WO2018147050A1 - 表示装置、および電子機器 - Google Patents

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WO2018147050A1
WO2018147050A1 PCT/JP2018/001650 JP2018001650W WO2018147050A1 WO 2018147050 A1 WO2018147050 A1 WO 2018147050A1 JP 2018001650 W JP2018001650 W JP 2018001650W WO 2018147050 A1 WO2018147050 A1 WO 2018147050A1
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light emitting
display device
layer
electrode
insulating layer
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PCT/JP2018/001650
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French (fr)
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糸長　総一郎
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ソニー株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and an electronic device.
  • a display device using an organic electro-luminescence element (OLED) disclosed in Patent Document 1 described below is self-luminous and has low power consumption, so that it can be applied to mobile applications. Expected.
  • OLED organic electro-luminescence element
  • the present disclosure proposes a new and improved display device and electronic apparatus that can further suppress the leakage of drive current that occurs between adjacent light emitting elements.
  • the first electrode provided for each light emitting element and the organic light emitting layer sandwiched between the second electrodes in the stacking direction, and a plurality of light emitting elements arranged on a plane, the first electrode And an insulating layer provided between each of the electrodes, wherein at least a part of the insulating layer is formed of a positively charged inorganic nitride.
  • a plurality of light emitting elements arranged on a plane having an organic light emitting layer sandwiched between a first electrode provided for each light emitting element and a second electrode in a stacking direction; And an insulating layer provided between each of the first electrodes, wherein at least a part of the insulating layer has a display portion formed of a positively charged inorganic nitride. Is provided.
  • the present disclosure in the display device, it is possible to suppress the leakage of driving current that occurs between adjacent light emitting elements.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment of the present disclosure cut in a stacking direction.
  • FIG. It is sectional drawing explaining the leak of the drive current in an organic light emitting layer. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment. It is sectional drawing which shows 1 process of the manufacturing method of the display apparatus which concerns on the same embodiment.
  • FIG. 16 is an external view illustrating another example of an electronic apparatus to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • FIG. 16 is an external view illustrating another example of an electronic apparatus to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • FIG. 16 is an external view illustrating another example of an electronic apparatus to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • FIG. 16 is an external view illustrating another example of an electronic apparatus to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • FIG. 16 is an external view illustrating another example of an electronic apparatus to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment of the present disclosure cut in the stacking direction.
  • the display device is, for example, a display device that displays an image or the like by controlling light emission of each of a plurality of light emitting elements arranged on a plane.
  • a plurality of light emitting elements arranged on a plane constitute, for example, one of red, green, and blue subpixels, and one pixel (that is, a pixel) is constituted by these three subpixels.
  • the display device can control the color of each pixel by controlling the light emission of the three sub-pixels constituting the pixel, and can display an image based on the image signal.
  • a drive circuit that controls light emission of each light emitting element, a power supply circuit that supplies power applied to the light emitting element, and the like can have arbitrary configurations. Therefore, in the following, illustration of these configurations is omitted.
  • the display device includes a substrate 100, a contact plug 111 provided inside the substrate 100, and a first electrode 110 provided on the substrate 100 for each light emitting element.
  • the insulating layer 120 provided between each of the first electrodes 110, the organic light emitting layer 130 provided on the first electrode 110 and the insulating layer 120, and the second provided on the organic light emitting layer 130.
  • the electrode 140 includes a protective layer 150 provided on the second electrode 140, and a color filter 161 and a shielding layer 163 provided on the protective layer 150. That is, the display device according to the present embodiment may be a top emission type display device that extracts light emitted from the light emitting element from the protective layer 150 side.
  • the substrate 100 is a support that supports a plurality of light emitting elements arranged on one main surface. Although not illustrated, the substrate 100 may be provided with a sampling transistor that controls driving of the light emitting element and a driving circuit including the driving transistor, and a power supply circuit that supplies power to the light emitting element.
  • the substrate 100 may be made of, for example, glass or resin with low moisture and oxygen permeability, or may be made of a semiconductor that can be easily formed as a transistor.
  • the substrate 100 is a glass substrate such as high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, or quartz glass, a semiconductor substrate such as amorphous silicon or polycrystalline silicon, or polymethyl
  • a resin substrate such as methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, or polyethylene naphthalate.
  • the contact plug 111 electrically connects the first electrode 110 to a drive circuit, a power supply circuit, and the like. Specifically, the contact plug 111 electrically connects the first electrode 110 and a drive circuit, a power supply circuit, and the like (not shown) provided in the substrate 100, and power for light emission of the light emitting element. Is applied to the first electrode 110.
  • the contact plug 111 includes, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), and tantalum (Ta). ), Aluminum (Al), iron (Fe), silver (Ag) or the like, or may be formed by laminating a plurality of these metal films.
  • the first electrode 110 is provided on the substrate 100 for each light emitting element, and functions as an anode of the light emitting element.
  • the first electrode 110 may be formed as a light reflecting electrode using a material having a high light reflectance and a high work function.
  • the first electrode 110 may be formed of a simple substance or an alloy of a metal such as Cr, Au, Pt, Ni, Cu, Mo, W, Ti, Ta, Al, Fe, or Ag. It may be formed by stacking a plurality of films.
  • the first electrode 110 may be formed as a transparent electrode using a transparent conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide.
  • a transparent conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide.
  • a simple substance or alloy of metal such as Cr, Au, Pt, Ni, Cu, Mo, W, Ti, Ta, Al, Fe, or Ag is provided between the first electrode 110 and the substrate 100.
  • a light reflecting layer may be provided.
  • the insulating layer 120 is provided between the adjacent first electrodes 110 and separates each of the light emitting elements. Specifically, the insulating layer 120 may be formed so as to cover the side surface of the first electrode 110 so as not to expose the side surface of the first electrode 110.
  • the thickness of the organic light emitting layer 130 tends to be thin on the side surface of the first electrode 110, a driving voltage is easily applied locally, and abnormal light emission is likely to occur.
  • the first electrode 110 is formed as a laminated film of a plurality of metal films, the work function is different for each metal film, and therefore abnormal light emission is likely to occur on the side surface of the first electrode 110 where each metal film is exposed. Therefore, by covering the side surface of the first electrode 110 with the insulating layer 120, occurrence of abnormal light emission can be prevented.
  • the film thickness region of the insulating layer 120 is formed of inorganic nitride and is positively charged. More specifically, at least a part of the film thickness region of the insulating layer 120 may be formed of an inorganic nitride that does not contain oxygen atoms. Thereby, as will be described later, the insulating layer 120 can suppress the generation of a highly conductive path that causes a drive current leak in the organic light emitting layer 130.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating drive current leakage in the organic light emitting layer 130.
  • the insulating layer 121 is formed of, for example, an inorganic oxide (eg, silicon oxide) that is a general insulating material.
  • an inorganic oxide eg, silicon oxide
  • hydrogen is bonded to unstable oxygen contained in the inorganic oxide, so that a hydroxy group is generated. Since the hydroxy group has a negative charge, many hydroxy groups formed in the insulating layer 121 negatively charge the insulating layer 121. As a result, the negatively charged insulating layer 121 attracts positively charged holes to the interface of the organic light emitting layer 130 in contact with the insulating layer 121.
  • the organic light emitting layer 130 on the side in contact with the insulating layer 121 is, for example, a hole transport layer, and has a high hole mobility. Therefore, the positive holes attracted and accumulated by the negatively charged insulating layer 121 easily form a highly conductive path at the interface of the organic light emitting layer 130 in contact with the insulating layer 121. Therefore, when the insulating layer 121 is formed of an inorganic oxide, the driving current applied to the first electrode 110 passes through a path formed at the interface of the organic light emitting layer 130 that is in contact with the insulating layer 121 and is adjacent to the light emitting element. The first electrode 110 is easily leaked.
  • an inorganic oxide film formed by using low-temperature plasma has relatively weak bonding between atoms and is likely to generate defects, so that unstable oxygen that forms a hydroxy group is likely to be generated. Therefore, when the insulating layer 121 is formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) using low temperature plasma or ALD (Atomic Layer Deposition), a highly conductive path is formed at the interface of the organic light emitting layer 130. This is likely to cause drive current leakage.
  • the insulating layer 120 is formed of inorganic nitride and is positively charged. Therefore, the insulating layer 120 is formed at the interface of the organic light emitting layer 130 in contact with the insulating layer 120. Does not attract holes. Therefore, since a path through which a leakage current flows is difficult to be formed in the organic light emitting layer 130 that is in contact with the insulating layer 120, the display device according to the present embodiment indicates that the driving current leaks between each of the first electrodes 110. Can be prevented.
  • the bond energy between atoms in the inorganic nitride is higher than the bond energy between atoms in the inorganic oxide, and the insulating layer 120 formed of the inorganic nitride has an atomic bond that is a group for generating a hydroxy group. This is because such defects are less likely to occur.
  • the insulating layer 120 formed of inorganic nitride does not contain oxygen and a hydroxy group is not easily generated. Therefore, by using inorganic nitride, the insulating layer 120 that is not negatively charged and is positively charged can be formed.
  • the insulating layer 120 can be formed of silicon nitride (SiN x ) or the like. In order to charge the insulating layer 120 more positively, the Si—H / N—H ratio of silicon nitride forming the insulating layer 120 may be less than 1%.
  • silicon nitride is formed by reacting a Si-containing gas (for example, SiH 4 ) and an N-containing gas (for example, NH 3 ) by CVD or the like, for example, the silicon nitride is formed in the silicon nitride film. Includes hydrogen atoms contained in the source gas. At this time, as the Si—H / N—H ratio is smaller and the amount of hydrogen atoms contained in the silicon nitride film is smaller, the hydroxy group is less likely to be generated. Therefore, by using silicon nitride having a Si—H / N—H ratio of less than 1%, the insulating layer 120 that is more strongly positively charged can be formed. Such an insulating layer 120 with a low hydrogen atom content can be formed by controlling the flow rate ratio of the source gas so as to reduce the amount of hydrogen atoms contained in the CVD source gas, for example. .
  • the method of forming the insulating layer 120 that is positively charged and does not attract holes to the interface with the organic light emitting layer 130 is not limited to the method described above.
  • the positively charged insulating layer 120 can be formed by doping a layer formed of an insulating material other than inorganic nitride with a nitrogen atom or a fluorine atom.
  • the insulating layer 120 may be formed as a multilayered film of a plurality of insulating films, for example.
  • at least one of the plurality of insulating films constituting the insulating layer 120 is formed as a film positively charged with inorganic nitride.
  • the insulating layer 120 may be formed as a multilayer film in which a film made of inorganic nitride and a film made of inorganic oxide are laminated from the substrate 100 side.
  • the film made of the inorganic nitride is positively charged. The charge can be canceled out.
  • the film made of inorganic nitride can prevent the entire insulating layer 120 from being negatively charged, it is possible to prevent a highly conductive path from being generated in the organic light emitting layer 130. .
  • the film made of inorganic nitride may be provided on the insulating layer 120 on the side in contact with the organic light emitting layer 130.
  • the film made of inorganic nitride can positively charge the surface of the insulating layer 120, it is ensured that a highly conductive path is generated at the interface of the organic light emitting layer 130 in contact with the insulating layer 120. Can be suppressed.
  • the characteristics required for the insulating layer 120 can be controlled for each insulating film. For example, in consideration of the stability of the interface between the organic light emitting layer 130 and the insulating layer 120 and the interface between the substrate 100 and the insulating layer 120, a plurality of insulating films constituting the insulating layer 120 can be selected. is there. Further, when the insulating layer 120 is patterned using etching or the like, the progress of the etching can be easily controlled by forming the insulating layer 120 with a plurality of insulating films having different etching resistances. Therefore, when the insulating layer 120 is formed of a plurality of insulating films, the productivity of the display device can be improved.
  • the organic light emitting layer 130 includes an organic light emitting material, and is provided on the first electrode 110 and the insulating layer 120 as a continuous film common to all light emitting elements.
  • the organic light emitting layer 130 emits light when an electric field is applied between the first electrode 110 and the second electrode 140.
  • the organic light emitting layer 130 may be formed in a multilayer structure in which a plurality of functional layers are stacked.
  • the organic light emitting layer 130 may be formed in a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked from the first electrode 110 side.
  • the organic light emitting layer 130 may be formed in a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting layers are connected via a charge generation layer or an intermediate electrode.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are layers that include a hole transport material and increase the efficiency of hole injection from the first electrode 110.
  • benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triphenylene, azatriphenylene, tetracyanoquinodimethane, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, Anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, or a derivative thereof can be used as a hole transport material.
  • ⁇ -naphthylphenylphenylenediamine ⁇ -NPD
  • porphyrin metal tetraphenylporphyrin
  • metal naphthalocyanine hexacyanoazatriphenylene (HAT)
  • HAT hexacyanoazatriphenylene
  • TNQ 7,7,8,8-tetra Cyanoquinodimethane
  • F4-TCNQ 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane
  • F4-TCNQ tetracyano 4,4,4-tris (3-methylphenyl) Phenylamino) triphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminobiphenyl, N -Phenylcarba
  • the light emitting layer includes at least one or more of a hole transport material, an electron transport material, or both charge transport materials as a host material and a fluorescent or phosphorescent organic light emitting material as a dopant material. It is a layer that converts light energy.
  • a styryl derivative, anthracene derivative, naphthacene derivative, carbazole derivative, aromatic amine derivative, phenanthroline derivative, triazole derivative, quinolinolato metal complex, or phenanthroline derivative can be used as the host material.
  • fluorescent material a well-known fluorescent material and phosphorescent material can be used as a dopant material (organic luminescent material).
  • Known fluorescent materials include, for example, dye materials such as styrylbenzene dyes, oxazole dyes, perylene dyes, coumarin dyes or acridine dyes, polyaromatics such as anthracene derivatives, naphthacene derivatives, pentacene derivatives, or chrysene derivatives.
  • Hydrocarbon materials for example, ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), silver (Ag), rhenium (Re), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt) ), And an organometallic complex containing at least one metal selected from the group consisting of gold (Au).
  • complexes such 3 such Ir (ppy) having a noble metal element of Ir such as the central metal, Ir (bt) complexes such as 2 ⁇ acac 3, complexes such as PtOEt 3 Can be used.
  • the light emitting layer may emit light corresponding to each color of the display device instead of white.
  • a red light-emitting layer that emits red light includes 4,4-bis (2,2-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi) and 2,6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1, It can be formed by mixing 5-dicyanonaphthalene (BSN) at 30% by mass.
  • the green light emitting layer which emits green light can be formed by mixing coumarin 6 at 5% by mass with DPVBi.
  • the blue light-emitting layer emitting blue light has a DPVBi containing 4,4′-bis [2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl] biphenyl (DPAVBi) at 2.5 mass%. It can be formed by mixing.
  • the electron transport layer is a layer that includes an electron transport material and increases the efficiency of electron injection from the second electrode 140.
  • the electron transport material for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), a compound having a nitrogen-containing aromatic ring, and the like can be used. Specifically, the above-described tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), or bathophenanthroline (Bphen) is used as the electron transport material. Can be used.
  • the electron transport layer may be composed of a plurality of layers. When the electron transport layer is formed of a plurality of layers, the electron transport layer may further include a layer doped with an alkali metal element or an alkaline earth metal element.
  • the electron injection layer is a layer that increases the efficiency of electron injection from the second electrode 140.
  • the electron injection layer may be composed of, for example, lithium fluoride (LiF), sodium chloride (NaCl), cesium fluoride (CsF), lithium oxide (Li 2 O), or barium oxide (BaO).
  • the second electrode 140 functions as a cathode of the light emitting element, and is provided on the organic light emitting layer 130 as a continuous film common to all the light emitting elements.
  • the second electrode 140 may be formed as a light transmissive electrode using a material having a high light transmittance and a low work function.
  • the second electrode 140 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, or gallium-doped zinc oxide, and may include aluminum (Al), magnesium (Mg).
  • Silver (Ag), calcium (Ca), or sodium (Na) or other metal alloy may be formed as a thin film (eg, 30 nm or less) that is thin enough to have optical transparency. Further, the second electrode 140 may be formed by stacking a plurality of films made of the metal or alloy described above.
  • the protective layer 150 is provided on the second electrode 140 and prevents moisture and oxygen from entering the organic light emitting layer 130. Further, the protective layer 150 improves the mechanical strength of the display device.
  • the protective layer 150 may be formed of a material having high light permeability and low water permeability.
  • the protective layer 150 may be formed of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), aluminum oxide (AlO x ), or a combination thereof.
  • the color filter 161 and the shielding layer 163 define pixels or sub-pixels of the display device.
  • the color filter 161 may be a red filter, a green filter, and a blue filter. According to the color filter 161, the light emitted from the light emitting element can be divided and extracted.
  • the color filter 161 may be formed of a resin containing a pigment or a dye, for example.
  • the shielding layer 163 is a so-called black matrix, and is patterned in a matrix shape in accordance with the arrangement of pixels or sub-pixels of the display device.
  • the shielding layer 163 can improve the contrast of the display device by shielding unnecessary external light or the like reflected by a wiring or the like between pixels or subpixels.
  • the shielding layer 163 may be formed of a black material such as chromium (Cr) or graphite, for example.
  • the path has increased conductivity due to accumulation of holes. Can be prevented from being formed in the organic light emitting layer 130. Therefore, in the display device according to the present embodiment, it is possible to suppress the leakage of the drive current between the first electrodes 110 of the adjacent light emitting elements.
  • FIGS. 3 to 7 are cross-sectional views showing respective steps of the display device manufacturing method according to the present embodiment.
  • a substrate 100 is prepared in which a drive circuit and a power supply circuit (not shown) and a contact plug 111 electrically connected to these circuits are formed.
  • the substrate 100 may be a silicon substrate on which a transistor or the like can be easily formed.
  • the first electrode 110 is formed for each light emitting element on the substrate 100 so as to be connected to the contact plug 111 using sputtering or the like.
  • the first electrode 110 may be formed of an aluminum copper alloy (AlCu), or may be formed of a multilayer film in which an aluminum copper alloy (AlCu) and indium tin oxide are sequentially stacked from the substrate 100 side.
  • a region between the first electrodes 110 of each light emitting element may be dug by etching or the like. According to this, since each of the 1st electrodes 110 is separated more reliably from each other, the separability of each light emitting element can be improved.
  • an insulating layer 120 is formed between each of the first electrodes 110 using CVD or the like. Specifically, the insulating layer 120 is first formed over the entire surface of the substrate 100, and then an opening is formed by etching or the like so that the upper surface of the first electrode 110 is exposed. Accordingly, the insulating layer 120 can be formed to cover the side surface of the first electrode 110.
  • the first electrode 110 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide
  • a transparent conductive material such as indium tin oxide
  • resist is removed, and then the entire surface is uniformly etched (so-called etch back) so that the insulating layer 120 is patterned.
  • the insulating layer 120 may be formed as a multilayer film in which a plurality of insulating films having different etching resistances are stacked.
  • the insulating layer 120 may be formed of a single layer of silicon nitride (SiN x), and silicon oxide (SiO x), it may be formed of laminated film of a silicon nitride (SiN x).
  • SiN x silicon nitride
  • any film may be in contact with the organic light emitting layer 130.
  • silicon nitride is used. It is desirable that the film to be in contact with the organic light emitting layer 130.
  • the organic light emitting layer 130 and the second electrode 140 are sequentially formed on the first electrode 110 and the insulating layer 120 over the entire surface.
  • the organic light emitting layer 130 is formed by sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer from the first electrode 110 side using a vacuum deposition method or the like. May be formed.
  • the material of each layer constituting the organic light emitting layer 130 for example, the materials described above can be used.
  • the second electrode 140 may be formed by depositing a transparent conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide using sputtering or the like.
  • a protective layer 150 is formed on the second electrode 140 using CVD or the like.
  • the protective layer 150 may be formed of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiON), or the like.
  • the color filter 161 and the shielding layer 163 are formed on the protective layer 150 by patterning using photolithography or the like. Specifically, first, a shielding layer 163 is formed on the entire surface of the protective layer 150, and then patterned for each pixel or sub-pixel using photolithography or the like, whereby an opening is formed in the shielding layer 163. The Then, the color filter 161 and the shielding layer 163 can be formed by forming the color filter 161 corresponding to each color in the opening of the shielding layer 163.
  • the display device according to the present embodiment can be manufactured.
  • the above manufacturing method is merely an example, and the manufacturing method of the display device according to the present embodiment is not limited to the above.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the display device according to the second embodiment of the present disclosure cut in the stacking direction.
  • the display device includes a substrate 200, a first electrode 210 provided on the substrate 200, and a first member that forms a concave structure with the first electrode 210 as a bottom.
  • the insulating layer 220 provided along the first member 270, the organic light emitting layer 230 provided on the first electrode 210 and the insulating layer 220, and the second provided on the organic light emitting layer 230.
  • the light emitting element is formed inside the concave structure having the first electrode 210 as a bottom and the first member 270 provided between the light emitting elements as a side wall.
  • the concave structure in which the light emitting element is formed is embedded by the second member 280 having a refractive index higher than that of the first member 270. Accordingly, the first member 270 and the second member 280 can function as a light reflecting portion that reflects incident light because the refractive index magnitude relationship satisfies the condition of total reflection. Therefore, the display device according to the present embodiment can improve the light extraction efficiency from the light emitting element by forming the light emitting element inside the concave structure and causing the side wall of the concave structure to function as a light reflecting portion. is there.
  • the substrate 200 is a support that supports a plurality of light emitting elements arranged on one main surface. Although not shown, the substrate 200 is provided with a drive circuit that controls driving of the light emitting element, a power supply circuit that supplies power to the light emitting element, and a contact plug that electrically connects these circuits to the first electrode 210. It may be done.
  • the first electrode 210 is provided on the substrate 200 for each light emitting element, and functions as an anode of the light emitting element.
  • the first electrode 210 is provided at the bottom of the concave structure with the first member 270 as a side wall.
  • the first electrode 210 may be formed as a light reflecting electrode using a material having a high light reflectance and a high work function.
  • the first member 270 is provided between the light emitting elements on the substrate 200 and separates the light emitting elements. Specifically, the first member 270 is formed around the first electrode 210 in a substantially trapezoidal shape (that is, a tapered shape) having an inclined portion. Accordingly, the first member 270 can form a concave structure having a structure in which the first electrode 210 is the bottom and the side opposite to the substrate 200 is open (that is, a reverse taper shape). The first member 270 may be formed of a low refractive index material having a smaller refractive index than the second member 280.
  • the first member 270 is made of, for example, an organic insulating film such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac resin, or silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiON). It may be formed of an inorganic insulating film or the like.
  • an organic insulating film such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac resin, or silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiON). It may be formed of an inorganic insulating film or the like.
  • the insulating layer 220 is provided along the first member 270 between the adjacent first electrodes 210.
  • at least a part of the film thickness region of the insulating layer 220 is formed of a positively charged inorganic nitride.
  • the organic light emitting layer 230 includes an organic light emitting material, and is provided on the first electrode 210 and the insulating layer 220 along the concave structure as a continuous film common to all light emitting elements.
  • the organic light emitting layer 230 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked from the first electrode 210 side.
  • the second electrode 240 functions as a cathode of the light emitting element, and is provided on the organic light emitting layer 230 along the concave structure as a continuous film common to all the light emitting elements.
  • the second electrode 240 may be formed as a light transmissive electrode using a material having a high light transmittance and a low work function.
  • the protective layer 250 is provided on the second electrode 240 and prevents moisture and oxygen from entering the organic light emitting layer 230.
  • the protective layer 250 desirably has a high refractive index at least on the side in contact with the second member 280 in order to increase the light reflection efficiency due to the difference in refractive index between the first member 270 and the second member 280.
  • the protective layer 250 is formed by laminating a layer made of silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO x ) and a laminated film made of AlO x and TiO x having a high refractive index in order from the second electrode 240 side. It may be formed of a multilayer film.
  • the second member 280 is provided on the protective layer 250 so as to embed the concave structure formed by the first member 270.
  • the second member 280 is formed of a high refractive index material having a higher refractive index than the first member 270.
  • the second member 280 is made of, for example, a transparent organic insulating film such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac resin, or silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiON). It may be formed of a transparent inorganic insulating film or the like.
  • the second member 280 having a higher refractive index is formed by using, for example, a resin that contains a large amount of substituents having high molecular refraction such as sulfur-containing substituents, phosphorus-containing substituents, or aromatic rings in the molecular structure. Can do. Further, the second member 280 having a higher refractive index can also be formed by allowing the second member 280 to contain a high refractive index inorganic filler such as TiO x or ZrO x .
  • the color filter 260 defines the color of the pixel or sub-pixel of the display device.
  • the color filter 260 may be a red filter, a green filter, and a blue filter.
  • the color filter 260 enables the light emitted from the light emitting element to be color-divided and extracted. Note that in a region other than the pixels, a shielding layer that is a black matrix may be provided instead of the color filter 260.
  • the light extraction efficiency of the light emitting element is improved by forming the light emitting element inside the concave structure and causing the side wall of the concave structure to function as the light reflecting portion. It is possible to make it. Even in such a case, by providing the insulating layer 220 positively charged with inorganic nitride along the first member 270 between the adjacent first electrodes 210, It is possible to suppress drive current leakage between the one electrode 210.
  • FIGS. 9 to 15 are cross-sectional views showing respective steps of the display device manufacturing method according to the present embodiment.
  • a driving circuit, a power supply circuit, and a contact plug (not shown) that is electrically connected to these circuits are formed on the substrate 200 using sputtering or the like.
  • a first electrode 210 is formed.
  • the substrate 200 may be a silicon substrate on which a transistor or the like can be easily formed.
  • the 1st electrode 210 may be formed with an aluminum copper alloy (AlCu), and may be formed with the multilayer film which laminated
  • the first member layer 271 is formed on the substrate 200 and the first electrode 210 using CVD or the like.
  • the first member layer 271 is a layer in which the first member 270 is formed by patterning by subsequent etching, and may be formed of, for example, silicon oxide (SiO x ) or the like.
  • the first member layer 271 is patterned using etching or the like so that the first electrode 210 is exposed, whereby the first electrode 210 becomes the bottom and the first member 270 becomes the side wall. A concave structure is formed.
  • the insulating layer 120 is formed along the first member 270 between the first electrodes 210 using CVD or the like.
  • the insulating layer 220 may be formed of silicon nitride (SiN x ).
  • the organic light emitting layer 230 is formed along the concave structure on the first electrode 210 and the insulating layer 220 using a vacuum deposition method or the like.
  • the organic light emitting layer 230 may be formed by sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer from the first electrode 210 side.
  • the materials described above can be used as the material of each layer constituting the organic light emitting layer 230.
  • the second electrode 240 is formed on the organic light emitting layer 230 and the protective layer 250 is formed on the second electrode 240 by sputtering or the like.
  • the second electrode 240 may be formed by depositing a transparent conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide.
  • the protective layer 250 is formed by depositing a SiN x film using CVD or the like and then forming a high refractive index laminated film made of AlO x and TiO x on the SiN x film using ALD or the like. It may be formed by forming a film.
  • the second member 280 is formed on the protective layer 250 and the color filter 260 is formed on the second member 280 so as to embed the concave structure.
  • the second member 280 can be formed so as to embed a concave structure on the protective layer 250 by using a spin coating method or the like.
  • the second member 280 is formed over the entire surface of the protective layer 250, and then the second member 280 other than the inside of the concave structure is removed by photolithography to form the second member 280. can do.
  • the second member 280 may be formed of an acrylic resin in which a filler made of TiO 2 or ZrO 2 is dispersedly contained.
  • the color filter 260 is formed on the second member 280 by patterning using photolithography or the like. Specifically, first, a black matrix as a shielding layer is formed over the entire surface of the second member 280, and then openings are formed in the black matrix using photolithography or the like. Then, the color filter 260 can be formed by forming any one of a red filter, a green filter, and a blue filter in the opening.
  • the display device according to the present embodiment can be manufactured.
  • the above manufacturing method is merely an example, and the manufacturing method of the display device according to the present embodiment is not limited to the above.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the display device according to the first modification cut in the stacking direction.
  • the insulating layer 221 (corresponding to the insulating layer 220) is not provided on the inclined portion of the first member 270, and is the first member that is outside the concave structure.
  • the display device shown in FIG. 8 is different from the display device shown in FIG.
  • the insulating layer 221 is provided on the flat portion of the first member 270 and electrically separates the light emitting elements.
  • the insulating layer 221 is made of inorganic nitride and is positively charged. As a result, the insulating layer 221 can suppress the occurrence of a path that causes high drive current leakage at the interface of the organic light emitting layer 230 in contact with the insulating layer 221.
  • the first member 270 since the inclined portion of the first member 270 and the organic light emitting layer 230 can be brought into contact with each other, the first member 270 uses the difference in refractive index to make the organic light emitting layer. The light emitted from 230 can be reflected more efficiently.
  • the insulating layer 221 can block a highly conductive path generated in the organic light emitting layer 230 in a region above the flat portion of the first member 270 where the insulating layer 221 and the organic light emitting layer 230 are in contact with each other. Thus, it is possible to suppress the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • the display device According to the display device according to the first modification, it is possible to improve the light extraction efficiency from the light emitting elements while suppressing the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the display device according to the second modification cut in the stacking direction.
  • the auxiliary reflection layer 224 is provided between the insulating layer 223 (corresponding to the insulating layer 220) and the organic light emitting layer 230. Is different from the display device shown in FIG. 17.
  • the insulating layer 223 is provided along the first member 270 between the first electrodes 210 and electrically separates each of the light emitting elements.
  • the insulating layer 223 is made of inorganic nitride and is positively charged. As a result, the insulating layer 223 can suppress the occurrence of a path that causes high drive current leakage at the interface of the organic light emitting layer 230 in contact with the insulating layer 223.
  • the reflection auxiliary layer 224 is provided between the insulating layer 223 (corresponding to the insulating layer 220) and the organic light emitting layer 230 at the inclined portion of the first member 270. Further, the auxiliary reflection layer 224 is formed of an insulating material having a refractive index smaller than that of the organic light emitting layer 230. In particular, the auxiliary reflection layer 224 is preferably formed of an insulating material having a larger refractive index difference from the organic light emitting layer 230. For example, the reflection auxiliary layer 224 may be formed of silicon oxide (SiO x ) or the like.
  • the reflection assisting layer 224 having a refractive index smaller than that of the organic light emitting layer 230 and a large difference in refractive index from the organic light emitting layer 230 is provided on the inclined portion of the first member 270. It is done. Thereby, in the display device according to the second modification, the light emission efficiency of the light emitting element is improved by reflecting the light emitted from the organic light emitting layer 230 at the interface between the organic light emitting layer 230 and the auxiliary reflection layer 224. Can be made.
  • the insulating layer 223 can block a highly conductive path generated in the organic light emitting layer 230 in a region above the flat portion of the first member 270 where the insulating layer 223 and the organic light emitting layer 230 are in contact with each other. Thus, it is possible to suppress the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • the display device According to the display device according to the second modification, it is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting element while suppressing the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the display device according to the third modification, cut in the stacking direction.
  • the reflection auxiliary layer 226 is provided between the insulating layer 225 (corresponding to the insulating layer 220) and the organic light emitting layer 230. Is different from the display device shown in FIG.
  • the insulating layer 225 is provided along the first member 270 between the first electrodes 210 and electrically separates each of the light emitting elements.
  • the insulating layer 225 is made of inorganic nitride and is positively charged. Although the insulating layer 225 is not in contact with the organic light emitting layer 230, it is positively charged. Therefore, the insulating layer 225 cancels out the negative charge generated in the auxiliary reflection layer 226, and combines the insulating layer 225 and the auxiliary reflection layer 226. Prevent negative charging as a whole. Therefore, even in such a case, the insulating layer 225 can suppress the occurrence of a highly conductive path that causes leakage of drive current at the interface of the organic light emitting layer 130 that is in contact with the auxiliary reflection layer 226.
  • the auxiliary reflection layer 226 is provided between the insulating layer 223 (corresponding to the insulating layer 220) and the organic light emitting layer 230. Further, the auxiliary reflection layer 226 is formed of an insulating material having a refractive index smaller than that of the organic light emitting layer 230. In particular, the auxiliary reflection layer 226 is preferably formed of an insulating material having a larger refractive index difference from the organic light emitting layer 230. For example, the reflection auxiliary layer 226 may be formed of silicon oxide (SiO x ) or the like.
  • reflection between the insulating layer 225 and the organic light emitting layer 230 is smaller in refractive index than the organic light emitting layer 230 and has a large refractive index difference from the organic light emitting layer 230.
  • An auxiliary layer 226 is provided.
  • the display device according to the third modified example when the insulating layer 225 is positively charged, the negative charge of the reflection auxiliary layer 226 is canceled and the interface of the organic light emitting layer 130 in contact with the reflection auxiliary layer 226 is positive. Since the holes are not accumulated, a highly conductive path does not occur. Therefore, in the display device according to the third modification, it is possible to suppress the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • the display device According to the display device according to the third modification, it is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting element while suppressing the leakage of the drive current between the adjacent light emitting elements.
  • 19 to 22 are external views illustrating examples of electronic devices to which the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied.
  • the display device according to each embodiment of the present disclosure can be applied to a display unit of an electronic device such as a smartphone.
  • the smartphone 300 includes a display unit 301 that displays various types of information, and an operation unit 303 that includes buttons and the like that receive operation inputs from the user.
  • the display unit 301 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device can be applied to a display unit of an electronic device such as a digital camera.
  • the digital camera 310 includes a main body (camera body) 311, an interchangeable lens unit 313, a grip 315 that is gripped by the user during shooting, A monitor unit 317 for displaying information, and an EVF (Electronic View Finder) 319 for displaying a through image observed by the user at the time of shooting are provided.
  • 20 shows an appearance of the digital camera 310 viewed from the front (that is, the subject side)
  • FIG. 21 shows an appearance of the digital camera 310 viewed from the back (that is, the photographer side).
  • the monitor unit 317 and the EVF 319 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device according to the present embodiment can be applied to a display unit of an electronic device such as an HMD (Head Mounted Display).
  • the HMD 320 includes a display unit 321 that displays various types of information, and a mounting unit 323 that is mounted on the user's head when worn.
  • the display unit 321 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device according to the present embodiment can be applied not only to the non-transmissive HMD shown in FIG. 22 but also to a transmissive HMD display unit such as a glasses type.
  • the display device according to the present embodiment can be applied to display units of electronic devices in various fields that perform display based on image signals input from the outside or image signals generated inside.
  • Examples of such an electronic device include a television device, an electronic book, a PDA (Personal Digital Assistant), a notebook personal computer, a video camera, or a game device.
  • the first electrode is an anode electrode.
  • the film thickness region formed of the positively charged inorganic nitride is a film thickness region in contact with the organic light emitting layer.
  • the insulating layer is formed of a laminated film of a plurality of insulating films, The display device according to (3), wherein among the plurality of insulating films, an insulating film in contact with the organic light emitting layer is formed of a positively charged inorganic nitride.
  • the display device (8) The display device according to (7), wherein the inorganic nitride is silicon nitride. (9) The display device according to (8), wherein a ratio of Si—H / N—H in the silicon nitride is less than 1%. (10) Any of (1) to (9), wherein the light emitting element is provided in a concave structure having the first electrode as a bottom portion and a first member provided between the light emitting elements as a side wall. The display device according to one item. (11) The display device according to (10), wherein a refractive index of the first member is smaller than a refractive index of the organic light emitting layer.
  • the display device according to (10) or (11), wherein the insulating layer is provided outside the concave structure and in a region in contact with the organic light emitting layer.
  • (13) A plurality of light emitting elements arranged on a plane, each having an organic light emitting layer sandwiched between a first electrode provided for each light emitting element and a second electrode in a stacking direction; An insulating layer provided between each of the first electrodes; With At least a part of the thickness region of the insulating layer is an electronic device having a display portion formed of a positively charged inorganic nitride.
  • Second member 100, 200 Substrate 110, 210 First electrode 111 Contact plug 120, 220, 221, 223, 225 Insulating layer 130, 230 Organic light emitting layer 140, 240 Second electrode 150, 250 Protective layer 161, 260 Color filter 163 Shielding layer 224 226 Auxiliary reflection layer 270 First member 280 Second member

Abstract

【課題】隣接する発光素子の間で、駆動電流のリークを抑制した表示装置、および電子機器を提供する。 【解決手段】発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、を備え、前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成される、表示装置。

Description

表示装置、および電子機器
　本開示は、表示装置、および電子機器に関する。
　近年、モバイル用途の表示装置では、高精細化および低消費電力化への要求が高まっている。
　例えば、下記の特許文献１に開示される有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　Ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）を用いた表示装置は、自発光型であり、かつ消費電力が低いため、モバイル用途への適用が期待されている。
　ただし、このような有機電界発光素子では、有機発光層をすべての発光素子で共通に設けているため、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生しやすかった。そのため、例えば、下記の特許文献２には、発光素子の間の領域で有機発光層中の導電性が高い層（例えば、正孔注入層、および正孔輸送層）の抵抗を高くすることで、隣接する発光素子の間で生じる駆動電流のリークを抑制する技術が開示されている。
特開２０１５－１４９１９４号公報 特開２０１２－２１６３３８号公報
　しかし、上記の特許文献２に開示された技術では、有機発光層中で駆動電流をリークさせる導電性の高いパスを十分に消すことは困難であった。そのため、上記の特許文献２に開示された表示装置では、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークを十分に抑制することは困難であった。
　そこで、本開示では、隣接する発光素子の間で生じる駆動電流のリークをさらに抑制することが可能な、新規かつ改良された表示装置、および電子機器を提案する。
　本開示によれば、発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、を備え、前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成される、表示装置が提供される。
　また、本開示によれば、発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、を備え、前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成された表示部を有する、電子機器が提供される。
　本開示によれば、有機発光層中で駆動電流をリークさせる導電性の高いパスの発生を抑制することが可能である。
　以上説明したように本開示によれば、表示装置において、隣接する発光素子の間で生じる駆動電流のリークを抑制することが可能である。
　なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
本開示の第１の実施形態に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。 有機発光層における駆動電流のリークを説明する断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同開示の第２の実施形態に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態に係る表示装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 同実施形態の第１の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。 同実施形態の第２の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。 同実施形態の第３の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。 本開示の各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例を示す外観図である。 本開示の各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。 本開示の各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。 本開示の各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　１．第１の実施形態
　　１．１．表示装置の構成
　　１．２．表示装置の製造方法
　２．第２の実施形態
　　２．１．表示装置の構成
　　２．２．表示装置の製造方法
　　２．３．変形例
　３．表示装置の適用例
　＜１．第１の実施形態＞
　［１．１．表示装置の構成］
　まず、図１を参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。
　本実施形態に係る表示装置は、例えば、平面上に複数配列された発光素子の各々の発光を制御することで、画像等を表示する表示装置である。平面上に複数配列された発光素子は、例えば、赤、緑、および青のいずれかのサブピクセルを構成しており、これら３つのサブピクセルによって、１つのピクセル（すなわち、画素）が構成されている。本実施形態に係る表示装置は、ピクセルを構成する３つのサブピクセルの発光を制御することで、各ピクセルの色を制御し、画像信号に基づいた画像を表示することが可能である。
　なお、本実施形態に係る表示装置において、発光素子の各々の発光を制御する駆動回路、および発光素子に印加される電力を供給する電源回路等は、任意の構成を用いることが可能である。したがって、以下では、これらの構成の図示は、省略する。
　図１に示すように、本実施形態に係る表示装置は、基板１００と、基板１００の内部に設けられたコンタクトプラグ１１１と、発光素子ごとに基板１００の上に設けられた第１電極１１０と、第１電極１１０の各々の間に設けられた絶縁層１２０と、第１電極１１０および絶縁層１２０の上に設けられた有機発光層１３０と、有機発光層１３０の上に設けられた第２電極１４０と、第２電極１４０の上に設けられた保護層１５０と、保護層１５０の上に設けられたカラーフィルタ１６１および遮蔽層１６３と、を備える。すなわち、本実施形態に係る表示装置は、発光素子が発した光を保護層１５０側から取り出すトップエミッション型の表示装置であってもよい。
　基板１００は、一主面に配列された複数の発光素子を支持する支持体である。また、図示しないが、基板１００には、発光素子の駆動を制御するサンプリング用トランジスタおよび駆動用トランジスタを含む駆動回路、ならびに発光素子に電力を供給する電源回路が設けられていてもよい。
　基板１００は、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１００は、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラス、もしくは石英ガラスなどのガラス基板、アモルファスシリコン、もしくは多結晶シリコンなどの半導体基板、またはポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、もしくはポリエチレンナフタレートなどの樹脂基板などであってもよい。
　コンタクトプラグ１１１は、第１電極１１０と、駆動回路および電源回路等とを電気的に接続する。具体的には、コンタクトプラグ１１１は、第１電極１１０と基板１００の内部に設けられた駆動回路および電源回路等（図示せず）とを電気的に接続し、発光素子の発光のための電力を第１電極１１０に印加する。コンタクトプラグ１１１は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、もしくは銀（Ａｇ）などの金属の単体または合金などで形成されてもよく、これらの金属膜を複数積層させたもので形成されてもよい。
　第１電極１１０は、発光素子ごとに基板１００の上に設けられ、発光素子のアノードとして機能する。具体的には、第１電極１１０は、光反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料にて、光反射電極として形成されてもよい。例えば、第１電極１１０は、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｆｅ、もしくはＡｇなどの金属の単体または合金などで形成されてもよく、これらの金属膜を複数積層させたもので形成されてもよい。
　また、第１電極１１０は、酸化インジウム亜鉛、または酸化インジウムスズなどの透明導電性材料にて透明電極として形成されてもよい。このような場合、第１電極１１０と、基板１００との間には、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｆｅ、もしくはＡｇなどの金属の単体または合金からなる光反射層が設けられてもよい。
　絶縁層１２０は、隣接する第１電極１１０の間に設けられ、発光素子の各々を離隔する。具体的には、絶縁層１２０は、第１電極１１０の側面を露出させないために、第１電極１１０の側面を被覆するように形成されてもよい。
　第１電極１１０の側面は、有機発光層１３０の膜厚が薄くなりやすいため、駆動電圧が局所的に印加されやすく、異常発光が生じやすい。また、第１電極１１０が複数の金属膜の積層膜として形成された場合、金属膜ごとに仕事関数が異なるため、各金属膜が露出する第１電極１１０の側面は、異常発光が生じやすい。そのため、絶縁層１２０で第１電極１１０の側面を被覆することにより、異常発光の発生を防止することが可能である。
　また、絶縁層１２０のうちの少なくとも一部の膜厚領域は、無機窒化物で形成されており、正に帯電している。より具体的には、絶縁層１２０のうちの少なくとも一部の膜厚領域は、酸素原子を含まない無機窒化物で形成されてもよい。これにより、後述するように、絶縁層１２０は、有機発光層１３０の中で駆動電流のリークを生じさせる導電性が高いパスが生じることを抑制することができる。
　ここで、有機発光層１３０において、駆動電流のリークを生じさせる導電性が高いパスが生じる機構について、図２を参照して説明する。図２には、有機発光層１３０における駆動電流のリークを説明する断面図である。
　図２では、絶縁層１２１は、例えば、一般的な絶縁材料である無機酸化物（例えば、酸化シリコンなど）にて形成されている。このような絶縁層１２１の内部では、無機酸化物の中に含まれる不安定な酸素に水素が結合することで、ヒドロキシ基が生じている。ヒドロキシ基は、負の電荷を有するため、絶縁層１２１に多数形成されたヒドロキシ基は、絶縁層１２１を負に帯電させる。これにより、負に帯電した絶縁層１２１は、絶縁層１２１と接する有機発光層１３０の界面に正の電荷を有する正孔を引き寄せることになる。
　一方、絶縁層１２１と接する側の有機発光層１３０は、例えば、正孔輸送層であり、正孔の移動度が高い。そのため、負に帯電した絶縁層１２１によって引き寄せられ、蓄積した正孔は、有機発光層１３０の絶縁層１２１と接する界面に、導電性が高いパスを容易に形成してしまう。したがって、絶縁層１２１が無機酸化物で形成される場合、第１電極１１０に印加された駆動電流は、絶縁層１２１と接する有機発光層１３０の界面に形成されたパスを通して、隣接する発光素子の第１電極１１０に容易にリークしてしまう。
　特に、低温プラズマを用いて成膜された無機酸化物の膜は、比較的、原子同士の結合が弱く、欠陥が生じやすいため、ヒドロキシ基を形成する不安定な酸素が生じやすい。そのため、絶縁層１２１が低温プラズマを用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにて成膜される場合、有機発光層１３０の界面には、導電性の高いパスが形成されやすく、駆動電流のリークが発生しやすい。
　本実施形態に係る表示装置では、図１で示すように、絶縁層１２０は、無機窒化物で形成されており、正に帯電しているため、絶縁層１２０と接する有機発光層１３０の界面には、正孔が引き寄せられない。したがって、絶縁層１２０と接する有機発光層１３０には、リーク電流が流れるパスが形成されにくいため、本実施形態に係る表示装置は、第１電極１１０の各々の間で駆動電流がリークすることを防止することができる。
　これは、無機窒化物における原子同士の結合エネルギーは、無機酸化物における原子同士の結合エネルギーよりも高く、無機窒化物にて形成された絶縁層１２０は、ヒドロキシ基の生成の基となる原子結合の欠陥等が生じにくいためである。また、他の理由としては、無機窒化物にて形成された絶縁層１２０は、酸素を含まず、ヒドロキシ基が生じにくいためである。したがって、無機窒化物を用いることで、負に帯電しておらず、正に帯電した絶縁層１２０を形成することができる。
　具体的には、絶縁層１２０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などで形成することが可能である。また、絶縁層１２０をより正に帯電させるためには、絶縁層１２０を形成する窒化シリコンのＳｉ－Ｈ／Ｎ－Ｈの比は、１％未満としてもよい。
　窒化シリコンは、例えば、ＣＶＤ等にてＳｉ含有ガス（例えば、ＳｉＨ４など）と、Ｎ含有ガス（例えば、ＮＨ３など）とを反応させることで成膜されるため、窒化シリコンの膜中には、原料ガスに含まれる水素原子が含まれる。このとき、Ｓｉ－Ｈ／Ｎ－Ｈの比がより小さく、窒化シリコンの膜中に含まれる水素原子の量が少ないほど、ヒドロキシ基が生成されにくい。したがって、Ｓｉ－Ｈ／Ｎ－Ｈの比が１％未満の窒化シリコンを用いることによって、より強く正に帯電した絶縁層１２０を形成することができる。このような水素原子の含有量が少ない絶縁層１２０は、例えば、ＣＶＤの原料ガスに含まれる水素原子の量が少なくなるように、原料ガスの流量比等を制御することで形成することができる。
　なお、正に帯電しており、有機発光層１３０との界面に正孔を引き寄せない絶縁層１２０の形成方法は、上述した方法に限定されない。例えば、正に帯電した絶縁層１２０は、無機窒化物以外の絶縁材料で形成した層に、窒素原子またはフッ素原子などをドーピングすることでも形成することが可能である。
　さらに、絶縁層１２０は、例えば、複数の絶縁膜にて多層の積層膜として形成されてもよい。このような場合、絶縁層１２０を構成する複数の絶縁膜の少なくともいずれかは、無機窒化物にて正に帯電した膜として形成される。
　例えば、絶縁層１２０は、基板１００側から無機窒化物からなる膜と、無機酸化物からなる膜とを積層した多層膜として形成されてもよい。このような場合、無機酸化物からなる膜が有機発光層１３０と接していたとしても、無機窒化物からなる膜が正に帯電しているため、無機酸化物からなる膜にて生じた負の電荷を打ち消すことができる。これによれば、無機窒化物からなる膜は、絶縁層１２０全体で負に帯電することを防止することができるため、有機発光層１３０に導電性が高いパスが生じることを防止することができる。
　ただし、無機窒化物からなる膜は、絶縁層１２０のうち、有機発光層１３０と接する側に設けられていてもよい。このような場合、無機窒化物からなる膜は、絶縁層１２０の表面を正に帯電させることができるため、絶縁層１２０と接する有機発光層１３０の界面に導電性が高いパスが生じることを確実に抑制することができる。
　このように、絶縁層１２０を複数の絶縁膜で構成する場合、絶縁膜ごとに絶縁層１２０として求められる特性を制御することができる。例えば、有機発光層１３０と絶縁層１２０との界面、および基板１００と絶縁層１２０との界面の安定性を考慮して、絶縁層１２０を構成する複数の絶縁膜をそれぞれ選択することが可能である。また、エッチング等を用いて絶縁層１２０をパターニングする際に、エッチング耐性の異なる複数の絶縁膜で絶縁層１２０を構成することによって、エッチングの進行を制御することが容易になる。したがって、絶縁層１２０を複数の絶縁膜で構成する場合、表示装置の生産性を向上させることも可能となる。
　有機発光層１３０は、有機発光材料を含み、全ての発光素子に共通の連続膜として、第１電極１１０、および絶縁層１２０の上に設けられる。また、有機発光層１３０は、第１電極１１０と、第２電極１４０との間で電界が印加されることによって発光する。
　具体的には、電界が印加された場合、有機発光層１３０には、第１電極１１０から正孔が注入され、第２電極１４０から電子が注入される。注入された正孔および電子は、有機発光層１３０中で再結合することで励起子を形成し、励起子のエネルギーが有機発光材料を励起させることで、有機発光材料から蛍光またはりん光を発生させる。
　ここで、有機発光層１３０は、複数の機能層を積層した多層構造で形成されてもよい。例えば、有機発光層１３０は、第１電極１１０側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を順に積層した構造で形成されてもよい。また、有機発光層１３０は、複数の発光層を電荷発生層または中間電極を介して接続した、いわゆるタンデム型構造で形成されてもよい。
　正孔注入層、および正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、第１電極１１０からの正孔の注入効率を高める層である。
　例えば、正孔輸送材料として、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、もしくはスチルベン、またはこれらの誘導体などを用いることができる。
　具体的には、正孔輸送材料として、α－ナフチルフェニルフェニレンジアミン（α－ＮＰＤ）、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン（ＨＡＴ）、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４，４，４－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（ｐ－トリル）ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル、Ｎ－フェニルカルバゾール、または４－ジ－ｐ－トリルアミノスチルベン等を用いることができる。
　発光層は、ホスト材料である正孔輸送材料、電子輸送材料、または両電荷輸送材料の少なくとも１つ以上と、ドーパント材料である蛍光性またはりん光性の有機発光材料とを含み、電気エネルギーを光エネルギーに変換する層である。
　例えば、ホスト材料として、スチリル誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族アミン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、キノリノラト系金属錯体、またはフェナントロリン誘導体等を用いることができる。
　また、ドーパント材料（有機発光材料）として、公知の蛍光材料およびりん光材料を用いることができる。公知の蛍光材料としては、例えば、スチリルベンゼン系色素、オキサゾール系色素、ペリレン系色素、クマリン系色素またはアクリジン系色素などの色素材料、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ペンタセン誘導体またはクリセン誘導体等の多芳香族炭化水素系材料、ピロメテン骨格材料、キナクリドン系誘導体、シアノメチレンピラン系誘導体、ベンゾチアゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、または金属キレート化オキシノイド化合物等を用いることができる。また、公知のりん光材料としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、および金（Ａｕ）からなる群より選択された少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を用いることができる。具体的には、りん光材料として、Ｉｒ等の貴金属元素を中心金属として有するＩｒ（ｐｐｙ）３等の錯体類、Ｉｒ（ｂｔ）２・ａｃａｃ３等の錯体類、ＰｔＯＥｔ３等の錯体類を用いることができる。
　また、発光層は、白色ではなく、表示装置の各色に対応した光を発してもよい。例えば、赤色の光を発する赤色発光層は、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％にて混合することで形成することができる。また、緑色の光を発する緑色発光層は、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％にて混合することで形成することができる。さらに、青色の光を発する青色発光層は、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－(Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ)フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％にて混合することで形成することができる。
　電子輸送層は、電子輸送材料を含み、第２電極１４０からの電子の注入効率を高める層である。
　電子輸送材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を用いることができる。具体的には、電子輸送材料として、上述したトリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、２，９－ジメチルー４，７－ジフェニルー１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、またはバソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を用いることができる。なお、電子輸送層は、複数層にて構成されてもよい。電子輸送層が複数層で形成される場合、電子輸送層は、さらにアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素がドープされた層を含んでもよい。
　電子注入層は、第２電極１４０からの電子の注入効率を高める層である。電子注入層は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて構成されてもよい。
　第２電極１４０は、発光素子のカソードとして機能し、全ての発光素子に共通した連続膜として、有機発光層１３０の上に設けられる。具体的には、第２電極１４０は、光透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料にて、光透過電極として形成されてもよい。例えば、第２電極１４０は、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、またはガリウムドープ酸化亜鉛などの透明導電性材料で形成されてもよく、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、またはナトリウム（Ｎａ）などの金属の合金によって光透過性を有する程度に薄い（例えば、３０ｎｍ以下など）薄膜として形成されてもよい。また、第２電極１４０は、上述した金属または合金からなる膜を複数積層させたもので形成されてもよい。
　保護層１５０は、第２電極１４０の上に設けられ、有機発光層１３０への水分および酸素の侵入を防止する。また、保護層１５０は、表示装置の機械的強度を向上させる。具体的には、保護層１５０は、光透過性が高く、透水性が低い材料にて形成されてもよい。例えば、保護層１５０は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、またはこれらの組み合わせで形成されてもよい。
　カラーフィルタ１６１および遮蔽層１６３は、表示装置のピクセルまたはサブピクセルを規定する。例えば、カラーフィルタ１６１は、赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタであってもよい。カラーフィルタ１６１によれば、発光素子から発せられた光を色分割して取り出すことが可能である。カラーフィルタ１６１は、例えば、顔料または染料を含ませた樹脂によって形成されてもよい。
　また、遮蔽層１６３は、いわゆるブラックマトリクスであり、表示装置のピクセルまたはサブピクセルの配置に合わせてマトリクス状にパターニングされる。遮蔽層１６３は、ピクセルまたはサブピクセルの間の配線等で反射された不要な外光等を遮蔽することで、表示装置のコントラストを向上させることができる。遮蔽層１６３は、例えば、クロム（Ｃｒ）またはグラファイト等の黒色材料にて形成されてもよい。
　以上にて説明したように、本実施形態に係る表示装置では、一部の膜厚領域が正に帯電した絶縁層１２０を設けることにより、正孔が蓄積することで導電性が高くなったパスが有機発光層１３０に形成されることを抑制することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置では、隣接する発光素子の第１電極１１０の間で駆動電流のリークが生じることを抑制することができる。
　［１．２．表示装置の製造方法］
　続いて、図３～図７を参照して、本実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図３～図７は、本実施形態に係る表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
　まず、図３に示すように、駆動回路および電源回路（図示せず）、ならびにこれらの回路と電気的に接続するコンタクトプラグ１１１が内部に形成された基板１００が用意される。例えば、基板１００は、トランジスタ等の形成が容易なシリコン基板であってもよい。
　次に、図４に示すように、スパッタ等を用いて、コンタクトプラグ１１１と接続するように、基板１００の上に発光素子ごとに第１電極１１０が形成される。例えば、第１電極１１０は、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）で形成されてもよく、基板１００側からアルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）と、酸化インジウムスズとを順に積層した多層膜で形成されてもよい。
　このとき、各発光素子の第１電極１１０の間の領域は、エッチング等によって掘り込まれてもよい。これによれば、第１電極１１０の各々は、互いにより確実に離隔されるため、発光素子の各々の分離性を向上させることができる。
　続いて、図５に示すように、ＣＶＤ等を用いて、第１電極１１０の各々の間に絶縁層１２０が成膜される。具体的には、絶縁層１２０は、まず、基板１００の上に全面に亘って形成された後、エッチング等を用いて、第１電極１１０の上面が露出するように開口が形成される。これによれば、絶縁層１２０は、第１電極１１０の側面を被覆するように形成されることができる。
　ここで、第１電極１１０が酸化インジウムスズなどの透明導電性材料で形成される場合、エッチング後に酸化インジウムスズ上からレジスト等の有機物を除去することが困難になることがある。そのため、このような場合、絶縁層１２０のエッチングを途中まで進行させた後、レジストを除去し、その後、全面を均一にエッチング（いわゆる、エッチバック）することで、絶縁層１２０をパターニングしてもよい。このようにエッチングの進行を精密に制御することが求められる場合、絶縁層１２０は、エッチング耐性が異なる複数の絶縁膜を積層した多層膜として形成されてもよい。
　例えば、絶縁層１２０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の単層で形成されてもよく、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）と、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）との積層膜で形成されてもよい。絶縁層１２０が酸化シリコンと、窒化シリコンとの積層膜で形成される場合、いずれの膜が有機発光層１３０と接してもよいが、駆動電流のリークをより抑制するためには、窒化シリコンからなる膜が有機発光層１３０と接していることが望ましい。
　続いて、図６に示すように、第１電極１１０、および絶縁層１２０の上に全面に亘って、有機発光層１３０、および第２電極１４０が順に形成される。例えば、有機発光層１３０は、真空蒸着法等を用いて、第１電極１１０側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を順に成膜することで形成されてもよい。有機発光層１３０を構成する各層の材料は、例えば、上述した材料を用いることが可能である。また、第２電極１４０は、スパッタ等を用いて、酸化インジウム亜鉛、または酸化インジウムスズなどの透明導電性材料を成膜することで形成されてもよい。
　次に、図７に示すように、ＣＶＤ等を用いて、第２電極１４０の上に保護層１５０が形成される。例えば、保護層１５０は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などで形成されてもよい。
　さらに、フォトリソグラフィ等を用いてパターニングを行うことで、保護層１５０の上に、カラーフィルタ１６１、および遮蔽層１６３が形成される。具体的には、まず、保護層１５０の上に全面に遮蔽層１６３を成膜した後、フォトリソグラフィ等を用いて、ピクセルまたはサブピクセルごとにパターニングすることで、遮蔽層１６３に開口が形成される。その後、遮蔽層１６３の開口に、各色に対応したカラーフィルタ１６１を成膜することで、カラーフィルタ１６１、および遮蔽層１６３を形成することができる。
　以上の工程によって、本実施形態に係る表示装置を製造することができる。なお、上記の製造方法は、あくまでも一例であって、本実施形態に係る表示装置の製造方法が上記に限定されるものではない。
　＜２．第２の実施形態＞
　［２．１．表示装置の構成］
　次に、図８を参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図８は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。
　図８に示すように、本実施形態に係る表示装置は、基板２００と、基板２００の上に設けられた第１電極２１０と、第１電極２１０を底部とする凹構造を形成する第１部材２７０と、第１部材２７０に沿って設けられた絶縁層２２０と、第１電極２１０および絶縁層２２０の上に設けられた有機発光層２３０と、有機発光層２３０の上に設けられた第２電極２４０と、第２電極２４０の上に設けられた保護層２５０と、保護層２５０の上に設けられ、凹構造を埋め込む第２部材２８０と、第２部材２８０の上に設けられたカラーフィルタ２６０と、を備える。
　すなわち、本実施形態に係る表示装置では、第１電極２１０を底部とし、発光素子の各々の間に設けられた第１部材２７０を側壁とする凹構造の内部に発光素子が形成される。また、本実施形態に係る表示装置では、内部に発光素子が形成された凹構造は、第１部材２７０よりも屈折率が大きい第２部材２８０によって埋め込まれる。これにより、第１部材２７０および第２部材２８０は、屈折率の大小関係が全反射の条件を満たすようになるため、入射した光を反射する光反射部として機能することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、凹構造の内部に発光素子を形成し、凹構造の側壁を光反射部として機能させることにより、発光素子からの光取出し効率を向上させることが可能である。
　なお、図８で示した各構成のうち、図１で示した各構成と同名の構成の具体的な材料についての説明は、実質的に図１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
　基板２００は、一主面に配列された複数の発光素子を支持する支持体である。図示しないが、基板２００には、発光素子の駆動を制御する駆動回路、発光素子に電力を供給する電源回路、およびこれらの回路と、第１電極２１０とを電気的に接続するコンタクトプラグが設けられていてもよい。
　第１電極２１０は、発光素子ごとに基板２００の上に設けられ、発光素子のアノードとして機能する。また、第１電極２１０は、第１部材２７０を側壁とする凹構造の底部に設けられる。具体的には、第１電極２１０は、光反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料にて、光反射電極として形成されてもよい。
　第１部材２７０は、基板２００の上の発光素子の各々の間に設けられ、発光素子の各々を離隔する。具体的には、第１部材２７０は、傾斜部を有する略台形形状（すなわち、テーパー形状）にて、第１電極２１０の周囲に形成される。これにより、第１部材２７０は、第１電極２１０を底部とし、基板２００とは反対側が開いた構造（すなわち、逆テーパー形状）の凹構造を形成することができる。第１部材２７０は、第２部材２８０よりも屈折率が小さい低屈折率材料で形成されてもよい。第１部材２７０は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、もしくは酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁膜などで形成されてもよい。
　絶縁層２２０は、隣接する第１電極２１０の間に第１部材２７０に沿って設けられる。また、絶縁層２２０のうちの少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成される。これにより、絶縁層２２０は、有機発光層２３０の中で導電性が高いパスが生じることを抑制することができるため、駆動電流のリークを抑制することができる。
　有機発光層２３０は、有機発光材料を含み、全ての発光素子に共通した連続膜として、凹構造に沿って第１電極２１０および絶縁層２２０の上に設けられる。有機発光層２３０は、例えば、第１電極２１０側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を順に積層した構造であってもよい。
　第２電極２４０は、発光素子のカソードとして機能し、全ての発光素子に共通した連続膜として、凹構造に沿って有機発光層２３０の上に設けられる。具体的には、第２電極２４０は、光透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料にて、光透過電極として形成されてもよい。
　保護層２５０は、第２電極２４０の上に設けられ、有機発光層２３０への水分および酸素の侵入を防止する。また、保護層２５０は、第１部材２７０および第２部材２８０の屈折率差による光の反射効率を高めるためには、少なくとも第２部材２８０と接する側の屈折率が大きいことが望ましい。例えば、保護層２５０は、第２電極２４０側から順に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなる層と、屈折率が大きいＡｌＯｘおよびＴｉＯｘからなる積層膜とを積層した多層膜にて形成されてもよい。
　第２部材２８０は、第１部材２７０によって形成された凹構造を埋め込むように、保護層２５０上に設けられる。第２部材２８０は、第１部材２７０よりも屈折率が大きい高屈折率材料で形成される。第２部材２８０は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの透明な有機絶縁膜、または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、もしくは酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透明な無機絶縁膜などで形成されてもよい。これにより、第１部材２７０および第２部材２８０は、発光素子から発せられた光を反射する光反射部として機能することができるため、発光素子の光取出し効率を向上させることができる。
　なお、屈折率がより大きい第２部材２８０は、例えば、分子構造中に硫黄含有置換基、りん含有置換基または芳香環などの分子屈折が高い置換基を多く含む樹脂を用いることで形成することができる。また、屈折率がより大きい第２部材２８０は、ＴｉＯｘまたはＺｒＯｘなどの高屈折率の無機フィラーを第２部材２８０に含有させることでも形成することができる。
　カラーフィルタ２６０は、表示装置のピクセルまたはサブピクセルの色を規定する。例えば、カラーフィルタ２６０は、赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタであってもよい。カラーフィルタ２６０は、発光素子から発せられた光を色分割して取り出すことを可能にする。なお、画素以外の領域では、カラーフィルタ２６０に替えて、ブラックマトリクスである遮蔽層が設けられてもよい。
　以上にて説明したように、本実施形態に係る表示装置では、凹構造の内部に発光素子を形成し、凹構造の側壁を光反射部として機能させることにより、発光素子の光取出し効率を向上させることが可能である。また、このような場合であっても、隣接する第１電極２１０の間に、無機窒化物によって正に帯電した絶縁層２２０を第１部材２７０に沿って設けることにより、隣接する発光素子の第１電極２１０の間で駆動電流のリークが生じることを抑制することができる。
　［２．２．表示装置の製造方法］
　次に、図９～図１５を参照して、本実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図９～図１５は、本実施形態に係る表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
　まず、図９に示すように、駆動回路、電源回路、およびこれらの回路と電気的に接続するコンタクトプラグ（図示せず）が内部に形成された基板２００の上に、スパッタ等を用いて、第１電極２１０が形成される。例えば、基板２００は、トランジスタ等の形成が容易なシリコン基板であってもよい。また、第１電極２１０は、アルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）で形成されてもよく、基板２００側からアルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）と、酸化インジウムスズとを順に積層した多層膜で形成されてもよい。
　次に、図１０に示すように、ＣＶＤ等を用いて、基板２００、および第１電極２１０の上に第１部材層２７１が形成される。第１部材層２７１は、後段のエッチングによってパターニングされることで、第１部材２７０が形成される層であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成されてもよい。
　続いて、図１１に示すように、エッチング等を用いて、第１電極２１０が露出するように第１部材層２７１をパターニングすることによって、第１電極２１０を底部とし、第１部材２７０を側壁とする凹構造が形成される。
　次に、図１２に示すように、ＣＶＤ等を用いて、第１電極２１０の間に第１部材２７０に沿って絶縁層１２０が成膜される。例えば、絶縁層２２０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成されてもよい。
　続いて、図１３に示すように、真空蒸着法等を用いて、第１電極２１０および絶縁層２２０の上に、凹構造に沿って有機発光層２３０が形成される。例えば、有機発光層２３０は、第１電極２１０側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を順に成膜することで形成されてもよい。有機発光層２３０を構成する各層の材料は、上述した材料を用いることが可能である。
　次に、図１４に示すように、スパッタ等を用いて、有機発光層２３０の上に第２電極２４０が形成され、第２電極２４０の上に保護層２５０が形成される。例えば、第２電極２４０は、酸化インジウム亜鉛、または酸化インジウムスズなどの透明導電性材料を成膜することで形成されてもよい。また、保護層２５０は、例えば、ＣＶＤ等を用いて、ＳｉＮｘ膜を成膜した後、ＡＬＤ等を用いて、ＳｉＮｘ膜の上にＡｌＯｘおよびＴｉＯｘからなる高屈折率の積層膜を成膜することで形成されてもよい。
　続いて、図１５に示すように、凹構造を埋め込むように、保護層２５０の上に第２部材２８０が形成され、第２部材２８０の上にカラーフィルタ２６０が形成される。例えば、スピンコート法等を用いることで、保護層２５０の上に凹構造を埋め込むように第２部材２８０を成膜することができる。または、保護層２５０の上に全面に亘って第２部材２８０を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、凹構造の内部以外の第２部材２８０を除去することで、第２部材２８０を形成することができる。例えば、第２部材２８０は、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２からなるフィラーを分散含有させたアクリル樹脂にて形成されてもよい。
　また、フォトリソグラフィ等を用いてパターニングすることで、第２部材２８０の上に、カラーフィルタ２６０が形成される。具体的には、まず、第２部材２８０の上に全面に亘って遮蔽層であるブラックマトリクスを成膜した後、フォトリソグラフィ等を用いて、ブラックマトリクスに開口を形成する。その後、開口に赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタのいずれかを成膜することで、カラーフィルタ２６０を形成することができる。
　以上の工程によって、本実施形態に係る表示装置を製造することができる。なお、上記の製造方法は、あくまでも一例であって、本実施形態に係る表示装置の製造方法が上記に限定されるものではない。
　［２．３．変形例］
　続いて、図１６～図１８を参照して、本実施形態に係る表示装置の変形例について説明する。本変形例は、図８で示した表示装置に対して、絶縁層２２０が形成される領域が異なる例である。これらの変形例の場合でも、本実施形態に係る表示装置は、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生することを抑制することが可能である。
　（第１の変形例）
　まず、図１６を参照して、本実施形態の第１の変形例に係る表示装置について説明する。図１６は、第１の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。
　図１６に示すように、第１の変形例に係る表示装置では、絶縁層２２１（絶縁層２２０に対応）が第１部材２７０の傾斜部に設けられず、凹構造の外部である第１部材２７０の平坦部の上に設けられる点が、図８で示した表示装置と異なる。
　絶縁層２２１は、第１部材２７０の平坦部の上に設けられ、発光素子の各々を電気的に離隔する。また、絶縁層２２１は、無機窒化物で形成されており、正に帯電している。これにより、絶縁層２２１は、絶縁層２２１と接する有機発光層２３０の界面において、導電性が高く駆動電流のリークを生じさせるパスが生じることを抑制することができる。
　第１の変形例に係る表示装置では、第１部材２７０の傾斜部と、有機発光層２３０とを接触させることができるため、屈折率の差を用いて、第１部材２７０にて有機発光層２３０から発した光をより効率的に反射することができる。一方、絶縁層２２１は、絶縁層２２１と有機発光層２３０とが接する第１部材２７０の平坦部の上の領域で、有機発光層２３０に生じた導電性が高いパスを遮断することができるため、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生することを抑制することができる。
　したがって、第１の変形例に係る表示装置によれば、隣接する発光素子の間の駆動電流のリークを抑制しつつ、発光素子からの光取出し効率を向上させることが可能である。
　（第２の変形例）
　次に、図１７を参照して、本実施形態の第２の変形例に係る表示装置について説明する。図１７は、第２の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。
　図１７に示すように、第２の変形例に係る表示装置では、絶縁層２２３（絶縁層２２０に対応）と、有機発光層２３０との間に反射補助層２２４が設けられる点が、図８で示した表示装置と異なる。
　絶縁層２２３は、第１電極２１０の間に第１部材２７０に沿って設けられ、発光素子の各々を電気的に離隔する。また、絶縁層２２３は、無機窒化物で形成されており、正に帯電している。これにより、絶縁層２２３は、絶縁層２２３と接する有機発光層２３０の界面において、導電性が高く駆動電流のリークを生じさせるパスが生じることを抑制することができる。
　反射補助層２２４は、第１部材２７０の傾斜部にて、絶縁層２２３（絶縁層２２０に対応）と、有機発光層２３０との間に設けられる。また、反射補助層２２４は、有機発光層２３０よりも屈折率が小さい絶縁材料で形成される。特に、反射補助層２２４は、有機発光層２３０との屈折率の差がより大きい絶縁材料で形成されることが望ましい。例えば、反射補助層２２４は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成されてもよい。
　第２の変形例に係る表示装置では、第１部材２７０の傾斜部に、有機発光層２３０よりも屈折率が小さく、かつ有機発光層２３０との屈折率の差が大きい反射補助層２２４が設けられる。これにより、第２の変形例に係る表示装置では、有機発光層２３０から発せられた光を有機発光層２３０と反射補助層２２４との界面で反射することで、発光素子の光取出し効率を向上させることができる。一方、絶縁層２２３は、絶縁層２２３と有機発光層２３０とが接する第１部材２７０の平坦部の上の領域で、有機発光層２３０に生じた導電性が高いパスを遮断することができるため、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生することを抑制することができる。
　したがって、第２の変形例に係る表示装置によれば、隣接する発光素子の間の駆動電流のリークを抑制しつつ、発光素子の光取出し効率を向上させることが可能である。
　（第３の変形例）
　次に、図１８を参照して、本実施形態の第３の変形例に係る表示装置について説明する。図１８は、第３の変形例に係る表示装置を積層方向に切断した断面図である。
　図１８に示すように、第３の変形例に係る表示装置では、絶縁層２２５（絶縁層２２０に対応）と、有機発光層２３０との間に反射補助層２２６が設けられる点が、図８で示した表示装置と異なる。
　絶縁層２２５は、第１電極２１０の間に第１部材２７０に沿って設けられ、発光素子の各々を電気的に離隔する。また、絶縁層２２５は、無機窒化物で形成されており、正に帯電している。絶縁層２２５は、有機発光層２３０とは接していないものの、正に帯電しているため、反射補助層２２６にて生じた負の電荷を打ち消し、絶縁層２２５および反射補助層２２６を合わせた層全体で負に帯電することを防止する。したがって、このような場合でも、絶縁層２２５は、反射補助層２２６と接する有機発光層１３０の界面において、駆動電流のリークを生じさせる導電性が高いパスが生じることを抑制することができる。
　反射補助層２２６は、絶縁層２２３（絶縁層２２０に対応）と、有機発光層２３０との間に設けられる。また、反射補助層２２６は、有機発光層２３０よりも屈折率が小さい絶縁材料で形成される。特に、反射補助層２２６は、有機発光層２３０との屈折率の差がより大きい絶縁材料で形成されることが望ましい。例えば、反射補助層２２６は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成されてもよい。
　第３の変形例に係る表示装置では、絶縁層２２５と、有機発光層２３０との間に、有機発光層２３０よりも屈折率が小さく、かつ有機発光層２３０との屈折率の差が大きい反射補助層２２６が設けられる。これにより、第３の変形例に係る表示装置では、有機発光層２３０から発せられた光を有機発光層２３０と反射補助層２２６との界面で反射することで、発光素子の光取出し効率を向上させることができる。
　一方、第３の変形例に係る表示装置では、絶縁層２２５が正に帯電することにより、反射補助層２２６の負の電荷が打ち消され、反射補助層２２６と接する有機発光層１３０の界面に正孔が蓄積されないため、導電性が高いパスが生じない。よって、第３の変形例に係る表示装置では、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生することを抑制することができる。
　したがって、第３の変形例に係る表示装置によれば、隣接する発光素子の間の駆動電流のリークを抑制しつつ、発光素子の光取出し効率を向上させることが可能である。
　＜３．表示装置の適用例＞
　続いて、図１９～図２２を参照して、本開示の第１および第２の実施形態に係る表示装置の適用例について説明する。図１９～図２２は、本開示の各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例を示す外観図である。
　例えば、本開示の各実施形態に係る表示装置は、スマートフォンなどの電子機器の表示部に適用することができる。具体的には、図１９に示すように、スマートフォン３００は、各種情報を表示する表示部３０１と、ユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部３０３と、を備える。ここで、表示部３０１は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。
　また、例えば、本実施形態に係る表示装置は、デジタルカメラなどの電子機器の表示部に適用することができる。具体的には、図２０および図２１に示すように、デジタルカメラ３１０は、本体部（カメラボディ）３１１と、交換式のレンズユニット３１３と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部３１５と、各種情報を表示するモニタ部３１７と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｖｉｅｗ　Ｆｉｎｄｅｒ）３１９と、を備える。なお、図２０は、デジタルカメラ３１０を前方（すなわち、被写体側）から眺めた外観を示し、図２１は、デジタルカメラ３１０を後方（すなわち、撮影者側）から眺めた外観を示す。ここで、モニタ部３１７およびＥＶＦ３１９は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。
　また、例えば、本実施形態に係る表示装置は、ＨＭＤ（Ｈｅａｄ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｄｉｓｐｌａｙ）などの電子機器の表示部に適用することができる。具体的には、図２２に示すように、ＨＭＤ３２０は、各種情報を表示する表示部３２１と、装着時にユーザの頭部に装着される装着部３２３と、を備える。ここで、表示部３２１は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。さらに、本実施形態に係る表示装置は、図２２に示す非透過型ＨＭＤだけでなく、メガネ型などの透過型ＨＭＤの表示部に適用することも可能である。
　なお、本実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る表示装置は、外部から入力された画像信号、または内部で生成された画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器の表示部に適用することが可能である。このような電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、電子ブック、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、またはゲーム機器等を例示することができる。
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
　発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、
　前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、
を備え、
　前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成される、表示装置。
（２）
　前記第１電極は、アノード電極である、前記（１）に記載の表示装置。
（３）
　正に帯電した無機窒化物で形成される膜厚領域は、前記有機発光層と接する膜厚領域である、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記絶縁層は、複数の絶縁膜の積層膜にて形成され、
　前記複数の絶縁膜のうち、前記有機発光層と接する絶縁膜は、正に帯電した無機窒化物で形成される、前記（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記第１電極の側面は、前記絶縁層によって被覆されている、前記（１）～（４）のいずれか一項に記載の表示装置。
（６）
　前記第２電極および前記有機発光層は、前記発光素子の各々に亘って連続して設けられる、前記（１）～（５）のいずれか一項に記載の表示装置。
（７）
　前記無機窒化物は、酸素原子を含まない、前記（１）～（６）のいずれか一項に記載の表示装置。
（８）
　前記無機窒化物は、窒化シリコンである、前記（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記窒化シリコンにおけるＳｉ－Ｈ／Ｎ－Ｈの比は、１％未満である、前記（８）に記載の表示装置。
（１０）
　前記発光素子は、前記第１電極を底部とし、前記発光素子の各々の間に設けられた第１部材を側壁とする凹構造の内部に設けられる、前記（１）～（９）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１１）
　前記第１部材の屈折率は、前記有機発光層の屈折率よりも小さい、前記（１０）に記載の表示装置。
（１２）
　前記絶縁層は、前記凹構造の外部、かつ前記有機発光層と接する領域に設けられる、前記（１０）または（１１）に記載の表示装置。
（１３）
　発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、
　前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、
を備え、
　前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成された表示部を有する、電子機器。
　１００、２００　　基板
　１１０、２１０　　第１電極
　１１１　　　　　　コンタクトプラグ
　１２０、２２０、２２１、２２３、２２５　　絶縁層
　１３０、２３０　　有機発光層
　１４０、２４０　　第２電極
　１５０、２５０　　保護層
　１６１、２６０　　カラーフィルタ
　１６３　　　　　　遮蔽層
　２２４、２２６　　反射補助層
　２７０　　　　　　第１部材
　２８０　　　　　　第２部材

Claims (13)

  1. 　発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、
    　前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、
    を備え、
    　前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成される、表示装置。
  2. 　前記第１電極は、アノード電極である、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　正に帯電した無機窒化物で形成される膜厚領域は、前記有機発光層と接する膜厚領域である、請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記絶縁層は、複数の絶縁膜の積層膜にて形成され、
    　前記複数の絶縁膜のうち、前記有機発光層と接する絶縁膜は、正に帯電した無機窒化物で形成される、請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記第１電極の側面は、前記絶縁層によって被覆されている、請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記第２電極および前記有機発光層は、前記発光素子の各々に亘って連続して設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記無機窒化物は、酸素原子を含まない、請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記無機窒化物は、窒化シリコンである、請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記窒化シリコンにおけるＳｉ－Ｈ／Ｎ－Ｈの比は、１％未満である、請求項８に記載の表示装置。
  10. 　前記発光素子は、前記第１電極を底部とし、前記発光素子の各々の間に設けられた第１部材を側壁とする凹構造の内部に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記第１部材の屈折率は、前記有機発光層の屈折率よりも小さい、請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記絶縁層は、前記凹構造の外部、かつ前記有機発光層と接する領域に設けられる、請求項１０に記載の表示装置。
  13. 　発光素子ごとに設けられた第１電極と、第２電極とに積層方向に挟持された有機発光層を有し、平面上に複数配列された発光素子と、
    　前記第１電極の各々の間に設けられた絶縁層と、
    を備え、
    　前記絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域は、正に帯電した無機窒化物で形成された表示部を有する、電子機器。
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