CN203133439U - 一种液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种液晶显示器，包括：彩膜基板和阵列基板以及二者之间的液晶层；位于所述阵列基板表面上的遮光层，且所述遮光层位于所述阵列基板的TFT结构有源区正上方，所述遮光层的面积不小于所述有源区的面积。本申请技术方案所提供的液晶显示器在有源区上方的钝化层的表面设置有遮光层，所述遮光层与所述TFT结构的栅极分别位于所述有源区的上下两侧，可以有效减少光线对有源区的照射，进而大大减少有源区光生载流子的产生，从而减小光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的显示效果。

Description

一种液晶显示器

技术领域

本实用新型涉及显示器技术领域，更具体地说，涉及一种液晶显示器。

背景技术

随着技术的发展，液晶显示器（LCD）被大量的使用在许多电子产品，例如手机、数码相机、电脑等，由于其重量轻、体积小、低电磁干扰以及功耗低等种种优良特性，被广泛应用于人们的日常生产及生活中，已成为目前显示领域的主流。

当液晶显示器应用于高亮度需求的显示装置（如投影仪、平视显示器等）时，液晶显示器需要采用高亮度背光源。而采用高亮度背光源虽然提高了液晶显示器的亮度，但是导致液晶显示器的图像显示效果较差。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种液晶显示器，该液晶显示器可以采用高亮度背光源，同时还保证了液晶显示器的图像显示效果。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种液晶显示器，该液晶显示器包括：

彩膜基板和阵列基板以及二者之间的液晶层；

位于所述阵列基板表面上的遮光层，且所述遮光层位于所述阵列基板的TFT结构的有源区正上方，所述遮光层的面积不小于所述有源区的面积。

优选的，上述液晶显示器中，所述遮光层为绝缘遮光层。

优选的，上述液晶显示器中，所述遮光层为金属遮光层。

优选的，上述液晶显示器中，所述金属遮光层的厚度为100nm-400nm，包括端点值。

优选的，上述液晶显示器中，所述金属遮光层为钼薄膜，或铝薄膜，或铬薄膜，或铜薄膜，或钼、铝、铬以及铜中至少两种构成的合金薄膜。

优选的，上述液晶显示器中，所述阵列基板包括：

透明基板；

位于所述透明基板表面的TFT结构；

位于所述TFT结构表面的钝化层；

位于所述钝化层表面的像素电极。

优选的，上述液晶显示器中，还包括：

位于所述金属遮光层与所述钝化层之间的有机层。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的液晶显示器在有源区上方的钝化层表面设置有遮光层，所述遮光层与所述栅极分别位于所述有源区的上下两侧，可以有效减少光线对有源区的照射，进而大大减少有源区光生载流子的产生，从而减小光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中常见的一种液晶显示器的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种液晶显示器的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种液晶显示器的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，现有的液晶显示器如果采用高亮度背光源虽然可以提高液晶显示器的亮度，但是会导致液晶显示器的图像显示效果较差。

参考图1，图1为现有液晶显示器的结构示意图，包括：第一透明基板1；位于第一透明基板1上的栅极2；位于栅极2以及第一透明基板1上的栅绝缘层3；位于栅绝缘层3上的有源区4、源极5以及漏极6，所述源极5以及漏极6分别与有源区4连接，有源区4位于栅极2正上方；位于有源区4、源极5、漏极6以及栅绝缘层3上的钝化层7；位于钝化层7上的像素电极8，该像素电极8与漏极6连接；位于钝化层7以及像素电极8上的液晶层9；位于液晶层9上的第二透明基板10。

其中，第二透明基板10下表面设置有黑色矩阵11，该黑色矩阵11位于液晶显示器TFT结构的上方。TFT结构包括：栅极2、有源区4、源极5以及漏极6。黑色矩阵11以及第二透明基板10的下表面设置有彩色滤光膜12，该彩色滤光膜12下表面设置有共同电极13。

发明人研究发现，液晶显示器的有源区4为非晶硅（α-Si），而α-Si为光敏半导体材料，当受到光照射时会产生光生载流子。如图1所示，不可避免的，有源区4会受到上方结构反射光以及液晶分子散射光的照射，当背光越强，所述反射光以及散射光越强。此时，有源区4会产生大量的光生载流子，如果液晶显示器的有源区产生光生载流子会产生光生漏电流以及阈值电压漂移。

基于上述研究，本实用新型提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：

彩膜基板和阵列基板以及二者之间的液晶层；

位于所述阵列基板表面上的遮光层，且所述遮光层位于所述阵列基板的TFT结构的有源区正上方，所述遮光层的面积不小于所述有源区的面积。

本实用新型实施例所提供的技术方案将液晶显示器在有源区上方的钝化层表面设置有遮光层，所述遮光层与所述栅极将所述有源区的上下两侧，可以有效减少光线对有源区的照射，进而大大减少有源区光生载流子的产生，从而减小光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的显示效果。

以上是本申请的核心思想，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本实用新型结合示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及高度的三维空间尺寸。

基于上述思想，本申请实施例提供了一种液晶显示器，参考图2，包括：第一透明基板1；位于第一透明基板1上的栅极2；位于栅极2以及透明基板1上的栅绝缘层3；位于栅绝缘层3上的有源区4，该有源区4位于栅极2正上方，且该有源区4的宽度小于栅极2的宽度；位于栅绝缘层3上的漏极5以及源极6，所述漏极5以及源极6分别与所述有源区4接触；位于漏极5、源极6以及栅绝缘层3上的钝化层7；位于钝化层7上的绝缘遮光层14以及像素电极8；位于遮光层14、像素电极8以及钝化层7上的液晶层9。

其中，像素电极9与所述漏极6连接。遮光层14位于有源区4的正上方，且遮光层14的宽度不小于有源区4的宽度。有源区4的宽度小于栅极2的宽度。栅极2为不透光电极，可为有源区4遮挡直接来自于背面的背光。

所述液晶显示器还包括：设置在液晶层9上的第二透明基板10；设置在黑色矩阵11以及第二透明基板10下表面的彩色滤光膜12；设置在彩色滤光膜12下表面的共同电极13。

所述黑色矩阵11位于液晶显示器的TFT结构的上方。所述TFT结构包括：栅极2、有源区4、源极5以及漏极6。

由图2可知，本实施例所述液晶显示器在有源区4上的钝化层7表面设置有绝缘遮光层14，该绝缘遮光层14可以为遮挡来自钝化层7上方结构的反射光以及液晶分子的散射光，即绝缘遮光层14可以大大减少所述反射光以及散射光对有源区的照射，减少了有源区4光生载流子的生成，大大减小了光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的图像显示效果。

上述实施例所述液晶显示采用绝缘遮光层，而绝缘遮光层一般采用不透光有机涂料通过印刷或是镀膜工艺形成。但是不透光有机涂料制备的绝缘遮光层厚度较厚，会导致断差问题，即绝缘遮光层的平均高度与像素电极的平均高度具有较大的高度差。而断差问题会影响液晶的取向，且影响PI摩擦制程的摩擦效果，进而会影响显示器的显示效果。

基于上述断差问题，本申请又一实施例提供了另一种液晶显示器，参考图3，本实施例所述液晶显示器采用金属遮光层15代替上述实施例中的绝缘遮光层14。

本实施例采用金属遮光层，金属的挡光性比较好，较薄厚度的金属遮光层即可有效遮挡可见光。所述金属遮光层15的厚度为100nm-400nm（包括端点值）即可有效遮光可见光。

优选的，本实施例所述金属遮光层为钼薄膜。所述钼薄膜的厚度为250nm。所述金属遮光层还可以为，或铝薄膜，或铬薄膜，或铜薄膜，或钼、铝、铬以及铜中至少两种构成的合金薄膜。本实施例所述液晶显示器通过金属遮光层遮挡反射光以及散射光对有源区4的照射，可大大减小光生漏电流以及阈值电压漂移，保证了液晶显示器的图像显示效果。

由于金属遮光层具有较薄的厚度时即可有效遮挡光线，避免光线对有源区4的照射。因此，采用金属遮光层不存在断差问题，避免了对液晶层的摩擦。但是由于所述金属遮光层的电容效应，会影响TFT的特性以及IC驱动负载。

优选的，本实施例所述液晶显示器还包括：设置在金属遮光层15与钝化层7之间的有机层16。有机层16的介电常数较小，其厚度可设置为1μm-5μm，包括端点值。通过所述有机层16可避免由于采用金属遮光层对液晶显示器的TFT结构的电容以及IC驱动负载的影响。同时，有机层具有平坦化功能，通过增加所述有机层还可以改善阵列基板上的图形的平坦性。

可通过真空镀膜形成所述钝化层7，然后，通过光刻、刻蚀以及脱膜工序形成一定的图案。所述有机层16可在形成钝化层7后通过涂覆工艺形成，然后，通过曝光、显影、退火形成一定的图案。在形成所述钝化层7以及有机层16后，可通过刻蚀工艺形成连接通孔以便像素电极8与漏极6连接。

需要说明的是，液晶层一侧设置彩色滤光膜的所有结构统称为彩膜基板，液晶层另一侧所有结构统称为阵列基板。液晶显示器的TFT结构包括：栅极、源极、漏极以及有源区。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种液晶显示器，其特征在于，包括：

彩膜基板和阵列基板以及二者之间的液晶层；

位于所述阵列基板表面上的遮光层，且所述遮光层位于所述阵列基板的TFT结构的有源区正上方，所述遮光层的面积不小于所述有源区的面积。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述遮光层为绝缘遮光层。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述遮光层为金属遮光层。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述金属遮光层的厚度为100nm-400nm，包括端点值。

5.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述金属遮光层为钼薄膜，或铝薄膜，或铬薄膜，或铜薄膜，或钼、铝、铬以及铜中至少两种构成的合金薄膜。

6.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述阵列基板包括：

透明基板；

位于所述透明基板表面的TFT结构；

位于所述TFT结构表面的钝化层；

位于所述钝化层表面的像素电极。

7.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，还包括：

位于所述金属遮光层与所述钝化层之间的有机层。

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