JP7464335B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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Description

本開示は、表示装置および電子機器に関する。
近年、複数の有機電界発光素子（Organic Electro-Luminescence Diode：ＯＬＥＤ）を有する表示装置として、全画素に共通の有機層を有するものが提案されている。しかしながら、このような構成を有する表示装置では、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生しやすい。
そこで、隣接する発光素子間で駆動電流のリークを抑制するための技術が提案されている。特許文献１では、複数の発光素子の間の素子間領域に絶縁膜を設け、この絶縁膜のうち、隣り合う発光素子の間の位置に溝を設ける技術が提案されている。また、特許文献２では、絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域を、正に帯電した無機窒化物で形成する技術が提案されている。
特開２０１２－２１６３３８号公報 国際公開第２０１８／１４７０５０号パンフレット
上述したように、近年では、全画素に共通の有機層を有する表示装置では、隣接する発光素子間で生じる駆動電流のリークを抑制する技術が望まれている
本開示の目的は、隣接する発光素子間で生じる駆動電流のリークを抑制することができる表示装置および電子機器を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられると共に第１の電極の周縁部を覆う絶縁層と、第１の電極と絶縁層の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、絶縁層は、窒化ケイ素を主成分として含むバルク層と、バルク層と有機層の界面に設けられ、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む第２の界面層とを備え、第２の界面層は、バルク層の主面およびバルク層のエッジを覆い、第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上である表示装置である。
第２の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、第１の電極の側面と絶縁層の側面の間に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、第１の電極上における有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置である。
第３の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられた絶縁層と、第１の電極の側面と絶縁層の側面の間に設けられた第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、第１の電極上において有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置である。
第４の開示は、第１から第３の開示のいずれかの表示装置を備える電子機器である。
本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２に示した有機層の構成の一例を示す拡大断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例１に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例３に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例４に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例５に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 比較例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 比較例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１５Ｄ、図１５Ｅ、図１５Ｆはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図２１Ａ、図２１Ｂ、図２１Ｃはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 本開示の第３の実施形態の変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２４Ａは、図２３に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。図２４Ｂは、変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２５Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。図２５Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 図２６Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。図２６Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 図２７Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。図２７Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 図３０Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図３０Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 照明装置の外観の一例を示す斜視図である。 図３４Ａは、フーリエ変換赤外分光光度計により測定されたバルク層の吸収スペクトルを示す図である。図３４Ｂは、フーリエ変換赤外分光光度計により測定されたバルク層の吸収スペクトルを示す図である。 Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）と、画素間リーク量との関係を示すグラフである。 図３６は、第１の界面層の平均厚みと画素間リーク量との関係を示すグラフである。 実施例５－１～５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率の評価結果を示すグラフである。 図３８Ａは、実施例６－１の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。図３８Ｂは、実施例６－２の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。 図３９Ａは、比較例６－１の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。図３９Ｂは、比較例６－２の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。 実施例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４０の領域Ｒ１を拡大して表す図である。 実施例６－２の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４２の領域Ｒ２を拡大して表す図である。 比較例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 比較例６－２の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４５の領域Ｒ３を拡大して表す図である。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態
１－１ 表示装置の構成
１－２ 表示装置の製造方法
１－３ 効果
１－４ 変形例
２ 第２の実施形態
２－１ 表示装置の構成
２－２ 表示装置の製造方法
２－３ 効果
２－４ 変形例
３ 第３の実施形態
３－１ 表示装置の構成
３－２ 表示装置の製造方法
３－３ 効果
４ 第４の実施形態
４－１ 表示装置の構成
４－２ 効果
５ 各実施形態に適用される共振器構造の例
６ 応用例
［１－１ 表示装置の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置１０（以下、単に「表示装置１０」という。）の全体構成の一例を示す。表示装置１０は、各種の電子機器に用いて好適なものであり、基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状に配置されている。サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００という。
同色を表示するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの列が、繰り返し行方向に配置されている。したがって、行方向に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素に供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１３０は、各画素への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。図３は、図２に示した表示装置１０の一部を拡大して表す断面図である。表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置であり、基板（第１の基板）１１と、基板１１の一主面上に設けられた複数の発光素子１２および絶縁層１３と、複数の発光素子１２上に設けられた保護層１５と、保護層１５上に設けられたカラーフィルタ１６と、カラーフィルタ１６上に設けられた充填樹脂層１７と、充填樹脂層１７上に設けられた対向基板（第２の基板）１８とを備える。なお、対向基板１８側がトップ側となり、基板１１側がボトム側となる。
複数の発光素子１２は、基板１１の一主面にマトリクス状に配置されている。発光素子１２は、白色有機ＥＬ発光素子であり、表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色有機ＥＬ発光素子とカラーフィルタ１６とを用いる方式が用いられる。なお、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、ＲＧＢの塗り分け方式等を用いてもよい。また、単色のフィルタを用いるようにしてよい。
発光素子１２は、基板１１側から、例えば陽極としての第１の電極１２Ａ、有機層１２Ｂ、および例えば陰極としての第２の電極１２Ｃがこの順序で積載されたものである。
基板１１は、一主面に配列された複数の発光素子１２を支持する支持体である。また、図示しないが、基板１１には、複数の発光素子１２の駆動を制御するサンプリング用トランジスタおよび駆動用トランジスタを含む駆動回路、ならびに複数の発光素子１２に電力を供給する電源回路が設けられていてもよい。
基板１１は、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１は、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラス、もしくは石英ガラスなどのガラス基板、アモルファスシリコン、もしくは多結晶シリコンなどの半導体基板、またはポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、もしくはポリエチレンナフタレートなどの樹脂基板などであってもよい。
基板１１には、コンタクトプラグ１１Ａが設けられている。コンタクトプラグ１１Ａは、第１の電極１２Ａと、駆動回路および電源回路等とを電気的に接続する。具体的には、コンタクトプラグ１１Ａは、第１の電極１２Ａと基板１１の内部に設けられた駆動回路および電源回路等（図示せず）とを電気的に接続し、発光素子１２の発光のための電力を第１の電極１２Ａに印加する。コンタクトプラグ１１Ａは、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、もしくは銀（Ａｇ）などの金属の単体または合金などで形成されてもよく、これらの金属膜を複数積層させたもので形成されてもよい。
（第１の電極）
第１の電極１２Ａは、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。第１の電極１２Ａは、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい金属層によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。金属層の構成材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を用いることができる。合金の具体例としては、ＡｌＮｉ合金、ＡｌＣｕ合金等が挙げられる。第１の電極１２Ａが、上記の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を含む複数の金属層の積層膜により構成されていてもよい。
（第２の電極）
第２の電極１２Ｃは、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通の電極として設けられている。第２の電極１２Ｃは、有機層１２Ｂで発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射膜も含まれるものとする。第２の電極１２Ｃは、例えば、金属または金属酸化物により構成される。金属としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を用いることができる。合金としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好適である。金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物を用いることができる。
（絶縁層）
絶縁層１３は、第１の電極１２Ａをサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層１３は、第１の電極１２Ａの間に設けられると共に、第１の電極１２Ａの周縁部を覆っている。より具体的には、絶縁層１３は、各第１の電極１２Ａに対応する部分に開口を有しており、第１の電極１２Ａの上面（第２の電極１２Ｃとの対向面）の周縁部から第１の電極１２Ａの側面（端面）にかけて覆っている。第１の電極１２Ａと絶縁層１３の界面には、第１の界面層１４が設けられている。
絶縁層１３は、絶縁層本体となるバルク層１３Ａと、バルク層１３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層１３Ｂとを備える。
（バルク層）
バルク層１３Ａは、正に帯電していることが好ましい。バルク層１３Ａが正に帯電していることで、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークを抑制することができる。
バルク層１３Ａは、ケイ素化合物を主成分として含む。ここで、主成分とは、バルク層１３Ａに含まれる材料成分のうちで最も割合が多いものをいう。ケイ素化合物は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮx）、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯxＮy）および炭化ケイ素（ＳｉＣx）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。これらの材料のうちでも、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。バルク層１３Ａが窒化ケイ素および酸窒化ケイ素の少なくとも１種を含むことで、バルク層１３Ａが正の固定電荷を持ちやすいからである。
バルク層１３Ａは、水素（Ｈ）をさらに含んでいてもよい。例えば、バルク層１３ＡをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にてＳｉ含有ガス（例えば、ＳｉＨ4等）と、Ｎ含有ガス（例えば、ＮＨ2、ＮＨ3等）とを反応させることで形成した場合には、通常、バルク層１３Ａには、原料ガスに含まれる水素が含まれる。
バルク層１３Ａがケイ素化合物として窒化ケイ素を主成分として含む場合、水素は、ケイ素および窒素と結合していてもよい。この場合、フーリエ変換赤外分光光度計（Fourier Transform Infrared Spectrometer：ＦＴ－ＩＲ）によりバルク層１３Ａを分析することにより得られた、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、好ましくは４未満、より好ましくは３以下である。ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が４未満であると、第１の界面層１４との界面に形成されるダイポールを大きくすることができる。したがって、絶縁層１３の固定電荷を大きくし、絶縁層１３を効果的に正に帯電させることができる。したがって、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークをさらに抑制することができる。
上記のピーク強度比（IN-H／ISi-H）は以下のようにして求められる。まず、表示装置１０から対向基板１８を剥離したのち、バルク層１３Ａ上に積層された各層を剥離することにより、バルク層１３Ａの表面を露出させる。次に、ＦＴ－ＩＲによりバルク層１３Ａを分析し、ＦＴ－ＩＲスペクトルを取得する。そして、取得したＦＴ－ＩＲスペクトルを用いて、上記のピーク強度比（IN-H／ISi-H）を求める。
（第２の界面層）
第２の界面層１３Ｂは、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークおよび電子電流のリークを抑制するためのものである。第２の界面層１３Ｂは、格子歪みを有しており、これにより、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能が発現する。ここで、“格子歪み”とは、第２の界面層１３Ｂ中に含まれる微小な結晶粒の格子歪みも含まれるものとする。本明細書において、“正孔電流のリーク”とは、アノードである第１の電極１２Ａから注入された正孔が絶縁層１３と有機層１２Ｂの界面を伝って、隣接する第１の電極１２Ａに流れる現象のことをいう。また、“電子電流のリーク”とは、カソードである第２の電極１２Ｃからから注入された電子が有機層１２Ｂを伝って、隣接する第１の電極１２Ａに流れる現象、または有機層１２Ｂが含む電荷生成層（例えば正孔注入層）で形成された電子が、有機層１２Ｂを伝って流れる現象のことをいう。
第２の界面層１３Ｂは、バルク層１３Ａとは異なる組成を有する。具体的には、第２の界面層１３Ｂは、酸化ケイ素を含む。第２の界面層１３Ｂは、窒素（Ｎ）をさらに含んでいてもよい。この場合、窒素は、第２の界面層１３Ｂ中においてケイ素と結合を形成し、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素として存在していてもよい。第２の界面層１３Ｂが窒素を含むことで、第２の界面層１３Ｂが格子歪みを発生し易くなり、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
第２の界面層１３Ｂは、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を向上する観点からすると、バルク層１３Ａの主面と共に、バルク層１３Ａのエッジ（端面）を覆っていることが好ましい。また、第２の界面層１３Ｂは、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を向上する観点からすると、層全体でほぼ均一の厚みを有していることが好ましい。第２の界面層１３Ｂの平均厚みの上限値が、１０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の界面層１３Ｂの平均厚みが１０ｎｍ以下であると、第２の界面層１３Ｂの格子歪みの緩和を抑えることができる。このように格子歪みの緩和を抑えることで、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能の低下を抑制することができる。第２の界面層１３Ｂの平均厚みの下限値が、好ましくは２ｎｍ以上である。第２の界面層１３Ｂの平均厚みが２ｎｍ以上であると、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を効果的に発現させることができる。なお、第２の界面層１３Ｂの平均厚みは、後述の第１の界面層１４の平均厚みと同様にして求められる。
バルク層１３Ａが窒化ケイ素を含む場合、第２の界面層１３Ｂ中において酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上であることが好ましい。上記割合が８０％以上であると、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとの組成の違いにより、第２の界面層１３Ｂに格子歪みを効果的に発生させることができる。したがって、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合は以下のようにして求められる。まず、ＦＩＢ法等により表示装置１０の断面を切り出し、薄片を作製する。次に、電子エネルギー損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy：ＥＥＬＳ）により薄片の断面を分析し、第２の界面層１３Ｂ中における酸化ケイ素と窒化ケイ素の含有量を求める。そして、これらの含有量を用いて、酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合を算出する。
（第１の界面層）
第１の界面層１４は、第１の電極１２Ａと絶縁層１３との膜を構成する要素のやり取り、例えば酸素のやり取りを抑制し、絶縁層１３の特性の劣化を抑制するためのものである。具体的には例えば、バルク層１３Ａの固定電荷の減少を抑制し、絶縁層１３（具体的にはバルク層１３Ａ）が正に帯電した状態を保持するためのものである。
第１の界面層１４は、バルク層１３Ａとは異なる組成を有する。具体的には、第１の界面層１４は、酸化ケイ素を含む。第１の界面層１４の平均厚みは、隣接する発光素子１２間における正孔電流のリークを抑制する観点から、好ましくは１ｎｍ以上１５ｎｍ未満、より好ましくは１ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは１ｎｍ以上９ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上７ｎｍ以下、最も好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
第１の界面層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、クライオＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により表示装置１０の断面を切り出し、薄片を作製する。続いて、作製した薄片をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により観察し、断面ＴＥＭ像を１枚取得する。この際、加速電圧は８０ｋＶに設定された。次に、取得した１枚の断面ＴＥＭ像中において、第１の界面層１４のうち第１の電極１２Ａ上を覆っている部分（図３中の領域Ｒの部分）の厚みを１０点以上測定する。この際、各測定位置は、第１の電極１２Ａ上を覆っている部分から無作為に選ばれるものとする。その後、１０点以上測定した第１の界面層１４の膜厚を単純に平均（算術平均）して第１の界面層１４の平均厚みを求める。
（有機層）
有機層１２Ｂは、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通の有機層として設けられている。図４は、図２に示した有機層１２Ｂを拡大して表す。有機層１２Ｂは、第１の電極１２Ａの側から正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１２Ｂの構成はこれに限定されるものではなく、発光層１２Ｂ3以外の層は必要に応じて設けられるものである。
正孔注入層１２Ｂ1は、発光層１２Ｂ3への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層１２Ｂ2は、発光層１２Ｂ3への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１２Ｂ3は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１２Ｂ4は、発光層１２Ｂ3への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１２Ｂ4と第２の電極１２Ｃとの間には、電子注入層（図示せず）を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。
（保護層）
保護層１５は、発光素子１２を外気と遮断し、外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制するためのものである。また、第２の電極１２Ｃが金属層により構成されている場合には、保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能も有している。
保護層１５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）等、吸湿性が低い無機材料により構成される。また、保護層１５は、単層構造であってもよいが、厚さを大きくする場合には多層構造としてもよい。保護層１５における内部応力を緩和するためである。また、保護層１５が、高分子樹脂により構成されていてもよい。この場合、高分子樹脂としては、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂材料を用いることができる。
（カラーフィルタ）
カラーフィルタ１６は、いわゆるオンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１６は、例えば、赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを備える。赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇ、青色フィルタ１６Ｂはそれぞれ、サブ画素１００Ｒの発光素子１２、サブ画素１００Ｇの発光素子１２、サブ画素１００Ｂの発光素子１２に対向して設けられている。これにより、サブ画素１００Ｒ、サブ画素１００Ｇ、サブ画素１００Ｂ内の各発光素子１２から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素１００間の領域には、遮光層１６ＢＭが設けられている。
（充填樹脂層）
充填樹脂層１７は、保護層１５とカラーフィルタ１６との間の空間に充填されている。充填樹脂層１７は、カラーフィルタ１６と対向基板１８とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１７は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂材料により構成される。
（対向基板）
対向基板１８は、対向基板１８の一主面と、複数の発光素子１２が設けられた基板１１の一主面とが対向するように設けられている。対向基板１８は、充填樹脂層１７と共に、発光素子１２およびカラーフィルタ１６等を封止するものである。対向基板１８は、カラーフィルタ１６からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
［１－２ 表示装置の製造方法］
以下、上述の構成を有する表示装置１０の製造方法について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板１１の一主面に駆動回路等を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子１２毎（すなわちサブ画素１００毎）に分離された複数の第１の電極１２Ａを形成する。
次に、例えばＣＶＤ法により、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層１４を形成したのち、例えばＣＶＤ法により、バルク層１３Ａを形成する。次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の界面層１４およびバルク層１３Ａをパターニングする。その後、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、第２の界面層１３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａ上に形成する。これにより、絶縁層１３が得られる。プラズマ処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理を用いることができる。なお、これらのプラズマ処理を単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。
ＡＬＤ法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａ上に形成する場合、第１の電極１２Ａ上にも第２の界面層１３Ｂが形成されるが、金属材料を含む第１の電極１２Ａの表面と、窒化ケイ素等のケイ素化合物を含むバルク層１３Ａの表面とでは、前駆体の付着効率が異なるため、第１の電極１２Ａ上には第２の界面層１３Ｂは殆ど形成されることはない。したがって、第１の電極１２Ａ上に形成される第２の界面層１３Ｂは、発光素子１２の駆動に実質的に影響を及ぼすことはない。但し、更なる品質構造を目的として、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の電極１２Ａ上に形成された第２の界面層１３Ｂを除去するようにしてもよい。
次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層１３上にこの順序で積層することにより、有機層１２Ｂを形成する。次に、例えばスパッタリング法により、第２の電極１２Ｃを有機層１２Ｂ上に形成する。これにより、基板１１の一主面に複数の発光素子１２が形成される。
次に、例えば蒸着法またはＣＶＤ法により、保護層１５を第２の電極１２Ｃ上に形成したのち、保護層１５上にカラーフィルタ１６を形成する。なお、保護層１５の段差やカラーフィルタ１６自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１６の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式により、充填樹脂層１７によりカラーフィルタ１６を覆ったのち、対向基板１８を充填樹脂層１７上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１７に熱を加えるか、または充填樹脂層１７に紫外線を照射し、充填樹脂層１７を硬化させることにより、充填樹脂層１７を介して基板１１と対向基板１８とを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。なお、充填樹脂層１７が熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂の両方を含む場合には、充填樹脂層１７に紫外線を照射し仮硬化させたのち、充填樹脂層１７に熱を加えて本硬化させるようにしてもよい。
［１－３ 効果］
上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０は、サブ画素１００毎に設けられた複数の第１の電極１２Ａと、第１の電極１２Ａ間に設けられると共に第１の電極１２Ａの周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層１３と、第１の電極１２Ａと絶縁層１３の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第１の界面層１４と、第１の電極１２Ａおよび絶縁層１３上に全画素に共通して設けられ、発光層１２Ｂ3を含む有機層１２Ｂと、有機層１２Ｂ上に設けられた第２の電極１２Ｃとを備える。また、絶縁層１３は、ケイ素化合物を主成分として含むバルク層１３Ａと、バルク層１３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第２の界面層１３Ｂとを備える。これにより、有機層１２Ｂおよび絶縁層１３の界面を伝う正孔電流および電子電流を抑制することができる。したがって、表示装置１０の電流発光効率の低下および発光色異常等を抑制することができる。
［１－４ 変形例］
（変形例１）
図５は、本開示の第１の実施形態の変形例１に係る表示装置１０1の構成の一例を示す。表示装置１０1は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３1を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。絶縁層１３1は、バルク層１３Ａと、第２の界面層１３Ｂと、バルク層１３Ａおよび第２の界面層１３Ｂの間に設けられた中間層１３Ｃとを備える。
中間層１３Ｃは、バルク層１３Ａに固定電荷が形成されやすくするための層である。中間層１３Ｃは、電荷の偏りを持たせるためには、フッ化ケイ素（ＳｉＦｘ）を含むことが好ましい。なお、中間層１３Ｃがフッ化ケイ素を含んでいるか否かは、例えば、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）により、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとの間の界面を分析することにより確認することができる。
（変形例２）
図６は、本開示の第１の実施形態の変形例２に係る表示装置１０2の構成の一例を示す。表示装置１０2は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３2を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。絶縁層１３2は、バルク層１３Ａと、バルク層１３Ａ上に設けられた２層構造の第２の界面層１３Ｄを備える。
第２の界面層１３Ｄは、第１の層１３Ｄ1と、この第１の層１３Ｄ1上に設けられた第２の層１３Ｄ2とを備える。第１の層１３Ｄ1は、例えば、酸化ケイ素を含む。第２の層１３Ｄ2は、例えば、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含む。なお、第１の層１３Ｄ1および第２の層１３Ｄ2の積層の順序は逆でもよい。
上述のように表示装置１０2が２層構造の第２の界面層１３Ｄを備えることで、第２の界面層１３Ｄの格子歪みを、上述の第１の実施形態における単層構造の第２の界面層１３Ｂの格子歪みよりも大きくすることができる。したがって、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
上述の例では、第２の界面層１３Ｄが２層構造を有する場合について説明したが、２層以上の積層構造を有していてもよい。この場合、２層以上の層のうちの少なくとも１層が、酸化ケイ素を含むようにしてもよい。また、２層以上の層のうちの少なくとも１層が、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含むようにしてもよい。上記の２層以上の積層構造を採用した場合にも、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
（変形例３）
図７は、本開示の第１の実施形態の変形例３に係る表示装置１０3の構成の一例を示す。表示装置１０3は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３3を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
絶縁層１３3は、バルク層１３Ａと、バルク層１３Ａ上に設けられた第２の界面層１３Ｅとを備える。第２の界面層１３Ｅのうちバルク層１３Ａのエッジ（端面）を覆う側壁部１３Ｅ1が、第２の界面層１３Ｅのうちバルク層１３Ａの主面を覆う主面部１３Ｅ2とは異なる組成を有する。本明細書において、“異なる組成”とは、構成成分が異なること、または構成成分は同一であるが、構成成分の比率が異なることを意味する。
側壁部１３Ｅ1および主面部１３Ｅ2は、例えば、異なる組成の酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む。側壁部１３Ｅ1は、正の固定電荷を有し、正に帯電していることが好ましい。第１の電極１２Ａから絶縁層１３3のエッジを伝って絶縁層１３3の上面に正孔が流されることを抑制することができる。したがって、正孔電流のリークをさらに抑制することができる。
正の固定電荷を持たせるための側壁部１３Ｅ1の構成材料としては、例えば、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ルテチウム（Ｌｕ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）および酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものを用いることができる。
上述の構成を有する第２の界面層１３Ｅは、例えば以下のようにして形成される。第１の界面層１４を形成したのち、プラズマＣＶＤ法によりケイ素化合物を主成分として含む絶縁層を形成する。この際に、ガスの流量比を調整し、絶縁層の表面部に酸化ケイ素膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて絶縁層をパターニングしたのち、例えば射法蒸着により、側壁部にのみに酸化ケイ素膜を形成する。
（変形例４）
図８は、本開示の第１の実施形態の変形例４に係る表示装置１０4の構成の一例を示す。表示装置１０4は、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとを備える絶縁層１３に代えて、単層の絶縁層１３4を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
絶縁層１３4は、バルクにケイ素化合物を主成分として含み、かつ、有機層１２Ｂ側の表面部に酸化ケイ素を含む。ここで、“主成分”とは、絶縁層１３4に含まれる材料成分のうちで最も割合が多いものをいう。ケイ素化合物は、上述の第１の実施形態におけるバルク層１３Ａに含まれるケイ素化合物と同様である。
絶縁層１３4の組成は、例えば、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向けて連続的に変化している。具体的には、絶縁層１３4の酸素濃度（より具体的には絶縁層１３4の酸化ケイ素の濃度）が、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向かって徐々に高くなっている。絶縁層１３4の組成が、バルクからエッジ側の表面に向けて連続的に変化していてもよい。この場合、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
酸化ケイ素は、絶縁層１３4の有機層１２Ｂ側の最表面から深さ１０ｎｍ以下の範囲内に含まれていることが好ましい。酸化ケイ素の濃度を狭い範囲で変化させることで、有機層１２Ｂ側の表面部において格子歪みを大きくすることができるからである。
絶縁層１３4が、有機層１２Ｂ側の表面部に窒素をさらに含んでいてもよい。この場合、窒素は、有機層１２Ｂ側の表面部においてケイ素と結合を形成し、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素として存在していてもよい。有機層１２Ｂ側の表面部に窒素をさらに含むことで、有機層１２Ｂ側の表面部が格子歪みを発生し易くなり、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
絶縁層１３4がバルクに窒化ケイ素を主成分として含む場合、有機層１２Ｂ側の表面部において酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上であることが好ましい。上記割合が８０％以上であると、絶縁層１３のバルクと有機層１２Ｂ側の表面部との組成の違いにより、有機層１２Ｂ側の表面部に格子歪みを効果的に発生させることができる。したがって、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。有機層１２Ｂ側の表面部における上記割合は、上述の第１の実施形態の第２の界面層１３Ｂにおける酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と同様にして求められる。
なお、上述のように絶縁層１３4の組成を連続的に変化させる構成よりも、上述の第１の実施形態におけるようにバルク層１３Ａの表面に第２の界面層１３Ｂを設ける構成を採用することが好ましい。第２の界面層１３Ｂを設けた方が、絶縁層１３の有機層１２Ｂ側の表面における格子歪みを助長し、リーク抑制効果をさらに向上することができるためである。
（変形例５）
図９は、本開示の第１の実施形態の変形例５に係る表示装置１０5の構成の一例を示す。表示装置１０5は、単層構造の第１の電極１２Ａに代えて、積層構造の第１の電極１２Ｄを備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
第１の電極１２Ｄは、金属層１２Ｄ1と、金属層１２Ｄ1上に設けられ、透明性を有する酸化物導電層１２Ｄ2とを備える。金属層１２Ｄ1は、第１の実施形態において第１の電極１２Ａとして用いられる金属層と同様である。酸化物導電層１２Ｄ2は、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）、およびインジウム酸化物、ガリウム酸化物および亜鉛酸化物の混合体（ＩＧＺＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を含むことが好ましい。これらの金属酸化物は、高い仕事関数を有するため、ホール注入性を向上することができるためである。
第１の界面層１４は、上述の構成を有する第１の電極１２Ｄを備える表示装置１０5において特に有効である。酸化物導電層１２Ｄ2と絶縁層１３（具体的にはバルク層１３Ａ）とが隣接していると、これらの層を構成する要素（例えば酸素）のやり取りが特に生じやすい。このため、第１の界面層１４を設けた場合、酸化物導電層１２Ｄ2と絶縁層１３との間で膜を構成する要素のやり取りを抑制する効果が顕著に発現するためである。
＜２ 第２の実施形態＞
［２－１ 表示装置の構成］
図１０は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の構成の一例を示す断面図である。図１１は、図１０に示した表示装置２０の一部を拡大して表す断面図である。表示装置２０は、絶縁層１３および第１の界面層１４に代えて、絶縁層２３および第１の界面層２４を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
（絶縁層）
絶縁層２３は、第１の電極１２Ａをサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層２３は、基板１１の面内方向に隣接する第１の電極１２Ａの側面間に設けられている。絶縁層２３の上面は、平坦になっている。本明細書において、“上面”とは、表示装置２０の表示面側となる面のことをいう。
絶縁層２３は、絶縁層本体となるバルク層２３Ａと、バルク層２３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層２３Ｂとを備える。第２の実施形態では、絶縁層２３が第２の界面層２３Ｂを備える場合について説明するが、絶縁層２３が第２の界面層２３Ｂを備えていなくてもよい。
バルク層２３Ａは、第１の電極１２Ａの周縁部を覆わずに、基板１１の面内方向に隣接する第１の電極１２Ａの側面間に設けられていること以外は、第１の実施形態におけるバルク層１３Ａと同様である。第２の界面層２３Ｂは、バルク層２３Ａの上面に設けられていること以外は、第１の実施形態における第２の界面層１３Ｂと同様である。
（第１の界面層）
第１の界面層２４は、絶縁層２３の側面と第１の電極１２Ａの側面の間に設けられている。第１の界面層２４の上面は、平坦になっている。第１の界面層２４において、上記以外のことは、第１の実施形態における第１の界面層１４と同様である。
（有機層）
第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。すなわち、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの上面が、ほぼ平坦となっている。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ1参照）を抑制することができる。これに対して、図１２に示すように、有機層１２Ｂの上面のうち第１の電極１２Ａの周縁部に対応する部分に凹部１２ＢＡが形成され、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定でない表示装置（すなわち、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの上面が、ほぼ平坦でない表示装置）２０Ａでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ1参照）が大きくなる。本明細書において、“縦方向リーク”とは、有機層１２Ｂの厚み方向における、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の正孔電流リークおよび電子電流リークのことをいう。
本明細書において、“第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定”とは、第１の電極１２Ａにおける有機層１２Ｂの厚みのばらつきが、第１の電極１２Ａにおける有機層１２Ｂの平均厚みの±５％以内であることをいう。また、“有機層１２Ｂの上面がほぼ平坦”とは、有機層１２Ｂの上面の変位（有機層１２Ｂの厚み方向の変位）が有機層１２Ｂの平均厚みの±５％以内であることをいう。なお、有機層１２Ｂの厚みおよび平均厚みは、第１の実施形態における第１の界面層１４の厚みおよび平均厚みと同様にして求められる。
（各層の高さの関係）
第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち、第１の電極１２Ａの周囲の部分に対応する部分）の間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ2参照）を抑制することができる。これに対して、図１３に示すように、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たさない表示装置２０Ｂでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち、第１の電極１２Ａの周囲の部分に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１３中の矢印Ｉ2参照）が大きくなる。本明細書において、“第１の電極１２Ａの周囲の部分”とは、第１の電極１２Ａの側面から５０ｎｍ以下の範囲を意味する。
第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、第１の界面層２４上における有機層１２Ｂの高さＨ21および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層の高さＨ22が、Ｈ1≦Ｈ21≦Ｈ22の関係を満たすようにしてもよい。この場合にも、縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ2参照）を抑制することができる。
図１１では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1＝Ｈ2である例が示されている。図１４では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1＜Ｈ2である例が示されている。
第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1≦ｈ2≦ｈ3の関係を満たすことが好ましい。この関係が満たされることで、ＣＶＤ法等により第１の電極１２Ａ、第１の界面層２４および絶縁層２３上に有機層１２Ｂを形成した場合に、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす有機層１２Ｂが得られる。したがって、上述のように縦方向リークを抑制することができる。
図１１では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＝ｈ2＝ｈ3の関係を満たす例が示されている。図１２では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＜ｈ2＝ｈ3の関係を満たす例が示されている。図１４では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＝ｈ2＜ｈ3の関係を満たす例が示されている。
［２－２ 表示装置の製造方法］
以下、上述の構成を有する表示装置２０の製造方法について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図１５Ａに示すように、駆動回路等を含む基板１１を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、図１５Ｂに示すように、金属層または金属酸化物層等の電極層１２Ａ１を基板１１上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層１２Ａ１をパターニングすることにより、図１５Ｃに示すように、発光素子１２毎（すなわちサブ画素１００毎）に分離された複数の第１の電極１２Ａを形成する。
次に、例えばＣＶＤ法により、図１５Ｄに示すように、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層２４を形成したのち、例えばエッチバック法により、図１５Ｅに示すように、第１の電極１２Ａの側面に第１の界面層２４が残るように第１の界面層２４を除去する。次に、例えばＣＶＤ法により、図１５Ｆに示すように、第１の電極１２Ａおよび第１の界面層２４を覆うように基板１１の一主面上にバルク層２３Ａを形成する。次に、例えばスピンコート法により、図１６Ａに示すように、フォトレジスト層２３Ａ１をバルク層２３Ａ上に形成し、表面を平坦化する。次に、例えばエッチバック法により、図１６Ｂに示すように、フォトレジスト層２３Ａ１を除去すると共に、バルク層２３Ａの一部を除去し、ほぼ同一厚さの第１の電極１２Ａ、第１の界面層２４およびバルク層２３Ａを形成する。
次に、バルク層２３Ａの表面をプラズマ処理することにより、図１６Ｃに示すように、第２の界面層２３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層２３Ｂをバルク層２３Ａの上面に形成する。これにより、絶縁層２３が得られる。
次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層２３上にこの順序で積層することにより、図１６Ｄに示すように、ほぼ平坦な上面を有する有機層１２Ｂを形成する。
これ以外の工程を第１の実施形態における表示装置１０の製造方法と同様に行うことにより、表示装置２０が得られる。
［２－３ 効果］
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置２０では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定であり、かつ、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さｈ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さｈ2が、ｈ1≦ｈ2の関係を満たす。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、電界集中により縦方向リークの発生（図１１中の矢印Ｉ1、Ｉ2参照）を抑制することができる。
また、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定であることで、有機層１２Ｂの膜厚変化（キャビティずれ）による色ずれの発生を抑制することができる。
［２－４ 変形例］
上述の第２の実施形態では、第１の界面層２４が第１の電極２４Ａの上面の周縁部を覆っていない場合について説明したが、図１７に示しように、第１の界面層２４が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆っていてもよい。
＜３ 第３の実施形態＞
［３－１ 表示装置の構成］
図１８は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の一部を拡大して表す断面図である。有機層１２Ｂは、複数の凸部１２ＣＡを上面に有している。複数の凸部１２ＣＡは、複数の第１の電極１２Ａそれぞれの周縁部に対応する部分に設けられている。凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。
第１の界面層１４は、複数の第１の電極１２Ａ上にそれぞれ設けられた複数の開口（第１の開口）１４Ｈを有している。絶縁層１３は、複数の第１の電極１２Ａ上にそれぞれ設けられた複数の開口（第２の開口）１３Ｈを有している。開口１４Ｈの周縁は、開口１３Ｈの周縁の内側に位置している。すなわち、第１の界面層１４は、絶縁層１３の開口１３Ｈの周縁に対して突出した突出部１４Ａを有している。突出部１４Ａの厚みは、例えばほぼ一様である。
開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁の内側に位置していることで、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、開口１３Ｈの周縁の内側の部分が、開口１３Ｈの回りの絶縁層１３の陰になって、凸部１２ＣＡの内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなることを抑制することができる。すなわち、有機層１２Ｂの上面のうち凸部１２ＣＡの内側の部分に凹部１２ＣＢ（図１９参照）が形成されることを抑制することができる。したがって、電界集中により縦方向リーク（図１８中の矢印Ｉ3参照）を抑制することができる。
これに対して、開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁と揃っている表示装置３０Ａでは、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、開口１２Ｈの周縁の内側の部分が、開口１３Ｈの回りの絶縁層１３の陰になって、凸部１２ＣＡの内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなる。すなわち、有機層１２Ｂの上面のうち凸部１２ＣＡの内側の部分に凹部１２ＣＢが形成される。したがって、電界集中により縦方向リーク（図１９中の矢印Ｉ3参照）が大きくなる。
絶縁層１３の開口率は、第１の界面層１４の開口率に比べて高いことが好ましい。これにより、開口１４Ｈの周縁を開口１３Ｈの周縁の内側に位置させることができる。絶縁層１３の開口率は、絶縁層１３の形成領域の面積に対する絶縁層１３の開口１３Ｈの総面積の割合である。第１の界面層１４の開口率は、第１の界面層１４の形成領域の面積に対する第１の界面層１４の開口１４Ｈの総面積の割合である。第３の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。
［３－２ 表示装置の製造方法］
まず、基板１１の形成工程から第１の界面層１４の形成工程までを第２の実施形態と同様に行い、図２０Ａに示すように、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層１４を形成する。
次に、例えばＣＶＤ法により、図２０Ｂに示すように、第１の界面層１４上にバルク層１３Ａを形成する。次に、例えばスピンコート法により、図２０Ｃに示すように、フォトレジスト層１３Ａ１をバルク層１３Ａ上に形成したのち、フォトレジスト層１３Ａ１のうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分に開口を形成する。次に、例えばエッチング法により、図２１Ａに示すように、第１の界面層１４およびバルク層１３Ａのうち、第１の電極１２Ａ上に対応する部分に開口１４Ｈおよび開口１３Ｈを形成する。この際、例えば、ＣＨ2Ｆ2等のデポガスを用いて、第１の界面層（例えばＳｉＯ層）とバルク層１３Ａ（例えばＳｉＮ層）とのエッチングレートを調整してエッチングする。これにより、開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁の内側に位置するように、開口１３Ｈおよび開口１４Ｈが形成される。
次に、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、図２１Ｂに示すように、第２の界面層１３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａの上面に形成する。これにより、絶縁層１３が得られる。
次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層１３上にこの順序で積層する。これにより、図２１Ｃに示すように、複数の凸部１２ＣＡを上面に有すると共に、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定である有機層１２Ｂが形成される。
これ以外の工程を第１の実施形態における表示装置１０の製造方法と同様に行うことにより、表示装置３０が得られる。
［３－３ 効果］
上述したように、第３の実施形態に係る表示装置２０では、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リーク（図１８中の矢印Ｉ3参照）を抑制することができる。
これに対して、図１９に示すように、有機層１２Ｂが凸部１２ＣＡの内側に凹部１２ＣＢを有し、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定でない表示装置３０Ａでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リーク（図１９中の矢印Ｉ3参照）を抑制することは困難である。
［３－４ 変形例］
上述の第３の実施形態では、突出部１４Ａの厚みがほぼ一様である場合について説明したが、突出部１４Ａは、図２２に示すように、突出部１４Ａの厚みが開口１４Ｈから離れるに従って増加するテーパー形状を有していてもよい。
＜４ 第４の実施形態＞
［４－１ 表示装置の構成］
図２３は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置４０の構成の一例を示す断面図である。図２４Ａは、図２３に示した表示装置４０の一部を拡大して表す断面図である。絶縁層４３は、第１の電極１２Ａの上面に対して突出し、複数の第１の電極１２Ａをそれぞれ取り囲む複数の傾斜面４３Ｃを有している。絶縁層４３は、傾斜面４３Ｃの底部に対応する部分に開口４３Ｈを有している。絶縁層４３の底部は、第１の電極１２Ａの上面の周縁部から第１の電極１２Ａの側面（端面）にかけて覆っている。
第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。開口４３Ｈは、第１の電極１２Ａ上に設けられている。開口１４Ｈの周縁が、開口４３Ｈの周縁の内側に位置している。すなわち、第１の界面層１４は、絶縁層４３の開口４３Ｈの周縁に対して突出した突出部１４Ａを有している。突出部１４Ａの厚みは、例えばほぼ一様である。突出部１４Ａが、開口１４Ｈから離れるに従って増加するテーパー形状を有していてもよい。
開口１４Ｈの周縁が、開口４３Ｈの周縁の内側に位置していることで、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、傾斜面４３Ｃの陰になって、傾斜面４３Ｃの下部の内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなることを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みをほぼ一定にすることができる。よって、電界集中による縦方向リークの発生を抑制することができる。
絶縁層４３の開口率は、第１の界面層１４の開口率に比べて高いことが好ましい。これにより、開口４３Ｈの周縁を開口１３Ｈの周縁の内側に位置させることができる。絶縁層４３の開口率は、絶縁層４３の形成領域の面積に対する絶縁層４３の開口４３Ｈの総面積の割合である。
絶縁層４３は、絶縁層本体となるバルク層４３Ａと、バルク層４３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層４３Ｂとを備える。第４の実施形態では、絶縁層４３が第２の界面層４３Ｂを備える場合について説明するが、絶縁層４３が第２の界面層４３Ｂを備えていなくてもよい。
絶縁層４３の組成は、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向けて連続的に変化していてもよい。具体的には、絶縁層４３の酸素濃度（より具体的には絶縁層４３の酸化ケイ素の濃度）が、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向かって徐々に高くなっていてもよい。絶縁層４３の組成が、バルクからエッジ側の表面に向けて連続的に変化していてもよい。第４の実施形態において、上記以外のことは第３の実施形態と同様である。
［４－２ 効果］
第４の実施形態では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リークを抑制することができる。
また、絶縁層４３が複数の第１の電極１２Ａをそれぞれ取り囲む複数の傾斜面４３Ｃを有している。これにより、発光素子１２から出射された光を傾斜面４３Ｃにより、第１の電極１２Ａの上方に向けて反射することができる。したがって、表示装置４０の輝度を向上することができる。
［４－３ 変形例］
上述の第４の実施形態では、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆っている場合について説明したが、図２４Ｂに示すように、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの側面間に設けられ、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆わないようにしてもよい。
＜５ 各実施形態に適用される共振器構造の例＞
上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
（共振器構造：第１例）
図２５Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた発光素子１２を、発光素子１２R、１２G、１２Bということがある。また、有機層１２Ｂのうちサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応する部分を、有機層４０R、４０G、４０Bということがある。
第１例において、第１の電極１２Ａは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第２の電極１２Ｃにおいても同様である。
発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた光学調整層７２を、光学調整層７２R、７２G、７２Bということがある。
反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２R、７２G、７２Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
図に示す例では、発光素子１２R、１２G、１２Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて相違する。
反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光素子１２の種類に応じて積層数が異なっても良い。
第１の電極１２Ａは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
第２の電極１２Ｃは、半透過反射膜として機能する必要がある。第２の電極１２Ｃは、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。
（共振器構造：第２例）
図２５Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。
第２例においても、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。
そして、第２例においても、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。
図２５Ａに示す第１例においては、発光素子１２R、１２G、１２Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて相違していた。
これに対し、図２５Ｂに示す第２例において、第２の電極１２Ｃの上面は、発光素子１２R、１２G、１２Bで揃うように配置されている。第２の電極１２Ｃの上面を揃えるために、発光素子１２R、１２G、１２Bにおいて反射板７１の上面は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、発光素子１２の種類に応じた階段形状となる。
反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第３例）
図２６Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた反射板７１を、反射板７１R、７１G、７１Bということがある。
第３例においても、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。
そして、第３例においても、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に、有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bで揃うように配置されている。
図２５Ｂに示す第２例にあっては、第２の電極１２Ｃの上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光素子１２の種類に応じた階段形状であった。
これに対し、図２６Ａに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１R、７１G、７１Bの下面が揃うように膜厚が設定されている。
反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第４例）
図２６Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた第１の電極１２Ａを、第１の電極１２ＡR、１２ＡG、１２ＡBということがある。
図２５Ａに示す第１例において、各発光素子１２の第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは、共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
これに対し、図２６Ｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１の電極１２Ａの膜厚を、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定した。
反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第１の電極１２Ａの膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１の電極１２ＡR、１２ＡG、１２ＡBが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第５例）
図２７Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。
図２５Ａに示す第１例において、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
これに対し、図２７Ａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定した。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた酸化膜７４を、酸化膜７４R、７４G、７４Bということがある。
酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４R、７４G、７４Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。
発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。
先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。
そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１R、７１G、７１Bのそれぞれに発光素子１２の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。
反射板７１、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第６例）
図２７Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。
第６例において、発光素子１２は、第１の電極１２Ａと有機層１２Ｂと第２の電極１２Ｃとが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１の電極１２Ａは、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１の電極（兼反射板）１２Ａは、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１の電極（兼反射板）１２Ａによる位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
第１の電極（兼反射板）１２Ａは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光素子１２Rの第１の電極（兼反射板）１２ＡRを銅（Ｃｕ）で形成し、発光素子１２Gの第１の電極（兼反射板）１２ＡGと発光素子１２Bの第１の電極（兼反射板）１２ＡBとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。
第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第７例）
図２８は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。
第７例は、基本的には、発光素子１２R、１２Gについては第６例を適用し、発光素子１２Bについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
発光素子１２R、１２Gに用いられる第１の電極（兼反射板）１２ＡR、１２ＡGは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。
発光素子１２Bに用いられる、反射板７１B、光学調整層７２Bおよび第１の電極１２ＡBを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
［５ 応用例］
（電子機器）
上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置は、例えば、図２９に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。同様に、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置が、例えば、図２９に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、基板１１の一方の短辺側に、対向基板１８および充填樹脂層１７に覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
図３０Ａ、図３０Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置を用いることができる。また、電子ビューファインダ３１５としては、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置を用いることもできる。
（具体例２）
図３１は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置を用いることができる。また、表示部３２１としては、述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置を用いることもできる。
（具体例３）
図３２は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置により構成される。また、映像表示画面部３３１は、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置により構成されていてもよい。
（照明装置）
上述の第１～第４の実施形態では、表示装置に本開示を適用した例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、照明装置に本開示を適用するようにしてもよい。
図３３は、スタンド型の照明装置４００の外観の一例を示す。この照明装置４００は、基台４１１に設けられた支柱４１２に、照明部４１３を取り付けたものである。この照明部４１３としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置、または上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置において、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等の表示装置用の駆動回路に代えて、照明装置用の駆動回路を備えたものが用いられる。また、カラーフィルタ１６はなくてもよいし、絶縁層１３の開口の大きさは、照明装置４００の光学特性に応じて適宜選択されてもよい。さらに、基板１１および対向基板１８としてフィルムを用い、フレキシブルな構成とすることにより、図３３に示した筒状または曲面状等の、任意の形状とすることが可能である。なお、発光素子１２の個数は単数であってもよい。また、カラーフィルタ１６に代えて単色のフィルタを備えるようにしてもよい。
ここでは、照明装置がスタンド型の照明装置４００である場合について説明したが、照明装置の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、天井、壁または床等に設置される形態のものであってもよい。
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本実施例について以下の順序で説明する。なお、以下の実施例において、第１の界面層および第２の界面層の平均厚み、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）ならびに第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合は、上述の第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。
ｉ バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（１）
ii バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（２）
iii 第１の界面層の平均厚みと画素間リーク電流との関係についての検討
iv 第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と画素間リーク電流との関係についての検討
v 第１の電極上における有機層の厚みの均一性と縦方向リークの関係についての検討
vi 電磁界シミュレーションによる電流密度分布についての検討
＜ｉ バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（１）＞
［実施例１－１、１－２］
まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、シリコン基板の一主面に駆動回路等を形成した。次に、スパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子毎（すなわちサブ画素毎）に分離された複数の第１の電極を形成した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、複数の第１の電極が形成されたシリコン基板の一主面上に平均厚み５ｎｍの第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成したのち、ＣＶＤ法により、平均厚み４０ｎｍのバルク層（ＳｉＮ層）を形成した。この際、プロセスガスとしてＳｉＨ4、ＮＨ2およびＮＨ3を用いた。なお、プロセスガスの混合比を調整して、実施例１－１、１－２で異なる組成比を有するバルク層を形成した。次に、ＦＴ－ＩＲによりバルク層の吸収スペクトルを測定した。その結果を図３４Ａ、図３４Ｂに示す。
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の界面層およびバルク層をパターニングした。その後、バルク層の表面をプラズマ処理することにより、３ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）をバルク層の表面に形成し、絶縁層を得た。この際、プラズマ処理の条件を調整して、第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が９０％となるようにした。
次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極および絶縁層上にこの順序で積層することにより、有機層を形成した。次に、スパッタリング法により、第２の電極を有機層上に形成した。これにより、シリコン基板の一主面に複数の発光素子が形成された。
次に、ＣＶＤ法により、保護層を第２の電極上に形成したのち、保護層上にカラーフィルタを形成した。次に、ＯＤＦ方式により、充填樹脂層によりカラーフィルタを覆ったのち、対向基板を充填樹脂層上に載置した。次に、充填樹脂層に紫外線を照射し、充填樹脂層を硬化させることにより、充填樹脂層を介して基板と対向基板とを貼り合せた。これにより、表示装置が封止された。
（ピーク強度比）
バルク層の成膜後に測定した吸収スペクトルを用いて、Ｎ－Ｈに由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈに由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）を求めた。その結果を表１に示す。
Figure 0007464335000001
表１から、ＣＶＤのプロセスガスの混合比を調整しバルク層を形成した実施例１－１、１－２では、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）が異なることがわかる。
（画素間リーク量）
上述のようにして得られた実施例１－１、１－２の表示装置の画素間リーク電流を測定した。画素間リーク電流の測定は、ＲＧＢのサブ画素のうち、Ｂのサブ画素に印加した電圧に対し、ＲとＧのサブ画素に流れる電流値を計測することにより行った。なお、これ以降に説明する画素間リーク量の評価も、これと同様の計測により行った。上記測定の結果、画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）に依存していることがわかった。具体的には、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が０．４５である実施例１－１では、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が４．９６である実施例１－２に比べて画素間も流れるリーク電流が抑制されていることがわかった。
＜ii バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（２）＞
［実施例２－１～２－５］
バルク層の成膜条件を調整することにより、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）を０．５（実施例２－１）、１（実施例２－２）、２（実施例２－３）、３（実施例２－４）、４（実施例２－５）としたこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
上述のようにして得られた実施例２－１～２－５の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図３５に示す。
図３５から以下のことがわかる。
画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）に依存しており、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が小さくなるほど、画素間リーク電流が抑制される。
画素間リーク電流の抑制の観点からすると、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、好ましくは４未満、より好ましくは３以下である。
＜iii 第１の界面層の平均厚みと画素間リーク電流との関係についての検討＞
［実施例３－１～３－６］
第１の界面層の平均厚みを１ｎｍ（実施例３－１）、３ｎｍ（実施例３－２）、７ｎｍ（実施例３－３）、９ｎｍ（実施例３－４）、１１ｎｍ（実施例３－５）、１３ｎｍ（実施例３－６）、１５ｎｍ（実施例３－７）としたこと以外は実施例１－１（第１の界面層の平均厚み：５ｎｍ）と同様にして表示装置を得た。
［比較例３－１］
第１の界面層の形成しなかったこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
上述のようにして得られた実施例１－１、３－１～３－６、比較例３－１の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図３６に示す。
図３６から以下のことがわかる。
画素間リーク電流が第１の界面の平均厚みに依存している。画素間リーク電流の抑制の観点からすると、第１の界面層の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上１５ｎｍ未満、より好ましくは１ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは１ｎｍ以上９ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上７ｎｍ以下、最も好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
第１の界面層の平均厚みが１ｎｍ未満であると、画素間リーク電流が上昇するのは、第１の電極とバルク層との反応により、バルク層が有する固定電荷が減少し、バルク層が正に帯電した状態を保持できなくなるためと考えられる。一方、第１の界面層の平均厚みが１５ｎｍ以上であると、画素間リーク電流が上昇するのは、第１の界面層のエッジを伝って第１の電極から絶縁層の上面に正孔電流が流れ易くなるためと考えられる。
＜iv 第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と画素間リーク電流との関係についての検討＞
［実施例４－１～４－３］
第２の界面層の成膜条件（プラズマ処理の条件）を調整することにより、第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が６０％（実施例４－１）、８０％（実施例４－２）、１００％（実施例４－３）となるようにしたこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
上述のようにして得られた実施例４－１～４－３の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果、画素間リーク電流は第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合に依存し、画素間リーク電流の抑制の観点からすると、その割合を８０％以上とすることが好ましいことがわかった。
＜v 第１の電極上における有機層の厚みの均一性と縦方向リークの関係についての検討＞
［実施例５－１］
実施例５－１では、図１１に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図１５Ａに示すように、駆動回路等が一主面に形成されたシリコン基板を得た。次に、スパッタリング法により、図１５Ｂに示すように、電極層（ＡＣＸ／ＩＴＯ層）を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層をパターニングすることにより、図１５Ｃに示すように、発光素子毎（すなわちサブ画素毎）に分離された複数の第１の電極を形成した。
次に、ＣＶＤ法により、図１５Ｄに示すように、複数の第１の電極が形成されたシリコン基板の一主面上に第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成したのち、エッチバック法により、図１５Ｅに示すように、第１の電極１２Ａと同一高さの第１の界面層が第１の電極の側面に残るように第１の界面層２４を除去した。次に、ＣＶＤ法により、図１５Ｆに示すように、バルク層（ＳｉＮ層）を形成した。次に、スピンコート法により、図１６Ａに示すように、フォトレジスト層をバルク層上に形成し、表面を平坦化した。
次に、エッチバック法により、図１６Ｂに示すように、フォトレジスト層を除去すると共に、バルク層の一部を除去し、同一の高さを有する第１の電極、第１の界面層およびバルク層を形成した。次に、図１６Ｃに示すように、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、平均厚み２．５ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）を形成した。これにより、絶縁層が得られた。次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極、第１の界面層および絶縁層上にこの順序で積層した。これにより、有機層の厚みが一定である有機層が形成された。これ以降の工程を実施例１－１と同様に行うことにより表示装置を得た。
なお、プロセス条件の調整により、第１の電極、第１の界面層および絶縁層の平均厚みは、６５ｎｍに設定された。
［実施例５－２］
実施例５－２では、図１４に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを８５ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして表示装置を作製した。
［実施例５－３］
実施例５－３では、図１８に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
まず、基板の形成工程から第１の界面層の形成工程までを実施例５－１と同様に行い、図２０Ａに示すように、複数の第１の電極が形成された基板の一主面上に第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成した。
次に、ＣＶＤ法により、図２０Ｂに示すように、第１の界面層上にバルク層（ＳｉＮ層）を形成した。次に、例えばスピンコート法により、図２０Ｃに示すように、フォトレジスト層をバルク層上に形成したのち、フォトレジスト層のうち第１の電極上に対応する部分に開口を形成した。次に、エッチング法により、図２１Ａに示すように、第１の界面層およびバルク層のうち、第１の電極層上に対応する部分に開口を形成した。この際、ＣＨ2Ｆ2等のデポガスを用いて、第１の界面層（ＳｉＯ）とバルク層（ＳｉＮ）とのエッチングレートを調整してエッチングした。これにより、絶縁層の開口の周縁が、第１の界面層の開口の周縁の内側に位置するように、それらの開口が形成された。
次に、図２１Ｂに示すように、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、平均厚み２．５ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）を形成した。これにより、絶縁層が得られた。次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極上および絶縁層上にこの順序で積層した。これにより、図２１Ｃに示すように、複数の凸部を上面に有すると共に、凸部の内側の領域における有機層の厚みがほぼ一定である有機層が形成された。これ以降の工程を実施例１－１と同様に行うことにより表示装置を得た。
なお、プロセス条件の調整により、第１の電極の平均厚みは６５ｎｍに設定され、第１の界面層の平均厚みは９ｎｍに設定され、絶縁層の平均厚みは２６ｎｍに設定された。
［実施例５－４］
実施例５－４では、図１９に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
第１の界面層およびバルク層の開口の形成工程において、絶縁層の開口の周縁と第１の界面層の開口の周縁とが重なるように、第１の界面層（ＳｉＯ）とバルク層（ＳｉＮ）とのエッチングレートを調整したこと以外は、実施例５－１と同様にして表示装置を得た。
［比較例５－１］
比較例５－１では、図１３に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを４５ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして表示装置を作製した。
（発光効率）
上述のようにして得られた実施例５－１～５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率を求めた。その結果を図３７に示す。
図３７から以下のことがわかる。
実施例５－１～５－３の表示装置の発光効率は、実施例５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率に比べて高い。特に低電流密度域における発光効率が高い。
＜vi 電磁界シミュレーションによる電流密度分布についての検討＞
［実施例６－１］
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３８Ａに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
第１の電極：Ａｌ電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４０、図４１に示す。図４１にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．２９×１０-6Ａ／ｍであった。
図４０、図４１中、（１）、（２）、（３）等の符号はそれぞれ、電流密度の大きさ（凡例のグラデーション）に対応する。以下の実施例６－２、比較例６－１、６－２のシミュレーションの結果を示す図においても、（１）、（２）、（３）等の符号は同様に電流密度の大きさ（凡例のグラデーション）に対応する。
［実施例６－１］
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３８Ｂに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
第１の電極：Ａｌ電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４２、図４３に示す。図４３にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．４８×１０-6Ａ／ｍであった。
［比較例６－１］
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３９Ａに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
第１の電極：Ａｌ電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４４に示す。図４４にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．７５×１０-6Ａ／ｍであった。
［比較例６－３］
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３９Ｂに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
第１の電極：Ａｌ電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４５、図４６に示す。図４６にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、２．５０×１０-6Ａ／ｍであった。
実施例６－１、６－２、比較例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果から、第１の電極上における有機層の厚みが一定、すなわち有機層の高さが一定であると、第１の電極の周縁部上における電流値を抑制できることがわかる。
以上、本開示の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第４の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。
また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例にて例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
前記第１の電極間に設けられると共に前記第１の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
前記第１の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２の電極と
を備え、
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む表示装置。
（２）
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に窒化ケイ素をさらに含む（１）に記載の表示装置。
（３）
前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含み、
前記有機層側の表面部に含まれる第２の酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する第２の酸化ケイ素の割合が、８０％以上である（２）に記載の表示装置。
（４）
前記絶縁層の組成が、バルクから前記有機層側の表面に向けて連続的に変化している（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
前記絶縁層は、
前記ケイ素化合物を含むバルク層と、
前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、前記第２の酸化ケイ素を含む第２の界面層と
を備える（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
前記第２の界面層の平均厚みが、１０ｎｍ以下である（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第２の界面層は、２以上の層により構成され、
前記２以上の層のうちの少なくとも１層が、前記第２の酸化ケイ素を含む（５）または（６）に記載の表示装置。
（８）
前記第２の界面層は、
前記第２の酸化ケイ素を含む第１の層と、
前記第１の層上に設けられ、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含む第２の層と
を備える（５）または（６）に記載の表示装置。
（９）
前記第２の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える（５）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
前記第２の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆う（５）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記第２の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第２の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記第２の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している（１１）に記載の表示装置。
（１３）
前記第１の界面層の平均厚みが、１５ｎｍ未満である（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
前記絶縁層は、正に帯電している（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含む（１）から（１４）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）
前記絶縁層が、水素をさらに含み、
Ｘ線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、４未満である（１５）に記載の表示装置。
（１７）
前記第１の電極は、酸化物導電層を含む（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
前記有機層は、前記第２電極側の面のうち、前記複数の第１の電極それぞれの周縁部に対応する部分に設けられた複数の凸部を有し、
前記凸部の内側の領域における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である（１）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い（１８）に記載の表示装置。
（２０）
前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
前記第１の開口の周縁は、前記第２の開口の周縁の内側に位置している（１８）または（１９）に記載の表示装置。
（２１）
前記第１の界面層は、前記第２の開口の周縁に対して突出した突出部を有し、
前記突出部の厚みは、前記第１の開口から離れるに従って増加する（２０）に記載の表示装置。
（２２）
前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む（１）から（２１）のいずれかに記載の表示装置。
（２３）
前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている（１）から（２２）のいずれかに記載の表示装置。
（２４）
（１）から（２３）のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
（２５）
画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
前記第１の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２の電極と
を備え、
前記第１の電極上における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
（２６）
前記第１の電極上における前記有機層の高さＨ1、および前記第１の電極の周囲の部分における前記有機層の高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす（２４）に記載の表示装置。
（２７）
前記第１の電極の高さｈ1、前記第１の界面層の高さｈ2および前記絶縁層の高さｈ3が、ｈ1≦ｈ2≦ｈ3の関係を満たす（２５）または（２６）に記載の表示装置。
（２８）
前記第１の界面層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている（２５）から（２７）のいずれかに記載の表示装置。
（２９）
前記第１の界面層および前記絶縁層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている（２５）から（２７）のいずれかに記載の表示装置。
（３０）
前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第１の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第２の開口を有し、
前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い（２５）から（２９）のいずれかに記載の表示装置。
（３１）
前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む（２５）から（３０）のいずれかに記載の表示装置。
（３２）
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む（２５）から（３１）のいずれかに記載の表示装置。
（３３）
前記絶縁層は、前記複数の第１の電極をそれぞれ取り囲む複数の傾斜面を有している（２５）から（３２）のいずれかに記載の表示装置。
（３４）
前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている（２５）から（３３）のいずれかに記載の表示装置。
（３５）
画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられた第１の界面層と、
前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２の電極と
を備え、
前記第１の電極上において前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
（３６）
（２５）から（３５）のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
１０、１０1、１０2、１０3、１０4、１０5、２０Ａ、２０Ｂ、３０Ａ 表示装置
１１ 基板
１２ 発光素子
１２Ａ、１２Ｄ 第１の電極
１２Ａ１ 電極層
１２Ｂ 有機層
１２Ｂ1 正孔注入層
１２Ｂ2 正孔輸送層
１２Ｂ3 発光層
１２Ｂ4 電子輸送層
１２Ｃ 第２の電極
１２ＣＡ 凸部
１２Ｄ1 金属層
１２Ｄ2 酸化物導電層
１３、１３1、１３2、１３3、１３4、２３、４３ 絶縁層
１３Ａ、２３Ａ、４３Ａ バルク層
１３Ａ１ フォトレジスト層
１３Ｂ、１３Ｄ、１３Ｅ、２３Ｂ、４３Ｂ 第２の界面層
１３Ｃ 中間層
１３Ｄ1 第１の層
１３Ｄ2 第２の層
１３Ｈ、１４Ｈ、４３Ｈ 開口
１４、２４ 第１の界面層
１４Ａ 突出部
１５ 保護層
１６ カラーフィルタ
１７ 充填樹脂層
１８ 対向基板
２３Ａ１ フォトレジスト層
４３Ｃ 傾斜面
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ サブ画素
１１０Ａ 表示領域
１１０Ｂ 周辺領域
１２０ 信号線駆動回路
１３０ 走査線駆動回路
１２０Ａ 信号線
１３０Ａ 走査線
１４０ 画素駆動回路
３１０ デジタルスチルカメラ（電子機器）
３２０ ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
３３０ テレビジョン装置（電子機器）
４００ 照明装置

Claims (12)

  1. 画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
    前記第１の電極間に設けられると共に前記第１の電極の周縁部を覆う絶縁層と、
    前記第１の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
    前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
    前記有機層上に設けられた第２の電極と
    を備え、
    前記絶縁層は、
    窒化ケイ素を主成分として含むバルク層と、
    前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む第２の界面層と
    を備え、
    前記第２の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆い、
    前記第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上である表示装置。
  2. 前記第２の界面層の平均厚みが、１０ｎｍ以下である請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第２の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第２の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第２の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記第２の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第１の界面層の平均厚みが、１５ｎｍ未満である請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記絶縁層は、正に帯電している請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記絶縁層が、水素をさらに含み、
    Ｘ線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、４未満である請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記第１の電極は、酸化物導電層を含む請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている請求項１に記載の表示装置。
  12. 請求項１に記載された前記表示装置を備える電子機器。
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