JP2024037731A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Japan
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conductive layer
substrate
insulating layer
liquid crystal
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大介 久保田
賢 中野
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供する。低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。厚さの薄い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、反射型の液晶素子を含み、液晶層は、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する反射電極と重なる第１の部分と、隣接する２つの反射電極の間の領域と重なる第２の部分を有する。第１の部分は、モノマー及び液晶を含み、第２の部分は、当該モノマーが重合したポリマーを含む。第２の部分において、ポリマーは一対の基板を接着する柱状の隔壁の骨子を構成する。隔壁は、光の照射時に反射電極を遮光マスクとして用いることで、自己整合的に形成することができる。またポリマーは反射電極が設けられる絶縁層の凹部と嵌合するように配置される。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関す
る。特に、本発明の一態様は、液晶素子を有する表示装置、及び表示装置の作製方法に関
する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
表示装置の一つとして、液晶素子を備える液晶表示装置がある。例えば、画素電極をマ
トリクス状に配置し、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてトランジスタを
用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めている。
例えば、画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形
成領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている
。（特許文献１及び特許文献２）
アクティブマトリクス型液晶表示装置には大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイ
プが知られている。
透過型の液晶表示装置は、冷陰極蛍光ランプやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｄｉｏｄｅ）などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライ
トからの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態と
を選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行う
ものである。
また、反射型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、即ち入射光が
画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態
とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行
うものである。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライ
トを使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。
特開２００７－１２３８６１号公報 特開２００７－９６０５５号公報
表示装置に表示される画像として、より鮮明なものが求められており、これに応じて高
精細な表示装置が求められている。
また特に携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチ等の携帯用途
においては、これらに組み込まれる表示装置として、厚さの低減、軽量化、低消費電力駆
動可能なことなどが求められている。
本発明の一態様は、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供することを課
題の一とする。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供することを課題の一とす
る。または、厚さの薄い表示装置を提供することを課題の一とする。または、軽量な表示
装置を提供することを課題の一とする。
また、本発明の一態様は、表示装置の表示品位を高めることを課題の一とする。または
、使用環境によらず、高い表示品位で映像を表示することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、明細書等の記載から上
記以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の電極と、液晶層と、遮光層と、絶縁層と、を有する表示装置
である。第１の電極は、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有し、絶縁層上に
設けられる。液晶層は、第１の電極と重なる第１の部分と、第１の部分の一部を囲って設
けられる第２の部分と、を有する。第２の部分は、遮光層と重なる。第１の部分は、モノ
マーと、液晶を含む。また、第２の部分は、モノマーが重合したポリマーを含むことを特
徴とする。
本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、液晶層と、遮光層と、絶縁層と、を
有する表示装置である。第１の電極及び第２の電極は、それぞれ可視光を反射し、且つ紫
外線を遮光する機能を有する。第１の電極と第２の電極は、それぞれ離間して絶縁層上に
設けられる。絶縁層は、凹部を有し、第１の電極及び第２の電極は、凹部と重ならない位
置に設けられる。遮光層は、第１の電極と第２の電極の間、及び凹部と重なる部分を有す
る。液晶層は、第１の部分と、第２の部分と、を有し、第１の部分は、第１の電極と重な
り、第２の部分は、第１の電極と第２の電極の間、凹部、及び遮光層と重なる。第１の部
分は、モノマーと、液晶を含み、第２の部分は、モノマーが重合したポリマーを含む。
また、上記ポリマーと接して、絶縁性を有する構造体を有することが好ましい。構造体
は、遮光層、及び凹部と重なる部分を有することが好ましい。
また、上記第１の電極と液晶層を挟んで重なる第３の電極を有することが好ましい。第
３の電極は、可視光を透過する機能を有することが好ましい。またこのとき、第１の電極
を覆う第１の配向膜と、第３の電極を覆う第２の配向膜と、を有し、液晶層の第２の部分
は、第１の配向膜及び第２の配向膜のそれぞれと接して設けられていることが好ましい。
また、このとき、構造体は、第１の配向膜、または第２の配向膜と接して設けられている
ことが好ましい。
また、上記において、第１の基板と第２の基板とを有することが好ましい。このとき、
第１の電極及び第２の電極は、第１の基板と液晶層の間に位置し、遮光層は、第２の基板
と液晶層の間に位置することが好ましい。また、第１の基板及び第２の基板は、それぞれ
可撓性を有することが好ましい。
また、上記において、発光素子、を有することが好ましい。このとき、絶縁層は、発光
素子と液晶素子との間に位置し、発光素子は、絶縁層側から、可視光を透過する第４の電
極、発光性の物質を含む層、及び第５の電極の積層構造を有し、発光素子は、絶縁層側に
光を射出する機能を有することが好ましい。このとき、第１の電極と電気的に接続し、可
視光を透過する導電膜を有することが好ましい。
また、上記において、第１の電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、第４の電
極と電気的に接続する第２のトランジスタと、を有することが好ましい。このとき、第１
のトランジスタと第２のトランジスタとは、同一面上に設けられていることが好ましい。
または、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、異なる面上に設けられているこ
とが好ましい。
また、本発明の他の一態様は、第１の基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層上に、それ
ぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、
離間して形成する第１のステップと、絶縁層の、第１の電極及び第２の電極と重ならない
部分の一部をエッチングし、凹部を形成する第２のステップと、第２の基板上に、遮光層
を形成する第３のステップと、第１の基板と第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始
剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第４のステップと、第１の基板側から光を照射し、第
１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる
第５のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
また、本発明の他の一態様は、第１の支持基板上に、第１の絶縁層を形成する第１のス
テップと、第１の絶縁層上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有
する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第２のステップと、第１の絶縁層の
、第１の電極及び第２の電極と重ならない部分の一部をエッチングし、凹部を形成する第
３のステップと、第２の支持基板上に、第２の絶縁層を形成する第４のステップと、第２
の絶縁層上に、遮光層を形成する第５のステップと、第１の支持基板と第２の支持基板を
、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第６のステップと、第
１の支持基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において
、液晶層中のモノマーを重合させる第７のステップと、第１の支持基板と第１の絶縁層の
間で剥離し、第１の絶縁層に第１の接着層を介して第３の基板を貼り合せる第８のステッ
プと、第２の支持基板と第２の絶縁層の間で剥離し、第２の絶縁層に第２の接着層を介し
て第４の基板を貼り合せる第９のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
また、本発明の他の一態様は、第３の支持基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫
外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極と、第１の電極及び第２の電極を
覆う第３の絶縁層を形成する第１のステップと、第３の絶縁層に、第１の電極に達する開
口を形成する第２のステップと、第３の絶縁層上に、第１の電極と電気的に接続する第１
の導電層、及び可視光を透過する第４の電極を形成する第３のステップと、第４の電極上
に、発光性の物質を含む層と、第５の電極を積層して形成する第４のステップと、第５の
電極を覆うように、第１の基板を第３の接着層を介して貼り合せる第５のステップと、第
３の支持基板と第４の絶縁層の間で剥離し、第１の電極及び第２の電極の一部を露出させ
る第６のステップと、第４の絶縁層の、第１の電極及び第２の電極と重ならない部分の一
部をエッチングし、凹部を形成する第７のステップと、第２の基板上に、遮光層を形成す
る第８のステップと、第１の基板と第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む
液晶層を挟んで貼り合せる第９のステップと、第１の基板側から光を照射し、第１の電極
及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第１０の
ステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
また、本発明の他の一態様は、第４の支持基板上に、可視光を透過する第４の電極と、
第４の電極を覆う第５の絶縁層を形成する第１のステップと、第５の絶縁層に、第４の電
極に達する開口を形成する第２のステップと、第５の絶縁層上に、第４の電極に電気的に
接続する第２の導電層、ならびに、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能
を有する第１の電極及び第２の電極を形成する第３のステップと、第５の絶縁層の、第１
の電極及び第２の電極と重ならない部分の一部をエッチングし、凹部を形成する第４のス
テップと、第２の基板上に、遮光層を形成する第５のステップと、第４の支持基板と第２
の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第６のステッ
プと、第４の支持基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域
において、液晶層中のモノマーを重合させる第７のステップと、第４の支持基板と第５の
絶縁層の間で剥離し、第４の電極の一部を露出させる第８のステップと、第４の電極を覆
って、発光性の物質を含む層と、第５の電極を順に形成する第９のステップと、を有する
、表示装置の作製方法である。
また、本発明の他の一態様は、第５の支持基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫
外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極と、第１の電極及び第２の電極を
覆う第６の絶縁層を形成する第１のステップと、第５の支持基板と第６の絶縁層の間で剥
離し、第１の電極及び第２の電極の一部を露出させる第２のステップと、第６の絶縁層の
、第１の電極及び第２の電極と重ならない部分の一部をエッチングし、凹部を形成する第
３のステップと、第２の基板上に、遮光層を形成する第４のステップと、第６の絶縁層と
第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第５のス
テップと、第６の絶縁層側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領
域において、液晶層中のモノマーを重合させる第６のステップと、第１の基板上に、第４
の電極、発光性の物質を含む層、第５の電極を積層して形成する第７のステップと、第２
の基板と、第１の基板とを、第４の接着層を介して貼り合せる第８のステップと、を有す
る、表示装置の作製方法である。
本発明の一態様によれば、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供できる
。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供できる。または、厚さの薄い表示装置
を提供できる。または、軽量な表示装置を提供できる。
なお、本発明の一態様は、必ずしもこれらの効果の全てを有する必要はない。なお、明
細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルの構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、トランジスタの構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の回路図と、画素の構成例。 実施の形態に係る、表示モジュールの構成例。 実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制
御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは
、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
）を含む。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、および表示装置の作製方法に
ついて説明する。
本発明の一態様の表示装置は、複数の反射型の液晶素子を含む。液晶素子は、一対の電
極と、液晶層を有する。一対の電極の少なくとも一方には、可視光を反射し、且つ紫外線
を遮光（反射または吸収）する材料を用いることができる。液晶層は、一対の基板の間に
設けることができる。
液晶層は、上記可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する電極（以下、反射電極と呼ぶ場
合がある）と重なる第１の部分と、隣接する２つの反射電極の間の領域と重なる第２の部
分を有する。第１の部分は、モノマー及び液晶を含み、第２の部分は、当該モノマーが重
合したポリマーを含む。第２の部分において、ポリマーは一対の基板を接着する柱状の隔
壁の主要部を構成する。また、第２の部分は、隣接画素間の混色を抑制するために設けら
れる遮光層と重ねて配置されることが好ましい。また第２の部分には、液晶が含まれてい
てもよいし、柱状の隔壁がポリマーと液晶を含んでいてもよい。
液晶層の第２の部分に設けられた、ポリマーを含む柱状の隔壁は、隣り合う２つの液晶
素子の間に配置され、２つの液晶素子の液晶層を分離する機能を有する。そのため、当該
ポリマーを含む柱状の隔壁はポリマーウォールとも呼ぶこともできる。１つの液晶素子は
第１の部分において、当該隔壁と、一対の基板とに取り囲まれた液晶を有する構成とする
ことができる。隔壁により、隣の液晶素子が有する液晶の配向状態の影響を受けにくくな
るため、コントラストなどが向上し、より鮮やかな表示が可能な表示装置を実現できる。
なお、１つの液晶素子の液晶は、隣接する液晶素子の液晶と完全に分離されている必要は
なく、隣接する２つの液晶素子間に少なくとも一つ以上の隔壁が存在している構成とすれ
ばよい。
本発明の一態様の表示装置を作製する際、一対の基板に挟持する液晶層には、液晶と、
モノマーと、重合開始剤を含む材料を用いる。そして、液晶層の一部に対して光を照射す
ることにより、モノマーが重合してポリマーに変化する。このとき、反射電極を遮光マス
クとして用いることで、液晶層の反射電極と重ならない領域にポリマーが形成される。こ
れにより、隣接する反射電極の間に位置し、ポリマーを含む隔壁を、遮光マスクなどを用
いずに自己整合的に形成することができる。
本発明の一態様の表示装置は、一対の基板を接着するポリマーを含む隔壁を、隣接画素
間に配置することが可能となるため、基板間の接着強度が極めて高い。また隔壁は一対の
基板間の距離を保持するためのギャップスペーサとして機能させることもできる。そのた
め、表示面を押す、または表示装置を曲げるなどの外力が加わった際や、表示装置を振動
させたときなどに、液晶素子のセルギャップが変化しにくいため、セルギャップが変化す
ることによる干渉縞や色の変化などが生じにくい。
また上述した方法を用いることで、反射電極で遮光されない領域、すなわち反射液晶素
子を用いた表示に影響しない領域に、自己整合的にポリマーを形成することができるため
、例えば、遮光マスクなどを用いてポリマーを形成する場合に比べて、径の小さな隔壁を
高密度に配置することが可能となる。そのため、極めて高精細な表示装置を作製すること
が可能となる。例えば、表示部の精細度が３００ｐｐｉ以上、または５００ｐｐｉ以上、
または８００ｐｐｉ以上、または１０００ｐｐｉ以上であって、３０００ｐｐｉ以下の極
めて高精細な表示装置にも適用することが可能である。
また、反射電極は絶縁層上に設けられる。ここで、隣り合う２つの反射電極の間と重な
る領域において、当該絶縁層に凹部が形成されていることが好ましい。すなわち、絶縁層
は、反射電極と重ならない部分において、反射電極と重なる部分よりも上面の高さが低い
領域を有する、または、絶縁層は、その上面の一部が他の部分よりも基板面に近い領域を
有する、などと言い換えることもできる。
ここで、上記柱状の隔壁が、絶縁層の凹部と重なる位置に設けられることが好ましい。
例えば、柱状の隔壁が、絶縁層の凹部に嵌合するように設けられていることが好ましい。
これにより、柱状の隔壁の絶縁層側の接着面の面積が増大するため、基板間の接着強度を
高めることができる。
また、第１の基板側または第２の基板側には、柱状の隔壁と接して凸状の構造体を有す
ることが好ましい。凸状の構造体は、例えば一対の基板間の距離を保持するためのギャッ
プスペーサとして機能する構造体を用いることができる。柱状の隔壁が、凸状の構造体と
接して設けられていることで、柱状の隔壁の接着面の面積が増大するため、アンカー効果
が生じ、接着強度をさらに高めることができる。特に、柱状の隔壁の内側に凸状の構造体
が位置すると、より効果的に基板間の接着強度を高めることができる。
また、凹部が形成された絶縁層を有する場合、凸状の構造体は、当該凹部と重なる位置
に設けられていることが好ましい。絶縁層の凹部と、凸状の構造体の両方が設けられた部
分に柱状の隔壁が設けられることで、よりアンカー効果が強まり、基板間の接着強度を相
乗的に高めることができる。
また、本発明の一態様は、反射型の表示素子と、発光素子の両方を有し、発光モード、
反射モード、およびハイブリッドモードの表示を行うことのできる、表示装置（表示パネ
ル）であることが好ましい。このような表示パネルを、ＥＲ－Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ、または、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ
）とも呼ぶことができる。
本明細書等において、ハイブリッド表示（ハイブリッドモード）とは、１つのパネルに
おいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字また
は画像を表示する方法である。または、ハイブリッド表示とは、同一画素または同一副画
素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字または画像を表示する方法
である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみ
ると、複数の表示素子のいずれか一を用いて表示される画素または副画素と、複数の表示
素子の二以上を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。
なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つまたは複数の表現を満たすものを
、ハイブリッド表示という。
また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有
する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出す
る自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制
御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発
光のいずれか一方または双方を用いて、文字または画像を表示する機能を有する。
以下では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び作製方法の例について、図面を参
照して説明する。
なお、以下では「上」、「下」などの向きを示す表現は、基本的には図面の向きと合わ
せて用いるものとする。しかしながら、説明を容易にするためなどの目的で、明細書中の
「上」または「下」が意味する向きが、図面とは一致しない場合がある。一例としては、
積層体等の積層順（または形成順）などを説明する場合に、図面において当該積層体が設
けられる側の面（被形成面、支持面、接着面、平坦面など）が当該積層体よりも上側に位
置していても、その向きを下、これとは反対の向きを上、などと表現する場合がある。
［構成例１］
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置１０の斜視概略図である。表示装置１０は、
基板２１と基板３１とが貼り合わされた構成を有する。図１（Ａ）では、基板３１を破線
で明示している。
表示装置１０は、表示部３２、回路３４、配線３５等を有する。基板２１には、例えば
回路３４、配線３５、及び表示部３２に含まれ、画素電極として機能する導電層２３が設
けられる。また図１（Ａ）では基板２１上にＩＣ３７とＦＰＣ３６が実装されている例を
示している。そのため、図１（Ａ）に示す構成は、表示モジュールとも呼ぶことができる
。
回路３４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
配線３５は、表示部３２や回路３４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や
電力は、ＦＰＣ３６を介して外部から配線３５に入力されるか、またはＩＣ３７から配線
３５に入力される。
また、図１（Ａ）では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板２
１にＩＣ３７が設けられている例を示している。ＩＣ３７は、例えば信号線駆動回路など
としての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置１０が信号線駆動回路として機能
する回路を備える場合や、信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３６
を介して表示装置１０を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７を設けな
い構成としてもよい。また、ＩＣ３７を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等に
より、ＦＰＣ３６に実装してもよい。
図１（Ａ）には、表示部３２の一部の拡大図を示している。表示部３２には、複数の表
示素子が有する導電層２３がマトリクス状に配置されている。導電層２３は、例えば画素
電極として機能する。ここで、導電層２３は、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機
能を有する。
図２は、表示装置１０を有するタッチパネル１０ａの一例を示している。
タッチパネル１０ａは、タッチセンサパネル１５が表示面側に設けられている。また、
表示装置１０とタッチセンサパネル１５との間に、表示装置１０側から拡散板３８と、偏
光板３９と、を有する。
拡散板３８は、可視光を拡散する機能を有するフィルムを好適に用いることができる。
例えば、半球レンズやマイクロレンズアレイが形成されたフィルム、凹凸構造が施された
フィルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板３１または当該フィル
ムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて、このようなフィルムを表示装置１０に接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。
偏光板３９としては、例えば、直線偏光板または円偏光板を用いればよい。特に表示部
３２が反射型の液晶素子を有する場合には、円偏光板を好適に用いることができる。円偏
光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることがで
きる。円偏光板を用いることにより、外光反射を好適に抑制する効果を付加することがで
きる。
タッチセンサパネル１５は、指やスタイラス等の被検知体が触れること、または近づく
ことを検知する機能を有する。また、被検知体の位置情報を出力する機能を有していても
よい。図２では、タッチセンサパネル１５に、ＦＰＣ１６が実装されている例を示してい
る。なお、タッチセンサパネル１５またはＦＰＣ１６に、タッチセンサパネル１５の駆動
を制御する機能や、タッチセンサパネル１５からの信号から位置情報などを演算する機能
等を有するＩＣ等が実装されていてもよい。
タッチセンサパネル１５が有する検知素子（センサ素子ともいう）としては、指やスタ
イラスなどの被検知体がタッチセンサパネル１５の表面に触れること、または近づくこと
を検知することのできる様々なセンサを適用することができる。
例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方
式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。
静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投
影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用い
ると、同時多点検出が可能となるため好ましい。
図２では、別々に作製された表示装置１０とタッチセンサパネル１５とを貼り合わせる
構成としたが、これに限られない。例えば、表示装置１０の基板２１と基板３１の一方ま
たは双方に検知素子を構成する電極等を設ける、いわゆるオンセル型またはインセル型の
タッチパネルとしてもよい。
また、タッチセンサパネル１５に用いるフィルムに、反射防止フィルムを用いることが
好ましい。または、タッチセンサパネル１５に重ねて、表示面側に反射防止フィルムを貼
り付けることが好ましい。これにより、タッチパネル１０ａの表面の外光反射が抑制され
、視認性を向上させることができる。
また表示装置１０の表示面側には、上記以外に反射防止フィルム、偏光フィルム、位相
差フィルム、光拡散フィルム、または集光フィルム等の機能フィルム、ゴミの付着を抑制
する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハ
ードコート膜、傷を自己回復する機能を有する膜等を含む機能フィルムを設けてもよい。
〔断面構成例１－１〕
図１（Ｂ）に、図１（Ａ）中の切断線Ａ１－Ａ２に対応する断面の一例を示す。図１（
Ｂ）には、隣接する２つの画素（副画素）を含む領域の断面を示している。またここでは
、表示素子として、反射型の液晶素子４０を適用した場合の例を示している。図１（Ｂ）
において、基板３１側が表示面側となる。
表示装置１０は、基板２１と基板３１の間に液晶層２４が挟持された構成を有している
。また液晶素子４０は、基板２１側に設けられた導電層２３と、基板３１側に設けられた
導電層２５と、これらに挟持された液晶層２４と、を有する。ここで導電層２５は、可視
光を透過する機能を有する。導電層２５は、共通電極などとして機能する。
基板２１上には、導電層２３と電気的に接続するトランジスタ７０が設けられている。
一方、基板３１の基板２１側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６
１、導電層２５等が設けられている。また導電層２３と液晶層２４の間に配向膜５３ａが
設けられ、導電層２５と液晶層２４の間に配向膜５３ｂが設けられている。なお、配向膜
５３ａ及び配向膜５３ｂは、不要であれば設けなくてもよい。
トランジスタ７０は、ゲートとして機能する導電層７１、半導体層７２、ゲート絶縁層
として機能する絶縁層７３、ソース又はドレインの一方として機能する導電層７４ａ、ソ
ース又はドレインの他方として機能する導電層７４ｂ等を有する。
トランジスタ７０を覆って絶縁層８１が設けられている。また絶縁層８１上に導電層２
３が設けられている。導電層２３と導電層７４ｂとは、絶縁層８１に設けられた開口を介
して電気的に接続している。トランジスタ７０及び導電層２３は、画素（副画素）ごとに
配置されている。
また、絶縁層８１は、凹部５０を有する。凹部５０は、導電層２３と重ならない部分に
設けられている。言い換えると、絶縁層８１は、導電層２３と重ならず、且つ導電層２３
と重なる部分よりも厚さが薄い部分を有する。配向膜５３ａは、絶縁層８１の凹部５０を
覆って設けられている。配向膜５３ａの上面は、凹部５０の形状に沿った凹形状を有する
。
ここで、図１（Ｂ）では配向膜５３ａが凹部５０の側面及び上面を覆って設けられてい
る例を示している。なお、配向膜５３ａの被覆性が低い場合には、配向膜５３ａの凹部５
０の側面に接する部分が他の部分（例えば導電層２３と重なる部分）よりも薄い場合や、
凹部５０の側面を被覆しきれずに分断されている場合もある。
着色層５１ａ、着色層５１ｂは、それぞれ異なる導電層２３と重ねて配置されている。
また遮光層５２は、隣り合う２つの導電層２３の間の領域と重なる部分を有する。図１（
Ｂ）に示すように、遮光層５２の一部と導電層２３の端部とを重ねて配置することが好ま
しい。
液晶層２４は、導電層２３と重なる領域において、液晶１２と、モノマー１３を有する
。また液晶層２４は、隣り合う２つの導電層２３の間と重なる領域において、隔壁１１を
有する。また、隔壁１１と遮光層５２は、互いに重なる部分を有していることが好ましい
。
モノマー１３は、重合することによりポリマーとなる材料である。また、隔壁１１は、
モノマー１３が重合することにより得られるポリマーを含んで構成される。隔壁１１の内
部には、液晶１２と同じ材料が含まれていてもよい。
モノマー１３としては、重合性モノマーを用いることができる。例えば光により重合が
進行する光重合性（光硬化性）や、熱により重合が進行する熱重合性（熱硬化性）を有す
る重合性モノマーを用いることができる。特に、光重合性を有する材料を用いることが好
ましい。また、液晶層２４は、モノマー１３に加えて、例えば重合度が２以上１００以下
のオリゴマーも含んでいてもよい。このとき、当該オリゴマーは、光重合性または熱重合
性を有することが好ましい。
モノマー１３としては、例えば、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマー
、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多
官能モノマーなどを用いることができる。また、単官能モノマーや多官能モノマーを、２
種類以上混合させたものでもよい。また、モノマー１３としては液晶性の材料、非液晶性
の材料、またはこれらが混合された材料を用いることができる。
液晶層２４の、導電層２３と重なる領域において、残存した重合開始剤が含まれていて
もよい。重合開始剤は、例えば光や熱などの外的刺激によりモノマーの重合のきっかけと
なる物質に変化する材料である。重合開始剤としては、例えば紫外線などの光または熱に
よってラジカルが生成するラジカル重合開始剤等を用いることができる。なお、重合開始
剤は液晶やモノマーに比べて極微量であればよく、例えば重合開始剤は、液晶、モノマー
及び重合開始剤等が混合された組成物の総重量に対する重量比が、１ｗｔ％以下の比率で
混合されていればよい。また、重合開始剤はモノマー１３の材料に応じて適宜選択するこ
とができる。モノマー１３の材料によっては、ラジカル重合開始剤に代えて、カチオン重
合開始剤、アニオン重合開始剤などを用いてもよい。
モノマー１３は、使用する重合開始剤により重合が開始される材料を選択すればよい。
特に、モノマー１３及び重合開始剤の組み合わせとして、紫外線により重合が開始され、
且つ重合が進行する材料の組み合わせを用いることが好ましい。
また液晶層２４には、液晶１２、モノマー１３、重合開始剤等の他に、カイラル剤を含
んでいてもよい。
隔壁１１は、モノマー１３が重合することにより得られるポリマーを含む。例えば、モ
ノマー１３としてアクリレートを用いた場合には、隔壁１１がポリアクリレートを含む。
隔壁１１は、ポリマーだけでなく、液晶層２４に含まれる成分（液晶１２、重合されな
かったモノマー１３、反応されずに残った重合開始剤、カイラル剤等）を含んでいてもよ
い。
また、ポリマーの重合度は、その形成条件やモノマー１３の材料に応じて変化する。ま
た隔壁１１の体積密度も同様に、ポリマーの形成条件や、モノマー１３の材料等によって
変わるが、例えば７０％以上１００％以下、好ましくは８０％以上１００％以下、より好
ましくは９０％以上１００％以下とすることができる。
隔壁１１は、基板２１と基板３１を接着することが好ましい。より具体的には、隔壁１
１は、基板２１側に設けられ、液晶層２４と接する層と、基板３１側に設けられ、液晶層
２４と接する層を接着する機能を有する。図１（Ｂ）においては、配向膜５３ａの一部と
、配向膜５３ｂの一部とを、隔壁１１が接着している。なお、配向膜５３ａや配向膜５３
ｂを設けない場合では、絶縁層８１の一部と、導電層２５の一部とを隔壁１１が接着する
構成となる。
また、隔壁１１は、絶縁層８１の凹部５０と重ねて設けられている。より具体的には、
隔壁１１が凹部５０の上面を覆う配向膜５３ａの一部と、凹部５０の側面を覆う配向膜５
３ａの一部と、に接して設けられている。これにより、隔壁１１と配向膜５３ａとの接触
面積が増大することに伴いアンカー効果が生じ、これらの密着強度を高めることができる
。隔壁１１が凹部５０を埋めるように設けられていると、より効果的に密着強度を高める
ことができるため好ましい。
なお、配向膜５３ａが絶縁層８１の凹部５０の側面を被覆しきれずに分断されている場
合や、配向膜５３ａを設けない場合などでは、隔壁１１と絶縁層８１とが接している部分
があってもよい。
本発明の一態様の表示装置１０は、隔壁１１により、基板２１と基板３１との接着強度
が高められており、破損しにくく、信頼性の高い表示装置である。さらに、隔壁１１は、
絶縁層８１に設けられた凹部５０に少なくとも一部が重なるように設けられ、アンカー効
果により接着強度がさらに高められている。また隔壁１１によって外力に対する物理的強
度が高められたことに加え、外力によるセルギャップの変化が抑制された表示装置である
。
ここで、隔壁１１と凹部５０の位置関係、及びそれぞれの形状などは、図１（Ｂ）に示
す構成に限られない。
図３（Ａ）は、図１（Ｂ）における隔壁１１及びその近傍を拡大した断面概略図である
。
図３（Ｂ）は、導電層２３と重ならない部分に、絶縁層８１が設けられていない場合の
例を示している。具体的には、配向膜５３ａが絶縁層８１の側面、及び絶縁層７３の上面
に接して設けられている。このような構成とすることで、隔壁１１と、これと接する層と
の接触面積がより増大するため、接着強度をより高められる。
図３（Ｃ）は、凹部５０と重なる位置に、導電層７４ａの一部が延在して設けられてい
る場合の例を示している。隔壁１１は、導電層２３及び導電層７４ａのいずれにも重なら
ない領域に設けられている。
図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）において、導電層２３と重ならない部分に、絶縁層８１が設
けられていない場合の例を示している。配向膜５３ａは、導電層７４ａの一部、及び絶縁
層７３の一部と接して設けられている。
図３（Ｅ）は、図３（Ｄ）において、導電層７４ａを覆う絶縁層８５が設けられている
例を示している。絶縁層８５により導電層７４ａを保護することができる。また導電層７
４ａが露出することによる電気的なショートなどの不具合を抑制できる。
ここで、隔壁１１は、光の照射により自己整合的に形成されるため、光が理想的な平行
光である場合には、基本的には遮光性の部材と重なる部分には形成されない。しかしなが
ら、光の散乱や、光源の指向性などに起因して、遮光性の部材と重なる部分にも隔壁１１
が形成される場合もある。図３（Ｆ）では、図３（Ａ）において、導電層２３の一部を覆
って隔壁１１が設けられている場合の例を示している。
なお、図３（Ａ）～（Ｆ）では、配向膜５３ａの厚さが均一であるように描いてあるが
、実際には凹部５０の側面近傍では他の部分よりも薄い、または分断されている場合があ
る。また、図３（Ａ）～（Ｆ）では、絶縁層８１の凹部５０の側面が、膜面方向に対して
概略垂直である場合の例を示しているが、実際には絶縁層８１の加工方法や条件に応じて
垂直とはならない場合がある。例えば、平面視において、底部が上部の内側に位置する形
状、底部が上部よりも広がった形状となる場合や、断面において側面の一部がくびれた形
状、または広がった形状となる場合もある。
以上が断面構成例１－１についての説明である。
〔画素のレイアウト例〕
図４（Ａ）に、表示面側から見たときの画素のレイアウトの一例を示す。ここでは、基
板２１側に設けられる各導電層、隔壁１１、及び構造体１４ａ、構造体１４ｂ等を示して
いる。また絶縁層等の一部の構成要素は明示していない。
図４（Ａ）に示す画素は、トランジスタ７０と容量素子７５を有する。トランジスタ７
０は、導電層７１ａ、半導体層７２、絶縁層７３（図示しない）、導電層７４ａ、導電層
７４ｂ等を有する。また、容量素子７５は、導電層７４ｂと導電層７１ｂとが絶縁層７３
（図示しない）を介して積層された構成を有する。また、画素は、導電層７４ｂと電気的
に接続し、画素電極として機能する導電層２３を有する。導電層２３は、可視光を反射し
、且つ紫外線を遮光する。
ここで、導電層７４ａの一部は信号線として機能し、導電層７１ｂの一部は容量線とし
て機能し、導電層７１ａの一部は走査線として機能する。
図４（Ａ）では、隔壁１１が設けられる領域にハッチングパターンを付している。隔壁
１１は、上述した各導電層が設けられていない部分に形成される。
図４（Ａ）に示すように、隣接する２つの導電層２３の間には配線等が設けられている
ため、当該配線と重なる部分には隔壁１１は形成されない。したがって、隔壁１１は導電
層２３を完全に囲うのではなく、導電層２３の輪郭の一部に沿った島状に形成される。な
お、隔壁１１の形成時に照射する光の照射条件や、当該光が散乱することなどにより、上
記導電層２３の一部や、上記配線の一部に重ねて、隔壁１１が形成される場合もある。
なお、図４（Ａ）で示した画素の構成は一例であり、様々な構成の画素に本発明の一態
様の表示装置の作製方法を適用できる。ここでは画素が１つのトランジスタと１つの容量
素子を有する簡単な構成を例示したが、画素の構成はこれに限られず、２以上のトランジ
スタや容量素子を有していてもよい。
また、図４（Ａ）では、構造体１４ａ及び構造体１４ｂが設けられている例を示してい
る。構造体１４ａ及び構造体１４ｂは、導電層２３が設けられていない領域に設けられ、
隔壁１１と一部が接して設けられている。
ここで、構造体１４ａは、上面形状が概略円対称である例を示している。一方、構造体
１４ｂは、横方向に長い上面形状を有している。後述するように、構造体１４ａと構造体
１４ｂの幅を異ならせて形成することで、自己整合的にその高さを異ならせることができ
る。
図４（Ｂ１）（Ｂ２）は、構造体１４ａを含む領域における断面の一例である。図４（
Ｂ１）は図４（Ａ）中の切断線Ｂ１－Ｂ２に、図４（Ｂ２）は切断線Ｂ３－Ｂ４にそれぞ
れ対応する。切断線Ｂ１－Ｂ２と切断線Ｂ３－Ｂ４は、構造体１４ａと重なる部分におい
て直交する。
構造体１４ａは、導電層２５側に形成され、その一部を配向膜５３ｂが被覆している。
また、構造体１４ａの頂部（図４（Ｂ１）、（Ｂ２）においては、底部）が、配向膜５３
ｂと接して設けられている。また、構造体１４ａは、その側面の一部が隔壁１１に覆われ
るように設けられている。また、図４（Ｂ２）に示すように、遮光性を有する導電層７４
ａと重なる領域では隔壁１１が形成されないため、構造体１４ａの一部が液晶１２と接し
ていてもよい。
また、図４（Ｃ１）（Ｃ２）は、構造体１４ｂを含む領域における断面の一例である。
図４（Ｃ１）は図４（Ａ）中の切断線Ｃ１－Ｃ２に、図４（Ｃ２）は切断線Ｃ３－Ｃ４に
それぞれ対応する。図４（Ｃ１）は構造体１４ｂの短軸方向の断面に対応し、図４（Ｃ２
）は構造体１４ｂの長軸方向の断面に対応する。
構造体１４ｂは、構造体１４ａと同様に導電層２５側に設けられ、その一部を配向膜５
３ｂが被覆している。また導電層７４ａと重なる部分において、液晶１２と接する部分を
有する。
また、構造体１４ｂは、短軸方向の幅が構造体１４ａより小さく、またその高さも構造
体１４ａよりも低い。そのため、構造体１４ｂの頂部は、配向膜５３ａと接さず、隔壁１
１に覆われている。
なお、ここでは構造体１４ａが円対称の形状である例を示したが、構造体１４ａは四角
形を含む多角形形状、角の丸い多角形形状などとしてもよい。また、構造体１４ｂは、横
長の形状である例を示したが、少なくとも構造体１４ａよりも幅（または径）の小さい部
分を有していればよく、円形や多角形形状であってもよい。
以上が画素のレイアウト例についての説明である。
以下では、本発明の一態様の表示装置の他の構成例、及び作製方法例について説明する
。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。
〔断面構成例１－２〕
図５に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図５に示す構成は主に、構造体
１４ａ及び構造体１４ｂを有する点で、図１（Ｂ）に示す構成と相違している。
構造体１４ａ及び構造体１４ｂは、導電層２５と配向膜５３ｂの間に設けられている。
配向膜５３ｂは、構造体１４ａ及び構造体１４ｂを覆って設けられている。また構造体１
４ａ及び構造体１４ｂは、それぞれ隣接する２つの導電層２３の間に位置する。また構造
体１４ａ及び構造体１４ｂは、それぞれ遮光層５２、及び絶縁層８１の凹部５０と重なる
部分を有する。また、隔壁１１は、構造体１４ａ及び構造体１４ｂを取り囲むように設け
られている。
構造体１４は、基板２１と基板３１を貼り合せる際に、これらが必要以上に近づくこと
を抑制し、液晶素子４０のセルギャップを調整するための、スペーサとして機能する。
また、隔壁１１が、構造体１４ａや構造体１４ｂを取り囲むように設けられることで、
図１（Ｂ）に示す例に比べて接着強度がより高められている。
〔断面構成例１－３〕
図６（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図６（Ａ）に示す構成は
、主に、基板２１に代えて基板４１ａ、接着層４２ａ、絶縁層８２を有する点、及び基板
３１に代えて基板４１ｂ、接着層４２ｂ、及び絶縁層６２を有する点で、図５に示す構成
と相違している。
絶縁層８２は、トランジスタ７０等の被形成面を成す絶縁層である。基板４１ａは、接
着層４２ａにより絶縁層８２の一方の面に貼り付けられている。絶縁層８２の他方の面上
には、トランジスタ７０や、導電層２３等が設けられている。
絶縁層６２は、遮光層５２や着色層５１ａ、着色層５１ｂ等の被形成面を成す絶縁層で
ある。基板４１ｂは、接着層４２ｂにより絶縁層６２の一方の面に貼り付けられている。
絶縁層６２の他方の面側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６１、
構造体１４ａ、構造体１４ｂ、導電層２５、及び配向膜５３ｂ等が設けられている。
基板４１ａ及び基板４１ｂとしては、薄く、軽い材料を用いることができる。好適には
、基板４１ｂとして可撓性を有する材料を用いることができる。さらに、基板４１ｂと基
板４１ａの両方に可撓性を有する材料を用いることにより、曲げることのできる表示装置
を実現することができる。
例えば、基板４１ａ及び基板４１ｂとして、厚さが１μｍ以上３００μｍ以下、好まし
くは３μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下、さらに好ま
しくは１０μｍ以上１００μｍ以下の薄いシート状の材料を用いることができる。
〔断面構成例１－４〕
図６（Ｂ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図６（Ｂ）に示す構成は
、基板４１ａ、接着層４２ａ及び絶縁層８２に代えて基板２１を有する点で、図６（Ａ）
に示す構成と相違している。
図６（Ｂ）に示す構成は、表示面側に厚さの薄い基板４１ｂを用い、表示面側とは反対
側に、基板４１ｂよりも剛性の高い基板２１が設けられている。したがって、図５に示し
た構成よりも厚さの薄い表示装置を実現できる。また、表示面側の基板４１ｂの厚さが薄
いため、例えば比較的厚い（例えば０．３ｍｍよりも厚い）ガラス基板等を用いた場合に
比べて、表示のコントラスト、色再現性、視野角依存性などの光学特性に優れた表示装置
を実現できる。
〔断面構成例１－５〕
図６（Ｃ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図６（Ｃ）に示す構成は
主に、基板２１に代えて基板４１ａ、接着層４２ａ、樹脂層４５ａを有する点、基板３１
に代えて樹脂層４５ｂ、絶縁層６２を有する点、並びに構造体１４ａ及び構造体１４ｂが
絶縁層８１に接して設けられている点で、図５に示す構成と相違している。
樹脂層４５ａは、トランジスタ７０等を支持する絶縁性の層である。樹脂層４５ａとし
ては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミ
ド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等を用いることが
できる。特に、ポリイミド樹脂は、耐熱性に優れ、また線熱膨張係数が低いため好ましい
。
樹脂層４５ａは、例えば厚さが０．０１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは０．１μ
ｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。これにより、可撓性を有し、曲げることの
できる表示装置を実現できる。
基板４１ａは、接着層４２ａにより、樹脂層４５ａの一方の面に貼り付けられている。
また樹脂層４５ａの他方の面上には、絶縁層８２が設けられている。
樹脂層４５ｂは、透光性を有する樹脂材料を用いることができる。好ましくは、厚さ１
μｍ以上２００μｍ以下のフィルム状またはシート状の材料を用いることができる。
このように、樹脂層４５ｂに直接的に着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁
層６１、導電層２５、及び配向膜５３ｂ等が設けられる構成とすることで、作製工程を簡
略化することができる。
樹脂層４５ｂの一方の面側には、絶縁層６２が設けられている。なお、絶縁層６２は不
要であれば設けなくてもよい。
構造体１４ａ及び構造体１４ｂは、それぞれ凹部５０に設けられ、絶縁層８１の上面に
接して設けられている。また構造体１４ａ及び構造体１４ｂの少なくとも側面の一部を覆
って配向膜５３ａが設けられている。
このような構成とすることで、樹脂層４５ｂ側の構成を簡略化することができる。例え
ば、島状の形状を有する着色層５１ａ、着色層５１ｂや、開口を有する遮光層５２等を印
刷法により形成することができる。これにより、樹脂層４５ｂ側の構成を、ロールトゥロ
ール法を用いて安価に作製することができる。
以上が構成例１についての説明である。
［構成例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両
方を有し、発光モード、反射モード、およびハイブリッドモードの表示を行うことのでき
る、表示装置（表示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＥＲ－Ｈｙｂｒ
ｉｄ Ｄｉｓｐｌａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｎｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉ
ｄ Ｄｉｓｐｌａｙ、または、Ｅｍｉｓｓｉｏｎ／Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｙｂｒｉｄ
Ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発
光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口
を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、発
光モードでは当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することができ
る。なお、可視光を反射する電極と重ならない領域に発光素子の発光領域が配置されてい
る構成とし、可視光を反射する電極の隙間から発光素子からの光が射出される構成として
もよい。液晶素子と発光素子とを積層して配置することで、平面視において、液晶素子と
発光素子を並べて配置した場合と比べて、液晶素子と発光素子の両方を有する画素（画素
ユニットともいう）の大きさを小さくすることができるため、より高精細な表示装置を実
現できる。
このような表示パネルは、屋外など外光の明るい環境では反射モードで表示することに
より、極めて電力消費が低い駆動を行うことができる。また夜間や室内など外光が暗い環
境では、発光モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができる。
さらに、発光と反射光の両方を用いたモード（ハイブリッドモードともいう）で表示する
ことにより、外光の明るさが不十分な環境であっても従来の表示パネルに比べて、低い消
費電力で、且つコントラストの高い表示を行うことができる。また、反射モード及びハイ
ブリッドモードでは、環境光の揺らぎを反映した表示を行うことが可能なため、ユーザが
より自然に感じる表示を行うことができる。
〔断面構成例２－１〕
図７（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図７（Ａ）に示す構成は
、液晶素子４０と、発光素子９０が絶縁層８３を介して重ねて配置されている。図７（Ａ
）に示す構成では、基板３１側が表示面側に相当する。
表示装置は、絶縁層８３の一方の面上に形成された、トランジスタ７０ａとトランジス
タ７０ｂを有する。トランジスタ７０ａは、液晶素子４０と電気的に接続し、トランジス
タ７０ｂは、発光素子９０と電気的に接続する。
トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂを覆う絶縁層８１の基板２１側には、導電層
９１が設けられ、導電層９１の端部を覆って絶縁層８４が設けられている。導電層９１と
トランジスタ７０ｂのソース又はドレインの一方とは、絶縁層８１に設けられた開口を介
して電気的に接続されている。絶縁層８４は、平坦化層として機能する。絶縁層８４の基
板２１側には、ＥＬ層９２、導電層９３ａ、及び導電層９３ｂが設けられている。導電層
９１、ＥＬ層９２、導電層９３ａ、及び導電層９３ｂにより、発光素子９０が構成されて
いる。
導電層９１及び導電層９３ａは、可視光を透過する機能を有する。導電層９３ｂは、可
視光を反射する機能を有する。したがって、発光素子９０は、導電層９１側に光を射出す
る、ボトムエミッション型の発光素子である。
また、絶縁層８３の基板３１側には、導電層２３ａと導電層２３ｂが積層して設けられ
ている。また導電層２３ａと液晶層２４の間に、配向膜５３ａが設けられている。液晶層
２４、及び液晶層２４と基板３１の間の構成は、構成例１を援用できるため、説明を省略
する。
また表示装置は、絶縁層８３の両面に設けられる導電層同士を電気的に接続する接続部
８０を有する。図７（Ａ）では、端子部が絶縁層８３に設けられた開口と、当該開口に位
置し、トランジスタ７０ａ等のゲートと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、を有
する構成を示している。トランジスタ７０ａのソース又はドレインの一方と導電層２３ｂ
は、接続部８０を介して電気的に接続されている。
導電層２３ａは、可視光を透過する機能を有する。また導電層２３ｂは、可視光を反射
する機能を有する。したがって液晶素子４０は、反射型の液晶素子として機能する。
また、可視光を反射する導電層２３ｂには、発光素子９０と重なる領域において、開口
が設けられている。発光素子９０から射出された光は、当該開口を介して、基板３１側に
射出される。
図７（Ａ）に示す表示装置は、液晶素子４０と電気的に接続するトランジスタ７０ａと
、発光素子９０と電気的に接続するトランジスタ７０ｂを有するため、液晶素子４０と発
光素子９０をそれぞれ独立に制御することが可能である。また、トランジスタ７０ａとト
ランジスタ７０ｂは、同一面上に同一工程を経て形成することが可能であるため、工程が
簡略化され、高い歩留りで作製することができる。
また、図７（Ａ）に示すように、可視光を反射する導電層９３ｂには、隔壁１１と重な
る領域に開口が設けられている。また、導電層９３ａは、紫外線を透過する機能を有する
。隔壁１１を形成するための光の照射を行う際は、当該開口を介して液晶層２４に光を照
射することができる。
また、２つの導電層２３ａの間の領域において、絶縁層８３に凹部５０が形成されてい
る。複数の隔壁１１のうち、２つの導電層２３ａの間に設けられる隔壁１１は、その一部
が凹部５０と重ねて設けられている。
また導電層２５の基板２１側の面には、当該凹部５０と重なる位置に構造体１４が設け
られている。また構造体１４は隔壁１１と重ねて設けられている。
〔変形例１〕
図７（Ｂ）には、図７（Ａ）と一部の構成が異なる例を示している。具体的には、基板
３１に代えて、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂを有し、また基板２１に代え
て基板４１ａを有する。
このような構成とすることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
〔断面構成例２－２〕
図８（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図８（Ａ）に示す構成は
、図７（Ａ）で例示した構成と比較し、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂが、
絶縁層８３よりも基板３１側に設けられている点で主に相違している。また図８（Ａ）で
は、高さの異なる２つの構造体（構造体１４ａ、構造体１４ｂ）を有する例を示している
。
トランジスタ７０ａは、ソース又はドレインの一方が絶縁層８１に設けられた開口を介
して、絶縁層８１上に設けられた導電層２３と電気的に接続されている。また導電層２３
上には配向膜５３ａが設けられている。
トランジスタ７０ｂは、接続部８０を介して導電層９１と電気的に接続されている。導
電層９１を覆って、ＥＬ層９２、導電層９３ｂ、及び導電層９３ａが積層して設けられて
いる。
ここで、導電層９１の基板２１側の表面と、絶縁層８３の基板２１側の表面は、概略一
致しており、これらの境界における段差は極めて小さい。そのため、図７（Ａ）等で例示
した、導電層９１の端部を覆う絶縁層（絶縁層８４）を設けない構成とすることができる
。なお、絶縁層８４を設けてもよい。
また、ここでは可視光を透過する導電層９３ａが、可視光を反射する導電層９３ｂより
も基板２１側に設けられている例を示している。例えば金属酸化物を含む導電層９３ａに
より、金属または合金を含む導電層９３ｂの表面を覆って設けることで、導電層９３ｂの
酸化を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。
また、図８（Ａ）に示すように、隔壁１１が、遮光層５２等と重なる領域だけでなく、
発光素子９０と重なる領域にも設けられていてもよい。このとき、発光素子９０からの光
は、導電層２３に設けられた開口、隔壁１１、及び着色層５１ａ等を介して、基板３１側
から外部に射出される。
〔変形例２〕
図８（Ｂ）には、図８（Ａ）と一部の構成が異なる例を示している。具体的には、基板
３１に代えて、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂを有し、また基板２１に代え
て基板４１ａを有する。
このような構成とすることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
〔断面構成例２－３〕
図９（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図９（Ａ）に示す構成は
、主にトランジスタ７０ｂがトランジスタ７０ａとは異なる絶縁層上に設けられている点
、また、トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂとの間に接着層９９を有する点で、図
７（Ａ）に示す構成と相違している。
トランジスタ７０ｂは、絶縁層８６の一方の面側に設けられている。また絶縁層８６の
他方の面は、接着層９９を介してトランジスタ７０ａを覆う絶縁層８１と接着されている
。
また絶縁層８６の一方の面側には、絶縁層８７、絶縁層８８を有する。絶縁層８７は、
その一部がトランジスタ７０ｂのゲート絶縁層として機能する。また絶縁層８８は、トラ
ンジスタ７０ｂを覆って設けられている。絶縁層８４は絶縁層８８を覆って設けられてい
る。
また、ここではトランジスタ７０ａが第２のゲートとして機能する導電層７８と、第２
のゲート絶縁層として機能する絶縁層７９を有する例を示している。導電層７８としては
、可視光を遮光する導電性材料を用いることが好ましい。
なお、ここでは基板２１と基板３１を有する例を示したが、これらを可撓性を有する基
板に置き換えてもよい。例えば図７（Ｂ）に示すように、基板２１に代えて可撓性を有す
る基板４１ａを用いることができる。また基板３１に代えて絶縁層６２、接着層４２ｂ、
及び基板４１ｂを用いることができる。これにより、曲げることのできる表示装置を実現
できる。
〔断面構成例２－４〕
図９（Ｂ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図９（Ｂ）に示す構成は
、主に発光素子９０がトップエミッション型の発光素子である点、絶縁層８７から発光素
子９０までの積層構造の向きが上下逆転している点、接着層９９を有さない点などで、図
９（Ａ）に示す構成と相違している。
基板２１と基板３１とは、接着層８９により貼り合わされている。また、接着層８９は
、発光素子９０を覆って設けられ、発光素子９０を封止する機能を有する。
以上が構成例２についての説明である。
［作製方法例１］
〔作製方法例１－１〕
続いて、図１（Ｂ）に示した表示装置１０の作製方法の一例について説明する。図１０
及び図１１に示す各図は、表示装置１０の作製方法に係る、工程の各段階における断面概
略図である。
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法
、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、
真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣ
ＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯ
ＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、デ
ィップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印
刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等
の方法により形成することができる。
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加
工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成し
てもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄
膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマス
クを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と
、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加
工する方法と、がある。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、
ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用い
ることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いる
こともできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光と
して、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用い
てもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外
光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。な
お、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは
不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト
法などを用いることができる。
〈トランジスタ７０の形成〉
まず、基板２１上に導電層７１を形成する。導電層７１は、導電膜を成膜した後、レジ
ストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することに
より形成できる。
続いて、絶縁層７３を成膜する。
続いて、半導体層７２を形成する。半導体層７２は、半導体膜を成膜した後、レジスト
マスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することによ
り形成できる。
続いて、導電層７４ａ及び導電層７４ｂを形成する。導電層７４ａ及び導電層７４ｂは
、導電層７１と同様の方法により形成できる。
以上の工程により、トランジスタ７０を形成することができる。
〈絶縁層８１の形成〉
続いて、絶縁層８１を形成する（図１０（Ａ））。絶縁層８１に感光性の材料を用いる
ことで、フォトリソグラフィ法等により開口を形成することができる。なお絶縁層８１を
成膜した後にフォトリソグラフィ法等によりレジストマスクを形成し、絶縁層８１の一部
をエッチングすることで開口を形成してもよい。絶縁層８１は、有機絶縁材料を用いると
、その上面の平坦性を高めることができるため好ましい。
また、絶縁層８１を、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層構造としてもよい。
〈導電層２３、凹部５０の形成〉
続いて、絶縁層８１上に、導電層２３となる導電膜を成膜する。続いて、導電層２３上
にレジストマスク９５を形成する。その後、導電膜のレジストマスク９５に覆われていな
い部分をエッチングすることにより、導電層２３を形成する（図１０（Ｂ））。
続いて、絶縁層８１に凹部５０を形成する（図１０（Ｃ））。凹部５０は、レジストマ
スク９５をエッチングマスクとして用い、絶縁層８１の上部の一部をエッチングすること
により形成することができる。
凹部５０の形成は、ドライエッチング法を用いることが好ましい。特に絶縁層８１に有
機絶縁材料を用いたときは、酸素を含む雰囲気におけるプラズマ処理（アッシング処理）
を用いることが好ましい。アッシング処理で絶縁層８１を加工することで、導電層２３と
のエッチング速度の選択比を高くでき、導電層２３がエッチングされてしまうことを抑制
できる。
なお、凹部５０の形成時、レジストマスク９５をマスクとして用いてもよいし、レジス
トマスク９５を除去し、導電層２３をハードマスクとして用いてもよい。
〈配向膜５３ａの形成〉
続いて、配向膜５３ａを形成する（図１０（Ｄ））。配向膜５３ａとなる薄膜を成膜し
た後に、ラビング処理を行うことにより、配向膜５３ａを形成することができる。
〈遮光層５２、着色層５１ａ、着色層５１ｂの形成〉
続いて、基板３１上に遮光層５２を形成する。遮光層５２は、導電膜を加工して、導電
層７１等と同様の方法により形成してもよいし、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を
用いて、絶縁層８１等と同様の方法により形成してもよい。
続いて、着色層５１ａ、着色層５１ｂ等をそれぞれ形成する。着色層５１ａ、着色層５
１ｂは、絶縁層８１等と同様の方法により形成できる。
なお、遮光層５２よりも先に、着色層５１ａ及び着色層５１ｂを形成してもよい。この
とき、遮光層５２の一部が、着色層５１ａ及び着色層５１ｂの端部を覆うように形成する
ことが好ましい。
〈絶縁層６１、導電層２５、配向膜５３ｂの形成〉
続いて、遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ等を覆って絶縁層６１を成膜する
。絶縁層６１は、着色層５１ａ等に含有された不純物等が液晶層２４に拡散することを防
ぐオーバーコートとしての機能を有する。また絶縁層６１は、遮光層５２、着色層５１ａ
及び着色層５１ｂ等の表面の段差を被覆する平坦化層としての機能を有していてもよい。
なお、絶縁層６１は不要であれば設けなくてもよい。
続いて、絶縁層６１上に導電層２５を形成する。導電層２５は、導電層７１等と同様の
方法により形成することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の
導電層２５を形成してもよい。
続いて、導電層２５上に配向膜５３ｂを形成する（図１０（Ｅ））。配向膜５３ｂは、
配向膜５３ａと同様の方法により形成することができる。
なお、上述した基板２１側の工程と、基板３１側の工程は、それぞれ独立に進めること
ができる。
〈基板２１と基板３１の貼り合せ〉
続いて、基板２１と基板３１のいずれか一方、または両方に、これらを接着する接着層
（図示しない）を形成する。接着層は、画素が配置されている領域を囲むように形成する
。接着層は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる
。接着層としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外
線により仮硬化した後に、熱を加えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。また
は、接着層として、紫外線硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。
続いて、液晶層２４となる組成物をディスペンス法等により接着層に囲まれた領域に滴
下する。具体的には、液晶１２、モノマー１３、及び重合開始剤を含む組成物を滴下する
。また、当該組成物にカイラル剤等が含まれていてもよい。
続いて、液晶層２４となる組成物を挟むように基板２１と基板３１とを貼り合せ、接着
層を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと基板２１と基板３１の間に気泡等が混
入することを防ぐことができるため好ましい。
なお、液晶層２４となる組成物は、基板２１と基板３１を貼り合せた後に、減圧雰囲気
下において、接着層に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。また、液晶層２４と
なる組成物の滴下後に粒状のギャップスペーサを画素が配置されている領域や、当該領域
の外側に配置してもよいし、当該ギャップスペーサを含む組成物を滴下してもよい。
この時点で、導電層２３、導電層２５及び液晶１２を含む液晶素子４０が形成される（
図１１（Ａ））。なおこの時点では、隔壁１１が形成されておらず、また液晶層２４に含
まれるモノマー１３の濃度が高い状態である。
続いて、基板２１側から、光２０を照射する（図１１（Ｂ））
光２０は、重合開始剤が反応する波長、及び強度の光を用いることができる。例えば、
光２０は、波長１００ｎｍ～４００ｎｍの紫外線を用いることができる。波長２００ｎｍ
～４００ｎｍの光を用いると、大気による吸収が抑制できるため好ましい。代表的には、
波長２５４ｎｍの光や、波長３６５ｎｍの光、波長３８５ｎｍの光などがある。光２０は
、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ等
の光源を用いて生成することができる。また、ランプやＬＥＤの他に、エキシマレーザ等
のレーザを、光源として用いてもよい。
光２０は、基板２１の表面に対して垂直に入射されるように、出来るだけ平行に近い光
を用いることが好ましい。特に基板２１が大きい場合などで、複数の光源を用いる場合に
は、光が斜め方向から入射されてしまう恐れがある。その場合、光源と基板２１との間に
、光源からの光を平行光に近づけるためのスリット等を設けることが好ましい。
図１１（Ｂ）に示すように、導電層２３が設けられていない領域において、光２０は液
晶層２４に照射される。一方、導電層２３が設けられる領域では、光２０は導電層２３に
より遮光され、液晶層２４に到達しない。また、光２０は、導電層２３だけでなく、導電
層７１や導電層７４ａ、導電層７４ｂなどでも遮光される。
なお、ここではトランジスタ７０として、ゲートとして機能する導電層７１が基板２１
側に位置するボトムゲート構造のトランジスタを示している。したがって、光２０は導電
層７１によって遮光され、半導体層７２に照射されないため、トランジスタ７０の電気特
性の変動が生じてしまうことを防ぐことができる。なお、トランジスタ７０としてトップ
ゲート構造のトランジスタを用いる場合では、半導体層７２の下に、光２０を遮光する部
材を配置する、または半導体層７２の下に第２のゲートとして機能する導電層を配置する
ことが好ましい。
図１２には、図１１（Ｂ）中に一点鎖線で示す領域の拡大図を示す。図１２は、光２０
の照射が開始され、モノマー１３の重合が進んでいく過程における概念図である。
導電層２３等に遮光されず、光２０が照射される領域を照射領域３０とする。照射領域
３０では、光２０が照射されることにより、液晶層２４中の重合開始剤がラジカルを生成
し、これによりモノマー１３が重合を開始する。重合が進行することにより、図１２に示
すようにポリマーを含む隔壁１１が成長する。
ここで、モノマー１３の重合に伴い、照射領域３０およびその近傍の液晶層２４に含ま
れるモノマー１３の濃度が低下し、照射領域３０から離れるほどモノマー１３の濃度が高
くなるような濃度分布が生じる場合がある。モノマー１３は、当該濃度分布を均一にする
ように、濃度の高いほうから濃度の低い方に拡散する性質を有する場合がある。このとき
、モノマー１３の一部は、図１２に示すように照射領域３０に向かって液晶層２４中を拡
散する。これにより、光２０の照射前に比べて照射後では、導電層２３と重なる領域にお
ける液晶層２４中のモノマー１３の濃度が低い状態となる。また、光２０の照射前の液晶
層２４中に含まれるモノマー１３の濃度が十分に低い場合や、モノマー１３が液晶層２４
中を拡散しやすい場合などでは、光２０を照射した後におけるモノマー１３の濃度が、検
出されない程度に低い状態となる場合もある。
光２０を照射する前における、液晶層２４中のモノマー１３の最適な濃度は、光２０の
照射領域３０の面積に応じて決定することができる。例えば、画素が配列している領域（
表示領域ともいう）に対する、照射領域３０の面積比率をα％（α＞０）としたとき、液
晶層２４中のモノマー１３の重量濃度を（α－ｘ）ｗｔ％以上、（α＋ｘ）ｗｔ％以下の
範囲内に設定することが好ましい。または、液晶層２４中のモノマー１３の体積濃度を（
α－ｘ）％以上、（α＋ｘ）％以下の範囲内に設定することが好ましい。ここで、ｘ＝０
．５α、好ましくはｘ＝０．３α、より好ましくはｘ＝０．２αを満たす。これにより、
光２０を照射した後における、液晶素子４０として機能する部分の液晶層２４中のモノマ
ー１３の濃度を低減することができる。
モノマー１３の重合が進行することで、照射領域３０内において、配向膜５３ａと配向
膜５３ｂの両方と接する隔壁１１が形成される。隔壁１１は、配向膜５３ａ及び配向膜５
３ｂを接着する機能を有する。
また、図１２に示すように、絶縁層８１の凹部５０は導電層２３の間に位置するため、
光２０は凹部５０を通ることとなる。したがって、隔壁１１は凹部５０と重なる領域で成
長する。これにより、光２０の照射後において、隔壁１１は凹部５０に嵌合するような形
状、または凹部５０を埋めるような形状に成長させることができるため、接着強度を極め
て高いものとすることができる。
なお、図１２では隔壁１１が配向膜５３ａ側から配向膜５３ｂ側に向かって成長する場
合の例を示しているが、あくまでも概念図であり、隔壁１１の成長過程は様々な形態を取
りうる。例えば、液晶層２４中に形成された無数の小さなポリマーが連結しながら成長す
る場合もある。または、光２０の強度が強く、光２０が配向膜５３ｂまで十分な強度で到
達する場合や、遮光層５２によって光２０が反射され、液晶層２４に再度照射される場合
などでは、配向膜５３ａ側からだけでなく配向膜５３ｂ側からもポリマーが成長し、配向
膜５３ａ側から成長したポリマーと繋がって一体となることで隔壁１１が形成される場合
もある。どのような成長過程を経て隔壁１１が形成されたかは、隔壁１１の断面形状等か
ら推定することができる。
以上の工程により、表示装置１０を作製することができる（図１１（Ｃ））。図１１（
Ｃ）は、図１（Ｂ）と同じ図である。
なお、上述した作製方法において、光２０の照射条件や、光２０が散乱することなどに
より、導電層２３の輪郭より内側の領域と重なる領域にも、隔壁１１が形成される場合も
ある。同様に、導電層７４ａ、導電層７４ｂ、及び導電層７１等の、光２０を遮光する部
材と重なる領域にも、隔壁１１の一部が重ねて配置されていてもよい。
ここで、導電層２３と重なる領域において、モノマー１３は、隔壁１１に近いほど濃度
が低く、隔壁１１から遠いほど濃度が高い濃度分布を有している場合がある。
また、導電層２３と重なる領域において、未反応の重合開始剤が残存している場合もあ
る。このとき、液晶層２４中にモノマー１３と重合開始剤の両方が残存している場合には
、外光に含まれる紫外線などにより、モノマー１３の重合反応が生じてしまう恐れがある
。しかしながら、表示装置１０では、液晶層２４よりも表示面側には着色層５１ａ等が設
けられており、これにより外光に含まれる紫外線が液晶層２４に到達することを防ぐこと
ができる。したがって、モノマー１３や重合開始剤が残存していたとしても、使用環境下
で重合反応が生じてしまうようなことはなく、信頼性の高い表示装置を実現することがで
きる。
以上が、表示装置の作製方法例１－１についての説明である。
〔作製方法例１－２〕
以下では、断面構成例１－２で例示した表示装置の作製方法の例について図１３の各図
を用いて説明する。
まず、作製方法例１－１と同様に、基板２１上に導電層７１から配向膜５３ａまで順に
形成する。
また、基板３１上に、遮光層５２から導電層２５まで順に形成する。
続いて、導電層２５上に構造体１４ａ及び構造体１４ｂを形成する。まず構造体１４ａ
及び構造体１４ｂとなる絶縁膜を成膜する。当該絶縁膜は、感光性の樹脂を用いることが
好ましい。絶縁膜は、例えばスピンコート法等により形成することができる。
続いて、フォトマスクを介して絶縁膜を露光し、現像処理の後にベークすることで構造
体１４ａ及び構造体１４ｂを形成することができる。
ここで、絶縁膜として、光が照射されない部分が現像後に残る、ポジ型の感光性材料を
用いることが好ましい。さらに、構造体１４ｂが構造体１４ａよりも幅が小さくなるよう
なフォトマスクを用いることが好ましい。これにより、構造体１４ｂとなる領域において
、露光に用いる光が回り込みやすくなる。その結果、構造体１４ａよりも高さの低い構造
体１４ｂを自己整合的に形成することができる。
なお、高さの異なる構造体１４ａと構造体１４ｂを形成する方法として、上記以外に、
ハーフトーンマスク、またはグレートーンマスク等の多階調マスクを用いた露光技術、ま
たは２以上のフォトマスクを用いた多重露光技術を用いてもよい。
続いて、構造体１４ａ、構造体１４ｂ及び導電層２５を覆って配向膜５３ｂを形成する
（図１３（Ａ））。
続いて、作製方法例１－１と同様に基板２１と基板３１を貼り合せる。
続いて、基板２１側から光２０を照射する（図１３（Ｂ））。
光２０は、導電層２３等に遮蔽されない領域に照射される。ここで構造体１４ａ及び構
造体１４ｂが導電層２３と重ならない位置に設けられているため、光２０は構造体１４ａ
及び構造体１４ｂの側面を含む領域に照射される。そのため、構造体１４ａ及び構造体１
４ｂを取り囲むように、隔壁１１が形成される。
モノマー１３が重合してポリマーを生成する際、モノマー１３が分散された液晶層２４
と接する面からポリマーが成長することがある。ここでは構造体１４ａ及び構造体１４ｂ
が配向膜５３ｂと導電層２５の間に設けられているため、光２０が照射される領域におけ
る、配向膜５３ｂと液晶層２４との接触面積は、構造体１４ａ及び構造体１４ｂを有さな
い場合と比較して大きくなる。その結果、構造体１４ａ及び構造体１４ｂを有さない場合
に比べて、ポリマーが形成されやすいため、形成される隔壁１１はより高密度で強度の高
いポリマーとなりやすい。
以上の工程により、表示装置を作製することができる（図１３（Ｃ））。図１３（Ｃ）
は、図５と同じ図である。
図１３（Ｃ）等に示す構成では、隔壁１１と、隔壁１１の内側に位置する構造体１４ａ
及び構造体１４ｂにより、基板２１と基板３１の距離を保持することができる。したがっ
て、より外力に対する物理的強度が高められたことに加え、外力によるセルギャップの変
化が抑制された表示装置である。
以上が作製方法例１－２についての説明である。
〔作製方法例１－３〕
以下では、断面構成例１－３で例示した表示装置の作製方法の例について図１４及び図
１５の各図を用いて説明する。
まず、支持基板４４ａ上に剥離層４３ａと絶縁層８２を順に形成する。
支持基板４４ａとしては、装置内または装置間における搬送が容易な程度に剛性を有す
る基板を用いることができる。また、作製工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板を
用いる。例えば、厚さ０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下のガラス基板を用いることができる。
剥離層４３ａ及び絶縁層８２に用いる材料としては、剥離層４３ａと絶縁層８２の界面
、または剥離層４３ａ中で剥離が生じるような材料を選択することができる。
例えば、剥離層４３ａとしてタングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属
材料の酸化物を含む層を積層して用い、絶縁層８２として、窒化シリコン、酸化シリコン
、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料の層を積層して用いることが
できる。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の
含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多
い材料を指す。剥離層４３ａに高融点金属材料を用いると、その後の工程において、高い
温度での処理が可能となるため、材料や形成方法の選択の自由度が高まるため好ましい。
剥離層４３ａとして、タングステンと酸化タングステンの積層構造を用いた場合では、
タングステンと酸化タングステンの界面、酸化タングステン中、または酸化タングステン
と絶縁層８２の界面で剥離することができる。
なお、剥離層４３ａやその上の被剥離層の構成については、これに限られず様々な材料
を選択できる。
続いて、絶縁層８２上に、作製方法例１－１と同様に、導電層７１から配向膜５３ａま
で順に形成する。
この段階における断面概略図が、図１４（Ａ）に相当する。
続いて、支持基板４４ｂ上に剥離層４３ｂ及び絶縁層６２を順に形成する。
支持基板４４ｂは、支持基板４４ａと同様の材料を用いることができる。剥離層４３ｂ
は、剥離層４３ａと同様の方法により形成できる。絶縁層６２は、絶縁層８２と同様の方
法により形成できる。
続いて、絶縁層６２上に遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ、絶縁層６１、導
電層２５、構造体１４ａ及び構造体１４ｂ、並びに配向膜５３ｂを、上記と同様の方法に
より形成する。
この段階における断面概略図が、図１４（Ｂ）に相当する。
続いて、支持基板４４ａと支持基板４４ｂを貼り合せる。貼り合せは、上記と同様の方
法により行うことができる。
続いて、支持基板４４ａ側から光２０（図示しない）を照射し、隔壁１１を形成する（
図１４（Ｃ））。
ここで、光２０の照射は、剥離層４３ａを介して液晶層２４に光２０が到達するように
行う必要がある。例えば剥離層４３ａとして、金属を含む材料を用いた場合には、光２０
が遮光され、液晶層２４にまで十分に光２０が到達しない場合もある。そのため、剥離層
４３ａに金属を含む材料を用いた場合には、剥離層４３ａとして、光２０が透過する程度
に薄い膜を用いること、また剥離層４３ａによる反射や吸収を考慮して、光２０の照射条
件を適切なものとすること、が重要である。
例えば剥離層４３ａとして、タングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた
場合、タングステン膜の厚さを１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ
以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さとすることで、特別な照射装置を用
いることなく、隔壁１１を形成することができる。
また、照射装置の出力、及び照射時間を調整し、液晶層２４に到達する光のエネルギー
が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下、好ましくは１Ｊ／ｃｍ２以上５０Ｊ／ｃ
ｍ２以下となるような条件で、光２０を照射することが好ましい。
続いて、絶縁層６２と剥離層４３ｂとの間で剥離することにより、支持基板４４ｂ及び
剥離層４３ｂを除去する（図１５（Ａ））。
このように、剥離を行うよりも前に、隔壁１１を形成することが好ましい。ここで、基
板２１と絶縁層６２を接合する隔壁１１は、隣接画素間に複数配置されているため、基板
２１と絶縁層６２との接着強度が高められている。したがって、剥離を行う工程において
、液晶層２４の内部で剥離されてしまうことが抑制され、より高い歩留りで支持基板４４
ｂを剥離することができる。
絶縁層６２と支持基板４４ｂとを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、
剥離層をエッチングすること、または液体を滴下する、または液体に含浸させるなどし、
剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形
成する２層の熱膨張率の違いを利用し、加熱または冷却することにより剥離を行ってもよ
い。
また、剥離を行う前に、剥離界面の一部を露出させる処理を行ってもよい。例えばレー
ザや鋭利な部材などにより、剥離層４３ｂ上の絶縁層６２の一部を除去する。これにより
、絶縁層６２が除去された部分を出発点（起点）として、剥離を進行させることができる
。
剥離を終えた後、絶縁層６２の表面に剥離層４３ｂの一部が残存している場合がある。
その場合、残存した剥離層４３ｂを洗浄やエッチング、拭き取りなどを行うことにより除
去してもよい。また、残存した剥離層４３ｂが可視光に対する透過性が高く、視認性に影
響ない場合には、除去しなくてもよい。その場合には、絶縁層６２と後述する接着層４２
ｂとの間に、剥離層４３ｂに含まれる元素を含む層が残存する。
続いて、絶縁層６２と基板４１ｂとを接着層４２ｂによって接着する。接着層４２ｂと
しては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。
続いて、上記と同様の方法により、絶縁層８２と剥離層４３ａとの間で剥離することに
より、支持基板４４ａ及び剥離層４３ａを除去する（図１５（Ｂ））。
その後、絶縁層８２と基板４１ａとを接着層４２ａによって接着する。接着層４２ａは
、接着層４２ｂと同様の材料を用いることができる。
以上の工程により、表示装置を作製することができる（図１５（Ｃ））。図１５（Ｃ）
は、図６（Ａ）と同じ図である。
なお、ここでは支持基板４４ｂと剥離層４３ｂを除去し、基板４１ｂを貼り合せる工程
を先に行うこととしたが、反対に支持基板４４ａと剥離層４３ａを除去し、基板４１ａを
貼り合せる工程を先に行ってもよい。またこれらを同時に行ってもよい。
本発明の一態様の表示装置の作製方法において、トランジスタ７０や導電層２３の作製
時には、比較的厚い支持基板４４ａを用いるため、搬送が容易であり、高い歩留りで作製
することができる。また、薄い基板４１ａ上に直接、トランジスタ７０等を形成する方法
に比べて、トランジスタ７０やその周囲の絶縁層を形成する際に、高温の処理を行うこと
ができるため、トランジスタ７０内、及びその近傍の不純物が低減され、極めて信頼性の
高いトランジスタ７０を実現できる。
また、着色層５１ａや遮光層５２等の作製時には、比較的厚い支持基板４４ｂを用いる
ため、搬送が容易であり、高い歩留りで作製することができる。また支持基板４４ｂを用
いることにより、着色層５１ａや遮光層５２等の形成時に高い温度をかけることができる
ため、不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置とすることができる。また薄い基
板４１ｂ上に直接、着色層５１ａや遮光層５２等を形成する方法に比べて、熱による支持
基板４４ｂの膨張、収縮の影響を抑制できる。また支持基板４４ａと支持基板４４ｂの貼
り合せの際、これらが剛性を有しているため、高い位置精度で貼り合せを行うことができ
る。そのため液晶素子４０と着色層５１ａ等の位置ずれを防ぐことができ、極めて高精細
な表示装置を実現できる。
また、支持基板４４ｂを剥離し、少なくとも支持基板４４ｂよりも厚さの薄い基板４１
ｂを貼り付けることで、厚さが薄く、軽量な表示装置を実現できる。また、着色層５１ａ
や遮光層５２等を形成した後に、薄い基板４１ｂを貼り付けることができるため、基板４
１ｂとして耐熱性に乏しい材料を用いることができ、材料の選択の幅が広がり、様々な材
料を基板４１ｂに用いることができる。また、表示面側の基板４１ｂの厚さが薄いため、
例えば比較的厚い（例えば０．３ｍｍよりも厚い）ガラス基板等を用いた場合に比べて、
表示のコントラスト、色再現性、視野角依存性などの光学特性に優れた表示装置を実現で
きる。
以上が作製方法例１－３についての説明である。
〔作製方法例１－４〕
図６（Ｂ）で例示した表示装置は、作製方法例１－３における支持基板４４ａ側の工程
（剥離層４３ａの形成工程から、配向膜５３ａの形成工程まで）を、作製方法例１－１と
同様の方法に置き換えることで作製することができる。
以上が、作製方法例１－４についての説明である。
〔作製方法例１－５〕
以下では、断面構成例１－５及び図６（Ｃ）で例示した表示装置の作製方法の例につい
て説明する。
まず、樹脂層４５ｂ上に絶縁層６２、遮光層５２、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、絶縁
層６１、導電層２５、及び配向膜５３ｂを形成する（図１６（Ａ））。
また、支持基板４４ｄを準備する。支持基板４４ｄは、上記支持基板４４ａ等と同様の
材料を用いることができる。
続いて、支持基板４４ｄ上に、樹脂層４５ａを形成する。
樹脂層４５ａの形成は、まず樹脂層４５ａとなる材料を支持基板４４ｄ上に塗布する。
塗布は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スク
リーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテ
ンコート、ナイフコート等の方法を用いることができる。
当該材料は、熱により重合が進行する熱硬化性（熱重合性ともいう）を発現する重合性
モノマーを有する。さらに、当該材料は、感光性を有していてもよい。また当該材料は、
粘度を調整するための溶媒が含まれていることが好ましい。
当該材料には、重合後にポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹
脂となる、重合性モノマーを含むことが好ましい。すなわち、形成された樹脂層４５ａは
、これら樹脂材料を含む。特に当該材料に、イミド結合を有する重合性モノマーを用いる
ことで、ポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層４５ａに用いると、耐熱性や耐候性を
向上させることができるため好ましい。
続いて、支持基板４４ｄを加熱し、塗布した材料を重合させることで樹脂層４５ａを形
成する。このとき、加熱により材料中の溶媒は除去される。また加熱は、後のトランジス
タ７０等の作製工程にかかる最高温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば
２００℃以上７００℃以下、または３００℃以上６００℃以下、好ましくは３５０℃以上
５５０℃以下、より好ましくは４００℃以上５００℃以下、代表的には４５０℃で加熱す
ることが好ましい。樹脂層４５ａの形成時に、表面が露出した状態でこのような温度で加
熱することにより、樹脂層４５ａから脱離しうるガスを除去することができるため、トラ
ンジスタ７０等の作製工程中にガスが脱離することを抑制できる。
また、樹脂層４５ａの熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である
ことが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
樹脂層４５ａの熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、ト
ランジスタ等が破損することを抑制できる。
続いて、樹脂層４５ａ上に絶縁層８２を形成する。その後、絶縁層８２上に、上記作製
方法例１－１と同様に、導電層７１から導電層２３まで順に形成する。
続いて、絶縁層８１上に構造体１４ａ及び構造体１４ｂを形成する。このとき、構造体
１４ａ及び構造体１４ｂの少なくとも一部が、凹部５０と重なるように形成することが好
ましい。
その後、導電層２３、絶縁層８１、構造体１４ａ及び構造体１４ｂ等を覆う配向膜５３
ｂを形成する。
この段階における断面概略図が、図１６（Ｂ）に相当する。
続いて、支持基板４４ｄと、樹脂層４５ｂを貼り合せる。貼り合せは、上記と同様の方
法により行うことができる。
続いて、支持基板４４ｄ側から光２０（図示しない）を照射し、隔壁１１を形成する（
図１６（Ｃ））。
続いて、支持基板４４ｄ側から、光２０ａを照射する（図１７（Ａ））。光２０ａの照
射により、樹脂層４５ａの支持基板４４ｄ側の表面近傍、または樹脂層４５ａの内部の一
部が改質され、支持基板４４ｄと樹脂層４５ａとの密着性が低下する。
光２０ａとしては、レーザ光を好適に用いることができる。例えば、レーザ光に線状の
レーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ましい。これに
より、支持基板４４ｄの面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。なお、
レーザ光と同等のエネルギーを照射可能であれば、フラッシュランプ等を用いてもよい。
ここで、樹脂層４５ａの密着性を低下させるために用いる光２０ａと、隔壁１１を形成
するために用いる光２０とに、波長の異なる光を用いることが好ましい。特に、隔壁１１
を形成するために用いる光２０は、樹脂層４５ａに吸収されにくい波長の光を用いること
が好ましい。より具体的には、光２０ａとして、光２０よりも波長の短い光を用いること
が好ましい。
例えば、隔壁１１を形成するために用いる光２０として、波長３５０ｎｍ以上の光を用
い、樹脂層４５ａの密着性を低下させるために用いる光２０ａとして、３５０ｎｍ未満の
光を好適に用いることができる。例えば光２０としては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調
波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう
）のほか、波長３６５ｎｍ、波長３７５ｎｍ、または波長３８０ｎｍなどの固体ＵＶレー
ザを用いてもよい。また、光２０ａとしては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に
用いることができる。エキシマレーザは、生産性に優れるため好ましい。またエキシマレ
ーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装
置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。
また、レーザとして、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ）レーザを用いてもよい
し、パルスレーザを用いてもよい。パルスレーザとしては、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒
等の短時間のパルスレーザ、またはそれよりも長時間（例えば数１００Ｈｚ以下）のパル
スレーザを用いることができる。
光２０ａとして、線状のレーザ光を用いる場合には、支持基板４４ｄと光源とを相対的
に移動させることで光２０ａを走査し、剥離したい領域に亘って光２０ａを照射する。こ
の段階では、樹脂層４５ａが配置される全面に亘って照射すると、樹脂層４５ａ全体が剥
離可能となり、後の分離の工程で支持基板４４ｄの外周部をスクライブ等により分断する
必要がない。または、樹脂層４５ａが配置される領域の外周部に光２０ａを照射しない領
域を設けると、当該領域は、密着性は高いままであるため、光２０ａの照射時に樹脂層４
５ａと支持基板４４ｄとが分離してしまうことを抑制できるため好ましい。
続いて、支持基板４４ｄと樹脂層４５ａとを分離する（図１７（Ｂ））。
分離は、樹脂層４５ｂをステージに固定した状態で、支持基板４４ｄに垂直方向に引っ
張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板４４ｄの上面の一部を吸着
し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、樹脂層４５ｂを
固定できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機
構を有していてもよいし、樹脂層４５ｂを物理的に留める機構を有していてもよい。また
は、支持基板４４ｄをステージに固定した状態で、樹脂層４５ｂに垂直方向に引っ張る力
をかけることで分離してもよい。
また、分離は表面に粘着性を有するドラム状の部材を支持基板４４ｄまたは樹脂層４５
ｂの上面に押し当て、これを回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向に
ステージを動かしてもよい。
続いて、樹脂層４５ａと基板４１ａとを接着層４２ａにより貼り合せる。なお、樹脂層
４５ａが十分な厚さと機械的強度を有する場合には、基板４１ａを貼り合せなくてもよい
。
以上の工程により、表示装置を作製することができる（図１７（Ｃ））。図１７（Ｃ）
は、図６（Ｃ）と同じ図である。
以上が作製方法例１についての説明である。
［作製方法例２］
〔作製方法例２－１〕
以下では、図７（Ａ）に示した表示装置の作製方法の例について、図１８及び図１９の
各図を用いて説明する。
まず、支持基板４４ｃ上に、剥離層４３ｃを形成する。支持基板４４ｃは、上記支持基
板４４ａ及び支持基板４４ｂと同様の基板を用いることができる。また剥離層４３ｃは、
上記剥離層４３ａ及び剥離層４３ｂと同様の方法により形成することができる。
続いて、剥離層４３ｃ上に、導電層２３ａを形成する。導電層２３ａとしては、酸化物
導電性材料を用いることが好ましい。導電層２３ａとして酸化物導電性材料を用いること
で、導電層２３ａと剥離層４３ｃの界面で好適に剥離を行うことができる。導電層２３ａ
としては、例えば金属酸化物や、低抵抗化された酸化物半導体材料を用いることができる
。
導電層２３ａに酸化物半導体材料を用いる場合には、プラズマ処理や熱処理等により、
酸化物半導体材料中に酸素欠損を生じさせることによりキャリア密度を高めてもよい。ま
た酸化物半導体材料中に、水素や窒素の他、アルゴンなどの希ガス等の不純物を導入する
ことによりキャリア密度を高めてもよい。また導電層２３ａ上に形成する導電層２３ｂと
して、酸素が拡散しやすい材料を用いることで、酸化物半導体中の酸素を低減させてもよ
い。なお、上述した方法を二以上適用してもよい。
続いて、導電層２３ａ上に導電層２３ｂを形成する。導電層２３ｂとしては、金属、ま
たは合金材料を含む単層構造、または積層構造を用いることができる。導電層２３ｂとし
て積層構造を用いる場合には、導電層２３ａと接する層に反射率の高い材料を用いること
が好ましい。
このとき、導電層２３ｂは剥離層４３ｃと接しないように、導電層２３ａのパターンよ
りも内側に配置されるように加工することが好ましい。導電層２３ｂと剥離層４３ｃとが
接すると、その部分で剥離の不良が発生する場合がある。
続いて、剥離層４３ｃ、導電層２３ａ及び導電層２３ｂを覆って絶縁層８３を形成する
。このとき、絶縁層８３の一部に、導電層２３ｂに達する開口を形成する。
この段階における断面概略図が、図１８（Ａ）に相当する。
続いて、絶縁層８３上にトランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを形成する。これ
らは、構成例１と同様の方法により、形成することができる。
このとき、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂのゲートを形成する工程におい
て、導電膜を成膜した後に加工するときに、絶縁層８３に設けられた開口を介して導電層
２３ｂと電気的に接続する導電層を同時に形成する。これにより、接続部８０を形成する
ことができる。
また、トランジスタ７０ａのソース又はドレインの一方が、接続部８０と電気的に接続
するように、トランジスタ７０ａ等のゲート絶縁層として機能する絶縁層に、開口を形成
する。
続いて、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを覆う絶縁層８１を形成する。こ
のとき、絶縁層８１には、トランジスタ７０ｂのソース又はドレインの一方に達する開口
を形成する。その後、絶縁層８１上に、導電層９１を形成する。
この段階における断面概略図が、図１８（Ｂ）に相当する。
続いて、導電層９１の端部を覆い、且つ導電層９１と重なる部分に開口を有する絶縁層
８４を形成する。絶縁層８４は、導電層９１の端部を被覆すると共に、平坦化層としての
機能を有する。絶縁層８４としては、有機樹脂を用いることが好ましい。また絶縁層８４
は、端部がテーパ形状を有することが好ましい。
続いて、導電層９１及び絶縁層８４上に、ＥＬ層９２、導電層９３ａを順に形成する。
その後、導電層９３ａ上に導電層９３ｂを形成する。
導電層９３ｂは、光２０を透過させるための開口を有するように形成することが好まし
い。たとえば、メタルマスクなどのシャドウマスクを用い、蒸着法やスパッタリング法な
どの成膜方法を用いることにより、開口を有する導電層９３ｂを形成することができる。
ここでは、導電層９３ｂを導電層９３ａの後に形成する例を説明したが、導電層９３ａ
を導電層９３ｂの後に形成してもよい。
また、ここでは示さないが、導電層９３ａ及び導電層９３ｂを覆って、バリア膜として
機能する絶縁層を形成してもよい。当該絶縁層は、スパッタリング法やＡＬＤ法などの、
形成温度を低くしても緻密な膜を形成できる成膜方法を用いることが好ましい。また、無
機絶縁材料を含む膜と、有機絶縁材料を含む膜の積層構造としてもよい。
続いて導電層９３ａ及び導電層９３ｂと、基板２１とを接着層８９を介して貼り合せる
。
この段階における断面概略図が、図１８（Ｃ）に相当する。
続いて、剥離層４３ｃと絶縁層８３との間、及び剥離層４３ｃと導電層２３ａとの間で
剥離し、支持基板４４ｃ及び剥離層４３ｃを除去する（図１８（Ｄ））。
ここで、剥離を終えた後、導電層２３ａの表面、及び絶縁層８３の表面に、剥離層４３
ｃの一部が残存し、薄膜が形成されてしまう場合がある。例えば当該残存した膜が導電性
を有する場合には、隣接画素間における２つの導電層２３ａ同士や、導電層２３ａと同一
の導電膜を加工して形成した端子同士などが、電気的にショートしてしまう恐れがある。
また、当該薄膜が絶縁性を有していると、導電層２３ａや上記端子等の表面が露出せず、
これらの電極や端子としての機能が失われてしまう場合がある。そのため、剥離を終えた
後に、洗浄やエッチング、拭き取りなどを行うことが好ましい。エッチングとしては、ウ
ェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができる。
続いて、導電層２３ａをハードマスクとして用い、絶縁層８３の一部をエッチングによ
り除去することにより、凹部５０を形成する。
その後、導電層２３ａ及び絶縁層８３上に、配向膜５３ａを形成する。
続いて、あらかじめ基板３１上に着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６
１、導電層２５、構造体１４、及び配向膜５３ｂを形成した基板を準備する。そして、基
板３１と基板２１とを、液晶層２４を挟んで貼り合せる（図１９（Ａ））。
このとき、導電層９３ｂが有する開口が、隣接する２つの導電層２３ｂの間の領域と重
なるように配置することができる。また導電層９３ｂが有する開口は、遮光層５２と重な
ることが好ましい。
また、構造体１４が凹部５０と重なるように貼り合せを行うことが好ましい。構造体１
４が凹部５０に嵌合するように貼り合せることで、貼り合せの際の位置ずれを抑制するこ
とができる。
その後、基板２１側から、光２０を照射する（図１９（Ｂ））。このとき、光２０は、
液晶層２４の導電層９３ｂの開口と重なる部分に自己整合的に照射することができる。ま
た、発光素子９０は、基板２１側に導電層９３ｂが設けられているため、基板２１側から
光２０を照射しても、発光素子９０中のＥＬ層９２等に光２０が照射されることが抑制さ
れ、発光素子９０が劣化してしまうことを防ぐことができる。
また、ここでは示さないが、導電層２３ｂや配線等が、導電層９３ｂの開口と重なる領
域に配置された場合には、光２０の一部は、当該導電層２３ｂや配線によって遮光される
。すなわち、隔壁１１は、導電層２３ｂ、導電層９３ｂ、及び配線等と重ならない領域に
形成される。
以上の工程により、図７（Ａ）に示す表示装置を作製することができる。
〔変形例１〕
図７（Ｂ）に示す表示装置を作製する方法の例について説明する。例えば、上記作製方
法例２－１中の、基板２１を接着層８９により貼り合せる工程において、基板２１に代え
て基板４１ａを貼り合せればよい。また、基板３１に代えて、支持基板上に剥離層、絶縁
層６２を積層して形成した基板を用い、隔壁１１を形成した後に、当該支持基板と剥離層
を除去し、絶縁層６２と、基板４１ｂとを接着層４２ｂにより貼り合せればよい。
なお、図７（Ａ）において、基板２１はそのまま用い、基板３１側のみを、絶縁層６２
、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂの積層構造に代えた構成としてもよい。
以上が変形例１についての説明である。
〔作製方法例２－２〕
以下では、図８（Ａ）に示した表示装置の作製方法の例について、図２０及び図２１の
各図を用いて説明する。
まず、支持基板４４ｃ上に、剥離層４３ｃを形成し、剥離層４３ｃ上に導電層９１を形
成する。導電層９１は、上記導電層２３ａと同様の材料を用い、同様の方法により形成す
ることができる。
続いて、導電層９１及び剥離層４３ｃを覆って絶縁層８３を形成する。その後、絶縁層
８３に導電層９１に達する開口を形成する。
続いて、絶縁層８３上にトランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを形成する。この
とき、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂのゲートを形成する工程において、導
電層９１と電気的に接続する導電層を同時に形成し、接続部８０を形成する。
続いて、絶縁層８１を形成した後、絶縁層８１上に導電層２３を形成する。ここで、導
電層２３を加工する際に同時に絶縁層８１の一部をエッチングにより除去して凹部５０を
形成する。その後、導電層２３及び絶縁層８１を覆って配向膜５３ａを形成する。
この段階における断面概略図が、図２０（Ａ）に相当する。
続いて、上記と同様の方法により、支持基板４４ｃと基板３１を、液晶層２４を挟んで
貼り合せる（図２０（Ｂ））。
その後、支持基板４４ｃ側から、光２０を照射し、液晶層２４中に隔壁１１を形成する
（図２０（Ｃ））。
このとき、導電層２３の開口と重なる領域において、支持基板４４ｃと液晶層２４との
間に、光２０を遮る部材が無いため、図２０（Ｃ）に示すように、当該領域と重なる液晶
層２４の一部にも、光２０が照射される。その結果、導電層２３の開口と重なる隔壁１１
が形成される。
続いて、剥離層４３ｃと絶縁層８３との間、及び剥離層４３ｃと導電層９１との間で剥
離し、支持基板４４ｃ及び剥離層４３ｃを除去する（図２１（Ａ））。この直後、剥離し
た表面に対して洗浄などの処理を行ってもよい。
続いて、導電層９１及び絶縁層８３を覆って、ＥＬ層９２、導電層９３ｂ、及び導電層
９３ａを形成する（図２１（Ｂ））。
このとき、導電層９３ａよりも導電層９３ｂを後に形成してもよい。また導電層９３ａ
及び導電層９３ｂを形成した後に、バリア膜として機能する絶縁層を形成してもよい。
続いて、導電層９３ａと基板２１とを、接着層８９を用いて貼り合せる。
以上の工程により、図８（Ａ）に示す表示装置を作製することができる。
〔変形例２〕
図８（Ｂ）に示す表示装置を作製する方法の例について説明する。例えば、上記作製方
法例２－２中の、基板２１を接着層８９により貼り合せる工程において、基板２１に代え
て基板４１ａを貼り合せればよい。また、基板３１に代えて、支持基板上に剥離層、絶縁
層６２を積層して形成した基板を用い、隔壁１１を形成した後に、当該支持基板と剥離層
を除去し、絶縁層６２と、基板４１ｂとを接着層４２ｂにより貼り合せればよい。
なお、図８（Ａ）において、基板２１はそのまま用い、基板３１側のみを、絶縁層６２
、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂの積層構造に代えた構成としてもよい。
以上が変形例２についての説明である。
〔作製方法例２－３〕
以下では、断面構成例２－３で例示した表示装置の作製方法の例について、図２２乃至
図２４の各図を用いて説明する。
まず、上記作製方法例２－１と同様に、支持基板４４ｃ上に剥離層４３ｃ、導電層２３
ａ、導電層２３ｂ、及び開口を有する絶縁層８３を形成する（図２２（Ａ））。
続いて、絶縁層８３上にトランジスタ７０ａを形成し、その後トランジスタ７０ａを覆
って絶縁層８１を形成する（図２２（Ｂ））。
続いて、接着層４６ａを用いて、支持基板４４ｅを絶縁層８１と貼り合せる（図２２（
Ｃ））。支持基板４４ｅは、上記支持基板４４ａ等と同様の材料を用いることができる。
また、接着層４６ａは、後に容易に剥がすことのできる材料を用いることが好ましい。た
とえば、接着層４６ａとして粘着性の材料、両面テープ、シリコーンシート、または水溶
性の接着剤などを用いることができる。
続いて、剥離層４３ｃと絶縁層８３との間、及び剥離層４３ｃと導電層２３ａとの間で
剥離し、支持基板４４ｃ及び剥離層４３ｃを除去する（図２２（Ｄ））。
続いて、導電層２３ａをハードマスクとして用い、絶縁層８３の一部をエッチングによ
り除去することにより、凹部５０を形成する。
その後、導電層２３ａ及び絶縁層８３上に、配向膜５３ａを形成する（図２２（Ｅ））
。
続いて、あらかじめ基板３１上に着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６
１、導電層２５、構造体１４、及び配向膜５３ｂを形成した基板を準備する。そして、基
板３１と基板２１とを、液晶層２４を挟んで貼り合せる。
その後、支持基板４４ｅ側から光２０（図示しない）を照射し、隔壁１１を形成する（
図２３（Ａ））。
続いて、接着層４６ａと支持基板４４ｅを除去する（図２３（Ｂ））。
また、上記とは別に、支持基板４４ｆを準備する。支持基板４４ｆ上に剥離層４３ｄ、
絶縁層８６、トランジスタ７０ｂ（絶縁層８７を含む）、絶縁層８８、導電層９１、絶縁
層８４、発光素子９０を順に形成する。その後、接着層８９を用いて発光素子９０を覆う
基板２１を貼り合せる（図２４（Ａ））。
続いて、剥離層４３ｄ及び支持基板４４ｆを除去する（図２４（Ｂ））。
その後、基板２１と基板３１とを、接着層９９を用いて貼り合せる（図２４（Ｃ））。
以上の工程により、表示装置を作製することができる。図２４（Ｃ）は、図９（Ａ）と
同じ図である。
このような作製方法を用いることにより、配向膜５３ａを形成する際に、発光素子９０
を有さないため、配向膜５３ａを高い温度（例えば１００℃以上の温度）で形成すること
ができる。これにより、より良質な配向膜５３ａを形成することができる。
〔作製方法例２－４〕
以下では、断面構成例２－４で例示した表示装置の作製方法の例について、図２５の各
図を用いて説明する。ここでは、作製方法例２－３と相違する部分について説明する。
図２５（Ａ）に示すように、基板２１上にトランジスタ７０ｂ（絶縁層８７を含む）、
絶縁層８８、導電層９１、絶縁層８４、ＥＬ層９２、導電層９３を順次形成する。
続いて、基板２１と基板３１とを、接着層８９により貼り合せることで、表示装置を作
製することができる（図２５（Ｂ））。図２５（Ｂ）は、図９（Ｂ）と同じ図である。
以上が作製方法例２についての説明である。
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子から
の光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セ
ラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。さら
に、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現で
きる。
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙
げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全
体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好
ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以
下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニ
ッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用い
ることができる。
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理
が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電
着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲
気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成し
てもよい。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０
×１０－６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた
基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラ
ス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可
撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からな
る構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ま
しい。
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。ま
たは、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
可撓性を有する基板に、表示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば
、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラ
ミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等
を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。
例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とする
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例
えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい
し、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型
のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設け
られていてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素（シリコン
、ゲルマニウム等）、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。
代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸
化物半導体などを適用できる。
特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。
シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると
、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が確認
できない酸化物半導体を用いることが好ましい。
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示装置などに、このような酸化物半導体を好適に用い
ることができる。
また半導体層としてこのような結晶性を有する酸化物半導体を用いることで、電気特性
の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、
その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長
期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用すること
で、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極め
て消費電力の低減された表示装置を実現できる。
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半
導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。
例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させ
ることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング
液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有し
ていても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に
、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
半導体層を構成する酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２
．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギ
ーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減すること
ができる。
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化
物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ
、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の
原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ
：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原
子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原
子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば、半導体層は
、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さ
らに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、
さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０－９／ｃｍ３以上の酸化物
半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高
純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため
、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効
果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥
密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好まし
い。
半導体層を構成する酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素
が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導
体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２
×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下と
する。
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生
成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導
体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下にする。
また、半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャリアである電子
が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物
半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層にお
ける二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下にすることが好ましい。
また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、ＣＡＡＣ
－ＯＳ（Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ－Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ａｎｄ Ａ－Ｂ－ｐｌ
ａｎｅ Ａｎｃｈｏｒｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において
、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ－ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さな
い。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さ
ない。
なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混
合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積
層構造を有する場合がある。
＜ＣＡＣ－ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃ
ｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）－ＯＳの構成について説明する。
ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以
下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構
成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏
在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以
上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状と
もいう。
なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムお
よび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イッ
トリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲ
ルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、
タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含
まれていてもよい。
例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化
物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛
酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数
）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とす
る。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およ
びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状と
なり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布し
た構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２
、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物
である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比
が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第
２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう
場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ
（１＋ｘ０）Ｇａ（１－ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で
表される結晶性の化合物が挙げられる。
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお
、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面におい
ては配向せずに連結した結晶構造である。
一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観
察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれ
モザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶
構造は副次的な要素である。
なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする
。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含
まない。
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１
が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウ
ム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一
部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とす
るナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成
をいう。
ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形
成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガス
として、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれた
いずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素
ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ま
しくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法の
ひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したとき
に、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領
域のａ－ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を
照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該
リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳ
の結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－
ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ
線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域
と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合
している構造を有することが確認できる。
ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、Ｉ
ＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分
である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互
いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ
３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２Ｚｎ
Ｙ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、金
属酸化物としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ
１が主成分である領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移
動度（μ）が実現できる。
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯ
Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３など
が主成分である領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なス
イッチング動作を実現できる。
従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と
、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用する
ことにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現すること
ができる。
また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、
ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ま
しい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリ
コンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温
で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備え
る。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることがで
きる。また極めて高精細な表示部とする場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回
路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減す
ることができる。
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるた
め好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも
低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐
熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例え
ば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型
のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを
低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンな
どを用いる場合に適している。
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線お
よび電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロ
ム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタ
ングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの
材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを
含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タン
グステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合
金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン
膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミ
ニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三
層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または
銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造
等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。ま
た、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい
。
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそ
れらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導
電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの
樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。こ
れにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑
制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０－５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）
］以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄ
ａｙ）］以下とする。
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（
Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（
Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖ
ａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例え
ばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ
－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅ
ｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔ
ｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモード等が適用さ
れた液晶素子を用いることができる。
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素
子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の
電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶とし
ては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子ネット
ワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、
条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック
相、等方相等を示す。
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく
、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不
要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不
要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作
製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶
素子などを用いることができる。
本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。
透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光
板を設ける。また一方の偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとし
ては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであって
もよい。ＬＥＤを備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易と
なり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバック
ライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、
表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を
取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
本発明の一態様では、特にボトムエミッション型の発光素子を用いることができる。
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。発光層は少なくとも発光性の物質を含む。ＥＬ層
は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロッ
ク材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子
輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合
物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）
、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側か
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層におい
て再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関
係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、
それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、
またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、
２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の
波長（例えば３５０ｎｍ～７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適
用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは
、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層また
は燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む
合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に
薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いる
ことができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用
いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい
。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル
、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。ま
た銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は
、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接し
て金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような
金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上
記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とイン
ジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを
用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電
子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、そ
れぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリ
マー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料と
して機能させることもできる。
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を
用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、
鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を
用いてもよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入
することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含
まれた樹脂材料などが挙げられる。
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、
金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層
は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。ま
た、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の
光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料
を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで
、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
以上が各構成要素についての説明である。
［作製方法例］
ここでは、可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法の例について説明する。
ここでは、表示素子、回路、配線、電極、着色層や遮光層などの光学部材、及び絶縁層
等が含まれる各層をまとめて素子層と呼ぶこととする。例えば、素子層は表示素子を含み
、表示素子の他に表示素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタな
どの素子を備えていてもよい。
また、ここでは、表示素子が完成した（作製工程が終了した）段階において、素子層を
支持し、可撓性を有する部材のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、厚さ
が１０ｎｍ以上３００μｍ以下の、極めて薄いフィルム等も含まれる。
可撓性を有し、絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には
以下に挙げる２つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である。
もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥離
し、素子層を基板に転置する方法である。なお、ここでは詳細に説明しないが、上記２つ
の方法に加え、可撓性を有さない基板上に素子層を形成し、当該基板を研磨等により薄く
することで可撓性を持たせる方法もある。
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には
、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基
板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が
容易になるため好ましい。
また、素子層を支持基板上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず支
持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基
板と素子層の間で剥離し、素子層を基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面
、剥離層と絶縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。
この方法では、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する
際にかかる温度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成
できるため、好ましい。
例えば剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の
酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、酸化シリコン、窒化シリコン
、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。
なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が
多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を
指す。
素子層と支持基板とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエ
ッチングすること、または剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられ
る。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張率の違いを利用し、支持基板を加熱または
冷却することにより剥離を行ってもよい。
また、支持基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、支持基板としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用い
ることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、ま
たは鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、または貫通すること等により剥離
の起点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
または、支持基板と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱す
ることにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流
を流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加する
ことにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば発熱層としては
、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
なお、上述した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は、剥離後に基板として用いる
ことができる。
以上が可撓性を有する表示装置を作製する方法についての説明である。
［構成例３］
以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な構成例について、図面を参照して
説明する。
〔断面構成例３－１〕
図２６は、以下で例示する表示装置の断面概略図である。図１（Ａ）におけるＦＰＣ３
６を含む領域、回路３４を含む領域、表示部３２を含む領域などの断面の一例を示してい
る。
基板２１と基板３１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。また基板２１、
基板３１、及び接着層１４１に囲まれた領域に、液晶１１２が封止されている。また、基
板３１の外側の面には、偏光板１３０を有する。
図２６では、液晶素子４０が導電層１１１と、導電層１１３の一部と、これらの間に挟
持された液晶１１２により構成されている。また液晶１１２と導電層１１１の間に配向膜
１３３ａが設けられ、液晶１１２と導電層１１３の間に配向膜１３３ｂが設けられている
。
また、基板２１と基板３１の間には、液晶１１２中にモノマー１３が分散されている。
また基板２１と基板３１の間には、隔壁１１が設けられている。
また、図示しないが、偏光板１３０よりも外側に、フロントライトを設けることができ
る。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい
。ＬＥＤを備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。
基板３１には、着色層１３１、遮光層１３２、絶縁層１２１、及び液晶素子４０の共通
電極として機能する導電層１１３、配向膜１３３ｂ等が設けられている。
基板２１には、液晶素子４０の画素電極として機能する導電層１１１、配向膜１３３ａ
、トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、容量素子２０３、接続部２０４、配線３５
等が設けられている。トランジスタ２０１は、例えば上述したトランジスタ７０と対応す
る。
基板２１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４等の絶縁
層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として
機能し、また他の一部は、容量素子２０３の誘電体として機能する。絶縁層２１２、絶縁
層２１３、及び絶縁層２１４は、各トランジスタや容量素子２０３を覆って設けられてい
る。絶縁層２１４は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ等を
覆う絶縁層として、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４の３層を有する場合につ
いて示しているが、これに限られず４層以上であってもよいし、単層、または２層であっ
てもよい。また平坦化層として機能する絶縁層２１４は、不要であれば設けなくてもよい
。
また、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０２は、一部がゲートとして機能する導
電層２２１、一部がソース又はドレインとして機能する導電層２２２、半導体層２３１を
有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパター
ンを付している。
ここで、トランジスタ２０２の一対の導電層２２２のうち、導電層１１１と電気的に接
続されていない方の導電層２２２は、信号線の一部として機能してもよい。また、トラン
ジスタ２０２のゲートとして機能する導電層２２１は、走査線の一部として機能してもよ
い。
図２６では、表示部３２の例として、２つの画素（副画素）の断面を示している。例え
ば１つの副画素は、トランジスタ２０２と、容量素子２０３と、液晶素子４０と、着色層
１３１と、を有する。例えば着色層１３１を選択的に形成して赤色を呈する副画素、緑色
を呈する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことが
できる。
図２６では、回路３４の例としてトランジスタ２０１が設けられている例を示している
。
図２６では、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０２の例として、１つのゲートを
設ける構成を示したが、チャネルが形成される半導体層２３１を２つのゲートで挟持する
構成を適用してもよい。このような構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制
御することができる。このとき、２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給する
ことによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタ
と比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができ
る。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有
面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表
示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における
信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
なお、回路３４が有するトランジスタと、表示部３２が有するトランジスタは、同じ構
造であってもよい。また回路３４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であって
もよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部３２が
有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジス
タを組み合わせて用いてもよい。
各トランジスタを覆う絶縁層２１２、絶縁層２１３のうち少なくとも一方は、水や水素
などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層２１２また
は絶縁層２１３はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで
、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能と
なり、信頼性の高い表示装置を実現できる。
絶縁層２１４上には、導電層１１１が設けられている。導電層１１１は、絶縁層２１４
、絶縁層２１３、絶縁層２１２等に形成された開口を介して、トランジスタ２０２のソー
ス又はドレインの一方と電気的に接続されている。また導電層１１１は、容量素子２０３
の一方の電極と電気的に接続されている。
基板３１側において、着色層１３１、遮光層１３２を覆って絶縁層１２１が設けられて
いる。絶縁層１２１は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層１２１により
、導電層１１３の表面を概略平坦にできるため、液晶１１２の配向状態を均一にできる。
また、図２６において、隔壁１１は２つの隣接する導電層１１１の間の領域と重なる領
域に位置する。また隔壁１１は、配向膜１３３ａ、配向膜１３３ｂ、導電層１１３等と重
ねて配置されている。また隔壁１１は、導電層２２１や導電層２２２と重ならないように
配置されている。
また絶縁層２１４には凹部５０が形成されている。隔壁１１は、凹部５０と重なる領域
を有する。また、導電層１１３と接して高さの異なる構造体１４ａと構造体１４ｂがそれ
ぞれ設けられている。構造体１４ａと構造体１４ｂは、それぞれ凹部５０と重ねて配置さ
れ、また隔壁１１に覆われるように設けられている。
液晶素子４０において、導電層１１１は可視光を反射する機能を有し、導電層１１３は
可視光を透過する機能を有する。基板３１側から入射した光は、偏光板１３０により偏光
され、導電層１１３及び液晶１１２を透過し、導電層１１１で反射する。そして液晶１１
２及び導電層１１３を再度透過して、偏光板１３０に達する。このとき、導電層１１１と
導電層１１３の間に与える電圧によって液晶１１２の配向を制御し、光の光学変調を制御
することができる。すなわち、偏光板１３０を介して射出される光の強度を制御すること
ができる。また光は着色層１３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されることによ
り、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
ここで、偏光板１３０として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもで
きる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用い
ることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板１３０の
種類に応じて、液晶素子４０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整
することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
導電層１１３は、基板３１の端部に近い部分において、基板２１側に設けられた導電層
と接続体２４３により電気的に接続されている。これにより、基板２１側に配置されるＦ
ＰＣやＩＣ等から導電層１１３に電位や信号を供給することができる。
接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子とし
ては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることが
できる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。ま
たニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を
用いることが好ましい。また接続体２４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を
用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体２４３は、図２６に示すよう
に上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電
気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良など
の不具合の発生を抑制することができる。
接続体２４３は、接着層１４１に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬
化前の接着層１４１に接続体２４３を分散させておけばよい。
基板２１の端部に近い領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４は、接
続層２４２を介してＦＰＣ３６と電気的に接続されている。図２６に示す構成では、配線
３５の一部と、導電層１１１と同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで
接続部２０４を構成している例を示している。
以上が断面構成例３－１についての説明である。
〔断面構成例３－２〕
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、タッチセンサを備えるタッチパネル
の構成例について説明する。
図２７は、以下で例示する表示装置の断面概略図である。
基板３１の基板２１側の面に、絶縁層１６１、絶縁層１６２、絶縁層１６３が順に積層
されている。絶縁層１６１と絶縁層１６２の間に導電層１５１及び導電層１５２が設けら
れ、絶縁層１６２と絶縁層１６３の間に導電層１５３が設けられている。また絶縁層１６
３の基板２１側には、遮光層１３２、着色層１３１等が設けられている。
導電層１５１と導電層１５２はそれぞれ静電容量方式のタッチセンサを構成する配線と
して機能する。
図２７では、導電層１５１と導電層１５２の交差部を明示している。導電層１５３は、
絶縁層１６２に設けられた開口を介して、導電層１５２を挟む２つの導電層１５１と電気
的に接続されている。
導電層１５１と導電層１５２は、表示部において、遮光層１３２と重なる位置に設けら
れている。また図２７では、導電層１５１が液晶素子４０と重ならないように配置されて
いる例を示している。言い換えると、導電層１５１は液晶素子４０と重なる開口を有する
メッシュ形状を有する。このような構成により、外部から入射し、液晶素子４０により反
射されて再度外部に射出される光の経路上に、導電層１５１が配置されないため、導電層
１５１を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高く、且つ消費電力
が低減された表示装置を実現できる。なお、導電層１５２や導電層１５３も同様の構成と
することができる。
また、導電層１５１、導電層１５２、導電層１５３が液晶素子４０と重ならないため、
これらに比較的低抵抗な金属材料を用いることができる。そのためこれらに透光性の導電
性材料を用いた場合に比べて、タッチセンサの感度を向上させることができる。
また、図２７では、導電層１５１と導電層１５２（及び導電層１５３）よりも基板３１
側に、これらと重ねて遮光層１３５が設けられている例を示している。遮光層１３５によ
り、導電層１５１等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できる
ため、より視認性の高いタッチパネルを実現できる。なお、ここでは遮光層１３２と遮光
層１３５の２つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成として
もよい。
また、基板３１上の偏光板１３０を設けず、基板３１を指またはスタイラスなどの被検
知体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板３１上に保護層（セラミック
コート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用い
ることができる。また、基板３１に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン交
換法や風冷強化法等により物理的、または化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を
加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側
の面を例えば電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体の厚
さを低減することができる。
図２７に示すように、液晶素子４０、複数のトランジスタ、及びタッチセンサを構成す
る導電層等を、基板２１と基板３１の間に配置することで、部品点数が削減されたタッチ
パネルを実現することができる。このような構成を、インセル型のタッチパネルと呼ぶこ
とができる。
なお、タッチパネルとして機能する表示装置の構成はこれに限られず、例えばタッチセ
ンサを構成する導電層等が設けられた基板を、例えば図２６等に示す表示装置と重ねてタ
ッチパネルを構成してもよい。
以上が断面構成例３－２についての説明である。
〔断面構成例３－３〕
図２８に、タッチセンサを構成する導電層１５１、導電層１５２等を、基板３１の基板
２１側とは反対側に形成した例を示している。このような構成を、オンセル型のタッチパ
ネルと呼ぶことができる。
基板３１上には、導電層１５１、導電層１５２等が形成され、これらを覆って絶縁層１
６３が設けられている。また、絶縁層１６３上に導電層１５３が設けられている。
基板１７０は、タッチ面として機能する基板であり、例えば表示装置を電子機器に組み
込んだ際の筐体の一部、または保護ガラスなどとして機能する。基板１７０と基板３１と
は、接着層１６５によって貼り合わされている。
ここで、図２８では、導電層１５１が遮光層１３２と重なる領域だけでなく、液晶素子
４０、着色層１３１等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、導電
層１５１には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば金属酸化物を含む膜
や、グラフェンを含む膜、または金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜など
を、導電層１５１に用いることができる。なお、導電層１５２についても同様である。ま
た、導電層１５３も同様の可視光を透過する材料を用いてもよいが、導電層１５３が遮光
層１３２と重ねて配置される場合や、導電層１５３の面積が極めて小さい場合には、金属
や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
以上が断面構成例３－３についての説明である。
［構成例４］
以下では、構成例２で例示した、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モ
ードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置のより具体的な断面構成例
について説明する。
〔断面構成例４－１〕
図２９に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図２９に示す表示装置は、図
７（Ａ）で例示した表示装置に対応する。
表示装置は、基板２１と基板３１の間に、絶縁層２２０を有する。また基板２１と絶縁
層２２０の間に、発光素子６０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着色層１３
４等を有する。また絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子４０、着色層１３１、隔壁
１１、構造体１４等を有する。また基板３１と絶縁層２２０は接着層１４１を介して接着
され、基板２１と絶縁層２２０は接着層１４２を介して接着されている。また絶縁層２２
０は凹部５０を有する。
液晶素子４０は反射型の液晶素子である。液晶素子４０は、導電層１１１ａ、液晶１１
２、導電層１１３が積層された積層構造を有する。また導電層１１１ａの基板２１側に接
して、可視光を反射する導電層１１１ｂが設けられている。導電層１１１ｂは開口２５１
を有する。また導電層１１１ａ及び導電層１１３は可視光を透過する材料を含む。
発光素子６０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子６０は、絶縁層２
２０側から導電層１９１、ＥＬ層１９２、及び導電層１９３ｂの順に積層された積層構造
を有する。また導電層１９３ｂを覆って導電層１９３ａが設けられている。導電層１９３
ｂは可視光を反射する材料を含み、導電層１９１及び導電層１９３ａは可視光を透過する
材料を含む。発光素子６０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口２５１、導
電層１１３等を介して、基板３１側に射出される。
また導電層１９１の端部を覆う絶縁層２１６上には、絶縁層２１７が設けられている。
絶縁層２１７は、絶縁層２２０と基板２１が必要以上に接近することを抑制するスペーサ
としての機能を有する。またＥＬ層１９２や導電層１９３ａを遮蔽マスク（メタルマスク
）を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制する機能
を有していてもよい。なお、絶縁層２１７は不要であれば設けなくてもよい。
トランジスタ２０５のソース又はドレインの一方は、導電層２２４を介して発光素子６
０の導電層１９１と電気的に接続されている。
トランジスタ２０６のソース又はドレインの一方は、接続部２０７を介して導電層１１
１ｂと電気的に接続されている。導電層１１１ｂと導電層１１１ａは接して設けられ、こ
れらは電気的に接続されている。ここで、接続部２０７は、絶縁層２２０に設けられた開
口を介して、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。
基板２１と基板３１が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２
０４は接続部２０７と同様の構成を有している。接続部２０４の上面は、導電層１１１ａ
と同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部２０４と
ＦＰＣ３６とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
接着層１４１が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接続部２
５２において、導電層１１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層１１
３の一部が、接続体２４３により電気的に接続されている。したがって、基板３１側に形
成された導電層１１３に、基板２１側に接続されたＦＰＣ３６から入力される信号または
電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
以上が断面構成例４－１についての説明である。
〔断面構成例４－２〕
図３０に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図３０に示す表示装置は、図
８（Ａ）で例示した表示装置に対応する。
表示装置は、基板２１と基板３１の間に、絶縁層２２０を有する。また基板２１と絶縁
層２２０の間に、発光素子６０を有する。また絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子
４０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着色層１３４、着色層１３１、遮光層
１３２、隔壁１１等を有する。
図３０では、液晶素子４０が、トランジスタ２０６と導電層２２４を介して電気的に接
続する導電層１１１ｂと、当該導電層１１１ｂを覆う導電層１１１ａを有する場合の例を
示している。
またここでは、隔壁１１が、発光素子６０と重ねて配置されている例を示している。隔
壁１１は、着色層１３４、着色層１３１、導電層１９１等と重ねて配置されている。発光
素子６０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口２５１、隔壁１１、導電層１
１３等を介して、基板３１側に射出される。
以上が、断面構成例４－２についての説明である。
〔断面構成例４－３〕
図３１に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図３１に示す表示装置は、図
３（Ａ）で例示した表示装置に対応する。
また、図３１に示した表示装置は、図２９で例示した構成と比較して、以下の点で主に
相違している。表示装置は、トランジスタ２０１に代えてトランジスタ２０１ａ、トラン
ジスタ２０１ｂを有する。また表示装置は、ＦＰＣ３６及び接続層２４２に代えて、ＦＰ
Ｃ３６ａ、ＦＰＣ３６ｂ、接続層２４２ａ及び接続層２４２ｂを有する。また表示装置は
、接着層１４３を有する。また表示装置は、配線３５に代えて、配線３５ａ及び配線３５
ｂを有する。また表示装置は、絶縁層２６１、絶縁層２６２、絶縁層２６３、絶縁層２６
４、絶縁層２６５を有する。
トランジスタ２０１ａは、トランジスタ２０６等を含む画素回路を駆動するトランジス
タである。またトランジスタ２０１ｂは、トランジスタ２０５等を含む画素回路を駆動す
るトランジスタである。
ＦＰＣ３６ａは、接続層２４２ａを介して配線３５ａと電気的に接続されている。また
ＦＰＣ３６ｂは、接続層２４２ｂを介して配線３５ｂと電気的に接続されている。
接着層１４３は、絶縁層２１４と絶縁層２６１とを接着している。また、絶縁層２６１
の接着層１４３とは反対側の面に、絶縁層２６２、絶縁層２６３、絶縁層２６４、絶縁層
２６５等が積層して設けられる。絶縁層２６２の一部は、トランジスタ２０１ｂ及びトラ
ンジスタ２０５のゲート絶縁層として機能する。絶縁層２６３、絶縁層２６４、絶縁層２
６５は、トランジスタ２０１ｂ及びトランジスタ２０５を覆って設けられる。
以上が断面構成例４－３についての説明である。
［トランジスタについて］
以下では、上記表示装置に適用可能なトランジスタの構成例について説明する。
図３２（Ａ）で例示したトランジスタ３１０は、ボトムゲート構造のトランジスタの例
である。
トランジスタ３１０は、ゲート電極として機能する導電層３１１と、ゲート絶縁層とし
て機能する絶縁層３３２の一部と、半導体層３１２と、ソース電極またはドレイン電極の
一方として機能する導電層３１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能
する導電層３１３ｂと、を有する。
図３２（Ａ）では、絶縁層３３１上にトランジスタ３１０が設けられている。またトラ
ンジスタ３１０を覆って絶縁層３３４が設けられ、絶縁層３３４上に導電層３２１が設け
られている。導電層３２１は絶縁層３３４に設けられた開口を介して導電層３１３ｂと電
気的に接続され、画素電極として機能する。また図３２（Ａ）では、導電層３２１の端部
を覆う絶縁層３３５を有する例を示している。
トランジスタ３１０は、ゲート電極として機能する導電層３１１が、半導体層３１２よ
りも被形成面側（絶縁層３３１側）に位置する。また、絶縁層３３２が導電層３１１を覆
って設けられている。また半導体層３１２は、導電層３１１を覆って設けられている。半
導体層３１２の導電層３１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電
層３１３ａ及び導電層３１３ｂは、それぞれ半導体層３１２の上面及び側端部に接して設
けられている。
なお、トランジスタ３１０は、導電層３１１よりも半導体層３１２の幅が大きい場合の
例を示している。このような構成により、導電層３１１と導電層３１３ａまたは導電層３
１３ｂの間に半導体層３１２が配置されるため、導電層３１１と導電層３１３ａまたは導
電層３１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。
トランジスタ３１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有
面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることがで
きる。
図３２（Ｂ）に示したトランジスタ３１０ａは、トランジスタ３１０と比較して、導電
層３１４及び絶縁層３３６を有する点で相違している。導電層３１４は、絶縁層３３３上
に設けられ、半導体層３１２と重なる領域を有する。また絶縁層３３６は、導電層３１４
及び絶縁層３３３を覆って設けられている。
導電層３１４は、半導体層３１２を挟んで導電層３１１とは反対側に位置している。導
電層３１１を第１のゲート電極とした場合、導電層３１４は、第２のゲート電極として機
能することができる。導電層３１１と導電層３１４に同じ電位を与えることで、トランジ
スタ３１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層３１１及び導電層３１４の一
方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで
、トランジスタ３１０ａのしきい値電圧を制御することができる。
ここで、導電層３１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これ
により、導電層３１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜すること
で、絶縁層３３３に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割
合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層３３３に供給された酸
素は、後の熱処理により半導体層３１２に供給され、半導体層３１２中の酸素欠損の低減
を図ることができる。
特に、導電層３１４には低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このと
き、絶縁層３３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ま
しい。絶縁層３３６の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層３１４中に水素が供
給され、導電層３１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。
図３２（Ｃ）に示すトランジスタ３１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである
。
トランジスタ３１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層３１１が、半導体層３１２
よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層３３１上に半導体
層３１２が形成されている。また半導体層３１２上には、絶縁層３３２及び導電層３１１
が積層して形成されている。また、絶縁層３３３は、半導体層３１２の上面及び側端部、
絶縁層３３３の側面、及び導電層３１１を覆って設けられている。導電層３１３ａ及び導
電層３１３ｂは、絶縁層３３３上に設けられている。導電層３１３ａ及び導電層３１３ｂ
は、絶縁層３３３に設けられた開口を介して、半導体層３１２の上面と電気的に接続され
ている。
なお、ここでは絶縁層３３２が、導電層３１１と重ならない部分に存在しない場合の例
を示しているが、絶縁層３３２が半導体層３１２の上面及び側端部を覆って設けられてい
てもよい。
トランジスタ３１０ｂは、導電層３１１と導電層３１３ａまたは導電層３１３ｂとの物
理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である
。
図３２（Ｄ）に示すトランジスタ３１０ｃは、トランジスタ３１０ｂと比較して、導電
層３１５及び絶縁層３３７を有している点で相違している。導電層３１５は絶縁層３３１
上に設けられ、半導体層３１２と重なる領域を有する。また絶縁層３３７は、導電層３１
５及び絶縁層３３１を覆って設けられている。
導電層３１５は、上記導電層３１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのた
め、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。
図３２（Ｅ）には、トランジスタ３１０とトランジスタ３１０ｄとを積層した構成を示
している。トランジスタ３１０ｄは、一対のゲート電極を有するトランジスタである。
トランジスタ３１０ｄは、第１のゲート電極として機能する導電層３１３ｂの一部と、
第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層３３３の一部と、半導体層３１２ａと、ソース
電極及びドレイン電極の一方として機能する導電層３１３ｃと、ソース電極及びドレイン
電極の他方として機能する導電層３１３ｄと、第２のゲート絶縁層として機能する絶縁層
３３６の一部と、第２のゲート電極として機能する導電層３１４ａと、を有する。
このような構成は、特に発光素子と電気的に接続される回路に好適に適用することがで
きる。すなわち、トランジスタ３１０を、画素の選択、非選択状態を制御するトランジス
タ（スイッチングトランジスタ、または選択トランジスタともいう）に用い、トランジス
タ３１０ｄを発光素子６０に流れる電流を制御するトランジスタ（駆動トランジスタとも
いう）に用いることが好ましい。
図３２（Ｅ）に示す構成では、導電層３１４ａは、絶縁層３３６に設けられた開口を介
して導電層３１３ｃと電気的に接続されている。また、導電層３２１は、絶縁層３３４に
設けられた開口を介して、導電層３１４ａと電気的に接続されている。このとき、導電層
３１４ａと半導体層３１２ａの間の容量成分（ゲート容量ともいう）を、画素の保持容量
として利用することができる。
以上がトランジスタについての説明である。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について説明する。以
下で例示する表示装置は、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反
射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置である。
［構成例］
図３３（Ａ）は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４０
０は、表示部３６２にマトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。また表示装置
４００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また方向Ｒに配列した複数の画素４１０、及
び回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及
び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｃに配列した複数の画素４１０、及び回路Ｓ
Ｄと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。
なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液
晶素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと
を、別々に設けてもよい。
画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素４１０において、液晶素
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
図３３（Ｂ１）は、画素４１０が有する導電層３１１ｂの構成例を示す。導電層３１１
ｂは、画素４１０における液晶素子の反射電極として機能する。また導電層３１１ｂには
、開口４５１が設けられている。
図３３（Ｂ１）には、導電層３１１ｂと重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で
示している。発光素子３６０は、導電層３１１ｂが有する開口４５１と重ねて配置されて
いる。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出さ
れる。
図３３（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。
このとき、図３３（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口４
５１が一列に配列されないように、導電層３１１ｂの異なる位置に設けられていることが
好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発
する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともい
う）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置するこ
とができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であ
っても、高い精細度の表示装置を実現できる。
また、図３３（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。
非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用
いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比
の値が小さすぎると、発光素子３６０を用いた表示が暗くなってしまう。
また、反射電極として機能する導電層３１１ｂに設ける開口４５１の面積が小さすぎる
と、発光素子３６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とする
ことができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、
開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を
表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
［回路構成例］
図３４は、画素４１０の構成例を示す回路図である。図３４では、隣接する２つの画素
４１０を示している。
画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、ト
ランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、
配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に
接続されている。また、図３４では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１
、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
図３４では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を
示している。
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ
１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３
４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接
続されている。液晶素子３４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が配
線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジ
スタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソー
ス又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース又
はドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、
他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
図３４では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されて
いる例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させる
ことができる。
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えるこ
とができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液
晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣ
ＯＭには、所定の電位を与えることができる。
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えるこ
とができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生
じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制
御する信号を与えることができる。
図３４に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配
線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信
号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモード
で駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信
号により駆動することができる。
なお、図３４では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０
とを有する例を示したが、これに限られない。図３５（Ａ）は、一つの画素４１０に一つ
の液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３
６０ｗ）を有する例を示している。図３５（Ａ）に示す画素４１０は、図３４とは異なり
、１つの画素でフルカラーの表示が可能な画素である。
図３５（Ａ）では図３４の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続され
ている。
図３５（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０を、それぞれ赤色（Ｒ）、緑
色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液
晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより
、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また
透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
また、図３５（Ｂ）には、画素４１０の構成例を示している。画素４１０は、導電層３
１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、導電層３１１の周囲に配置された発光
素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ
、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好まし
い。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールにつ
いて説明する。
図３６に示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６００２と
の間に、ＦＰＣ６００３に接続されたタッチパネル６００４、ＦＰＣ６００５に接続され
た表示パネル６００６、フレーム６００９、プリント基板６０１０、及びバッテリ６０１
１を有する。
本発明の一態様を用いて作製された表示装置は、例えば、表示パネル６００６に用いる
ことができる。
上部カバー６００１及び下部カバー６００２は、タッチパネル６００４及び表示パネル
６００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル６００４としては、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パ
ネル６００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル６００４を設けず、表
示パネル６００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
フレーム６００９は、表示パネル６００６の保護機能の他、プリント基板６０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム６００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ６０１１による電源であってもよい。バッテリ６０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール６０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説
明する。
本発明の一態様の表示装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。本発明の一態
様の表示装置を用いて、曲面を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。ま
た、本発明の一態様の表示装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装
置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパ
ーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再
生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、
または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて
、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機
ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられ
る。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ
及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転
数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力
、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を
有していてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレ
ンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行
する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す
機能等を有することができる。
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報
を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に
視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができ
る。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮
影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子
機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することがで
きる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能
を有することができる。
図３７（Ａ）～（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表
示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図３７（Ａ）、（Ｂ）に携帯電話機の一例を示す。図３７（Ａ）に示す携帯電話機７１
００及び図３７（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、それぞれ、筐体７１０１、表示部７
０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１
０６等を有する。図３７（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、さらに、カメラ７１０７を
有する。
各携帯電話機は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字
を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで
行うことができる。
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けるこ
とで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自
動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部
７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声
入力等により行うこともできる。
図３７（Ｃ）、（Ｄ）に携帯情報端末の一例を示す。図３７（Ｃ）に示す携帯情報端末
７２００及び図３７（Ｄ）に示す携帯情報端末７２１０は、それぞれ、筐体７２０１及び
表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、ア
ンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセン
サを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れること
で行うことができる。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等
から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞ
れ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電
子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなど
の種々のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末７２００及び携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の
面に表示することができる。例えば、図３７（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボ
タン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができ
る。図３７（Ｃ）では、携帯情報端末の上面に情報が表示される例を示し、図３７（Ｄ）
では、携帯情報端末の側面に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上
に情報を表示してもよい。
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示さ
れている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
例えば、携帯情報端末７２００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７２００
を収納した状態で、その表示（ここでは情報７２０３）を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７２００
の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７２００をポケットから
取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図３７（Ｅ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７
３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７
３０１を支持した構成を示している。
図３７（Ｅ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０
００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作して
もよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表
示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッ
チパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示さ
れる映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信
機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または
無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または
双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能で
ある。
図３７（Ｆ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示す。
図３７（Ｆ）に示す照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置等を用いて
作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置
を提供できる。
図３７（Ｆ）に示す照明装置７４００の備える発光部７４１１は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４００を中心に
全方位を照らすことができる。
また、照明装置７４００が備える発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性
の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在
に湾曲可能な構成としてもよい。
照明装置７４００は、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に
支持される発光部を有する。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部
を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。
発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明
るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
図３８（Ａ）～（Ｉ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する
携帯情報端末の一例を示す。
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また
、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れるこ
とで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示
部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図３８（Ａ）、（Ｂ）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図である。携帯情報端末７５
００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等
を有する。
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部
７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができ
る。
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信
した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバ
ッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映
像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。なお、図３８（Ａ）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側
面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００
の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
図３８（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。
この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部
がロール状に巻かれた図３８（Ａ）の状態と表示部７００１を引き出した図３８（Ｂ）の
状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３８
（Ａ）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで
、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように
固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
図３８（Ｃ）～（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３８（Ｃ）
では、展開した状態、図３８（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方か
ら他方に変化する途中の状態、図３８（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６
００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状
態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されて
いる。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報
端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
図３８（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３８（Ｆ）
では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３８（Ｇ）では、表示部
７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報
端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を
使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１
の汚れ及び傷つきを抑制できる。
図３８（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は
、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ
、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７
７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性
を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７
００１と重ねて配置してもよい。
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻り
を加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側ま
たは外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００
をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７
００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合
、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把
持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するな
ど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
図３８（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バン
ド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バ
ンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を
有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７０
０１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため
、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケ
ーションを起動することができる。
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが
可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフ
リーで通話することもできる。
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７
８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うこ
とができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の
形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により
行ってもよい。
図３９（Ａ）に自動車７９００の外観を示す。図３９（Ｂ）に自動車７９００の運転席
を示す。自動車７９００は、車体７９０１、車輪７９０２、フロントガラス７９０３、ラ
イト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。
本発明の一態様の表示装置は、自動車７９００の表示部などに用いることができる。例
えば、図３９（Ｂ）に示す表示部７９１０乃至表示部７９１７に本発明の一態様の表示装
置を設けることができる。
表示部７９１０と表示部７９１１は、自動車のフロントガラスに設けられている。本発
明の一態様では、表示装置が有する電極を、透光性を有する導電性材料で作製することに
よって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる
。シースルー状態の表示装置であれば、自動車７９００の運転時にも視界の妨げになるこ
とがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車７９００のフロントガラスに設置
することができる。なお、表示装置に、トランジスタなどを設ける場合には、有機半導体
材料を用いた有機トランジスタ、または酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性
を有するトランジスタを用いるとよい。
表示部７９１２はピラー部分に設けられている。表示部７９１３はダッシュボード部分
に設けられている。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部７９１２に映
し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。同様に、表示部７
９１３では、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができ、表示部７９１４では
、ドアで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮
像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。
また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認
を行うことができる。
また、表示部７９１７は、ハンドルに設けられている。表示部７９１５、表示部７９１
６、または表示部７９１７はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走
行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することがで
きる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせ
て適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部７９１０乃至表示部７９１４に
も表示することができる。
なお、表示部７９１０乃至表示部７９１７は照明装置として用いることも可能である。
本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発
明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。
図３９（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電
子看板）の一例を示す。デジタルサイネージは、筐体８０００、表示部８００１、及びス
ピーカ８００３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操
作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
図３９（Ｄ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
表示部８００１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表
示部８００１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることが
できる。
表示部８００１にタッチパネルを適用することで、表示部８００１に画像または動画を
表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報
もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によ
りユーザビリティを高めることができる。
図３９（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３
、表示部８１０４、マイクロフォン８１０５、スピーカ８１０６、操作キー８１０７、ス
タイラス８１０８等を有する。
図３９（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部８１０３と表示部８１０
４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定され
ず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少な
くとも１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有していればよい。
図３９（Ｆ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体８１１１、表示部８１１
２、キーボード８１１３、ポインティングデバイス８１１４等を有する。
表示部８１１２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
１０ 表示装置
１０ａ タッチパネル
１１ 隔壁
１２ 液晶
１３ モノマー
１４ 構造体
１４ａ 構造体
１４ｂ 構造体
１５ タッチセンサパネル
１６ ＦＰＣ
２０ 光
２０ａ 光
２１ 基板
２３ 導電層
２３ａ 導電層
２３ｂ 導電層
２４ 液晶層
２５ 導電層
３０ 照射領域
３１ 基板
３２ 表示部
３４ 回路
３５ 配線
３５ａ 配線
３５ｂ 配線
３６ ＦＰＣ
３６ａ ＦＰＣ
３６ｂ ＦＰＣ
３７ ＩＣ
３８ 拡散板
３９ 偏光板
４０ 液晶素子
４１ａ 基板
４１ｂ 基板
４２ａ 接着層
４２ｂ 接着層
４３ａ 剥離層
４３ｂ 剥離層
４３ｃ 剥離層
４３ｄ 剥離層
４４ａ 支持基板
４４ｂ 支持基板
４４ｃ 支持基板
４４ｄ 支持基板
４４ｅ 支持基板
４４ｆ 支持基板
４５ａ 樹脂層
４５ｂ 樹脂層
４６ａ 接着層
５０ 凹部
５１ａ 着色層
５１ｂ 着色層
５２ 遮光層
５３ａ 配向膜
５３ｂ 配向膜
６０ 発光素子
６１ 絶縁層
６２ 絶縁層
７０ トランジスタ
７０ａ トランジスタ
７０ｂ トランジスタ
７１ 導電層
７１ａ 導電層
７１ｂ 導電層
７２ 半導体層
７３ 絶縁層
７４ａ 導電層
７４ｂ 導電層
７５ 容量素子
７８ 導電層
７９ 絶縁層
８０ 接続部
８１ 絶縁層
８２ 絶縁層
８３ 絶縁層
８４ 絶縁層
８５ 絶縁層
８６ 絶縁層
８７ 絶縁層
８８ 絶縁層
８９ 接着層
９０ 発光素子
９１ 導電層
９２ ＥＬ層
９３ 導電層
９３ａ 導電層
９３ｂ 導電層
９５ レジストマスク
９９ 接着層
１１１ 導電層
１１１ａ 導電層
１１１ｂ 導電層
１１２ 液晶
１１３ 導電層
１２１ 絶縁層
１３０ 偏光板
１３１ 着色層
１３２ 遮光層
１３３ａ 配向膜
１３３ｂ 配向膜
１３４ 着色層
１３５ 遮光層
１４１ 接着層
１４２ 接着層
１４３ 接着層
１５１ 導電層
１５２ 導電層
１５３ 導電層
１６１ 絶縁層
１６２ 絶縁層
１６３ 絶縁層
１６５ 接着層
１７０ 基板
１９１ 導電層
１９２ ＥＬ層
１９３ａ 導電層
１９３ｂ 導電層
２０１ トランジスタ
２０１ａ トランジスタ
２０１ｂ トランジスタ
２０２ トランジスタ
２０３ 容量素子
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２０６ トランジスタ
２０７ 接続部
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１６ 絶縁層
２１７ 絶縁層
２２０ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ 導電層
２２４ 導電層
２３１ 半導体層
２４２ 接続層
２４２ａ 接続層
２４２ｂ 接続層
２４３ 接続体
２５１ 開口
２５２ 接続部
２６１ 絶縁層
２６２ 絶縁層
２６３ 絶縁層
２６４ 絶縁層
２６５ 絶縁層
３１０ トランジスタ
３１０ａ トランジスタ
３１０ｂ トランジスタ
３１０ｃ トランジスタ
３１０ｄ トランジスタ
３１１ 導電層
３１１ｂ 導電層
３１２ 半導体層
３１２ａ 半導体層
３１３ａ 導電層
３１３ｂ 導電層
３１３ｃ 導電層
３１３ｄ 導電層
３１４ 導電層
３１４ａ 導電層
３１５ 導電層
３２１ 導電層
３３１ 絶縁層
３３２ 絶縁層
３３３ 絶縁層
３３４ 絶縁層
３３５ 絶縁層
３３６ 絶縁層
３３７ 絶縁層
３４０ 液晶素子
３６０ 発光素子
３６０ｂ 発光素子
３６０ｇ 発光素子
３６０ｒ 発光素子
３６０ｗ 発光素子
３６２ 表示部
４００ 表示装置
４１０ 画素
４５１ 開口
６０００ 表示モジュール
６００１ 上部カバー
６００２ 下部カバー
６００３ ＦＰＣ
６００４ タッチパネル
６００５ ＦＰＣ
６００６ 表示パネル
６００９ フレーム
６０１０ プリント基板
６０１１ バッテリ
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７１０７ カメラ
７１１０ 携帯電話機
７２００ 携帯情報端末
７２０１ 筐体
７２０２ 操作ボタン
７２０３ 情報
７２１０ 携帯情報端末
７３００ テレビジョン装置
７３０１ 筐体
７３０３ スタンド
７３１１ リモコン操作機
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０３ 操作スイッチ
７４１１ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
７９００ 自動車
７９０１ 車体
７９０２ 車輪
７９０３ フロントガラス
７９０４ ライト
７９０５ フォグランプ
７９１０ 表示部
７９１１ 表示部
７９１２ 表示部
７９１３ 表示部
７９１４ 表示部
７９１５ 表示部
７９１６ 表示部
７９１７ 表示部
８０００ 筐体
８００１ 表示部
８００３ スピーカ
８１０１ 筐体
８１０２ 筐体
８１０３ 表示部
８１０４ 表示部
８１０５ マイクロフォン
８１０６ スピーカ
８１０７ 操作キー
８１０８ スタイラス
８１１１ 筐体
８１１２ 表示部
８１１３ キーボード
８１１４ ポインティングデバイス

Claims (3)

  1. 第１の画素と、第２の画素とを有し、
    前記第１の画素は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、
    前記第２の画素は、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の液晶素子と、を有する液晶表示装置であって、
    前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能と、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能と、走査線としての機能と、を有する第１の導電層と、
    前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能と、第１のソース信号線としての機能と、を有する第２の導電層と、
    前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能と、第２のソース信号線としての機能と、を有する第３の導電層と、
    前記第２の導電層との重なりを有し、且つギャップスペーサとしての機能を有する第１の構造体と、
    前記第２の導電層との重なりを有し、且つギャップスペーサとしての機能を有する第２の構造体と、を有し、
    平面視において、前記第１の導電層は第１の方向に延在する領域を有し、
    平面視において、前記第２の導電層は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する領域を有し、
    平面視において、前記第１の構造体は、前記第２の導電層を前記第１の方向に横断する形状を有し、且つ前記第１の方向における前記第１の構造体の幅は、前記第２の方向における前記第１の構造体の幅よりも大きく、
    平面視において、前記第２の構造体の前記第１の方向の幅は、前記第１の構造体の前記第１の方向の幅よりも小さく、且つ前記第２の構造体の前記第２の方向の幅は、前記第１の構造体の前記第２の方向の幅よりも大きく、
    前記第１の構造体は、前記第２の構造体との重なりを有さず、且つ前記第３の導電層との重なりを有さない、液晶表示装置。
  2. 第１の画素と、第２の画素とを有し、
    前記第１の画素は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、
    前記第２の画素は、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の液晶素子と、を有する液晶表示装置であって、
    前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能と、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能と、走査線としての機能と、を有する第１の導電層と、
    前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能と、第１のソース信号線としての機能と、を有する第２の導電層と、
    前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能と、第２のソース信号線としての機能と、を有する第３の導電層と、
    前記第２の導電層の上方に位置する領域と、前記第３の導電層の上方に位置する領域と、を有する第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有する第２の絶縁層と、
    前記第２の導電層との重なりを有し、且つギャップスペーサとしての機能を有する第１の構造体と、
    前記第２の導電層との重なりを有し、且つギャップスペーサとしての機能を有する第２の構造体と、を有し、
    前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層と重ならない領域を有し、且つ該領域において前記第１の構造体との重なりを有し、
    平面視において、前記第１の導電層は第１の方向に延在する領域を有し、
    平面視において、前記第２の導電層は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する領域を有し、
    平面視において、前記第１の構造体は、前記第２の導電層を前記第１の方向に横断する形状を有し、且つ前記第１の方向における前記第１の構造体の幅は、前記第２の方向における前記第１の構造体の幅よりも大きく、
    平面視において、前記第２の構造体の前記第１の方向の幅は、前記第１の構造体の前記第１の方向の幅よりも小さく、且つ前記第２の構造体の前記第２の方向の幅は、前記第１の構造体の前記第２の方向の幅よりも大きく、
    前記第１の構造体は、前記第２の構造体との重なりを有さず、且つ前記第３の導電層との重なりを有さない、液晶表示装置。
  3. 請求項１又は２において、
    前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
    前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有する、液晶表示装置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10078243B2 (en) * 2016-06-03 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20180037105A (ko) 2016-10-03 2018-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 및 표시 장치의 제작 방법
JP2018072416A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US10976629B2 (en) * 2017-01-06 2021-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Curved display panel
US10983406B2 (en) * 2017-01-06 2021-04-20 Sharp Kabushiki Kaisha Curved display panel
CN106887531A (zh) * 2017-03-23 2017-06-23 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制造方法、显示装置
US10297779B1 (en) * 2017-10-30 2019-05-21 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display device and process for manufacturing the same
TWI651572B (zh) * 2018-01-23 2019-02-21 凌巨科技股份有限公司 可增加間隙柱高度的面板結構及其製造方法
CN108181734A (zh) * 2018-01-30 2018-06-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN108461042B (zh) * 2018-03-27 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制作方法、显示装置
US10762806B2 (en) * 2018-04-24 2020-09-01 Innolux Corporation Display device
CN110596974B (zh) * 2018-06-12 2022-04-15 夏普株式会社 显示面板和显示装置
CN109614958B (zh) * 2019-01-04 2020-11-17 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶显示装置、纹路识别方法及电子设备
US11444268B2 (en) 2019-03-26 2022-09-13 Apple Inc. Electronic devices with flexible display cover layers
KR20210008977A (ko) 2019-07-15 2021-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210031114A (ko) * 2019-09-11 2021-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
US10996518B1 (en) * 2019-12-26 2021-05-04 Industrial Technology Research Institute Light switchable device
US11874711B2 (en) * 2020-03-20 2024-01-16 Garmin Switzerland Gmbh Multi-cell photovoltaic for a portable electronic device
CN115202107B (zh) * 2022-08-04 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970048809A (ko) * 1995-12-30 1997-07-29 손욱 탄성 접착성 스페이서들을 가지는 액정표시장치
JPH10186367A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP3274631B2 (ja) * 1997-03-31 2002-04-15 松下電器産業株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JPH11242230A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JP3767264B2 (ja) 1999-08-25 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
WO2001091098A1 (fr) 2000-05-24 2001-11-29 Hitachi, Ltd. Terminal portable et afficheur commutable entre couleur et noir-et-blanc
JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
JP4202030B2 (ja) 2001-02-20 2008-12-24 シャープ株式会社 表示装置
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2003228304A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Toyota Industries Corp 表示装置
TW544944B (en) 2002-04-16 2003-08-01 Ind Tech Res Inst Pixel element structure of sunlight-readable display
JP4122828B2 (ja) 2002-04-30 2008-07-23 日本電気株式会社 表示装置及びその駆動方法
US20060072047A1 (en) 2002-12-06 2006-04-06 Kanetaka Sekiguchi Liquid crystal display
JP3852931B2 (ja) 2003-03-26 2006-12-06 株式会社東芝 発光表示装置
TWI223113B (en) * 2003-07-24 2004-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing liquid crystal display device
TWI257506B (en) 2003-11-18 2006-07-01 Ind Tech Res Inst Photosensitive material for non-substrate liquid crystal display
JP2006330470A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
KR100754874B1 (ko) * 2005-11-15 2007-09-04 삼성전자주식회사 양면 표시 표시장치
JP2007232882A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び電子機器
JP5028645B2 (ja) * 2006-03-10 2012-09-19 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ用フォトスペーサ製造用のフォトマスク
US8900970B2 (en) 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
JP2009069391A (ja) * 2007-09-12 2009-04-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2009175568A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
TWI393950B (zh) 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
JP5538106B2 (ja) * 2010-07-08 2014-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
JP2012073421A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012113215A (ja) 2010-11-26 2012-06-14 Stanley Electric Co Ltd 液晶素子
KR20130000938A (ko) * 2011-06-24 2013-01-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
JP5735884B2 (ja) 2011-08-05 2015-06-17 日本放送協会 液晶光変調器および液晶表示装置
JP2013221965A (ja) 2012-04-13 2013-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置
KR20140094217A (ko) 2013-01-21 2014-07-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014174319A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器
EP2818534B1 (en) * 2013-06-28 2017-11-15 LG Display Co., Ltd. Liquid crystal polymer composition, liquid crystal display and method for manufacturing the same
TWI541575B (zh) 2013-09-16 2016-07-11 群創光電股份有限公司 顯示面板
US9823521B2 (en) * 2014-03-10 2017-11-21 Lg Display Co., Ltd. Apparatus and liquid crystal display device with column spacers
JP2016038581A (ja) 2014-08-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置および表示装置の駆動方法
US20160042696A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processing device, program
CN104267528B (zh) * 2014-09-23 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种反射型显示装置
CN104570498B (zh) * 2014-11-24 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 可挠曲液晶面板及其制作方法
WO2016151429A1 (en) 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
KR102494418B1 (ko) 2015-04-13 2023-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 데이터 처리 장치, 및 표시 패널의 제조방법
US10664020B2 (en) 2015-04-23 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
TW201721260A (zh) 2015-09-18 2017-06-16 半導體能源硏究所股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US10078243B2 (en) * 2016-06-03 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

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