DE102015109475A1

DE102015109475A1 - Anzeigevorrichtung, anzeigetafel und verfahren zu derenherstellung

Info

Publication number: DE102015109475A1
Application number: DE102015109475.4A
Authority: DE
Inventors: Yongzhi Wang; Liyuan Luo
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Current assignee: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Cn; Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Shangh Cn; Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2014-12-23
Filing date: 2015-06-15
Publication date: 2016-06-23
Also published as: CN104681592B; US9478596B2; US20160181343A1; CN104681592A

Abstract

Anzeigevorrichtung, Anzeigetafel und Verfahren zu deren Herstellung, wobei die Anzeigetafel ein Arraysubstrat mit mehreren Dünnschichttransistoren, eine pixeldefinierende Schicht, die auf dem Arraysubstrat angeordnet ist, und eine organische, lichtemittierende Struktur aufweist, die von der pixeldefinierenden Schicht umgeben ist und eine Struktur mit Oberseitenemission ist. Die Anzeigetafel weist ferner Folgendes auf: eine lichtblockierende Schicht, die zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht liegt und dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor in dem Arraysubstrat ausgestrahlt wird. Durch das Anordnen der lichtblockierenden Schicht zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht kann verhindert werden, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor in dem Arraysubstrat ausgestrahlt wird. Somit kann ein aufgrund der optischen Erregung von dem Dünnschichttransistor erzeugter Fehlerstrom reduziert werden, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors verbessert wird.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf die Anzeigetechnik und insbesondere auf Anzeigevorrichtungen, Anzeigetafeln und Verfahren zu deren Herstellung.
HINTERGRUND
Eine organische, lichtemittierende Anzeige (engl. Organic Light Emitting Display-OLED) weist Merkmale auf, die zum Beispiel darin bestehen, dass sie selbstleuchtend ist, einen niedrigen Leistungsverbrauch, eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit, einen hohen Kontrast und einen weiten Bildwinkel hat.
1 ist ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigetafel aus dem Stand der Technik. Wie in 1 gezeigt, ist die Anzeigetafel eine OLED-Anzeigetafel und weist ein Arraysubstrat 11, eine gegenüber dem Arraysubstrat 11 angeordnete Glasabdeckplatte 12, eine Planarisierungsschicht 13, die auf einer Fläche des Arraysubstrats 11 angeordnet ist, auf einer seiner Seiten, die nahe der Glasabdeckplatte 12 liegt, eine auf der Planarisierungsschicht angeordnete organische, lichtemittierende Struktur 14, eine pixeldefinierende Schicht (PDL) 15, die die organische, lichtemittierende Struktur 14 umgibt, und einen Träger 16 auf, der auf der pixeldefinierenden Schicht 15 angeordnet und dazu ausgelegt ist, die Glasabdeckplatte 12 zu halten. Das Arraysubstrat 11 umfasst mehrere Dünnschichttransistoren (TFT) 111, und die organische, lichtemittierende Struktur 14 umfasst eine Reflexionsanode 141, eine organische, lichtemittierende Schicht 142 und eine ebene halbdurchlässige Kathode 143, die nacheinander auf dem Arraysubstrat 11 angeordnet sind.
Wie in 1 gezeigt, kann der in dem Arraysubstrat angeordnete Dünnschichttransistor 111 hauptsächlich durch einen Halbleiter aus Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) oder Niedertemperaturoxid gebildet sein, wobei der durch den LTPS- oder Oxid-Halbleiter gebildete Dünnschichttransistor 111 gegenüber Licht hochempfindlich ist. Wenn Umgebungslicht in die Anzeigetafel tritt, wird aufgrund eines Reflexionseffekts der Reflexionsanode 141 ein Teil des Lichts nicht auf das Arraysubstrat 11 unterhalb der Reflexionsanode 141 ausgestrahlt, wobei der andere Teil des Lichts auf den Dünnschichttransistor 111 in dem Arraysubstrat 11 ausgestrahlt wird, nachdem es direkt durch die pixeldefinierende Schicht 15 gedrungen ist. Darüber hinaus wird aufgrund der Reflexion durch die Glasabdeckplatte 12 und die halbdurchlässige Kathode 143 auch von der organischen, lichtemittierenden Struktur 14 emittiertes Licht auf den Dünnschichttransistor 111 ausgestrahlt, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 15 gedrungen ist. Das oben erwähnte direkte Umgebungslicht und das von der Glasabdeckplatte 12 und der halbdurchlässigen Kathode 143 reflektierte Licht wird auf den Dünnschichttransistor 111 ausgestrahlt, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 15 gedrungen ist, so dass der Dünnschichttransistor 111 aufgrund der optischen Anregung einen Fehlerstrom erzeugt, wodurch sich die Stabilität des Dünnschichttransistors 111 verschlechtert.
KURZZUSAMMENFASSUNG
Im Hinblick auf das Obenerwähnte werden in Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung, eine Anzeigetafel und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt, so dass das technische Problem aus dem Stand der Technik gelöst wird, das darin besteht, dass die Stabilität eines Dünnschichttransistors durch einen Fehlerstrom beeinträchtigt wird, der aufgrund der optischen Anregung von dem Dünnschichttransistor erzeugt wird, wenn direktes Umgebungslicht und das reflektierte Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird, nachdem es durch eine pixeldefinierende Schicht gedrungen ist.
Bei einem ersten Aspekt weist eine Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung ein Arraysubstrat mit mehreren Dünnschichttransistoren, eine pixeldefinierende Sicht, die auf dem Arraysubstrat angeordnet ist, und eine organische, lichtemittierende Struktur auf, die von der pixeldefinierenden Schicht umgeben ist, wobei die organische, lichtemittierende Struktur eine Struktur mit Oberseitenemission ist, wobei die Anzeigetafel ferner eine lichtblockierende Schicht aufweist, die zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht angeordnet und dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird.
Bei einem zweiten Aspekt wird gemäß Ausführungsformen der Offenbarung ferner eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die die bei dem ersten Aspekt beschriebene Anzeigetafel aufweist.
Bei einem dritten Aspekt wird gemäß Ausführungsformen der Offenbarung ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigetafel bereitgestellt, wobei das Verfahren das Ausbilden eines Arraysubstrats umfasst, das mehrere Dünnschichttransistoren aufweist, und das Ausbilden einer organischen, lichtemittierenden Struktur und einer pixeldefinierenden Struktur, die die organische, lichtemittierende Struktur umgibt, auf dem Arraysubstrat, wobei die organische, lichtemittierende Struktur eine Struktur mit Oberseitenemission ist und zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht eine lichtblockierende Schicht gebildet ist, die dazu ausgelegt ist zu verhindern, das durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird.
Wie bei der Anzeigevorrichtung, der Anzeigetafel und dem Herstellungsverfahren ist die lichtblockierende Schicht zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht der Anzeigetafel angeordnet. Da die lichtblockierende Schicht dazu dient, Licht zu blockieren, wird reflektiertes Licht, das durch das Reflektieren innerhalb der Anzeigetafel von direktem Umgebungslicht von außerhalb der Anzeigetafel und von Licht erzeugt wird, das durch die organische, lichtemittierende Struktur emittiert wird, von der lichtblockierenden Schicht blockiert, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist, und wird somit nicht auf den in dem Arraysubstrat angeordneten Dünnschichttransistor ausgestrahlt. Somit kann einer Fehlerstrom verringert werden, der aufgrund der optischen Anregung durch den Dünnschichttransistor erzeugt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors verbessert wird.
Während zahlreiche Ausführungsformen offenbart werden, ergeben sich für den Fachmann weitere Ausführungsformen aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung, die beispielhafte Ausführungsformen zeigt und beschreibt. Dementsprechend sind die Zeichnungen und die ausführliche Beschreibung als beispielhaft und nicht einschränkend zu verstehen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Weitere Merkmale, Aufgaben und Vorteile der Offenbarung ergeben sich aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung, die mit nichteinschränkenden Ausführungsformen anhand der beigefügten Zeichnungen gegeben ist. Darin zeigen:
1 ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigetafel aus dem Stand der Technik,
2 ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
3 ein schematisches Strukturschaubild einer weiteren Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
4 ein schematisches Strukturschaubild einer weiteren Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
5 ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
6 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.
Während die Offenbarung für zahlreiche Änderungen und alternative Formen offen ist, sind in den Zeichnungen besondere Ausführungsformen beispielhaft gezeigt und nachfolgend ausführlich beschrieben. Die Offenbarung soll jedoch nicht auf die beschriebenen besonderen Ausführungsformen beschränkt werden. Im Gegenteil, die Offenbarung soll alle Änderungen, Äquivalente und Alternativen, die in den Umfang der durch die beigefügten Ansprüche definierten Offenbarung fallen, umfassen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die Offenbarung wird nachfolgend zusammen mit den beigefügten Zeichnungen und Ausführungsformen weiter ausführlich veranschaulicht. Es sei zu verstehen, dass die hier beschriebenen besonderen Ausführungsformen lediglich dazu dienen, die Offenbarung zu erläutern und nicht die Offenbarung einzuschränken. Es sei außerdem angemerkt, dass für eine leichtere Beschreibung lediglich ein Teil und nicht alle mit der Offenbarung zusammenhängenden Strukturen in den beigefügten Zeichnungen gezeigt sind.
2 ist ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Wie in 2 gezeigt, weist die Anzeigetafel ein Arraysubstrat 21 mit mehreren Dünnschichttransistoren 211, eine pixeldefinierende Schicht 22, die auf dem Arraysubstrat 21 angeordnet ist, und eine organische, lichtemittierende Struktur 23 auf, die von der pixeldefinierenden Schicht 22 umgeben ist, wobei die organische, lichtemittierende Struktur 23 eine Struktur mit Oberseitenemission ist. Die Anzeigetafel weist ferner eine lichtblockierende Schicht 24 auf, die zwischen dem Arraysubstrat 21 und der pixeldefinierenden Schicht 22 angeordnet und dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird.
Es sei angemerkt, dass die lichtblockierende Schicht 24 Licht derart blockieren kann, dass Licht reflektiert wird, Licht absorbiert wird oder dergleichen, solange verhindert werden kann, dass durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird.
Wie in 2 gezeigt, weist die Anzeigetafel ferner eine ebene Planarisierungsschicht 25 auf, die zwischen der lichtblockierenden Schicht 24 und dem Arraysubstrat 21 angeordnet ist, und eine Glasabdeckplatte 26, die gegenüber dem Arraysubstrat 21 angeordnet und durch einen auf der pixeldefinierenden Schicht 22 angeordneten Halter 27 von der pixeldefinierenden Schicht 22 beabstandet ist, so dass das Arraysubstrat 21, die Glasabdeckplatte 26, die organische, lichtemittierende Struktur 23 und die pixeldefinierende Schicht 22, die beide zwischen dem Arraysubstrat 21 und der Glasabdeckplatte 26 angeordnet sind, in einem Verkapselungsprozess zu einem Gehäuse verkapselt werden können, um die Anzeigetafel zu bilden.
Wie in 2 gezeigt, weist die organische, lichtemittierende Struktur 23 ferner eine Reflexionsanode 231, eine organische, lichtemittierende Schicht 232 und eine halbdurchlässige Kathode 233 auf, wobei die Reflexionsanode 231 auf dem Arraysubstrat 21 angeordnet ist, die organische, lichtemittierende Schicht 232 auf der Reflexionsanode 231 angeordnet ist und die halbdurchlässige Kathode 233 auf der organischen, lichtemittierenden Schicht 232 angeordnet ist und eine ebene Struktur hat. Die organische, lichtemittierende Struktur 23 leuchtet nach dem Prinzip, dass beim Speisen der organischen, lichtemittierenden Struktur 23, indem eine positive Spannung (deren spezifische Größe von einem von der Anzeigetafel anzuzeigenden Bild abhängig ist) an die Reflexionsanode 231 und eine konstante negative Spannung an die halbdurchlässige Kathode 233 angelegt wird, eine Spannungsdifferenz zwischen der Reflexionsanode 231 und der halbdurchlässigen Kathode 233 entsteht, wodurch sich Löcher in der Reflexionsanode 231 zur organischen, lichtemittierenden Schicht 232 hin bewegen und sich Elektronen in der halbdurchlässigen Kathode 233 zur organischen, lichtemittierenden Schicht 232 bewegen, so dass die Löcher und die Elektronen, die sich zur organischen, lichtemittierenden Schicht 232 bewegen, sich gegenseitig zerstrahlen, um Energie freizugeben, wodurch Material in der organischen, lichtemittierenden Schicht 232 zum Leuchten angeregt wird. Während der Anzeige durch die Anzeigetafel kann die Anzeigetafel die gewünschten Anzeigeeffekte erzielen, indem die Beleuchtung der organischen, lichtemittierenden Struktur 23 gesteuert wird.
Es sei angemerkt, dass die obige organische, lichtemittierende Struktur 23 die Reflexionsanode 231 und die halbdurchlässige Kathode 233 aufweist. Da die Reflexionsanode 231 dazu dient, Licht zu reflektieren, wird von der organischen, lichtemittierenden Schicht 232 erzeugtes Licht von der halbdurchlässigen Kathode 233 statt von der Reflexionsanode 231 reflektiert. Eine solche organische, lichtemittierende Struktur 23 ist somit eine Struktur mit Oberseitenemission, die in Bezug auf eine Struktur mit Unterseitenemission definiert wird. Wie bei der Struktur mit Unterseitenemission muss eine Anode der organischen, lichtemittierenden Struktur mit durchlässigem oder halbdurchlässigem Material hergestellt werden, während eine Kathode der organischen, lichtemittierenden Struktur mit lichtreflektierendem Material hergestellt werden muss, d.h. dass von der organischen, lichtemittierenden Schicht emittiertes Licht von der Anode und nicht von der Kathode emittiert wird. Bei der vorliegenden Offenbarung umfasst die organische, lichtemittierende Struktur 23 eine Struktur mit Oberseitenemission, so dass durch die Reflexionsanode 231 verhindert werden kann, dass von der organischen, lichtemittierenden Schicht 232 erzeugtes Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird.
Durch das Anordnen der lichtblockierenden Schicht 24 zwischen dem Arraysubstrat 21 und der pixeldefinierenden Schicht 22 wird in die Anzeigetafel dringendes Umgebungslicht auf die lichtblockierende Schicht 24 ausgestrahlt, nachdem es direkt durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist. Darüber hinaus wird reflektiertes Licht, das dadurch erzeugt wird, dass das von der organischen, lichtemittierenden Struktur 23 emittierte Licht von der halbdurchlässigen Kathode 233 und der Glasabdeckplatte 26 reflektiert wird, auch auf die lichtblockierende Schicht 24 ausgestrahlt, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist. Da die lichtblockierende Schicht 24 dazu dient, Licht zu blockieren, werden das oben genannte direkte Umgebungslicht und das reflektierte Licht von der lichtblockierenden Schicht 24 blockiert, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist, und wird nicht länger auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt, der auf dem Arraysubstrat 21 angeordnet ist, so dass ein Fehlerstrom, der aufgrund einer optischen Anregung durch den Dünnschichttransistor 211 erzeugt wird, verringert wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors 211 verbessert wird.
Mit Bezug auf 2 sind bei einigen Ausführungsformen die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 in der gleichen Schicht angeordnet und bestehen bei einigen Ausführungsformen aus dem gleichen Material. Da die Reflexionsanode 231 aus lichtreflektierendem Material besteht, kann das direkte Umgebungslicht und das reflektierte Licht, das auf die lichtblockierende Schicht 24 ausgestrahlt wird, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist, von der lichtblockierenden Schicht 24 reflektiert und dann von der Glasabdeckplatte 26 emittiert werden, wenn die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 aus dem gleichen lichtreflektierenden Material bestehen. Unter der Voraussetzung, dass die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 aus dem gleichen lichtreflektierenden Material bestehen, kann nicht nur der Fehlerstrom verringert werden, der aufgrund der optischen Anregung von dem Dünnschichttransistor 211 erzeugt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors 211 verbessert wird, sondern auch das direkte Umgebungslicht und das durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringende, reflektierte Licht effektiv genutzt werden, wodurch die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich einer Lichtgewinnung erhöht wird.
Auf der Basis, dass die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 auf der gleichen Schicht angeordnet sind und aus dem gleichen Material bestehen, können die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 durch einen synchronen Herstellungsprozess hergestellt werden, was zu einem Vorteil führt, dass keine zusätzlichen Herstellungsprozesse erforderlich sind, da die lichtblockierende Schicht 24 während der Herstellung der Reflexionsanode 231 hergestellt werden kann, wodurch nicht nur die Prozessschritte für die Herstellung der Anzeigetafel verringert, sondern auch die Produktionskosten der Anzeigetafel gesenkt werden.
Wenn die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 auf der gleichen Schicht liegen, kann bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung eine Dicke der lichtblockierenden Schicht 24 der der Reflexionsanode 231 entsprechen oder sich davon unterscheiden. Eine spezifische Dicke der lichtblockierenden Schicht 24 kann mit den tatsächlichen Ausführungen oder Anforderungen variieren, solange verhindert werden kann, dass Licht, das durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringt, auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, wobei die spezifische Dicke der lichtblockierenden Schicht 24 hier nicht eingeschränkt ist.
Mit Bezug auf 2 kann bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung ein Lichtwellenband, das von der lichtblockierenden Schicht 24 blockiert wird, in einem Bereich von 380 nm bis 780 nm liegen. Aus dem Wissen auf dem Gebiet der Optik ist bekannt, dass Licht mit einem derartigen Wellenband sichtbares Licht ist. Wie oben erwähnt, kann das Umgebungslicht, das direkt in die Anzeigetafel dringt, auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt werden, der auf dem Arraysubstrat 21 liegt, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist, und reflektiertes Licht, das dadurch erzeugt wird, dass das von der organischen, lichtemittierenden Struktur 23 emittierte Licht von der halbdurchlässigen Kathode 233 und der Glasabdeckplatte 26 reflektiert wird, kann auch auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt werden, der auf dem Arraysubstrat 21 liegt, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist. Rotes Licht (mit einem Wellenband in einem Bereich von 622 nm bis 770 nm) von dem Umgebungslicht, das direkt in die Anzeigetafel dringt, kann durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringen, und grünes Licht (mit einem Wellenband in einem Bereich von 492 nm bis 577 nm) und blaues Licht (mit einem Wellenband in einem Bereich von 435 nm bis 480 nm), das von der organischen, lichtemittierenden Struktur 23 emittiert wird, kann auch durch die pixeldefinierende Schicht 22 dringen, nachdem es von der halbdurchlässigen Kathode 233 und der Glasabdeckplatte 26 reflektiert wurde. Das es sich bei dem roten Licht, dem grünen Licht und dem blauen Licht jeweils um sichtbares Licht handelt, sollte die lichtblockierende Schicht 24 Licht mit einem Wellenband des sichtbares Licht blockieren können, um zu verhindern, dass das obige Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht 22 gedrungen ist.
Mit Bezug auf 2 können bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung im Gegensatz zu dem Fall, bei dem die lichtblockierende Schicht 24 und die Reflexionsanode 231 aus dem gleichen Material bestehen, die lichtblockierende Schicht 24 auch aus einem lichtreflektierenden Material bestehen, das sich von dem Material der Reflexionsanode 231 unterscheidet. Bei einigen Ausführungsformen ist das lichtreflektierende Material ein hochreflektierendes Material, so dass nicht nur durch die lichtblockierende Schicht 24 verhindert wird, dass Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, sondern auch die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich der Lichtgewinnung verbessert wird. Bei einigen Ausführungsformen beträgt der Reflexionsgrad des hochreflektierenden Materials nicht weniger als 90 %. Je höher der Reflexionsgrad, desto mehr Licht wird von der lichtblockierenden Schicht 24 reflektiert, und dementsprechend kann die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich der Lichtgewinnung weiter erhöht werden. Bei dem oben genannten hochreflektierenden Material kann es sich um Silber, Aluminium oder um ein anderes hochreflektierendes Material handeln, was hier nicht eingeschränkt ist.
Wie in 2 gezeigt, besteht bei einigen Ausführungsformen die lichtblockierende Schicht 24 aus dem lichtreflektierenden Material und kann somit das Licht reflektieren, das auf ihre Oberfläche trifft. D.h. die lichtblockierende Schicht 24 verhindert durch die lichtreflektierende Methode, dass Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, der auf dem Arraysubstrat 21 angeordnet ist. Bei einigen Ausführungsformen kann durch die lichtabsorbierende Methode, die von der lichtblockierenden Schicht angenommen wird, verhindert werden, dass Licht auf den auf dem Arraysubstrat angeordneten Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird. Wie in 3 gezeigt, besteht die lichtblockierende Schicht 24‘ aus dem lichtabsorbierenden Material und kann somit das Licht absorbieren, das auf ihre Oberfläche trifft, wodurch verhindert wird, dass Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird. Bei einigen Ausführungsformen ist das lichtabsorbierende Material, das die lichtblockierende Schicht 24‘ bildet, ein Material mit hohem Absorptionsvermögen. Je höher das Absorptionsvermögen des lichtabsorbierenden Materials, desto weniger Licht dringt durch das Material, und somit hat die lichtblockierende Schicht 24‘ eine bessere lichtblockierende Wirkung, um besser verhindern zu können, dass Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, so dass die Stabilität des Dünnschichttransistors 211 effektiv verbessert werden kann. Bei einigen Ausführungsformen beträgt das Absorptionsvermögen des hochabsorbierenden Materials nicht weniger als 90 %. Das oben genannte Material mit hohem Absorptionsvermögen ist hier nicht eingeschränkt und kann Chrom, Chromoxid, Chromnitrid und schwarzes Harz oder ein anderes Material mit hohem Absorptionsvermögen sein.
Mit Bezug auf 4 kann bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung eine lichtblockierende Schicht die lichtblockierende Schicht 24 aus dem lichtreflektierenden Material und die lichtblockierende Schicht 24‘ aus dem lichtabsorbierenden Material umfassen. Eine derartige lichtblockierende Schicht kann nicht nur verhindern, dass Licht auf den Dünnschichttransistor 211 ausgestrahlt wird, sondern kann auch die Effizienz der Anzeigetafel in Bezug auf die Lichtgewinnung erheblich erhöhen. Das Material der lichtblockierenden Schicht 24 kann ferner ein Material mit hohem Reflexionsvermögen sein, wobei ein Reflexionsvermögen des hochreflektierenden Materials nicht weniger als 90 % betragen kann und das hochreflektierende Material Silber oder Aluminium sein kann.
Es sei angemerkt, dass die lichtblockierende Schicht aus 2 vollständig aus dem lichtreflektierenden Material besteht, die lichtblockierende Schicht aus 3 vollständig aus dem lichtabsorbierenden Material besteht und die lichtblockierende Schicht aus 4 aus einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtreflektierenden Material und einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtabsorbierenden Material zusammengesetzt ist. Neben der in den 2 bis 4 gezeigten Anordnung der lichtblockierenden Schichten kann die lichtblockierende Schicht beispielsweise auch aus jeglicher Kombination aus einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtreflektierenden Material und einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtabsorbierenden Material bestehen, wobei ein Teil der lichtblockierenden Schicht vollständig aus dem lichtreflektierenden Material und der andere Teil der lichtblockierenden Schicht vollständig aus dem lichtabsorbierenden Material besteht oder ein Teil der lichtblockierenden Schicht vollständig aus dem lichtreflektierenden Material und der andere Teil der lichtblockierenden Schicht aus einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtreflektierenden Material und einer lichtblockierenden Schicht aus dem lichtabsorbierenden Material zusammengesetzt ist, oder ein Teil der lichtblockierenden Schicht vollständig aus dem lichtabsorbierenden Material besteht und der andere Teil der lichtblockierenden Schicht eine lichtblockierende Schicht aus dem lichtreflektierenden Material und eine lichtblockierende Schicht aus dem lichtabsorbierenden Material umfasst. Die Anordnungen der obigen lichtblockierenden Schichten fallen alle in den Umfang der vorliegenden Offenbarung.
5 ist ein schematisches Strukturschaubild einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Wie in 5 gezeigt, weist eine Anzeigevorrichtung 30 eine Anzeigetafel 31 auf und kann ferner weitere Komponenten umfassen, um die Anzeigevorrichtung 30 für den normalen Betrieb zu unterstützen. Bei der Anzeigetafel 31 kann es sich um die in den obigen Ausführungsformen beschriebene Anzeigetafel handeln. Die Anzeigevorrichtung 30 kann ein Mobiltelefon, ein Tablett-PC, ein elektronisches Papier, einer digitaler Fotorahmen oder dergleichen sein.
Es sei angemerkt, dass die obige Anzeigevorrichtung eine Berührungssteuerungsfunktion umfassen kann oder nicht, die bei der tatsächlichen Herstellung entsprechend den spezifischen Anforderungen ausgewählt und ausgelegt werden kann. Die Berührungssteuerungsfunktion kann eine elektromagnetische Berührungssteuerungsfunktion, eine kapazitive Berührungssteuerungsfunktion, eine elektromagnetisch-kapazitive Berührungssteuerungsfunktion oder dergleichen sein.
Bei der Offenbarung wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigetafel bereitgestellt, wobei das Herstellungsverfahren dazu verwendet werden kann, die in den obigen Ausführungsformen beschriebene Anzeigetafel herzustellen. 6 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Wie in 6 gezeigt, umfasst das Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel zumindest die nachfolgenden Schritte:
Schritt 41: Ausbilden eines Arraysubstrats, bei dem mehrere Dünnschichttransistoren ausgebildet sind.
Der gebildete Dünnschichttransistor umfasst eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und einen aktiven Bereich, der zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode liegt. Die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors kann über der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode liegen (wodurch ein Dünnschichttransistor mit einer Struktur mit einem oben liegenden Gate gebildet wird) oder kann unter der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode liegen (wodurch ein Dünnschichttransistor mit einer Struktur mit einem unten liegenden Gate gebildet wird), wobei die Position der Gate-Elektrode hier nicht eingeschränkt ist.
Schritt 42: Ausbilden einer organischen, lichtemittierenden Struktur und einer pixeldefinierenden Schicht, die die organische, lichtemittierende Struktur umgibt, auf dem Arraysubstrat. Die organische, lichtemittierende Struktur ist eine Struktur mit Oberseitenemission, wobei zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht eine lichtblockierende Schicht gebildet ist, die dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird.
In Schritt 42 können bei der Herstellung der lichtblockierenden Schicht ein Abscheidungsprozess und ein Ätzprozess angewendet werden, wobei die Abscheidung eine Abscheidung einer atomaren Schicht, eine chemische Abscheidung aus der Dampfphase, eine physikalische Abscheidung aus der Dampfphase und dergleichen umfasst, ohne darauf beschränkt zu sein, wobei auch ein Beschichtungsprozess, ein Belichtungsprozess und dergleichen auch angewendet werden können.
Es sei angemerkt, dass zu den ausführlichen Beschreibungen der Struktur mit Oberseitenemission auf die entsprechenden Beschreibungen bei den Ausführungsformen der Anzeigetafel verwiesen werden kann und dies hier nicht wiederholt wird.
Als solche wird die lichtblockierende Schicht in den obigen Schritten zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht ausgebildet, wobei Umgebungslicht, das in die Anzeigetafel dringt, auf die lichtblockierende Schicht ausgestrahlt werden kann, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist. Darüber hinaus kann auch reflektiertes Licht, das dadurch entsteht, dass in der Anzeigetafel das von der organischen, lichtemittierenden Struktur emittierte Licht reflektiert wird, auf die lichtblockierende Schicht ausgestrahlt werden, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist. Da die lichtblockierende Schicht dazu dient, Licht zu blockieren, werden das oben genannte direkte Umgebungslicht und das reflektierte Licht von der lichtblockierenden Schicht blockiert, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist, und wird somit nicht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt, der auf dem Arraysubstrat liegt, so dass ein Fehlerstrom reduziert wird, der aufgrund einer optischen Anregung durch den Dünnschichttransistor erzeugt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors verbessert wird.
Bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung umfasst das Ausbilden der organischen, lichtemittierenden Struktur auf dem Arraysubstrat das Ausbilden einer Reflexionsanode der organischen, lichtemittierenden Struktur auf dem Arraysubstrat und nacheinander das Ausbilden einer organischen, lichtemittierenden Schicht und einer halbdurchlässigen Kathode der organischen, lichtemittierenden Struktur auf der Reflexionsanode. Durch die Reflexionsanode, die organische, lichtemittierende Schicht und die halbdurchlässige Kathode kann die organische, lichtemittierende Struktur Licht emittieren, wenn sie mit Strom gespeist wird. Bei dem Prinzip hinsichtlich der Beleuchtung der organischen, lichtemittierenden Struktur kann auf die entsprechenden Beschreibungen in den Ausführungsformen der Anzeigetafel verwiesen werden, was hier nicht wiederholt wird.
Bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung werden die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode auf der gleichen Schicht ausgebildet, und bei einigen Ausführungsformen bestehen die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode aus dem gleichen Material und werden in synchronen Herstellungsprozessen hergestellt. Da die Reflexionsanode aus dem lichtreflektierenden Material besteht, und wenn die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode aus dem gleichen lichtreflektierenden Material bestehen, können das direkte Licht und das reflektierte Licht, das auf der lichtblockierenden Schicht ausgestrahlt wird, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist, von der lichtblockierenden Schicht reflektiert werden, und das reflektierte Licht kann von der Glasabdeckplatte der Anzeigetafel emittiert werden. Unter der Voraussetzung, dass die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode aus dem gleichen lichtreflektierenden Material bestehen, kann nicht nur der Fehlerstrom reduziert werden, der aufgrund der optischen Anregung von dem Dünnschichttransistor erzeugt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors verbessert wird. Das direkte Licht und das reflektierte Licht, das durch die pixeldefinierende Schicht dringt, kann auch effektiv genutzt werden, wodurch die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich der Lichtgewinnung erhöht wird.
Auf der Grundlage, dass die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode auf der gleichen Schicht ausgebildet sind und aus dem gleichen Material bestehen, können die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode durch einen synchronen Herstellungsprozess hergestellt werden. Der Vorteil eines derartigen Prozesses besteht darin, dass keine zusätzlichen Herstellungsprozesse hinzugefügt werden müssen, so dass die lichtblockierende Schicht während der Herstellung der Reflexionsanode hergestellt werden kann, wodurch nicht nur die Prozessschritte zur Herstellung der Anzeigetafel, sondern auch die Produktionskosten der Anzeigetafel reduziert werden.
Bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung kann im Gegenteil zu dem Fall, bei dem die lichtblockierende Schicht und die Reflexionsanode aus dem gleichen Material bestehen, die lichtblockierende Schicht aus einem lichtreflektierenden Material hergestellt sein, das sich von dem Material der Reflexionsanode unterscheidet. Bei einigen Ausführungsformen ist das lichtreflektierende Material ein hochreflektierendes Material, so dass nicht nur durch die lichtblockierende Schicht verhindert wird, dass Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird, sondern auch die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich der Lichtgewinnung verbessert wird. Bei einigen Ausführungsformen beträgt ein Reflexionsvermögen des hochreflektierenden Materials nicht weniger als 90 %. Je höher das Reflexionsvermögen, desto mehr Licht wird von der lichtblockierenden Schicht reflektiert, und dementsprechend kann die Effizienz der Anzeigetafel hinsichtlich der Lichtgewinnung weiter erhöht werden. Das obige hochreflektierende Material kann Silber, Aluminium oder ein anderes hochreflektierendes Material sein, was hier nicht eingeschränkt ist.
Die lichtblockierende Schicht besteht aus dem lichtreflektierenden Material und reflektiert das Licht, das auf ihre Oberfläche trifft, um zu verhindern, dass Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird, der auf dem Arraysubstrat liegt. Zusätzlich dazu kann die lichtblockierende Schicht, die aus dem lichtabsorbierenden Material besteht, auch verhindern, dass Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird, der auf dem Arraysubstrat liegt. Bei einigen Ausführungsformen handelt es sich bei dem lichtabsorbierenden Material der lichtblockierenden Schicht um das hochabsorbierende Material. Je höher das Absorptionsvermögen des lichtabsorbierenden Materials, desto weniger Licht dringt durch das Material. Somit hat die lichtblockierende Schicht eine bessere lichtblockierende Wirkung, um besser verhindern zu können, dass Licht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistor effektiv verbessert werden kann. Bei einigen Ausführungsformen beträgt das Absorptionsvermögen des hochabsorbierenden Materials nicht weniger als 90 %. Das oben genannte hochabsorbierende Material ist hier nicht eingeschränkt und kann Chrom, Chromoxid, Chromnitrid und schwarzes Harz oder ein anderes hochabsorbierendes Material sein.
Mit der Anzeigevorrichtung, der Anzeigetafel und dem Verfahren zu deren Herstellung, die in Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellt werden, wird die lichtblockierende Schicht zwischen dem Arraysubstrat und der pixeldefinierenden Schicht der Anzeigetafel angeordnet. Da die lichtblockierende Schicht dazu dient, Licht zu blockieren, nachdem es durch die pixeldefinierende Schicht gedrungen ist, wird das Reflexionslicht, das dadurch erzeugt wird, dass das direkte Licht von außerhalb der Anzeigetafel und das von der organischen, lichtemittierenden Struktur emittierte Licht in der Anzeigetafel reflektiert wir, von der lichtblockierenden Schicht blockiert und nicht auf den Dünnschichttransistor ausgestrahlt, der auf dem Arraysubstrat liegt. Somit wird ein Fehlerstrom reduziert, der aufgrund der optischen Anregung von dem Dünnschichttransistor erzeugt wird, wodurch die Stabilität des Dünnschichttransistors verbessert wird.
Es sei angemerkt, dass die obigen Beschreibungen Ausführungsformen der Offenbarung und hier angewandte technische Prinzipien sind. Es sei für den Fachmann zu verstehen, dass die vorliegende Offenbarung nicht auf die hier beschriebenen besonderen Ausführungsformen beschränkt ist. Es können von dem Fachmann zahlreiche offensichtliche Änderungen, Anpassungen und Alternativen vorgenommen werden, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Auch wenn die Offenbarung mit den obigen Ausführungsformen ausführlich veranschaulicht ist, ist die Offenbarung nicht nur auf die obigen Ausführungsformen beschränkt. Es können weitere äquivalente Ausführungsformen umfasst sein, ohne von dem Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Der Umfang der vorliegenden Offenbarung hängt von den beigefügten Ansprüchen ab.
Es können zahlreiche Änderungen und Zusätze an den erläuterten beispielhaften Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne von dem Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Während die oben beschriebenen Ausführungsformen sich auf besondere Merkmale beziehen, umfasst der Umfang der vorliegenden Offenbarung z.B. auch Ausführungsformen mit anderen Merkmalskombinationen und Ausführungsformen, die nicht alle beschriebenen Merkmale aufweisen. Dementsprechend soll der Umfang der vorliegenden Offenbarung alle derartigen Alternativen, Änderungen und Varianten, die in den Umfang der Ansprüche fallen, zusammen mit deren Äquivalente umfassen.

Claims

Anzeigetafel, mit: einem Arraysubstrat (21), das mehrere Dünnschichttransistoren (211) aufweist, einer pixeldefinierenden Schicht (22), die auf dem Arraysubstrat (21) liegt, einer organischen, lichtemittierenden Struktur (23), die von der pixeldefinierenden Schicht (22) umgeben ist, wobei die organische, lichtemittierende Struktur (23) eine Struktur mit Oberseitenemission ist, und einer lichtblockierenden Schicht (24), die zwischen dem Arraysubstrat (21) und der pixeldefinierenden Schicht (22) angeordnet ist, wobei die lichtblockierende Schicht (24) dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht (22) dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor (211) ausgestrahlt wird.
Anzeigetafel nach Anspruch 1, wobei die organische, lichtemittierende Struktur (23) eine auf dem Arraysubstrat (21) angeordnete Reflexionsanode (231) aufweist und die lichtblockierende Schicht (24) und die Reflexionsanode (231) auf der gleichen Schicht liegen.
Anzeigetafel nach Anspruch 2, wobei die lichtblockierende Schicht (24) und die Reflexionsanode (231) aus dem gleichen Material bestehen und in einem synchronen Herstellungsprozess hergestellt werden.
Anzeigetafel nach Anspruch 2, wobei die Dicke der lichtblockierenden Schicht (24) derjenigen der Reflexionsanode (231) entspricht.
Anzeigetafel nach Anspruch 2, wobei die organische, lichtemittierende Struktur (23) ferner eine organische, lichtemittierende Schicht (232) und eine halbdurchlässige Kathode (233) aufweist, wobei die organische, lichtemittierende Schicht (232) auf der Reflexionsanode (231) angeordnet ist und die halbdurchlässige Kathode (233) auf der organischen, lichtemittierenden Schicht (232) angeordnet ist.
Anzeigetafel nach Anspruch 1, wobei die lichtblockierende Schicht (24) dazu ausgelegt ist, Licht eines Wellenbands in einem Bereich von 380 nm bis 780 nm zu blockieren.
Anzeigetafel nach Anspruch 1, wobei Material der lichtblockierenden Schicht (24) hochreflektierendes Material ist.
Anzeigetafel nach Anspruch 7, wobei ein Reflexionsvermögen des hochreflektierenden Materials nicht weniger als 90 % beträgt.
Anzeigetafel nach Anspruch 1, wobei Material der lichtblockierenden Schicht (24) hochabsorbierendes Material ist.
Anzeigetafel nach Anspruch 1, die ferner Folgendes aufweist: eine ebene Planarisierungsschicht (25), die zwischen der lichtblockierenden Schicht (24) und dem Arraysubstrat (21) angeordnet ist, und eine Glasabdeckplatte (26), die gegenüber dem Arraysubstrat (21) angeordnet und durch einen auf der pixeldefinierenden Schicht (22) angeordneten Träger (27) von der pixeldefinierenden Schicht (22) beabstandet ist.
Anzeigevorrichtung, mit einer Anzeigetafel, die Folgendes aufweist: ein Arraysubstrat (21), das mehrere Dünnschichttransistoren (211) aufweist, eine pixeldefinierende Schicht (22), die auf dem Arraysubstrat (21) liegt, eine organische, lichtemittierende Struktur (23), die von der pixeldefinierenden Schicht (22) umgeben ist, wobei die organische, lichtemittierende Struktur (23) eine Struktur mit Oberseitenemission ist, und eine lichtblockierende Schicht (24), die zwischen dem Arraysubstrat (21) und der pixeldefinierenden Schicht (22) angeordnet ist, wobei die lichtblockierende Schicht (24) dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht (22) dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor (211) ausgestrahlt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Anzeigetafel, das Folgendes umfasst: Ausbilden eines Arraysubstrats (21), in dem mehrere Dünnschichttransistoren (211) ausgebildet sind, und Ausbilden einer organischen lichtemittierenden Struktur (23) und einer pixeldefinierenden Schicht (22), die die organische, lichtemittierende Struktur (23) auf dem Arraysubstrat (21) umgibt, wobei die organische, lichtemittierende Struktur (23) eine Struktur mit Oberseitenemission ist und eine lichtblockierende Schicht (24) zwischen dem Arraysubstrat (21) und der pixeldefinierenden Schicht (22) ausgebildet ist, wobei die lichtblockierende Schicht (24) dazu ausgelegt ist zu verhindern, dass durch die pixeldefinierende Schicht (22) dringendes Licht auf den Dünnschichttransistor (211) strahlt.
Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel nach Anspruch 12, wobei das Ausbilden der organischen, lichtemittierenden Struktur (23) auf dem Arraysubstrat (21) Folgendes umfasst: Ausbilden einer Reflexionsanode (231) der organischen lichtemittierenden Struktur (23) auf dem Arraysubstrat (21).
Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel nach Anspruch 13, wobei die lichtblockierende Schicht (24) und die Reflexionsanode (231) auf der gleichen Schicht ausgebildet sind.
Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel nach Anspruch 14, wobei die lichtblockierende Schicht (24) und die Reflexionsanode (231) aus dem gleichen Material bestehen und in einem synchronen Herstellungsprozess hergestellt werden.
Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel nach Anspruch 13, wobei das Ausbilden der organischen lichtemittierenden Struktur (23) auf dem Arraysubstrat (21) ferner Folgendes umfasst: aufeinanderfolgendes Ausbilden einer organischen, lichtemittierenden Schicht (232) und einer halbdurchlässigen Kathode (233) der organischen, lichtemittierenden Struktur (23) auf der Reflexionsanode (231).
Verfahren zur Herstellung der Anzeigetafel nach Anspruch 12, wobei die lichtblockierende Schicht (24) aus hochreflektierendem Material oder hochabsorbierendem Material besteht.