孔が注入されることにより各色の発光バランスが調整される。発光分離層１４Ｃは、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル誘導体等を含む。
　赤色発光層１４Ｂ、青色発光層１４Ｄ、緑色発光層１４Ｅはそれぞれ、電界をかけることにより、電極１２Ａから注入された正孔と第２の電極層１５から注入された電子との再結合が起こり、赤色、青色、緑色を発生するものである。
　赤色発光層１４Ｂは、例えば、赤色発光材料を含む。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層１４Ｂは、具体的には例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものを含む。
　青色発光層１４Ｄは、例えば、青色発光材料を含む。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層１４Ｄは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものを含む。
　緑色発光層１４Eは、例えば、緑色発光材料を含む。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層１４Eは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものを含む。
（絶縁層）
　絶縁層１３は、駆動基板１１の第１の面上、かつ、隣接する電極１２Ａの間に設けられている。絶縁層１３は、分離された各電極１２Ａの間を絶縁する。絶縁層１３は、複数の開口１３Ａを有する。複数の開口１３Ａはそれぞれ、各サブ画素１００に対応して設けられている。より具体的には、複数の開口１３Ａはそれぞれ、分離された各電極１２Ａの第１の面（第２の電極層１５との対向面）上に設けられている。開口１３Ａを介して、電極１２Ａと有機ＥＬ層１４とが接触する。
　絶縁層１３は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（保護層）
　保護層１６は、第２の電極層１５の第１の面上に設けられ、複数の発光素子２０を覆う。保護層１６は、発光素子２０を外気と遮断し、外部環境から発光素子２０内部への水分浸入を抑制する。また、第２の電極層１５が金属層により構成されている場合には、保護層１６は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１６は、例えば、吸湿性が低い無機材料または高分子樹脂を含む。保護層１６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。保護層１６の厚さを厚くする場合には、多層構造とすることが好ましい。保護層１６における内部応力を緩和するためである。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１７は、保護層１６の第１の面上に設けられている。カラーフィルタ１７は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１７は、例えば、赤色フィルタ１７Ｒと緑色フィルタ１７Ｇと青色フィルタ１７Ｂとを備える。赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ、青色フィルタ１７Ｂはそれぞれ、発光素子２０に対向して設けられている。赤色フィルタ１７Ｒと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｒが構成され、緑色フィルタ１７Ｇと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｇが構成され、青色フィルタ１７Ｂと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｂが構成されている。
　サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ内の各発光素子２０から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇおよび青色フィルタ１７Ｂを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色フィルタ１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ間、すなわちサブ画素１００間の領域には、遮光層１７ＢＭが設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１７は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板１９の第２の面（有機ＥＬ層１４との対向面）に設けられたものであってもよい。
（充填樹脂層）
　充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９の間に設けられている。充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１８は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（対向基板）
　対向基板１９は、駆動基板１１に対向して設けられている。より具体的には、対向基板１９は、対向基板１９の第２の面と駆動基板１１の第１の面とが対向するように設けられている。対向基板１９および充填樹脂層１８は、発光素子２０およびカラーフィルタ１７等を封止する。対向基板１９は、カラーフィルタ１７から出射される各色光に対して透明なガラス等の材料を含む。
（エネルギー順位の関係）
　図４Ａは、絶縁層１３および正孔輸送層１４Ａのエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。正孔輸送層１４Ａと絶縁層１３の界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)と、正孔輸送層１４Ａのバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(1)は、下記の式（１）を満たす。
　０≦Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶ　・・・（１）
　上記の式（１）を満たすように正孔輸送層１４Ａのバンドベンディングをコントロールするためには、絶縁層１３と正孔輸送層１４Ａのフェルミレベルの位置関係をコントロールすればよい。
　上記エネルギー準位Ｅinterface(1)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層１４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより絶縁層１３と正孔輸送層１４Ａとの界面から正孔輸送層１４Ａ側に２ｎｍの位置まで有機ＥＬ層１４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital））をＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅinterface(1)とする。ＸＰＳの測定条件は以下のとおりである。
　・ＸＰＳ装置：ULVAC-PHI社製　Quantum2000
　・線源：Ａｌ　Ｋα線　１４８６．６ｅＶ
　・ビーム径：１００μｍ
　・出射角度：９０度
　上記エネルギー準位Ｅbulk(1)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層１４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより絶縁層１３と正孔輸送層１４Ａとの界面から正孔輸送層１４Ａ側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層１４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(1)とする。ＸＰＳの測定条件は上記エネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
［表示装置の製造方法］
　以下、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、例えばスパッタリング法により、金属層、金属酸化物層を駆動基板１１の第１の面上に順次形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層および金属酸化物層をパターニングする。これにより、複数の電極１２Ａを有する第１の電極層１２が形成される。
　次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、複数の電極１２Ａを覆うように駆動基板１１の第１の面上に絶縁層１３を形成する。この際、例えば、プロセスガスとしてＳｉＨ４およびＮＨ３の２種のガスを用い、これらの２種のプロセスガスの流量比を調整することにより、エネルギー準位Ｅinterface(1)およびエネルギー準位Ｅbulk(1)が上記式（１）を満たすように設定することが可能である。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により、絶縁層１３のうち、各電極１２Ａの第１の面上に位置する部分に開口１３Ａをそれぞれ形成する。
　次に、例えば蒸着法により、正孔輸送層１４Ａ、赤色発光層１４Ｂ、発光分離層１４Ｃ、青色発光層１４Ｄ、緑色発光層１４Ｅ、電子輸送層１４Ｆ、電子注入層１４Ｇを複数の電極１２Ａの第１の面および絶縁層１３の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機ＥＬ層１４を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２の電極層１５を有機ＥＬ層１４の第１の面上に形成する。これにより、駆動基板１１の第１の面上に複数の発光素子２０が形成される。
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１６を第２の電極層１５の第１の面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１６の第１の面上にカラーフィルタ１７を形成する。なお、保護層１６の段差やカラーフィルタ１７自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１７の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いて、充填樹脂層１８によりカラーフィルタ１７を覆った後、対向基板１９を充填樹脂層１８上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１８に熱を加えるか、または充填樹脂層１８に紫外線を照射し、充填樹脂層１８を硬化させることにより、充填樹脂層１８を介して駆動基板１１と対向基板１９とを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。以上により、図２に示す表示装置１０が得られる。
［作用効果］
　上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０では、図４Ａに示すように、エネルギー準位Ｅinterface(1)およびエネルギー準位Ｅbulk(1)が上記式（１）を満たすので、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができる。一方、図４Ｂに示すように、エネルギー準位Ｅinterface(1)およびエネルギー準位Ｅbulk(1)が上記式（１）を満たさない場合には、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができない。リーク挙動は、正孔輸送を担う正孔輸送層１４Ａと絶縁層１３との界面におけるバンドベンディングにより正孔たまりができることが原因であると考えられる。
＜２　第２の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図５は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置３０の構成の一例を示す断面図である。表示装置３０は、有機ＥＬ層１４（図２参照）に代えて、有機ＥＬ層３４を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　有機ＥＬ層３４は、単層構造の正孔輸送層１４Ａに代えて、２層構造の正孔輸送層３４Ａを備える点において、第１の実施形態における有機ＥＬ層１４とは異なっている。正孔輸送層３４Ａは、第１の正孔輸送層３４Ａ１と第２の正孔輸送層３４Ａ２とを備える。第１の正孔輸送層３４Ａ１が、第１の電極層１２および絶縁層１３（図２参照）に隣接する。第２の正孔輸送層３４Ａ２が、赤色発光層１４Ｂに隣接する。
　図６Ａは、絶縁層１３、第１の正孔輸送層３４Ａ１および第２の正孔輸送層３４Ａ２のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。第１の正孔輸送層３４Ａ１のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2a)と、第２の正孔輸送層３４Ａ２のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2b)は、下記の式（２）を満たす。
　０≦Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶ　・・・（２）
　上記エネルギー準位Ｅbulk(2a)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層３４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより絶縁層１３と第１の正孔輸送層３４Ａ１との界面から第１の正孔輸送層３４Ａ１側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層３４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(2a)とする。ＸＰＳの測定条件は、第１の実施形態におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
　上記エネルギー準位Ｅbulk(2b)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層３４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより第１の正孔輸送層３４Ａ１と第２の正孔輸送層３４Ａ２との界面から第２の正孔輸送層３４Ａ２側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層３４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(2b)とする。ＸＰＳの測定条件は、第１の実施形態におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
［作用効果］
　上述したように、第２の実施形態に係る表示装置３０では、図６Ａに示すように、エネルギー準位Ｅbulk(2a)およびエネルギー準位Ｅbulk(2b)が上記式（２）を満たすので、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができる。一方、図６Ｂに示すように、エネルギー準位Ｅbulk(2a)およびエネルギー準位Ｅbulk(2b)が上記式（２）を満たさない場合には、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができない。
＜３　第３の実施形態＞
　図７は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置４０の構成の一例を示す断面図である。表示装置４０は、有機ＥＬ層１４（図２参照）に代えて、有機ＥＬ層４４を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　有機ＥＬ層４４は、正孔注入層４４Ａをさらに備える点において、第１の実施形態における有機ＥＬ層１４とは異なっている。正孔注入層４４Ａは、第１の電極層１２（図２参照）と正孔輸送層１４Ａとの間に設けられ、第１の電極層１２および絶縁層１３に隣接している。正孔注入層３１Ａは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへの正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制するためのものである。正孔注入層４４Ａは、例えば、ヘキサアザトリフェニレンカルボニトリル（ＨＡＴＣＮ）等を含む。
　図８Ａは、絶縁層１３、正孔注入層４４Ａおよび正孔輸送層１４Ａのエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。正孔注入層４４Ａと正孔輸送層１４Ａの界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(3)と、正孔輸送層１４Ａのバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(3)は、下記の式（３）を満たす。
　０≦Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶ　・・・（３）
　上記エネルギー準位Ｅinterface(3)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより正孔注入層４４Ａと正孔輸送層１４Ａとの界面から正孔輸送層１４Ａ側に２ｎｍの位置まで有機ＥＬ層４４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅinterface(3)とする。ＸＰＳの測定条件は、第１の実施形態におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
　上記エネルギー準位Ｅbulk(3)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより正孔注入層４４Ａと正孔輸送層１４Ａとの界面から正孔輸送層１４Ａ側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層４４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(3)とする。ＸＰＳの測定条件は上記エネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
　正孔注入層４４Ａおよび絶縁層１３が窒素を含む場合、正孔注入層４４ＡにおけるＮ１ｓの結合エネルギーＥHILNと、絶縁層１３におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥILNが、下記の式（３ａ）を満たすことが好ましい。
　２．７ｅＶ＜ＥHILN－ＥILN　・・・（３ａ）
　上記結合エネルギーＥHILNは以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより有機ＥＬ層４４をエッチングし、正孔注入層４４Ａの表面（第１の面）を露出させる。続いて、露出された正孔注入層４４Ａの表面のＸＰＳ測定を行い、ＸＰＳスペクトルを取得する。このＸＰＳスペクトルから、正孔注入層４４ＡのＮ１ｓ軌道由来のピークの頂点の結合エネルギー値を求め、結合エネルギーＥHILNとする。
　上記結合エネルギーＥILNは以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、次に、イオンスパッタリングにより有機ＥＬ層４４をエッチングし、絶縁層１３の表面（第１の面）を露出させる。次に、露出された絶縁層１３の表面のＸＰＳ測定を行い、ＸＰＳスペクトルを取得する。このＸＰＳスペクトルから、絶縁層１３のＮ１ｓ軌道由来のピークの頂点の結合エネルギー値を求め、結合エネルギーＥILNとする。なお、ＸＰＳの測定条件は上記エネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
［作用効果］
　上述したように、第３の実施形態に係る表示装置４０では、図８Ａに示すように、エネルギー準位Ｅinterface(3)およびエネルギー準位Ｅbulk(3)が上記式（３）を満たすので、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができる。一方、図８Ｂに示すように、エネルギー準位Ｅinterface(3)およびエネルギー準位Ｅbulk(3)が上記式（３）を満たさない場合には、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができない。
＜４　第４の実施形態＞
　図９は、本開示の第４の実施形態に係る表示装置５０の構成の一例を示す断面図である。表示装置５０は、有機ＥＬ層１４（図７参照）に代えて、有機ＥＬ層５４を備える点において、第３の実施形態に係る表示装置４０とは異なっている。なお、第４の実施形態において、第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　有機ＥＬ層５４は、単層構造の正孔輸送層１４Ａに代えて、２層構造の正孔輸送層５４Ａを備える点において、第３の実施形態における有機ＥＬ層４４とは異なっている。正孔輸送層５４Ａは、第１の正孔輸送層５４Ａ１と第２の正孔輸送層５４Ａ２とを備える。第１の正孔輸送層５４Ａ１が、正孔注入層４４Ａに隣接する。第２の正孔輸送層５４Ａ２が、赤色発光層１４Ｂに隣接する。
　図１０Ａは、絶縁層１３、正孔注入層４４Ａ、第１の正孔輸送層５４Ａ１および第２の正孔輸送層５４Ａ２のエネルギーダイアグラムの一例を示す図である。第１の正孔輸送層５４Ａ１のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4a)と、第２の正孔輸送層５４Ａ２のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4b)は、下記の式（４）を満たす。
　０≦Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶ　・・・（４）
　上記エネルギー準位Ｅbulk(4a)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより正孔注入層４４Ａと第１の正孔輸送層５４Ａ１との界面から第１の正孔輸送層３４Ａ１側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層５４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(4a)とする。ＸＰＳの測定条件は上記エネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
　上記エネルギー準位Ｅbulk(4b)は以下のようにして測定される。有機ＥＬ層４４の第１の面上に形成された各層を除去する。除去後、イオンスパッタリングにより第１の正孔輸送層５４Ａ１と第２の正孔輸送層５４Ａ２との界面から第２の正孔輸送層５４Ａ２側に１０ｎｍの位置まで有機ＥＬ層５４をエッチングする。続いて、エッチングにより露出した表面のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）をＸＰＳにより測定し、この測定値をエネルギー準位Ｅbulk(4b)とする。ＸＰＳの測定条件は、第１の実施形態におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)の測定方法と同様である。
［作用効果］
　上述したように、第４の実施形態に係る表示装置５０では、図１０Ａに示すように、エネルギー準位Ｅbulk(4a)およびエネルギー準位Ｅbulk(4b)が上記式（４）を満たすので、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができる。一方、図１０Ｂに示すように、エネルギー準位Ｅbulk(4a)およびエネルギー準位Ｅbulk(4b)が上記式（４）を満たさない場合には、隣接するサブ画素１００間での駆動電流のリークを抑制することができない。
＜５　変形例＞
［変形例１］
　第１～第４の実施形態では、有機ＥＬ層１４、３４、４４、５４が、単層の発光ユニットを備える例について説明したが、積層された複数の発光ユニットを備えるスタック構造を有していてもよい。この場合、隣接する発光ユニットの間に電荷発生層が挟まれる。
［変形例２］
　第２、第４の実施形態では、正孔輸送層３４Ａ、５４Ａが、２層からなる積層構造を有する例について説明したが、３層以上からなる積層構造を有していてもよい。
［変形例３］
　第１～第４の実施形態では、絶縁層１３の形成時のプロセスガス流量比を調整することにより、正孔輸送層１４Ａ、３４Ａ、５４Ａのバンドベンディングを調整する例について説明したが、バンドベンディングを調整する方法はこれに限定されるものではない。
　プロセスガス流量比以外の絶縁層１３の成膜条件を調整しバンドベンディングをコントロールするようにしてもよい。具体的には例えば、絶縁層１３中の水素含有量を制御するようにしてもよい。あるいは、絶縁層１３にｐ型ドーピングまたはｎ型ドーピングを行い、絶縁層１３中のドナー準位またはアクセプタ準位を変化させるようにしてもよい。
　正孔輸送層１４Ａ、３４Ａ、５４Ａの構成材料を選択し、バンドベンディングをコントロールするようにしてもよい。具体的には例えば、バンドベンディングが０．３ｅＶ以下になるようなフェルミレベル（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital））を有する正孔輸送材料が用いられてもよい。２層からなる積層構造を有する正孔輸送層３４Ａの場合には、第１の正孔輸送層３４Ａ１および第２の正孔輸送層３４Ａ２の正孔輸送材料としては、第１の正孔輸送層３４Ａ１と第２の正孔輸送層３４Ａ２を接合した状態にてＨＯＭＯのエネルギー差が０．３ｅＶ以下になるようなフェルミレベル（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ）を有するものが用いられてもよい。２層からなる積層構造を有する正孔輸送層５４Ａの場合にも、上記の積層構造を有する正孔輸送層３４Ａの場合と同様に各層の正孔輸送材料を選択するようにしてもよい。
［変形例４］
　第１～第４の実施形態では、表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色発光素子とカラーフィルタ１７とを用いる方式が用いられる例について説明したが、カラー化の方式はこれに限定されるものではない。例えば、共振器構造により３色光（赤色光、緑色光、青色光）を取り出す方式が用いられてもよいし、カラーフィルタ１７と共振器構造とを併用することにより、色純度を高める方式が用いられてもよい。
＜６　応用例＞
（電子機器）
　上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０、３０、４０、５０（以下「表示装置１０等」という。）は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置１０等は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、駆動基板１１の一方の短辺側に、対向基板１９等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図１２Ａ、図１２Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、表示装置１０等のいずれかを用いることができる。
（具体例２）
　図１３は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、表示装置１０等のいずれかを用いることができる。
（具体例３）
　図１４は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０等のいずれかにより構成されている。
　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
［実施例１、２、比較例１、２］
　まず、スパッタリング法により、金属層（Ａｌ合金層）、金属酸化物層（ＩＴＯ層）を駆動基板の第１の面上に順次形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層および金属酸化物層をパターニングした。これにより、複数の電極を有する第１の電極層が形成された。
　次に、ＣＶＤ法により、平均厚み４０ｎｍの絶縁層（ＳｉＮ層）を駆動基板の第１の面上に形成した。この際、プロセスガスとしてＳｉＨ４ガスおよびＮＨ３ガスを用いた。また、ＥHILN－ＥILNが表１に示す値となるように、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスとの流量比を調整した。これにより、絶縁層の第１の面に固定電荷を有する層が同時に形成された。ＥHILN－ＥILNが大きくなるほど固定電荷の量は減少した。
　次に、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により、絶縁層のうち、各電極の第１の面上に位置する部分に開口をそれぞれ形成した。次に、蒸着法により、正孔注入層（ＨＡＴＣＮ）、正孔輸送層（α－ＮＰＤ）、発光層、電子輸送層を電極および絶縁層上に積層することにより、有機ＥＬ層を形成した。次に、有機ＥＬ層の第１の面上に第２の電極層（ＭｇＡｇ合金層）を形成した。これにより、目的とする表示装置が得られた。
（ＥHILN－ＥILN）
　上述のようにして得られた実施例１、２、比較例１、２の表示装置のＥHILN、ＥILNを、第３の実施形態と同様にして測定し、ＥHILN－ＥILNを求めた。その結果を表１に示した。
（サブ画素間のリーク電流）
　上述のようにして得られた実施例１、２、比較例１、２の表示装置のサブ画素間リーク電流を測定した。その結果を表１に示した。また、ＥHILN－ＥILNとサブ画素間リーク電流との関係を図１５に示した。
　表１は、実施例１、２、比較例１、２の表示装置の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１、図１５から以下のことがわかる。
　サブ画素間のリーク電流がＥHILN－ＥILNの値に依存している。具体的には、比較例１のリーク量（＝１．０）を基準値としてリークを判断すると、２．７ｅＶ＜ＥHILN－ＥILNである場合、サブ画素間に流れるリーク電流を抑制することができる。一方、ＥHILN－ＥILN≦２．７ｅＶである場合、サブ画素間に流れるリーク電流を抑制することが困難である。
［シミュレーション］
　デバイスシミュレーションにより、正孔注入層のＨＯＭＯと絶縁層のＨＯＭＯの差、およびサブ画素間における正孔濃度（リーク量）との関係を求めた。その結果を図１６に示した。なお、正孔濃度と正孔リーク電流値は比例関係にある。
　デバイスシミュレーションの条件は以下のように設定された。なお、デバイスシミュレーションでは、表示装置が駆動している状態を模擬した。
・デバイスシミュレータ：Silvaco社製　Atlas
・正孔輸送層（ＨＴＬ）：膜厚５０ｎｍ、ＬＵＭＯ＝１．５、ＨＯＭＯ＝５．５［ｅＶ］
・正孔注入層（ＨＩＬ）：膜厚２ｎｍ、ＬＵＭＯ＝５．２、ＨＯＭＯ＝９．８［ｅＶ］
・絶縁層（ＳｉＮ）：膜厚３０ｎｍ、ＥＡ（電子親和力）＝２．６［ｅＶ］、Ｂｇ＝４．７［ｅＶ］
・電極
　上部電極（カソード）：ＩＴＯ　ＷＦ（仕事関数）＝５．０［ｅＶ］
　下部電極（アノード）：ＩＴＯ　ＷＦ＝５．０［ｅＶ］
・電圧
　上部電極＝０．０［Ｖ］、下部電極＝０．０～５．０［Ｖ］
　上記デバイスシミュレーションの結果（図１６参照）から、正孔注入層のＨＯＭＯと絶縁層のＨＯＭＯの差が０．３ｅＶ変化すると、リーク量が１０４倍変化することがわかる。この正孔注入層のＨＯＭＯと絶縁層のＨＯＭＯの差０．３ｅＶの変化は、接合状態に関わらず内殻エネルギーとＨＯＭＯのエネルギー差が変化しないと考えると、ＥHILNとＥILNの差が０．３ｅＶ変化していることと同義と考えることができる。このため、上記のようにＥHILNとＥILNの差が３．０ｅＶ（実施例２）の場合と、ＥHILNとＥILNの差が２．７ｅＶ（比較例１）の場合とでは、サブ画素間のリーク電流量には１０４倍の差があると考えられる（図１５参照）。
　上記のようなリーク量の差が表れるようなバンドベンディング量は、以下のようにして算出される。
　Ｉ＝ｅｎｖＳ
（Ｉ：電流、ｅ：自由電子１個がもつ電荷、ｎ：自由電子の数密度、ｖＳ：自由電子が移動する分の体積）
　上記式が用いられる場合、電流Ｉは以下のように表すことができる。
　Ｉ∝ｎ∝ｅｘｐ（－ΔＥ／ｋＴ）
（ΔＥ：エネルギー差、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）
　図１７中で定義したエネルギー値Ｅ０、Ｅ１、Ｅ２を用いると、リーク電流が抑制されているときの電流Ｉ１とリーク電流が抑制されていないときの電流Ｉ２は、以下のように表される。
　Ｉ１∝ｅｘｐ（－（Ｅ０－Ｅ１）／ｋＴ）
　Ｉ２∝ｅｘｐ（－（Ｅ０－Ｅ２）／ｋＴ）
　電流Ｉ１と電流Ｉ２に１０４倍の差があるため、以下のように表される。
　Ｉ１／Ｉ２＝１０４＝ｅｘｐ（－（（Ｅ０－Ｅ１）＋（Ｅ０－Ｅ２））／ｋＴ）
　　　　　　　　　　＝ｅｘｐ（（Ｅ１－Ｅ２）／ｋＴ）
　ｋとＴに値を代入して上記式を解くと、Ｅ１－Ｅ２は以下のように表される。
　Ｅ１－Ｅ２＝０．３ｅＶ
　リーク電流が抑制されている場合、Ｅbulk－Ｅinterface＝０（Ｅ０－Ｅ１＝０）と仮定すると、Ｅ１－Ｅ２は以下のように表される。
　Ｅ１－Ｅ２＝Ｅ０－Ｅ２＝０．３ｅＶ
　したがって、リーク電流が抑制されている状態から、１０４倍のリーク電流が流れる状態のバンドベンディング量は０．３ｅＶである。
　以上、本開示の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、前記正孔輸送層が前記絶縁層に隣接し、
　前記絶縁層と前記正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)と、前記正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(1)は、下記の式（１）を満たす表示装置。
　０≦Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶ　・・・（１）
（２）
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、
　前記正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、前記第１の正孔輸送層が、前記絶縁層に隣接し、
　前記第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2a)と、前記第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2b)は、下記の式（２）を満たす表示装置。
　０≦Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶ　・・・（２）
（３）
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、前記正孔注入層が前記絶縁層に隣接し、
　前記正孔注入層と前記正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(3)と前記正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(3)が、下記の式（３）を満たす表示装置。
　０≦Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶ　・・・（３）
（４）
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、前記正孔注入層が前記絶縁層に隣接し、
　前記正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、前記第１の正孔輸送層が、前記正孔注入層に隣接し、
　前記第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4a)と、前記第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4b)は、下記の式（４）を満たす表示装置。
　０≦Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶ　・・・（４）
（５）
　前記正孔注入層および前記絶縁層は、窒素を含み、
　前記正孔注入層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥHILNと、前記絶縁層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥILNが、下記の式（３ａ）を満たす（３）または（４）に記載の表示装置。
　２．７ｅＶ＜ＥHILN－ＥILN　・・・（３ａ）
（６）
　前記正孔注入層は、ヘキサアザトリフェニレンカルボニトリルを含み、
　前記絶縁層は、窒化シリコンを含む（５）に記載の表示装置。
（７）
　前記エレクトロルミネッセンス層は、前記複数の電極に亘って設けられている（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
　（１）から（７）のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
　１０、３０、４０、５０　　表示装置
　１１　　駆動基板
　１２　　第１の電極層
　１２Ａ　　電極
　１３　　絶縁層
　１３Ａ　　開口
　１４、３４、４４、５４　　有機エレクトロルミネッセンス層
　１４Ａ、３４Ａ、５４Ａ　　正孔輸送層
　１４Ｂ　　赤色発光層
　１４Ｃ　　発光分離層
　１４Ｄ　　青色発光層
　１４Ｅ　　緑色発光層
　１４Ｆ　　電子輸送層
　１４Ｇ　　電子注入層
　１５　　第２の電極層
　１６　　保護層
　１７　　カラーフィルタ
　１７Ｒ　　赤色フィルタ
　１７Ｇ　　緑色フィルタ
　１７Ｂ　　青色フィルタ
　１７ＢＭ　　遮光層
　１８　　充填樹脂層
　１９　　対向基板
　２０　　発光素子
　３４Ａ１、５４Ａ１　　第１の正孔輸送層
　３４Ａ２、５４Ａ２　　第２の正孔輸送層
　４４Ａ　　正孔注入層
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　サブ画素
　１１０Ａ　　表示領域
　１１０Ｂ　　周辺領域
　１１１　　信号線駆動回路
　１１１Ａ　　信号線
　１１２　　走査線駆動回路
　１１２Ａ　　走査線
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (8)

  1. 　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
    　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
    　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
    　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
    　を備え、
    　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、前記正孔輸送層が前記絶縁層に隣接し、
    　前記絶縁層と前記正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(1)と、前記正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(1)は、下記の式（１）を満たす表示装置。
    　０≦Ｅbulk(1)－Ｅinterface(1)≦０．３ｅＶ　・・・（１）
  2. 　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
    　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
    　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
    　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
    　を備え、
    　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層を備え、
    　前記正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、前記第１の正孔輸送層が、前記絶縁層に隣接し、
    　前記第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2a)と、前記第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(2b)は、下記の式（２）を満たす表示装置。
    　０≦Ｅbulk(2b)－Ｅbulk(2a)≦０．３ｅＶ　・・・（２）
  3. 　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
    　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
    　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
    　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
    　を備え、
    　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、前記正孔注入層が前記絶縁層に隣接し、
    　前記正孔注入層と前記正孔輸送層との界面におけるエネルギー準位Ｅinterface(3)と、前記正孔輸送層のバルクにおけるエネルギー準位Ｅbulk(3)が、下記の式（３）を満たす表示装置。
    　０≦Ｅbulk(3)－Ｅinterface(3)≦０．３ｅＶ　・・・（３）
  4. 　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
    　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
    　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
    　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
    　を備え、
    　前記エレクトロルミネッセンス層は、正孔輸送層と正孔注入層とを備え、前記正孔注入層が前記絶縁層に隣接し、
    　前記正孔輸送層は、少なくとも第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とを備え、前記第１の正孔輸送層が、前記正孔注入層に隣接し、
    　前記第１の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4a)と、前記第２の正孔輸送層のバルクのエネルギー準位Ｅbulk(4b)は、下記の式（４）を満たす表示装置。
    　０≦Ｅbulk(4b)－Ｅbulk(4a)≦０．３ｅＶ　・・・（４）
  5. 　前記正孔注入層および前記絶縁層は、窒素を含み、
    　前記正孔注入層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥHILNと、前記絶縁層におけるＮ１ｓの結合エネルギーＥILNが、下記の式（３ａ）を満たす請求項３に記載の表示装置。
    　２．７ｅＶ＜ＥHILN－ＥILN　・・・（３ａ）
  6. 　前記正孔注入層は、ヘキサアザトリフェニレンカルボニトリルを含み、
    　前記絶縁層は、窒化シリコンを含む請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記エレクトロルミネッセンス層は、前記複数の電極に亘って設けられている請求項１に記載の表示装置。
  8. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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