DE112019005931T5

DE112019005931T5 - Anzeigevorrichtung und elektronische vorrichtung

Info

Publication number: DE112019005931T5
Application number: DE112019005931.9T
Authority: DE
Inventors: Akira Watanabe; Yoshifumi Zaizen
Original assignee: Sony Corp; Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp; Sony Group Corp
Priority date: 2018-11-28
Filing date: 2019-11-28
Publication date: 2021-08-12
Also published as: US20220013593A1; WO2020111202A1; CN113170550A; JP7464335B2; KR20210095136A; JPWO2020111202A1

Abstract

Diese Anzeigevorrichtung umfasst Folgendes: mehrere erste Elektroden, die für jedes Pixel bereitgestellt sind; eine Isolationsschicht, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist und den Peripherierandteil der ersten Elektroden bedeckt und die eine Siliciumverbindung enthält; eine erste Grenzflächenschicht, die auf der Grenzfläche der ersten Elektrode und der Isolationsschicht bereitgestellt ist und die ein erstes Siliciumoxid beinhaltet; eine organische Schicht, die für alle Pixel gemeinsam auf der ersten Elektrode und der Isolationsschicht bereitgestellt ist und die eine Lichtemissionsschicht beinhaltet; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist. Die Isolationsschicht enthält ein zweites Siliciumoxid auf dem Oberflächenteil der Seite der organischen Schicht.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine elektronische Vorrichtung.
HINTERGRUND
In den letzten Jahren wurde als eine Anzeigevorrichtung mit mehreren organischen Elektrolumineszenzdioden (OLEDs) eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Schicht vorgeschlagen, die allen Pixeln gemein ist. Jedoch tritt bei der Anzeigevorrichtung mit einer solchen Konfiguration ein Leckverlust eines Ansteuerungsstroms wahrscheinlich zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen auf.
Daher wurde eine Technologie zum Unterdrücken eines Leckverlusts eines Ansteuerungsstroms zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen vorgeschlagen. Patentdokument 1 schlägt eine Technologie vor, bei der ein Isolationsfilm in einem Zwischenelementgebiet zwischen mehreren Lichtemissionselementen bereitgestellt ist und eine Kerbe bei einer Position zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen in dem Isolationsfilm bereitgestellt ist. Des Weiteren schlägt Patentdokument 2 eine Technologie zum Bilden wenigstens eines Teils eines Filmdickengebiets einer Isolationsschicht mit einem positiv geladenen anorganischen Nitrid vor.
ZITATLISTE
PATENTDOKUMENT

Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldung mit der Offenlegungs-Nr. 2012-216338
Patentdokument 2: Internationale Veröffentlichung mit der Nr. 2018/147050

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
Wie oben beschrieben wurde in den letzten Jahren die Technologie zum Unterdrücken eines Leckverlusts eines Ansteuerungsstroms, der zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen erzeugt wird, unter den Anzeigevorrichtungen mit der organischen Schicht beschrieben, die allen Pixeln gemein ist.
Ein Ziel der vorliegenden Offenbarung ist das Bereitstellen einer Anzeigevorrichtung und einer elektronischen Vorrichtung, die zum Unterdrücken eines Leckverlusts eines Ansteuerungsstroms in der Lage sind, der zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen erzeugt wird.
LÖSUNGEN DER PROBLEME
Um das obige Problem zu lösen, ist die erste Offenbarung eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind, eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist und die einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedeckt, eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und an einer Grenzfläche zwischen der ersten Elektrode und der Isolationsschicht bereitgestellt ist, eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist, und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei die Isolationsschicht ein zweites Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf einer Seite der organischen Schicht enthält.
Die zweite Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind, eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält und zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist, eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist, eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist, und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
Die dritte Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind, eine Isolationsschicht, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist, eine erste Grenzflächenschicht, die zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist, eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist, und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
Die vierte Offenbarung ist eine elektronische Vorrichtung, die eine beliebige der Anzeigevorrichtungen gemäß der ersten bis dritten Offenbarung beinhaltet.
Figurenliste

1 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel für eine Gesamtkonfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
2 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
3 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 2 veranschaulichten Anzeigevorrichtung veranschaulicht.
4 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer in 2 veranschaulichten organischen Schicht veranschaulicht.
5 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation 1 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
6 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation 2 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
7 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation 3 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
8 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation 4 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
9 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation 5 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
10 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
11 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 10 veranschaulichten Anzeigevorrichtung veranschaulicht.
12 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht.
13 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht.
14 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation veranschaulicht.
15A, 15B, 15C, 15D, 15E und 15F sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel für einen Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung veranschaulichen.
16A, 16B, 16C und 16D sind Querschnittsansichten, die das Beispiel für den Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung veranschaulichen.
17 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
18 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
19 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation veranschaulicht.
20A, 20B und 20C sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel für den Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung veranschaulichen.
21A, 21B und 21C sind Querschnittsansichten, die das Beispiel für den Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung veranschaulichen.
22 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
23 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
24A ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 23 veranschaulichten Anzeigevorrichtung veranschaulicht. 24B ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der Anzeigevorrichtung gemäß einer Modifikation veranschaulicht.
25A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines ersten Beispiels für eine Resonatorstruktur. 25B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines zweiten Beispiels für die Resonatorstruktur.
26A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines dritten Beispiels für die Resonatorstruktur. 26B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines vierten Beispiels für die Resonatorstruktur.
27A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines fünften Beispiels für die Resonatorstruktur. 27B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines sechsten Beispiels für die Resonatorstruktur.
28 ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines siebten Beispiels für die Resonatorstruktur.
29 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für eine schematische Konfiguration eines Moduls veranschaulicht.
30A ist eine Vorderansicht, die ein Beispiel für ein Aussehen einer digitalen Fotokamera veranschaulicht. 30B ist eine Hinteransicht, die ein Beispiel für das Aussehen der digitalen Fotokamera veranschaulicht.
31 ist eine perspektivische Ansicht eines Beispiels für ein Aussehen einer am Kopf getragenen Anzeige.
32 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für ein Aussehen einer Fernsehvorrichtung veranschaulicht.
33 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für ein Aussehen einer Beleuchtungsvorrichtung veranschaulicht.
34A ist ein Graph, der ein Absorptionsspektrum einer Volumenschicht veranschaulicht, die durch ein Fourier-Transformations-Infrarotspektrophotometer gemessen wird. 34B ist ein Graph, der das Absorptionsspektrum der Volumenschicht veranschaulicht, die durch das Fourier-Transformations-Infrarotspektrophotometer gemessen wird.
35 ist ein Graph, der eine Beziehung zwischen einem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) einer Spitzenintensität I_N-H, die von einer N-H-Bindung abgeleitet wird, und einer Spitzenintensität I_Si-H, die von einer Si-H-Bindung abgeleitet wird, und einer Zwischenpixelleckmenge veranschaulicht.
36 ist ein Graph, der eine Beziehung zwischen einer durchschnittlichen Dicke einer ersten Grenzflächenschicht und einer Zwischenpixelleckmenge veranschaulicht.
37 ist ein Graph, der Auswertungsergebnisse einer Lichtausbeute von Anzeigevorrichtungen aus Beispielen 5-1 bis 5-4 und Vergleichsbeispiel 5-1 veranschaulicht.
38A ist ein Diagramm, das ein Modell einer Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Beispiel 6-1 veranschaulicht. 38B ist ein Diagramm, das ein Modell einer Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Beispiel 6-2 veranschaulicht.
39A ist ein Diagramm, das ein Modell einer Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Vergleichsbeispiel 6-1 veranschaulicht. 39B ist ein Diagramm, das ein Modell einer Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Vergleichsbeispiel 6-2 veranschaulicht.
40 ist ein Diagramm, das ein Analyseergebnis der Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Beispiel 6-1 veranschaulicht.
41 ist ein vergrößertes Diagramm eines Gebiets R1 in 40.
42 ist ein Diagramm, das ein Analyseergebnis der Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Beispiel 6-2 veranschaulicht.
43 ist ein vergrößertes Diagramm eines Gebiets R2 in 42.
44 ist ein Diagramm, das ein Analyseergebnis der Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Vergleichsbeispiel 6-1 veranschaulicht.
45 ist ein Diagramm, das ein Analyseergebnis der Elektromagnetisches-Feld-Simulation von Vergleichsbeispiel 6-2 veranschaulicht.
46 ist ein vergrößertes Diagramm eines Gebiets R3 in 45.

AUSFÜHRUNGSWEISE DER ERFINDUNG
Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden in der folgenden Reihenfolge beschrieben. Es wird angemerkt, dass in sämtlichen Zeichnungen der folgenden Ausführungsformen die gleichen oder entsprechenden Teile durch die gleichen Bezugsziffern bezeichnet werden.

1. Erste Ausführungsform
- 1-1 Konfiguration der Anzeigevorrichtung
- 1-2 Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung
- 1-3 Effekt
- 1-4 Modifikation
2 Zweite Ausführungsform
- 2-1 Konfiguration der Anzeigevorrichtung
- 2-2 Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung
- 2-3 Effekt
- 2-4 Modifikation
3 Dritte Ausführungsform
- 3-1 Konfiguration der Anzeigevorrichtung
- 3-2 Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung
- 3-3 Effekt
4 Vierte Ausführungsform
- 4-1 Konfiguration der Anzeigevorrichtung
- 4-2 Effekt
5 Beispiele einer Resonatorstruktur, die auf Ausführungsformen angewandt wird
6 Anwendung

[Konfiguration der Anzeigevorrichtung]
1 veranschaulicht ein Beispiel für eine Gesamtkonfiguration einer organischen Elektrolumineszenz(EL)-Anzeigevorrichtung 10 (nachfolgend einfach als „Anzeigevorrichtung 10“ bezeichnet) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10 ist zur Verwendung in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen geeignet und beinhaltet ein Anzeigegebiet 110A und ein Peripheriegebiet 110B auf Peripherierändern des Anzeigegebiets 110A auf einem Substrat 11. Mehrere Subpixel 100R, 100G und 100B sind in einer Matrix in dem Anzeigegebiet 110A angeordnet. Das Subpixel 100R zeigt Rot an, das Subpixel 100G zeigt Grün an und das Subpixel 100B zeigt Blau an. Es wird angemerkt, dass in der folgenden Beschreibung, falls die Subpixel 100R, 100G und 100B sind speziell unterschieden werden, sie als (ein oder mehrere) Subpixel 100 bezeichnet werden.
Spalten der Subpixel 100R, 100G und 100B, wobei jede Spalte jeweils die gleiche Farbe anzeigt, sind wiederholt in einer Zeilenrichtung angeordnet. Daher stellt eine Kombination aus den drei Subpixeln 100R, 100G und 100B, die in der Zeilenrichtung angeordnet sind, ein Pixel dar. Ein Signalleitungsansteuerschaltkreis 120 und ein Scanleitungsansteuerschaltkreis 130, die Ansteuerungen zum Anzeigen von Bildern sind, sind in dem Peripheriegebiet 110B angeordnet.
Der Signalleitungsansteuerschaltkreis 120 liefert eine Signalspannung eines Videosignals, das Leuchtdichteinformationen entspricht, die von einer (nicht veranschaulichten) Signalversorgungsleitung bereitgestellt werden, über eine Signalleitung 120A an ausgewählte Pixel. Der Signalleitungsansteuerschaltkreis 130 beinhaltet ein Schieberegister, das einen Startpuls sequentiell in Synchronisation mit einem Eingangstaktpuls verschiebt (transferiert), und dergleichen. Der Signalleitungsansteuerschaltkreis 130 scannt die Videosignale Zeile für Zeile, wenn die Videosignale in die Pixel geschrieben werden, und liefert die Scansignale sequentiell an die Scanleitungen 130A.
2 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 3 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 2 veranschaulichten Anzeigevorrichtung 10 veranschaulicht. Die Anzeigevorrichtung 10 ist eine Anzeigevorrichtung vom Oberseitenemissionstyp und beinhaltet ein Substrat (erstes Substrat) 11, mehrere Lichtemissionselemente 12 und eine Isolationsschicht 13, die auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 bereitgestellt ist, eine Schutzschicht 15, die auf den mehreren Lichtemissionselementen 12 bereitgestellt ist, ein Farbfilter 16, das auf der Schutzschicht 15 bereitgestellt ist, eine eingefüllte Harzschicht 17, die auf dem Farbfilter 16 bereitgestellt ist, und ein zugewandtes Substrat (zweites Substrat) 18, das auf der eingefüllten Harzschicht 17 bereitgestellt ist. Es wird angemerkt, dass die Seite des zugewandten Substrats 18 eine obere Seite ist und die Seite des Substrats 11 eine untere Seite ist.
Die mehreren Lichtemissionselemente 12 sind in einer Matrix auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 angeordnet. Das Lichtemissionselement 12 ist ein weißes organisches EL-Lichtemissionselement und als ein Farbgebungsverfahren bei der Anzeigevorrichtung 10 wird ein Verfahren verwendet, das das weiße organische EL-Lichtemissionselement und das Farbfilter 16 verwendet. Es wird angemerkt, dass das Farbgebungsverfahren nicht darauf beschränkt ist und ein RGB-Farbgebungsverfahren oder dergleichen verwendet werden kann. Des Weiteren kann ein monochromatisches Filter verwendet werden.
Das Lichtemissionselement 12 weist eine erste Elektrode 12A als eine Anode, zum Beispiel eine organische Schicht 12B, und eine zweite Elektrode 12C als eine Kathode, zum Beispiel in dieser Reihenfolge von der Seite des Substrats 11 beladen, auf.
Das Substrat 11 ist eine Stütze, die mehrere Lichtemissionselemente 12 stützt, die auf einer Hauptoberfläche angeordnet sind. Obwohl dies nicht veranschaulicht ist, kann das Substrat 11 mit einem Ansteuerschaltkreis einschließlich eines Abtasttransistors und eines Ansteuertransistors zum Steuern einer Ansteuerung der mehreren Lichtemissionselemente 12 und einem Leistungsversorgungsschaltkreis zum Liefern von Leistung an die mehreren Lichtemissionselemente 12 versehen sein.
Das Substrat 11 kann unter Verwendung von zum Beispiel Glas oder einem Harz mit einer niedrigen Wasser- und Sauerstoffpermeabilität konfiguriert sein oder kann unter Verwendung eines Halbleiters, wie etwa eines Transistors konfiguriert sein, der einfach gebildet werden kann. Insbesondere kann das Substrat 11 ein Glassubstrat, wie etwa ein Glas mit hoher Entspannungsgrenze, Kalk-Natron-Glas, Borsilicatglas, Forsterit, Bleiglas oder Quarzglas, ein Halbleitersubstrat, wie etwa amorphes Silicium oder polykristallines Silicium, oder ein Harzsubstrat, wie etwa Polymethylmethacrylat, Polyvinylalkohol, Polyvinylphenol, Polyethersulfon, Polyimid, Polycarbonat, Polyethylenterephthalat oder Polyethylennaphthalat, sein.
Ein Kontaktstopfen 11A ist in dem Substrat 11 bereitgestellt. Der Kontaktstopfen 11A verbindet die erste Elektrode 12A elektrisch mit dem Ansteuerschaltkreis, dem Leistungsversorgungsschaltkreis und dergleichen. Insbesondere verbindet der Kontaktstopfen 11A die erste Elektrode 12A elektrisch mit dem Ansteuerschaltkreis, dem Leistungsversorgungsschaltkreis und dergleichen (nicht veranschaulicht), die innerhalb des Substrats 11 bereitgestellt sind, und legt Leistung zum Emittieren von Licht des ersten Lichtemissionselements 12 an die erste Elektrode 12A an. Der Kontaktstopfen 11A kann unter Verwendung von zum Beispiel einer einfachen Substanz oder einer Legierung aus Metall, wie etwa Chrom (Cr), Gold (Au), Platin (Pt), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti), Tantal (Ta), Aluminium (Al), Eisen (Fe) oder Silber (Ag), oder mehrere gestapelter Metallfilme des zuvor genannten Metalls gebildet sein.
(Erste Elektrode)
Die erste Elektrode 12A ist elektrisch für jedes der Subpixel 100R, 100G und 100B separiert. Die erste Elektrode 12A fungiert auch als eine reflektierende Schicht und es ist vorteilhaft, die erste Elektrode 12A unter Verwendung einer Metallschicht mit dem Reflexionsgrad, der so hoch wie möglich ist, und einer großen Austrittsarbeit zu konfigurieren, um eine Lichtausbeute zu erhöhen. Als das Konfigurationsmaterial der Metallschicht kann zum Beispiel wenigstens eine Art der einfachen Substanzen oder Legierungen aus Metallelementen, wie etwa Chrom (Cr), Gold (Au), Platin (Pt), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Tantal (Ta), Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Eisen (Fe), Wolfram(W) und Silber (Ag), verwendet werden. Spezielle Beispiele für die Legierungen schließen eine AlNi-Legierung und eine A1Cu-Legierung ein. Die erste Elektrode 12A kann unter Verwendung eines gestapelten Films aus mehreren Metallschichten konfiguriert sein, die wenigstens eine Art der oben beschriebenen einfachen Substanzen oder Legierungen von Metallelementen enthalten.
(Zweite Elektrode)
Die zweite Elektrode 12C ist als eine Elektrode bereitgestellt, die sämtlichen Subpixeln 100R, 100G und 100B in dem Anzeigegebiet 110A gemein ist. Die zweite Elektrode 12C ist eine transparente Elektrode mit einer Transparenz in Bezug auf Licht, das in der organischen Schicht 12B erzeugt wird. Hier wird angenommen, dass die transparente Elektrode einen halbtransmittierenden reflektierenden Film beinhaltet. Die zweite Elektrode 12CV ist unter Verwendung von zum Beispiel einem Metall oder einem Metalloxid konfiguriert. Als das Metall kann zum Beispiel wenigstens eine Art der einfachen Substanzen und Legierungen von Metallelementen, wie etwa Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Calcium (Ca) und Natrium (Na), verwendet werden. Als die Legierung ist zum Beispiel eine Legierung (MgAg-Legierung) aus Magnesium (Mg) und Silber (Ag) oder eine Legierung (AlLi-Legierung) aus Aluminium (Al) und Lithium (Li) geeignet. Als das Metalloxid kann zum Beispiel ein Gemisch (ITO) aus einem Indiumoxid und einem Zinnoxid, ein Gemisch (IZO) aus einem Indiumoxid und einem Zinkoxid oder ein Zinkoxid (ZnO) verwendet werden.
(Isolationsschicht)
Die Isolationsschicht 13 dient dem elektrischen Separieren der ersten Elektrode 12A für jedes der Subpixel 100R, 100G und 100B. Die Isolationsschicht 13 ist zwischen den ersten Elektroden 12A bereitgestellt und bedeckt einen Peripherierandteil der ersten Elektrode 12A. Insbesondere weist die Isolationsschicht 13 eine Öffnung in einem Teil auf, der jeder ersten Elektrode 12A entspricht, und bedeckt einen Peripherierandteil einer oberen Oberfläche (einer Oberfläche, die der zweiten Elektrode 12C zugewandt ist) der ersten Elektrode 12A zu einer Seitenoberfläche (Endfläche) der ersten Elektrode 12A. Eine erste Grenzflächenschicht 14 ist an einer Grenzfläche zwischen der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 bereitgestellt.
Die Isolationsschicht 13 beinhaltet eine Volumenschicht 13A, die als ein Hauptkörper der Isolationsschicht dient, und eine zweite Grenzflächenschicht 13B, die an einer Grenzfläche zwischen der Volumenschicht 13A und der organischen Schicht 12B bereitgestellt ist.
(Volumenschicht)
Die Volumenschicht 13A ist bevorzugt positiv geladen. Da die Volumenschicht 13A positiv geladen ist, kann ein Lochstromleckverlust unterdrückt werden, der zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen 12 erzeugt wird.
Die Volumenschicht 13A enthält eine Siliciumverbindung als eine Hauptkomponente. Hier bedeutet die Hauptkomponente eine Materialkomponente, die in der Volumenschicht 13A mit dem größten Anteil enthalten ist. Die Siliciumverbindung beinhaltet zum Beispiel wenigstens eine Art, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Siliciumnitrid (SiN_x), einem Siliciumoxid (SiO_x), einem Siliciumoxinitrid (SiO_xN_y) und einem Siliciumcarbid (SiC_X) besteht. Unter diesen Materialien wird bevorzugt wenigstens eine Art des Siliciumnitrids oder Siliciumoxinitrids verwendet. Dies liegt darin begründet, dass die Volumenschicht 13A dazu neigt, eine positive feste Ladung aufzuweisen, indem sie wenigstens eine Art des Siliciumnitrids und des Siliciumoxinitrids enthält.
Die Volumenschicht 13A kann ferner Wasserstoff (H) enthalten. Falls zum Beispiel die Volumenschicht 13A gebildet wird, indem ein Si-haltiges Gas (zum Beispiel SiH₄) durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder dergleichen zum Reagieren mit einem N-haltigen Gas (zum Beispiel NH₂ oder NH₃) gebracht wird, enthält die Volumenschicht 13A üblicherweise Wasserstoff, der in dem Materialgas enthalten ist.
Falls die Volumenschicht 13A das Siliciumnitrid als eine Hauptkomponente der Siliciumverbindung enthält, kann Wasserstoff an Silicium und Stickstoff gebunden werden. In diesem Fall beträgt ein Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) einer Spitzenintensität I_N-H, die von einer N-H-Bindung abgeleitet wird, und einer Spitzenintensität I_Si-H, die von einer Si-H-Bindung abgeleitet wird, was durch Analysieren der Volumenschicht 13A durch ein Fourier-Transformation-Infrarotspektrometer (FT-IR) erhalten wird, bevorzugt weniger als 4, besonders bevorzugt 3 oder weniger. Wenn das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) geringer als 4 ist, kann ein Dipol verstärkt werden, der an der Grenzfläche zu der ersten Grenzflächenschicht 14 gebildet wird. Daher kann eine feste Ladung der Isolationsschicht 13 erhöht werden und kann die Isolationsschicht 13 effektiv positiv geladen werden. Daher wird der Lochstromleckverlust, der zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen 12 erzeugt wird, weiter unterdrückt werden.
Das obige Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) wird wie folgt erhalten. Zuerst wird das zugewandte Substrat 18 von der Anzeigevorrichtung 10 abgelöst und dann wird jede Schicht, die auf der Volumenschicht 13A gestapelt ist, abgelöst, um die Oberfläche der Volumenschicht 13A freizulegen. Als Nächstes wird die Volumenschicht 13A durch das FT-IR analysiert, um ein FT-IR-Spektrum zu erhalten. Dann wird das obigen Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) unter Verwendung des erfassten FT-IR-Spektrums erhalten.
(Zweite Grenzflächenschicht)
Die zweite Grenzflächenschicht 13B dient dem Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und eines Elektronenstromleckverlusts, der zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen 12 erzeugt wird. Die zweite Grenzflächenschicht 13B weist eine Gitterdehnung auf und zeigt daher die oben beschriebene Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts auf. Hier wird angenommen, dass die „Gitterdehnung“ eine Gitterdehnung von winzigen Kristallkörnern einschließt, die in der zweiten Grenzflächenschicht 13B enthalten sind. In der vorliegenden Beschreibung verweist der Ausdruck „Lochstromleckverlust“ auf ein Phänomen, bei dem Löcher, die von der ersten Elektrode 12A injiziert werden, welche die Anode ist, durch die Grenzfläche zwischen der Isolationsschicht 13 und der organischen Schicht 12B in die angrenzende erste Elektrode 12A fließen. Ferner verweist der Ausdruck „Elektronenstromleckverlust“ auf ein Phänomen, bei dem Elektronen, die von der zweiten Elektrode 12C injiziert werden, welche die Kathode ist, durch die organische Schicht 12B in die angrenzende erste Elektrode 12A fließen oder Elektronen, die in einer Ladungserzeugungsschicht (zum Beispiel einer Lochinjektionsschicht), die in der organischen Schicht 12B enthalten ist, durch die organische Schicht 12B fließen.
Die zweite Grenzflächenschicht 13B weist eine andere Zusammensetzung als die Volumenschicht 13A auf. Insbesondere enthält die zweite Grenzflächenschicht 13B ein Siliciumoxid. Die zweite Grenzfläche 13B kann ferner Stickstoff (N) enthalten. In diesem Fall kann Stickstoff eine Bindung mit Silicium in der zweiten Grenzflächenschicht 13B ausbilden und kann als ein Siliciumnitrid oder ein Siliciumoxinitrid vorhanden sein. Da die zweite Grenzflächenschicht 13B Stickstoff enthält, wird die zweite Grenzflächenschicht 13B wahrscheinlich die Gitterdehnung erzeugen, und die oben beschriebene Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts kann weiter verbessert werden.
Die zweite Grenzflächenschicht 13B bedeckt von dem Sichtpunkt des Verbesserns der Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts bevorzugt einen Rand (Endfläche) der Volumenschicht 13A zusammen mit einer Hauptoberfläche der Volumenschicht 13A. Des Weiteren weist die zweite Grenzflächenschicht 13B vom Sichtpunkt des Verbesserns der Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts bevorzugt eine im Wesentlichen einheitliche Dicke in der gesamten Schicht auf. Ein oberer Grenzwert der durchschnittlichen Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 13B beträgt bevorzugt 10 nm oder weniger. Wenn die durchschnittliche Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 13B 10 nm oder weniger beträgt, kann eine Relaxation der Gitterdehnung der zweiten Grenzflächenschicht 13B unterdrückt werden. Durch das Unterdrücken der Relaxation der Gitterdehnung auf diese Weise kann eine Verschlechterung der Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts unterdrückt werden. Ein unterer Grenzwert der durchschnittlichen Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 13B beträgt bevorzugt 2 nm oder mehr. Wenn die durchschnittliche Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 13B 2 nm oder mehr beträgt, kann die oben beschriebene Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts effektiv aufgezeigt werden. Es wird angemerkt, dass die durchschnittliche Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 13B ähnlich der durchschnittlichen Dicke der ersten Grenzflächenschicht 14 erhalten wird, die unten zu beschreiben ist.
Falls die Volumenschicht 13A das Siliciumnitrid enthält, beträgt ein Verhältnis des Siliciumoxids zu einer Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids in der zweiten Grenzflächenschicht 13B bevorzugt 80 % oder mehr. Wenn das oben beschriebene Verhältnis 80 % oder mehr beträgt, kann die Gitterdehnung aufgrund eines Unterschieds der Zusammensetzung zwischen der Volumenschicht 13A und der zweiten Grenzflächenschicht 13B effektiv in der zweiten Grenzflächenschicht 13B erzeugt werden. Daher kann die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts weiter verbessert werden.
Das Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids wird wie folgt bestimmt. Zuerst wird ein Querschnitt der Anzeigevorrichtung 10 durch ein FIB-Verfahren oder dergleichen ausgeschnitten, um ein Plättchen vorzubereiten. Als Nächstes wird der Querschnitt des Plättchens durch eine Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS: Electron Energy Loss Spectroscopy) analysiert, um den Siliciumoxid- und Siliciumnitridanteil in der zweiten Grenzflächenschicht 13B zu bestimmen. Dann wird unter Verwendung des Anteils das Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids berechnet.
(Erste Grenzflächenschicht)
Die erste Grenzflächenschicht 14 dient dem Unterdrücken des Austauschs von Elementen, die Filme der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 darstellen, zum Beispiel des Austauschs von Sauerstoff, und dem Unterdrücken einer Verschlechterung von Charakteristiken der Isolationsschicht 13. Insbesondere dient zum Beispiel die erste Grenzflächenschicht 14 dem Unterdrücken einer Abnahme der festen Ladung der Volumenschicht 13A und dem Beibehalten des positiv geladenen Zustands der Isolationsschicht 13 (insbesondere der Volumenschicht 13A).
Die erste Grenzflächenschicht 14 weist eine andere Zusammensetzung als jene der Volumenschicht 13A auf. Insbesondere enthält die erste Grenzflächenschicht 14 ein Siliciumoxid. Eine durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht 14 beträgt von dem Sichtpunkt des Unterdrückens des Lochstromleckverlusts zwischen angrenzenden Lichtemissionselementen 12 bevorzugt von 1 bis 15 nm, ausschließlich 15 nm, bevorzugter von 1 bis 13 nm, jeweils einschließlich, besonders bevorzugt von 1 bis 9 nm, jeweils einschließlich, ganz besonders bevorzugt von 1 bis 7 nm, jeweils einschließlich, oder am aller meisten bevorzugt von 1 bis 5 nm, jeweils einschließlich.
Die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht 14 wird wie folgt erhalten. Zuerst wird ein Querschnitt der Anzeigevorrichtung 10 durch eine Kryo-fokussierter-Ionenstrahl(FIB)-Verarbeitung oder dergleichen ausgeschnitten, um ein Plättchen zu produzieren. Als Nächstes wird das vorbereitete Plättchen mit einem Transmissionselektronenmikroskop (TEM) beobachtet und wird ein Querschnitts-TEM-Bild erfasst. Zu dieser Zeit wird eine Beschleunigungsspannung auf 80 kV eingestellt. Als Nächstes wird in dem erfassten Querschnitts-TEM-Bild die Dicke eines Teils (des Teils des Gebiets R in 3) der ersten Grenzflächenschicht 14, des Teils, der die erste Elektrode 12A bedeckt, an zehn Punkten oder mehr gemessen. Zu dieser Zeit soll jede Messungsposition zufällig von dem Teil ausgewählt werden, der die erste Elektrode 12A bedeckt. Dann werden die Filmdicken der ersten Grenzflächenschicht 14, gemessen an zehn Punkten oder mehr, einfach gemittelt (arithmetisches Mittel), um die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht 14 zu erhalten.
(Organische Schicht)
Die organische Schicht 12B ist als eine organische Schicht bereitgestellt, die sämtlichen Subpixeln 100R, 100G und 100B in dem Anzeigegebiet 110A gemein ist. 4 ist eine vergrößerte Ansicht, die die in 2 veranschaulichte organische Schicht 12B veranschaulicht. Die organische Schicht 12B weist eine Konfiguration auf, bei der eine Lochinjektionsschicht 12B₁ , eine Lochtransportschicht 12B₂ , eine Lichtemissionsschicht 12B₃ und eine Elektronentransportschicht 12B₄ in dieser Reihenfolge von der Seite der ersten Elektrode 12A gestapelt sind. Es wird angemerkt, dass die Konfiguration der organischen Schicht 12B nicht auf diese Konfiguration beschränkt ist und Schichten außer der Lichtemissionsschicht 12B₃ nach Bedarf bereitgestellt werden.
Die Lochinjektionsschicht 12B₁ ist eine Pufferschicht zum Erhöhen der Lochinjektionseffizienz in die Lichtemissionsschicht 12B₃ und zum Unterdrücken eines Leckverlusts. Die Lochtransportschicht 12B₂ dient dem Erhöhen der Lochtransporteffizienz zu der Lichtemissionsschicht 12B₃ . An die Lichtemissionsschicht 12B₃ wird ein elektrisches Feld angelegt, um Elektronen und Löcher zu rekombinieren, um Licht zu erzeugen. Die Elektronentransportschicht 12B₄ dient dem Erhöhen der Elektronentransporteffizienz zu der Lichtemissionsschicht 12B₃ . Eine (nicht veranschaulichte) Elektroneninjektionsschicht kann zwischen der Elektronentransportschicht 12B₄ und der zweiten Elektrode 12C bereitgestellt sein. Diese Elektroneninjektionsschicht dient dem Erhöhen der Elektroneninjektionseffizienz.
(Schutzschicht)
Die Schutzschicht 15 dient dem Blockieren des Lichtemissionselements 12 gegenüber äußerer Luft und dem Unterdrücken eines Eindringens von Wasser von einer externen Umgebung in das Lichtemissionselement 12. Des Weiteren weist die Schutzschicht 15, falls die zweite Elektrode 12C unter Verwendung einer Metallschicht konfiguriert ist, eine Funktion zum Unterdrücken einer Oxidation der Metallschicht auf.
Die Schutzschicht 15 ist unter Verwendung zum Beispiel eines anorganischen Materials mit geringer Hygroskopizität konfiguriert, wie etwa einem Siliciumoxid (SiO_x) , einem Siliciumnitrid (SiN_X) , einem Siliciumoxinitrid (SiN_xO_y), einem Titanoxid (TiO_X) oder einem Aluminiumoxid (A1_xO_y). Des Weiteren kann die Schutzschicht 15 eine Einzelschichtstruktur aufweisen, aber kann eine Mehrschichtstruktur im Fall des Erhöhens der Dicke aufweisen. Dies dient dem Abschwächen einer internen mechanischen Spannung in der Schutzschicht 15. Des Weiteren kann die Schutzschicht 15 unter Verwendung eines Polymerharzes konfiguriert sein. In diesem Fall kann als das Polymerharz wenigstens eine Art von Harzmaterial eines duroplastischen Harzes oder eines ultraviolettaushärtbaren Harzes verwendet werden.
(Farbfilter)
Das Farbfilter 16 ist ein sogenanntes On-Chip-Farbfilter (OCCF: On-Chip Color Filter). Das Farbfilter 16 beinhaltet zum Beispiel ein Rotfilter 16R, ein Grünfilter 16G und ein Blaufilter 16B. Das Rotfilter 16R, das Grünfilter 16G und das Blaufilter 16B sind dem Lichtemissionselement 12 des Subpixels 100R, dem Lichtemissionselement 12 des Subpixels 100G bzw. dem Lichtemissionselement 12 des Subpixels 100B zugewandt bereitgestellt. Infolgedessen wird das Weißlicht, das von den Lichtemissionselementen 12 in dem Subpixel 100R, dem Subpixel 100G und dem Subpixel 100B emittiert wird, durch das oben beschriebene Rotfilter 16R, Grünfilter 16G bzw. Blaufilter 16B transmittiert, so dass Rotlicht, Grünlicht bzw. Blaulicht von einer Anzeigeoberfläche emittiert werden. Des Weiteren ist eine Lichtabschirmungsschicht 16BM zwischen den Farbfiltern der Farben, das heißt in einem Gebiet zwischen den Subpixeln 100, bereitgestellt.
(Eingefüllte Harzschicht)
Die eingefüllte Harzschicht 17 ist in einem Raum zwischen der Schutzschicht 15 und dem Farbfilter 16 eingefüllt. Die eingefüllte Harzschicht 17 weist eine Funktion als eine Haftschicht zum Bewirken, dass das Farbfilter 16 an dem zugewandten Substrat 18 anhaftet, auf. Die eingefüllte Harzschicht 17 ist unter Verwendung wenigstens eines Harzmaterials aus einem duroplastischen Harz oder einem ultraviolettaushärtbarem Harz konfiguriert.
(Zugewandtes Substrat)
Das zugewandte Substrat 18 ist so bereitgestellt, dass eine Hauptoberfläche des zugewandten Substrats 18 und eine Hauptoberfläche des Substrats 11, die mit den mehreren Lichtemissionselementen 12 versehen ist, einander zugewandt sind. Das zugewandte Substrat 18 versiegelt die Lichtemissionselemente 12, das Farbfilter 16 und dergleichen zusammen mit der eingefüllten Harzschicht 17. Das zugewandte Substrat 18 ist unter Verwendung eines Materials, wie etwa von Glas, das für jedes von dem Farbfilter 16 emittierte Farblicht transparent ist, konfiguriert.
[Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung]
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 10 mit der obigen Konfiguration beschrieben.
Zuerst werden ein Ansteuerschaltkreis und dergleichen auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 unter Verwendung zum Beispiel einer Dünnfilmbildungstechnik, einer Fotolithografietechnik und einer Ätztechnik gebildet. Als Nächstes wird zum Beispiel eine Metallschicht auf dem Ansteuerschaltkreis und dergleichen durch ein Sputterverfahren gebildet und dann wird die Metallschicht durch Verwendung zum Beispiel der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert, so dass die mehreren ersten Elektroden 12A gebildet werden, die für jedes Lichtemissionselement 12 (das heißt für jedes Subpixel 100) separiert sind.
Als Nächstes wird die erste Grenzflächenschicht 14 auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 gebildet, auf der die mehreren ersten Elektroden 12A durch zum Beispiel das DVD-Verfahren gebildet wurden, und wird die Volumenschicht 13A dann durch zum Beispiel das CVD-Verfahren gebildet. Die erste Grenzflächenschicht 14 und die Volumenschicht 13A werden dann unter Verwendung der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert. Dann wird die Oberfläche der Volumenschicht 13A plasmabehandelt, um die zweite Grenzflächenschicht 13B zu bilden, oder wird die zweite Grenzflächenschicht 13B auf der Volumenschicht 13A durch ein Atomlagenabscheidung(ALD)-Verfahren gebildet. Infolgedessen wird die Isolationsschicht 13 erhalten. Als die Plasmabehandlung kann zum Beispiel eine Sauerstoffplasmabehandlung oder eine Stickstoffplasmabehandlung verwendet werden. Es wird angemerkt, dass die Plasmabehandlungen allein oder in Kombination verwendet werden können.
In dem Fall des Bildens der zweiten Grenzflächenschicht 13B auf der Volumenschicht 13A durch das ALD-Verfahren wird die zweite Grenzflächenschicht 13B auch auf der ersten Elektrode 12A gebildet, aber da eine Haftungseffizienz eines Vorläufers zwischen der Oberfläche der ersten Elektrode 12A, die das Metallmaterial enthält, und der Oberfläche der Volumenschicht 13A verschieden ist, die die Siliciumverbindung, wie etwa das Siliciumnitrid, enthält, wird die zweite Grenzflächenschicht 13B kaum auf der ersten Elektrode 12A gebildet. Daher beeinflusst die zweite Grenzflächenschicht 13B, die auf der ersten Elektrode 12A gebildet wird, die Ansteuerung des Lichtemissionselements 12 im Wesentlichen nicht. Jedoch zum Zweck einer Struktur mit besserer Qualität kann die zweite Grenzflächenschicht 13B, die auf der ersten Elektrode 12A gebildet ist, durch Verwenden einer Fotolithografietechnik und einer Ätztechnik entfernt werden.
Als Nächstes wird zum Beispiel die organische Schicht 12B durch Stapeln der Lochinjektionsschicht 12B₁ , der Lochtransportschicht 12B₂ , der Lichtemissionsschicht 12B₃ und der Elektronentransportschicht 12B₄ auf der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 in dieser Reihenfolge durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren gebildet. Als Nächstes wird die zweite Elektrode 12C auf der organischen Schicht 12B durch zum Beispiel das Sputterverfahren gebildet. Infolgedessen werden die mehreren Lichtemissionselemente 12 auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 gebildet.
Als Nächstes wird die Schutzschicht 15 auf der zweiten Elektrode 12C durch zum Beispiel das Gasphasenabscheidungsverfahren oder das CVD-Verfahren gebildet und wird dann das Farbfilter 16 auf der Schutzschicht 15 gebildet. Es wird angemerkt, dass zum Ebnen einer Stufe der Schutzschicht 15 und einer Stufe aufgrund eines Unterschieds der Filmdicke des Farbfilters 16 selbst eine Ebnungsschicht auf einer oberen Seite, einer unteren Seite oder sowohl der oberen und unteren Seite des Farbfilters 16 gebildet werden kann. Als Nächstes wird zum Beispiel das Farbfilter 16 mit der eingefüllten Harzschicht 17 durch ein Ein-Tropfen-Füll(ODF: One Drop Fill)-Verfahren bedeckt und dann wird das zugewandte Substrat 18 auf der eingefüllten Harzschicht 17 platziert. Als Nächstes werden zum Beispiel das Substrat 11 und das zugewandte Substrat 18 über die eingefüllte Harzschicht 17 miteinander verklebt, indem Wärme auf die eingefüllte Harzschicht 17 angewandt wird oder die eingefüllte Harzschicht 17 mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt wird, um die eingefüllte Harzschicht 17 auszuhärten. Infolgedessen wird die Anzeigevorrichtung 10 versiegelt. Es wird angemerkt, dass, falls die eingefüllte Harzschicht 17 sowohl ein duroplastisches Harz und ein ultraviolettaushärtbare Harz enthält, die eingefüllte Harzschicht 17 mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt wird, um temporär ausgehärtet zu werden, und dann auf die eingefüllte Harzschicht 17 Wärme angewandt wird, um das Aushärten abzuschließen.
[Effekt]
Wie oben beschrieben, beinhaltet die Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform die mehreren ersten Elektroden 12A, die jeweils für jedes Subpixel 100 bereitgestellt sind, die Isolationsschicht 13, die eine Siliciumverbindung enthält, die zwischen den ersten Elektroden 12A bereitgestellt ist, und den Peripherierandteil der ersten Elektrode 12A bedeckt, die erste Grenzflächenschicht 14, die ein Siliciumoxid enthält und an der Grenzfläche zwischen der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 bereitgestellt ist, die organische Schicht 12B, die die Lichtemissionsschicht 12B₃ beinhaltet und auf der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 für sämtliche Pixel gemeinsam bereitgestellt ist, und die zweite Elektrode 12C, die auf der organischen Schicht 12B bereitgestellt ist. Des Weiteren beinhaltet die Isolationsschicht 13 die Volumenschicht 13A, die als eine Hauptkomponente eine Siliciumverbindung enthält, und die zweite Grenzflächenschicht 13B, die ein Siliciumoxid enthält und an der Grenzfläche zwischen der Volumenschicht 13A und der organischen Schicht 12B bereitgestellt ist. Dadurch können der Lochstrom und der Elektronenstrom, die durch die Grenzfläche zwischen der organischen Schicht 12B und der Isolationsschicht 13 transmittiert werden, unterdrückt werden. Daher können eine Abnahme der Stromlichtausbeute und eine Abnormalität der emittierten Farbe der Anzeigevorrichtung 10 unterdrückt werden.
[Modifikation]
(Modifikation 1)
5 veranschaulicht ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 10₁ gemäß einer Modifikation 1 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10₁ unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine Isolationsschicht 13₁ anstelle der Isolationsschicht 13 beinhaltet. Die Isolationsschicht 13₁ beinhaltet die Volumenschicht 13A, die zweite Grenzflächenschicht 13B und eine Zwischenschicht 13C, die zwischen der Volumenschicht 13A und der zweiten Grenzflächenschicht 13B bereitgestellt ist.
Die Zwischenschicht 13C ist eine Schicht zum Ermöglichen einer Bildung der festen Ladung in der Volumenschicht 13A. Die Zwischenschicht 13C enthält bevorzugt ein Siliciumfluorid (SiF_X), um einen Ladungs-Bias aufzuweisen. Es wird angemerkt, dass durch Analysieren der Grenzfläche zwischen der Volumenschicht 13A und der zweiten Grenzflächenschicht 13B durch zum Beispiel eine Röntgenfotoelektronenspektroskopie (XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy) bestätigt werden kann, ob die Zwischenschicht 13C ein Siliciumfluorid enthält oder nicht.
(Modifikation 2)
6 veranschaulicht ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 10₂ gemäß einer Modifikation 2 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10₂ unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine Isolationsschicht 13₂ anstelle der Isolationsschicht 13 beinhaltet. Die Isolationsschicht 13₂ beinhaltet die Volumenschicht 13A und eine zweite Grenzflächenschicht 13D mit einer Doppelschichtstruktur, die auf der Volumenschicht 13A bereitgestellt ist.
Die zweite Grenzflächenschicht 13D beinhaltet eine erste Schicht 13D₁ und eine zweite Schicht 13D₂ , die auf der ersten Schicht 13D₁ bereitgestellt ist. Die erste Schicht 13D₁ enthält zum Beispiel ein Siliciumoxid. Die zweite Schicht 13D₂ enthält zum Beispiel wenigstens eine Art eines Siliciumoxinitrids oder eines Siliciumnitrids. Es wird angemerkt, dass die Stapelungsreihenfolge der ersten Schicht 13D₁ und der zweiten Schicht 13D₂ umgekehrt sein kann.
Da die Anzeigevorrichtung 10₂ die zweite Grenzflächenschicht 13D mit der Doppelschichtstruktur aufweist, kann, wie oben beschrieben, die Gitterdehnung der zweiten Grenzflächenschicht 13D größer als die Gitterdehnung der zweiten Grenzflächenschicht 13B mit der Einzelschichtstruktur bei der ersten Ausführungsform gemacht werden. Daher kann die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts weiter verbessert werden.
Bei dem obigen Beispiel wurde der Fall beschrieben, in dem die zweite Grenzflächenschicht 13D die Doppelschichtstruktur aufweist, aber die zweite Grenzflächenschicht 13D kann eine gestapelte Struktur aus zwei oder mehr Schichten aufweisen. In diesem Fall kann wenigstens eine der zwei oder mehr Schichten ein Siliciumoxid enthalten. Des Weiteren kann wenigstens eine der zwei oder mehr Schichten wenigstens eine Art eines Siliciumoxinitrids oder eines Siliciumnitrids enthalten. Selbst in dem Fall des Annehmens der gestapelten Struktur aus zwei oder mehr Schichten kann die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts weiter verbessert werden.
(Modifikation 3)
7 veranschaulicht ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 10₃ gemäß einer Modifikation 3 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10₃ unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine Isolationsschicht 13₃ anstelle der Isolationsschicht 13 beinhaltet.
Die Isolationsschicht 13₃ beinhaltet die Volumenschicht 13A und eine zweite Grenzflächenschicht 13E, die auf der Volumenschicht 13A bereitgestellt ist. Ein Seitenwandteil 13E₁ der zweiten Grenzflächenschicht 13E, wobei der Seitenwandteil 13E₁ den Rand (Endfläche) der Volumenschicht 13A bedeckt, weist eine Zusammensetzung auf, die sich von einem Hauptoberflächenteil 13E₂ der zweiten Grenzflächenschicht 13E unterscheidet, wobei der Hauptoberflächenteil 13E₂ die Hauptoberfläche der Volumenschicht 13A bedeckt. In der vorliegenden Beschreibung bedeutet der Ausdruck „unterschiedliche Zusammensetzung“, dass die Konfigurationszusammensetzung unterschiedlich sind oder die Konfigurationszusammensetzungen die gleichen sind, aber die Verhältnisse der Konfigurationszusammensetzungen unterschiedlich sind.
Der Seitenwandteil 13E₁ und der
Hauptoberflächenteil 13E₂ enthalten zum Beispiel ein Siliciumoxid oder ein Siliciumoxinitrid mit einer unterschiedlichen Zusammensetzung. Der Seitenwandteil 13E₁ weist vorteilhafterweise eine positive feste Ladung und ist vorteilhafterweise positiv geladen. Ein Fluss der Löcher in die obere Oberfläche der Isolationsschicht 13₃ durch den Rand der Isolationsschicht 13₃ von der ersten Elektrode 12A kann unterdrückt werden. Daher kann der Lochstromleckverlust weiter unterdrückt werden.
Die Konfigurationsmaterialien des Seitenwandteils 13E₁ für das Bereitstellen der positiven festen Ladung beinhalten zum Beispiel wenigstens eine Art, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Germaniumoxid (GeO₂), einem Yttriumoxid (Y₂O₃), einem Lutetiumoxid (Lu₂O₃), einem Lanthanoxid (La₂O₃) und einem Strontiumoxid (SrO) besteht.
Die zweite Grenzflächenschicht 13E mit der oben beschriebenen Konfiguration wird zum Beispiel wie folgt gebildet. Nachdem die erste Grenzflächenschicht 14 gebildet wurde, wird eine Isolationsschicht, die die Siliciumverbindung als eine Hauptkomponente enthält, durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet. Zu dieser Zeit wird ein Flussverhältnis eines Gases angepasst und wird ein Siliciumoxidfilm auf dem Oberflächenteil der Isolationsschicht gebildet. Anschließend wird, nachdem die Isolationsschicht unter Verwendung der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert wurde, ein Siliciumoxidfilm nur auf dem Seitenwandteil durch zum Beispiel eine schräge Abscheidung gebildet.
(Modifikation 4)
8 veranschaulicht ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 10₄ gemäß einer Modifikation 4 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10₄ unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine Einzelschichtisolationsschicht 13₄ anstelle der Isolationsschicht 13 einschließlich der Volumenschicht 13A und der zweiten Grenzflächenschicht 13B beinhaltet.
Die Isolationsschicht 13₄ enthält eine Siliciumverbindung als eine Hauptkomponente in dem Volumenteil und enthält ein Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B. Hier bedeutet die „Hauptkomponente“ eine Materialkomponente, die in der Isolationsschicht 13₄ mit dem größten Anteil enthalten ist. Die Siliciumverbindung ist der Siliciumverbindung ähnlich, die in der Volumenschicht 13A bei der ersten Ausführungsform enthalten ist.
Die Zusammensetzung der Isolationsschicht 13₄ ändert sich zum Beispiel kontinuierlich von dem Volumenteil zu der äußersten Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B. Insbesondere nimmt die Sauerstoffkonzentration der Isolationsschicht 13₄ (insbesondere die Konzentration des Siliciumoxids in der Isolationsschicht 13₄ ) graduell von dem Volumenteil zu der äußersten Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B zu. Die Zusammensetzung der Isolationsschicht 13₄ kann sich von dem Volumenteil kontinuierlich zu einer Oberfläche auf einer Randseite ändern. In diesem Fall kann die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts weiter verbessert werden.
Das Siliciumoxid ist bevorzugt innerhalb eines Bereichs von der äußersten Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B bis zu der Tiefe von 10 nm oder weniger der Isolationsschicht 13₄ enthalten. Dies liegt darin begründet, dass die Gitterdehnung in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B erhöht werden kann, indem die Konzentration des Siliciumoxids in einem schmalen Bereich geändert wird.
Die Isolationsschicht 13₄ kann ferner Stickstoff in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B enthalten. In diesem Fall kann Stickstoff eine Bindung mit Silicium in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B ausbilden und kann als ein Siliciumnitrid oder ein Siliciumoxinitrid vorhanden sein. Da der Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B ferner Stickstoff enthält, wird der Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B wahrscheinlich die Gitterdehnung erzeugen, und die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts kann weiter verbessert werden.
Falls die Isolationsschicht 13₄ das Siliciumnitrid in dem Volumenteil als eine Hauptkomponente enthält, beträgt das Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B bevorzugt 80 % oder mehr. Wenn das oben beschriebene Verhältnis 80 % oder mehr beträgt, kann die Gitterdehnung aufgrund eines Unterschieds der Zusammensetzung zwischen dem Volumenteil der Isolationsschicht 13 und dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B effektiv in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht 12B erzeugt werden. Daher kann die Funktion zum Unterdrücken des Lochstromleckverlusts und des Elektronenstromleckverlusts weiter verbessert werden. Das oben beschriebene Verhältnis des Oberflächenteils auf der Seite der organischen Schicht 12B wird ähnlich dem Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids erhalten und das Siliciumnitrid in der zweiten Grenzflächenschicht 13B der ersten Ausführungsform erhalten.
Es wird angemerkt, dass es vorteilhafter ist, die Konfiguration mit der zweiten Grenzflächenschicht 13B, die auf der Oberfläche der Volumenschicht 13A bereitgestellt ist, wie bei der ersten Ausführungsform, als die Konfiguration mit der kontinuierlichen Änderung der Zusammensetzung der Isolationsschicht 13₄ anzunehmen, wie oben beschrieben ist. Dies liegt darin begründet, dass das Bereitstellen der zweiten Grenzflächenschicht 13B die Gitterdehnung auf der Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B der Isolationsschicht 13 ermöglicht und den Leckverlustunterdrückungseffekt weiter verbessern kann.
(Modifikation 5)
9 veranschaulicht ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 10₅ gemäß einer Modifikation 5 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung 10₅ unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine erste Elektrode 12D mit einer gestapelten Struktur anstelle der ersten Elektrode 12A mit einer Einzelschichtstruktur aufweist.
Die erste Elektrode 12D beinhaltet eine Metallschicht 12D₁ und eine leitfähige Oxidschicht 12D₂ , die eine Transparenz aufweist und auf der Metallschicht 12D₁ bereitgestellt ist. Die Metallschicht 12D₁ ist der Metallschicht ähnlich, die als die erste Elektrode 12A bei der ersten Ausführungsform verwendet wird. Die leitfähige Oxidschicht 12D₂ beinhaltet bevorzugt wenigstens eine Art von Metalloxid, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Gemisch (ITO) aus einem Indiumoxid und einem Zinnoxid, einem Gemisch (IZO) aus einem Indiumoxid und einem Zinkoxid und einem Gemisch (IGZO) aus einem Indiumoxid, einem Galliumoxid und einem Zinkoxid besteht. Dies liegt darin begründet, dass diese Metalloxide eine hohe Austrittsarbeit aufweisen, so dass eine Lochinjektionseigenschaft verbessert werden kann.
Die erste Grenzflächenschicht 14 ist insbesondere bei der Anzeigevorrichtung 10₅ einschließlich der ersten Elektrode 12D mit der obigen Konfiguration effektiv. Wenn die leitfähige Oxidschicht 12D₂ und die Isolationsschicht 13 (insbesondere die Volumenschicht 13A) aneinander angrenzen, tritt ein Austausch von Elementen (zum Beispiel Sauerstoff), die diese Schichten darstellen, besonders wahrscheinlich auf. Aus diesem Grund ist, falls die erste Grenzflächenschicht 14 bereitgestellt ist, der Effekt des Unterdrückens des Austauschs von Elementen, die Filme zwischen der leitfähigen Oxidschicht 12D₂ und der Isolationsschicht 13 darstellen, auffallend ausgeprägt.
<Zweite Ausführungsform>
[Konfiguration der Anzeigevorrichtung]
10 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 11 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 10 veranschaulichten Anzeigevorrichtung 20 veranschaulicht. Die Anzeigevorrichtung 20 unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass sie eine Isolationsschicht 23 und eine erste Grenzflächenschicht 24 anstelle der Isolationsschicht 13 und der ersten Grenzflächenschicht 14 beinhaltet.
(Isolationsschicht)
Die Isolationsschicht 23 dient dem elektrischen Separieren einer ersten Elektrode 12A für jedes von Subpixeln 100R, 100G und 100B. Die Isolationsschicht 23 ist zwischen Seitenoberflächen der ersten Elektroden 12A bereitgestellt, die in einer ebeneninternen Richtung eines Substrats 11 aneinander angrenzen. Eine obere Oberfläche der Isolationsschicht 23 ist flach. Bei der vorliegenden Beschreibung verweist die „obere Oberfläche“ auf eine Oberfläche einer Anzeigeoberflächenseite der Anzeigevorrichtung 20.
Die Isolationsschicht 23 beinhaltet eine Volumenschicht 23A, die als ein Hauptkörper der Isolationsschicht dient, und eine zweite Grenzflächenschicht 23B, die an einer Grenzfläche zwischen der Volumenschicht 23A und einer organischen Schicht 12B bereitgestellt ist. Bei der zweiten Ausführungsform wird der Fall beschrieben, in dem die zweite Isolationsschicht 23 die zweite Grenzflächenschicht 23B beinhaltet, aber die Isolationsschicht 23 muss nicht die zweite Grenzflächenschicht 23B beinhalten.
Die Volumenschicht 23A ist der Volumenschicht 13A bei der ersten Ausführungsform ähnlich, mit der Ausnahme, dass die Volumenschicht 23A zwischen den Seitenoberflächen der ersten Elektroden 12A bereitgestellt ist, die in der ebeneninternen Richtung des Substrats 11 aneinander angrenzen, ohne einen Peripherierandteil der ersten Elektrode 12A zu bedecken. Die zweite Grenzflächenschicht 23B ist der zweiten Grenzflächenschicht 13B bei der ersten Ausführungsform ähnlich, mit der Ausnahme, dass die zweite Grenzflächenschicht 23B auf einer oberen Oberfläche der Volumenschicht 23A bereitgestellt ist.
(Erste Grenzflächenschicht)
Die erste Grenzflächenschicht 24 ist zwischen einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht 23 und der Seitenoberfläche der ersten Elektrode 12A bereitgestellt. Eine obere Oberfläche der ersten Grenzflächenschicht 24 ist flach. In der ersten Grenzflächenschicht 24 sind Konfigurationen außer den obigen jenen der ersten Grenzflächenschicht 14 bei der ersten Ausführungsform ähnlich.
(Organische Schicht)
Die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A ist im Wesentlichen konstant. Das heißt, die obere Oberfläche der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A ist im Wesentlichen flach. Dadurch kann ein vertikaler Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und einer zweiten Elektrode 12C (insbesondere einem Teil der zweiten Elektrode 12C, wobei der Teil einem oberhalb der ersten Elektrode 12A entspricht) (siehe den Pfeil I₁ in 11) unterdrückt werden. Im Gegensatz dazu wird, wie in 12 veranschaulicht, in einer Anzeigevorrichtung 20A, bei der eine Vertiefung 12BA in der oberen Oberfläche der organischen Schicht 12B gebildet ist, wobei der Teil einem Peripherierandteil der ersten Elektrode 12A entspricht, und die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A nicht im Wesentlichen konstant ist (das heißt, einer Anzeigevorrichtung, bei der die obere Oberfläche der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A nicht im Wesentlichen flach ist), ein elektrisches Feld auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C konzentriert. Dadurch wird der vertikale Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C (insbesondere dem Teil der zweiten Elektrode 12C, wobei der Teil einem oberhalb der ersten Elektrode 12A entspricht) (siehe den Pfeil I₁ in 11) groß. In der vorliegenden Beschreibung verweist der Ausdruck „vertikaler Leckverlust“ auf einen Lochstromleckverlust und einen Elektronenstromleckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C in einer Dickenrichtung der organischen Schicht 12B.
In der vorliegenden Beschreibung bedeutet „die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A ist im Wesentlichen konstant“, dass eine Variation der Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A innerhalb von ±5 % der durchschnittlichen Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A ist. Des Weiteren bedeutet „die obere Oberfläche der organischen Schicht 12B ist im Wesentlichen flach“, dass eine Verlagerung der oberen Oberfläche der organischen Schicht 12B (Verlagerung in der Dickenrichtung der organischen Schicht 12B) innerhalb von ±5 % der durchschnittlichen Dicke der organischen Schicht 12B liegt. Es wird angemerkt, dass die Dicke und die durchschnittliche Dicke der organischen Schicht 12B ähnlich der Dicke und der durchschnittlichen Dicke der ersten Grenzflächenschicht 14 bei der ersten Ausführungsform erhalten werden.
(Beziehung von Höhen von Schichten)
Eine Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und eine Höhe H₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum erfüllen eine Beziehung von H₁ ≤ H₂. Dadurch kann die Konzentration des elektrischen Feldes auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C unterdrückt werden. Daher kann ein vertikaler Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C (insbesondere einem Teil der zweiten Elektrode 12C, wobei der Teil einem Teil um die erste Elektrode 12A herum entspricht) (siehe den Pfeil I₂ in 11) unterdrückt werden. Im Gegensatz dazu wird, wie in 13 veranschaulicht, in einer Anzeigevorrichtung 20B, bei der die Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und die Höhe H₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum die Beziehung von H₁ ≤ H₂ nicht erfüllen, das elektrische Feld auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C konzentriert. Dadurch wird der vertikale Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C (insbesondere dem Teil der zweiten Elektrode 12C, wobei der Teil einem Teil um die ersten Elektrode 12A herum entspricht) (siehe den Pfeil I₂ in 13) groß. In der vorliegenden Beschreibung bedeutet der „Teil um die erste Elektrode 12A herum“ einen Bereich von 50 nm oder weniger von der Seitenoberfläche der ersten Elektrode 12A.
Die Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A, eine Höhe H₂₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Grenzflächenschicht 24 und eine Höhe H₂₂ der organischen Schicht in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum erfüllen eine Beziehung von H₁ ≤ H₂₁ ≤ H₂₂. Selbst in diesem Fall kann der vertikale Leckverlust (siehe den Pfeil I₂ in 11) unterdrückt werden.
11 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem die Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und die Höhe H₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum eine Beziehung von H₁ = H₂ erfüllen. 14 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem die Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und die Höhe H₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum eine Beziehung von H₁ < H₂ erfüllen.
Eine Höhe h₁ der ersten Elektrode 12A, eine Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht 24 und eine Höhe h₃ der Isolationsschicht 23 erfüllen bevorzugt eine Beziehung von h₁ ≤ h₂ ≤ h₃. Wenn die obige Beziehung erfüllt wird, kann, falls die organische Schicht 12B durch das CVD-Verfahren oder dergleichen auf der ersten Elektrode 12A, der ersten Grenzflächenschicht 24 und der Isolationsschicht 23 gebildet ist, die organische Schicht 12B erhalten werden, bei der die Höhe H₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und die Höhe H₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum die Beziehung H₁ ≤ H₂ erfüllen. Daher kann der vertikale Leckverlust wie oben beschrieben unterdrückt werden.
11 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem die Höhe h₁ der ersten Elektrode 12A, die Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht 24 und die Höhe h₃ der Isolationsschicht 23 eine Beziehung von h₁ = h₂ = h₃ erfüllen. 12 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem die Höhe h₁ der ersten Elektrode 12A, die Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht 24 und die Höhe h₃ der Isolationsschicht 23 eine Beziehung von h₁ < h₂ = h₃ erfüllen. 14 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem die Höhe h₁ der ersten Elektrode 12A, die Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht 24 und die Höhe h₃ der Isolationsschicht 23 eine Beziehung von h₁ = h₂ < h₃ erfüllen.
[Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung]
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 20 mit der obigen Konfiguration beschrieben.
Zuerst wird das Substrat 11 einschließlich eines Ansteuerschaltkreises und dergleichen, wie in 15A veranschaulicht ist, unter Verwendung zum Beispiel einer Dünnfilmbildungstechnik, einer Fotolithografietechnik und einer Ätztechnik gebildet. Als Nächstes wird zum Beispiel eine Elektrodenschicht 12A1, wie etwa eine Metallschicht oder eine Metalloxidschicht, auf dem Substrat 11, wie in 15B veranschaulicht, durch ein Sputterverfahren gebildet und dann wird die Elektrodenschicht 12A1 durch Verwendung zum Beispiel der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert, so dass mehrere erste Elektroden 12A gebildet werden, die für jedes Lichtemissionselement 12 (das heißt für jedes Subpixel 100) separiert sind, wie in 15C veranschaulicht ist.
Als Nächstes wird die erste Grenzflächenschicht 24 zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 gebildet, auf der die mehreren ersten Elektroden 12A gebildet wurden, wie in 15D veranschaulicht ist, und dann wird die erste Grenzflächenschicht 24 durch zum Beispiel ein Rückätzungsverfahren entfernt, während die erste Grenzflächenschicht 24 auf der Seitenoberfläche der ersten Elektrode 12A verbleibt, wie in 15E veranschaulicht ist. Als Nächstes wird die Volumenschicht 23A zum Beispiel durch das CVD-Verfahren auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 gebildet, um die erste Elektrode 12A und die erste Grenzflächenschicht 24 zu bedecken, wie in 15F veranschaulicht ist. Als Nächstes wird eine Fotolackschicht 23A1 zum Beispiel durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren auf der Volumenschicht 23A gebildet, um die Oberfläche eben zu machen, wie in 16A veranschaulicht ist. Als Nächstes wird die Fotolackschicht 23A1 entfernt und wird ein Teil der Volumenschicht 23A durch zum Beispiel das Rückätzungsverfahren entfernt, so dass die erste Elektrode 12A, die erste Grenzflächenschicht 24 und die Volumenschicht 23A mit im Wesentlichen der gleichen Dicke gebildet werden, wie in 16B veranschaulicht ist.
Als Nächstes wird die Oberfläche der Volumenschicht 23A plasmabehandelt, um die zweite Grenzflächenschicht 23B zu bilden, oder wird die zweite Grenzflächenschicht 23B auf der oberen Oberfläche der Volumenschicht 23A durch ein Atomlagenabscheidung(ALD)-Verfahren gebildet, wie in 16C veranschaulicht ist. Infolgedessen wird die Isolationsschicht 23 erhalten.
Als Nächstes wird die organische Schicht 12B mit einer im Wesentlichen ebenen oberen Oberfläche, wie in 16D veranschaulicht, durch Stapeln der Lochinjektionsschicht 12B₁ , der Lochtransportschicht 12B₂ , der Lichtemissionsschicht 12B₃ und der Elektronentransportschicht 12B₄ auf der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 23 in dieser Reihenfolge zum Beispiel durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren gebildet.
Die Anzeigevorrichtung 20 kann durch Durchführen anderer Schritte erhalten werden, die dem Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 10 bei der ersten Ausführungsform ähnlich sind.
[Effekt]
Wie oben beschrieben, ist bei der Anzeigevorrichtung 20 gemäß der zweiten Ausführungsform die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A im Wesentlichen konstant und erfüllen die Höhe h₁ der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A und die Höhe h₂ der organischen Schicht 12B in einem Teil um die erste Elektrode 12A herum die Beziehung von h₁ ≤ h₂. Dadurch kann die Konzentration des elektrischen Feldes auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C unterdrückt werden. Daher kann das Auftreten des vertikalen Leckverlusts (siehe Pfeile I₁ und I₂ in 11) aufgrund der Konzentration des elektrischen Feldes unterdrückt werden.
Da die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A im Wesentlichen konstant ist, kann das Auftreten einer Farbverschiebung aufgrund einer Änderung der Filmdicke (Kavitätsverschiebung) der organischen Schicht 12B unterdrückt werden.
[Modifikation]
Bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform wurde der Fall beschrieben, in dem die erste Grenzflächenschicht 24 den Peripherierandteil der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 24A nicht bedeckt. Wie jedoch in 17 veranschaulicht, kann die erste Grenzflächenschicht 24 den Peripherierandteil der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 12A bedecken.
<Dritte Ausführungsform>
[Konfiguration der Anzeigevorrichtung]
18 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung 30 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Eine organische Schicht 12B weist mehrere Vorsprünge 12CA auf einer oberen Oberfläche auf. Die mehreren Vorsprünge 12CA sind in Teilen bereitgestellt, die jeweiligen Peripherierandteilen mehrerer erster Elektroden 12A entsprechen. Die Dicke der organischen Schicht 12B in einem Gebiet innerhalb des Vorsprungs 12CA ist im Wesentlichen konstant.
Eine erste Grenzflächenschicht 14 weist mehrere Öffnungen (erste Öffnungen) 14H auf, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden 12A bereitgestellt sind. Eine Isolationsschicht 13 weist mehrere Öffnungen (zweite Öffnungen) 13H auf, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden 12A bereitgestellt sind. Ein Peripherierand der Öffnung 14H befindet sich innerhalb eines Peripherierandes der Öffnung 13H. Das heißt, die erste Grenzflächenschicht 14 weist eine Ausbuchtung 14A auf, die mit Bezug auf den Peripherierand der Öffnung 13H der Isolationsschicht 13 hervorsteht. Die Dicke der Ausbuchtung 14A ist zum Beispiel im Wesentlichen einheitlich.
Da sich der Peripherierand der Öffnung 14H innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 13H befindet, kann, falls die organische Schicht 12B durch ein CVD-Verfahren oder dergleichen gebildet wird, unterdrückt werden, dass ein Teil innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 13H hinter der Isolationsschicht 13 um die Öffnung 13H herum verdeckt wird und die Dicke der organischen Schicht 12B in einem Teil innerhalb des Vorsprungs 12CA dünner wird. Das heißt, eine Bildung einer Vertiefung 12CB (siehe 19) in einem Teil der oberen Oberfläche der organischen Schicht 12B, wobei sich der Teil innerhalb des Vorsprungs 12CA befindet, unterdrückt werden. Daher kann ein vertikaler Leckverlust (siehe Pfeile I₃ in 18) aufgrund der Konzentration des elektrischen Feldes unterdrückt werden.
Im Gegensatz dazu wird bei der Peripherievorrichtung 30A, bei der der Peripherierand der Öffnung 14H mit dem Peripherierand der Öffnung 13H ausgerichtet ist, falls die organische Schicht 12B durch ein CVD-Verfahren oder dergleichen gebildet wird, ein Teil innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 12H hinter der Isolationsschicht 13 um die Öffnung 13H herum verdeckt und wird die Dicke der organischen Schicht 12B in einem Teil innerhalb des Vorsprungs 12CA dünn. Das heißt, die Vertiefung 12CB wird in einem Teil der oberen Oberfläche der organischen Schicht 12B gebildet, wobei sich der Teil innerhalb des Vorsprungs 12CA befindet. Daher wird der vertikale Leckverlust (siehe Pfeile I₃ in 19) aufgrund einer Konzentration des elektrischen Feldes groß.
Ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht 13 ist bevorzugt höher als ein Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht 14. Daher kann sich der Peripherierand der Öffnung 14H innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 13H befinden. Das Aperturverhältnis der Isolationsschicht 13 ist ein Verhältnis einer Gesamtfläche der Öffnung 13H der Isolationsschicht 13 zu einer Fläche eines Bildungsgebiets der Isolationsschicht 13. Das Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht 14 ist ein Verhältnis einer Gesamtfläche der Öffnung 14H der ersten Grenzflächenschicht 14 zu einer Fläche eines Bildungsgebiets der ersten Grenzflächenschicht 14. Bei der dritten Ausführungsform sind Konfigurationen außer den obigen jenen der ersten Ausführungsform ähnlich.
[Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung]
Zuerst werden ein Prozess zum Bilden eines Substrats 11 bis zu einem Prozess zum Bilden der ersten Grenzflächenschicht 14 ähnlich der zweiten Ausführungsform durchgeführt und wird die erste Grenzflächenschicht 14 auf einer Hauptoberfläche des Substrats 11 gebildet, auf der mehrere erste Elektroden 12A gebildet wurden, wie in 20A veranschaulicht ist.
Als Nächstes wird eine Volumenschicht 13A zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren auf der ersten Grenzflächenschicht 14 gebildet, wie in 20B veranschaulicht ist. Als Nächstes wird eine Fotolackschicht 13A1 zum Beispiel durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren auf der Volumenschicht 13A gebildet und wird dann eine Öffnung in einem Teil der Fotolackschicht 13A1 gebildet, wobei der Teil einem oberhalb der ersten Elektrode 12A entspricht, wie in 20C veranschaulicht ist. Als Nächstes werden die Öffnung 14H und die Öffnung 13H durch zum Beispiel ein Ätzverfahren in Teilen der ersten Grenzflächenschicht 14 und der Volumenschicht 13A gebildet, wobei die Teile einem oberhalb der ersten Elektrode 12A entsprechen, wie in 21A veranschaulicht ist. Zu dieser Zeit wird eine Ätzrate zwischen der ersten Grenzflächenschicht (zum Beispiel SiO-Schicht) und der Volumenschicht 13A (zum Beispiel SiN-Schicht) unter Verwendung eines Abscheidungsgases, wie etwa CH₂F₂, angepasst und wird eine Ätzung durchgeführt. Infolgedessen werden die Öffnung 13H und die Öffnung 14H derart gebildet, dass sich der Peripherierand der Öffnung 14H innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 13H befindet.
Als Nächstes wird die Oberfläche der Volumenschicht 13A plasmabehandelt, um eine zweite Grenzflächenschicht 13B zu bilden, oder wird die zweite Grenzflächenschicht 13B auf der oberen Oberfläche der Volumenschicht 13A durch ein Atomlagenabscheidung(ALD)-Verfahren gebildet, wie in 21B veranschaulicht ist. Infolgedessen wird die Isolationsschicht 13 erhalten.
Als Nächstes werden zum Beispiel eine Lochinjektionsschicht 12B_1, eine Lochtransportschicht 12B_2, eine Lichtemissionsschicht 12B₃ und eine Elektronentransportschicht 12B₄ auf der ersten Elektrode 12A und der Isolationsschicht 13 in dieser Reihenfolge durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren gestapelt. Dadurch wird die organische Schicht 12B mit den mehreren Vorsprüngen 12CA auf der oberen Oberfläche und mit einer im Wesentlichen konstanten Dicke in dem Gebiet innerhalb des Vorsprungs 12CA gebildet, wie in 21C veranschaulicht ist.
Die Anzeigevorrichtung 30 kann durch Durchführen anderer Schritte erhalten werden, die dem Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 10 bei der ersten Ausführungsform ähnlich sind.
[Effekt]
Wie oben beschrieben, ist bei der Anzeigevorrichtung 20 gemäß der dritten Ausführungsform die Dicke der organischen Schicht 12B in dem Gebiet innerhalb des Vorsprungs 12CA im Wesentlichen konstant. Dadurch kann eine Konzentration eines elektrischen Feldes auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C unterdrückt werden. Daher kann ein vertikaler Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C (siehe die Pfeile I₃ in 18) unterdrückt werden.
Im Gegensatz dazu wird, wie in 19 veranschaulicht, bei der Anzeigevorrichtung 30A, bei der die organische Schicht 12B die Vertiefung 12CB innerhalb des Vorsprungs 12CA aufweist und die Dicke der organischen Schicht 12B in dem Gebiet innerhalb des Vorsprungs 12CA nicht im Wesentlichen konstant ist, das elektrische Feld auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C konzentriert. Daher ist eine Unterdrückung des vertikalen Leckverlusts zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C (siehe die Pfeile I₃ in 19) schwierig.
[Modifikation]
Bei der oben beschriebenen dritten Ausführungsform wurde der Fall beschrieben, in dem die Dicke der Ausbuchtung 14A im Wesentlichen einheitlich ist. Jedoch kann die Ausbuchtung 14A eine sich verjüngende Form aufweisen, bei der die Dicke der Ausbuchtung 14A mit zunehmender Entfernung von der Öffnung 14H zunimmt, wie in 22 veranschaulicht ist.
<Vierte Ausführungsform>
[Konfiguration der Anzeigevorrichtung]
23 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung 40 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 24A ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil der in 23 veranschaulichten Anzeigevorrichtung 40 veranschaulicht. Eine Isolationsschicht 43 weist mehrere geneigte Oberflächen 43C auf, die jeweils mit Bezug auf eine obere Oberfläche einer ersten Elektrode 12A hervorstehen und die mehreren ersten Elektroden 12A jeweils umgeben. Die Isolationsschicht 43 weist eine Öffnung 43H in einem Teil auf, der einer Unterseite der geneigten Oberfläche 43C entspricht. Die Unterseite der Isolationsschicht 43 bedeckt einen Peripherierandteil der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 12A zu einer Seitenoberfläche (Endfläche) der ersten Elektrode 12A.
Die Dicke einer organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A ist im Wesentlichen konstant. Die Öffnung 43H ist auf der ersten Elektrode 12A bereitgestellt. Ein Peripherierand einer Öffnung 14H befindet sich innerhalb eines Peripherierandes der Öffnung 43H. Das heißt, eine erste Grenzflächenschicht 14 weist eine Ausbuchtung 14A auf, die mit Bezug auf den Peripherierand der Öffnung 43H der Isolationsschicht 43 hervorsteht. Die Dicke der Ausbuchtung 14A ist zum Beispiel im Wesentlichen einheitlich. Die Ausbuchtung 14A kann eine sich verjüngende Form aufweisen, bei der die Dicke mit zunehmender Entfernung von der Öffnung 14H zunimmt.
Da sich der Peripherierand der Öffnung 14H innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 43H befindet, kann, falls die organische Schicht 12B durch ein CVD-Verfahren oder dergleichen gebildet wird, in einem Teil innerhalb eines unteren Teils der geneigten Oberfläche 43C aufgrund dessen, dass sie hinter der geneigten Oberfläche 43C verdeckt ist, unterdrückt werden, dass die Dicke der organischen Schicht 12B dünner wird. Daher kann die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A im Wesentlichen konstant gemacht werden. Daher kann das Auftreten des vertikalen Leckverlusts aufgrund der Konzentration des elektrischen Feldes unterdrückt werden.
Ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht 43 ist bevorzugt höher als das Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht 14. Daher kann sich der Peripherierand der Öffnung 43H innerhalb des Peripherierandes der Öffnung 13H befinden. Das Aperturverhältnis der Isolationsschicht 43 ist ein Verhältnis einer Gesamtfläche der Öffnung 43H der Isolationsschicht 43 zu einer Fläche eines Bildungsgebiets der Isolationsschicht 43.
Die Isolationsschicht 43 beinhaltet eine Volumenschicht 43A, die als ein Hauptkörper der Isolationsschicht dient, und eine zweite Grenzflächenschicht 43B, die an einer Grenzfläche zwischen der Volumenschicht 43A und der organischen Schicht 12B bereitgestellt ist. Bei der vierten Ausführungsform wird der Fall beschrieben, in dem die zweite Isolationsschicht 43 die zweite Grenzflächenschicht 43B beinhaltet, aber die Isolationsschicht 43 muss nicht die zweite Grenzflächenschicht 43B beinhalten.
Die Zusammensetzung der Isolationsschicht 43 kann sich kontinuierlich von dem Volumenteil zu einer äußersten Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B ändern. Insbesondere kann die Sauerstoffkonzentration der Isolationsschicht 43 (insbesondere die Konzentration eines Siliciumoxids in der Isolationsschicht 43) graduell von dem Volumenteil zu der äußersten Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht 12B zunehmen. Die Zusammensetzung der Isolationsschicht 43 kann sich von dem Volumenteil kontinuierlich zu einer Oberfläche auf einer Randseite ändern. Bei der vierten Ausführungsform sind Konfigurationen außer den obigen jenen der dritten Ausführungsform ähnlich.
[Effekt]
Bei der vierten Ausführungsform ist die Dicke der organischen Schicht 12B auf der ersten Elektrode 12A im Wesentlichen konstant. Dadurch kann eine Konzentration eines elektrischen Feldes auf einen Teil zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C unterdrückt werden. Daher kann ein vertikaler Leckverlust zwischen der ersten Elektrode 12A und der zweiten Elektrode 12C unterdrückt werden.
Des Weiteren weist die Isolationsschicht 43 die mehreren geneigten Oberflächen 43C auf, die die mehreren ersten Elektroden 12A jeweils umgeben. Infolgedessen kann von einem Lichtemissionselement 12 emittiertes Licht durch die geneigte Oberfläche 43C zu einer oberen Seite der ersten Elektrode 12A hin reflektiert werden. Daher kann eine Leuchtdichte der Anzeigevorrichtung 40 verbessert werden.
[Modifikation]
Bei der oben beschriebenen vierten Ausführungsform wurde der Fall beschrieben, in dem die Unterseite der Isolationsschicht 43 den Peripherierandteil der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 12A bedeckt, aber wie in 24B veranschaulicht, die Unterseite der Isolationsschicht 43 kann zwischen Seitenoberflächen der ersten Elektroden 12A bereitgestellt sein und die Unterseite der Isolationsschicht 43 bedeckt den Peripherierandteil der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 12A möglicherweise nicht.
<Beispiele einer Resonatorstruktur, die auf Ausführungsformen angewandt wird>
Das für die Anzeigevorrichtung gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Offenbarung verwendete Pixel kann eine Resonatorstruktur beinhalten, die in dem Lichtemissionselement erzeugtes Licht resoniert. Nachfolgend wird die Resonatorstruktur unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
(Resonatorstruktur: Erstes Beispiel)
25A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines ersten Beispiels für die Resonatorstruktur. In der folgenden Beschreibung können die Lichtemissionselemente 12, die jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechend bereitgestellt werden, als Lichtemissionselemente 12_R, 12_G bzw. 12_B bezeichnet werden. Des Weiteren können Teile der organischen Schichten 12B, wobei die Teile jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechen, als organische Schichten 40_R, 40_G bzw. 40_B bezeichnet werden.
Bei dem ersten Beispiel werden die ersten Elektroden 12A mit einer Filmdicke gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein ist. Das gleiche gilt gleichermaßen für die zweiten Elektroden 12C.
Ein Reflektor 71 ist unterhalb der ersten Elektrode 12A des Lichtemissionselements 12 jenseits einer optischen Anpassungsschicht 72 angeordnet. Eine Resonatorstruktur, die durch die organische Schicht 12B erzeugtes Licht resoniert, ist zwischen dem Reflektor 71 und der zweiten Elektrode 12C gebildet. In der folgenden Beschreibung können die optischen Anpassungsschichten 72, die jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechend bereitgestellt werden, als optische Anpassungsschichten 72_R, 72_G bzw. 72_B bezeichnet werden.
Die Reflektoren 71 sind mit einer Filmdicke gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein ist. Die Filmdicke der optischen Anpassungsschicht 72 unterscheidet sich in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe. Da die optischen Anpassungsschichten 72_R, 72_G und 72_B unterschiedliche Filmdicken aufweisen, kann eine optische Entfernung eingestellt werden, die eine optimale Resonanz für eine Wellenlänge von Licht gemäß der anzuzeigenden Farbe bewirkt.
Bei dem veranschaulichten Beispiel sind die oberen Oberflächen der Reflektoren 71 der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B so angeordnet, dass sie ausgerichtet sind. Da sich, wie oben beschrieben, die Filmdicke der optischen Anpassungsschicht 72 in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe unterscheidet, unterscheidet sich die Position der oberen Oberfläche der zweiten Elektrode 12C in Abhängigkeit von der Art des Lichtemissionselements 12_R, 12_G oder 12_B.
Der Reflektor 71 kann unter Verwendung zum Beispiel eines Metalls, wie etwa Aluminium (Al), Silber (Ag) oder Kupfer (Cu), oder einer Legierung, die das zuvor genannte Metall als eine Hauptkomponente enthält, gebildet werden.
Die optische Anpassungsschicht 72 kann unter Verwendung eines anorganischen Isolationsmaterials, wie etwa eines Siliciumnitrids (SiN_X), eines Siliciumoxids (SiO_X) oder eines Siliciumoxinitrids (SiO_xN_y) , oder eines organischen Harzmaterials, wie etwa eines Acrylharzes oder eines Polyimidharzes, konfiguriert sein. Die optische Anpassungsschicht 72 kann eine einzige Schicht oder ein gestapelter Film aus mehreren der zuvor genannten Materialien sein. Des Weiteren kann sich die Anzahl an Schichten in Abhängigkeit von der Art des Lichtemissionselements 12 unterscheiden.
Die erste Elektrode 12A kann unter Verwendung eines transparenten leitfähigen Materials, wie etwa eines Indiumzinnoxids (ITO), eines Indiumzinkoxids (IZO) oder eines Zinkoxids (ZnO), gebildet werden.
Die zweite Elektrode 12C muss als ein halbtransmittierender reflektierender Film fungieren. Die zweite Elektrode 12C kann unter Verwendung von Magnesium (Mg) oder Silber (Ag) oder einer Magnesium-Silber(MgAg)-Legierung, die Magnesium (Mg) und Silber (Ag) als Hauptkomponenten enthält, oder einer Legierung, die ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall enthält, gebildet werden.
(Resonatorstruktur: Zweites Beispiel)
25B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines zweiten Beispiels für die Resonatorstruktur.
Auch bei dem zweiten Beispiel werden die ersten Elektroden 12A und die zweiten Elektroden 12C mit Filmdicken gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein sind.
Dann wird auch bei dem zweiten Beispiel der Reflektor 71 unterhalb der ersten Elektrode 12A des Lichtemissionselements 12 jenseits der optischen Anpassungsschicht 72 angeordnet. Die Resonatorstruktur, die durch die organische Schicht 12B erzeugtes Licht resoniert, ist zwischen dem Reflektor 71 und der zweiten Elektrode 12C gebildet. Ähnlich dem ersten Beispiel werden die Reflektoren 71 mit einer gemeinsamen Filmdicke in den Lichtemissionselementen 12 gebildet und die Filmdicke der optischen Anpassungsschicht 72 unterscheidet sich in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe.
Bei dem in 25A veranschaulichten ersten Beispiel sind die oberen Oberflächen der Reflektoren 71 in den Lichtemissionselementen 12_R, 12_G und 12_B so angeordnet, dass sie ausgerichtet sind, und die Positionen der oberen Oberflächen der zweiten Elektroden 12C unterscheiden sich in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B.
Im Gegensatz dazu werden bei dem in 25B veranschaulichten zweiten Beispiel die oberen Oberflächen der zweiten Elektroden 12C so angeordnet, dass sie zwischen den Lichtemissionselementen 12_R, 12_G und 12_B ausgerichtet sind. Um die oberen Oberflächen der zweiten Elektroden 12C auszurichten, werden die oberen Oberflächen der Reflektoren 71 in den Lichtemissionselementen 12_R, 12_G und 12_B so angeordnet, dass sie sich in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B unterscheiden. Daher bilden untere Oberflächen der Reflektoren 71 (mit anderen Worten eine Oberfläche einer Basis 73, die in 25B durch die Bezugsziffer 73 veranschaulicht ist) eine stufenförmige Form gemäß den Arten der Lichtemissionselemente 12.
Die Materialien, die den Reflektor 71, die optische Anpassungsschicht 72, die erste Elektrode 12A und die zweite Elektrode 12C konfigurieren, sind jenen bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird eine Beschreibung davon ausgelassen.
(Resonatorstruktur: Drittes Beispiel)
26A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines dritten Beispiels für die Resonatorstruktur. In der folgenden Beschreibung können die Reflektoren 71, die jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechend bereitgestellt werden, als Reflektoren 71_R, 71_G bzw. 71_B bezeichnet werden.
Auch bei dem dritten Beispiel werden die ersten Elektroden 12A und die zweiten Elektroden 12C mit Filmdicken gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein sind.
Dann wird auch bei dem dritten Beispiel der Reflektor 71 unterhalb der ersten Elektrode 12A des Lichtemissionselements 12 jenseits der optischen Anpassungsschicht 72 angeordnet. Eine Resonatorstruktur, die durch die organische Schicht 12B erzeugtes Licht resoniert, ist zwischen dem Reflektor 71 und der zweiten Elektrode 12C gebildet. Ähnlich dem ersten und zweiten Beispiel unterscheidet sich die Filmdicke der optischen Anpassungsschicht 72 in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe. Dann werden ähnlich dem zweiten Beispiel die Positionen der oberen Oberflächen der zweiten Elektroden 12C so angeordnet, dass sie zwischen den Lichtemissionselementen 12_R, 12_G und 12_B ausgerichtet sind.
Bei dem in 25B veranschaulichten zweiten Beispiel haben die unteren Oberflächen der Reflektoren 71 die stufenartige Form gemäß den Arten der Lichtemissionselemente 12 gebildet, um die oberen Oberflächen der zweiten Elektroden 12C auszurichten.
Im Gegensatz dazu werden bei dem in 26A veranschaulichten dritten Beispiel die Filmdicken der Reflektoren 71 so eingestellt, dass sie sich in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B unterscheiden. Insbesondere werden die Filmdicken derart eingestellt, dass die unteren Oberflächen der Reflektoren 71_R, 71_G und 71_B ausgerichtet sind.
Die Materialien, die den Reflektor 71, die optische Anpassungsschicht 72, die erste Elektrode 12A und die zweite Elektrode 12C konfigurieren, sind jenen bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird eine Beschreibung davon ausgelassen.
(Resonatorstruktur: Viertes Beispiel)
26B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines vierten Beispiels für die Resonatorstruktur. In der folgenden Beschreibung können die ersten Elektroden 12A, die jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechend bereitgestellt werden, als erste Elektroden 12A_R, 12A_G bzw. 12A_B bezeichnet werden.
Bei dem ersten Beispiel in 25A werden die ersten Elektroden 12A und die zweiten Elektroden 12C der Lichtemissionselemente 12 mit den gemeinsamen Filmdicken gebildet. Dann wird ein Reflektor 71 unterhalb der ersten Elektrode 12A des Lichtemissionselements 12 jenseits der optischen Anpassungsschicht 72 angeordnet.
Im Gegensatz dazu wird bei dem in 26B veranschaulichten vierten Beispiel die optische Anpassungsschicht 72 weggelassen und werden die Filmdicken der ersten Elektroden 12A so eingestellt, dass sie sich in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B unterscheiden.
Die Reflektoren 71 sind mit einer Filmdicke gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein ist. Die Filmdicke der ersten Elektrode 12A unterscheidet sich in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe. Da die ersten Elektroden 12A_R, 12A_G und 12A_B unterschiedliche Filmdicken aufweisen, kann eine optische Entfernung eingestellt werden, die eine optimale Resonanz für eine Wellenlänge von Licht gemäß der anzuzeigenden Farbe bewirkt.
Die Materialien, die den Reflektor 71, die optische Anpassungsschicht 72, die erste Elektrode 12A und die zweite Elektrode 12C konfigurieren, sind jenen bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird eine Beschreibung davon ausgelassen.
(Resonatorstruktur: Fünftes Beispiel)
27A ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines fünften Beispiels für die Resonatorstruktur.
Bei dem ersten Beispiel in 25A werden die ersten Elektroden 12A und die zweiten Elektroden 12C mit Filmdicken gebildet, die den Lichtemissionselementen 12 gemein sind. Dann wird ein Reflektor 71 unterhalb der ersten Elektrode 12A des Lichtemissionselements 12 jenseits der optischen Anpassungsschicht 72 angeordnet.
Im Gegensatz dazu ist bei dem in 27A veranschaulichten fünften Beispiel die optische Anpassungsschicht 72 weggelassen und stattdessen ist ein Oxidfilm 74 auf der Oberfläche des Reflektors 71 gebildet. Die Filmdicken der Oxidfilme 74 werden so eingestellt, dass sie sich in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B unterscheiden. In der folgenden Beschreibung können die Oxidfilme 74, die jeweils den Subpixeln 100R, 100G und 100B entsprechend bereitgestellt werden, als Oxidfilme 74_R, 74_G bzw. 74_B bezeichnet werden.
Die Filmdicke des Oxidfilms 74 unterscheidet sich in Abhängigkeit von der durch das Pixel anzuzeigenden Farbe. Da die Oxidfilme 74_R, 74_G und 74_B unterschiedliche Filmdicken aufweisen, kann eine optische Entfernung eingestellt werden, die eine optimale Resonanz für eine Wellenlänge von Licht gemäß der anzuzeigenden Farbe bewirkt.
Der Oxidfilm 74 ist ein Film, der durch Oxidieren der Oberfläche des Reflektors 71 erhalten wird, und ist zum Beispiel unter Verwendung eines Aluminiumoxids, eines Tantaloxids, eines Titanoxids, eines Magnesiumoxids, eines Zirconiumoxids oder dergleichen konfiguriert. Der Oxidfilm 74 fungiert als ein Isolationsfilm zum Anpassen einer optischen Pfadlänge (optischen Entfernung) zwischen dem Reflektor 71 und der zweiten Elektrode 12C.
Die Oxidfilme 74 mit den unterschiedlichen Filmdicken in Abhängigkeit von den Arten der Lichtemissionselemente 12_R, 12_G und 12_B werden zum Beispiel wie folgt gebildet.
Zuerst wird ein Behälter mit einer elektrolytischen Lösung gefüllt und ein Substrat, auf dem sich der Reflektor 71 gebildet ist, wird in die elektrolytische Lösung eingetaucht. Des Weiteren wird eine Elektrode so angeordnet, dass sie dem Reflektor 71 zugewandt ist.
Dann wird eine positive Spannung an den Reflektor 71 mit Bezug auf die Elektrode angelegt, um den Reflektor 71 zu anodisieren. Die Filmdicke des Oxidfilms durch die Anodisierung ist proportional zu einem Spannungswert mit Bezug auf die Elektrode. Daher wird die Anodisierung in einem Zustand durchgeführt, in dem eine Spannung, die der Art des Lichtemissionselements 12 entspricht, an jeden der Reflektoren 71_R, 71_G und 71_B angelegt wird. Infolgedessen können die Oxidfilme 74 mit unterschiedlichen Filmdicken gemeinsam gebildet werden.
Die Materialien, die den Reflektor 71, die erste Elektrode 12A und die zweite Elektrode 12C konfigurieren, sind jenen bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird eine Beschreibung davon ausgelassen.
(Resonatorstruktur: Sechstes Beispiel)
27B ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines sechsten Beispiels für die Resonatorstruktur.
Bei dem sechsten Beispiel wird das Lichtemissionselement 12 derart konfiguriert, dass die erste Elektrode 12A, die organische Schicht 12B und die zweite Elektrode 12C gestapelt sind. Es wird angemerkt, dass bei dem sechsten Beispiel die erste Elektrode 12A so gebildet ist, dass sie als sowohl die Elektrode als auch der Reflektor fungiert. Die erste Elektrode (und der Reflektor) 12A wird unter Verwendung eines Materials mit einer optischen Konstante gebildet, die gemäß der Art des Lichtemissionselements 12_R, 12_G oder 12_B ausgewählt wird. Da sich eine Phasenverschiebung durch die erste Elektrode (und den Reflektor) 12A unterscheidet, kann eine optische Entfernung eingestellt werden, die eine optimale Resonanz für eine Wellenlänge von Licht gemäß der anzuzeigenden Farbe bewirkt.
Die erste Elektrode (und der Reflektor) 12A kann unter Verwendung eines einzigen Metalls, wie etwa Aluminium (Al), Silber (Ag), Gold (Au) oder Kupfer (Cu), oder einer Legierung, die das zuvor genannte Metall als eine Hauptkomponente enthält, konfiguriert werden. Zum Beispiel kann eine Konfiguration angenommen werden, bei der die erste Elektrode (und der Reflektor) 12A_R des Lichtemissionselements 12_R unter Verwendung von Kupfer (Cu) gebildet wird und die erste Elektrode (und der Reflektor) 12A_G des Lichtemissionselements 12_G und die erste Elektrode (und der Reflektor) 12A_B des Lichtemissionselements 12_B unter Verwendung von Aluminium gebildet werden.
Das Material, das die zweite Elektrode 12C konfiguriert, ist jenem bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird eine Beschreibung davon ausgelassen.
(Resonatorstruktur: Siebtes Beispiel)
28 ist eine schematische Querschnittsansicht zum Beschreiben eines siebten Beispiels für die Resonatorstruktur.
Das siebte Beispiel weist eine Konfiguration auf, bei der im Grunde das sechste Beispiel für die Lichtemissionselemente 12_R und 12_G angewandt wird und das erste Beispiel für das Lichtemissionselement 12_B angewandt wird. Mit der Konfiguration kann eine optische Entfernung eingestellt werden, die eine optimale Resonanz für eine Wellenlänge von Licht gemäß der anzuzeigenden Farbe bewirkt.
Die ersten Elektroden (und Reflektoren) 12A_R und 12A_G, die für die Lichtemissionselemente 12_R und 12_G verwendet werden, können unter Verwendung eines einzigen Metalls, wie etwa Aluminium (Al), Silber (Ag), Gold (Au) oder Kupfer (Cu), oder einer Legierung, die das zuvor genannte Metall als eine Hauptkomponente enthält, konfiguriert werden.
Die Materialien, die den Reflektor 71_B, die optische Anpassungsschicht 72_B und die erste Elektrode 12A_B konfigurieren, die für das Lichtemissionselement 12_B verwendet werden, sind jenen bei dem ersten Beispiel beschriebenen ähnlich und dementsprechend wird die Beschreibung davon ausgelassen.
[Anwendung]
(Elektronische Vorrichtungen)
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten Ausführungsform und ihren Modifikationen wird in verschiedene elektronische Vorrichtungen als ein Modul eingebunden, wie zum Beispiel in 29 veranschaulicht ist. Gleichermaßen kann die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen zweiten bis vierten Ausführungsform und ihren Modifikationen in verschiedene elektronische Vorrichtungen als ein Modul eingebunden werden, wie zum Beispiel in 29 veranschaulicht ist. Insbesondere ist die Anzeigevorrichtung für jene geeignet, die eine hohe Auflösung erfordern und durch Vergrößern von Objekten nahe den Augen verwendet werden, wie etwa elektronische Sucher von Videokameras und Spiegelreflexkameras oder am Kopf getragene Anzeigen. Dieses Modul weist ein Gebiet 210 auf einer kurzen Seite des Substrats 11 auf, wobei das Gebiet 210 nicht durch das zugewandte Substrat 18 und die eingefüllte Harzschicht 17 bedeckt ist und freigelegt ist, und der Signalleitungsansteuerschaltkreis 120 und der Scanleitungsansteuerschaltkreis 130 sind mit dem Gebiet 210 verdrahtet und zu diesem erweitert, um einen (nicht veranschaulichten) externen Verbindungsanschluss zu bilden. Eine flexible Leiterplatte (FPC) 220 zur Signaleingabe/-ausgabe kann mit dem externen Verbindungsanschluss verbunden sein.
(Spezielles Beispiel 1)
30A und 30B veranschaulichen ein Beispiel für ein Aussehen einer digitalen Fotokamera 310. Die digitale Fotokamera 310 ist eine Kamera vom Spiegelreflextyp mit Wechselobjektiv weist zum Beispiel eine Wechselbildgebungsobjektiveinheit (Wechselobjektiv) 312 in etwa einem Zentrum einer Vorderseite eines Kamerahauptkörpers (Kamerakörpers) 311 auf und weist einen Griffteil 313, der durch einen Fotografen ergriffen wird, auf der linken Seite der Vorderseite auf.
Ein Monitor 314 ist bei einer Position, die von dem Zentrum einer hinteren Oberfläche des Kamerahauptkörpers 311 nach links verschoben ist, bereitgestellt. Ein elektronischer Bildsucher (Augenstückfenster) 315 ist oberhalb des Monitors 314 bereitgestellt. Der Fotograf kann ein optisches Bild eines Objekts visuell erkennen, das durch die Bildgebungsobjektiveinheit 312 geführt wird, und kann die Komposition bestimmen, indem er in den elektronischen Sucher 315 blickt. Als der elektronische Sucher 315 kann die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten Ausführungsform und ihrer Modifikationen verwendet werden. Des Weiteren kann als der elektronische Sucher 315 auch die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform und ihrer Modifikationen verwendet werden.
(Spezielles Beispiel 2)
31 veranschaulicht ein Beispiel für ein Aussehen einer am Kopf getragenen Anzeige 320. Die am Kopf getragene Anzeige 320 weist zum Beispiel Ohrenbügel 322, um am Kopf eines Benutzers getragen zu werden, auf beiden Seiten einer brillenförmigen Anzeigeeinheit 321 auf. Als die Anzeigeeinheit 321 kann die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten Ausführungsform und ihrer Modifikationen verwendet werden. Des Weiteren kann als die Anzeigeeinheit 321 auch die Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform und ihrer Modifikationen verwendet werden.
(Spezielles Beispiel 3)
32 veranschaulicht ein Beispiel für ein Aussehen einer Fernsehvorrichtung 330. Die Fernsehvorrichtung 330 weist zum Beispiel eine Videoanzeigebildschirmeinheit 331 einschließlich eines vorderen Panels 332 und eines Filterglases 333 auf und die Videoanzeigebildschirmeinheit 331 ist unter Verwendung der Anzeigevorrichtung gemäß einer beliebigen der oben beschriebenen ersten Ausführungsform und ihrer Modifikationen konfiguriert. Des Weiteren kann die Videoanzeigeeinheit 331 unter Verwendung der Anzeigevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform und ihrer Modifikationen konfiguriert werden, kann auch verwendet werden.
(Beleuchtungsvorrichtung)
Bei der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform wurden die Beispiele beschrieben, bei denen die vorliegende Offenbarung auf die Anzeigevorrichtung angewandt wird. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die Beispiele beschränkt und kann auf Beleuchtungsvorrichtungen angewandt werden.
33 veranschaulicht ein Beispiel für ein Aussehen einer Stehbeleuchtungsvorrichtung 400. Die Beleuchtungsvorrichtung 400 weist eine Beleuchtungseinheit 413 auf, die an einer Stützsäule 412 angebracht ist, die auf einer Basis 411 bereitgestellt ist. Als die Beleuchtungseinheit 413 wird die Anzeigevorrichtung gemäß einer der ersten Ausführungsform und ihrer Modifikationen oder gemäß einer der zweiten bis vierten Ausführungsform oder ihrer Modifikationen verwendet, die mit einem Ansteuerschaltkreis für eine Beleuchtungsvorrichtung anstelle der Ansteuerschaltkreise für die Anzeigevorrichtung, wie etwa des Signalleitungsansteuerschaltkreises 120 und des Scanleitungsansteuerschaltkreises 130, versehen ist. Des Weiteren ist das Farbfilter 16 möglicherweise nicht bereitgestellt und die Größe der Öffnung der Isolationsschicht 13 kann angemessen gemäß optischen Charakteristiken der Beleuchtungsvorrichtung 400 ausgewählt werden. Zudem kann durch Verwenden eines Films als das Substrat 11 und des zugewandten Substrats 18 und das Vorhandensein einer flexiblen Konfiguration eine beliebige Form, wie etwa eine röhrenförmige Form oder eine gekrümmte Oberflächenform, die in 33 veranschaulicht ist, angenommen werden. Es wird angemerkt, dass die Anzahl an Lichtemissionselementen 12 eins sein kann. Des Weiteren kann ein monochromatisches Filter anstelle des Farbfilters 16 bereitgestellt werden.
Hier wurde der Fall beschrieben, in dem die Beleuchtungsvorrichtung eine Stehbeleuchtungsvorrichtung 400 ist, aber die Form der Beleuchtungsvorrichtung ist nicht auf den Fall beschränkt und kann zum Beispiel eine an einer Decke, einer Wand, einem Boden oder dergleichen installierte Form sein.
[Beispiel]
Nachfolgend wird die vorliegende Offenbarung speziell unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt.
Die Beispiele werden in der folgenden Reihenfolge beschrieben. Es wird angemerkt, dass bei den folgenden Beispielen Werte der durchschnittlichen Dicken der ersten Grenzflächenschicht und der zweiten Grenzflächenschicht, das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht und das Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, durch das bei der ersten Ausführungsform beschriebene Messverfahren erhalten werden.

i Untersuchung (1) der Beziehung zwischen dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht und einem Zwischenpixelleckstrom
ii Untersuchung (2) der Beziehung zwischen dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht und dem Zwischenpixelleckstrom
iii Untersuchung der Beziehung zwischen der durchschnittlichen Dicke der ersten Grenzflächenschicht und dem Zwischenpixelleckstrom
iv Untersuchung der Beziehung zwischen dem Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, und dem Zwischenpixelleckstrom
v Untersuchung der Beziehung zwischen der Gleichmäßigkeit der Dicke der organischen Schicht auf der ersten Elektrode und dem vertikalen Leckverlust
vi Untersuchung der Stromdichtenverteilung durch Simulation des elektromagnetischen Feldes

<i Untersuchung (1) der Beziehung zwischen dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht und einem Zwischenpixelleckstrom>
[Beispiele 1-1 und 1-2]
Zuerst wurden ein Ansteuerschaltkreis und dergleichen auf einer Hauptoberfläche eines Siliciumsubstrats unter Verwendung der Dünnfilmbildungstechnik, der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik gebildet. Als Nächstes wurde eine Metallschicht auf dem Ansteuerschaltkreis und dergleichen durch das Sputterverfahren gebildet und dann wurde die Metallschicht durch Verwendung der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert, so dass mehrere erste Elektroden gebildet wurden, die für jedes Lichtemissionselement (das heißt für jedes Subpixel) separiert sind.
Als Nächstes wurde eine erste Grenzflächenschicht (SiO-Schicht) mit einer durchschnittlichen Dicke von 5 nm auf einer Hauptoberfläche des Siliciumsubstrats, auf dem die mehreren ersten Elektroden gebildet wurden, durch das Plasma-CVD-Verfahren gebildet und dann wurde eine Volumenschicht (SiN-Schicht) mit einer durchschnittlichen Dicke von 40 nm durch das CVD-Verfahren gebildet. Zu dieser Zeit wurden SiH₄, NH₂ und NH₃ als ein Prozessgas verwendet. Es wird angemerkt, dass ein Mischungsverhältnis des Prozessgases angepasst wurde und die Volumenschichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungsverhältnissen zwischen Beispielen 1-1 und 1-2 gebildet wurden. Als Nächstes wurden Absorptionsspektren der Volumenschichten durch FT-IR gemessen. Die Ergebnisse sind in 34A und 34B veranschaulicht.
Als Nächstes wurde die erste Grenzflächenschicht dann unter Verwendung der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert. Danach wurde die Oberfläche der Volumenschicht plasmabehandelt, um eine zweite Grenzflächenschicht (SiON-Schicht) mit 3 nm auf der Oberfläche der Volumenschicht zu bilden, um eine Isolationsschicht zu erhalten. Zu dieser Zeit wurden Bedingungen der Plasmabehandlung derart angepasst, dass das Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, 90 % beträgt.
Als Nächstes wurde eine organische Schicht durch Stapeln einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Lichtemissionsschicht und einer Elektronentransportschicht in dieser Reihenfolge auf der ersten Elektrode und der Isolationsschicht durch das Gasphasenabscheidungsverfahren gebildet. Als Nächstes wurde eine zweite Elektrode auf der organischen Schicht durch das Sputterverfahren gebildet. Infolgedessen wurden mehrere Lichtemissionselemente auf einer Hauptoberfläche des Siliciumsubstrats gebildet.
Als Nächstes wurde eine Schutzschicht auf der zweiten Elektrode durch das CVD-Verfahren gebildet und dann wurde das Farbfilter auf der Schutzschicht gebildet. Als Nächstes wurde das Farbfilter mit einer eingefüllten Harzschicht durch das ODF-Verfahren bedeckt und dann wurde das zugewandte Substrat auf der eingefüllten Harzschicht platziert. Als Nächstes wurden das Substrat und das zugewandte Substrat über die eingefüllte Harzschicht miteinander verklebt, indem die eingefüllte Harzschicht mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt wurde, um die eingefüllte Harzschicht auszuhärten. Infolgedessen wurde die Anzeigevorrichtung versiegelt.
(Spitzenintensitätsverhältnis)
Das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Spitzenintensität I_N-H, die von N-H abgeleitet wurde, und der Spitzenintensität I_Si-H, die von Si-H abgeleitet wurde, wurde unter Verwendung des Absorptionsspektrums erhalten, das nach dem Bilden der Volumenschicht gemessen wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 veranschaulicht.
[Tabelle 1]

I_N-H I_Si-H I_N-H/ I_Si-H

Beispiel 1-1 9, 09 20,38 0,45

Beispiel 1-2 22,4 4,52 4,96
Aus der Tabelle 1 kann gesehen werden, dass die Spitzenintensitätsverhältnisse (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschichten zwischen den Beispielen 1-1 und 1-2, bei denen das Mischungsverhältnis des CVD-Prozessgases angepasst wurde und die Volumenschicht gebildet wurde, verschieden sind.
(Zwischenpixelleckmenge)
Zwischenpixelleckströme der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 1-1 und 1-2, die wie oben beschrieben erhalten wurden, wurden gemessen. Die Zwischenpixelleckströme wurden durch Messen von Stromwerten eines Flusses durch R- und G-Subpixel mit Bezug auf eine Spannung gemessen, die an ein B-Subpixel unter RGB-Subpixeln angelegt wurde. Es wird angemerkt, dass eine Auswertung einer Zwischenpixelleckmenge, was nachfolgend beschrieben wird, auch durch eine ähnliche Messung gemessen wurde. Infolge der obigen Messung wurde herausgefunden, dass der Zwischenpixelleckstrom von dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht abhängt. Insbesondere wurde herausgefunden, dass der Leckstrom, der zwischen Pixeln fließt, bei Beispiel 1-1, bei dem das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) 0,45 beträgt, im Vergleich zu Beispiel 1-2, bei dem das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) 4,96 beträgt, unterdrückt wird.
<ii Untersuchung (2) der Beziehung zwischen dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht und dem Zwischenpixelleckstrom>
[Beispiele 2-1 bis 2-5]
Anzeigevorrichtungen wurden ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Spitzenintensitätsverhältnisse (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschichten auf 0,5 (Beispiel 2-1), 1 (Beispiel 2-2), 2 (Beispiel 2-3), 3 (Beispiel 2-4) und 4 (Beispiel 2-5) eingestellt wurden, indem die Filmbildungsbedingungen für die Volumenschichten angepasst wurden.
(Zwischenpixelleckmenge)
Zwischenpixelleckströme der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 2-1 bis 2-5, die wie oben beschrieben erhalten wurden, wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in 35 veranschaulicht.
Die folgenden Punkte können aus 35 gesehen werden.
Der Zwischenpixelleckstrom hängt von dem Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) der Volumenschicht ab und je kleiner das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) ist, desto stärker wird der Zwischenpixelleckstrom unterdrückt.
Von dem Sichtpunkt des Unterdrückens des Zwischenpixelleckstroms beträgt das Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) bevorzugt weniger als 4, besonders bevorzugt 3 oder weniger.
<iii Untersuchung der Beziehung zwischen der durchschnittlichen Dicke der ersten Grenzflächenschicht und dem Zwischenpixelleckstrom>
[Beispiele 3-1 bis 3-6]
Anzeigevorrichtungen wurden ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten (die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht: 5 nm), mit der Ausnahme, dass die durchschnittlichen Dicken der ersten Grenzflächenschicht 1 nm (Beispiel 3-1), 3 nm (Beispiel 3-2), 7 nm (Beispiel 3-3), 9 nm (Beispiel 3-4), 11 nm (Beispiel 3-5), 13 nm (Beispiel 3-6) und 15 nm (Beispiel 3-7) betrugen.
[Vergleichsbeispiel 3-1]
Eine Anzeigevorrichtung wurde ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten, mit der Ausnahme, dass eine erste Grenzflächenschicht nicht gebildet wurde.
(Zwischenpixelleckmenge)
Die Zwischenpixelleckströme der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 1-1, 3-1 bis 3-6 und des Vergleichsbeispiels 3-1, die wie oben beschrieben erhalten wurden, wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in 36 veranschaulicht.
Die folgenden Punkte können aus 36 gesehen werden.
Der Zwischenpixelleckstrom hängt von der durchschnittlichen Dicke der ersten Grenzflächenschicht ab. Die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht beträgt von dem Sichtpunkt des Unterdrückens des Unterdrückens des Zwischenpixelleckstroms bevorzugt von 1 bis 15 nm, ausschließlich 15 nm, bevorzugter von 1 bis 13 nm, jeweils einschließlich, besonders bevorzugt von 1 bis 9 nm, jeweils einschließlich, ganz besonders bevorzugt von 1 bis 7 nm, jeweils einschließlich, oder am aller meisten bevorzugt von 1 bis 5 nm, jeweils einschließlich.
Es kann gesehen werden, dass der Grund für eine Zunahme des Zwischenpixelleckstroms, wenn die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht weniger als 1 nm beträgt, ist, dass die durch die Volumenschicht gehaltene feste Ladung aufgrund einer Reaktion zwischen der ersten Elektrode und der Volumenschicht abnimmt und die Volumenschicht dazu unfähig wird, den positiv geladenen Zustand beizubehalten. Währenddessen kann gesehen werden, dass der Grund für eine Zunahme des Zwischenpixelleckstroms, wenn die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht 15 nm oder mehr beträgt, ist, dass der Lochstrom einfach von der ersten Elektrode durch den Rand der ersten Grenzflächenschicht zu der oberen Oberfläche der Isolationsschicht fließen kann.
<iv Untersuchung der Beziehung zwischen dem Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, und dem Zwischenpixelleckstrom>
[Beispiele 4-1 bis 4-3]
Anzeigevorrichtungen wurden ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten, mit der Ausnahme, dass die Verhältnisse des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, auf 60 % (Beispiel 4-1), 80 % (Beispiel 4-2) und 100 % (Beispiel 4-3) eingestellt wurden, indem Filmbildungsbedingungen (Plasmabehandlungsbedingungen) der zweiten Grenzflächenschichten angepasst wurden.
(Zwischenpixelleckmenge)
Zwischenpixelleckströme der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 4-1 bis 4-3, die wie oben beschrieben erhalten wurden, wurden gemessen. Infolgedessen wurde herausgefunden, dass der Zwischenpixelleckstrom von dem Verhältnis des Siliciumoxids zu der Gesamtmenge des Siliciumoxids und des Siliciumnitrids abhängt, die in der zweiten Grenzflächenschicht enthalten sind, und das Verhältnis von dem Sichtpunkt des Unterdrückens des Zwischenpixelleckstroms bevorzugt auf 80 % oder mehr eingestellt wird.
<v Untersuchung der Beziehung zwischen der Gleichmäßigkeit der Dicke der organischen Schicht auf der ersten Elektrode und dem vertikalen Leckverlust>
[Beispiel 5-1]
Bei Beispiel 5-1 wurde eine Anzeigevorrichtung mit der in 11 veranschaulichten Konfiguration wie folgt produziert.
Zuerst wurde ein Siliciumsubstrat mit einem Ansteuerschaltkreis und dergleichen, die auf einer Hauptoberfläche gebildet sind, wie in 15A veranschaulicht, unter Verwendung der Dünnfilmbildungstechnik, der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik erhalten. Als Nächstes wurde eine Elektrodenschicht (ACX/ITO-Schicht) auf dem Ansteuerschaltkreis und dergleichen, wie in 15B veranschaulicht, durch das Sputterverfahren gebildet und dann wurde eine Elektrodenschicht unter Verwendung der Fotolithografietechnik und der Ätztechnik strukturiert, so dass mehrere erste Elektroden gebildet wurden, die für jedes Lichtemissionselement (das heißt für jedes Subpixel) separiert sind, wie in 15C veranschaulicht ist.
Als Nächstes wurde eine erste Grenzflächenschicht (SiO-Schicht) durch ein CVD-Verfahren auf einer Hauptoberfläche des Siliciumsubstrats gebildet, auf der die mehreren ersten Elektroden gebildet wurden, wie in 15D veranschaulicht ist, dann wurde die erste Grenzflächenschicht 24 durch das Rückätzungsverfahren entfernt, während die erste Grenzflächenschicht mit der gleichen Höhe wie die erste Elektrode 12A auf einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode verbleibt, wie in 15E veranschaulicht ist. Als Nächstes wurde eine Volumenschicht (SiN-Schicht) durch das CVD-Verfahren, wie in 15F veranschaulicht, gebildet. Als Nächstes wurde eine Fotolackschicht durch das Rotationsbeschichtungsverfahren auf der Volumenschicht gebildet, um die Oberfläche eben zu machen, wie in 16A veranschaulicht ist.
Als Nächstes wurde die Fotolackschicht entfernt und wurde ein Teil der Volumenschicht durch das Rückätzungsverfahren entfernt, so dass die erste Elektrode, die erste Grenzflächenschicht und die Volumenschicht mit im Wesentlichen der gleichen Höhe gebildet wurden, wie in 16B veranschaulicht ist. Als Nächstes wurde die Oberfläche der Volumenschicht 13A plasmabehandelt, um eine zweite Grenzflächenschicht (SiON-Schicht) mit einer durchschnittlichen Dicke von 2,5 nm zu bilden, wie in 16C veranschaulicht ist. Dadurch wurde eine Isolationsschicht erhalten. Als Nächstes wurden eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Lichtemissionsschicht und eine Elektronentransportschicht in dieser Reihenfolge auf der ersten Elektrode, der ersten Grenzflächenschicht und der Isolationsschicht durch das Gasphasenabscheidungsverfahren gestapelt. Dadurch wurde eine organische Schicht mit einer konstanten Dicke gebildet. Die Anzeigevorrichtung wurde durch Durchführen der folgenden Prozesse ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten.
Es wird angemerkt, dass die durchschnittlichen Dicken der ersten Elektrode, der ersten Grenzflächenschicht und der Isolationsschicht durch Anpassen von Verarbeitungsbedingungen auf 65 nm eingestellt wurden.
[Beispiel 5-2]
Bei Beispiel 5-2 wurde eine Anzeigevorrichtung mit der in 14 veranschaulichten Konfiguration wie folgt produziert. Das heißt, die Anzeigevorrichtung wurde ähnlich Beispiel 1 produziert, mit der Ausnahme, dass die durchschnittliche Dicke einer Isolationsschicht durch Anpassen von Prozessbedingungen auf 85 nm eingestellt wurde.
[Beispiel 5-3]
Bei Beispiel 5-3 wurde eine Anzeigevorrichtung mit der in 18 veranschaulichten Konfiguration wie folgt produziert.
Zuerst werden ein Prozess zum Bilden eines Substrats bis zu einem Prozess zum Bilden einer ersten Grenzflächenschicht ähnlich zu Beispiel 5-1 durchgeführt und wurde die erste Grenzflächenschicht (SiO-Schicht) auf einer Hauptoberfläche des Substrats gebildet, auf der mehrere erste Elektroden gebildet wurden, wie in 20A veranschaulicht ist.
Als Nächstes wurde eine Volumenschicht (SiN-Schicht) auf der ersten Grenzfläche durch das CVD-Verfahren, wie in 20B veranschaulicht, gebildet. Als Nächstes wurde eine Fotolackschicht zum Beispiel durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren auf der Volumenschicht gebildet und dann wurde eine Öffnung in einem Teil der Fotolackschicht gebildet, wobei der Teil einem oberhalb der ersten Elektrode entspricht, wie in 20C veranschaulicht ist. Als Nächstes wurden Öffnungen durch das Ätzverfahren in Teilen der ersten Grenzflächenschicht und der Volumenschicht gebildet, wobei die Teile einem oberhalb der ersten Elektrodenschicht entsprechen, wie in 21A veranschaulicht ist. Zu dieser Zeit wurde die Ätzrate zwischen der ersten Grenzflächenschicht (SiO) und der Volumenschicht (SiN) unter Verwendung eines Abscheidungsgases, wie etwa CH₂F₂, angepasst und wurde eine Ätzung durchgeführt. Infolgedessen wurden diese Öffnungen derart gebildet, dass sich ein Peripherierand der Öffnung der Isolationsschicht innerhalb eines Peripherierandes der Öffnung der ersten Grenzflächenschicht befindet.
Als Nächstes wurde die Oberfläche der Volumenschicht 13A plasmabehandelt, um eine zweite Grenzflächenschicht (SiON-Schicht) mit einer durchschnittlichen Dicke von 2,5 nm zu bilden, wie in 21B veranschaulicht ist. Dadurch wurde eine Isolationsschicht erhalten. Als Nächstes wurden die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Lichtemissionsschicht und die Elektronentransportschicht in dieser Reihenfolge auf der ersten Elektrode und der Isolationsschicht durch ein Gasphasenabscheidungsverfahren gestapelt. Dadurch wurde eine organische Schicht mit den mehreren Vorsprüngen auf einer oberen Oberfläche und mit einer im Wesentlichen konstanten Dicke in einem Gebiet innerhalb des Vorsprungs gebildet, wie in 21C veranschaulicht ist. Die Anzeigevorrichtung wurde durch Durchführen der folgenden Prozesse ähnlich zu Beispiel 1-1 erhalten.
Es wird angemerkt, dass durch Anpassen von Prozessbedingungen die durchschnittliche Dicke der ersten Elektrode auf 65 nm eingestellt wurde, die durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht auf 9 nm eingestellt wurde und die durchschnittliche Dicke der Isolationsschicht auf 26 nm eingestellt wurde.
[Beispiel 5-4]
Bei Beispiel 5-4 wurde eine Anzeigevorrichtung mit der in 19 veranschaulichten Konfiguration wie folgt produziert.
Die Anzeigevorrichtung wurde ähnlich Beispiel 5-1 erhalten, mit der Ausnahme, dass eine Ätzrate zwischen einer ersten Grenzflächenschicht (SiO) und einer Volumenschicht (SiN) derart angepasst wurde, dass sich ein Peripherierand einer Öffnung einer Isolationsschicht und ein Peripherierand einer Öffnung der ersten Grenzflächenschicht in einem Prozess zum Bilden von Öffnungen der ersten Grenzflächenschicht und der Volumenschicht überlappen.
[Vergleichsbeispiel 5-1]
Bei Vergleichsbeispiel 5-1 wurde eine Anzeigevorrichtung mit der in 13 veranschaulichten Konfiguration wie folgt produziert.
Das heißt, die Anzeigevorrichtung wurde ähnlich Beispiel 1 produziert, mit der Ausnahme, dass die durchschnittliche Dicke einer Isolationsschicht durch Anpassen von Prozessbedingungen auf 45 nm eingestellt wurde.
(Lichtausbeute)
Die Lichtausbeute der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 5-1 bis 5-4 und des Vergleichsbeispiels 5-1, die wie oben beschrieben erhalten wurden, wurden gemessen. Das Ergebnis ist in 37 veranschaulicht.
Die folgenden Punkte sind aus 37 zu sehen.
Die Lichtausbeute der Anzeigevorrichtungen der Beispiele 5-1 bis 5-3 ist höher als die Lichtausbeute der Anzeigevorrichtung der Beispiele 5-4 und des Vergleichsbeispiels 5-1. Insbesondere ist die Lichtausbeute in einem Bereich mit niedriger Stromdichte hoch.
<vi Untersuchung der Stromdichtenverteilung durch Simulation des elektromagnetischen Feldes>
[Beispiel 6-1]
Zuerst wurde als ein Modell für eine Simulation des elektromagnetischen Feldes eine Anzeigevorrichtung mit der in 38A veranschaulichten Konfiguration eingestellt. Nachfolgend sind die Einstellungsbedingungen für die Schichten beschrieben.
Die zweite Elektrode: eine MgAg-Legierung-Elektrode
Die organische Schicht: die Dicke 100 nm, die Permittivität ε = 4,35 × 10^-6 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 3
Die Isolationsschicht: das Material SiN, die Permittivität ε = 0 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 7
Die erste Elektrode: eine Al-Elektrode
Als Nächstes wurde eine Stromdichteverteilung der organischen Schicht durch eine Simulation des elektromagnetischen Feldes (ANSYS Maxwell) unter Verwendung des obigen Modells berechnet. Die Ergebnisse sind in 40 und 41 veranschaulicht. Ein integrierter Wert des durch die gerade Linie L (Länge 10 nm) in 41 veranschaulichten Teils betrug 1,29 × 10^-6 A/m.
Die Symbole (1), (2), (3) und dergleichen in 40 und 41 entsprechen einem Betrag der Stromdichte (Gradierungslegende). In den Zeichnungen, die Ergebnisse von Simulationen von Beispiel 6-2 und Vergleichsbeispielen 6-1 und 6-2 unten veranschaulichen, entsprechen die Symbole (1), (2), (3) und dergleichen auch dem Betrag der Stromdichte (Gradierungslegende).
[Beispiel 6-1]
Zuerst wurde als ein Modell für eine Simulation des elektromagnetischen Feldes eine Anzeigevorrichtung mit der in 38B veranschaulichten Konfiguration eingestellt. Nachfolgend sind die Einstellungsbedingungen für die Schichten beschrieben.
Die zweite Elektrode: eine MgAg-Legierung-Elektrode
Die organische Schicht: die Dicke 100 nm, die Permittivität ε = 4,35 × 10^-6 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 3
Die Isolationsschicht: das Material SiN, die Permittivität ε = 0 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 7
Die erste Elektrode: eine Al-Elektrode
Als Nächstes wurde eine Stromdichteverteilung der organischen Schicht durch eine Simulation des elektromagnetischen Feldes (ANSYS Maxwell) unter Verwendung des obigen Modells berechnet. Die Ergebnisse sind in 42 und 43 veranschaulicht. Der integrierte Wert des durch die gerade Linie L (Länge 10 nm) in 43 veranschaulichten Teils betrug 1,48 × 10^-6 A/m.
[Vergleichsbeispiel 6-1]
Zuerst wurde als ein Modell für eine Simulation des elektromagnetischen Feldes eine Anzeigevorrichtung mit der in 39A veranschaulichten Konfiguration eingestellt. Nachfolgend sind die Einstellungsbedingungen für die Schichten beschrieben.
Die zweite Elektrode: eine MgAg-Legierung-Elektrode
Die organische Schicht: die Dicke 100 nm, die Permittivität ε = 4,35 × 10^-6 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 3
Die erste Elektrode: eine Al-Elektrode
Als Nächstes wurde eine Stromdichteverteilung der organischen Schicht durch eine Simulation des elektromagnetischen Feldes (ANSYS Maxwell) unter Verwendung des obigen Modells berechnet. Das Ergebnis ist in 44 veranschaulicht. Der integrierte Wert des durch die gerade Linie L (Länge 10 nm) in 44 veranschaulichten Teils betrug 1,75 × 10^-6 A/m.
[Vergleichsbeispiel 6-3]
Zuerst wurde als ein Modell für eine Simulation des elektromagnetischen Feldes eine Anzeigevorrichtung mit der in 39B veranschaulichten Konfiguration eingestellt. Nachfolgend sind die Einstellungsbedingungen für die Schichten beschrieben.
Die zweite Elektrode: eine MgAg-Legierung-Elektrode
Die organische Schicht: die Dicke 100 nm, die Permittivität ε = 4,35 × 10^-6 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 3
Die Isolationsschicht: das Material SiN, die Permittivität ε = 0 [S/m] und die relative Permittivität ε_r = 7
Die erste Elektrode: eine Al-Elektrode
Als Nächstes wurde eine Stromdichteverteilung der organischen Schicht durch eine Simulation des elektromagnetischen Feldes (ANSYS Maxwell) unter Verwendung des obigen Modells berechnet. Die Ergebnisse sind in 45 und 46 veranschaulicht. Der integrierte Wert des durch die gerade Linie L (Länge 10 nm) in 46 veranschaulichten Teils betrug 2,50 × 10^-6 A/m.
Es ist aus den Analyseergebnissen der Simulationen des elektromagnetischen Feldes aus Beispielen 6-1 und 6-2 und Vergleichsbeispiel 6-1 zu sehen, dass der Stromwert an dem Peripherierandteil der ersten Elektrode unterdrückt werden kann, wenn die Dicke der organischen Schicht auf der ersten Elektrode konstant ist, das heißt, die Höhe der organischen Schicht konstant ist.
Die erste bis vierte Ausführungsform und ihre Modifikationen der vorliegenden Offenbarung wurden speziell beschrieben. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die erste bis vierte Ausführungsform und ihre Modifikationen beschränkt und verschiedene Modifikationen sind basierend auf der technischen Idee der vorliegenden Offenbarung möglich.
Zum Beispiel sind die Konfigurationen, Verfahren, Schritte, Formen, Materialien, numerische Werte und dergleichen, die bei der ersten bis vierten Ausführungsform und ihren Modifikationen gegeben sind, lediglich Beispiele, und Konfigurationen, Verfahren, Schritte, Formen, Materialien, numerische Werte und dergleichen, die sich von jenen der Ausführungsformen und Modifikationen unterscheiden, können nach Bedarf verwendet werden.
Des Weiteren können die Konfigurationen, Verfahren, Schritte, Formen, Materialien, numerischen Werte und dergleichen, die in der ersten bis vierten Ausführungsform und ihren Modifikationen gegeben sind, miteinander kombiniert werden, ohne von dem Wesen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Des Weiteren kann in dem numerischen Bereich, der bei der ersten bis vierten Ausführungsform und ihren Modifikationen schrittweise beschrieben ist, der obere Grenzwert oder der untere Grenzwert des numerischen Bereichs eines Schrittes mit dem oberen Grenzwert oder dem unteren Grenzwert des numerischen Bereichs eines anderen Schrittes ersetzt werden.
Des Weiteren können die Materialien, die exemplarisch bei der ersten bis vierten Ausführungsform und ihren Modifikationen genannt sind, allein oder in Kombination aus zwei oder mehr Arten verwendet werden, sofern nichts anderes vorgegeben ist.
Die vorliegende Offenbarung kann auch die folgenden Konfigurationen annehmen.

(1) Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind;
- eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist und die einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedeckt;
- eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und an einer Grenzfläche zwischen der ersten Elektrode und der Isolationsschicht bereitgestellt ist;
- eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und
- eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei
- die Isolationsschicht ein zweites Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf einer Seite der organischen Schicht enthält.
(2) Die Anzeigevorrichtung nach (1), wobei die Isolationsschicht ferner ein Siliciumnitrid in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht enthält.
(3) Die Anzeigevorrichtung nach (2), wobei die Siliciumverbindung ein Siliciumnitrid enthält, und ein Verhältnis des zweiten Siliciumoxids zu einer Gesamtmenge des zweiten Oxids und des Siliciumnitrids, die in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht enthalten sind, 80 % oder mehr beträgt.
(4) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (3), wobei sich eine Zusammensetzung der Isolationsschicht kontinuierlich von dem Volumenteil zu einer Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht ändert.
(5) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (3), wobei die Isolationsschicht Folgendes beinhaltet: eine Volumenschicht, die die Siliciumverbindung enthält, und eine zweite Grenzflächenschicht, die das zweite Siliciumoxid enthält und an einer Grenzfläche zwischen der Volumenschicht und der organischen Schicht bereitgestellt ist.
(6) Die Anzeigevorrichtung nach (5), wobei eine durchschnittliche Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 10 nm oder weniger beträgt.
(7) Die Anzeigevorrichtung nach (5) oder (6), wobei die zweite Grenzflächenschicht zwei oder mehr Schichten beinhaltet, und wenigstens eine Schicht der zwei oder mehr Schichten das Siliciumoxid enthält.
(8) Die Anzeigevorrichtung nach (5) oder (6), wobei die zweite Grenzflächenschicht Folgendes beinhaltet:
- eine erste Schicht, die das zweite Siliciumoxid enthält, und
- eine zweite Schicht, die wenigstens eine Art eines Siliciumnitrids oder eines Siliciumoxinitrids enthält und auf der ersten Schicht bereitgestellt ist.
(9) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (5) bis (8), die ferner Folgendes beinhaltet:
- eine Zwischenschicht, die ein Siliciumfluorid enthält und zwischen der zweiten Grenzflächenschicht und der Volumenschicht bereitgestellt ist.
(10) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (5) bis (9), wobei die zweite Grenzflächenschicht eine Hauptoberfläche der Volumenschicht und einen Rand der Volumenschicht bedeckt.
(11) Die Anzeigevorrichtung nach (10), wobei ein Teil der zweiten Grenzflächenschicht, wobei der Teil den Rand der Volumenschicht bedeckt, eine Zusammensetzung aufweist, die sich von einem Teil der zweiten Grenzflächenschicht unterscheidet, wobei der Teil die Hauptoberfläche der Volumenschicht bedeckt.
(12) Die Anzeigevorrichtung nach (11), wobei ein Teil der zweiten Grenzflächenschicht, wobei der Teil einen Rand der Isolationsschicht bedeckt, positiv geladen ist.
(13) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (12), wobei eine durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht weniger als 15 nm beträgt.
(14) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (13), wobei die Isolationsschicht positiv geladen ist.
(15) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (14), wobei die Siliciumverbindung ein Siliciumnitrid enthält.
(16) Die Anzeigevorrichtung nach (15), wobei die Isolationsschicht ferner Wasserstoff enthält, und ein Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) einer Spitzenintensität I_N-H, die von einer N-H-Bindung abgeleitet wird, und einer Spitzenintensität I_Si-H, die von einer Si-H-Bindung abgeleitet wird, wobei das Spitzenintensitätsverhältnis durch Analysieren der Isolationsschicht durch ein Röntgenfotoelektronenspektroskopie erhalten wird, weniger als 4 beträgt.
(17) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (16), wobei die erste Elektrode eine leitfähige Oxidschicht beinhaltet.
(18) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (17), wobei die organische Schicht mehrere Vorsprünge beinhaltet, die in Teilen bereitgestellt sind, die den jeweiligen Peripherierandteilen der mehreren ersten Elektroden entsprechen, wobei die Teile von einer Oberfläche auf einer Seite der zweiten Elektrode stammen, und eine Dicke der organischen Schicht in einem Gebiet innerhalb des Vorsprungs im Wesentlichen konstant ist.
(19) Die Anzeigevorrichtung nach (18), wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, und ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht höher als ein Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht ist.
(20) Die Anzeigevorrichtung nach (18) oder (19), wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, und sich ein Peripherierand der ersten Öffnung innerhalb eines Peripherierandes der zweiten Öffnung befindet.
(21) Die Anzeigevorrichtung nach (20), wobei die erste Grenzflächenschicht eine Ausbuchtung aufweist, die mit Bezug auf den Peripherierand der zweiten Öffnung hervorsteht, und eine Dicke der Ausbuchtung mit zunehmender Entfernung von der ersten Öffnung zunimmt.
(22) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (21), wobei die erste Elektrode ein Indiumoxid und ein Zinnoxid enthält.
(23) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (22), wobei das Pixel eine Resonatorstruktur aufweist, die durch ein Lichtemissionselement erzeugtes Licht resoniert.
(24) Eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (23).
(25) Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind;
- eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält und zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist;
- eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist;
- eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und
- eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei
- eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
(26) Die Anzeigevorrichtung nach (24), wobei eine Höhe H₁ der organischen Schicht auf der ersten Elektrode und eine Höhe H₂ der organischen Schicht in einem Teil um die erste Elektrode herum eine Beziehung von H₁ ≤ H₂ erfüllen.
(27) Die Anzeigevorrichtung nach (25) oder (26), wobei eine Höhe h₁ der ersten Elektrode, eine Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht und eine Höhe h₃ der Isolationsschicht eine Beziehung von h₁ ≤ h₂ ≤ h₃ erfüllen.
(28) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (27), wobei die erste Grenzflächenschicht einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedeckt.
(29) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (27), wobei die erste Grenzflächenschicht und die Isolationsschicht einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedecken.
(30) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (29), wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils den mehreren ersten Elektroden entsprechend bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils den mehreren ersten Elektroden entsprechend bereitgestellt sind, und ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht höher als ein Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht ist.
(31) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (30), wobei die erste Elektrode ein Indiumoxid und ein Zinnoxid enthält.
(32) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (31), wobei die Isolationsschicht ein zweites Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf einer Seite der organischen Schicht enthält.
(33) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (32), wobei die Isolationsschicht mehrere geneigte Oberflächen aufweist, die jeweils die mehreren ersten Elektroden umgeben.
(34) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (33), wobei das Pixel eine Resonatorstruktur aufweist, die durch ein Lichtemissionselement erzeugtes Licht resoniert.
(35) Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind;
- eine Isolationsschicht, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist;
- eine erste Grenzflächenschicht, die zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist;
- eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und
- eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei
- eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
(36) Eine elektronische Vorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
- die Anzeigevorrichtung nach einem von (25) bis (35) .

Bezugszeichenliste

10, 101, 102, 103, 104, 105, 20A, 20B und 30A: Anzeigevorrichtung
11: Substrat
12: Lichtemissionselement
12A und 12D: Erste Elektrode
12A1: Elektrodenschicht
12B: Organische Schicht
12B1: Lochinjektionsschicht
12B2: Lochtransportschicht
12B3: Lichtemissionsschicht
12B4: Elektronentransportschicht
12C: Zweite Elektrode
12CA: Vorsprung
12D1: Metallschicht
12D2: Leitfähige Oxidschicht
13, 131, 132, 133, 134, 23 und 43: Isolationsschicht
13A, 23A und 43A: Volumenschicht
13A1: Fotolackschicht
13B, 13D, 13E, 23B und 43B: Zweite Grenzflächenschicht
13C: Zwischenschicht
13D1: Erste Schicht
13D2: Zweite Schicht
13H, 14H und 43H: Öffnung
14 und 24: Erste Grenzflächenschicht
14A: Ausbuchtung
15: Schutzschicht
16: Farbfilter
17: Eingefüllte Harzschicht
18: Zugewandtes Substrat
23A1: Fotolackschicht
43C: Geneigte Oberfläche
100R, 100G und 100B: Subpixel
110A: Anzeigegebiet
110B: Peripheriegebiet
120: Signalleitungsansteuerungsschaltkreis
130: Scanleitungsansteuerungsschaltkreis
120A: Signalleitung
130A: Scanleitung
140: Pixelansteuerschaltkreis
310: Digitale Fotokamera (elektronische Vorrichtung)
320: Am Kopf getragene Anzeige (elektronische Vorrichtung)
330: Fernsehvorrichtung (elektronische Vorrichtung)
400: Beleuchtungsvorrichtung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2012216338 [0003]

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind; eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist und die einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedeckt; eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und an einer Grenzfläche zwischen der ersten Elektrode und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei die Isolationsschicht ein zweites Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf einer Seite der organischen Schicht enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsschicht ferner ein Siliciumnitrid in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Siliciumverbindung ein Siliciumnitrid enthält, und ein Verhältnis des zweiten Siliciumoxids zu einer Gesamtmenge des zweiten Oxids und des Siliciumnitrids, die in dem Oberflächenteil auf der Seite der organischen Schicht enthalten sind, 80 % oder mehr beträgt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei sich eine Zusammensetzung der Isolationsschicht kontinuierlich von dem Volumenteil zu einer Oberfläche auf der Seite der organischen Schicht ändert.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsschicht Folgendes beinhaltet: eine Volumenschicht, die die Siliciumverbindung enthält, und eine zweite Grenzflächenschicht, die das zweite Siliciumoxid enthält und an einer Grenzfläche zwischen der Volumenschicht und der organischen Schicht bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei eine durchschnittliche Dicke der zweiten Grenzflächenschicht 10 nm oder weniger beträgt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Grenzflächenschicht zwei oder mehr Schichten beinhaltet, und wenigstens eine Schicht der zwei oder mehr Schichten das Siliciumoxid enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Grenzflächenschicht Folgendes beinhaltet: eine erste Schicht, die das zweite Siliciumoxid enthält, und eine zweite Schicht, die wenigstens eine Art eines Siliciumnitrids oder eines Siliciumoxinitrids enthält und auf der ersten Schicht bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, die ferner Folgendes umfasst: eine Zwischenschicht, die ein Siliciumfluorid enthält und zwischen der zweiten Grenzflächenschicht und der Volumenschicht bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Grenzflächenschicht eine Hauptoberfläche der Volumenschicht und einen Rand der Volumenschicht bedeckt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei ein Teil der zweiten Grenzflächenschicht, wobei der Teil den Rand der Volumenschicht bedeckt, eine Zusammensetzung aufweist, die sich von einem Teil der zweiten Grenzflächenschicht unterscheidet, wobei der Teil die Hauptoberfläche der Volumenschicht bedeckt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei ein Teil der zweiten Grenzflächenschicht, wobei der Teil einen Rand der Isolationsschicht bedeckt, positiv geladen ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine durchschnittliche Dicke der ersten Grenzflächenschicht weniger als 15 nm beträgt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsschicht positiv geladen ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Siliciumverbindung ein Siliciumnitrid enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Isolationsschicht ferner Wasserstoff enthält, und ein Spitzenintensitätsverhältnis (I_N-H/I_Si-H) einer Spitzenintensität I_N-H, die von einer N-H-Bindung abgeleitet wird, und einer Spitzenintensität I_Si-H, die von einer Si-H-Bindung abgeleitet wird, wobei das Spitzenintensitätsverhältnis durch Analysieren der Isolationsschicht durch ein Röntgenfotoelektronenspektroskopie erhalten wird, weniger als 4 beträgt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode eine leitfähige Oxidschicht beinhaltet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die organische Schicht mehrere Vorsprünge beinhaltet, die in Teilen bereitgestellt sind, die den jeweiligen Peripherierandteilen der mehreren ersten Elektroden entsprechen, wobei die Teile von einer Oberfläche auf einer Seite der zweiten Elektrode stammen, und eine Dicke der organischen Schicht in einem Gebiet innerhalb des Vorsprungs im Wesentlichen konstant ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 18, wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, und ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht höher als ein Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 18, wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils oberhalb der mehreren ersten Elektroden bereitgestellt sind, und sich ein Peripherierand der ersten Öffnung innerhalb eines Peripherierandes der zweiten Öffnung befindet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 20, wobei die erste Grenzflächenschicht eine Ausbuchtung aufweist, die mit Bezug auf den Peripherierand der zweiten Öffnung hervorsteht, und eine Dicke der Ausbuchtung mit zunehmender Entfernung von der ersten Öffnung zunimmt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode ein Indiumoxid und ein Zinnoxid enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Pixel eine Resonatorstruktur aufweist, die durch ein Lichtemissionselement erzeugtes Licht resoniert.
Elektronische Vorrichtung, die Folgendes umfasst: die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1.
Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind; eine Isolationsschicht, die eine Siliciumverbindung enthält und zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist; eine erste Grenzflächenschicht, die ein erstes Siliciumoxid enthält und zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist; eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei eine Höhe H₁ der organischen Schicht auf der ersten Elektrode und eine Höhe H₂ der organischen Schicht in einem Teil um die erste Elektrode herum eine Beziehung von H₁ ≤ H₂ erfüllen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei eine Höhe h₁ der ersten Elektrode, eine Höhe h₂ der ersten Grenzflächenschicht und eine Höhe h₃ der Isolationsschicht eine Beziehung von h₁ ≤ h₂ ≤ h₃ erfüllen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die erste Grenzflächenschicht einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedeckt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die erste Grenzflächenschicht und die Isolationsschicht einen Peripherierandteil der ersten Elektrode bedecken.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die erste Grenzflächenschicht mehrere erste Öffnungen aufweist, die jeweils den mehreren ersten Elektroden entsprechend bereitgestellt sind, die Isolationsschicht mehrere zweite Öffnungen aufweist, die jeweils den mehreren ersten Elektroden entsprechend bereitgestellt sind, und ein Aperturverhältnis der Isolationsschicht höher als ein Aperturverhältnis der ersten Grenzflächenschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die erste Elektrode ein Indiumoxid und ein Zinnoxid enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Isolationsschicht ein zweites Siliciumoxid in einem Oberflächenteil auf einer Seite der organischen Schicht enthält.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Isolationsschicht mehrere geneigte Oberflächen aufweist, die jeweils die mehreren ersten Elektroden umgeben.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei das Pixel eine Resonatorstruktur aufweist, die durch ein Lichtemissionselement erzeugtes Licht resoniert.
Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: mehrere erste Elektroden, die jeweils für jedes Pixel bereitgestellt sind; eine Isolationsschicht, die zwischen den ersten Elektroden bereitgestellt ist; eine erste Grenzflächenschicht, die zwischen einer Seitenoberfläche der ersten Elektrode und einer Seitenoberfläche der Isolationsschicht bereitgestellt ist; eine organische Schicht, die eine Lichtemissionsschicht enthält und für alle der Pixel gemeinsam auf den ersten Elektroden und der Isolationsschicht bereitgestellt ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht bereitgestellt ist, wobei eine Dicke der organischen Schicht auf den ersten Elektroden im Wesentlichen konstant ist.
Elektronische Vorrichtung, die Folgendes umfasst: die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25.