JP2014174319A - 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、画素毎に設けられた複数の第１電極と、第１電極上に形成された表示機能層と、第１電極と共に表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、第２電極に対向配置され、第２電極に電気的に接続された第３電極と、第２電極と第３電極との間に配置された第１のスペーサと、第２電極と第３電極との間に配置され、第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサとを備え、第２電極および前記第３電極は、第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている。
【選択図】図１

Description

本開示は、例えばスペーサを用いて表示素子を封止する構造を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
有機電界発光（ＥＬ：Electro Luminescence）表示装置では、透明導電膜等の配線抵抗の高い電極が用いられるが、このことが、いわゆる電圧降下を発生させ、表示画質の低下の要因となっている。そこで、そのような配線抵抗を軽減させるために、封止基板側に別途配線を設け、この配線に透明導電膜を電気的に接続する手法がある（例えば、特許文献１）。
上記特許文献１では、封止基板に、透明導電膜からなる上部電極と、金属配線とを設け、これらの上部電極と金属配線とを導電性のスペーサを用いて電気的に接続している。また、このスペーサによって形成される空間（間隙）に、例えば封止材が充填されることで、表示素子の封止層として機能する。このように、導電性のスペーサを用いて、素子封止を行うと共に配線抵抗が低減された構造を実現できる。
特開２０１１−１０３２０５号公報
ところが、封止材の充填される間隙の厚み、あるいは表示パネルにかかる圧力は、パネル面内において均一ではない。従って、厚みむらや局所的な加圧に対する機械的な柔軟性（耐久性）を持ちつつ、配線抵抗を低減させることが可能な、信頼性の高い表示装置の実現が望まれている。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信頼性を向上させることが可能な表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器を提供することにある。
本開示の表示装置は、画素毎に設けられた複数の第１電極と、第１電極上に形成された表示機能層と、第１電極と共に表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、第２電極に対向配置され、第２電極に電気的に接続された第３電極と、第２電極と第３電極との間に配置された第１のスペーサと、第２電極と第３電極との間に配置され、第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサとを備え、第２電極および前記第３電極は、第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている。
本開示の表示装置の製造方法は、画素毎に複数の第１電極を形成する工程と、表示機能層を形成する工程と、第１電極と共に表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極を形成する工程と、第２電極に対向配置され、第２電極に電気的に接続された第３電極を形成する工程と、第２電極と第３電極との間に、第１のスペーサと、第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサとを形成する工程とを含み、第２電極および第３電極は、第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁される。
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
本開示の表示装置、表示装置の製造方法および電子機器では、第１電極と共に表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極に対向して、第２電極に電気的に接続された第３電極が設けられる。これらの第２電極および第３電極が、第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁される。これにより、主に第１のスペーサによって、第２電極と第３電極との間の空間（間隙）の厚みが制御されると共に、第２電極および第３電極の導通が確保される。一方、パネルの局所的な領域に圧力が加わった場合、その圧力による負荷は主に第２のスペーサによって吸収され、第１のスペーサへの負荷は軽減される。また、第２のスペーサを含む経路では、第２電極および第３電極が電気的に絶縁となっているので、この第２のスペーサと第２電極および第３電極との接触の有無によって抵抗値が変化しにくい。従って、機械的な柔軟性（耐久性）を維持しつつ、配線抵抗が低減されると共に、パネル面内における配線抵抗のむらが抑制される。
本開示の表示装置、表示装置の製造方法および電子機器によれば、表示機能層へ第１電極と共に駆動電圧を印加するための第２電極に対向して、第２電極に電気的に接続された第３電極が設けられる。これらの第２電極および第３電極が、第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されることにより、機械的な柔軟性（耐久性）を維持しつつ、配線抵抗を低減し、かつパネル面内における配線抵抗のむらを抑制することができる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。
本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示したスペーサと補助配線層の配置構成例を表す平面模式図である。 図１に示したスペーサと補助配線層の配置構成例を表す平面模式図である。 図１に示した素子基板の形成工程を説明するための断面図である。 図３Ａに続く工程を表す断面図である。 図３Ｂに続く工程を表す断面図である。 図３Ｃに続く工程を表す断面図である。 図３Ｄに続く工程を表す断面図である。 図３Ｅに続く工程を表す断面図である。 図３Ｆに続く工程を表す断面図である。 図１に示した封止基板の形成工程を説明するための断面図である。 図４Ａに続く工程を表す断面図である。 図４Ｂに続く工程を表す断面図である。 図４Ｃに続く工程を表す断面図である。 図１に示した表示装置の効果を説明するための模式図である。 変形例１に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例２に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例２に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例３−１に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例３−２に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例４−１に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例４−２に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 変形例５に係る封止基板と補助配線層との構成を表す断面図である。 図１１に示したスペーサと補助配線層の配置構成例を表す平面模式図である。 変形例６に係るスペーサの好適配置例を説明するための模式図である。 変形例７に係るスペーサの配置例を説明するための模式図である。 図１４Ａの他の画素配置におけるスペーサの配置例を説明するための模式図である。 変形例８に係る液晶表示装置の構成を表す断面図である。 各実施の形態に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。 図１６に示した画素の回路構成を表す図である。 図１６に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第１，２のスペーサを絶縁材料により形成し、高い方の第１のスペーサを導電膜で覆い、低い方の第２のスペーサに対向する導電膜を選択的に除去した有機ＥＬ表示装置の例）
２．変形例１（補助配線層の第２のスペーサに対向する部分を選択的に除去した例）
３．変形例２（カラーフィルタ層の積層膜を用いて第１のスペーサの下地層を形成した例）
４．変形例３−１（第２電極の第２のスペーサ（導電性）に対向する部分を選択的に除去した例）
５．変形例３−２（補助配線層の第２のスペーサ（導電性）に対向する部分を選択的に除去した例）
６．変形例４−１（第２のスペーサ（導電性）の補助配線層との対向面に絶縁膜を設けた例）
７．変形例４−２（補助配線層の第２のスペーサ（導電性）との対向面に絶縁膜を設けた例）
８．変形例５（第１，２のスペーサが一体的に形成された場合の例）
９．変形例６（第１，２のスペーサの好適な配置例）
１０．変形例７（ＲＧＢＷの４画素構成の場合のスペーサ配置例）
１１．変形例８（液晶表示装置の例）
１２．表示装置の全体構成例，画素回路構成例
１３．適用例（電子機器の適用例）
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、画素としての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０ＢおよびＴＦＴ１２が形成された素子基板１０上に、封止層３０を介して封止基板２０が接着されたものである。この有機ＥＬ表示装置１は、光を封止基板２０の上方から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置１では、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒが赤（Ｒ）、有機ＥＬ素子１０Ｇが緑（Ｇ）、有機ＥＬ素子１０Ｂが青（Ｂ）の色光をそれぞれ発するサブピクセルであり、これらの３つの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにより１つのピクセルが構成されている。
（素子基板１０）
素子基板１０では、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する画素として、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが、例えばマトリクス状に複数配置されている。例えば、素子基板１０では、第１基板１１上に、ＴＦＴ１２として、ゲート電極１２ａ、半導体層１２ｃおよびソース／ドレイン電極１２ｄが形成されている。ゲート電極１２ａと半導体層１２ｃとの間にはゲート絶縁膜１２ｂ１が形成されている。半導体層１２ｃは、層間絶縁膜１２ｂ２によって覆われており、この層間絶縁膜１２ｃのコンタクトホールを介してソース／ドレイン電極１２ｄが、半導体層１２ｃに接続されている。
第１基板１１は、例えばガラス基板あるいはプラスチック基板からなる。ガラス基板としては、例えば、高歪点ガラス、ソーダ石灰ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）および鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）などが挙げられる。あるいは、この他にも石英、シリコン、金属などの表面に絶縁膜が形成されたものを用いることもできる。プラスチック基板としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの有機ポリマーが挙げられる。尚、プラスチック基板は、可撓性を有するフィルム状あるいはシート状の形態のものも含む。
ＴＦＴ１２は、例えば後述の画素回路６０におけるトランジスタ３Ａ，３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（ボトムゲート構造）でもよいしスタガ構造（トップゲート構造）であってもよい。
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば第１電極１４、発光層を含む有機層１６、抵抗層１７および第２電極２３を有する。第１電極１４は、層間絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールを通じて、ＴＦＴ１２（詳細には、ソース／ドレイン電極１２ｄ）に電気的に接続されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはそれぞれ、層間絶縁膜１３および第１電極１４上に形成された画素間絶縁膜１５によって素子分離されている。具体的には、画素間絶縁膜１５には、第１電極１４に対向して開口Ｈが形成されており、この開口Ｈにおいて、第１電極１４、有機層１６および抵抗層１７が積層されている。第２電極２３は、詳細は後述するが、封止基板２０側に設けられている。
第１電極１４は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に設けられている。第１電極１４の構成材料としては、例えばアノードとして機能する場合には、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ）などの仕事関数の高い金属の単体あるいはそのような金属の合金が挙げられる。合金としては、例えばＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、あるいはＡｌ−Ｎｄ合金を挙げることができる。あるいは、第１電極１４は、上記のような金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、ＩＴＯ等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。第１電極１４は、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましいが、そうでない材料（アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウムを含む合金等）であっても、適切な正孔注入層を設けることによってアノードとして使用することができる。この第１電極１４の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。尚、ボトムエミッション型の場合には、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキシド（ＩＺＯ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜により構成されている。
画素間絶縁膜１５は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と第２電極２３との絶縁性を確保すると共に、それぞれの画素領域を区画（分離）するためのものである。画素間絶縁膜１５は、平坦性に優れると共に、水分による有機層１６の劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料から構成することが望ましく、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂あるいはノボラック樹脂等よりなる。
有機層１６は、少なくとも有機電界発光層（以下、単に発光層という）を含み、ここでは、この発光層（例えば、白色発光層）が全画素に共通の層として形成されている。白色発光層としては、青色発光層および黄色発光層を積層したもの、あるいは、青色、緑色、赤色の発光層を積層したものなどが挙げられる。赤色発光層としては、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。有機層１６には、このような発光層の他にも、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などが積層されていてもよい。
抵抗層１７は、有機層１６と第２電極２３との間に形成され、透明かつ電気抵抗率の高い材料、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、ＩＴＯあるいはＩＺＯにより構成されている。抵抗層１７を設けることにより、第１電極１４および第２電極２３間に電圧を印加したときに、例えば異物などに起因して、それらの電極間に短絡が発生することを抑制し、欠陥画素あるいは欠線の発生を防止することができる。但し、抵抗層１７は、必要に応じて設けられればよく、有機層１６上に補助配線層１８が形成されていてもよい。
第２電極２３は、有機層１６と抵抗層１７を介して電気的に接続され、例えば複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。本実施の形態では、トップエミッション型であることから、この第２電極２３は、透明導電膜よりなる。透明導電膜としては、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜である。この第２電極２３は、本実施の形態では、後述するように、素子基板１０ではなく、封止基板２０に配設されている。
（封止基板２０）
封止基板２０は、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇ，青色フィルタ層２２Ｂとブラックマトリクス層ＢＭとを含むカラーフィルタ層２２が形成されたものである。このカラーフィルタ層２２と封止層３０との間に、第２電極２３が設けられている。
第２基板２１は、上記第１基板１１の構成材料として挙げたものと同様のものから構成され、第１基板１１と同一の材料から構成されてもよいし、異なっていてもよいが、第２基板２１は、透明性を有する材料よりなる。
赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇ，青色フィルタ層２２Ｂはそれぞれ、特定の波長域の光を選択的に透過する（他の波長の光は吸収する）カラーフィルタである。これにより、各画素では、有機層１６から発せられた白色光を、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光として出射させることができる。これらの赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇ，青色フィルタ層２２Ｂは、例えば感光性樹脂に、染料あるいは顔料を混入したものである。
（封止層３０）
ここで、透明導電膜からなる第２電極２３は高抵抗であるため、電圧降下を抑制するために、第２電極２３は、補助配線層１８（第３電極）に電気的に接続されている。本実施の形態では、補助配線層１８は、素子基板１０の抵抗層１７上に、第２電極２３に対向して設けられている。第２電極２３と補助配線層１８との間には、スペーサ２５ａ（第１のスペーサ）と、スペーサ２５ｂ（第２のスペーサ）とが配置されている。これらの第２電極２３と補助配線層１８との間（即ち、素子基板１０と封止基板２０との間）の空間（間隙Ｓ）には、例えば封止樹脂が充填されており、これにより、封止層３０が形成されている。
封止層３０は、例えば素子基板１０と封止基板２０との接着層として機能すると共に、外部から有機層１６への水分の侵入を防止する目的と、機械的な強度を増す目的で形成される。封止層３０は、例えば紫外線（ＵＶ）硬化性あるいは熱硬化性を有すると共に、電気的絶縁性を有する樹脂が用いられる。
尚、以下では、素子基板１０側に補助配線層１８が設けられ、封止基板２０側に第２電極２３が設けられた場合を例示するが、補助配線層１８および第２電極２３は、封止層３０を介して対向配置されていればよく、積層順序が逆であってもよい。即ち、例えば、抵抗層１７上に第２電極２３が設けられ、この第２電極２３上に封止層３０を介して補助配線層１８が設けられていてもよい。
補助配線層１８は、第２電極２３の配線抵抗を低減するためのものであり、第２電極２３と同電位に保持されている（第２電極２３と電気的に接続されている）。この補助配線層１８は、例えば第２電極２３を構成する透明導電膜よりも低抵抗な導電膜から構成されることが望ましい。このような導電膜としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），クロム，亜鉛（Ｚｎ），鉄（Ｆｅ），タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等のうちの少なくとも１種が挙げられる。但し、第２電極２３と導通した補助配線層１８を設けることにより、補助配線層１８を設けない場合よりも電気抵抗が低くなればよいので、補助配線層１８は、例えば上記のような透明導電膜により構成されていてもよい。
スペーサ２５ａ，２５ｂは、素子基板１０および封止基板２０間のギャップ、即ち封止層３０の厚み（間隙Ｓの間隔）を制御するものである。スペーサ２５ａ，２５ｂはそれぞれ高さが異なっており、スペーサ２５ａの高さｈ１よりもスペーサ２５ｂの高さｈ２が小さくなっている（ｈ１＞ｈ２）。スペーサ２５ａ，２５ｂの高さｈ１，ｈ２は、必要とされる配線抵抗と機械的な柔軟性等を考慮して、スペーサ２５ａ，２５ｂの構成材料の弾性、配置密度、個数等に応じて適宜設定されればよい。本実施の形態では、これらのスペーサ２５ａ、２５ｂは、例えば感光性アクリル樹脂等の絶縁性材料により構成されている。ここでは、スペーサ２５ａ，２５ｂが第２電極２３に隣接して（第２電極２３上に）配設されているが、これに限定されず、スペーサ２５ａ，２５ｂは、補助配線層１８に隣接して配設されていてもよい。
このような互いに高さの異なるスペーサ２５ａ，２５ｂのうち、高い方のスペーサ２５ａを含む経路（経路Ａ）において、第２電極２３と補助配線層１８とが電気的に接続されている。一方、低い方のスペーサ２５ｂを含む経路（経路Ｂ）では、第２電極２３と補助配線層１８とが電気的に絶縁されている。具体的には、本実施の形態では、スペーサ２５ａ，２５ｂの表面の少なくとも一部を覆って、導電膜２４が形成されており、この導電膜２４のうち、スペーサ２５ｂに対向する部分のみが選択的に除去されている。これにより、詳細は後述するが、スペーサ２５ａの設置箇所において、補助配線層１８が、導電膜２４を介して第２電極２３に電気的に接続される。一方、スペーサ２５ｂの設置箇所では、スペーサ２５ｂと補助配線層１８との接触の有無に拘わらず、補助配線層１８と第２電極２３とは電気的に絶縁された状態が保持される。
図２Ａおよび図２Ｂに、カラーフィルタ層２２、補助配線層１８およびスペーサ２５ａ，２５ｂの配置構成例について示す。このように、パネルの表示面に沿った平面でみると、カラーフィルタ層２２では、並列配置された赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇおよび青色フィルタ層２２Ｂのそれぞれを囲むように、ブラックマトリクス層ＢＭが形成されている。このブラックマトリクス層ＢＭに対向して、ストライプ状（図２Ａ）または格子状（図２Ｂ）に補助配線層１８（図中、破線で示す）が配設されている。
スペーサ２５ａ，２５ｂの設置箇所は、図示したものに特に限定されないが、主にスペーサ２５ａによって補助配線層１８と第２電極２３との導通が確保されることから、少なくともスペーサ２５ａは補助配線層１８に対向する領域に設置される。
導電膜２４は、補助配線層１８と第２電極２３とを電気的に接続するために形成されるものである。この導電膜２４の構成材料は特に限定されないが、導電膜２４がスペーサ２５ａの表面だけでなく赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇおよび青色フィルタ層２２Ｂをも覆って形成される場合には、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が用いられる。あるいは、ブラックマトリクス層ＢＭに対向する領域にのみ形成されている場合には、
上記透明導電膜以外にも、上記補助配線層１８の構成材料として挙げたような金属材料を用いることができる。いずれの場合であっても、導電膜２４がスペーサ２５ａの表面を覆い、スペーサ２５ｂに対向する部分が選択的に除去されていればよい。但し、導電膜２５ａは、スペーサ２５ａの表面の全部を覆っている必要はなく、補助配線層１８と第２電極２３との導通が確保されれば、一部（例えば、スペーサ２５ａの側面に対向する部分）が除去されていてもよい。また、導電膜２４のうち、スペーサ２５ｂに対向する部分（スペーサ２５ｂを覆う部分）の全てが除去されている（スペーサ２５ｂの表面の全部が導電膜２４から露出している）必要はない。即ち、補助配線層１８とスペーサ２５ｂとの接触により、補助配線層１８と第２電極２３とが電気的に導通しなければ、スペーサ２５ｂの表面の一部が導電膜２４によって覆われていても構わない。
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図３Ａ〜図３Ｇおよび図４Ａ〜図４Ｄは、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を表したものである。
（素子基板１０の作製）
素子基板１０を例えば次のようにして作製する。具体的には、まず、図３Ａに示したように、第１基板１１上に、公知の薄膜形成プロセスにより、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂ１、半導体層１２ｃ、層間絶縁膜１２ｂ２およびソース／ドレイン電極１２ｄ等を順次形成することにより、ＴＦＴ１２を形成する。
続いて、図３Ｂに示したように、層間絶縁膜１３を形成する。具体的には、まず、第１基板１１の全面にわたって、層間絶縁膜１３を、例えばＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、あるいは各種印刷法等を用いて成膜する。この後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１３のソース／ドレイン電極１２ｄに対向する領域にコンタクトホール１３ｈを形成する。
次いで、図３Ｃに示したように、第１電極１４を形成する。即ち、まず、層間絶縁膜１３上に、コンタクトホール１３ｈを埋め込むように、上述した材料よりなる第１電極１４を、例えばスパッタリング法等により成膜する。この後、成膜した第１電極１４を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、所定の形状にパターニングすると共に画素毎に分離する。
続いて、図３Ｄに示したように、画素間絶縁膜１５を形成する。即ち、まず、第１基板１１の全面にわたって、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１５を成膜した後、第１電極１４に対応する領域に開口Ｈを形成する。この際、画素間絶縁膜１５として感光性樹脂を用いる場合には、成膜後、フォトマスクを用いて露光することにより開口Ｈを形成可能である。また、開口Ｈの形成後、必要に応じてリフローを行ってもよい。
次に、図３Ｅに示したように、有機層１６を形成する。本実施の形態では、上述したように、各画素に共通の発光層（例えば白色発光層）を形成することから、例えば赤色、緑色、青色の各発光材料を基板全面にわたって、例えば真空蒸着法により順次成膜する。あるいは、有機層１６の形成方法としては、この真空蒸着法の他にも、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法および塗布法を用いてもよい。また、転写用基板上に、レーザ光吸収層と有機層との積層体を形成しておき、この転写用基板にレーザ照射を行うことで転写用基板から有機層を分離して転写する、といったレーザ転写法を用いてもよい。尚、有機層１６として、上記発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層等を形成する際には、いずれの層も発光層と真空一貫プロセスにより形成されることが望ましい。
続いて、図３Ｆに示したように、上述した材料よりなる抵抗層１７を、有機層１６上の全面にわたって、例えばスパッタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法等により形成する。
次いで、図３Ｇに示したように、上述した材料よりなる補助配線層１８を、例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。このようにして、素子基板１０および補助配線層１８を形成する。
（封止基板２０の作製）
一方、封止基板２０を、例えば次のようにして作製する。即ち、まず、図４Ａに示したように、第２基板２１上にカラーフィルタ層２２を形成する。具体的には、例えば、第２基板２１に、ブラックマトリクス層ＢＭをパターン形成した後、赤色フィルタ層２２Ｒ，緑色フィルタ層２２Ｇ，青色フィルタ層２２Ｂをそれぞれパターン形成する。尚、この後、必要に応じて、カラーフィルタ層２２の全面を覆って、図示しないオーバーコート層（平坦化層）を形成してもよい。
この後、カラーフィルタ層２２上に、第２電極２３を、上述したような透明導電膜により形成する。
次いで、図４Ｂに示したように、カラーフィルタ層２２上の選択的な領域（ブラックマトリクス層ＢＭに対向する領域）に、スペーサ２５ａ，２５ｂを形成する。具体的には、例えば上述したような感光性樹脂を、第２電極２３上に成膜した後、この感光性樹脂を、フォトマスクを用いて選択的に露光することにより、スペーサ２５ａ，２５ｂを形成することができる。スペーサ２５ａ，２５ｂの高低差は、例えば２回の露光を行うことで付与することができる。具体的には、まず、１回目の露光により、高さｈ１のスペーサ２５ａを複数形成した後、これらのスペーサ２５ａのうちの一部を更に露光（２回目）することにより、高さｈ２のスペーサ２５ｂを形成する。あるいは、いわゆるハーフトーンマスクを用い、高さの異なるスペーサ２５ａ，２５ｂを１回の露光によって形成してもよい。
続いて、図４Ｃに示したように、例えば第２基板２１の全面にわたって、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる導電膜２４を成膜する。
この後、図４Ｄに示したように、導電膜２４のうち、スペーサ２５ｂに対向する部分を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、選択的に除去する。このようにして、封止基板２０を形成する。
（貼り合わせ（封止）工程）
次に、上記のようにしてそれぞれ作製した素子基板１０および封止基板２０を、封止層３０を介して貼り合わせる。具体的には、素子基板１０または封止基板２０の周縁部に（有効表示領域の外周に沿って）、シール材を塗布した後、例えば、ＯＤＦ（One Drop Fill)法を用いて、封止樹脂を滴下し、素子基板１０と封止基板２０とを圧着させる。このようにして、封止樹脂を素子基板１０と封止基板２０との間の間隙Ｓに充填した後、封止樹脂およびシール材を硬化させる。これにより、素子基板１０と封止基板２０とが貼り合わせられる（素子基板１０が封止基板２０によって封止される）。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、後述の駆動回路から供給される走査信号等に応じ、画素（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）毎に、第１電極１４および第２電極２３を通じて有機層１６に所定の駆動電流が注入される。これにより、有機層１６の発光層では、正孔と電子との再結合により発光が生じる。有機層１６から生じた光（白色光）は、抵抗層１７、封止層３０および封止基板２０を透過し、表示光として取り出される。封止基板２０のカラーフィルタ層２２を通過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光として取り出される。
このように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、有機層１６から発せられた白色光が、第２電極２３を透過した後、カラーフィルタ層２２を通過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光として取り出される。このため、第２電極２３としては、高抵抗な透明導電膜が用いられるが、これによって、電圧降下が生じ、パネル面内において輝度むらが生じる。また、パネルの大型化、高精細化に伴って、パネル面内における配線抵抗のばらつきも無視できなくなる。このようなことは、表示品位の低下を招く。
そこで、そのような第２電極２３を補助配線層１８と導通させることにより、上記のような電圧降下を抑制することができる。本実施の形態では、第２電極２３に対向して、補助配線層１８が設けられ、これらの第２電極２３および補助配線層１８が、スペーサ２５ａを含む経路Ａにおいて電気的に接続され、スペーサ２５ｂを含む経路Ｂにおいて電気的に絶縁される。これにより、主にスペーサ２５ａによって、第２電極２３と補助配線層１８との間隙Ｓのギャップが制御されると共に、第２電極２３および補助配線層１８の導通が確保される。
一方で、例えば、間隙Ｓの容積に対する封止樹脂の充填量が少ない場合などに、封止層３０において気泡（未充填の部分）が生じる。また、大気圧でパネルが加圧され過ぎて、スペーサに負荷がかかり、スペーサ自体の形状が崩れたり、配線等にひびあるいは割れが生じること等が懸念される。
本実施の形態では、高さの異なるスペーサ２５ａ，２５ｂを設置することにより、封止樹脂の充填量に応じて間隙Ｓの容積を柔軟に追従させることができ、上記のような気泡の発生が抑制される。その様子を図５に模式的に示す。また、パネルの局所的な領域に圧力が加わった場合、その圧力による負荷は、相対的に高さの低いスペーサ２５ｂによって吸収され易い。このため、スペーサ２５ａへの負荷が軽減され、スペーサ２５ａ、補助配線層１８および導電膜２４等を所望の形状に保持し易い（ひびおよび割れ等の発生を抑制することができる）。これにより、間隙Ｓのギャップが制御し易くなると共に、補助配線層１８と第２電極２３との電気的接続が良好に確保され、配線抵抗が有効に低減される。
更に、スペーサ２５ｂを含む経路Ｂでは、第２電極２３および補助配線層１８が電気的に絶縁となっているので、上記のような圧力等の影響を受けて、スペーサ２５ｂが、補助配線層１８と接触した場合（図５）であっても、非接触の場合であっても、第２電極２３の配線抵抗が変化しにくい。つまり、第２電極２３の配線抵抗が、パネル内の局所的な領域において変化することが抑制される。
加えて、間隙Ｓに対する封止樹脂の充填量を少ない方向に制御し易くなることから、封止樹脂の使用量を軽減する設計を行うことも可能となる。
以上のように、本実施の形態では、第２電極２３と補助配線層１８との間に、高さの異なるスペーサ２５ａ，２５ｂを設け、第２電極２３および補助配線層１８を、スペーサ２５ａを含む経路Ａにおいて電気的に接続し、スペーサ２５ｂを含む経路Ｂでは電気的に絶縁とする。これにより、機械的な柔軟性（耐久性）を維持しつつ、配線抵抗を低減すると共に、パネル面内における配線抵抗のばらつきを抑制できる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。また、輝度分布におけるむらを低減して表示画質を向上させることが可能である。
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜８）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
＜変形例１＞
図６は、変形例１に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。上述したように、第２電極２３と補助配線層１８とは、スペーサ２５ａを含む経路Ａにおいて電気的に接続され、スペーサ２５ｂを含む経路Ｂにおいて電気的に絶縁されるが、これらの経路Ａ，Ｂは、以下の変形例１〜５の構成により形成されてもよい。尚、変形例１〜５では、封止基板、封止層および補助配線層の構成を示すが、素子基板１０の構成については、上記実施の形態と同様である。
本変形例では、上記実施の形態と同様、スペーサ２５ａ，２５ｂが絶縁性材料により構成され、これらのスペーサ２５ａ，２５ｂの各表面を覆って導電膜２４が形成されている。また、第２電極２３と補助配線層（補助配線層１８Ａ）との間隙Ｓには封止樹脂が充填されており、封止層３０を形成している。但し、本変形例では、補助配線層（補助配線層１８Ａ）のスペーサ２５ｂに対向する部分が選択的に除去されており、即ち、補助配線層１８Ａは、スペーサ２５ｂに対向して、開口１８０（あるいは溝でもよい）を有している。
このように、補助配線層１８Ａを選択的に除去することによって、経路Ｂの絶縁性を確保することもできる。この場合にも、パネルの局所的な加圧等によって、スペーサ２５ｂが補助配線層１８Ａに接触することが抑制されることから、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、本変形例では、導電膜２４のパターニング（スペーサ２５ｂに対向する部分を選択的に除去する工程）が不要となる。一方、開口１８０は、補助配線層１８Ａをパターニングする際に形成可能である。このため、上記実施の形態に比べ、製造工程数を減らすことができる。
尚、ここでは、第２電極２３上にスペーサ２５ｂが形成され、スペーサ２５ｂが補助配線層１８Ａから離隔して形成される場合を例示しているが、逆に、補助配線層１８Ａ上にスペーサ２５ｂを形成する場合には、第２電極２３のスペーサ２５ｂに対向する部分を選択的に除去することで、本変形例と同等の効果を得ることができる。
＜変形例２＞
図７は、変形例２に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。上記実施の形態では、高さの異なるスペーサ２５ａ，２５ｂを、２段階の露光またはハーフトーンマスクを用いた露光によって形成するようにしたが、本変形例のように、下地層２８を利用して、スペーサに高低差を形成するようにしてもよい。下地層２８としては、絶縁材料が用いられてもよいし、導電性材料が用いられてもよい。例えば、カラーフィルタ層２２（ブラックマトリクス層ＢＭ）上の選択的な領域に、下地層２８を形成した後、第２電極２３および導電膜２４を形成する。あるいは、第２電極２３、下地層２８および導電膜２４の順に形成してもよい。この後、下地層２８上と、下地層２８の形成されていないブラックマトリクス層ＢＭ上の選択的な領域とに、スペーサ２５ｂを形成する。このように下地層２８を用いることにより、スペーサ自体の高さを変えなくても、高低差を形成して、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、スペーサの形成工程数を削減することができ、あるいはハーフトーンマスクが不要となる。
あるいは、上記のような下地層２８として、封止基板の第２基板２１上に予め形成されている段差あるいは積層膜等を用いてもよい。その一例を図８に示す。例えば、第２基板２１上には、カラーフィルタ層２２が形成されているが、このカラーフィルタ層２２を利用して下地層２８が形成されてもよい。具体的には、ブラックマトリクス層ＢＭ上に、青色フィルタ層２２Ｂと緑色フィルタ層２２Ｇとをオーバーラップして形成することにより積層膜を形成し、この積層膜を下地層２８としてもよい。
＜変形例３−１＞
図９Ａは、変形例３−１に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。上記実施の形態および変形例１，２では、スペーサ２５ａ，２５ｂが絶縁性材料からなる場合を例示したが、本変形例のように、導電性材料からなるスペーサ（スペーサ２５ｃ，２５ｄ）が用いられてもよい。スペーサ２５ｃ，２５ｄの構成材料としては、例えば導電性樹脂が挙げられるが、他の導電性材料が用いられてもよい。スペーサ２５ｃ，２５ｄは、上記実施の形態のスペーサ２５ａ，２５ｂと同様、互いに高さが異なっており、例えばブラックマトリクス層ＢＭ上の選択的な領域に配置されている。尚、第２電極２３と補助配線層１８との間隙Ｓには封止樹脂が充填されており、封止層３０を形成している。
本変形例では、上記のように、スペーサ２５ｃ，２５ｄが導電性材料により構成されることから、高さｈ１のスペーサ２５ｃを含む経路Ａでは、第２電極２３と補助配線層１８とがそれぞれスペーサ２５ｃに接触しており、これにより、第２電極２３および補助配線層１８の導通が確保される。
一方で、高さｈ２のスペーサ２５ｄを含む経路Ｂでは、次のようにして絶縁性が確保される。即ち、本変形例では、第２電極２３のスペーサ２５ｄとの対向部分が選択的に除去されている（第２電極２３がスペーサ２５ｄとの対向部分に開口部２３０を有している）。ここで、スペーサ２５ｃ，２５ｄは、例えば第２電極２３の形成後に形成するため、まず、第２電極２３の形成工程において開口部２３０を形成した後、スペーサ２５ｃ，２５ｄの形成工程において、スペーサ２５ｄが、開口部２３０に形成されるように露光を行う。これにより、スペーサ２５ｄを含む経路Ｂでは、第２電極２３および補助配線層１８の絶縁性が確保される。従って、スペーサ２５ｄが補助配線層１８に接触した場合であっても、補助配線層１８と第２電極２３が導通することが抑制され、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
＜変形例３−２＞
図９Ｂは、変形例３−２に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。上記変形例３−１では、導電性材料からなるスペーサ２５ｃ，２５ｄを用い、第２電極２３のスペーサ２５ｄの対向部分を選択的に除去するようにしたが、本変形例のように、補助配線層（補助配線層１８Ａ）を選択的に除去するようにしてもよい（補助配線層１８Ａが開口部１８０を有していてもよい）。また、図示はしないが、第２電極２３と補助配線層１８Ａとの両方において、スペーサ２５ｄに対向する部分が選択的に除去されていてもよい。本変形例のような構成であっても、スペーサ２５ｄを含む経路Ｂにおいて、第２電極２３および補助配線層１８Ａの電気的な絶縁性は確保される。
＜変形例４−１＞
図１０Ａは、変形例４−１に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。本変形例においても、上記変形例３−１，３−２と同様、導電性材料からなるスペーサ２５ｃ，２５ｄが用いられている。スペーサ２５ｃ，２５ｄは、上記実施の形態のスペーサ２５ａ，２５ｂと同様、互いに高さが異なっており、例えばブラックマトリクス層ＢＭ上の選択的な領域に配置されている。また、高さｈ１のスペーサ２５ｃを含む経路Ａでは、第２電極２３と補助配線層１８とがそれぞれスペーサ２５ｃに接触しており、これにより、第２電極２３および補助配線層１８の導通が確保される。
但し、本変形例では、高さｈ２のスペーサ２５ｄを含む経路Ｂでは、次のようにして絶縁性が確保される。即ち、スペーサ２５ｄの補助配線層１８との対向面に絶縁膜２６が形成されている。絶縁膜２６としては、例えばフォトレジスト等の感光性樹脂が用いられることが望ましく、これによりパターニング時のエッチング工程を省略することができる。また、絶縁膜２６は、スペーサ２６ｄの少なくとも上面を覆って形成されることが望ましい。この絶縁膜２６の形成により、スペーサ２５ｄを含む経路Ｂでは、第２電極２３および補助配線層１８の絶縁性が確保される。従って、スペーサ２５ｄが補助配線層１８に接触した場合であっても、補助配線層１８と第２電極２３が導通することが抑制され、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
＜変形例４−２＞
図１０Ｂは、変形例４−２に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。上記変形例４−１では、導電性材料からなるスペーサ２５ｃ，２５ｄを用い、スペーサ２５ｄの補助配線層１８との対向面に絶縁膜２６を形成するようにしたが、本変形例のように、補助配線層１８のスペーサ２５ｄとの対向面に絶縁膜２７を形成してもよい。また、図示はしないが、第２電極２３と補助配線層１８との両方に（各対向面に）、絶縁膜２６，２７が形成されていてもよい。本変形例のような構成であっても、スペーサ２５ｄを含む経路Ｂにおいて、第２電極２３および補助配線層１８Ａの電気的な絶縁性は確保される。
＜変形例５＞
図１１は、変形例５に係る封止基板と補助配線層との構成を表したものである。図１２は、変形例５におけるスペーサおよび補助配線層の配置構成例を表すものである。上記実施の形態等では、高さの異なる２種類のスペーサが間隙Ｓに配置される場合について説明したが、本変形例のように、段差（高低差）を有する１種類のスペーサが配置されてもよい。即ち、上述したようなスペーサ２５ａ，２５ｂ（２５ｃ，２５ｄ）が一体化されたようなスペーサ（スペーサ２５ｅｆ）が用いられてもよい。具体的には、スペーサ２５ｅｆは、スペーサ部２５ｅと、スペーサ部２５ｆとが一体化されたものである。スペーサ部２５ｅは、例えば上記変形例３−１〜４−２のスペーサ２５ｃと同様、導電性材料からなり、高さｈ１を有している。スペーサ部２５ｆは、例えば上記実施の形態および変形例１，２のスペーサ２５ｂと同様、絶縁性材料からなり、高さｈ２を有している。これらのスペーサ部２５ｅ，２５ｆは、例えばスペーサ部２５ｆがスペーサ部２５ｅを囲むように一体形成されている。
本変形例においても、スペーサ２５ｅｆが、高さｈ１のスペーサ部２５ｅと高さｈ２のスペーサ部２５ｆとを有していることにより、スペーサ部２５ｅによって間隙Ｓのギャップが制御されると共に、第２電極２３と補助配線層１８との電気的接続が確保される。一方、スペーサ部２５ｆによって、局所的な圧力による負荷が吸収され、スペーサ部２５ｅおよび補助配線層１８等の形状が維持される。また、スペーサ部２５ｆを含む経路Ｂでは、第２電極２３と補助配線層１８との電気的絶縁性が確保されることから、配線抵抗のばらつきが抑制される。従って、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
＜変形例６＞
図１３は、変形例６に係るスペーサの配置例を説明するための模式図である。上述したような有機ＥＬ表示装置１では、例えば素子基板１０の第１基板１１（または封止基板２０の第２基板２１）における有効表示領域（表示領域５０）の周縁に、シール部３１が形成されている。シール部３１は、上述の封止層３０の外枠（ダム材）となるものであり、このシール部３１と素子基板１０および封止基板２０とによって囲まれる空間（間隙Ｓ）に、封止樹脂が充填されることで素子封止がなされる。上述したように、スペーサ２５ａ，２５ｂの配置は、パネルの機械的な柔軟性や配線抵抗との兼ね合いによって適宜設定されればよいが、例えば本変形例のように、配置することもできる。具体的には、シール部３１の近傍のスペーサ密度を低くすることで、シール部３１における接着性を高めることができる。これは、例えば、シール部３１の近傍において、スペーサ２５ａ，２５ｂの設置箇所を表示領域よりも少なくすることにより、あるいは、高さｈ１のスペーサ２５ａよりも高さｈ２のスペーサ２５ｂの設置箇所を相対的に増すこと等により、実現できる。
＜変形例７＞
図１４Ａは、変形例７に係るスペーサの配置例を説明するための模式図である。上記実施の形態等では、１つのピクセルがＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブピクセル（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）からなる場合を例に挙げたが、更にＷ（白）の画素（有機ＥＬ素子１０Ｗ）を加えた４つのサブピクセルから構成されていてもよい。この場合には、図１４Ａに示したように、スペーサ（スペーサ２５ａ，２５ｂのいずれか、または両方）は、相対的に視認性の低い色のサブピクセル（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｂ）の近傍の位置Ｐ１に配置されることが望ましい。一方、相対的に視認性の高い色のサブピクセル（有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｗ）の近傍の位置Ｐ２には、スペーサが配置されないか、あるいは低い方のスペーサ（スペーサ２５ｂ）のみが配置されることが望ましい。高い方のスペーサ（スペーサ２５ａ）は、設置面積も大きくなることから、特に視認性の高い領域に配置されると、光漏れ等の原因となり易い。よって、スペーサ２５ａ，２５ｂのいずれかを位置Ｐ１に配置するか、あるいはスペーサ２５ａを位置Ｐ１に、スペーサ２５ｂを位置Ｐ２にそれぞれ配置することが、上記のような光漏れ等を減らすことができるため、望ましい。尚、図１４Ｂに示したような画素配置の場合、スペーサ２５ａ，２５ｂの位置は、上記のような光漏れの観点においては特に限定されない。
＜変形例８＞
図１５は、変形例８に係る表示装置（液晶表示装置２）の断面構成を表したものである。上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本変形例のような液晶表示装置２にも本開示内容は適用可能である。液晶表示装置２では、例えば第１基板１１の裏面に、偏光板４２ａが貼り合わせられており、この偏光板４２ａの下方に、バックライト４０が配設されている。バックライト４０と偏光板４２ａとの間には、拡散板４１が設けられている。また、第１基板１１上には、ＴＦＴ１２が形成されており、このＴＦＴ１２を覆って平坦化膜４３が形成されている。平坦化膜４３上には、画素毎に第１電極４４が配設されており、この第１電極４４は、平坦化膜４３のコンタクトホールを介してＴＦＴ１２と接続されている。一方、第２基板２１の光出射側には、偏光板４２ｂが貼り合わせられている。また、第２基板２１の第１基板１１側の面には、カラーフィルタ層２２が形成されており、このカラーフィルタ層２２に隣接して第２電極４７が形成されている。
液晶表示装置２では、そのような第１基板１１と第２基板２１との間（第１電極４４と第２電極４７との間）の間隙Ｓに、液晶層４６が封止されている。この間隙Ｓに、上記実施の形態と同様、スペーサ２５ａ，２５ｂが配置されている。即ち、本変形例では、スペーサ２５ａ，２５ｂ（主にスペーサ２５ａ）によって液晶層４６のギャップが制御される。
このような液晶表示装置２においても、第２電極４７は、透明導電膜よりなり高抵抗となることから、補助配線層１８に電気的に接続されることにより配線抵抗の低減が図られる。ここでは、例えば、補助配線層１８が、駆動側の第１基板１１に形成されており、例えば平坦化膜４３上の第１電極４４と同層に形成されている。但し、これに限らず、補助配線層１８は、ＴＦＴ１２と同層に設けられていてもよい。補助配線層１８は、本変形例においても、ブラックマトリクス層ＢＭに対向する領域であれば、ストライプ状にパターニングされていてもよいし、格子状にパターニングされていてもよい。このような補助配線層１８および第２電極２３は、上記実施の形態と同様、スペーサ２５ａを含む経路Ａでは電気的に接続され、スペーサ２５ｂを含む経路Ｂでは、電気的に絶縁されている。具体的には、上記実施の形態と同様、スペーサ２５ａ，２５ｂの表面を覆って導電膜２４が設けられ、この導電膜２４のスペーサ２５ｂに対向する部分が選択的に除去されている。
このように、スペーサ２５ａ、２５ｂによる機械的柔軟性の維持と配線抵抗低減の効果は、液晶封止構造にも適用することが可能である。また、これ以外にもスペーサを用いた封止構造が用いられる分野の技術に広く適用することができる。
［表示装置の全体構成、画素回路構成］
上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置（以下、単に表示装置という）の全体構成および画素回路構成について説明する。図１６は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば第１基板１１上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域５０が形成され、この表示領域５０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）５１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）５２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）５３とが設けられている。
表示領域５０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ５１に接続され、この水平セレクタ５１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ５２に接続され、このライトスキャナ５２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ５３に接続され、この電源スキャナ５３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。
図１７は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄを含む画素回路６０を有している。この画素回路６０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。これらのうち、トランジスタ３Ａ（またはトランジスタ３Ｂ）が、上記実施の形態等のＴＦＴ１２に相当し、有機ＥＬ素子３Ｄが、上記実施の形態等の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに相当する。
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給するものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄ（赤色、緑色および青色の各有機ＥＬ素子）へ供給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。
＜適用例＞
以下、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置（以下、表示装置という）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図１８に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１基板１１の一辺に、第２基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、水平セレクタ５１、ライトスキャナ５２および電源スキャナ５３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
（適用例１）
図１９は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が上記表示装置に相当する。
（適用例２）
図２０Ａおよび図２０Ｂは、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記表示装置に相当する。
（適用例３）
図２１は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記表示装置に相当する。
（適用例４）
図２２は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この表示部６４０が上記表示装置に相当する。
（適用例５）
図２３は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記表示装置に相当する。
（適用例６）
図２４Ａおよび図２４Ｂは、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部８１０（上記表示装置に相当）および非表示部（筐体）８２０と、操作部８３０とを備えている。操作部８３０は、非表示部８２０の前面に設けられていてもよいし（図２４Ａ）、上面に設けられていてもよい（図２４Ｂ）。
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、封止基板２０側にスペーサ２５ａ，２５ｂを形成する場合を例に挙げて説明したが、これらのスペーサ２５ａ，２５ｂは素子基板１０側に形成してもよい。
また、上記実施の形態等では、素子基板１０（抵抗層１７）上に補助配線層１８を設け、封止基板２０に第２電極２３を設けたが、逆に素子基板１０上に第２電極２３を設け、封止基板２０に補助配線層１８を設けてもよい。
更に、上記実施の形態等では、カラーフィルタ層２２が封止基板２０に設けられているが、素子基板１０に設けられていてもよい。
加えて、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置１において、素子基板１０と封止基板２０と間隙Ｓに封止樹脂を充填する、いわゆる固体封止構造を例に挙げて説明したが、本開示は、これに限定されず、いわゆる中空封止の場合にも適用可能である。但し、本開示は、間隙Ｓに封止樹脂を充填する際の気泡の発生を抑制できること等から、中空封止構造に適用した場合の方がよりメリットが大きい。
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。
更に、上記実施の形態等では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例示して説明したが、本開示の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。特に、上部電極を例えば透明導電膜等の高抵抗な導電膜により構成する場合に好適に適用可能である。
加えて、上記実施の形態等では、高さの異なる２種類のスペーサを用いたが、３種類以上のスペーサを用いて、高さを段階的に変化させてもよい。
尚、本開示は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記第１電極上に形成された表示機能層と、
前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、
前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極と、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置された第１のスペーサと、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサと
を備え、
前記第２電極および前記第３電極は、
前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている
表示装置。
（２）
前記第１および第２のスペーサは、絶縁性材料からなると共に、各表面の少なくとも一部が導電膜により覆われている
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記導電膜のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
上記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
前記第１および第２のスペーサは導電性材料からなる
上記（１）に記載の表示装置。
（６）
前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
上記（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第２のスペーサと、前記第２電極または前記第３電極との各対向面のうちの一方または両方に絶縁膜が形成されている
上記（５）または（６）に記載の表示装置。
（８）
前記第１のスペーサの下地層の厚みを利用して、前記第１および第２のスペーサの高低差が形成されている
上記（１）〜（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
前記下地層は、カラーフィルタ層およびブラックマトリクス層のうちの２以上の層の積層膜である
上記（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記第１および第２のスペーサが一体的に形成されている
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記第１および第２のスペーサの配置密度は、前記画素を含む有効表示領域の周辺領域において、前記有効表示領域よりも低くなっている
上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
前記表示機能層は有機電界発光層であり、
前記第２電極および前記第３電極との間に封止樹脂が充填されている
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
前記表示機能層は液晶層である
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
画素毎に複数の第１電極を形成する工程と、
表示機能層を形成する工程と、
前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極を形成する工程と、
前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極を形成する工程と、
前記第２電極と前記第３電極との間に、第１のスペーサと、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサとを形成する工程と
を含み、
前記第２電極および前記第３電極は、
前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁される
表示装置の製造方法。
（１５）
前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、
前記第１および第２のスペーサを絶縁性材料により形成し、
形成した第１および第２のスペーサの表面を覆って導電膜を成膜し、
成膜した導電膜のうち、前記第２スペーサと対向する部分を選択的に除去する
上記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１６）
前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、
前記第１および第２のスペーサを絶縁性材料により形成し、
形成した第１および第２のスペーサの表面を覆って導電膜を成膜し、
前記第２電極を形成する工程または第３電極を形成する工程では、前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分を選択的に除去する
上記（１４）または（１５）に記載の表示装置の製造方法。
（１７）
前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、前記第１および第２のスペーサを導電性材料により形成し、
前記第２電極を形成する工程または第３電極を形成する工程では、前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分を選択的に除去する
上記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）
前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、前記第１および第２のスペーサを導電性材料により形成し、
前記第２のスペーサと、前記第２電極または前記第３電極との各対向面のうちの一方または両方に絶縁膜を形成する工程を更に含む
上記（１４）または（１７）に記載の表示装置の製造方法。
（１９）
画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記第１電極上に形成された表示機能層と、
前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、
前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極と、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置された第１のスペーサと、
前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサと
を備え、
前記第２電極および前記第３電極は、
前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている
表示装置を備えた電子機器。
１…有機ＥＬ表示装置、２…液晶表示装置、１０…素子基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…ＴＦＴ、１３…層間絶縁膜、１４…第１電極、１５…画素間絶縁膜、１６…有機層、１７…抵抗層、１８，１８ａ…補助配線層、２０…封止基板、２１…第２基板、２２…カラーフィルタ層、２２Ｒ…赤色フィルタ層、２２Ｇ…緑色フィルタ層、２２Ｂ…青色フィルタ層、ＢＭ…ブラックマトリクス層、２３…第２電極、２４…導電膜、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅｆ…スペーサ、２５ｅ，２５ｆ…スペーサ部、３０…封止層、４０…バックライト、４１…拡散板、４２ａ，４２ｂ…偏光板、４３…平坦化膜、４４…第１電極、４６…液晶層、４７…第２電極、Ａ，Ｂ…経路、Ｓ…間隙、ｈ１，ｈ２…高さ、Ｈ…開口。

Claims (19)

  1. 画素毎に設けられた複数の第１電極と、
    前記第１電極上に形成された表示機能層と、
    前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、
    前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極と、
    前記第２電極と前記第３電極との間に配置された第１のスペーサと、
    前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサと
    を備え、
    前記第２電極および前記第３電極は、
    前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
    前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている
    表示装置。
  2. 前記第１および第２のスペーサは、絶縁性材料からなると共に、各表面の少なくとも一部が導電膜により覆われている
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記導電膜のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
    請求項２に記載の表示装置。
  5. 前記第１および第２のスペーサは導電性材料からなる
    請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分が選択的に除去されている
    請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記第２のスペーサと、前記第２電極または前記第３電極との各対向面のうちの一方または両方に絶縁膜が形成されている
    請求項５に記載の表示装置。
  8. 前記第１のスペーサの下地層の厚みを利用して、前記第１および第２のスペーサの高低差が形成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記下地層は、カラーフィルタ層およびブラックマトリクス層のうちの２以上の層の積層膜である
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記第１および第２のスペーサが一体的に形成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記第１および第２のスペーサの配置密度は、前記画素を含む有効表示領域の周辺領域において、前記有効表示領域よりも低くなっている
    請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記表示機能層は有機電界発光層であり、
    前記第２電極および前記第３電極との間に封止樹脂が充填されている
    請求項１に記載の表示装置。
  13. 前記表示機能層は液晶層である
    請求項１に記載の表示装置。
  14. 画素毎に複数の第１電極を形成する工程と、
    表示機能層を形成する工程と、
    前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極を形成する工程と、
    前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極を形成する工程と、
    前記第２電極と前記第３電極との間に、第１のスペーサと、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサとを形成する工程と
    を含み、
    前記第２電極および前記第３電極は、
    前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
    前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁される
    表示装置の製造方法。
  15. 前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、
    前記第１および第２のスペーサを絶縁性材料により形成し、
    形成した第１および第２のスペーサの表面を覆って導電膜を成膜し、
    成膜した導電膜のうち、前記第２スペーサと対向する部分を選択的に除去する
    請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  16. 前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、
    前記第１および第２のスペーサを絶縁性材料により形成し、
    形成した第１および第２のスペーサの表面を覆って導電膜を成膜し、
    前記第２電極を形成する工程または第３電極を形成する工程では、前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分を選択的に除去する
    請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  17. 前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、前記第１および第２のスペーサを導電性材料により形成し、
    前記第２電極を形成する工程または第３電極を形成する工程では、前記第２電極または前記第３電極のうち、前記第２のスペーサに対向する部分を選択的に除去する
    請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  18. 前記第１および第２のスペーサを形成する工程では、前記第１および第２のスペーサを導電性材料により形成し、
    前記第２のスペーサと、前記第２電極または前記第３電極との各対向面のうちの一方または両方に絶縁膜を形成する工程を更に含む
    請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  19. 画素毎に設けられた複数の第１電極と、
    前記第１電極上に形成された表示機能層と、
    前記第１電極と共に前記表示機能層へ駆動電圧を印加するための第２電極と、
    前記第２電極に対向配置され、前記第２電極に電気的に接続された第３電極と、
    前記第２電極と前記第３電極との間に配置された第１のスペーサと、
    前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１のスペーサよりも高さの低い第２のスペーサと
    を備え、
    前記第２電極および前記第３電極は、
    前記第１のスペーサを含む経路において電気的に接続され、
    前記第２のスペーサを含む経路において電気的に絶縁されている
    表示装置を備えた電子機器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020531879A (ja) * 2017-08-17 2020-11-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． エレクトロルミネセント表示基板及びその製造方法、表示パネル並びに表示装置
CN112002233A (zh) * 2020-08-28 2020-11-27 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示终端
JP2020535577A (ja) * 2017-09-26 2020-12-03 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光ダイオード表示基板、有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示基板を製造する方法
JP2022046496A (ja) * 2016-06-03 2022-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576694A (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
KR102208432B1 (ko) 2014-12-31 2021-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105182592B (zh) * 2015-10-29 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板
CN105280830B (zh) * 2015-11-11 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
KR102448516B1 (ko) * 2016-01-20 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102516055B1 (ko) * 2016-07-05 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN108231824B (zh) * 2016-12-16 2024-04-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN107272232B (zh) * 2017-07-20 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板的制造方法
CN107946345B (zh) * 2017-11-22 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法以及显示装置
KR20210116749A (ko) * 2020-03-13 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210147123A (ko) * 2020-05-27 2021-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시패널의 제조방법
CN112181056B (zh) * 2020-09-29 2022-07-12 武汉华星光电技术有限公司 一种显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4683090B2 (ja) * 2008-08-06 2011-05-11 ソニー株式会社 液晶表示装置、及びその製造方法
WO2010095187A1 (ja) * 2009-02-23 2010-08-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN202049317U (zh) * 2011-05-12 2011-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022046496A (ja) * 2016-06-03 2022-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020531879A (ja) * 2017-08-17 2020-11-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． エレクトロルミネセント表示基板及びその製造方法、表示パネル並びに表示装置
JP7148411B2 (ja) 2017-08-17 2022-10-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 エレクトロルミネセント表示基板及びその製造方法、表示パネル並びに表示装置
JP2020535577A (ja) * 2017-09-26 2020-12-03 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光ダイオード表示基板、有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示基板を製造する方法
JP7255774B2 (ja) 2017-09-26 2023-04-11 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 有機発光ダイオード表示基板、有機発光ダイオード表示装置及び有機発光ダイオード表示基板を製造する方法
CN112002233A (zh) * 2020-08-28 2020-11-27 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示终端
CN112002233B (zh) * 2020-08-28 2022-04-01 合肥维信诺科技有限公司 折叠显示终端

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