JP2009301760A - 発光素子、発光装置、発光素子の製造方法、表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光素子、発光装置および発光素子の製造方法を提供すること、また、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】発光素子１_Ｒは、陽極３と、陰極１２と、陽極３と陰極１２との間に設けられた発光層６、８、９とを有し、陽極３は、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層３１と、第１の層３１に対して発光層６、８、９側に設けられ、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層３２とを含んで構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子、発光装置、発光素子の製造方法、表示装置および電子機器に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色に対応する３層の発光層を積層した構造を有し、この３層の発光層全体で白色発光させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような白色発光する発光素子は、Ｒ（赤色）画素、Ｇ（緑色）画素、Ｂ（青色）画素の３色の画素を有するカラーフィルタと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。

特許文献１にかかる各画素の発光素子では、陽極および陰極のうちの一方の電極がハーフミラーを構成し他方の電極が透明電極を構成するとともに、透明電極の発光層と反対側にミラーが設けられている。このような発光素子では、発光層で発生した光を、ハーフミラーとミラーとの間で共振させ、ハーフミラー側から出射させる。これにより、発光素子から出射する光の輝度（ひいては電流効率）を高めることができる。

かかる発光素子では、透明電極がＩＴＯのみで構成されており、透明電極の厚さを調整することでハーフミラーとミラーとの間の距離が各画素の目的とする波長に応じて設定されている。このような透明電極は、基板上に一様な厚さのＩＴＯ膜を形成した後、そのＩＴＯ膜を画素毎に余分な厚さだけエッチングにより除去することにより形成される。ＩＴＯ膜はエッチングによるパターンニングが容易であり、また、エッチングによるパターンニングを用いることで、電極だけでなく微細な配線も形成することができる。
しかしながら、特許文献１にかかる発光素子では、透明電極がＩＴＯのみで構成されているため、透明電極の表面の平滑性に劣り、取り出し効率（発光効率）の低下を招いてしまう。

特開２００３−７７６８１号公報

本発明の目的は、発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光素子、発光装置および発光素子の製造方法を提供すること、また、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた少なくとも１層の発光層とを有し、
前記第１の電極は、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層と、前記第１の層に対して前記発光層側に設けられ、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層とを含んで構成されていることを特徴とする。
これにより、第２の層が優れた平滑性を有するため、第１の電極の発光層側の面の平滑性を向上させることができる。そのため、発光素子の光の取り出し効率を向上させることができる。また、第１の層がエッチングによるパターンニングが容易であるため、第１の層と配線とを一括して形成することができる。

本発明の発光素子では、前記第１の層は、気相成膜法により一様に成膜された薄膜の一部をエッチングにより除去してパターンニングされたものであり、前記第２の層は、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングされたものであることが好ましい。
これにより、第１の層を微細にパターンニングすることができる。また、フォトリソグラフィのような高価で複雑な工程を得ることなく第２の層を形成することができる。
本発明の発光素子では、前記発光層からの光を前記第２の電極側から出射するように構成されていることが好ましい。
これにより、基材上に第１の電極、発光層および第２の電極をこの順で形成することで、基材上に第１の電極（第１の層）とともに配線を形成することができる。

本発明の発光素子では、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることが好ましい。
一般に、トップエミッション型の発光素子では、基材上に陽極、発光層および陰極をこの順で形成して得られ、陰極側から光を出射する。そのため、かかる構成において、本発明を適用することによる効果が顕著となる。
本発明の発光素子では、前記第１の電極に対し前記発光層と反対側には、反射層が設けられていることが好ましい。
これにより、反射層で反射した光を第２の電極側から出射して有効利用することができる。そのため、発光素子の発光効率を向上させることができる。

本発明の発光素子では、前記発光層に対し前記第１の電極とは反対側に設けられ、前記発光層からの光の一部を反射し残部を透過する機能を有する半透過層を有することが好ましい。
これにより、第２の電極側から光を出射する構成において、半透過層で反射した光を有効利用して発光素子の発光効率を向上させることができる。
本発明の発光素子では、前記第２の電極は、前記半透過層を兼ねていることが好ましい。
これにより、発光素子の層構成を簡単化することができる。その結果、発光素子の低コスト化を図ることができる。
本発明の発光素子では、前記反射層と前記半透過層との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記反射層と前記半透過層との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るように構成されていることが好ましい。
これにより、発光素子の輝度および色度を高めることができる。

本発明の発光素子では、前記発光層は複数層設けられ、該複数層の発光層は、当該複数層の発光層全体として白色発光するように互いに異なる発光スペクトルを有するものであることが好ましい。
これにより、１つの発光素子から様々な色を分離して用いることができる。
本発明の発光素子では、前記複数層の発光層は、赤色に発光する赤色発光層と、緑色に発光する緑色発光層と、青色に発光する青色発光層とを含んで構成されていることが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ確実に、白色発光する発光素子を実現することができる。

本発明の発光装置は、第１の電極と第２の電極との間に少なくとも１層の発光層が介挿されて構成された発光素子が複数配設された発光装置であって、
前記複数の発光素子は、本発明の発光素子を含んでいることを特徴とする。
これにより、発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光装置を提供することができる。

本発明の発光装置では、前記複数の発光素子は、第１の発光素子と、該第１の発光素子の第１の電極よりも薄い第１の電極を備える第２の発光素子を含み、
少なくとも前記第１の発光素子の第１の電極は、前記第１の層および前記第２の層を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光装置を提供することができる。

本発明の発光装置では、前記第２の発光素子の第１の電極は、前記第２の層を含まず前記第１の層を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、第１の発光素子および第２の発光素子をそれぞれ構成する層の数を少なくすることができ、その結果、発光装置の製造工程を簡単化することができる。
本発明の発光装置では、前記第２の発光素子の第１の電極は、前記第１の層および前記第２の層を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、第１の発光素子および第２の発光素子のそれぞれの発光効率を向上させることができる。

本発明の発光装置では、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子は、前記第２の層の有無、または、前記第２の発光層の厚さによって、前記陽極の厚さが互いに異なることが好ましい。
これにより、簡単かつ確実に、第１の発光素子の第１の電極の厚さと第２の発光素子の第１の電極の厚さとを異なるものとすることができる。

本発明の発光素子の製造方法は、第１の電極と第２の電極との間に少なくとも１層の発光層が介挿されて構成された発光素子の製造方法であって、
前記第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極の一方の面側に、前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の前記第１の電極とは反対側に、前記第２の電極を形成する工程とを有し、
前記第１の電極を形成する工程は、基材上に、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層とを形成する第１の工程と、前記第１の層上に、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。
これにより、発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光素子を得ることができる。

本発明の発光素子の製造方法では、前記第１の工程では、気相成膜法により一様に薄膜を形成した後に、当該薄膜の一部をエッチングにより除去してパターンニングし、前記第１の層を形成し、前記第２の工程では、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングし、前記第２の層を形成することが好ましい。
これにより、簡単かつ確実に、発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光素子を得ることができる。

本発明の表示装置は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、高品位な画像を長期にわたり表示することができる電子機器を提供することができる。

以下、本発明の発光素子、発光装置、発光素子の製造方法、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の発光素子を備える表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図、図２は、図１に示す発光装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中および図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

（表示装置）
図１に示すディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを備える発光装置１０１を有している。
このようなディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂがサブ画素１００_Ｒ、１００_Ｇ、１００_Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。

発光装置１０１は、基板２１と、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂと、複数のスイッチング素子２４とを有している。
基板２１は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂおよび複数のスイッチング素子２４を支持するものである。本実施形態の各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、基板２１とは反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）である。したがって、基板２１には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。なお、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）である場合には、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。

基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
このような基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２４がマトリクス状に配列されている。

各スイッチング素子２４は、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられ、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような複数のスイッチング素子２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
平坦化層２２上には、各スイッチング素子２４に対応して発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが設けられている。

発光素子１_Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜４２、腐食防止膜４３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１５、陰極１２、陰極カバー４４がこの順に積層されて構成されている。本実施形態では、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各スイッチング素子２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陰極１２は、共通電極とされている。
このような発光装置１０１は、後に詳述するような陽極３を有する発光素子１_Ｒ、１_Ｇを含んでいるため、発光効率を優れたものとしつつ、陽極３と配線とを一括して形成することができる。なお、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂについては、後に詳述する。
隣接する発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂ同士の間には、隔壁４１が設けられている。

このように構成された発光装置１０１には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層４５を介して、基板２０が接合されている。
基板（封止基板）２０および樹脂層４５は、それぞれ、前述した各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを封止する機能を有する。
基板２０には、透明基板が用いられ、このような基板２０の構成材料としては、基板２０が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板２１の構成材料と同様のものを用いることができる。

（発光素子）
ここで、図２に基づき、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを詳細に説明する。
図２に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、それぞれ、２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に、互いに発光スペクトルの異なるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３層の発光層を含む積層体１５が介挿されている。この積層体１５は、図２に示すように、陽極３側から陰極１２側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層（赤色発光層）６と中間層７と第２の発光層（青色発光層）８と第３の発光層（緑色発光層）９と電子輸送層１０と電子注入層１１とがこの順に積層されている。

言い換えすれば、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。
また、本実施形態では、陽極３と平坦化層２２との間に、反射膜４２および腐食防止膜４３が設けられ、また、陰極１２の積層体１５と反対側には、陰極カバー（封止層）４４が設けられている。

このような各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂにあっては、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

このような各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂでは、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９が互いに発光スペクトルの異なる複数層の発光層で構成され、当該複数層の発光層全体として白色発光するように構成されている。そのため、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが互いに同じ構成の発光層を有しながらも、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂでそれぞれ所望の色を分離して用いることができる。すなわち、１つの発光素子から様々な色を分離して用いることができる。
特に、Ｒ、Ｇ、Ｂを組み合わせて当該複数層の発光層全体で白色発光させるため、比較的簡単かつ確実に、当該複数層の発光層全体で白色発光することができる。

以下、発光素子１_Ｒを構成する各部を順次説明する。なお、以下では、発光素子１_Ｒについて代表的に説明する。発光素子１_Ｇ、１_Ｂについては、発光素子１_Ｒと相違する事項を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極（第１の電極）である。また、本実施形態では、陽極３は、光透過性を有する。これにより、各発光層からの光を反射膜４２が反射することができる。

本実施形態において、発光素子１_Ｒ、１_Ｇについては、陽極３は、互いに接合された第１の層３１および第２の層３２で構成され、発光素子１_Ｂについては、陽極３は、第１の層３１で構成されている。このようにして、第２の層３２の有無、または、第２の層３２の厚さを変えることで、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３の厚さが互いに異なっている。
これにより、簡単かつ確実に、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３の厚さを互いに異なるものとすることができる。

ここで、発光素子１_Ｒを第１の発光素子としたとき、発光素子１_Ｇおよび発光素子１_Ｂは、それぞれ、第１の発光素子の第１の電極（陽極３）よりも薄い第１の電極（陽極３）を備える第２の発光素子を構成する。また、発光素子１_Ｇを第１の発光素子としたとき、発光素子１_Ｂは、第１の発光素子の第１の電極（陽極３）よりも薄い第１の電極（陽極３）を備える第２の発光素子を構成する。

第１の層３１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を主材料として構成され、一方、第２の層３２は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を主材料として構成されている。ここで、第２の層３２は、第１の層３１に対して発光層側に設けられている。
このような第１の層３１および第２の層３２を含んで構成された陽極３にあっては、第２の層３２が優れた平滑性を有するため、陽極３（第１の電極）の発光層側の面の平滑性を向上させることができる。そのため、発光素子１_Ｒ、１_Ｇの光の取り出し効率を向上させることができる。また、第１の層３１がエッチングによるパターンニングが容易であるため、第１の層３１と配線とを一括して形成することができる。

より具体的に説明すると、ＩＴＯは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。
しかも、ＩＴＯは、気相成膜法により簡単に成膜して薄膜を得ることができ、また、得られた薄膜の一部をエッチングにより除去して高精度なパターンニングすることができる。すなわち、第１の層３１を微細にパターンニングすることができる。なお、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングする方法では、マスクのアライメント精度（マスクずれ）を考慮すると、微細な配線を形成するのは難しい。例えば、対角８インチ、１６：９表示、解像度ＶＧＡ（６４０×４８０）の表示パネルでは、一般に、配線の線幅１０μｍ程度、配線間隔３μｍ程度である。また、対角２．５インチ、１６：９表示、解像度ＱＶＧＡ（３２０×２４０）の表示パネルでは、一般に、配線の線幅８μｍ程度、配線間隔２μｍ程度である。
したがって、気相成膜法により簡単に成膜した薄膜の一部をエッチングにより除去してパターンニングすることで、第１の層３１と配線とを一括形成することができる。

このような第１の層３１は、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂ間で同じ厚さに設定されているのが好ましい。これにより、後述する発光装置１０１の製造時において、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの各第１の層３１を一回の成膜工程で簡単に形成することができる。
また、第１の層３１の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
一方、ＩＺＯも、ＩＴＯ同様に、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。
また、ＩＺＯは、気相成膜法により優れた表面性（平滑性）を有する薄膜を形成することができる。

ところで、ＩＺＯは、フォト工程において溶けやすく、エッチングによるパターンニングには不向きであり、微細な配線を形成するのは難しい。
しかし、陽極３（個別電極）に対応した形状の薄膜だけを形成する場合には、それほど高精度なパターンニングは要求されない。例えば、対角８インチ、１６：９表示、解像度ＶＧＡ（６４０×４８０）の表示パネルでは、一般に、画素サイズ８２．２μｍ×３２．６μｍ程度、画素間隔１５μ程度である。また、対角２．５インチ、１６：９表示、解像度ＱＶＧＡ（３２０×２４０）の表示パネルでは、一般に、画素サイズ４７．７μｍ×３３．２μｍ程度、画素間隔１０μ程度である。
したがって、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングすることで、第２の層３２を形成すればよい。この場合、フォトリソグラフィのような高価で複雑な工程を得ることなく第２の層３２を形成することができる。

このような第２の層３２は、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ間で互いに異なる厚さに設定されている。
このような陽極３の厚さは、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの各出射光の波長に応じて互いに異なるものであるのが好ましい。
より具体的に説明すると、発光素子１_Ｒの陽極３については、後述する陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１_Ｒから出射する光の波長（赤色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。また、発光素子１_Ｇの陽極３ついては、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１_Ｇから出射する光の波長（緑色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましく、また、発光素子１_Ｂの陽極３ついては、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１_Ｂから出射する光の波長（青色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。
これにより、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの各出射光の所望の色度の輝度を高めることができる。

特に、陽極３の厚さは、陰極１２と反射膜４２との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて（共振させて）、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌに応じた波長の光を外部に出射し得るように設定されているのが好ましい。これにより、発光素子１_Ｒから出射される光の強度および色純度を高めることができる。この場合、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌを所望値（赤色の波長に応じた値）に設定することにより、陰極１２と反射膜４２との間で所望の波長の光を共振させることができる。より具体的には、輝度を高めたい色度の波長をλとしたとき、ｎλ／２に、陰極１２や反射膜４２での光反射時の位相のシフト量等を考慮した値を加算または減算した値を距離Ｌとする（ここで、ｎは自然数である）。

このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陽極３は、前述した第１の層３１および第２の層３２以外の第３の層が含まれていてもよい。この場合、例えば、第３の層を第１の層３１と第２の層３２との間や、第２の層３２の発光層側の面上に設ける。
第３の層の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましく、例えば、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能（すなわち正孔注入性）を有するものである。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、正孔注入層４が前述したような正孔注入性を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、下記化１で表されるテトラアミン化合物およびそれらの誘導体、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層４は、省略することができる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を第１の発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、下記化２で表わされるＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層５は、省略することができる。

（第１の発光層）
この第１の発光層６は、第１の色に発光する第１の発光材料と、この第１の発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料とを含んで構成されている。このような第１の発光層６は、例えば、ゲスト材料である第１の発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第１のホスト材料は省略することができる。

第１の発光材料は、赤色に発光する赤色発光材料である。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、赤色蛍光材料を好適に用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

上述した中でも、赤色発光材料は、ペリレン誘導体を含むことが好ましい。ペリレン誘導体は、特に発光効率の高い発光材料である。また、ペリレン誘導体は、電子を捕獲する機能が特に優れたものである。このため、陰極１２側から注入された電子を第１の発光層６で確実に捕獲し、正孔輸送層５に電子が注入されるのを防止することができる。その結果、正孔注入層４や正孔輸送層５の構成材料が電子により還元されて劣化するのを防止することができる。
特に、赤色発光材料に用いるペリレン誘導体としては、例えば下記化３で表わされる化合物等のテトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。

このような赤色発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記化４で表わされる化合物等のテトラセン誘導体（ナフタセン誘導体）、下記化５で表わされる化合物等のアントラセン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）および第１のホスト材料を用いる場合、第１の発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する第２の発光層８や第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第１の発光層６を発光させることができる。

また、前述したような赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さいため、発光しやすい。したがって、最も陽極３側に赤色発光層を設けることで、バンドギャップが比較的大きく発光し難い青色発光層や緑色発光層を陰極１２側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
また、第１の発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（中間層）
この中間層７は、前述した第１の発光層６と後述する第２の発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層７は、第１の発光層６と第２の発光層８との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、第１の発光層６および第２の発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。

このような中間層７の構成材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、アミン系材料等を用いることができ、特に、アミン系材料とアセン系材料との混合材料を好適に用いることができる。
このような中間層７に用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。

特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層７に用いられるアミン系材料としては、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。

このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、後述するアセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、第１の発光層６から中間層７を介して第２の発光層８へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層７中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。

一方、中間層７に用いられるアセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体を用いるのが好ましい。
このような中間層７中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。

また、中間層７中におけるアセン系材料の含有量をＡ［ｗｔ％］とし、中間層７中におけるアミン系材料の含有量をＢ［ｗｔ％］としたときに、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は、０．１〜０．９であるのが好ましく、０．３〜０．７であるのがより好ましく、０．４〜０．６であるのがさらに好ましい。これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層７の耐性を優れたものとしつつ、第１の発光層６および第２の発光層８にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。

また、中間層７の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
これに対し、中間層７の平均厚さが前記上限値を超えると、中間層７の構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子１_Ｒの発光（特に白色発光）が難しくなったりする場合がある。一方、中間層７の平均厚さが前記下限値未満であると、中間層７の構成材料や駆動電圧等によっては、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子によるエネルギー移動を防止または抑制するのが難しく、また、キャリアや励起子に対する中間層７の耐が低下する傾向を示す。
なお、この中間層７は、省略することができる。

（第２の発光層）
この第２の発光層８は、第２の色に発光する第２の発光材料と、この第２の発光材料をゲスト材料とする第２のホスト材料とを含んで構成されている。このような第２の発光層８は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第２の発光材料をドーパントとして第２のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第２のホスト材料は省略することができる。

第２の発光材料は、青色に発光する青色発光材料である。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、青色蛍光材料を好適に用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化６で表わされる化合物、ジスチリルジアミン誘導体、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

第２のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような青色発光材料（ゲスト材料）および第２のホスト材料を用いる場合、第２の発光層８中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、５〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や後述する第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第２の発光層８を発光させることができる。
また、第２の発光層８の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（第３の発光層）
この第３の発光層９は、第３の色に発光する第３の発光材料と、この第３の発光材料をゲスト材料とする第３のホスト材料とを含んで構成されている。このような第３の発光層９は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第３の発光材料をドーパントとして第３のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第３のホスト材料は省略することができる。

第３の発光材料は、緑色に発光する緑色発光材料である。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、緑色蛍光材料を好適に用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化７で表わされる化合物等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。

第３のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような緑色発光材料（ゲスト材料）および第３のホスト材料を用いる場合、第３の発光層９中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や第２の発光層８の発光量とのバランスをとりつつ第３の発光層９を発光させることができる。
また、第３の発光層９の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を第３の発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、電子輸送層１０は、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１_Ｒは、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、電子注入層１１は、省略することができる。

（陰極）
陰極１２は、前述した電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極（第２の電極）である。
また、陰極１２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光の一部を透過し残部を反射する機能をも有する。これにより、発光素子１_Ｒが陰極１２側から光を出射させることができる。また、陰極１２で反射した光を有効利用して発光素子１_Ｒの発光効率を向上させることができる。

このような陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料が用いられ、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極の電子注入効率および安定性を優れたものとすることができる。

また、陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、発光層からの光（発光素子１_Ｒから出射する目的とする波長）に対する陰極１２の反射率は、２０〜８０％であるのが好ましく、３０〜７０％であるのがより好ましい。これにより、発光素子１_Ｒから出射する光の輝度（電流効率）を効果的に高めることができる。

（反射膜）
反射膜（反射層）４２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９に対して陰極１２と反対側に設けられている。すなわち、反射膜４２と陰極１２との間に、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９が設けられている。
このような反射膜４２は、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光を反射する機能を有する。これにより、少なくとも１層の発光層からの光および陰極１２からの反射光を反射膜４２で反射して、発光素子１_Ｒから出射する光の輝度を高めることができる。その結果、発光素子１_Ｒの発光効率を向上させることができる。

このような反射膜４２の構成材料としては、反射膜４２が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金等を用いることができる。
また、反射膜４２は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜（光学多層薄膜）で構成することもできる。

高屈折率層を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５、酸化ニオブ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｈＯ_２などが挙げられるが、特に、Ｔｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５、酸化ニオブなどが好適に用いられる。
低屈折率層を構成する材料としては、例えば、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２などが挙げられるが、特に、ＳｉＯ_２が好適に用いられる。

反射膜４２を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、誘電体多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は１２層以上である。
なお、本実施形態では、発光素子１_Ｒがトップエミッション型であるため、反射膜４２に光透過性は要求されない。
また、反射膜４２の厚さは、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましい。

（腐食防止膜）
腐食防止膜４３は、反射膜４２の腐食を防止する機能（反射膜４２を保護する保護層としての機能）を有するものである。
このような腐食防止膜４３の構成材料としては、腐食防止膜４３が前述した機能を発揮するとともに前述した反射膜４２の機能を阻害しないものであれば、特に限定されず、各種有機材料、各種無機材料を用いることができる。
なお、この腐食防止膜４３は、省略してもよい。

（陰極カバー）
陰極カバー４４は、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。陰極カバー４４を設けることにより、発光素子１_Ｒの信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。

陰極カバー４４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、陰極カバー４４の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、陰極カバー４４と陽極３、積層体１５、および陰極１２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
なお、本実施形態では、図１に示す樹脂層４５（封止層）およびカラーフィルタ１０２（封止部材）も、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。

以上説明したように構成された発光素子１_Ｒによれば、第２の層３２が優れた平滑性を有するため、陽極３の発光層側の面の平滑性を向上させることができる。そのため、発光素子１_Ｒの光の取り出し効率を向上させることができる。また、第１の層３１がエッチングによるパターンニングが容易であるため、第１の層３１と配線とを一括して形成することができる。

また、前述したような発光装置１０１によれば、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３の厚さが互いに異なり、発光素子１_Ｇ、１_Ｂの陽極３は第１の層３１および第２の層３２を含んで構成されているが、発光素子１_Ｒの陽極３は、第２の層３２を含まず第１の層３１を含んで構成されている。これにより、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂをそれぞれ構成する層の数を少なくすることができ、その結果、発光装置１０１の製造工程を簡単化することができる。
このような本発明は、トップエミッション型の発光素子１_Ｒに適用することで、比較的簡単な構成で優れた電流効率を有する発光素子１_Ｒを提供することができる。

（発光素子の製造方法）
以上のように構成された発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、例えば、次のようにして製造することができる。なお、以下の説明では、表示装置１００を製造する場合を例に説明する。
図３および図４は、それぞれ、図１に示す表示装置（発光素子）の製造方法の第１の例を説明するための図、図５は、図１に示す表示装置（発光素子）の製造方法の第２の例を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図３ないし図５中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

表示装置１００の製造方法は、＜Ａ＞基材を形成する工程と、＜Ｂ＞基材上に発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを形成して発光装置１０１を形成する工程と、＜Ｃ＞発光装置１０１と基板２０とを樹脂層４５を介して接合する工程とを有する。
ここで、工程＜Ｂ＞は、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを形成するに際し、＜Ｂ１＞陽極３を形成する工程と、＜Ｂ２＞各発光層６、８、９を形成する工程と、＜Ｂ３＞陰極１２を形成する工程とを含んでいる。特に、工程＜Ｂ１＞は、第１の層３１を形成する第１の工程と、第２の層３２を形成する第２の工程とを含んでいる。

以下、表示装置１００の製造方法における各工程を順次説明する。
＜Ａ＞基材を形成する工程
［１］ まず、基板２１を用意し、この基板２１上に、図３（ａ）に示すように、複数のスイッチング素子２４および平坦化層２２を形成する。
このスイッチング素子２４および平坦化層２２は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。

［２］ 次に、図３（ｂ）に示すように、平坦化層２２上に、各スイッチング素子２４に対応して、反射膜４２と腐食防止膜４３とをこの順で積層して形成する。
反射膜４２および腐食防止膜４３は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
以上のようにして基材を形成することができる。

＜Ｂ＞発光装置を形成する工程
＜Ｂ１＞陽極を形成する工程
（第１の工程）
［３］ 次に、図３（ｃ）に示すように、腐食防止膜４３上に、第１の層３１を形成する。ここで、第１の層３１は、各画素の腐食防止膜４３上に形成する。
第１の層３１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相成膜法（気相プロセス）により形成するのが好ましい。
特に、気相成膜法によりＩＴＯの薄膜を一様に形成し、その薄膜の一部をエッチングすることによりパターンニングすることにより、第１の層３１を形成するのが好ましい。また、そのエッチングは、フォトリソグラフィー法を用いて形成されたマスクを介して行うのが好ましい。

（第２の工程）
［４］ 次に、図３（ｄ）に示すように、Ｇ画素に対応する第１の層３１上に、第２の層３２を形成し、その後、図３（ｅ）に示すように、Ｒ画素に対応する第１の層３１上に、Ｇ画素に対応する第２の層３２よりも厚い第２の層３２を形成する（第１の例）。

［４´］ または、図５（ａ）に示すように、Ｒ画素およびＧ画素にそれぞれ対応する第１の層３１上に、第２の層３２を形成し、その後、図５（ｂ）に示すように、Ｒ画素に対応する第２の層３２上に、第２の層３２をさらに形成する（第２の例）。
本実施形態では、工程［４］や［４´］において、Ｂ画素に対応する第１の層３１には第２の層３２を形成しないように、パターンニングを行う。

第２の層３２は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相成膜法（気相プロセス）により形成するのが好ましい。
特に、所望の画素に対応する領域に開口Ｍ１を有するマスクＭを介して気相成膜法によりＩＺＯの薄膜を成膜してパターンニングすることにより、第２の層３２を形成するのが好ましい。
以上のようにして陽極３を形成することができる。

＜Ｂ２＞各発光層を形成する工程
［５］ 次に、図４（ａ）に示すように、陽極３同士の間に、隔壁４１を形成する。
隔壁４１は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。

［６］ 次に、図４（ｂ）に示すように、複数の陽極３を覆うように、積層体１５と陰極１２と陰極カバー４４とをこの順で積層して形成する。複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが得られる。このような複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、層構成がほぼ互いに同じであるため、比較的少なくかつ簡単な製造工程で済む。
以下、本工程［６］をより具体的に説明する。

［６−１］ まず、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層４は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面を親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

［６−２］ 次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［６−３］ 次に、正孔輸送層５上に、第１の発光層６を形成する。
第１の発光層６は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［６−４］ 次に、第１の発光層６上に、中間層７を形成する。
中間層７は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［６−５］ 次に、中間層７上に、第２の発光層８を形成する。
第２の発光層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［６−６］ 次に、第２の発光層８上に、第３の発光層９を形成する。
第３の発光層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［６−７］ 次に、第３の発光層９上に電子輸送層１０を形成する。
電子輸送層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層１０は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、第３の発光層９上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［６−８］ 次に、電子輸送層１０上に、電子注入層１１を形成する。
電子注入層１１の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［６−９］ 次に、電子注入層１１上に、陰極１２を形成する。
陰極１２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。

［６−１０］ 次に、陰極１２上に、陰極カバー４４を形成する。
陰極カバー４４は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光装置１０１が得られる。

＜Ｃ＞発光装置と基板とを接合する工程
［７］ その後、図４（ｃ）に示すように、発光装置１０１と基板２０とを樹脂層４５を介して接合する。これにより、表示装置１００が得られる。
以上のような工程を経て、表示装置１００が得られる。
特に、このような表示装置１００は、陽極３が基板２１側（基材側）に設けられ、陰極１２側から光を出射するトップエミッション型であるため、基材上に陽極３、発光層および陰極１２をこの順で形成することで、基材上に陽極（第１の層３１）とともに配線を形成することができる。
一般に、トップエミッション型の発光素子では、基材上に陽極、発光層および陰極をこの順で形成して得られ、陰極側から光を出射する。そのため、かかる構成において、本発明を適用することによる効果が顕著となる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図６は、本発明の第２実施形態にかかる表示装置の縦断面を模式的に示す図である。
以下、第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の表示装置は、カラーフィルタを設けた以外は、前述した第１実施形態と同様である。

図６に示す表示装置１００Ａでは、発光装置１０１に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層４５を介して、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられたフィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを備えるカラーフィルタ１０２が接合されている。
このような表示装置１００は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂおよび複数のフィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂがサブ画素１００_Ｒ、１００_Ｇ、１００_Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。

カラーフィルタ１０２は、基板２０と、複数のフィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂと、遮光層３６とを有している。
基板（封止基板）２０は、各フィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂおよび遮光層３６を支持機能を有する。
フィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂは、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられている。

フィルタ部１９_Ｒは、発光素子１_Ｒからの光Ｗ_Ｒを赤色に変換するものである。また、フィルタ部１９_Ｇは、発光素子１_ＧからのＷ_Ｇを緑色に変換するものである。また、フィルタ部１９_Ｂは、発光素子１_Ｂからの光Ｗ_Ｂを青色に変換するものである。このようなフィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。

隣接するフィルタ部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。
この遮光層３６は、意図しないサブ画素１００_Ｒ、１００_Ｇ、１００_Ｂが発光するのを防止する機能を有する。
以上説明したような表示装置１００Ａによれば、前述した第１実施形態の表示装置１００と同様の効果に加えて、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの色度を高め、優れた画像品位の画像を表示することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
図７は、本発明の第３実施形態にかかる表示装置の縦断面を模式的に示す図である。
以下、第３実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態の表示装置１００Ｂは、各発光素子の陽極がＩＴＯを主材料とする第１の層とＩＺＯを主材料とする第２の層とを含んで構成されている以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図７に示す表示装置１００Ｂでは、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３が、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層３１と、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層３２とを含んで構成されている。
以上説明したような表示装置１００Ｂによれば、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの発光効率を向上させることができる。その結果、前述した第１実施形態の表示装置１００に比し、表示装置１００Ｂの耐久性を向上させたり消費電力を低減させたりすることができる。

以上説明したような表示装置１００、１００Ａ、１００Ｂ（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光素子、発光装置、発光素子の製造方法、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、各発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が１層、２層または４層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。発光層が２層または４層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。例えば、発光層が２層である場合、青色の発光層と黄色の発光層とを組み合わせることで、白色発光させることができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子（発光装置）の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、反射層および腐食防止層をこの順で形成した。
ここで、反射膜の構成材料としてＡｌＮｄを用い、腐食防止層（保護層）の構成材料としてＳｉＮを用いた。また、反射層の平均厚さは７０ｎｍ、腐食防止層の平均厚さは７０ｎｍであった。
＜２＞ 次に、腐食防止層上に、スパッタ法による成膜とエッチングとの組み合わせにより、各画素毎に、陽極のための第１の層（ＩＴＯ膜）を形成した。
ここで、各画素のＩＴＯ膜の平均厚さを２５ｎｍとした。

＜３＞ 次に、各第１の層上に、マスクを用いたスパッタ法により、各画素毎に、陽極のための第２の層（ＩＺＯ膜）を形成した。
ここで、Ｒ画素のＩＺＯ膜の平均厚さを８５ｎｍ、Ｇ画素のＩＺＯ膜の平均厚さを３５ｎｍ、Ｂ画素のＩＺＯ膜の平均厚さを５ｎｍとした。すなわち、Ｒ画素の陽極の平均厚さを１１０ｎｍ、Ｇ画素の陽極の平均厚さを６０ｎｍ、Ｂ画素の陽極の平均厚さを３０ｎｍとした。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。

＜４＞ 次に、陽極（ＩＺＯ膜）上に、上記化１で表わされるテトラアミン化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜５＞ 次に、正孔注入層上に、上記化２で表わされるＮＰＤを真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜６＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として上記化３で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化４で表わされる化合物を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、アミン系材料として上記化２で表されるＮＰＤを用いた。
＜８＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として上記化６で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化５で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。

＜９＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として上記化７で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化５で表わされる化合物を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。

＜１０＞ 次に、緑色発光層上に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜１１＞ 次に、電子輸送層上に、ＬｉＦを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの陰極を形成した。
＜１２＞ 次に、電子注入層上に、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの陰極（半透過層）を形成した。
以上のようにしてＲ、Ｇ、Ｂの各画素毎の発光素子を基板上に形成した。これにより、発光装置が得られた。

（実施例２）
各画素に対応した色のフィルタ部（Ｒｅｄ−ＣＦ、Ｇｒｅｅｎ−ＣＦ、Ｂｌｕｅ―ＣＦ）を有するカラーフィルタ（ＣＦ）を発光装置に対し光の出射側に設けた以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
（比較例１）
陽極をＩＴＯのみで形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
（比較例２）
陽極をＩＴＯのみで形成した以外は、前述した実施例２と同様にして発光装置を製造した。

２．評価
（発光素子のＩ−Ｌ特性）
実施例１および比較例２の各画素の発光素子について、電流密度を変えながら、輝度計を用いて輝度を測定した。
その結果、電流密度をＩ（ｍＡ／ｃｍ^２）とし、輝度をＬ（ｃｄ／ｍ^２）としたときに、実施例１については、Ｒ画素の発光素子では、Ｌ＝６８．２０Ｉ、Ｇ画素の発光素子では、Ｌ＝６３．１２Ｉ、Ｂ画素の発光素子では、Ｌ＝３２．４８Ｉなる関係を導くことができた。また、比較例１については、Ｒ画素の発光素子では、Ｌ＝６４．３６Ｉ、Ｇ画素の発光素子では、Ｌ＝６３．３６Ｉ、Ｂ画素の発光素子では、Ｌ＝３３．４９Ｉなる関係を導くことができた。

（色度座標）
各実施例および各比較例の各画素の発光素子について、電流密度３０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、色度計を用いて光の色度（ｘ，ｙ）［ＣＩＥ１９３１］を求めた。その結果を表１に示す。また、実施例１、２の発光装置の色度座標を図８、比較例１、２の発光装置の色度座標を図９に示す。

（消費電力）
また、実施例２および比較例２のそれぞれの発光装置について、上記のＩ−Ｌ特性に基づき、白色（０．３１，０．３３）［ＣＩＥ１９３１］、５００ｃｄ／ｍ^２で発光するように、各画素の発光素子の電流および電圧を調整し、その時の消費電力を求めた。このときの電流、電圧および消費電力を表１に示す。また、このときのＮＴＳＣ比（色再現性）も表１に示す。なお、このときの各発光装置におけるピクセル開口率は、６０％であった。

（寿命）
各実施例および各比較例の各画素の発光素子について、直流電源を用いて各発光素子に２００ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、輝度計を用いて各発光素子の輝度を測定し、その輝度が初期の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を求め、その結果を表１に示す。
表１から明らかなように、実施例の各発光素子は、比較例の各発光素子に比し、取り出し効率が高く、その結果、消費電力を抑えることができた（実施例２は、比較例２に比し１３％低減）。また、実施例の各発光素子は、比較例の各発光素子と同じ電流を流しても、比較例の各発光素子に比し長寿命であることがわかった。これは、ＩＺＯの平面平滑性により陽極と正孔注入層との間の界面の安定性が向上したことによるものと考えられる。

本発明の第１実施形態にかかる表示装置（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。 図１に示す発光装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。 図１に示す表示装置の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。 図１に示す表示装置の製造方法の第１の例を説明するための模式的断面図である。 図１に示す表示装置の製造方法の第２の例を説明するための模式的断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる表示装置（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる表示装置（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。 本発明の実施例１、２における発光装置の色度を示すグラフである。 本発明の比較例１、２における発光装置の色度を示すグラフである。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１、１_Ｂ、１_Ｇ、１_Ｒ……発光素子 ２……基板 ３……陽極 ４……正孔注入層 ５……正孔輸送層 ６……赤色発光層 ７……中間層 ８……青色発光層 ９……緑色発光層 １０……電子輸送層 １１……電子注入層 １２……陰極 １５……積層体 １９_Ｂ、１９_Ｇ、１９_Ｒ……フィルタ部 ２０……封止基板 ２１……基板 ２２……平坦化層 ２４……スイッチング素子 ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２７……配線 ３１……第１の層 ３２……第２の層 ４１……隔壁 ４２……反射膜 ４３……腐食防止膜 ４４……陰極カバー ４５……樹脂層 ３６……遮光層 １００、１００Ａ、１００Ｂ……表示装置 １００_Ｂ、１００_Ｇ、１００_Ｒ……サブ画素 １０１……発光装置 １０２……カラーフィルタ １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ

Claims (19)

1. 第１の電極と、
   第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた少なくとも１層の発光層とを有し、
   前記第１の電極は、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層と、前記第１の層に対して前記発光層側に設けられ、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層とを含んで構成されていることを特徴とする発光素子。
2. 前記第１の層は、気相成膜法により一様に成膜された薄膜の一部をエッチングにより除去してパターンニングされたものであり、前記第２の層は、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングされたものである請求項１に記載の発光素子。
3. 前記発光層からの光を前記第２の電極側から出射するように構成されている請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極である請求項３に記載の発光素子。
5. 前記第１の電極に対し前記発光層と反対側には、反射層が設けられている請求項３または４に記載の発光素子。
6. 前記発光層に対し前記第１の電極とは反対側に設けられ、前記発光層からの光の一部を反射し残部を透過する機能を有する半透過層を有する請求項５に記載の発光素子。
7. 前記第２の電極は、前記半透過層を兼ねている請求項６に記載の発光素子。
8. 前記反射層と前記半透過層との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、前記反射層と前記半透過層との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るように構成されている請求項６または７に記載の発光素子。
9. 前記発光層は複数層設けられ、該複数層の発光層は、当該複数層の発光層全体として白色発光するように互いに異なる発光スペクトルを有するものである請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記複数層の発光層は、赤色に発光する赤色発光層と、緑色に発光する緑色発光層と、青色に発光する青色発光層とを含んで構成されている請求項９に記載の発光素子。
11. 第１の電極と第２の電極との間に少なくとも１層の発光層が介挿されて構成された発光素子が複数配設された発光装置であって、
    前記複数の発光素子は、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子を含んでいることを特徴とする発光装置。
12. 前記複数の発光素子は、第１の発光素子と、該第１の発光素子の第１の電極よりも薄い第１の電極を備える第２の発光素子を含み、
    少なくとも前記第１の発光素子の第１の電極は、前記第１の層および前記第２の層を含んで構成されている請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記第２の発光素子の第１の電極は、前記第２の層を含まず前記第１の層を含んで構成されている請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記第２の発光素子の第１の電極は、前記第１の層および前記第２の層を含んで構成されている請求項１２に記載の発光装置。
15. 前記第１の発光素子と前記第２の発光素子は、前記第２の層の有無、または、前記第２の発光層の厚さによって、前記陽極の厚さが互いに異なる請求項１２ないし１４のいずれかに記載の発光装置。
16. 第１の電極と第２の電極との間に少なくとも１層の発光層が介挿されて構成された発光素子の製造方法であって、
    前記第１の電極を形成する工程と、
    前記第１の電極の一方の面側に、前記発光層を形成する工程と、
    前記発光層の前記第１の電極とは反対側に、前記第２の電極を形成する工程とを有し、
    前記第１の電極を形成する工程は、基材上に、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層とを形成する第１の工程と、前記第１の層上に、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
17. 前記第１の工程では、気相成膜法により一様に薄膜を形成した後に、当該薄膜の一部をエッチングにより除去してパターンニングし、前記第１の層を形成し、前記第２の工程では、マスクを介して気相成膜法により成膜してパターンニングし、前記第２の層を形成する請求項１６に記載の発光素子の製造方法。
18. 請求項１１ないし１５のいずれかに記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
19. 請求項１８に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。

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