JP6111461B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本技術は、有機発光素子等の表示素子を有する表示装置および電子機器に関する。

近年、表示素子として、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、例えば液晶ディスプレイなどに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。

これまで有機発光素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなど発光層で発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている。有機発光素子は、例えば第１基板の上に、駆動トランジスタなどを含む駆動回路を介して第１電極と有機層と第２電極とが順に積層された構造を採用している。上面発光型（トップエミッション方式）の有機発光素子では、第２電極を透明導電材料により構成し、第１電極と第２電極との間で有機層からの光を多重反射させ、第１基板に対向する第２基板から光を取り出すようになっている。第２電極として用いる透明導電材料は、一般に、金属材料よりも高い抵抗値を有するものである。したがって、より大型の有機発光表示装置では、表示部において端部領域から中央領域に向かうほど電圧降下の影響により表示性能が低下してしまう場合がある。第２電極の膜厚を厚くすると、抵抗値が下がり、表示面内での電圧降下が緩和されるものの、第２電極の可視光透過率が低下し、発光素子の光取出し効率を低下させてしまうことになる。

このような問題を解決するため、第２基板に補助電極を形成し、補助電極と有機発光素子の第２電極とを電気的に接続することにより、第２電極の電圧降下を緩和する手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。補助電極と有機発光素子の第２電極とは、例えば導電性のピラーを介して電気的に接続される。

特開２００２−３３１９８号公報

しかしながら、このようなピラーを形成すると、このピラーが他の部材に影響を及ぼす虞がある。例えば、複数のピラーの間で長さにばらつきがあると、より長いピラーが第１基板および第２基板に強く接触して、これらを損傷させる虞がある。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ピラー形成による他の部材の損傷を抑えた表示装置および電子機器を提供することにある。

本技術の第１の表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、第２基板の第１基板との対向面に設けられ、第２基板から第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、補助電極と第２電極とを電気的に接続するピラーとを備え、補助電極は各々の膜の間に間隙を有しているものである。
本技術の第４の表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１基板上に設けられ、第１電極、第２電極および第１電極と第２電極との間の発光層を有する表示素子と、第２基板の第１基板との対向面に設けられ、第２基板から第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、補助電極と第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備え、補助電極に含まれる膜の各々が、発光層からの光が取り出される開口を複数有し、各々の膜の開口率は、第２基板から第１基板に向かうに連れて大きくなるものである。

本技術の第１の電子機器は、上記本技術の第１の表示装置を備えたものである。
本技術の第４の電子機器は、上記本技術の第４の表示装置を備えたものである。

本技術の第１，４の表示装置または第１，４の電子機器では、複数の膜を積層することにより補助電極が構成されているので、ピラーを介して補助電極と表示素子の第２電極とを接触させる際の衝撃は、補助電極を構成する各々の膜を伝わるうちに徐々に減衰する。

本技術の第２の表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、第２基板の第１基板との対向面に設けられた補助電極と、第１基板および第２基板の面に対して傾斜して配置され、補助電極と第２電極とを電気的に接続するピラーとを備えたものである。

本技術の第２の電子機器は、上記本技術の第２の表示装置を備えたものである。

本技術の第２の表示装置または第２の電子機器では、ピラーが第１基板および第２基板の面に対して傾斜するように配置されているので、ピラーの実際の長さに比べて、第１基板および第２基板に対して垂直方向にピラーが占める距離（以下、見かけ上の長さという。）は短くなる。即ち、ピラーの実際の長さのばらつきに比べて、ピラーの見かけ上の長さのばらつきは小さくなる。

本技術の第３の表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、第２基板の第１基板との対向面に設けられた補助電極と、補助電極と第２基板との間の緩衝膜と、補助電極と第２電極とを電気的に接続するピラーとを備えたものである。

本技術の第３の電子機器は、上記本技術の第３の表示装置を備えたものである。

本技術の第３の表示装置または第３の電子機器では、補助電極と第２基板との間に緩衝膜が設けられているので、ピラーを介して補助電極と表示素子の第２電極とを接触させる際の衝撃が緩衝膜に吸収される。

本技術の第１，４の表示装置および第１，４の電子機器によれば、複数の膜を積層することにより補助電極を構成するようにし、本技術の第２の表示装置および第２の電子機器によれば、ピラーを第１基板および第２基板の面に傾斜して配置するようにし、本技術の第３の表示装置および第３の電子機器によれば、補助電極と第２基板との間に緩衝膜を設けるようにしたので、ピラーを介して補助電極と表示素子の第２電極とを接触させる際の他の部材への衝撃を弱めることが可能となる。よって、ピラー形成による他の部材の損傷を抑えることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。 図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した補助電極の構成を表す断面図である。 図１に示したピラーの配置の一例を表す平面図である。 図１に示したピラーの配置の他の例を表す平面図である。 図１に示した表示装置の素子パネルの製造工程を表す断面図である。 図６Ａに続く工程を表す断面図である。 図１に示した表示装置の封止パネルの製造工程を表す断面図である。 図６Ｂに示した素子パネルと図７に示した封止パネルとの貼り合わせ工程を表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 図７に示した補助電極の製造工程を表す斜視図である。 図９Ａに続く工程を表す斜視図である。 比較例に係る表示装置の製造工程を表す断面図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置の補助電極の構成を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の補助電極の構成を表す断面図である。 変形例３に係る表示装置の補助電極の構成を表す平面図である。 図１３に示した補助電極の構成の一例を表す断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１５に示したピラーを形成する工程の一例を表す断面図である。 封止基板に対して垂直方向に配置したピラーの構成を表す断面図である。 図１５に示したピラーの見かけ上の長さについて説明するための断面図である。 変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例５に係る表示装置の構成を表す断面図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図２０に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 図２１Ａに続く工程を表す断面図である。 変形例６に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例７に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例８に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例１の外観を表す他の斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 適用例７の閉じた状態を表す図である。 適用例７の開いた状態を表す図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（表示装置：補助電極が複数の膜により構成されている例）
２．変形例１（複数の膜のヤング率または膜密度が互いに異なる例）
３．変形例２（複数の膜の厚みが互いに異なる例）
４．変形例３（複数の膜が開口を有する例）
５．第２の実施の形態（表示装置：ピラーが基板の面に対して傾斜している例）
６．変形例４（ピラーの端部が素子基板上の導電性樹脂層に埋設されている例）
７．変形例５（基板の面に対して傾斜したピラーと共に複数の膜からなる補助電極を有する例）
８．第３の実施の形態（表示装置：基板と補助電極との間に緩衝層が設けられている例）
９．変形例６（緩衝層と共に基板の面に対して傾斜したピラーを有する例）
１０．変形例７（緩衝層と共に複数の膜からなる補助電極を有する例）
１１．変形例８（緩衝層と共に複数の膜からなる補助電極および基板の面に対して傾斜したピラーを有する例）

＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。表示装置１は、素子パネル１０と封止パネル２０とを有し、封止パネル２０を透過した光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。

素子パネル１０は、素子基板１１（第１基板）上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒ、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇ、および青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂが設けられたものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（表示素子）は、例えば素子基板１１上に第１電極１４、有機層１６および第２電極１７をこの順に有している。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと素子基板１１との間にはＴＦＴ（Thin film transistor）層１２および平坦化層１３が設けられている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、封止パネル２０との間に設けられた封止層１９に覆われている。封止パネル２０は、素子基板１１と対向する封止基板２１（第２基板）を有しており、その封止基板２１の素子基板１１との対向面に、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層（図示せず）、および補助電極２４がこの順に設けられたものである。

この表示装置１では、素子パネル１０と封止パネル２０との間にピラー１８が設けられており、ピラー１８を介して封止パネル２０の補助電極２４と、素子パネル１０の第２電極１７とが電気的に接続されている。

図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、中央部に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に二次元配置された表示領域１１０を有している。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。

表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと共に、それらを駆動するための画素駆動回路１５０が形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点にそれぞれ設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給する。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し、行単位でそれらを走査し各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給する。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給される。

電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどを含む。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述するトランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。

図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間においてトランジスタＴｒ１と直列に接続されている。トランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であってもスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。

トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。

トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと接続されている。

保持容量Ｃｓは、トランジスタＴｒ１のゲート電極（トランジスタＴｒ２のソース電極）と、トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。

[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１を参照して、素子パネル１０および封止パネル２０の詳細な構成について説明する。

素子基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。素子基板１１は、その一主面に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体である。素子基板１１の構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）および鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて素子基板１１を構成してもよい。素子基板１１には、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２１から光が取り出されるため、素子基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２１には素子基板１１と同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により素子基板１１を構成してもよい。

ＴＦＴ層１２には、例えば、上記トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられており、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの能動素子として機能する。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は例えば、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を有している。例えば、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のソース電極およびドレイン電極は、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜（図示せず）を介して所定の配線に電気的に接続されている。例えば、トランジスタＴｒ２が接続された配線は信号線１２０Ａに接続され、トランジスタＴｒ１が接続された配線は平坦化層１３の接続孔（図示せず）を介して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（の第１電極１４）に接続される。

平坦化層１３は、ＴＦＴ層１２が形成された素子基板１１の表面を平坦化するためのものであり、ＴＦＴ層１２と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの間に設けられている。この平坦化層１３には、ＴＦＴ層１２の配線と第１電極１４とを接続するための微細な接続孔（図示せず）が形成されるため、平坦化層１３はパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。吸水率の低い材料を平坦化層１３に用いると、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの水分による劣化を防ぐことができる。平坦化層１３には、例えば、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。平坦化層１３に、青色光またはＵＶ光を遮光する機能を加えることで、ＴＦＴ層１２のトランジスタの劣化を抑制できる。

隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間には隔壁１５が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配列は特に限定されず、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列あるいはレクタングル配列などが採用される。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ各々の第１電極１４は、平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。第１電極１４は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が０．１μｍ以上１μｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極１４に用いるようにしてもよい。第１電極１４には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１６（特に、後述の正孔注入層）を選択することにより、第１電極１４として用いることが可能となる。

第１電極１４の表面（第２電極１７との対向面）から側面は、隔壁１５で覆われている。この隔壁１５の開口が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域となる。隔壁１５は、この発光領域を正確に所望の形状に制御すると共に、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性を確保する役割を担っている。隔壁１５には例えば、ポリイミド等の有機材料または酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料を用いることができる。隔壁１５の厚みは例えば５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。

有機層１６は、例えば、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、第１電極１４側から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。正孔輸送層，発光層および電子輸送層により有機層１６を構成するようにしてもよく、このとき、発光層が電子輸送層を兼ねるようにしてもよい。このような一連の積層構造（いわゆるタンデムユニット）が接続層を介して複数重なることで有機層１６が構成されてもよい。例えば、赤色、緑色、青色および白色の色毎にタンデムユニットを有し、これらを積層して有機層１６を構成するようにしてもよい。

正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。

（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）

正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。

発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極１４と第２電極１７との間に例えば赤色発光層、緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。

赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等により構成されている。

有機層１６と第２電極１７との間に高抵抗層（図示せず）を設けるようにしてもよい。この高抵抗層は、第１電極１４と第２電極１７との間の短絡の発生を防止するためのものであり、例えば全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。高抵抗層は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅），酸化チタン（ＴｉＯ₂），酸化モリブデン（ＭｏＯ₂，ＭｏＯ₃），酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ_x），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）と酸化錫（ＳｎＯ₂）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）のうちから少なくとも１つを混合した混合物により構成されている。

第２電極１７は、有機層１６を間にして第１電極１４と対をなし、例えば電子注入層の上に全ての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。第２電極１７は例えばカソード電極としての機能および光透過層としての機能を兼ね備えたものであり、導電性が高く、かつ、光透過率も高い材料により構成されていることが望ましい。したがって、第２電極１７は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１７の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。詳細は後述するが、表示装置１には補助電極２４が設けられているので、第２電極１７を薄膜化することが可能であり、第２電極１７の厚みは、例えば１０〜５００ｎｍ程度である。第２電極１７および高抵抗層は、有機層１６への水分の浸入を防ぐ機能も有している。

素子パネル１０と封止パネル２０との間の封止層１９は、有機層１６への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものであり、第２電極１７を覆うように設けられている。この封止層１９の光透過率は８０％程度、厚みは３μｍ〜２０μｍ、中でも５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。封止層１９の厚みが２０μｍよりも大きいと、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとカラーフィルタ２３との間の距離が長くなり、素子基板１１に対して斜め方向の輝度が正面方向の輝度に比べて低くなる虞がある。また、混色が発生して色度が低下することにより、視野角が狭くなる虞もある。一方、封止層１９の厚みが３μｍよりも小さいと、素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせる際に異物を挟み込んでしまった場合に、この異物が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに接触しやすい。異物により有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに圧力がかかり、画素抜けなどの滅点が生じる虞がある。

封止パネル２０のブラックマトリクス２２は、表示領域１１０では有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされている。ブラックマトリクス２２は、例えばカーボンブラックにより構成される。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等をブラックマトリクス２２に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタによりブラックマトリクス２２を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板２１側から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板２１側から、酸化モリブデン（ＭｏＯ_x）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。

カラーフィルタ２３は、例えば、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇ、および青色フィルタ２３Ｂを含み、これらが有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのパターン毎に配色されている。ブラックマトリクス２２に重なる位置にカラーフィルタ２３が設けられていてもよい。赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂは、例えば顔料または染料を混入した樹脂により構成されている。この顔料または染料の種類を適宜選択することにより、赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇ、および青色フィルタ２３Ｂではそれぞれ、赤色、緑色または青色それぞれの波長域の光透過率が高くなるように調整されている。赤色、緑色および青色の目的とする波長域以外では、カラーフィルタ２３の光透過率は低くなっている。カラーフィルタ２３の厚みは例えば、１〜４μｍである。カラーフィルタ２３は、封止基板２１のどちらの面（素子基板１１との対向面あるいはその反対側の面）に設けられてもよいが、素子基板１１との対向面に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２３が表面に露出せず、封止層１９や補助電極２４により保護することができるからである。また、有機層１６とカラーフィルタ２３との間の距離が狭くなることにより、有機層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。

カラーフィルタ２３の表面（素子基板１１との対向面）はオーバーコート層（図示せず）に覆われている。オーバーコート層は、カラーフィルタ２３表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、例えば樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料により構成されている。

補助電極２４は、所謂ＩＲドロップの発生を抑えるためのものである。トップエミッション型の表示装置では、光透過性の導電膜を第２電極に使用するが、光透過性の導電膜は抵抗率が高いので、給電点から各有機発光素子までの距離に応じた配線抵抗の増加率が大きい。また、第２電極の厚みは薄い方が好ましいので、第２電極の抵抗は更に高くなる。このため、各々の有機発光素子と給電点との距離が長くなると、有機発光素子に印加される実効電圧が著しく降下し、輝度も大きく低下する。第２電極１７と第２電極１７の給電点との間の電流バイパスとして機能する補助電極２４を設けることにより、このようなＩＲドロップの発生を、抑えることができる。補助電極２４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７を例えば共通電源供給線（ＧＮＤ）に電気的に接続している。

本実施の形態では、この補助電極２４が封止基板２１から素子基板１１に向かう方向に積層された複数の膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）を含んでいる。詳細は後述するが、これによりピラー１８を介して補助電極２４と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の他の部材への衝撃が弱められる。

膜２４−１，２４−２，２４−３は、例えば、封止基板２１の表示領域１１０全面にわたり設けられており、封止基板２１に近い位置から、膜２４−１、膜２４−２および膜２４−３がこの順に配置されている。このような膜２４−１，２４−２，２４−３は、光透過率が高く、かつ、電気抵抗率の低い材料により構成されていることが好ましく、具体的には、第２電極１７と同様の材料により構成される。厚みが１μｍ〜１００μｍのＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）等の樹脂フィルム上に、１０μｍ以下の厚みの導電材料を設けて膜２４−１，２４−２，２４−３を構成するようにしてもよい。導電材料としては、例えばカーボンナノチューブ，ＩＴＯおよびナノ銀等が挙げられる。アルミニウム，アルミニウム合金あるいはその他の金属類を樹脂フィルム上に設けるようにしてもよい。これらの膜厚は薄いことが好ましい。膜２４−１，２４−２，２４−３は例えば全て同じ材料からなり、同じ厚みを有している。補助電極２４は、各々別々に形成された膜２４−１，２４−２，２４−３を重ねることにより形成される。膜２４−１，２４−２，２４−３各々のシート抵抗は、例えば１Ω／ｓｑ〜１０００Ω／ｓｑである。

補助電極２４は、膜間、即ち、膜２４−１と膜２４−２との間、および膜２４−２と膜２４−３との間に間隙Ｓを有していることが好ましい。間隙Ｓには例えば、希ガス，乾燥窒素（Ｎ₂），ドライエアーあるいは吸湿剤が設けられている。間隙Ｓは真空であってもよい。膜２４−１，２４−２，２４−３は互いに接していてもよい。

図４は、補助電極２４全体の断面構成を表したものである。このように、補助電極２４では、膜２４−１，２４−２，２４−３の周縁にシール材２５が設けられ、膜２４−１、膜２４−２および膜２４−３が互いに固定されている。膜２４−１と封止基板２１との間にもシール材２５が設けられており、補助電極２４は封止基板２１に固定されている。このシール材２５には、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂等の樹脂を用いることができ、具体的にはエポキシ樹脂を用いることができる。上述のように、導電材料と樹脂フィルムとにより膜２４−１，２４−２，２４−３を構成する場合には、樹脂フィルムの中央部に導電材料を成膜し、樹脂フィルムの周縁ではシール材２５と樹脂フィルムとを接触させることが好ましい。更に、樹脂フィルムとシール材とが同じ材料により構成されていることが好ましい。これにより、樹脂フィルムとシール材との組成および構造が近くなる。即ち、原子間距離、熱膨張係数および表面状態（親水性／疎水性）の差が小さくなり、樹脂フィルムとシール材とが密着し易くなる。これにより、外部からの水分の浸入を抑えることが可能となる。

補助電極２４と第２電極１７との間のピラー１８は、第２電極１７への給電点となるものであり、第２電極１７と補助電極２４とを電気的に接続している。このピラー１８は、例えば柱状であり、その一端部が補助電極２４に、他端部が第２電極１７にそれぞれ接している。全てのピラー１８が第２電極１７および補助電極２４に接していることが好ましいが、第２電極１７および補助電極２４のどちらか一方のみに接しているピラー１８が存在していてもよい。

ピラー１８の長さ（図１のＺ方向）は、例えば３μｍ〜２０μｍであり、このピラー１８の長さにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を規定することも可能である。ピラー１８の一端部は、補助電極２４の膜２４−１，２４−２，２４−３のいずれかに接していればよい。一端部が補助電極２４に接しているピラー１８のうちの一部または全部が、膜２４−３に接していてもよく、膜２４−３を貫通して膜２４−２に、あるいは、膜２４−２，２４−３を貫通して膜２４−１に接していてもよい。即ち、膜２４−１あるいは膜２４−２に接するピラー１８は、膜２４−１あるいは膜２４−２よりも素子基板１１に近い位置にある膜（膜２４−２，２４−３あるいは膜２４−３）を貫通している。

弾性を有し、変形可能なピラー１８を用いて、素子パネル１０の第２電極１７と封止パネル２０の補助電極２４とを確実に接続させることが好ましい。形成したピラー１８の長さにばらつきがあると、封止パネル２０を素子パネル１０に貼り合わせていく際に、長いピラー１８から順に素子パネル１０の第２電極１７に接していくことになる。弾性かつ変形可能なピラー１８は、この長さのばらつきを吸収することが可能であり、より短いピラー１８までも第２電極１７に確実に接触させることができる。また、長いピラー１８に加わる圧力を吸収して、その損傷も防ぐことができる。ピラー１８に加えて、ブラックマトリクス２２と補助電極２４との間のカラーフィルタ２３の厚みにより、素子パネル１０と封止パネル２０との間の距離を調整することも可能である。隣接する赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂの互いの端部を重ねることで、この距離を調整するようにしてもよい。

ピラー１８はどのような形状であってもよく、例えばテーパ状であってもよい（図示せず）。ピラー１８は、導電性材料、具体的にはアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂等の樹脂材料に導電性微粒子を混合したものにより構成されている。樹脂材料に導電性粒子を膜状に付着させてピラー１８を形成するようにしてもよい。あるいは、柱状に成形した樹脂材料の表面に導電膜を設けてピラー１８を構成するようにしてもよい。

ピラー１８は、図５Ａに示したように、例えば隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の領域（非発光領域）に配置され、ブラックマトリクス２２に対向している。換言すれば、隔壁１５上に延在した第２電極１７と補助電極２４との間にピラー１８が設けられている。ピラー１８は、一の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に設けるようにしてもよく（図５Ａ）、図５Ｂに示したように、一のピクセル（４色のサブピクセル）毎に設けるようにしてもよい。

[表示装置１の製造方法]
表示装置１は、例えば素子パネル１０および封止パネル２０をそれぞれ形成したのち、これら素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせて製造する。以下、素子パネル１０の形成工程（図６Ａ，図６Ｂ）と、封止パネル２０の形成工程（図７）と、素子パネル１０および封止パネル２０の貼り合わせ工程（図８Ａ，図８Ｂ）とを順に説明する。

[素子パネル１０の製造方法]
まず、素子基板１１にＴＦＴ層１２および平坦化層１３をこの順に形成する。平坦化層１３は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタリング法および各種印刷法等により形成することができる。平坦化層１３には接続孔を設けておく。

次いで、平坦化層１３上に導電膜を例えばスパッタ法により成膜したのち、これをフォトリソグラフィ工程によりパターニングして第１電極１４を形成する。続いて、第１電極１４上および平坦化層１３上に、例えばプラズマＣＶＤ法により例えば窒化シリコン膜を成膜した後、この窒化シリコン膜に開口を設けて隔壁１５を形成する。

続いて、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition
）により発光層を含む有機層１６および第２電極１７を素子基板１１上の表示領域１１０（図２）の全面に形成する（図６Ａ）。有機層１６および第２電極１７は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。レーザ転写法は、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層１６との積層構造にレーザを照射し、有機層１６を素子基板１１に転写する方法である。

第２電極１７を設けた後、この第２電極１７に電気的に接続させてピラー１８を形成する（図６Ｂ）。ピラー１８は、液晶ディスプレイなどでフォトスペーサーとして用いられている技術を転用して形成すればよい。具体的には、まず、例えばアクリル樹脂等を第２電極１７上に塗布した後、フォトリソグラフィ工程を用いてこれを所望の形状に成型する。この後、成形した樹脂上を含む第２電極１７の全面に例えばスパッタ法によりＩＴＯを成膜することにより、ピラー１８が形成される。

[封止パネル２０の製造方法]
表示装置１の封止パネル２０は、例えば以下のようにして形成する（図７）。まず、封止基板２１の全面にブラックマトリクス２２の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングすることで、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて開口を複数形成する。次いで、このブラックマトリクス２２を設けた封止基板２１上に赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを順次パターニングしてカラーフィルタ２３を形成する。続いて、封止基板２１の全面にオーバーコート層（図示せず）を成膜した後、オーバーコート層上に補助電極２４を形成する。補助電極２４は、例えば、以下のように形成する。まず、樹脂フィルム上に例えばスパッタ法または蒸着法により０．０１μｍ〜５μｍの導電材料を成膜して膜２４−１，２４−２，２４−３を各々形成する。次いで、図９Ａ，図９Ｂに示したように、これら膜２４−１，２４−２，２４−３各々の間にシール材２５（図４）を間にして重ねることにより補助電極２４が形成される。以上の工程により、封止パネル２０が完成する。

[素子パネル１０と封止パネル２０との貼り合わせ工程]
上記のようにして形成した素子パネル１０と封止パネル２０とは、封止層１９を間にして例えばＯＤＦ（One Drop Fill）工程により貼り合わされる（図８Ａ，図８Ｂ）。具体的には、真空チャンバ内に一対の上プレートおよび下プレート（図示せず）を準備し、上プレートにおける下プレートと対向する面に封止パネル２０を、下プレートにける上プレートと対向する面に素子パネル１０を、それぞれ固定する。次いで、素子パネル１０に封止層１９を形成するための樹脂を滴下する。続いて、真空チャンバ内で素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせたのち、チャンバ内を窒素（Ｎ₂）雰囲気にして、素子パネル１０と封止パネル２０とを押し付ける。これにより、ピラー１８が補助電極２４の膜２４−１，２４−２，２４−３に接するようになる。その後、この状態で樹脂を硬化させて封止層１９を形成する。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。

[表示装置１の動作]
表示装置１では、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極１４および第２電極１７を通じて、有機層１６に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層１６に含まれる発光層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。この光は、第２電極１７，カラーフィルタ２３および封止基板２１を透過して外部へ取り出される。このようにして、表示装置１では、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。また、この映像表示動作の際に容量素子Ｃｓの一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、容量素子Ｃｓには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。

[表示装置１の作用・効果]
表示装置１では、複数の膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）を積層することにより補助電極２４が構成されている。これにより、ピラー１８を介して補助電極２４と第２電極１７とを接触させる際の他の部材への衝撃が弱められる。以下、これについて説明する。

図１０Ａ，図１０Ｂは比較例に係る表示装置の封止パネル２０と素子パネル１０との貼り合わせ工程を表している。この封止パネル２０は、単膜の補助電極（補助電極１２４）を有している。ピラー１８は、封止パネル２０および素子パネル１０のどちらに形成しておいてもよいが、以下、封止パネル２０に形成した場合について説明する。

ピラー１８の長さにばらつきがある場合、単膜の補助電極１２４では、ピラー１８を第２電極１７に接触させる際の衝撃が吸収されにくいので、この衝撃が他の部材、例えば、素子基板１１および封止基板２１に直接伝わり、これらを損傷させる虞がある。具体的には、相対的に短いピラー１８（図１０Ａ，図１０Ｂのピラー１８Ｓ）が第２電極１７に接するように、封止パネル２０と素子パネル１０とを近づけると、相対的に長いピラー１８（図１０Ａ，図１０Ｂのピラー１８Ｌ）は、第２電極１７（素子パネル１０）を強く押圧することになる。これにより、素子基板１１に圧力がかかると共に、その反発力により、封止基板２１にも圧力がかかる。このような圧力により、素子基板１１および封止基板２１が損傷する虞がある。一方、相対的に長いピラー１８Ｌに合わせて、封止パネル２０と素子パネル１０との間の距離を調整すると、相対的に短いピラー１８Ｓが第２電極１７に接触せず、第２電極１７と補助電極１２４との間の接続不良が生じる虞がある。

これに対し、表示装置１では、補助電極２４が複数の膜２４−１，２４−２，２４−３を積層することにより構成されているので、素子パネル１０に形成したピラー１８が補助電極２４に接触する際（図８Ａ，図８Ｂ）の衝撃は、膜２４−３から膜２４−２へ、膜２４−２から膜２４−１へと伝わる間に徐々に減衰していく。特に、各々の膜２４−１，２４−２，２４−３の間に間隙Ｓが設けられていると、大きく減衰する。即ち、ピラー１８を介して補助電極２４と第２電極１７とを接触させる際の他の部材への衝撃が弱められる。したがって、単膜の補助電極１２４を設けた場合と比べて、素子基板１１および封止基板２１にかかる圧力が弱まり、これらの損傷を防ぐことができる。

また、複数の膜２４−１，２４−２，２４−３からなる補助電極２４では、各々の膜２４−１，２４−２，２４−３の厚みを単膜の補助電極１２４の厚みに比べて小さくし、ピラー１８が膜２４−２，２４−３を貫通し易くすることが可能となる。これにより、ピラー１８の高さにばらつきがあり、相対的に長いピラー１８が補助電極２４を強く押圧した場合に、この力が封止基板２１および素子基板１１に伝わる前に、膜２４−２，２４−３（あるいは膜２４−３）が裂け、ピラー１８が膜２４−２，２４−３を貫通するようになる。したがって、ピラー１８からの圧力が、素子基板１１および封止基板２１に伝わる前に開放され、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐことができる。

更に、相対的に長いピラー１８が膜２４−２，２４−３（あるいは膜２４−３）を貫通するので、相対的に短いピラー１８は膜２４−１（あるいは膜２４−２）に接触し易くなる。ピラー１８は膜２４−１，２４−２，２４−３のいずれかに接すればよいので、ピラー１８と補助電極２４との電気的な接続、即ち、第２電極１７と補助電極２４との電気的な接続を確保し易くなる。これにより、補助電極２４が十分に機能するようになり、電圧降下に起因した表示領域１１０内の輝度ムラを防ぐことができる。よって、表示画質を向上させることが可能となる。

以上のように、表示装置１では、補助電極２４を複数の膜２４−１，２４−２，２４−３を積層させて構成するようにしたので、ピラー１８を介して補助電極２４と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が各々の膜２４−１，２４−２，２４−３を伝わるうちに徐々に減衰する。よって、例えば素子基板１１および封止基板２１等の他の部材に伝わる衝撃が弱まり、これらの損傷を防ぐことができる。

以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

＜変形例１＞
図１１は上記第１の実施の形態の変形例（変形例１）に係る表示装置の補助電極（補助電極２４Ａ）を表している。この補助電極２４Ａは、上記補助電極２４と同様に複数の膜（膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３）を含んでいるが、これらの膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３では、ヤング率または膜密度が互いに異なっている。この点を除き、補助電極２４Ａは補助電極２４と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

補助電極２４Ａは、封止基板２１に近い位置から、膜２４Ａ−１、膜２４Ａ−２および膜２４Ａ−３がこの順に積層されたものである。これらの膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３のヤング率は例えは５０００Ｎ／ｍｍ²〜５００００Ｎ／ｍｍ²であり、膜２４Ａ−１のヤング率、膜２４Ａ−２のヤング率、および膜２４Ａ−３のヤング率の順に小さくなっていることが好ましい（ヤング率：膜２４Ａ−１＞膜２４Ａ−２＞膜２４Ａ−３）。即ち、膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３のヤング率は、封止基板２１から素子基板１１に向かうに連れて小さくなることが好ましい。例えば、アルミニウムを含む膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３では、銅あるいはニッケル等を添加して膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３各々のヤング率を調整することが可能である。このように、膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３のヤング率を調整すると、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ａ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ａ−１が裂けにくくなる。これにより、ピラー１８（図８Ａ，図８Ｂ）から力が加えられた場合に、補助電極２４Ａでは、膜２４Ａ−３が裂けてこの力を開放しつつ、膜２４Ａ−１で補助電極２４Ａとピラー１８との接続が確保され易くなる。よって、このような補助電極２４Ａを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ａと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる

あるいは、膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３の膜密度が互いに異なるようにしてもよい。例えば、膜２４Ａ−１の膜密度、膜２４Ａ−２の膜密度、および膜２４Ａ−３の膜密度の順に小さくなっていることが好ましい（膜密度：膜２４Ａ−１＞膜２４Ａ−２＞膜２４Ａ−３）。即ち、膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３の膜密度は、封止基板２１から素子基板１１に向かうに連れて小さくなることが好ましい。例えば、成膜条件を変えることにより、膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３の膜密度を調整することが可能である。このように膜２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３の厚みを調整することにより、ヤング率を調整した場合と同様に、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ａ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ａ−１が裂けにくくなる。よって、このような補助電極２４Ａを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ｂと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる。

＜変形例２＞
図１２に示したように、補助電極（補助電極２４Ｂ）を構成する膜（膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３）の厚みが互いに異なるようにしてもよい（変形例２）。

補助電極２４Ｂは、封止基板２１に近い位置から、膜２４Ｂ−１、膜２４Ｂ−２および膜２４Ｂ−３がこの順に積層されたものであり、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３は例えば互いに同じ材料により構成されている。これらの膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みの大きさは、膜２４Ｂ−１、膜２４Ｂ−２、および膜２４Ｂ−３の順に小さくなっていることが好ましい（厚み：膜２４Ｂ−１＞膜２４Ｂ−２＞膜２４Ｂ−３）。即ち、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みは、封止基板２１から素子基板１１に向かうに連れて小さくなることが好ましい。例えば、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みを各々、２．５μｍ〜４．０μｍ、１．２μｍ〜２．０μｍ、０．５μｍ〜０．８μｍとすればよい。このように膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みを調整することにより、変形例１と同様に、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ｂ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ｂ−１が裂けにくくなる。よって、このような補助電極２４Ｂを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ｂと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる。

＜変形例３＞
図１３は上記第１の実施の形態の変形例（変形例３）に係る表示装置の補助電極（補助電極２４Ｃ）の平面構成を表している。この補助電極２４Ｃは、複数の開口２４Ｍを有するものである。この点を除き、補助電極２４Ｃは補助電極２４と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

補助電極２４Ｃは、図１４に示したように、複数の膜（膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３）を含んでおり、これらの膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３は、封止基板２１に近い位置から、膜２４Ｃ−１、膜２４Ｃ−２および膜２４Ｃ−３の順に積層されている。補助電極２４Ｃの開口２４Ｍは、例えば、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域に対向する位置に設けられ、マトリクス状に配置されている。このような開口２４Ｍを有する膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３には、光透過性の低い材料を用いるようにしてもよい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、ＳＵＳ（Steel Use Stainless）およびコバルト（Ｃｏ）等により膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３を構成することが可能である。アルミニウムは比較的酸化しやすいので、表面をモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等で被覆して膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３を構成することが好ましい。

膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３は各々開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３を有している。膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３の開口率の大きさは、膜２４Ｃ−１、膜２４Ｃ−２および膜２４Ｃ−３の順に大きくなっていることが好ましい。開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３の互いの開口の大きさを変えるようにしてもよく（図１４）、あるいは、膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３における開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３の互いの数を変えるようにしてもよい。これにより、変形例１と同様に、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ｃ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ｃ−１が裂けにくくなる。よって、このような補助電極２４Ｃを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ｃと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる。

開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３は、ピラー１８の外径（図１のＸＹ平面）よりも小さいことが好ましいが、開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３の位置が互いにずれていれば、ピラー１８の外径よりも大きくてもよい。また、膜２４Ｃ−１面内での開口２４Ｍ１、膜２４Ｃ−２面内での開口２４Ｍ２および膜２４Ｃ−３面内での開口２４Ｍ３の分布密度はそれぞれ一定であることが好ましい。

＜第２の実施の形態＞
図１５は本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２のピラー（ピラー２８）は、素子基板１１および封止基板２１の基板面（素子基板１１および封止基板２１の互いの対向面）に対して傾斜して配置されている。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

ピラー２８は、上記第１の実施の形態と同様に、補助電極（補助電極２６）と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを電気的に接続するためのものである。補助電極２６は例えば単膜構造を有しており、上述の材料により構成されている。表示装置２のピラー２８は、その長さ方向（長軸方向）の直線が素子基板１１（あるいは封止基板２１）の表面の垂線Ｈに対して角度θ（０°＜θ＜９０°）をなすよう設けられている。角度θは大きい方が好ましいが、ピラー２８の長さをＬとしたときに、Ｌ×ｓｉｎθが隔壁１５の幅を超えないように調整する。ピラー２８の、封止基板２１により近い位置の端部は、導電性樹脂層２７内に設けられている。

導電性樹脂層２７は、補助電極２６を覆うように設けられ、例えばポリイミド等の樹脂にカーボンナノチューブまたは金属等の導電性成分を分散させたものにより構成されている。導電性樹脂層２７に含まれる樹脂には粘度の高いものを用いることが好ましい。この導電性樹脂層２７により、素子基板１１（封止基板２１）に対して傾斜したピラー２８の配置が固定され、かつ、補助電極２６とピラー２８との電気的な接続が維持される。素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせる際（図８Ａ，図８Ｂ参照）に、ピラー２８に所定の大きさ以上の圧力が加わった場合、導電性樹脂層２７からピラー２８が外れるようになっていることが好ましい。このような導電性樹脂層２７のピラー２８に対する保持力は、導電性樹脂層２７の厚みおよび導電性樹脂層２７の構成材料等により調整すればよい。導電性樹脂層２７の厚みは例えば５μｍである。

ピラー２８は、例えば以下のようにして形成する（図１６）。

まず、上記第１の実施の形態で説明したのと同様にして、封止基板２１上に、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層および補助電極２６を形成する（図７参照）。次いで、補助電極２６上に導電性樹脂層２７を構成する導電性の樹脂を塗布した後、封止基板２１を水平面Ｈに対して角度θ傾斜させる。一方、ピラー２８は、例えば導電性の樹脂を柱状に成形して形成しておく。封止基板２１を傾斜させた後、このピラー２８を鉛直線Ｖに沿って、導電性の樹脂内に差し入れる。その後、この樹脂を光または熱を用いて硬化させて、導電性樹脂層２７を形成する。これにより、ピラー２８の端部が導電性樹脂層２７に埋設され、ピラー２８の位置が固定される。

このようなピラー２８では、ピラー２８の実際の長さＬに比べて、ピラー２８の素子基板１１および封止基板２１に対して垂直方向にピラー２８が占める距離（以下、見かけ上の長さと言う。）が短くなる。これにより、ピラー２８の長さＬのばらつきに比べて、ピラー２８の見かけ上の長さ（後述の図１７Ｂの長さＬ'）のばらつきが小さくなる。以下、これについて説明する（図１７Ａ，図１７Ｂ）。

図１７Ａは、ピラー（ピラー１２８）を、その長さ方向が封止基板２１の基板面に対して垂直になるように配置した模式図である。このようなピラー１２８で、その実際の長さＬが−１０％（０．９×Ｌ）〜＋１０％（１．１×Ｌ）の範囲でばらつくとすると、封止基板２１に対して垂直方向にピラー１２８が占める距離のばらつきは、実際の長さＬのばらつきと同じである。即ち、ピラー１２８の見かけ上の長さのばらつきは、０．９×Ｌ〜１．１×Ｌである。素子基板１１および封止基板２１にかかる圧力は、素子基板１１および封止基板２１間の垂直距離のばらつき、換言すればピラー１２８の見かけ上の長さのばらつきが大きくなるにつれ、大きくなる。

一方、封止基板２１に対して垂直方向から角度θ傾けるようにしてピラー２８を配置すると（図１７Ｂ）、ピラー２８の見かけ上の長さＬ’は、以下の式（１）のように表される。したがって、ピラー２８の実際の長さＬが−１０％（０．９×Ｌ）〜＋１０％（１．１×Ｌ）の範囲でばらつくとすると、ピラー２８の見かけ上の長さＬ’のばらつきは、０．９×Ｌ×ｃｏｓθ〜１．１×Ｌ×ｃｏｓθである。ｃｏｓθ＜１であるから、ピラー２８の見かけ上の長さＬ’のばらつきは、ピラー１２８の見かけ上の長さのばらつき（あるいはピラー２８の実際の長さＬのばらつき）よりも小さくなる。
（数１）
Ｌ’＝Ｌ×ｃｏｓθ ・・・・・（１）

このように、ピラー２８では見かけ上の長さＬ’のばらつきが、実際の長さＬのばらつきよりも小さくなるので、ピラー２８を介して補助電極２６と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際に、素子パネル１０および封止パネル２０に加えられる力が抑えられる。即ち、ピラー２８を形成する際の他の部材への衝撃が弱められる。よって、素子基板１１および封止基板２１等の他の部材の損傷を防ぐことができる。

更に、ピラー２８は素子基板１１および封止基板２１の基板面に対して傾斜しているので、ピラー２８に加えられた力は基板面に対して垂直な成分と平行な成分とに分解される。よって、基板面に対して垂直にピラー（図１７Ａのピラー１２８）を配置した場合に比べて、素子基板１１および封止基板２１にかかる力が弱くなる。

＜変形例４＞
図１８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７上に導電性樹脂層（導電性樹脂層２７Ａ）を設け、この導電性樹脂層２７Ａに、ピラー２８の素子基板１１に近い位置の端部を埋設するようにしてもよい。このピラー２８は、例えば、素子基板１１を水平面に対して傾斜させた後、鉛直線に沿って、導電性樹脂層２７Ａ内に埋設されたものである。

ピラー２８の両方の端部（封止基板２１に近い位置の端部と素子基板１１に近い位置の端部）を導電性樹脂層２７，２７Ａ（図１５，図１８）内に設けるようにしてもよい。

＜変形例５＞
図１９は変形例５に係る表示装置（表示装置２Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置２Ａは、素子基板１１および封止基板２１の基板面に対して傾斜したピラー２８と共に、複数の膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）からなる補助電極２４を有するものである。この点を除き、表示装置２Ａは表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

このような、表示装置２Ａでは、ピラー２８の見かけ上の長さのばらつきが抑えされると共に、ピラー１８を介して補助電極２４と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が各々の膜２４−１，２４−２，２４−３を伝わるうちに徐々に減衰する。よって、ピラー２８を形成する際の他の部材への衝撃をより弱めることができる。

＜第３の実施の形態＞
図２０は本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３の封止パネル２０は、封止基板２１と補助電極２６との間に緩衝層３１を有している。この点を除き、表示装置３は表示装置１，２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

緩衝層３１は、例えば、封止基板２１の全面にわたり、封止基板２１とブラックマトリクス２２およびカラーフィルタ２３との間に設けられている。補助電極２６とブラックマトリクス２２およびカラーフィルタ２３との間に緩衝層３１を設けることも可能である。緩衝層３１には、光透過性が高く、かつ、弾性または粘弾性の高い材料を用いることが好ましい。ここで、弾性とは外力を与えると力の方向に変形し、外力を除くと原形に回復する性質をいい。粘弾性とは外力を与えると時間経過に伴って変形し、外力を除くと原形付近まで回復してひずみが残る性質をいう。具体的には、緩衝層３１には例えば、１μｍ程度の厚みのフェノール樹脂およびポリイミド等の樹脂材料を用いることができる。低応力（例えば±３０ＭＰａ以内）の酸化シリコン（ＳｉＯ），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ），窒化シリコン（ＳｉＮ），炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）および炭化ケイ素（ＳｉＣ）等により緩衝層３１を構成するようにしてもよい。

緩衝層３１は、例えば、封止基板２１上に塗布法により樹脂材料を設けて形成する。蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法等により、緩衝層３１を形成するようにしてもよい。緩衝層３１を設けた後、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３、オーバーコート層２４および補助電極２６をこの順に形成して封止パネル２０を完成させる。

表示装置３では、ピラー１８を介して補助電極２６と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が、緩衝層３１に吸収される。以下、これについて説明する（図２１Ａ，図２１Ｂ）。なお、ピラー１８は、封止パネル２０および素子パネル１０のどちらに形成しておいてもよいが、以下、封止パネル２０に形成して、ピラー１８を第２電極１７に接触させる場合について説明する（図２１Ａ）。

この表示装置３では、ピラー１８が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７に接触する際、ピラー１８の長さにばらつきがあっても、より長いピラー１８に対向する部分の緩衝層３１が変形し、接触時の衝撃を吸収する（図２１Ｂ）。したがって、他の部材への衝撃が抑えられると共に、より短いピラー１８を第２電極１７に接触させることが可能となる。よって、表示装置３では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、ピラー１８を介した補助電極２６と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる

＜変形例６＞
図２２は変形例６に係る表示装置（表示装置３Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置３Ａは、緩衝層３１と共に、素子基板１１および封止基板２１の基板面に対して傾斜したピラー２８を有するものである。この点を除き、表示装置３Ａは表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

このような表示装置３Ａでは、ピラー２８を介して補助電極２６と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が緩衝層３１に吸収されると共に、ピラー２８の見かけ上の長さのばらつきが小さくなる。よって、ピラー２８を形成する際の他の部材への衝撃をより弱めることができる。

＜変形例７＞
図２３は変形例７に係る表示装置（表示装置３Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置３Ｂは、緩衝層３１と共に、複数の膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）からなる補助電極２４を有するものである。この点を除き、表示装置３Ｂは表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

このような表示装置３Ｂでは、ピラー１８を介して補助電極２４と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が緩衝層３１に吸収されると共に、各々の膜２４−１，２４−２，２４−３を伝わるうちに徐々に減衰する。よって、ピラー１８を形成する際の他の部材への衝撃をより弱めることができる。

＜変形例８＞
図２４は変形例８に係る表示装置（表示装置３Ｃ）の断面構成を表したものである。この表示装置３Ｃは、緩衝層３１と共に、複数の膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）からなる補助電極２４および素子基板１１および封止基板２１の基板面に対して傾斜したピラー２８を有するものである。この点を除き、表示装置３Ｃは表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

このような表示装置３Ｃでは、ピラー２８を介して補助電極２４と有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７とを接触させる際の衝撃が緩衝層３１に吸収されると共に、各々の膜２４−１，２４−２，２４−３を伝わるうちに徐々に減衰する。更に、ピラー２８の見かけ上の長さのばらつきが小さくなる。よって、ピラー２８を形成する際の他の部材への衝撃をより弱めることができる。

＜適用例＞
以下、上記のような表示装置（表示装置１，２，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

［モジュール］
上記表示装置は、例えば図２５に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、素子パネル１０または封止パネル２０の一辺に、封止用基板２１または素子基板１１から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源線供給回路１４０の配線を延長して外部接続端子（第１周辺電極および第２周辺電極等）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。

［適用例１］
図２６Ａおよび図２６Ｂはそれぞれ、上記実施の形態等の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例２］
図２７は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例３］
図２８は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例４］
図２９Ａ，図２９Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例５］
図３０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例６］
図３１は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

［適用例７］
図３２Ａ，図３２Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが共通の有機層１６を有する場合を例に挙げて説明したが、有機層１６のうちのいずれかの層が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通していてもよく、あるいは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に有機層１６が塗り分けられていてもよい。

また、上記実施の形態等では、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層させて白色光を発生させる場合について説明したが、発光層の構成はどのようなものであってもよく、例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層させるようにしてもよい。

更に、上記実施の形態等では、カラーフィルタ２３として赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを設けて、赤色、緑色および青色のサブピクセルを配置する場合について説明したが、これに加えて白色フィルタまたは黄色フィルタを設けるようにしてもよい。

加えて、上記実施の形態等では、補助電極２４（または補助電極２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ）が３つの膜（膜２４−１，２４−２，２４−３）を有する場合について説明したが、補助電極２４は２つの膜により構成されていてもよく、あるいは４つ以上の膜で構成されていてもよい。更に、補助電極２４Ａでは膜のヤング率または膜密度が、補助電極２４Ｂでは膜の厚みが各々異なる場合を例示したが、補助電極の膜のヤング率および膜密度が互いに異なるようにしてもよく、あるいは、ヤング率または膜密度と共に膜の厚みが互いに異なるようにしてもよい。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備えた表示装置。
（２）前記表示素子は前記第１電極と第２電極との間に発光層を含み、前記第１基板上に前記第１電極、発光層および第２電極をこの順に有している前記（１）記載の表示装置。
（３）前記ピラーの一端部は前記複数の膜のうちの少なくとも一つに接し、前記ピラーの他端部は前記第２電極に接している前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記補助電極に含まれる膜の厚みは、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記補助電極に含まれる膜の密度は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記補助電極に含まれる膜のヤング率は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記補助電極に含まれる膜の各々が複数の開口を有する前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）各々の前記膜の開口率は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて大きくなる前記（７）に記載の表示装置。
（９）前記補助電極は各々の膜の間に間隙を有している前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記補助電極に含まれる複数の膜は互いに固定されている前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記ピラーは、前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置されている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）更に、前記補助電極と前記第２基板との間に緩衝膜を有する前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置され、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備えた表示装置。
（１４）前記ピラーの一端部は前記第１基板および第２基板の少なくとも一方に設けられた樹脂層内に設けられている前記（１３）に記載の表示装置。
（１５）更に、前記補助電極と前記第２基板との間に緩衝膜を有する前記（１３）または（１４）に記載の表示装置。
（１６）互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、前記補助電極と前記第２基板との間の緩衝膜と、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備えた表示装置。
（１７）前記緩衝膜は樹脂材料を含む前記（１６）に記載の表示装置。
（１８）表示装置を備え、前記表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを含む電子機器。
（１９）表示装置を備え、前記表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置され、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを含む電子機器。
（２０）表示装置を備え、前記表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、前記補助電極と前記第２基板との間の緩衝膜と、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを含む電子機器。

１…表示装置、１０…素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…素子基板、１２…ＴＦＴ層、１３…平坦化層、１４…第１電極、１５…隔壁、１６…有機層、１７…第２電極、１８，２８…ピラー、１９…封止層、２０…封止パネル、２１…封止基板、２２…ブラックマトリクス、２３…カラーフィルタ、２４，２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２６…補助電極、２４−１，２４−２，２４−３，２４Ａ−１，２４Ａ−２，２４Ａ−３，２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３，２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３…膜、２５…シール材、２７，２７Ａ…導電性樹脂層、３１…緩衝層、１１０Ａ…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…電源供給線駆動回路、１５０…画素駆動回路。

Claims (16)

1. 互いに対向する第１基板および第２基板と、
   前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、
   前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、
   前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備え、
   前記補助電極は各々の膜の間に間隙を有している
   表示装置。
2. 前記表示素子は前記第１電極と第２電極との間に発光層を含み、前記第１基板上に前記第１電極、発光層および第２電極をこの順に有している
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記ピラーの一端部は前記複数の膜のうちの少なくとも一つに接し、前記ピラーの他端部は前記第２電極に接している
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記補助電極に含まれる膜の厚みは、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる
   請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の表示装置。
5. 前記補助電極に含まれる膜の密度は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる
   請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の表示装置。
6. 前記補助電極に含まれる膜のヤング率は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて小さくなる
   請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の表示装置。
7. 互いに対向する第１基板および第２基板と、
   前記第１基板上に設けられ、第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を有する表示素子と、
   前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、
   前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備え、
   前記補助電極に含まれる膜の各々が、前記発光層からの光が取り出される開口を複数有し、
   各々の前記膜の開口率は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて大きくなる
   表示装置。
8. 前記補助電極に含まれる複数の膜は互いに固定されている
   請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の表示装置。
9. 前記ピラーは、前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置されている
   請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の表示装置。
10. 更に、前記補助電極と前記第２基板との間に緩衝膜を有する
    請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の表示装置。
11. 互いに対向する第１基板および第２基板と、
    前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、
    前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、
    前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置され、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーと
    を備えた表示装置。
12. 前記ピラーの一端部は前記第１基板および第２基板の少なくとも一方に設けられた樹脂層内に設けられている
    請求項１１記載の表示装置。
13. 更に、前記補助電極と前記第２基板との間に緩衝膜を有する
    請求項１１記載の表示装置。
14. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    互いに対向する第１基板および第２基板と、
    前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、
    前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、
    前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを含み、
    前記補助電極は各々の膜の間に間隙を有している
    電子機器。
15. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    互いに対向する第１基板および第２基板と、
    前記第１基板上に設けられ、第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極との間の発光層を有する表示素子と、
    前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられ、前記第２基板から前記第１基板に向かう方向に積層された複数の膜を含む補助電極と、
    前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを備え、
    前記補助電極に含まれる膜の各々が、前記発光層からの光が取り出される開口を複数有し、
    各々の前記膜の開口率は、前記第２基板から前記第１基板に向かうに連れて大きくなる
    電子機器。
16. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    互いに対向する第１基板および第２基板と、
    前記第１基板上の、第１電極および第２電極を有する表示素子と、
    前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた補助電極と、
    前記第１基板および前記第２基板の面に対して傾斜して配置され、前記補助電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数のピラーとを含む
    電子機器。

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