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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Bereich der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung und, spezieller, eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, die in der Lage ist, eine Schwellenspannung eines Dünnfilmtransistors daran zu hindern, sich zu ändern.
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Diskussion des Standes der Technik
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Bildanzeigevorrichtungen, die verschiedene Arten von Informationen als Bilder realisieren sind eine Kerntechnologie der Informationskommunikationsgesellschaft und werden in dünnere, leichtere und tragbarere Hochleistungsvorrichtungen entwickelt. Eine organische-Licht-emittierende-Diode(OLED)-Anzeigevorrichtung, die ein Bild durch Steuern der Lichtmenge, die von einer organischen Emissionsschicht ausgestrahlt wird, anzeigt, wird als Flach-Panel-Anzeige in den Blickpunkt gerückt, die in der Lage ist, das Gewicht und die Größe zu reduzieren, was Nachteile einer Kathodenstrahlröhre (CRT) sind. Eine solche OLED-Anzeigevorrichtung ist eine selbst strahlende Anzeige mit geringem Energieverbrauch, hoher Reaktionszeit, hoher Emissionseffizienz, hoher Luminanz und großen Blickwinkel.
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Eine solche OLED-Anzeigevorrichtung zeigt ein Bild durch eine Mehrzahl von Subpixeln an, die in einer Matrix angeordnet sind. Hierbei weist jeder Subpixel ein Licht-emittierendes Element und eine Pixel-Treibe-Schaltung zum unabhängigen Treiben des Licht-emittierenden Elements auf.
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Schwellenspannungen einer Mehrzahl von Transistoren, die in der Pixel-Treibe-Schaltung enthalten sind, ändern sich in eine negative Richtung, wenn die Transistoren externem Licht ausgesetzt sind. Aufgrund einer solchen Schwellenspannungsänderung wird die Luminanz von Subpixeln, die mit den Transistoren, die dem externen Licht ausgesetzt sind, verbunden sind, höher als die Luminanz von Subpixeln, die mit Transistoren verbunden sind, die nicht dem externen Licht ausgesetzt sind, was in einer nicht-gleichmäßigen Bildanzeige resultiert.
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DE 10 2015 109 475 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung und eine Anzeigetafel, wobei die Anzeigetafel eine lichtblockierende Schicht, die zwischen einem Arraysubstrat und einer pixel-definierenden Schicht liegt und dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf einen Dünnschichttransistor in dem Arraysubstrat ausgestrahlt wird, wobei durch das Anordnen der lichtblockierenden Schicht zwischen dem Arraysubstrat und der pixel-definierenden Schicht verhindert wird, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor in dem Arraysubstrat ausgestrahlt wird, wodurch ein aufgrund der optischen Erregung von dem Dünnschichttransistor erzeugter Fehlerstrom reduziert wird.
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US 2016/0 118 453 A1 beschreibt eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, die eine Anzeige aufweist, die eine organische Emissionsschicht und einen Dünnschichttransistor, der die organische Emissionsschicht ansteuert, und eine Hintergrundbeleuchtung, die Licht in Richtung des Dünnschichttransistors abstrahlt, aufweist.
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US 2014/0 042 396 A1 beschreibt eine Organischelichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung, die ein Substrat, das eine Mehrzahl von Pixeln mit einem leuchtenden Bereich und einem nicht-leuchtenden Bereich aufweist, eine Anti-Reflexionsschicht, die auf dem Substrat gebildet ist und mindestens eine metallische Schicht und mindestens eine isolierende Schicht aufweist, einen Dünnschichttransistor, der auf der Anti-Reflexionsschicht in dem nicht-leuchtenden Bereich gebildet ist und eine Gate-Elektrode oder eine Metallleitung auf der Anti-Reflexionsschicht in dem nicht-leuchtenden Bereich aufweist, eine auf dem Dünnschichttransistor gebildete Passivierungsschicht, einen auf der Passivierungsschicht in dem leuchtenden Bereich gebildeten Farbveredler, eine auf der Passivierungsschicht in dem nicht-leuchtenden Bereich gebildete Licht-blockierende Schicht, eine organische lichtemittierende Schicht, und eine Kathodenelektrode und eine Anodenelektrode aufweist.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Ein Ziel der vorliegenden Erfindung zum Lösen des oben genannten Problems ist es, eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Schwellenspannung eines Dünnfilmtransistor daran zu hindern, sich zu ändern.
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Um das Ziel zu erreichen, werden eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 10 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. In einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann eine obere Licht-abschirmende Schicht, die eine Pixel-Treibe-Schaltung, die ein Licht-emittierendes Element treibt, überlagert, auf derselben Ebene wie eine Anodenelektrode angeordnet werden und eine Bank ist angeordnet, um die Seiten der oberen Licht-abschirmenden Schicht abzudecken.
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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung die obere Licht-abschirmende Schicht auf, die auf derselben Ebene wie die Anodenelektrode angeordnet sein kann und die die Pixel-Treibe-Schaltung überlagert. Die obere Licht-abschirmende-Schicht absorbiert oder reflektiert Licht, das von außen zugeführt wird, oder Licht, das von dem Licht-emittierenden Element erzeugt wird, und kann so Licht, das den Seiten und der oberen Oberfläche einer aktiven Schicht zugeführt wird, blockieren. Dementsprechend können verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eine Änderung der Schwellenspannung in einem Transistor aufgrund von Licht verhindern, sodass die Ungleichmäßigkeit bei einer Bildanzeige, die durch Schwellenspannungsänderung verursacht wird, verbessert wird.
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Figurenliste
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- 1 ist eine ebene Ansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
- 2 ist eine ebene Ansicht, die einen Emissionsbereich und einen Treibe-Schaltungs-Bereich von jedem in 1 gezeigten Subpixel in größeren Detail zeigt.
- 3 ist eine Querschnittsansicht, die jeden Subpixel einer organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel zeigt.
- 4 ist eine Querschnittsansicht, die eine obere Licht-abschirmende Schicht gemäß einer Ausführungsform zeigt.
- 5 ist ein Diagramm zum Beschreiben der Lichtmenge, die einer aktiven Schicht in einem Vergleichsbeispiel, in dem die obere Licht-abschirmende Schicht nicht vorgesehen ist und einem Ausführungsbeispiel, in dem die obere Licht-abschirmende Schicht vorgesehen ist, zugeführt wird.
- Die 6A und 6B sind Diagramme zum Beschreiben von Schwellenspannungsänderungen in Dünnfilmtransistoren in dem Vergleichsbeispiel und der Ausführungsform.
- Die 7A bis 7E sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen der in 3 gezeigten organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung.
- 8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem zweiten Vergleichsbeispiel zeigt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Detail mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben.
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1 ist eine ebene Ansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
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Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, die in 1 gezeigt ist, weist einen aktiven Bereich A und einen Kontaktbereich PA auf.
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Eine Mehrzahl von Kontakten, durch die treibe Signale den Scan-Leitungen SL, Datenleitungen DL, einer Hohe-Spannung(VDD)-Versorgungsleitung und einer Niedrige-Spannung (VSS)-Versorgungsleitung, die in dem aktiven Bereich A angeordnet sind, sind in dem Kontaktbereich PA ausgebildet.
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Der aktive Bereich AA zeigt ein Bild durch Einheitspixel, die Licht-emittierende Elemente 130 aufweisen, an. Ein Einheitspixel ist aus roten (RR), Grünen (G) und blauen (B) oder roten (RR), Grünen (G), blauen (B) und weißen (W) Subpixeln zusammengesetzt. Jeder Subpixel weist ein Emissionselement 130 und eine Pixel-Treibe-Schaltung zum Unabhängigen Treiben des Emissionselements 130 auf. Hierbei ist das Emissionselement in einem Emissionsbereich jedes Subpixels angeordnet und die Pixel-Treibe-Schaltung ist in einem Treibe-Schaltungs-Bereich jedes Subpixels angeordnet, wie es in 2 gezeigt ist.
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Die Pixel-Treibe-Schaltung weist einen Schalt-Transistor TS, einen Treibe-Transistor TD und eine Speicherkapazität Cst auf.
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Der Schalttransistor TS schaltet sich ein, wenn ein Scan-Puls-Signal der Scan-Leitung SL zugeführt wird, sodass ein Datensignal, das der Datenleitung zugeführt wird, an die Speicher-Kapazität Cst und die Gate-Elektrode des Treibe-Transistors TD geliefert wird.
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Der Treibe-Transistor TD passt die Menge von emittierten Licht des Licht-emittierenden Elements 130 an durch Steuern des Stroms I, der von der Hohe-Spannung(VDD)-Versorgungsleitung dem Licht-emittierenden Element 130 zugeführt wird, in Reaktion auf ein Datensignal, das der Gate-Elektrode des Treibe-Transistors TD zugeführt wird. Zusätzlich liefert der Treibe-Transistor TD, selbst wenn der Schalt-Transistor TS sich ausschaltet, einen konstanten Strom I gemäß der Spannung, die in die Speicher-Kapazität Cst geladen ist, bis ein Datensignal des nächsten Frames geliefert wird, sodass das Licht-emittierende Element 130 die Lichtemission aufrecht erhält.
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Zu diesem Zweck weist der Treibe-Transistor TD die Gate-Elektrode 106, eine Source-Elektrode 108, eine Drain-Elektrode 110 und eine aktive Schicht 104 auf, wie in 3 gezeigt.
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Die Gate-Elektrode 106 ist auf einer Gate-Isolierstruktur 112 ausgebildet, die dieselbe Struktur ist wie die Gate-Elektrode 106. Die Gate-Elektrode 106 ist einem Kanalbereich der aktiven Schicht 104 überlagert (beispielsweise überlappend, beispielsweise abdeckend), wobei die Gate-Isolierstruktur 112 dazwischen angeordnet ist. Die Gate-Elektrode 106 kann eine einzige Schicht oder mehrere Schichten gebildet aus irgend einem von Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder einer Legierung davon sein, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist die Gate-Elektrode 106 als eine Cu/MOTi-Struktur gebildet.
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Die Source-Elektrode 108 ist mit der aktiven Schicht 104 verbunden, die durch ein Source-Kontaktloch 124S, das eine Zwischenebene-Isolierschicht 116 durchdringt, freilegt. Die Drain-Elektrode 110 ist mit der aktiven Schicht 104 verbunden, die durch ein Dragon-Kontaktloch 124D, das die Zwischenebene-Isolierschicht 116 durchdringt, freilegt. Zusätzlich wird die Drain-Elektrode 110 durch ein Pixel-Kontaktloch 120 freigelegt, das ausgebildet ist, sodass es eine Passivierungsschicht 118 und eine mit einer Anoden-Elektrode 132 zu verbindenden Planarisierungsschicht 128 durchdringt.
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Beispielsweise können die Source-Elektrode 108 und die Drain-Elektrode 110 eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten sein, die aus irgend einem von Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd und Cu oder einer Legierung davon gebildet sind, aber die vorliegenden Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
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Die aktive Schicht 104, der die Gate-Elektrode 106 überlagert ist mit der dazwischen gebildeten Gate-Isolierstruktur 112 weist den zwischen der Source-Elektrode 108 und der Drain-Elektrode 110 ausgebildeten Kanalbereich auf. Die aktive Schicht 104 ist auf einer Puffer-Schicht 114 unter Verwendung von mindestens einem von einem amorphen Halbleiter-Material, einem Polysilizium-Halbleitermaterial und einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet. Die Pufferschicht 114 ist aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrit in einer Mono-Schicht- oder Multi-Schicht-Struktur auf einem Substrat 101 gebildet, das aus einem Plastik-Harz wie beispielsweise Glas oder Polyimid (PI) gebildet ist. Die Puffer-Schicht 114 dient dazu, bei der Kristallisierung der aktiven Schicht 104 zu helfen, indem sie die Diffusion von Feuchtigkeit oder Unreinheiten, die in dem Substrat 101 erzeugt werden, verhindert oder während der Kristallisierung eine Wärmetransferrate kontrolliert.
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Die Speicher-Kapazität Cst wird durch Überlagern einer oberen Speicherelektrode 154 auf einer unteren Speicherelektrode 152 mit einer dazwischen ausgebildeten zwischen Ebenen-Isolierschicht 116 gebildet. Die untere Speicherelektrode 152 ist aus demselben Material wie die Gate-Elektrode 106 auf derselben Ebene gebildet, auf dem die Gate-Elektrode 106 gebildet ist und die obere Speicher-Elektrode 154 es aus demselben Material wie die Drain-Elektrode 110 auf derselben Ebene gebildet, auf dem die Drain-Elektrode 110 gebildet ist. Die untere Speicherelektrode 152 ist mit der Drain-Elektrode 110 von einem von dem Schalt-Transistor TS und dem Treibe-Transistor TD verbunden und die obere Speicherelektrode 154 ist mit der Drain-Elektrode 110 des anderen von dem Schalt-Transistor TS und dem Treibe-Transistor TD verbunden. Selbst wenn der Schalt-Transistor TS durch eine in die Speicherkapazität Cst geladene Schaltung ausgeschaltet wird, liefert der Treibe-Transistor TD einen konstanten Strom, bis ein Datensignal eines nächsten Frames geliefert wird, sodass die Lichtemission von dem Licht-emittierenden Element 130 aufrechterhalten wird.
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Das Licht-emittierende Element 130 weist die mit der Drain-Elektrode 110 des Treibe-Transistors TD verbundene Anodenelektrode 132, mindestens eine auf der Anodenelektrode 132 gebildete organische Schicht 134 und eine mit der Niedrige-Spannung(VSS)-Versorgungsleitung zu verbindende Kathodenelektrode 136, die auf der organischen Schicht 134 gebildet ist, auf. Hierbei dient die Niedrige-Spannung(VSS)-Versorgungsleitung dazu die niedrige Spannung VSS, die niedriger ist als die hohe Spannung VDD, zu liefern.
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Die Anodenelektrode 132 ist aus einer transparenten leitfähigen Schicht wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet, wenn sie für eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung vom Unterseiten-Emissions-Typ angewendet wird. Die obere Oberfläche der Anodenelektrode 132 wird von einer Bank 138 freigelegt, sodass ein Emissionsbereich bereitgestellt wird. Das heißt, dass die Bank 138 derart ausgestaltet ist, dass sie eine Kante der Anodenelektrode 132 entlang der Kante der Anodenelektrode 132 ohne den Emissionsbereich EA überdeckt. Weiterhin ist die Bank 138 derart ausgebildet, dass sie den Treibe-Schaltungs-Bereich CA überdeckt und somit die Oberfläche und Zeiten einer oberen Licht-abschirmenden Schicht 122, die in dem Treibe-Schaltungs-Bereich CA ausgebildet ist, überdeckt. Die Bank 138 kann die Seiten der oberen Licht-abschirmenden in Schicht 122 daran hindern, die organische Schicht 134 zu kontaktieren.
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Die organische Schicht 134 wird durch Bilden einer Loch-Transportschicht, einer Emissionsschicht und einer Elektronen-Transportschicht nacheinander oder in umgekehrter Reihenfolge gebildet.
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Die Kathodenelektrode 136 ist auf der organischen Schicht 134 und der Bank 138 ausgebildet, sodass sie der Anodenelektrode 132 gegenüberliegt, wobei die organische Schicht 134 dazwischen angeordnet ist. Die Kathodenelektrode 136 ist in einer Multi-Schicht-Struktur ausgebildet, die eine transparente leitfähige Schicht und eine undurchsichtige leitfähige Schicht mit einer hohen Reflexionseffizienz aufweist, wenn sie für eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung vom Unterseiten-Emissions-Typ angewendet wird. Die transparente leitfähige Schicht ist aus einem Material gebildet, das einen verhältnismäßig großen Austrittsarbeitswert hat, wie beispielsweise in die Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder in Indium-Zink-Oxid (IZO) und die undurchsichtige leitfähige Schicht ist in einer Mono-Schicht- oder Multi-Schicht-Struktur gebildet, aufweisend Al, Ag, Cu, Pb, Mo, Ti oder einer Legierung davon. Beispielsweise ist die Kathodenelektrode 136 in einer Struktur gebildet, in der eine transparente leitfähige Schicht, eine undurchsichtige leitfähige Schicht und eine transparente leitfähige Schicht nacheinander laminiert sind.
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Farbfilter 160 sind auf der Passivierungsschicht 118 angeordnet, sodass sie die von der Bank 138 bereitgestellten Emissionsbereiche EA überlagern (beispielsweise überlappen, beispielsweise abdecken). Einer von roten (R), grünen (G) und blauen (B) Farbfiltern ist in jedem Subpixel angeordnet. Das heißt, dass ein roter Farb-Filter 160 in einem roten (R) Subpixel angeordnet ist, ein grüner Farbfilter 160 ist in einem grünen (G) Subpixel angeordnet und ein blauer Farbfilter 160 ist in einem blauen (B) Subpixel angeordnet. Dementsprechend realisiert, wenn weißes Licht, das von der organischen Schicht 130 erzeugt wird, einen bestimmten Farbfilter 160 durchläuft, der Farbfilter 160 Licht in der dementsprechenden Farbe. Jeder Farbfilter 160 kann erweitert werden, sodass er mindestens den Schalt-Transistor TS und den Treibe-Transistor TD überdeckt.
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Wie oben beschrieben, wird, wenn die organische Schicht 134 weißes Licht erzeugt, das von der organischen Schicht 134 erzeugte weiße Licht dem Farbfilter 160 zugeführt, sodass ein Farbbild realisiert wird. Andererseits kann die organische Schicht 1343 Farblicht erzeugen, das jedem Subpixel SP entspricht, sodass ein Farbbild ohne den Farbfilter 160 realisiert wird. Das heißt, dass die organische Schicht 134 des roten (R) Subpixels SP rotes Licht erzeugen kann, die organische Schicht 134 des grünen (G) Subpixels SP kann grünes Licht erzeugen und die organische Schicht 134 des blauen (B) Subpixels SP kann blaues Licht erzeugen.
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Die Planarisierungsschicht 128 ist aus einem transparenten organischen isolierenden Material wie beispielsweise Acryl-Harz auf dem Substrat 101 ausgebildet, auf dem der Farbfilter 160 für Planarisierung ausgebildet ist. Die Planarisierungsschicht 128 dient in weißen Subpixeln SP als weißer Farbfilter ohne den Farbfilter 160.
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Wie oben beschrieben weist die vorliegende Erfindung eine untere Licht-abschirmende Schicht 102 und die obere Licht-abschirmende Schicht 122 auf, um externes Licht daran zu hindern, dem Treibe-Transistor TD und dem Schalt-Transistor TS zugeführt zu werden.
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Die untere Licht-abschirmende Schicht 102 ist zwischen dem Substrat 101 und der aktiven Schicht 104 angeordnet. Das heißt, dass die untere Licht-abschirmende Schicht 102 auf dem Substrat 101 ausgebildet ist, sodass die aktive Schicht 104 sie überlagert. Die untere Licht-abschirmende Schicht 102 absorbiert oder reflektiert externes Licht und kann somit externes Licht, das den Seiten und der Unterseite der aktiven Schicht 104 zugeführt wird, blockieren. Die untere Licht-abschirmende Schicht 102 ist aus einem undurchsichtigen Metall wie beispielsweise Mo, Ti, Al, Cu, Cr, Co, W, Ta oder Ni gebildet.
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Die obere Licht-abschirmende Schicht 122 ist auf der Planarisierungsschicht 128 angeordnet, sodass sie die Pixel-Treibe-Schaltung von jedem Subpixel SP, die den Schalt-Transistor TS, den Treibe-Transistor TD und die Speicher-Kapazität Cst aufweist, überlagert (beispielsweise überlappt, beispielsweise abdeckt). Das heißt, dass die obere Licht-abschirmende Schicht 122 in dem Treibe-Schaltungs-Bereich CA von jedem Subpixel SB angeordnet ist. Eine transparente leitfähige Schicht 121 ist zwischen der oberen Licht-abschirmenden Schicht 122 und der Planarisierungsschicht 128 ausgebildet.
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Die transparente leitfähige Schicht 121 ist derart angeordnet, dass sie direkt in Kontakt mit der oberen Licht-abschirmenden Schicht unter der oberen Licht-abschirmenden Schicht 122 kommt. Die transparente leitfähige Schicht 121 ist aus demselben Material wie die Anodenelektrode 132 auf derselben Ebene ausgebildet, in der die Anodenelektrode 132 gebildet ist. Das heißt, dass die transparente leitfähige Schicht 121 aus einem transparenten Material wie ITU oder IZO gebildet ist. Die transparente leitfähige Schicht 121 ist elektrisch von der Anodenelektrode 132 isoliert, wie in 3 gezeigt, oder elektrisch mit der Anodenelektrode 132 verbunden, wie in 4 gezeigt. Wenn die Anodenelektrode 132 von der transparenten leitfähigen Schicht 121 elektrisch isoliert ist, wie in 3 gezeigt, ist es möglich, dass verhindert wird, dass parasitäre Kapazitäten zwischen der oberen Licht-abschirmenden Schicht 122 und den in dem Treibe-Transistor TD, der Speicher-Kapazität Cst und dem Schalt-Transistor TS enthaltenen Elektroden gebildet werden. Wenn die Anodenelektrode 132 elektrisch mit der transparenten leitfähigen Schicht 121 verbunden ist, wie in 4 gezeigt, ist die obere Licht-abschirmende Schicht 122, die auf der transparenten leitfähigen Schicht 121 angeordnet ist, zu dem Pixel-Kontaktloch 120 erweitert, und kann somit effektiv Licht blockieren, das der aktiven Schicht 104 zugeführt wird.
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Die obere Licht-abschirmende Schicht 122 ist auf der transparenten leitfähigen Schicht 121 unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das zu dem der unteren Licht-abschirmenden Schicht 102 identisch oder ihm ähnlich ist. Das heißt, dass die obere Licht-abschirmende Schicht 122 aus einem undurchsichtigen Metall wie Mo, Ti, Al, Cu, Cr, Co, W, Ta oder Ni gebildet ist. Die obere Licht-abschirmende Schicht 122 wird mit derselben Linienbreite wie die transparente leitfähige Schicht 121 gebildet, sodass die obere Licht-abschirmende Schicht 122 nicht die Drain-Elektrode 110 des Treibe-Transistors TD überlagert (beispielsweise nicht überlappt, beispielsweise nicht abdeckt), wie in 3 gezeigt, oder ist derart gebildet, dass sie die Drain-Elektrode 110 des Treibe-Transistors TD sowie den Treibe-Schaltungs-Bereich CA überlagert (beispielsweise überlappt, beispielsweise abdeckt), wie in 4 gezeigt.
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Die obere Licht-abschirmende Schicht 122 absorbiert oder reflektiert Licht, das von außen zugeführt wird, oder internes Licht, das in dem Licht-emittierenden Element erzeugt wird und der aktiven Schicht 104 zugeführt wird, und kann somit Licht blockieren, das den Seiten und der oberen Oberfläche der aktiven Schicht 104 zugeführt wird.
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Dementsprechend kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die die obere Licht-abschirmende Schicht 122 aufweist, die Lichtmenge, die der aktiven Schicht zugeführt wird, stärker reduziert werden, als in dem Vergleichsbeispiel, in dem die obere Licht-abschirmende Schicht nicht vorgesehen ist, wie in 5 gezeigt.
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In diesem Fall wird in dem Vergleichsbeispiel, in dem die obere Licht-abschirmende Schicht nicht vorgesehen ist, eine Schwellenspannung aufgrund von Negative-Tendenz-Beleuchtungs-Stress (NBiS) mit zunehmender Zeitdauer, während der die aktive Schicht externem Licht ausgesetzt ist, in negative Richtung verschoben, wie in 6A gezeigt. Andererseits kann NBiS in der Ausführungsform, in der obere Licht-abschirmende Schicht 122 vorgesehen ist, durch die obere Licht-abschirmende Schicht 122 verringert werden, selbst mit zunehmender Zeitdauer, während der die aktive Schicht dem externen Licht ausgesetzt ist und somit kann eine Schwellenspannungsänderung verhindert werden, wie in 6B gezeigt. Dementsprechend kann die vorliegende Erfindung die Ungleichmäßigkeit bei der Bildanzeige, verursacht durch Schwellenspannungsänderung, verbessern.
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Die 7A bis 7E sind Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen der in 3 gezeigten organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung.
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Wie in 7A gezeigt, werden die Speicherkapazität Cst, der Treibe-Transistor TD, die Farbfilter 160 und die Planarisierungsschicht 128 auf dem Substrat 101 durch mehrere Maskenprozesse gebildet. Dann werden die transparente leitfähige Schicht 121 und eine undurchsichtige leitfähige Schicht 123 nacheinander auf dem Substrat 101 gebildet, auf dem die Planarisierungsschicht 128 gebildet ist. Anschließend wird die gesamte Oberfläche der undurchsichtigen leitfähigen Schicht 123 mit einem Photoresist beschichtet, das durch einen Fotolithographie-Prozess strukturiert wird, sodass eine Photoresist-Struktur 150 in einer Multi-Ebenen-Struktur gebildet wird. Die Photoresist-Struktur 150 wird bis zu einer ersten Dicke in dem Emissionsbereich und bis zu einer zweiten Dicke, die größer ist als die erste dicke, in dem Treibe-Schaltungs-Bereich CA gebildet. Die durchsichtige leitfähige Schicht 121 und die undurchsichtige leitfähige Schicht 123 werden durch einen Ätzprozess unter Verwendung der Photoresist-Struktur 150 als Maske zum Bilden der oberen Leib Licht-abschirmenden Schicht 122 und der Anodenelektrode 132 strukturiert, wie in 7B gezeigt.
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Hierbei ist die durchsichtige leitfähige Schicht 121 unter der oberen Licht-abschirmenden Schicht 122 angeordnet und die Anodenelektrode 132 ist in einer Struktur gebildet, in der die durchsichtige leitfähige Schicht 121 und die undurchsichtige leitfähige Schicht 123 sequenziell laminiert sind.
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Dann wird ein Veraschungsprozess durchgeführt, um die Photoresist-Struktur 150 mit der ersten Dicke zu entfernen, um die undurchsichtige leitfähige Schicht 123 die in der Anodenelektrode 132 enthalten ist, freizulegen, wie in 7C gezeigt. Die Dicke der Photoresiststruktur 150 mit der zweiten Dicke wird durch den Veraschungsprozess verringert und die verbleibende Photoresiststruktur 51 mit der zweiten Dicke bedeckt die obere Licht-abschirmende Schicht 122. Die freiliegende undurchsichtige leitfähige Schicht 123 der Anodenelektrode 132 wird durch einen Ätz-Prozess unter Verwendung der Photoresist-Struktur 150 mit der zweiten Dicke als Maske entfernt. Dementsprechend ist die Anodenelektrode 132 aus der transparenten leitfähigen Schicht 121 zusammengesetzt, wie in 7D gezeigt.
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Anschließend wird eine organische Schicht aus Photoacrylharz, beispielsweise auf der gesamten Oberfläche des Substrats 101, auf dem die obere Licht-abschirmende Schicht 122 und die Anodenelektrode 132 ausgebildet sind, gebildet und dann durch Foto Lithographie strukturiert, sodass die Bank 138 gebildet wird, wie in 7 gezeigt. Danach wird die organische Schicht 134 auf der gesamten Oberfläche des Substrats 101, auf dem die Bank 138 gebildet ist, gebildet und die Kathodenelektrode 136 wird auf dem Substrat 101 gebildet, auf dem die organische Schicht 134 gebildet ist.
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8 ist eine Querschnittsansicht, die eine organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem zweiten Vergleichsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
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Die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung, die in 8 gezeigt ist, weist dieselben Komponenten wie jene der organischen Licht emittierenden Anzeigevorrichtung auf, die in den Figuren drei und vier gezeigt ist, außer dass jeder Subpixel SP ferner einen Transmissionsbereich TA aufweist. Dementsprechend wird eine detaillierte Beschreibung derselben Komponenten weggelassen.
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Der Transmissionsbereich TA, der in 8 gezeigt ist, ist ein Bereich, in dem Licht, das der Rückseite der organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung zugeführt wird, verläuft, sodass ein Hintergrundbild eines Objekts oder einer Szene hinter der organischen Licht-emittierenden Anzeigevorrichtung gesehen werden kann. Das heißt, dass der Transmissionsbereich TA Licht, das der Vorderseite der Kathodenelektrode 136 zugeführt wird, überträgt, wenn die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung vom Unterseiten-Emissions-Typ ist, und Licht, das der Rückseite des Substrats 101 zugeführt wird, überträgt, wenn die organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung von einem Oberseiten-Emissions-Typ ist.
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Zu diesem Zweck werden nur Dünnfilme, die aus transparenten Materialien gebildet sind, in dem Transmissionsbereich TA angeordnet. Das Substrat 101, die Pufferschicht 114, die Zwischenebenen-Isolierschicht 116, die Passivierungsschicht 118, die Planarisierungsschicht 128, die Anodenelektrode 122 und die Bank 138 sind in dem Transmissionsbereich TA angeordnet. Die obere Licht-abschirmende Schicht 122, die ein Dünnfilm ist, der aus einem undurchsichtigen Material gebildet ist, ist nicht unter der Bank 138, die in dem Transmissionsbereich TA gebildet ist, angeordnet, und somit kann eine transparente Anzeigevorrichtung realisiert werden.
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Eine solche transparente Anzeigevorrichtung weist die obere Licht-abschirmende Schicht 122 auf, die auf der Planarisierungsschicht 128 angeordnet ist, sodass sie die Pixel-Treibe-Schaltung überlagert (beispielsweise überlappt, beispielsweise abdeckt). Die obere Licht-abschirmende Schicht 122 absorbiert oder reflektiert Licht, das von außen zugeführt wird, oder Licht, das von dem Licht-emittierenden Element erzeugt wird, und kann somit Licht blockieren das den Seiten und der oberen Oberfläche der aktiven Schicht 104 zugeführt wird. Dementsprechend kann die vorliegende Erfindung eine Schwellenspannungsänderung in einem Transistor aufgrund von Licht verhindern, sodass die Ungleichförmigkeit bei der Bildanzeige, die durch eine Schwellenspannungsänderung verursacht wird, verbessert wird.
