TWI440210B - 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
本發明標的有關於發光器、包括此種發光器之系統、以及製造此等發光器與系統之方法。在一些觀點中，本發明標的有關於發光裝置外部互連陣列。
截至目前為至止，對於發光二極體裝置與發光二極體封裝(LED)(其較為晶片特定而非封裝特定)之最高光線擷取，通常具有相較於“功率晶片”(~0.9-1mmx0.9-1mm之發光二極體裝置)為小之發光二極體裝置(~300μmx300μm)。
圖1為具有兩個“頂面”接觸之傳統InGaN發光二極體之概要說明。此發光二極體典型地包括一基板，例如為藍寶石或SiC基板。此基板可以為絕緣或半絕緣。一或多個緩衝層設置在此基板上。此(等)緩衝層可以例如為AlN、GaN、及/或AlGaN所形成。一n型GaN接觸層設置在此(等)緩衝層上。量子井層典型地是由非常薄的InGaN與InAlGaN所形成，而設置在此n型接觸層上。一p型GaN接觸層設置在此等量子井層上。在此p型接觸層中設有一開口，以提供一曝露n接觸區，且設置量子井層與一n型接觸。一p型接觸區設置在p型GaN接觸層上。此裝置之周圍可以藉由蝕刻溝渠、與設置在此裝置活性層之曝露表面上之鈍化/保護層所界定。此鈍化/保護層可以例如由SiO2 或SiN 所形成之絕緣層。發光二極體典型地形成於晶圓上，且然後被單一化成為個別晶粒，而用於隨後之封裝或表面安裝。氮化物為主之發光二極體，以及尤其是以多量子井氮化物為主之發光二極體，為熟習此技術人士所知。請參考例如美國專利No.6,958,497。
目前正在進行努力以發展一些方式，藉由此等方式可以使用發光器以取代在廣泛種類應用中之白熾燈、螢光燈、以及其他光線產生裝置。此外，當已經正在使用發光二極體(或其他固態發光器)時，目前正在努力以提供具有改善能量效率之發光二極體(或其他固態發光器)。
各種努力是針對改善在共同基板上之發光二極體。例如：美國專利No.6,635,503說明發光二極體之叢集封裝；美國專利申請公開案號No.2003/0089918說明：寬光譜發光裝置、與用於製造寬光譜發光裝置之方法與系統；美國專利No.6,547,249說明：形成於高度電阻性基板上之單體式串聯/並聯發光二極體陣列；美國專利No.7,009,199說明電子裝置，其具有頭部與逆並聯發光二極體，用於由AC電流產生光線；美國專利No.6,885,035說明多晶片半導體發光二極體組件；美國專利No.7,213,942與7,221,044各說明單晶片整合發光二極體，其適合以高AC或DC電壓直接使用；美國專利申請公開案號No.2005/0253151說明一種在 高驅動電壓與小驅動電流上操作之發光裝置；日本專利公開案號No.2001-156331說明形成於相同基板上之複數個氮化物半導體層，而此等層彼此電性隔離，且各氮化物半導體層以一導線而電性連接；日本專利公開案號No.2001-307506說明形成於相同半導體基板上之兩個或更多發光二極體；以及美國專利申請公開案號No.2007/0202623說明一種晶圓層級封裝，用於非常小台面面積(footprint)與低輪廓之白色發光二極體裝置。
有關此問題：“功率晶片”(較大面積之發光二極體裝置)在一給定之發光二極體照明(照亮)應用中是否有意義，應以“系統層級”觀之。這即是，必須考慮“晶片”(發光二極體裝置)的效率、封裝效率、驅動器(AC至DC轉換)效率、以及光學效率。
用於包括發光二極體裝置之發光器之驅動技術之最佳性能表現在於具有：相較於“較低電壓、較高電流”之“較高電壓、較低電流”。典型的小發光二極體裝置可以在～20-30mA電流與～3V電壓操作，而典型的功率晶片可以在～350mA電流與3V電壓操作。
在較低驅動電流之經改良驅動器技術可以如同以下觀之：(a)在驅動器組件中會產生固定成本(功率降)。此等驅 動器組件是由“pn接面”所製成，以致於每一次將“接面”添加至驅動器技術中，則會有功率損耗。因此，可以將費用(此功率之固定成本)攤銷於各發光二極體裝置上，以致於發展至較高電壓串與許多發光二極體裝置之成本會低於：發展至較低電壓串與少許部件之成本。
(b)此與電流有關之功率損耗(在固定電阻)為I2 R。因此，較低電流之方式總可以達成較高效率。
由於此原因，對於“功率晶片技術”可以獲得80%-85%之驅動器效率，而對於標準發光二極體裝置技術可以獲得95%之驅動器效率。
本發明之標的提供一種發光器，其中發光器之起動(即，對其供應電力)可以起動包含於此發光器中多於一個發光裝置，即此等發光器並非此等個別可定址發光裝置之陣列(例如，在顯示器之類之情形中)。
在本發明之標的之第一觀點中，提供一種高電壓發光器，其包括：複數個發光裝置，其藉由在其上形成發光裝置之一共同基板而機械地互連；一互連底板，而複數個發光裝置機械地與電性地連接於此底板；其中，此等發光裝置藉由互連底板電性互連，以提供此等發光裝置之至少兩個串聯子集合之陣列，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
在本發明之標的之此觀點之大面積結構(以及其他，如 同以下說明)包括：在一陣列中電性連接之複數個發光裝置。此等陣列在此經常稱為包括“列”與“行”。根據本發明標的之此等陣列各具有之大小為：至少三行之發光裝置。在此陣列中各“列”為此等並聯發光裝置之子集合之一。在此陣列中各“行”包括：來自各此等子集合之發光裝置之一，即此陣列包括數個行，其數目等於各此等“列”(即，子集合)中發光裝置之數目。然而，本發明標的並不受限於此等發光器，其中各子集合包括相同數目之發光裝置；即本發明標的包括發光器，其中，一些或所有子集合包括不同數目之發光裝置。因此，此等陣列包括至少三行與至少兩列之發光裝置。
於以下美國專利申請案件中說明各種陣列：此共同讓予且同時提出申請之美國專利申請案號_____________，其標題名稱為"FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS"(代理人文件案號931_056 NP；發明人：Gerald H. Negley與Antony Paul van de Ven)；於2007年1月22日所提出申請之美國專利申請案號60/885,937，其標題名稱為"HIGH VOLTAGE SOLID STATE LIGHT EMITTER"(發明人：Gerald H. Negley；代理人文件案號931_056 PRO)；於2007年10月26日所提出申請之美國專利申請案號60/982,892，其標題名稱為"FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULE TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS"(發明人：Gerald H. Negley與Antony Paul van de Ven；代理人文件案號931_056 PRO2)；以及於2007年11月9日所提出申請之美國專利申請案號60/986,662(代理人文件案號931_056 PRO3)，其整個內容在此併入作為參考。
此陣列電性互連提供用於將在一列中的發光裝置之陽極(及/或陰極)電性連接在一起，且將陰極電性連接至相鄰列之發光裝置之陽極。此等行之數目是指發光裝置之數目(即，在此子集合中裝置之數目)，其陽極電性連接在一起。藉由將此種陣列中發光裝置電性連接，在陣列中任何列之一或更多個發光裝置之故障可以由此列中其他晶粒補償。類似地，藉由電性連接在此陣列中之發光裝置，則在此行中一或更多個發光裝置之故障亦可以由此陣列中其他發光裝置補償。較佳地，可以包括大數目之列，以使得此大面積多晶片發光器成為較高電壓發光器，以提供電阻損失之大幅降低。
在此所使用之用語“高電壓”意味著跨此發光器之電壓降係為：跨於包括發光器中此等發光裝置之一之電壓降之至少三倍，即：V≧至少三個串聯發光裝置之Vf 。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將此發光裝置陣列中之少於所有複數個發光裝置之發光裝置電性互連。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此互連底板包括：一底板基板；在此底板上之一絕緣層；以及在此絕緣層上導電元件之圖案，其被組態成將此等發光裝置之各接觸互連成為此等發光裝置之陣列。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此互連底板更包括設置在此底板基板與絕緣層間之映射層(mirrored layer)。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光裝置之所有電性互連是由導電元件之圖案所提供。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光裝置之互連之一部份是由導電元件之圖案所提供，以及互連之一部份是由在複數個發光裝置之共同基板上之導電元件所提供。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光裝置包括發光二極體裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光二極體裝置藉由至少一絕緣區域而互相隔離。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光二極體裝置藉由至少一溝渠而互相隔離。
陳述兩個或更多元件彼此“隔離”意味著：各元件並非彼此電性連接(雖然例如它們可能均與另一元件接觸)。
陳述兩個或更多元件各為一單一單體層之隔離區域(例 如，“第一n型區域、第二n型區域、第三n型區域、第四n型區域、第五n型區域、以及第六n型區域各為一單一單體n型層之隔離區域)，以及類似陳述，其意味著(至少)各此等元件(例如，各此等發光二極體裝置、或各此等第一至第六n型區域等)包含的結構特徵，由熟習此技術人士本質地瞭解此為形成作為單一整合單體層之結果，且稍後例如藉由形成一或更多溝渠、離子植入…等而彼此隔離，以致於電無法在各n型區域間直接傳導。類似陳述可以應用至在此所作之類似陳述，例如p型區域為一單一單體p型層之隔離區域…等。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等發光二極體裝置包括：側向裝置及/或垂直裝置，且在此等發光二極體裝置之相同側上具有陰極與陽極連接。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
在本發明標的之第二觀點中，提供一種高電壓發光器，其包括：第一複數個發光裝置，其藉由在其上形成此等發光裝置之第一共同基板而機械地互連；一互連底板，而複數個發光裝置機械地與電性地連接於此底板，此互連底板具有在其上之電路；以及其中，此等發光裝置藉由互連底板而電性互連，以提供一系列發光裝置之並聯子集合。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此陣列包 括發光裝置之至少兩個串聯子集合，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此電路包括電力供應電路，其被組態成供應電力至此等發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此電路包括：由此共同基板所機械地互連之複數個發光裝置以外之發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此電路包括：發光裝置，其並不為由第一共同基板機械地互連之第一複數個發光裝置；以及電力供應電路，其被組態成將電力供應至此等發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此電路包括複數個熔絲，其被組態成將此等複數個發光裝置之故障者選擇地隔離。
在本發明標的之第三觀點中，提供一種高電壓發光器，其包括：複數個第一發光裝置，其藉由在其上形成此等第一發光裝置之第一共同基板而機械地互連；複數個第二發光裝置，其藉由在其上形成此等第二發光裝置之第二共同基板而機械地互連； 其中，第一複數個發光裝置機械地與電性地連接第二複數個發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等第一與第二發光裝置電性地互連以提供一陣列，其包括一系列並聯發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此陣列包括此等發光裝置之至少兩個串聯之子集合，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光裝置包括發光二極體裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光二極體裝置為垂直發光二極體裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光二極體裝置為水平發光二極體裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括：複數個第三發光裝置，其藉由在其上形成第三發光裝置之第三共同基板而機械地互連；其中，第三複數個發光裝置機械地與電性地連接第二複數個發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此等第一及/或第二複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
在本發明標的之第四觀點中，提供一種高電壓發光器，其包括： 複數個發光裝置，其藉由一共同基板而機械地互連；以及用於機械地與電性地互連複數個發光裝置的機構，以提供此等發光裝置之至少兩個串聯子集合之陣列，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括用於選擇地互連複數個發光裝置的機構，以致於少於所有複數個發光裝置之發光裝置在此陣列中互連。
在本發明標的之第五觀點中，提供一種製造高電壓發光器之方法，其包括：提供複數個發光裝置，其藉由在其上形成發光裝置之共同基板而機械地互連；以及將共同基板安裝在互連底板上，以機械地且電性地連接複數個發光裝置，其中，此等發光裝置藉由互連底板而電性互連，以提供此等發光裝置之至少兩個串聯子集合之陣列，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
在本發明標的之第六觀點中，提供一種製造高電壓發光器之方法，其包括：提供第一複數個發光裝置，其藉由在其上形成發光裝置之第一共同基板而機械地互連；提供互連底板，此互連底板具有設置於其上之電路；以及將第一共同基板安裝於互連底板上，以機械地與電性 地連接此等發光裝置，以提供此包括一系列並聯發光裝置之陣列。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此方法更包括測試此等發光裝置之至少一個。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此方法更包括測試此等發光裝置之至少一個，且將此等發光裝置之一從該發光裝置解除電性連接。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將此等發光裝置之一解除電性連接之步驟是藉由將此等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸蝕刻而實施。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將此等發光裝置之一解除電性連接之步驟是藉由將絕緣材料塗佈在此等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸上而實施。
在本發明標的之第七觀點中，提供一種製造高電壓發光器之方法，其包括：提供複數個第一發光裝置，其藉由在其上形成第一發光裝置之第一共同基板而機械地互連；提供複數個第二發光裝置，其藉由在其上形成第二發光裝置之第二共同基板而機械地互連；以及將第一複數個發光裝置安裝在第二複數個發光裝置上，而將第一複數個發光裝置與第二複數個發光裝置電性地且機械地互連。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此方法更包括測試此等發光裝置之至少一個。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此方法更包括測試此等發光裝置之至少一個，且將此等發光裝置之一從該發光裝置解除電性連接。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將此等發光裝置之一解除電性連接之步驟是藉由將此等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸蝕刻而實施。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將此等發光裝置之一解除電性連接之步驟是藉由將絕緣材料塗佈在此等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸上而實施。
在本發明標的之第八觀點中，提供一種製造高電壓發光器之方法，其包括：測試在共同基板上各複數個發光裝置，以判斷是否其各具有短路故障；將經判斷為具有短路故障之此等複數個發光裝置之一些隔離；將複數個發光裝置安裝在互連底板上，以電性地連接此等複數個發光裝置之未隔離者。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此電性連接包括將此等複數個發光裝置之未隔離者連接成複數個發光裝置之並聯子集合之串聯之陣列。
在本發明標的之第九觀點中，提供一種發光器，其包括：一單體n型層；一單體p型層；以及 至少一第一互連元件，此n型層包括一第一n型區域、一第二n型區域、一第三n型區域、一第四n型區域、一第五n型區域、以及一第六n型區域，此第一n型區域、此第二n型區域、此第三n型區域、此第四n型區域、此第五n型區域、以及此第六n型區域各彼此隔離，此p型層包括一第一p型區域、一第二p型區域、一第三p型區域、一第四p型區域、一第五p型區域、以及一第六p型區域，此第一p型區域、此第二p型區域、此第三p型區域、此第四p型區域、此第五p型區域、以及此第六p型區域各彼此隔離，此第一n型區域與此第一p型區域一起包括一第一發光裝置，此第二n型區域與此第二p型區域一起包括一第二發光裝置，此第三n型區域與此第三p型區域一起包括一第三發光裝置，此第四n型區域與此第四p型區域一起包括一第四發光裝置，此第五n型區域與此第五p型區域一起包括一第五發光裝置，此第六n型區域與此第六p型區域一起包括一第六發 光裝置，此互連元件包括至少一互連元件第一n型接觸、一互連元件第二n型接觸、一互連元件第三n型接觸、一互連元件第一p型接觸、一互連元件第二p型接觸、以及一互連元件第三p型接觸，互連元件第一n型接觸電性連接至第一n型區域，互連元件第二n型接觸電性連接至第二n型區域，互連元件第三n型接觸電性連接至第三n型區域，互連元件第一p型接觸電性連接至第四p型區域，互連元件第二p型接觸電性連接至第五p型區域，互連元件第三p型接觸電性連接至第六p型區域，互連元件第一n型接觸電性連接至：互連元件第二n型接觸、互連元件第三n型接觸、互連元件第一p型接觸、互連元件第二p型接觸、以及互連元件第三p型接觸。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：第一n型區域之接觸表面、第二n型區域之接觸表面、第三n型區域之接觸表面、第四n型區域之接觸表面、第五n型區域之接觸表面、以及第六n型區域之接觸表面均與第一平面實質上共平面，第一p型區域之接觸表面、第二p型區域之接觸表面、第三p型區域之接觸表面、第四p型區域之接觸表面、第五p型區域之接觸表面、以及第六p型區域之接觸表面均與第二平面實質上共平面，互連元件第一n型接觸之接觸表面、互連元件第二n 型接觸之接觸表面、互連元件第三n型接觸之接觸表面均與第三平面實質上共平面，互連元件第一p型接觸之接觸表面、互連元件第二p型接觸之接觸表面、互連元件第三p型接觸之接觸表面均與第四平面實質上共平面，以及此第一平面實質上平行於第二平面，此第二平面實質上平行於第三平面，以及此第三平面實質上平行於第四平面。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括基板層，此n型層與p型層設置在此基板層與互連元件之間。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括基板層，此基板層設置介於p型層與互連元件之間。在本發明標的之第十觀點中，提供一種包括一n型層與p型層之發光器，此n型層包括：一第一n型區域、一第二n型區域、一第三n型區域、一第四n型區域、一第五n型區域、以及一第六n型區域，此第一n型區域、此第二n型區域、此第三n型區域、此第四n型區域、此第五n型區域、以及此第六n型區域藉由至少一隔離區域而各彼此隔離，此p型層包括：一第一p型區域、一第二p型區域、一第三p型區域、一第四p型區域、一第五p型區域、以及一第六p型區域， 此第一p型區域、此第二p型區域、此第三p型區域、此第四p型區域、此第五p型區域、以及此第六p型區域藉由至少一隔離區域而各彼此隔離，此第一n型區域與此第一p型區域一起包括一第一發光裝置，此第二n型區域與此第二p型區域一起包括一第二發光裝置，此第三n型區域與此第三p型區域一起包括一第三發光裝置，此第四n型區域與此第四p型區域一起包括一第四發光裝置，此第五n型區域與此第五p型區域一起包括一第五發光裝置，此第六n型區域與此第六p型區域一起包括一第六發光裝置，此發光器更包括一第一p接觸，其經由至少一個隔離區域之至少一部份而延伸，此第一p接觸電性連接至第一p型區域，此發光器更包括一第二p接觸，其經由至少一個隔離區域之至少一部份而延伸，此第二p接觸電性連接至第四p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括一基板，此n型層與此p型層安裝在基板上。
在根據本發明標的之第十一觀點中，提供一種包括一 n型層與p型層之發光器，n型層包括第一n型區域、第二n型區域、以及第三n型區域，第一n型區域、第二n型區域、以及第三n型區域各藉由至少一隔離區域而彼此隔離，此p型層包括第一p型區域、第二p型區域、以及第三p型區域，此第一p型區域、第二p型區域、以及第三p型區域各藉由至少一隔離區域而彼此隔離，第一n型區域與第一p型區域一起包括第一發光裝置，第二n型區域與第二p型區域一起包括第二發光裝置，第三n型區域與第三p型區域一起包括第三發光裝置，此第一發光器更包括一第一p接觸，其經由至少一個隔離區域之至少一部份而延伸，此第一p接觸電性連接至第一p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一p接觸亦電性連接至第二p型區域與第三p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括一基板，此n型層與此p型層安裝於此基板上。在本發明標的之第十二觀點中，提供一種照明元件，其包括：一第一發光器；一第二發光器；以及一互連元件；此第一發光器包括一第一n型層與一第一p型層， 此第一n型層包括一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，此第一發光器第一n型區域、此第一發光器第二n型區域、以及此第一發光器第三n型區域各藉由至少一第一發光器隔離區域而彼此隔離，此第一發光器第一p型層包括一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，此第一發光器第一p型區域、此第一發光器第二p型區域、以及此第一發光器第三p型區域各藉由至少一第一發光器隔離區域而彼此隔離，此第一發光器第一n型區域與此第一發光器第一p型區域一起包括第一發光裝置，此第一發光器第二n型區域與此第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，此第一發光器第三n型區域與此第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，此第一發光器包括第一發光器第一p接觸，其經由至少一第一發光器隔離區域之至少一部份而延伸，此第一發光器第一p接觸電性連接至第一發光器第一p型區域，此第二發光器包括一第二n型層與一第二p型層，此第二n型層包括第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、 以及第二發光器第三n型區域各藉由至少一第二發光器隔離區域而彼此隔離，此第二發光器p型層包括第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，第二發光器第一n型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域各藉由至少一第二發光器隔離區域而彼此隔離，第二發光器第一n型區域、第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器第二n型區域、第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器第三n型區域、第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，第二發光器包括第二發光器第一p接觸，其經由第二發光器隔離區域之至少一部份而延伸，此互連元件提供：第一發光器第一n型區域與第二發光器第一p型區域間之電性連接，第一發光器第二n型區域與第二發光器第二p型區域間之電性連接，以及第一發光器第三n型區域與第二發光器第三p型區域間之電性連接。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此互連元件設置在第一發光器與第二發光器之間。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，將第一發光器與第二發光器設置在此互連元件之相同側。
在本發明標的之第十三觀點中，提供一種照明裝置，其包括：一第一發光器；以及一第二發光器；此第一發光器包括一第一發光器n型層與一第一發光器p型層，此第一發光器n型層包括一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，此第一n型區域、此第二n型區域、以及此第三n型區域各彼此隔離，此第一發光器p型層包括第一發光器第一p型區域、第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域、此第一p型區域、第二p型區域、以及第三p型區域各彼此隔離，第一發光器第一n型區域與第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，第一發光器第二n型區域與第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，第一發光器第三n型區域與第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，第二發光器包括第二發光器n型層、與第二發光器p型層， 第二發光器n型層包括第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，此第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域各彼此隔離，第二發光器p型層包括第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，此第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域各彼此隔離，第二發光器第一n型區域與第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器第二n型區域與第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器第三n型區域與第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，第一發光器第一n型區域電性連接至第二發光器第一p型區域，第一發光器第二n型區域電性連接至第二發光器第二p型區域，第一發光器第三n型區域電性連接至第二發光器第三n型區域，第一發光器第一n型區域電性連接至第一發光器第二n型區域、與第一發光器第三n型區域，以及第二發光器第一n型區域電性連接至第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一發光器與第二發光器相對於彼此設置，以致於第一發光裝置第一n型區域、第一發光裝置第二n型區域、以及第一發光裝置第三n型區域面對：第二發光裝置第一p型區域、第二發光裝置第二p型區域、以及第二發光裝置第三p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一發光器n型層之表面與第二發光器p型層之表面實質上彼此平行。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此照明裝置更包括一n接觸，其電性連接至第一發光裝置第一n型區域、第一發光裝置第二n型區域、以及第一發光裝置第三n型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此照明裝置更包括一p接觸，其電性連接至第二發光裝置第一p型區域、第二發光裝置第二p型區域、以及第二發光裝置第三p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括至少一熔絲連接，其與此等發光裝置之至少之一電性串聯。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此發光器更包括至少一用於斷開與此等發光裝置之至少一個之導電串聯的機構。
在本發明標的之第十四觀點中，提供一種照明裝置， 其包括：一第一發光器；以及一第二發光器；此第一發光器包括一第一n型層與一第一p型層，此第一n型層與此第一p型層一起包括一第一發光裝置，此第二發光器包括一第二n型層與一第二p型層，此第二n型層與此第二p型層一起包括一第二發光裝置，此第一n型層電性連接至第二p型層，第一發光器與第二發光器相對於彼此設置，以致於第一n型層面對第二p型層。在此使用之用語“面對”作為動詞(例如，在前一句中)，其意味著如果去除中介結構，則面對第二結構之結構將可“看到”此第二結構(例如，朝向彼此且平行、或一起界定一15度之角度的此等表面，它們彼此“面對”)。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一n型層之表面與第二p型層之表面實質上彼此平行。
在根據本發明標的之第十五觀點中，提供一種照明裝置，其包括：一第一發光器；一第二發光器；以及一互連元件；此第一發光器包括一第一發光器n型層與一第一發光 器p型層，此第一發光器n型層包括一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，此第一發光器第一n型區域、第一發光器第二n型區域、以及第一發光器第三n型區域各彼此隔離，此第一發光器p型層包括第一發光器第一p型區域、第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，此第一發光器第一p型區域、第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域各彼此隔離，第一發光器第一n型區域與第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，第一發光器第二n型區域與第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，第一發光器第三n型區域與第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，第二發光器包括：第二發光器n型層、與第二發光器p型層，此第二發光器n型層包括：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，此第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域各彼此隔離，此第二發光器p型層包括第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，此第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、 以及第二發光器第三p型區域各彼此隔離，第二發光器第一n型區域與第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器第二n型區域與第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器第三n型區域與第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，此互連元件：在第一發光器第一n型區域與第二發光器第一p型區域之間提供電性連接，在第一發光器第二n型區域與第二發光器第二p型區域之間提供電性連接，在第一發光器第三n型區域與第二發光器第三p型區域之間提供電性連接，以及在第一發光器第一n型區域、第一發光器第二n型區域、以及第一發光器第三n型區域之間提供電性連接，此第一發光器第一p型區域電性連接至：第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，以及在第二發光器第一n型區域電性連接至：第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此互連元件是設置在第一發光器n型層與第二發光器p型層之間。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一發光器與第二發光器相對於彼此而設置，以致於第一發光裝 置第一n型區域、第一發光裝置第二n型區域、以及第一發光裝置第三n型區域面對：第二發光裝置第一p型區域、第二發光裝置第二p型區域、以及第二發光裝置第三p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，第一發光器n型層之表面與第二發光器p型層之表面實質上彼此平行。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此照明裝置更包括一n接觸，其電性連接至第一發光裝置第一n型區域、第一發光裝置第二n型區域、以及第一發光裝置第三n型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此照明裝置更包括一p接觸，其電性連接至第二發光裝置第一p型區域、第二發光裝置第二p型區域、以及第二發光裝置第三p型區域。
在根據本發明標的之第十六觀點中，提供一種照明裝置，其包括：一第一發光器；以及一第二發光器；此第一發光器包括一第一發光器n型層與一第一發光器p型層，此第一發光器p型層包括一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，此第一p型區域、此第二p型區域、以及此第三p 型區域各彼此隔離，第一發光器n型層與第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，第一發光器n型層與第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，第一發光器n型層與第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，第一發光器更包括一第一p接觸層，此第一p接觸層電性連接至第一發光器第一p型區域、第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，第一發光器更包括一第一n接觸層，此第一n接觸層電性連接至第一發光器n型層；第二發光器包括：第二發光器n型層、與第二發光器p型層，第二發光器p型層包括：第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域各彼此隔離，第二發光器n型層、與第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器n型層、與第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器n型層、與第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置， 第二發光器更包括一第二p接觸層，此第二p接觸層電性連接至第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，第二發光器更包括一第二n接觸層，此第二n接觸層電性連接至第二發光器n型層，第一n接觸層電性連接至第二p接觸層。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，第一發光器n型層包括第一發光器第一n型區域、第一發光器第二n型區域、以及第一發光器第三n型區域，此第一發光器第一n型區域、此第一發光器第二n型區域、以及此第一發光器第三n型區域各彼此隔離，第一發光裝置包括：第一發光器第一n型區域、與第一發光器第一p型區域，第二發光裝置包括：第一發光器第二n型區域、與第一發光器第二p型區域，第三發光裝置包括：第一發光器第三n型區域、與第一發光器第三p型區域，第二發光器n型層包括：第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，此第二發光器第一n型區域、此第二發光器第二n型區域、以及此第二發光器第三n型區域各彼此隔離，第四發光裝置包括：第二發光器第一n型區域、與第二發光器第一p型區域，第五發光裝置包括：第二發光器第二n型區域、與第 二發光器第二p型區域，以及第六發光裝置包括：第二發光器第三n型區域、與第二發光器第三p型區域。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一p接觸層與第一n接觸層是在此第一發光器之相對面上。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：此第一p接觸層具有：第一p接觸層第一表面與第一p接觸層第二表面，此第一n接觸層具有：第一n接觸層第一表面與第一n接觸層第二表面，此第二p接觸層具有：第二p接觸層第一表面與第二p接觸層第二表面，此第二n接觸層具有：第二n接觸層第一表面與第二n接觸層第二表面，以及第一p接觸層第一表面、第一p接觸層第二表面、第一n接觸層第一表面、第一n接觸層第二表面、第二p接觸層第一表面、第二p接觸層第二表面、第二n接觸層第一表面、以及第二n接觸層第二表面均實質上彼此平行。在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：此第一p接觸層具有：第一p接觸層第一表面、與第一p接觸層第二表面，此第一n接觸層具有：第一n接觸層第一表面、與第一n接觸層第二表面，此第二p接觸層具有：第二p接觸層第一表面、與第 二p接觸層第二表面，此第二n接觸層具有：第二n接觸層第一表面、與第二n接觸層第二表面，以及第一p接觸層第二表面、第一n接觸層第一表面、第一n接觸層第二表面、與第二p接觸層第一表面、第二p接觸層第二表面、以及第二n接觸層第一表面是設置在：第一p接觸層第一表面與第二n接觸層第二表面之間。
在本發明標的之第十七觀點中，提供一種照明裝置，其包括：一第一發光器；以及一第二發光器；此第一發光器包括：一第一發光器p型層、與一第一光線發射n型層，此第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，此第一n型區域、第二n型區域、以及第三n型區域各彼此隔離，第一發光器p型層與第一發光器第一n型區域一起包括一第二發光裝置，第一發光器p型層與第一發光器第二n型區域一起包括一第二發光裝置，第一發光器p型層與第一發光器第三n型區域一起包括一第三發光裝置，第一發光器更包括：一第一n接觸層，此第一n接觸 層電性連接至第一發光器第一n型區域、第一發光器第二n型區域、以及第一發光器第三n型區域，第一發光器更包括第一p接觸層，此第一p接觸層電性連接至第一發光器p型層；第二發光器包括：第二發光器p型層、與第二發光器n型層，第二發光器n型層包括：第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域各彼此隔離，第二發光器p型層、與第二發光器第一n型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器p型層、與第二發光器第二n型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器p型層、與第二發光器第三n型區域一起包括一第六發光裝置，第二發光器更包括一第二n接觸層，此第二n接觸層電性連接至第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，第二發光器更包括一第二p接觸層，此第二p接觸層電性連接至第二發光器p型層，第一n接觸層電性連接至第二p接觸層。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一p接觸層與第一n接觸層是在此第一發光器之相對面上。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：此第一n接觸層具有：第一n接觸層第一表面與第一n接觸層第二表面，此第一p接觸層具有：第一p接觸層第一表面與第一p接觸層第二表面，此第二n接觸層具有：第二n接觸層第一表面與第二n接觸層第二表面，此第二p接觸層具有：第二p接觸層第一表面與第二p接觸層第二表面，以及第一n接觸層第一表面、第一n接觸層第二表面、第一p接觸層第一表面、第一p接觸層第二表面、第二n接觸層第一表面、第二n接觸層第二表面、第二p接觸層第一表面、以及第二p接觸層第二表面均實質上彼此平行。在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：此第一n接觸層具有：第一n接觸層第一表面、與第一n接觸層第二表面，此第一p接觸層具有：第一p接觸層第一表面、與第一p接觸層第二表面，此第二n接觸層具有：第二n接觸層第一表面、與第二n接觸層第二表面，此第二p接觸層具有：第二p接觸層第一表面、與第二p接觸層第二表面，以及第一p接觸層第二表面、與第一n接觸層第一表面、第一n接觸層第二表面、第二p接觸層第一表面、第二p 接觸層第二表面、以及第二n接觸層第一表面是設置在：第一p接觸層第一表面與第二n接觸層第二表面之間。
在本發明標的之第十八觀點中，提供一種照明裝置，其包括：一第一發光器；以及一第二發光器；此第一發光器包括：一第一發光器n型層、一第一發光器p型層、以及第一發光器基板層，此第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，此第一發光器第一n型區域、此第一發光器第二n型區域、以及第一發光器第三n型區域各彼此隔離，此第一發光器p型層包括：一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，此第一發光器第一p型區域、此第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域各彼此隔離，此第一發光器第一n型區域與此第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，此第一發光器第二n型區域與此第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，此第一發光器第三n型區域與此第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，此第一發光器更包括：一第一p接觸層，此第一p接觸層電性連接至第一發光器第一p型區域、第一發光器第 二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，此第一發光器更包括：第一發光器第一n接觸區域、第一發光器第二n接觸區域、以及第一發光器第三n接觸區域，此第二發光器更包括：第二發光器n型層、第二發光器p型層、以及第二發光器基板層，此第二發光器n型層包括：第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域各彼此隔離，此第二發光器p型層包括：第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域各彼此隔離，第二發光器第一n型區域、第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，第二發光器第二n型區域、第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，第二發光器第三n型區域、第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，第二發光器更包括一第二p接觸層，此第二p接觸層電性連接至第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，第二發光器更包括第二發光器第一n接觸區域、第二 發光器第二n接觸區域、以及第二發光器第三n接觸區域，第一發光器第一n接觸區域電性連接至：第一發光器第一n型區域、以及第二發光器p接觸層，第一發光器第二n接觸區域電性連接至：第一發光器第二n型區域、以及第二發光器p接觸層，第一發光器第三n接觸區域電性連接至：第一發光器第三n型區域、以及第二發光器p接觸層。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中，此第一p接觸層是在相對於第一發光器第一n接觸區域、第一發光器第二n接觸區域、以及第一發光器第三n接觸區域之第一發光器之相對面上。
在根據本發明標的此觀點之一些實施例中：此第一p接觸具有：第一p接觸第一表面、與第一p接觸第二表面，此第二p接觸具有：第二p接觸第一表面、與第二p接觸第二表面，以及第一p接觸第一表面、第一p接觸第二表面、第二p接觸第一表面、以及第二p接觸第二表面均實質上彼此平行。
在本發明標的之第十九觀點中，提供一種結構，其包括：一單體n型層，其包括複數個n型區域；一單體p型層，其包括複數個p型區域；此等n型區域各藉由至少一隔離區域而彼此隔離； 此等p型區域各藉由至少一隔離區域而彼此隔離；此等n型區域相對於彼此而設置，而防止傳統晶圓切割裝置將n型層切割成個別n型區域。
在本發明標的之第二十觀點中，提供一種結構，其包括：一單體n型層，其包括複數個n型區域；一單體p型層，其包括複數個p型區域；此等n型區域藉由至少一隔離區域而彼此隔離；此等p型區域藉由至少一隔離區域而彼此隔離；至少一個此等n型區域跨於在至少兩個其他n型區域之間延伸之至少一隔離區所界定之線而延伸。
在本發明標的之一些實施例中，此結構更包括至少一熔絲連接，其與至少一個此等發光裝置電性串聯。
在本發明標的之一些實施例中，此結構更包括至少一用於將與至少一個此等發光裝置之電性傳導串聯斷開的機構。
現在參考所附圖式在以下更完整說明本發明之標的，此等圖中顯示本發明標的之實施例。然而，本發明之標的不應被認為受限於在此所說明之此等實施例。而是，提供此等實施例，以致於此揭示內容將更徹底與完整，且可將本發明之標的之範圍完整地傳達給熟習此技術人士。類似數字是指類似元件。如同在此所使用，此用語“及/或”包括 有關列示項目之一或更多個之任何與所有組合。
在此所使用術語之目的僅在於說明特定實施例，且其用意並非在限制本發明之標的。如同在此所使用，除非上下文明確地作其他指示，此單一形式"a"、"an"、"the"之用意為亦包括複數形式。將可以進一步瞭解，當使用於本說明書中時，此用語“comprises(包括)“及/或“comprising(包括)“是規範所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或零件之存在，但並不排除一或更多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、零件、及/或其組群之存在或添加。
如同以上說明，本發明標的之各種觀點包括：電子零件(變壓器、開關、二極體、電容器、電晶體等)之各種組合。熟習此技術人士熟悉且可以獲得廣泛種類之此等零件，且可以使用任何此等零件以製造根據本發明標的之此等裝置。此外，熟習此技術人士可以根據負載需求與電路中其他零件之選擇，而在各種選擇中選擇適當零件。
在此陳述一裝置中之兩個零件為“電性連接”，是意味著並無零件電性介於此等零件之間，而沒有插入會實質上影響由此裝置所提供之此功能的零件。例如，兩個零件可以稱為電性連接，即使在此兩者之間可能具有一小電阻器，此並不會實質上影響由此裝置所提供之此等功能(的確，連接此等兩個零件之一接線可以被認為是一小電阻器)。同樣地，兩個零件可以稱為電性連接，即使在此兩者之間具有一額外電性零件，此額外電性零件允許此裝置實施一額外功能，同時並不會實質上影響由此裝置所提供之 相同功能，其所不同者為其並不包括此額外零件。類似地，此等兩個零件彼此直接連接、或其直接連接至在一電路板或另一媒體上之一接線或一跡線之相對終端，此亦為電性連接。
雖然，在此可以使用用語“第一”、“第二”…等以說明各種元件、零件、區域、層、區段及/或參數，然而，此等元件、零件、區域、層、區段及/或參數並不應受限於此等用語。此等用語僅使用於區別一元件、零件、區域、層、或區段，與另一元件、零件、區域、層、或區段。因此，在以下所討論之第一元件、零件、區域、層、或區段可以稱為第二元件、零件、區域、層、或區段，而不會偏離本發明標的之教示。
此根據本發明標的之實施例在此參考橫截面圖(及/或平面圖)而說明，而此為本發明標的之理想化實施例之概要說明。因此，可以期待由於例如製造技術及/或公差所造成對所說明形狀之變化。因此，本發明標的之實施例不應被認為受限於在此所說明區域之特定形狀，而是包括例如由於製造所產生形狀之偏差。例如，此說明或描述為矩形之模製區域，其典型地具有圓化的或曲線特徵。因此，圖中所說明區域為其概要性質，且某形狀之用意並非在於說明一裝置之區域之準確形狀，且其用意並非在於限制本發明標的之範圍。
除非另外界定，在此所使用所有用語(包括技術與科學用語)具有由熟習此本發明標的所屬技術之人士之一所通常 瞭解之相同意義。更應瞭解，此等專用語例如在通常使用字典中所界定者，應被解釋為具有與在相關技術與本發明上下文中意義相一致之意義，且除非在此特別地界定，其不應以理想化或過度正式的意義而解釋。熟習此技術人士亦瞭解，所提及“靠近”另一特徵所設置之一結構或特徵可以具有重疊在此相鄰特徵之上或在此相鄰特徵之下之一些部份。
根據本發明標的而提供一種較高電壓較低電流裝置，以致於可以獲得系統效益。雖然，在此所作之討論經常是指發光二極體裝置，然而，本發明標的可以應用至所有型式之發光裝置，而其種類為熟習此技術人士所熟知。此發光裝置可以為任何所想要元件、其可以在供應電時發射光線，例如固態發光裝置，包括無機與有機發光裝置。此等發光裝置種類之例包括：廣泛種類之發光二極體(無機或有機，包括：聚合物發光二極體(PLED))、雷射二極體、薄膜電致發光裝置、發光聚合物(LEP)，其各此等種類在此技術中為所熟知。
在本發明標的之特定實施例中，此發光裝置為發光二極體裝置。在一些實施例中，此等發光二極體裝置藉由一或更多個絕緣區域而彼此隔離；在其他實施例中，此等發光二極體裝置藉由一或更多個溝渠而彼此隔離；以及在還有其他實施例中，此等發光二極體裝置藉由一或更多個溝渠、以及一或更多個絕緣區域而隔離。此等發光二極體裝置可以為側向裝置、垂直裝置、或各一些此等裝置。
根據本發明標的，並不使用單一P/N介面，而是將此裝置製成多個區域，以致於可以將各隔離區域串聯，以獲得所想要之串聯-並聯配置，此配置在裝置中提供高電壓操作與容錯功能。以此方式，可以具有設置(或封裝)較少晶片之效益而使用大面積(單一零件)，而同時仍然獲得整個系統之最佳性能表現。
在本發明標的之一些實施例中，使用覆晶技術將大面積之多個發光裝置安裝至具有電性互連形成於其中及/或其上之底板。如同在此所使用，此用語“發光裝置”是指個別發光結構(例如，發光二極體結構)，其可以串聯及/或並聯組態而各別地電性連接至其他發光二極體結構。此等多個發光二極體裝置例如藉由一共同基板而保持機械地連接至彼此，且未被單一化但提供多個可獨立電性連接的發光裝置結構之單體結構。因為在此等實施例中，藉由覆晶方式安裝至底板而將個別發光裝置電性互連，各發光裝置較佳包括在此單體結構相同側上之陽極接觸與陰極接觸。
根據本發明之標的提供一種發光器，其包括彼此機械地互連之複數個發光裝置(例如，此等裝置形成於共同基板上)。
此互連將此等機械地連接之發光裝置電性地連接，以提供“高電壓”、大面積單體結構，其中將此等發光裝置電性地互連以提供至少兩個串聯發光裝置之子集合之陣列，各子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
圖2與3為複數個發光裝置之概要橫截面圖，而在此 實施例中，此發光裝置為發光二極體。此等個別發光二極體裝置可以具有任何所想要發光二極體裝置組態，包括以上參考圖1所說明之組態。如同在第2與3圖中可以看出，此等個別發光裝置16保持在基板100上以提供複數個各別發光二極體裝置16，其藉由共同基板100而實體連接。因為發光二極體裝置16是要以覆晶方式安裝，以經由基板100而擷取光線，因此，此基板100應實質上透明。例如，基板100可以為藍寶石、尖晶石、半絕緣或絕緣SiC、半絕緣或絕緣Si、半絕緣或絕緣GaN、半絕緣或絕緣ZnO、半絕緣或絕緣AlN。此基板材料典型地可以根據發光二極體裝置材料選擇而選擇。
圖2與3說明用於界定個別發光二極體裝置16之兩種技術。特別是，圖2說明溝渠隔離，以及圖3說明離子植入，以使得所植入區域變成半絕緣或絕緣。參考圖2，此溝渠隔離可以藉由蝕刻、雷射劃線(scribe)、鋸開或其他方式形成溝渠114以提供溝渠隔離，其經由p接觸層108、量子井106與n接觸層104等主動層、以及至/經由緩衝層102、而延伸至基板100，以隔離個別裝置。在一些實施例中，如同於圖2中說明，此溝渠延伸進入基板100中。在具有絕緣緩衝層之其他實施例中，此溝渠可以僅延伸至緩衝層102。此外，此溝渠亦可以填以絕緣體，例如氧化物或氮化物(例如，SiO2 或SiN)。
圖3說明用於隔離個別裝置之替代技術。在圖3中，此離子植入區116界定個別裝置16之周圍。離子植入區 為半絕緣或絕緣。如同溝渠114之情形，離子植入區116經由此裝置之主動層而延伸，且在一些實施例中延伸進入基板100中。
此包括複數個隔離發光裝置16之晶粒從晶圓分離，以提供包含複數個發光裝置16之單體結構。此分離過程可以例如藉由鋸開、劃線(scoring)、以及斷開、或由熟習此技術人士所知曉之其他技術而實施，而用於將晶圓中之晶粒分開。
此基板100亦可以變薄、雷射圖案化、蝕刻、或受到化學機械拋光(CMP)，或在其他實施例中被完全去除。例如，如同於圖4中說明，亦可以在基板100提供光線擷取特徵120，以改善經由基板100之光線擷取。在特定實施例中，此等光線擷取特徵120近似於“蛾眼”結構。在其他實施例中，亦可以提供其他光線擷取特徵120。各種光線擷取特徵為熟習此技術人士所知。此用於光線擷取之基板100圖案化技術亦為熟習此技術人士所知。
此外，此等發光裝置16亦可以包括：在基板100上之一或更多個磷光體或其他發光材料。此等發光材料可以設置在基板100上。例如，YAG磷光體可以在基板100上以圍塊(glob)或保形(conformal)塗佈方式提供。
圖4說明本發明標的之實施例，用於將此等機械地連接至共同基板100上之發光裝置16做電性互連。如同於圖4中看出，此互連底板組件200包括底板基板202，其具有可選用的映射層與絕緣層204與206。在絕緣層206 上提供導電接觸210與212與互連，而當其安裝至底板組件200時，其電性連接此等發光裝置16。此等互連會連接在以上所討論且在圖5中所概要說明之二度空間陣列中之此等發光裝置16。
可以使用例如焊接凸塊技術、金凸塊技術、導電環氧樹脂、共熔接合、或其他為熟習此技術人士所熟悉技術，以安裝發光二極體裝置16。
此底板基板202可以為提供合適結構牢固性之任何基板材料，例如：半絕緣Si、半絕緣SiC、半絕緣鑽石、CuMo、Ge、金屬合金、金屬氧化物、Cu、Al、具有絕緣體及/或PCB材料之鋼、具有或不具有填入BN之導熱性塑膠、透明陶瓷(非常小顆粒尺寸陶瓷)、或其他絕緣材料例如BeO。此底板基板較佳具有高熱傳導性，以協助驅散此來自發光二極體裝置之熱。在一些實施例中，此底板組件200本身可以為大面積發光二極體裝置。
此絕緣層206可以例如為絕緣金屬氧化物(例如，AlOx )、有機物例如玻璃纖維、高溫樹脂、玻璃、絕緣或半絕緣半導體、SiN、SiOx 、Ta2 O5 。此映射層204可以為任何適當之反射材料製成，且在一些實施例中可以由絕緣層206本身提供。此絕緣層206亦可以由多於一層所提供，例如，可以將Bragg反射器包含於此等絕緣層中以提供映射。在其他實施例中，此映射層204可以由鋁層或其他此種反射材料提供。
用於各發光二極體裝置接觸110與112之此等接觸墊 210與212之間之互連可以提供作為：在底板中/上之金屬化圖案或其他導電圖案。例如，此互連可以提供作為在絕緣層206上之鋁圖案。替代地或額外地，此互連可以提供作為在絕緣層206中之導電圖案；此例如藉由使用鑲嵌法而達成，在此過程中，在絕緣層206中形成溝渠、在絕緣層206上與溝渠中形成金屬層，然後將金屬層平坦化，以去除不在溝渠中之金屬層之部份。因此，在溝渠中提供互連圖案。替代地，可以使用銦錫氧化物(ITO)作為導電透明互連。
藉由將基板100安裝至底板200，可以提供發光器10作為具有在圖5中所說明互連設計之單體式大面積發光器。
如同在圖5中可以看出，此等發光二極體裝置16為並聯之子集合12，其形成此等裝置陣列中之“列”。將此等並聯二極體之列做串聯，以提供高電壓發光器10。如同以上討論，在圖5中所說明二極體之互連提供高電壓裝置，其可以減少I2 R損失、提供容錯功能、改善裝置良率、以及允許更有效率之電力供應設計。
第6至9圖為底板200、與機械地連接發光二極體裝置16之俯視圖。在圖6中，包含個別發光二極體裝置16之晶圓部份14具有：在此裝置16之相對角上之陽極接觸與陰極接觸110與112。在圖7中說明適合用於提供單體式高電壓發光器10之互連。如同在圖7中可以看出，將陽極接觸墊212與陰極接觸墊210加以組態，以致於在接 續列中的接續裝置之陽極110由對角線互連樣式216而連接至先前列中的裝置之陰極112。將此裝置10第一列中的裝置之陽極110連接在一起，以提供用於單體式發光器之陽極接觸214。亦將此陣列中最後列裝置之陰極接觸112連接在一起，以提供用於單體式發光器之陰極接觸210。
在圖8中，此晶圓部份14之個別發光二極體裝置16具有設置在裝置16上彼此相對之陽極接觸與陰極接觸110與112。如同於圖9中可以看出，此等接觸110與112之組態可以藉由以下方式將底板上之互連簡化：藉由接觸墊210與212，而允許相鄰陽極接觸與陰極接觸110與112直接彼此連接；以及藉由互連216，而允許相鄰列之接觸連接在一起。
圖10說明高電壓發光器，在此底板組件300上包括例如驅動電晶體之額外電路。如同在圖10中看出，提供三個接觸302、304、以及306，而將電晶體連接至單體式大面積發光器。電晶體之源極接觸312可以連接至單體式大面積發光器之陰極或陽極。單體式大面積發光器之陽極或陰極之另一者可以連接至供應電壓或參考電壓(例如：接地，其可以經由亦設置在底板上之感測電阻器)，以及電晶體之汲極接觸連接至供應電壓或參考電壓之另一者。對於電晶體之閘極提供第三接觸302，以控制流經此單體式大面積發光器之電流。亦可以在此底板上提供額外零件，例如：電容器、電阻器、及/或電感器，以進一步方便此單體式大面積發光器之操作。此等額外零件可以裝附於底板； 或替代地，在此底板為半導體材料(例如矽或鍺)之情形中，此等額外零件可以製造作為底板之一部份。亦可以提供其他電路，例如靜電放電保護電路。
圖11說明自行包含式高電壓發光器400。如同在圖11中可以看出，此單體式大面積發光器420可以設置在具有額外發光裝置430之底板420上。此外，電力供應電路410亦可以選擇地設置在底板402上。此電力供應電路410可以為交流(AC)或直流(DC)電源。可以提供發光裝置430與單體式大面積發光器420，以提供例如於美國專利案號7,213,940中所說明之白光發射系統。
例如，發光器400亦可以包括：底板402，其包括一個顏色之發光二極體裝置430之陣列，以及一互連區域，在其上裝附另一個顏色之發光二極體裝置420之單體式陣列；以及亦包括電晶體、二極體、以及零件之區域，以形成電源410或控制電路之一部份或全部。例如，此底板可以包括GaAs或GaP層，其具有區域，此等區域為限定的面積，其包括：一區域，其所包含AlAs或AlInGaP或AlGaAs層而形成紅橙或黃光發光二極體裝置、或發光二極體裝置之陣列且互連；以及較佳包含另一區域，在此可以安裝藍及/或綠及/或青綠(cyan)及/或黃發光二極體裝置之單體式陣列。
以上所說明實施例提供在底板上發光二極體裝置之覆晶式安裝。然而，在替代實施例中，此等發光二極體裝置可以基板面朝下而安裝至底板。此等實施例可以使用裝 置，其具有例如導電基板(像是SiC基板)、具有從裝置之頂側至裝置之背側之通孔，以提供在此裝置相同側上之兩個接觸。此等裝置之例是在圖12與13中說明。替代地，如果例如使用以上所說明之絕緣或半絕緣基板，則可以使用多個通孔將兩個頂側接觸移至此裝置之背側。
如同在圖12與13中可以看出，一p接觸516經由具有絕緣側壁之通孔514而設置在各裝置之背側上。此絕緣側壁防止此接觸跨P/N接面與量子井而短路。因此，通孔514經由p型層508、量子井506、n型層504、緩衝層502、以及基板500而延伸。此通孔可以設置於此等發光二極體裝置間之隔離區域中，而將此等個別裝置之主動區域最大化。替代地，此通孔可以經由此裝置之主動區域而設置。在此情形中，如果此基板為導電基板，此隔離區域仍然應經由此裝置之主動區域(即基板)而延伸，以允許此等發光二極體裝置之個別電性連接。
在圖12所說明之裝置中，由底板提供此等個別發光二極體裝置之電性互連。因此，可以使用例如在第7與9圖中所說明之電性互連設計。如同在圖12中可以看出，此p接觸516可以延伸至p型接觸層508上，或替代地或額外地，可以將p接觸516製成於p型接觸層508之側壁上。此種裝置可以具有平坦的頂面、將主動面積最大化、以及減少由於接觸所造成之光線模糊。在任何情形中，此發光二極體裝置之周圍可以由p接觸516圍繞，以增加p接觸516與p型接觸層508接觸的表面面積。在此種情形中， 此非導電區域514可以設置在此等相鄰發光二極體裝置之間，而將此等機械地連接裝置之p接觸隔離。
在圖13中所說明之裝置中，在一列中之此等機械地連接裝置之間之電性連接是由p接觸或相鄰裝置所造成。來自其他列之機械地連接裝置可以藉由：此等機械地連接裝置間之非導電區域而隔離，以致於可以提供以上說明之陣列結構。
雖然，在第12與13圖中並未說明，但絕緣層可以設置在晶圓之背側上，且在絕緣層中開啟接觸孔。然後，可以將接觸金屬填入接觸孔中，以提供所說明之p與n接觸。此種金屬接觸可以由以上說明鑲嵌法提供，且可以提供用於安裝至底板之實質平坦表面。
圖14說明圖12與13之裝置，其安裝於底板上以提供在參考圖5之以上說明陣列中之電性互連。如同在圖14中可以看出，可以在底板基板520上設置電性接觸526與528以及電性互連。此底板基板520可以提供作為以上所討論任何此等底板基板。同樣地，亦可以如同以上討論地設置選擇性絕緣及/或映射層524、522。此等發光二極體裝置可以經由例如焊接凸塊530與532或其他接合技術而安裝在底板基板520上，而介於p與n接觸516與512之間、以及電性接觸526與528之間。
除了在此等機械地連接發光二極體裝置與底板基板之間之電性/機械接合，亦可以提供熱連接材料。此熱連接可以由電性與機械連接材料提供、或可以由各別材料提供。 在一些實施例中，此非導電的熱性材料可以設置在底板與此等機械地連接發光二極體裝置之間，以改善經由底板從此等發光二極體裝置之熱之擷取。此種熱材料亦可以改善底板與此等發光二極體裝置間之機械連接，且亦可以提供來自發光器之改善光學反射或擷取。此等適當材料之例包括聚矽氧或類似材料，其可以包括熱傳導材料，例如SiO2 、AlOx 、SiC、BeO、ZO之粒子或奈米粒子。
圖15說明根據本發明標的之其他實施例之發光二極體裝置間之互連。在圖15之裝置中，兩個基板600各機械地互連此等發光二極體裝置之相對應組。然後，將兩個基板600安裝在一起，以致於在第一基板600上之一組發光二極體裝置之陽極接觸610電性連接至第二基板600上第二組發光二極體裝置之陰極接觸612。可以實施第一線接合或其他連接至第一陽極接觸(圖15之左側)，以及可以實施第二線接合或其他連接至最後陰極接觸(圖15之右側)。這將此兩個基板之此等發光二極體裝置互連成發光二極體裝置之一系列串，而具有在第一陽極接觸之輸入與在最後陰極接觸之輸出。另外，緩衝層602、n型層604、量子井606、p型層608、以及隔離區域614可以如同以上參考任何此等發光二極體裝置而說明。設有導電區域620(例如焊料區域，像是銀環氧樹脂)以提供電性連接，以及在一些實施例中，亦提供機械接合。
為了在一序列串中提供此等發光二極體裝置之並聯集合，在兩個基板600上給定列中的此等發光二極體裝置可 以在延伸進與出圖15頁之維度中藉由金屬化或共用p接觸層而電性互連。此種可能電性互連結構可以在圖16之俯視圖中看到。在圖16中，相鄰之發光二極體裝置具有其各陽極與陰極610與612電性耦接在一起，以致於當兩個基板600之一翻轉且安裝在另一個上時(偏移以致於其陽極與陰極對齊)，此等發光二極體裝置之並聯列被電性串聯。因此，藉由將一基板安裝於另一基板上，而可提供對應於圖17中所說明電路之電路。
圖18說明本發明標的之實施例，而一例如為透明或反射之互連層630設置在此等基板600之間。基板600可以機械地且電性地連接至互連層630，以致於此等在基板上之個別發光二極體裝置電性連接成在此所說明之陣列結構。在此種情形中，並無須提供在圖16中所說明此等發光二極體裝置間之電性互連，以及可以使用由共同基板所機械地連接之個別光二極體裝置。用於此種互連層630之適當材料可以為：透明陶瓷、透明氧化物、或透明半導體(絕緣或半絕緣)、或玻璃(其具有例如由鋁、金、或類似者所製導電跡線形成於其中)、或由熟習此技術人士所知之其他材料。此互連層630可以為一或更多層，如同在此相對於底板200所說明。
圖19說明本發明標的之實施例，其提供此等發光二極體裝置之堆疊。在圖19中，將機械地連接於共同基板700上之垂直發光二極體裝置堆疊且電性互連，以致於在此共同基板700上之此等發光二極體裝置電性並聯，且然後將 多個基板700互連以提供一串發光二極體裝置。此n接觸710與p接觸708各跨於多個裝置而延伸而將此等裝置並聯。設置導電區域714(例如焊接區域，像是銀環氧樹脂)以提供電性連接，以及在一些實施例中亦提供機械接合。因此，在圖20中所說明電路藉由在圖19中所說明基板堆疊而提供。
雖然圖19說明垂直裝置(例如在n型導電基板700上之n接觸710(藉由其n型導電性與其設置於此裝置中，亦可以稱為n型層)、導電緩衝層702、量子井704、p型層706、p接觸708、以及隔離區域712)，裝置在基板層級乃電性並聯，亦可提供側向裝置、或垂直裝置與側向裝置之組合。例如，亦可以使用具有貫穿式通孔之側向裝置，以提供背側接觸。而且，此通孔無須為貫穿式通孔，如同於圖21中所說明，而此等側向裝置之n接觸812是由基板800之背側所製成。圖21之裝置可以包括：n接觸812、絕緣或半絕緣基板800、緩衝層802、n型層804、量子井806、p型層808、p接觸810、以及隔離區域814，其例如以上參考圖2與3而說明。此n接觸812與p接觸810可以使用焊接凸塊816或其他接合技術而連接。在圖21中亦說明，設有用於多個裝置之共同p接觸810以並聯連接裝置。
除了在圖19與21中所說明互連，亦可以使用以上參考圖18所說明之互連層，以機械地與電性地連接此等具有複數個個別發光二極體裝置之基板之堆疊。
圖22至24說明在基板上之此等發光二極體裝置並無 須均為相同形狀及/或相同尺寸，且無須為矩形或正方形。例如，圖22說明一種發光器900，其具有在一共同基板902上由複數個較小發光二極體裝置904所圍繞之一個大的發光二極體裝置906。圖23說明一種發光器920，其具有在共同基板922上的六邊形發光二極體裝置924。圖24說明一種發光器940，其具有在共同基板942上的正方形發光二極體裝置924、與三角形發光二極體裝置944之組合。可以提供發光二極體裝置之不同組態用於任何數種原因。例如，可以提供不同組態，將在一給定面積中發光二極體裝置之數目最大化、簡化互連、或改善熱均勻度或熱量擷取。例如，如果難以從在一基板之特定部份中之發光二極體裝置擷取熱量，則可將在此部份中發光二極體裝置製成不同尺寸，以增加Vf且降低流經此等發光二極體裝置之電流。
在圖22-24中所描述之各此等晶粒中，晶粒包括：單體式n型層，其包含複數個n型區域；以及單體式p型層，其包含複數個p型區域。其中，此等n型區域藉由隔離區域而彼此隔離，此等p型區域藉由隔離區域而彼此隔離。此n型區域相對於彼此而設置，而防止傳統晶圓切割裝置(即，傳統晶圓切割裝置須要切割經過此較大裝置，以便將所有較小裝置單一化)將n型層切割成個別n型區域，即此大裝置之n型區域(以及p型區域)跨於由隔離區域所界定之線而延伸；而此隔離區域經由此大裝置之上、此大裝置之下、此大裝置之右、以及此大裝置之左之各對其他n型 區域而延伸。
圖25說明使用以上說明之任一個底板、以選擇地電性互連此等發光二極體裝置之能力。藉由使用防止電性連接及/或接合至底板的絕緣體或材料，而以覆蓋或其他方式覆蓋此發光二極體裝置之接觸區域，可以在製造時辨識此等短路之發光二極體裝置，且將其從此陣列去除。因此，圖25說明此在共同基板962上具有複數個發光二極體裝置964之發光器960。此等發光二極體裝置966之一被防止與底板接觸，以便隔離此發光二極體裝置966。可以使用噴墨、或其他選擇性塗佈過程、或絕緣材料，將此等發光二極體裝置從陣列選擇性地隔離。替代地，在辨識此短路之發光二極體裝置後，可以將此發光二極體裝置之一或更多個接觸去除以防止電性連接。因此，可以避免跨於此陣列中一列發光二極體裝置之短路，且維持跨此陣列之整體電壓。
圖25說明在第二列中之中間發光二極體裝置966被辨識為短路且隔離，以致於當將單體式大面積基板962安裝於互連底板時，此發光二極體裝置966將不會被連接至此陣列中。此種瑕疵裝置之隔離可以提供修復共同基板上的裝置陣列中之瑕疵的機構。此等用於辨識與隔離在陣列中發光二極體裝置之操作是在圖26中說明。
在圖26中，此等操作可以藉由電性測試在共同基板上之發光二極體裝置開始(方塊1000)。此種測試可以例如以自動化探針執行，其個別地啟動各發光二極體裝置。此電 性測試可以測量此裝置之任何數目之電性或光特徵。但是，為了互連目的，可以判斷個別發光二極體裝置是否短路。此種測試較佳是在可能造成此種短路之所有處理步驟實施之後才實施。如果此發光二極體裝置短路(方塊1010)，則此發光二極體裝置被隔離(方塊1020)，以致於不會連接至此陣列中其他發光二極體裝置。此種隔離可以如同以上討論例如藉由以下方式實施：藉由將絕緣材料噴墨印刷、藉由使用例如步進式遮罩而蝕刻、或由熟習此技術人所知之其他合適技術以去除一或更多個接觸。如果要評估更多發光二極體裝置(方塊1030)，則可以從方塊1000重複此過程。當所有發光二極體裝置已經被評估後(方塊1030)，則可以將此單體結構安裝至底板，而將此等個別發光二極體裝置電性地互連(方塊1040)。
在圖26中所說明之操作可以在將此等裝置單體集合與晶圓分開之前或之後實施。此外，將晶圓之此等部份分開成具有複數個機械地連接之發光二極體裝置之個別單體式發光器，可以依據瑕疵部份之位置而實施，以致於可以增加此等單體式發光器之良率。
此外，此等在圖26中所描述操作雖然是參考線性步進式過程而說明，然而，只要此整體操作可以達成選擇性隔離瑕疵發光二極體裝置之所想要結果，此等操作可以平行地或不依順序而實施。因此，例如，在一共同基板上之所有發光二極體裝置可以同時起動，且平行地測量其電性特徵。因此，本發明標的之此等實施例不應被認為受限於在 圖26中說明之特定操作序列。
圖27說明根據一些實施例之底板之另一例，其提供用於修復裝置中之瑕疵的機構。在圖27中所說明之底板1100中，在一列中相鄰陰極接觸1104與陽極接觸1106經由在底板基板1102中/上之熔絲連接1110而連接。可以設定此熔絲連接1110，以致於如果流經此陣列之所有電流經由此連接流過，則此熔絲會斷開(open)。因此，如果在一列中之發光二極體裝置短路，則此熔絲1110會斷開，且此電流將藉由互連1108而經由在此列中其餘發光二極體裝置重新導向。如果在一列中除了一個以外所有發光二極體裝置短路，則此最後之發光二極體裝置將承載整個電流，以及此熔絲1110將對該發光二極體裝置斷開，且此整個發光器將為斷路(在此點，此發光器將不再運作)。
本發明亦提供一種照明系統，其包括：一增壓電源，其所具有輸出電壓大於相對應之輸入電壓；以及一發光器。此發光器包括：來自此等發光裝置之晶圓之相鄰區域之複數個發光裝置，此等複數個發光裝置電性連接作為至少三個並聯之發光裝置之複數個串聯子集合，而其電性耦接至此增壓電源之輸出電壓。可以將此增壓電源組態成耦接至交流(AC)電源以提供輸入電壓。此增壓電源組態為熟習此技術人士所熟知。增壓電源可以極有效率。此外，如同以上所討論，藉由提供高電壓發光器而可以降低I2 R損耗，因為相較於相對應較低電壓發光器，可以減少流經此發光器之電流。將此高電壓發光器如同在此說明地與增壓電源組 合，可以提供非常高的系統效能。因此，在本發明標的之一些實施例中，提供高電壓發光器而在至少50伏特、至少150伏特、至少325伏特、或至少395伏特之電壓操作。此高壓發光器之操作電壓可以藉由以下方式而控制：此等個別裝置之順向電壓降、以及此等並聯裝置之串聯子集合之數目。因此，例如，如果想要有90伏特裝置，則可以將各具有3伏特Vf 之裝置之30個子集合串聯而獲得。
此等包括增壓零件之電路之代表例是在以下專利文件中說明：於2006年9月13日所提出申請之美國專利申請案號60/844,325，其標題名稱為"BOOST/FLYBACK POWER SUPPLY TOPOLOGY WITH LOW SIDE MOSFET CURRENT CONTROL"(發明人：Peter Jay Myers；代理人文件案號931_020 PRO)，以及於2007年9月13日所提出申請之美國專利申請案號11/854,744，其整個內容在此併入作為參考。
雖然本發明標的之實施例是參考多個量子井結構說明，本發明之標的可以與任何合適發光二極體裝置組態一起使用。此外，可以使用光線擷取增強件，例如內部反射層、透明歐姆接觸等，以改善此來自個別發光二極體裝置之光線擷取。因此，本發明標的之實施例不應被設想為受限於特定發光二極體裝置組態，而是可以與能夠被安裝至用於電性互連之底板之任何組態一起使用，以提供高電壓、單體式發光器。
本發明標的之發光器可以任何所想要方式供應電力。 熟習此技術人士熟悉廣泛種類之電力供應裝置，且任何此等裝置可以與本發明標的有關的一起使用。本發明標的之發光器可以電性連接(或選擇性連接)至任何所想要電源。熟習此技術人士熟悉廣泛種類此等電源。
雖然以上主要參考以直流(DC)電源操作之單體式裝置而說明本發明之觀點，本發明額外發明性觀點可以提供適合以交流(AC)及/或直流(DC)電源操作之單體式裝置。此等裝置之例於圖28與29中說明。
圖28說明一AC單體式裝置1100。此AC單體式裝置1100包括複數個發光二極體1110，其設置成並聯發光二極體1110之串聯子集合1112之兩個或更多個陣列1114、1116。此等二極體1110可以如同在本文他處所說明地互連。此等二極體1110可以具有共同基板及/或由共同n型或p型層所形成。此等陣列1114與1116可以電性配置成逆並聯關係，以致於當將交流(AC)電源施加至此兩個陣列1114與1116時，在此AC輸入之交替循環上所有電流實質上僅流經此等陣列之一。因此，此單體式裝置1100可以適合使用作為AC裝置。在此所使用此用語“逆並聯”是指一種電路，其中，此等二極體之陣列配置成並聯，而在至少一個陣列中之二極體之電性(偏壓)方向是與在至少另一陣列中之二極體之電性(偏壓)方向相反(如同在圖28中所描述電路中所示)。
此等單體式裝置1100可以由在此所說明而可以提供在圖28中所說明互連之任何製造技術所製成。此等發光二 極體1110之串聯子集合1112之數目可以根據所想要之操作電壓而選擇。而且，此等並聯發光二極體1110之數目可以如同以上說明而選擇，且應包括至少三個並聯裝置。
圖29說明可以接收AC或DC輸入之單體式裝置2000。尤其是，此單體式裝置2000包括：一整流橋2020；以及此等並聯發光裝置之串聯子集合2012之一個或更多個陣列2010。此整流橋2020可以由發光裝置2022所構成。此發光裝置2022可以形成於共同基板上、由共同n型或p型層形成、或由共同材料系統例如SiC、GaN…等所形成，而作為在陣列2010中之發光裝置。二極體2022亦可以不發射光線。在整流橋2020之各分支中二極體2022之數目取決於二極體之逆崩潰特徵，且應足以支持來自AC輸入之交替循環上之逆電壓。雖然，此等二極體2022顯示為兩個串聯之二極體，可以使用其他數目之二極體。此外，橋2020之二極體2022可以如同在此所說明而設置作為並聯二極體之串聯子集合。
橋2020之輸出為提供給陣列2010之全波整流電壓。如同以上說明，此陣列2010中串聯裝置之數目可以根據由橋2020所提供操作電壓而選擇。
可以使用以上所說明之任何適當製造與互連技術以提供單體式裝置2000。此外，雖然在圖29中說明具有AC輸入之單體式裝置，然而，亦可將DC輸入應用至此裝置。
此外，雖然參考此等元件之特定組合而說明本發明標的之某些實施例，亦可以提供各種其他組合，而不會偏離 本發明標的之教示。因此，本發明之標的不應被認為受限於在此所描述與在圖中所說明之特定典範實施例，而亦可以包括各種所說明實施例之元件之組合。
在所給定本發明效益情況之下，熟習此技術人士可以對本發明作許多變化與修正，而不會偏離本發明標的之精神與範圍。因此，必須瞭解，此等所說明實施例之提出僅用於示例目的，且其不應被認為限制由以下申請專利範圍所界定之發明標的。因此，應解讀以下申請專例範圍為包括：不僅明確說明元件之組合，而且包括所有等同元件，用於以實質相同方式實施實質上相同功能，以獲得實質上相同結果。因此，此等申請專利範圍被瞭解為包括：以上特別說明與描述者、觀念上等同者、且亦包括本發明標的之主要觀念者。
可以將在此所說明發光器之任何兩個或更多個結構部份整合。在此所說明發光器之任何結構部份可以提供於兩個或更多部份中(如果須要，可以將其結合在一起)。類似地，可以同時實施任何兩個或更多功能，及/或可以一系列步驟實施任何功能。
10‧‧‧發光器
12‧‧‧子集合
14‧‧‧晶圓部份
16‧‧‧發光二極體裝置
100‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
104‧‧‧n接觸層
106‧‧‧量子井
108‧‧‧p接觸層
110‧‧‧陽極接觸
112‧‧‧陰極接觸
114‧‧‧溝渠
116‧‧‧離子植入區
120‧‧‧光線擷取特徵
200‧‧‧互連底板組件
202‧‧‧底板基板
204‧‧‧映射層
206‧‧‧絕緣層
210‧‧‧陰極接觸墊
212‧‧‧陽極接觸墊
214‧‧‧陽極接觸
216‧‧‧互連(圖案)
300‧‧‧底板組件
302‧‧‧第三接觸
304‧‧‧接觸
306‧‧‧接觸
312‧‧‧源極接觸
400‧‧‧高電壓發光器
402‧‧‧底板
410‧‧‧電力供應電路
420‧‧‧單體式大面積發光器
430‧‧‧發光裝置
500‧‧‧基板
502‧‧‧緩衝層
504‧‧‧n型層
506‧‧‧量子井
508‧‧‧p型層
510、510'‧‧‧p接觸
512‧‧‧n接觸
514‧‧‧通孔
516‧‧‧p接觸
520‧‧‧底板基板
522‧‧‧映射層
524‧‧‧絕緣層
526‧‧‧電性接觸
528‧‧‧電性接觸
530‧‧‧焊接凸塊
532‧‧‧焊接凸塊
600‧‧‧基板
602‧‧‧緩衝層
604‧‧‧n型層
606‧‧‧量子井
608‧‧‧p型層
610‧‧‧陽極接觸
612‧‧‧陰極接觸
614‧‧‧隔離區域
620‧‧‧導電區域
630‧‧‧互連層
700‧‧‧共同基板
702‧‧‧導電緩衝層
704‧‧‧量子井
706‧‧‧p型層
708‧‧‧p接觸
710‧‧‧n接觸
712‧‧‧隔離區域
714‧‧‧導電區域
800‧‧‧基板
802‧‧‧緩衝層
804‧‧‧n型層
806‧‧‧量子井
808‧‧‧p型層
810‧‧‧p接觸
812‧‧‧n接觸
814‧‧‧隔離區域
816‧‧‧焊接凸塊
900‧‧‧發光器
902‧‧‧共同基板
904‧‧‧發光二極體裝置
906‧‧‧發光二極體裝置
920‧‧‧發光器
922‧‧‧共同基板
924‧‧‧發光二極體裝置
940‧‧‧發光器
942‧‧‧共同基板
944‧‧‧發光二極體裝置
946‧‧‧發光二極體裝置
960‧‧‧發光器
962‧‧‧共同基板
964‧‧‧發光二極體裝置
966‧‧‧發光二極體裝置
1100‧‧‧底板
1102‧‧‧底板基板
1104‧‧‧陰極接觸
1106‧‧‧陽極接觸
1108‧‧‧互連
1110‧‧‧熔絲
1112‧‧‧子集合
1114‧‧‧陣列
1116‧‧‧陣列
2000‧‧‧單體式裝置
2010‧‧‧陣列
2012‧‧‧子集合
2020‧‧‧整流橋
2022‧‧‧發光裝置
圖1為傳統發光二極體之概要橫截面圖；圖2為使用第一隔離技術而在共同基板上所形成複數個發光二極體裝置之概要橫截面圖；圖3為使用第二隔離技術而在共同基板上所形成複數 個發光二極體裝置之概要橫截面圖；圖4為藉由底板互連而在共同基板上形成複數個發光二極體裝置、以提供單體發光器之概要橫截面圖；圖5為在單體式發光器中個別發光裝置互連之概要圖；圖6為在共同基板上複數個以機械方式連接發光二極體裝置之俯視圖；圖7為適合與在圖6中所說明在共同基板上複數個以機械方式連接發光二極體裝置一起使用之底板上電性互連之俯視圖；圖8為在共同基板上複數個以機械方式連接發光二極體裝置之俯視圖；圖9為適合與在圖8中所說明在共同基板上複數個以機械方式連接發光二極體裝置一起使用之底板上電性互連之俯視圖；圖10為亦包括額外電路以驅動單體式發光器之在底板上電性互連之俯視圖；圖11為包括在底板上單體式發光器、額外照明裝置、以及電力供應電路之自行包含元件之俯視圖；圖12為在一具有“背面”接觸之共同基板上之複數個發光二極體裝置之概要橫截面圖；圖13為根據替代實施例之具有“背面”接觸之共同基板上之複數個發光二極體裝置之概要橫截面圖；圖14為藉由底板互連而在共同基板上形成複數個發光 二極體裝置、以提供單體式發光器之概要橫截面圖；圖15為藉由將一基板安裝在另一基板上而電性互連之兩個共同基板之概要橫截面圖；圖16為在安裝圖15兩個共同基板之前之俯視圖；圖17為圖15之互連基板之電路圖；圖18為藉由各安裝於設置在兩個基板間的互連上而電性互連之兩個共同基板之概要橫截面圖；圖19為概要橫截面圖，其說明藉由將基板堆疊在彼此之上而具有垂直發光二極體裝置形成於其上之多個基板之互連；圖20為圖19之互連基板之電路圖；圖21為概要橫截面圖，其說明藉由將基板堆疊在彼此之上而具有側向發光二極體裝置形成於其上之多個基板之互連；圖22為具有不同尺寸發光二極體裝置形成於其上之共同基板之俯視圖；圖23為具有非矩形發光二極體裝置形成於其上之共同基板之俯視圖；圖24為具有不同尺寸與形狀之發光二極體裝置形成於其上之共同基板之俯視圖；圖25為共同基板之俯視圖，其所具有發光二極體裝置可以被選擇地互連，以避免將此等發光二極體裝置短路連接在一起；圖26為流程圖，其說明以機械方式連接在共同基板上 之此等發光二極體裝置選擇性電性連接之操作；圖27說明包括經熔絲連接之底板之俯視圖；圖28為根據本發明標的之一些實施例之照明系統之概要圖；以及圖29為根據本發明標的之一些實施例之照明系統之概要圖。
10‧‧‧發光器
14‧‧‧晶圓部份
100‧‧‧基板
120‧‧‧光線擷取特徵
200‧‧‧互連底板組件
202‧‧‧底板基板
204‧‧‧映射層
206‧‧‧絕緣層
210‧‧‧陰極接觸墊
212‧‧‧陽極接觸墊
214‧‧‧陽極接觸

Claims (118)

  1. 一種高電壓發光器，包括：複數個發光裝置，其藉由在其上形成該等發光裝置之共同基板而機械地互連；以及一互連底板，該等複數個發光裝置機械地與電性地連接於此底板；其中，該等發光裝置藉由該互連底板而電性互連，以提供該等發光裝置之至少兩個串聯子集合之陣列，各該子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之高電壓發光器，其中少於所有複數個該等發光裝置在該發光裝置之陣列中電性互連。
  3. 如申請專利範圍第1項之高電壓發光器，其中該互連底板包括：一底板基板；一在該底板上之一絕緣層；以及一在該絕緣體層上之導電元件之樣式，其被組態成將該等發光裝置之各接觸互連成該等發光裝置之陣列。
  4. 如申請專利範圍第3項之高電壓發光器，其中該互連底板更包括設置在該底板基板與該絕緣體層問之一映射層。
  5. 如申請專利範圍第4項之高電壓發光器，其中該等發光裝置之所有電性互連是由該等導電元件之該樣式所提供。
  6. 如申請專利範圍第3項之高電壓發光器，其中該等發光裝置之互連的一部份是由該等導電元件之該樣式所提供，且該等互連之一部份是由該等複數個發光裝置之共同基板上之該等導電元件所提供。
  7. 如申請專利範圍第1項之高電壓發光器，其中該等發光裝置包括發光二極體裝置。
  8. 如申請專利範圍第7項之高電壓發光器，其中該等發光二極體裝置藉由至少一個絕緣區域而彼此隔離。
  9. 如申請專利範圍第7項之高電壓發光器，其中該等發光二極體裝置藉由至少一個溝渠而彼此隔離。
  10. 如申請專利範圍第7項之高電壓發光器，其中該等發光二極體裝置包括側向裝置及/或垂直裝置，且具有在該等發光二極體裝置相同側上之陰極與陽極連接。
  11. 如申請專利範圍第1項之高電壓發光器，其中該等複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
  12. 一種高電壓發光器，包括：第一複數個發光裝置，其藉由在其上形成該等發光裝置之第一共同基板而機械地互連；以及一互連底板，該等複數個發光裝置機械地與電性地連接於此底板，該互連底板具有設置於其上之電路；其中，該等發光裝置藉由該互連底板而電性互連，以提供該等發光裝置之一系列並聯子集合。
  13. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中 此陣列包括該等發光裝置之至少兩個串聯之子集合，各該子集合包括至少三個電性並聯之發光裝置。
  14. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中該電路包括電力供應電路，其被組態成將電力供應至該等發光裝置。
  15. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中該電路包括藉由該共同基板機械地互連之該等複數個發光裝置以外之發光裝置。
  16. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中該電路包括：發光裝置，其為在由該第一共同基板機械地互連之此等第一複數個發光裝置以外者；以及電力供應電路，其被組態成將電力供應至該等發光裝置。
  17. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中該等複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
  18. 如申請專利範圍第12項之高電壓發光器，其中該電路包括複數個熔絲，其被組態成將複數個該等發光裝置之故障者選擇性地隔離。
  19. 一種高電壓發光器，包括：複數個第一發光裝置，其藉由在其上形成該等第一發光裝置之一第一共同基板而機械地互連；以及複數個第二發光裝置，其藉由在其上形成該等第二發光裝置之一第二共同基板而機械地互連， 其中，該等第一複數個發光裝置機械地且電性地連接至該等第二複數個發光裝置。
  20. 如申請專利範圍第19項之高電壓發光器，其中將該等第一發光裝置與該等第二發光裝置電性地互連，以提供一包括一系列並聯發光裝置之陣列。
  21. 如申請專利範圍第20項之高電壓發光器，其中該陣列包括該等發光裝置之至少兩個串聯之子集合，各該子集合包含至少三個電性並聯之該等發光裝置。
  22. 如申請專利範圍第21項之高電壓發光器，其中該等發光裝置包括發光二極體裝置。
  23. 如申請專利範圍第22項之高電壓發光器，其中該等發光二極體裝置為垂直發光二極體裝置。
  24. 如申請專利範圍第22項之高電壓發光器，其中該等發光二極體裝置為側向發光二極體裝置。
  25. 如申請專利範圍第19項之高電壓發光器，更包括：複數個第三發光裝置，其藉由在其上形成該等第三發光裝置之一第三共同基板而機械地互連，其中，該等第三複數個發光裝置機械地且電性地連接至該等第二複數個發光裝置。
  26. 如申請專利範圍第19項之高電壓發光器，其中該等第一及/或第二複數個發光裝置具有不同尺寸及/或形狀。
  27. 一種高電壓發光器，包括：複數個機械地互連之發光裝置；以及 用於將複數個該等發光裝置機械地且電地互連的機構，以提供該等發光裝置之至少兩個串聯之子集合之陣列，各該子集合包含至少三個電性並聯之該等發光裝置。
  28. 如申請專利範圍第27項之高電壓發光器，其中該等發光器適合以交流(AC)電源操作。
  29. 如申請專利範圍第27項之高電壓發光器，更包括：用於將該等複數個發光裝置選擇地互連的機構，以致於少於所有該等複數個發光裝置於該陣列中互連。
  30. 一種製造高電壓發光器之方法，其包括以下步驟：提供第一複數個發光裝置，其藉由在其上形成該等發光裝置之第一共同基板而機械地互連；提供互連底板，該互連底板上具有電路；以及將該第一共同基板安裝於該互連底板上，而機械地且電性地連接該等發光裝置，以提供一包括一系列並聯發光裝置之陣列。
  31. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該方法更包括測試至少一個該等發光裝置。
  32. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該方法更包括測試至少一個該等發光裝置，且將該等發光裝置之一與該發光裝置解除電性連接。
  33. 如申請專利範圍第32項之方法，其中將該等發光裝置之一解除電性連接的步驟乃藉由將該等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸蝕刻而實施。
  34. 如申請專利範圍第32項之方法，其中 將該等發光裝置之一解除電性連接的步驟乃藉由將絕緣材料塗佈在該等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸上而實施。
  35. 一種製造高電壓發光器之方法，其包括以下步驟：提供複數個第一發光裝置，其藉由在其上形成該等第一發光裝置之一第一共同基板而機械地互連；提供複數個第二發光裝置，其藉由在其上形成該等第二發光裝置之一第二共同基板而機械地互連；以及將該等第一複數個發光裝置安裝於該等第二複數個發光裝置上，而將該等第一複數個發光裝置與該等第二複數個發光裝置電性地且機械地互連。
  36. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該方法更包括測試至少一個該等發光裝置。
  37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該方法更包括測試至少一個該等發光裝置，且將該等發光裝置之一與該發光裝置解除電性連接。
  38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中將該等發光裝置之一解除電性連接的步驟乃藉由將該等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸蝕刻而實施。
  39. 如申請專利範圍第37項之方法，其中將該等發光裝置之一解除電性連接的步驟乃藉由將絕緣材料塗佈在該等發光裝置之一之陽極接觸或陰極接觸上而實施。
  40. 一種製造高電壓發光器之方法，其包括以下步驟： 測試在一共同基板上之各複數個發光裝置，以判斷各發光裝置是否具有短路故障；將該等複數個發光裝置中之被判斷具有短路故障者隔離；以及將該等複數個發光裝置安裝於一互連底板上，以電性連接該等複數個發光裝置之未被隔離者。
  41. 如申請專利範圍第40項之方法，其中該電性連接包括將該等複數個發光裝置之未被隔離者連接成為該等複數個發光裝置之並聯子集合之串聯之陣列。
  42. 一種發光器，包括：一第一單體n型層；一第一單體p型層；以及至少一第一互連元件，該第一單體n型層包括一第一n型區域、一第二n型區域、一第三n型區域、一第四n型區域、一第五n型區域、以及一第六n型區域，該第一n型區域、該第二n型區域、該第三n型區域、該第四n型區域、該第五n型區域、以及該第六n型區域各彼此隔離，該第一單體p型層包括一第一p型區域、一第二p型區域、一第三p型區域、一第四p型區域、一第五p型區域、以及一第六p型區域，該第一p型區域、該第二p型區域、該第三p型區域、 該第四p型區域、該第五p型區域、以及該第六p型區域各彼此隔離，該第一n型區域與該第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第二n型區域與該第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第三n型區域與該第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第四n型區域與該第四p型區域一起包括一第四發光裝置，該第五n型區域與該第五p型區域一起包括一第五發光裝置，該第六n型區域與該第六p型區域一起包括一第六發光裝置，該第一互連元件包括至少一互連元件第一n型接觸、一互連元件第二n型接觸、一互連元件第三n型接觸、一互連元件第一p型接觸、一互連元件第二p型接觸、以及一互連元件第三p型接觸，該互連元件第一n型接觸電性連接至該第一n型區域，該互連元件第二n型接觸電性連接至該第二n型區域，該互連元件第三n型接觸電性連接至該第三n型區域，該互連元件第一p型接觸電性連接至該第四p型區域，該互連元件第二p型接觸電性連接至該第五p型區域，該互連元件第三p型接觸電性連接至該第六p型區域， 以及該互連元件第一n型接觸電性連接至：該互連元件第二n型接觸、該互連元件第三n型接觸、該互連元件第一p型接觸、該互連元件第二p型接觸、以及該互連元件第三p型接觸。
  43. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該發光器適合以AC電源操作。
  44. 如申請專利範圍第43項之發光器，其中該發光器更包括：一第八單體n型層；一第八單體p型層；以及一第八互連元件，該第八單體n型層包括：第七n型區域、第八n型區域、第九n型區域、第十n型區域、第十一n型區域、以及第十二n型區域，該第七n型區域、該第八n型區域、該第九n型區域、該第十n型區域、該第十一n型區域、以及該第十二n型區域各彼此隔離，此第八單體p型層包括：第七p型區域、第八p型區域、第九p型區域、第十p型區域、第十一p型區域、以及第十二p型區域，該第七p型區域、該第八p型區域、該第九p型區域、該第十p型區域、該第十一p型區域、以及該第十二p型區域各彼此隔離， 該第七n型區域與該第七p型區域一起包括一第七發光裝置，該第八n型區域與該第八p型區域一起包括一第八發光裝置，該第九n型區域與該第九p型區域一起包括一第九發光裝置，該第十n型區域與該第十p型區域一起包括一第十發光裝置，該第十一n型區域與該第十一p型區域一起包括一第十一發光裝置，該第十二n型區域與該第十二p型區域一起包括一第十二發光裝置，此第八互連元件包括至少一互連元件第七n型接觸、互連元件第八n型接觸、互連元件第九n型接觸、互連元件第七p型接觸、互連元件第八p型接觸、以及互連元件第九p型接觸，該互連元件第七n型接觸電性連接至該第七n型區域，該互連元件第八n型接觸電性連接至該第八n型區域，該互連元件第九n型接觸電性連接至該第九n型區域，該互連元件第七p型接觸電性連接至該第十p型區域，該互連元件第八p型接觸電性連接至該第十一p型區域，該互連元件第九p型接觸電性連接至該第十二p型區域， 該互連元件第七n型接觸電性連接至：該互連元件第八n型接觸、該互連元件第九n型接觸、該互連元件第七p型接觸、該互連元件第八p型接觸、以及該互連元件第九p型接觸。
  45. 如申請專利範圍第43項之發光器，其中該發光器更包括一整流橋。
  46. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  47. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  48. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該第一n型區域之接觸表面、該第二n型區域之接觸表面、該第三n型區域之接觸表面、該第四n型區域之接觸表面、該第五n型區域之接觸表面、該第六n型區域之接觸表面均與第一平面實質上共平面，該第一p型區域之接觸表面、該第二p型區域之接觸表面、該第三p型區域之接觸表面、該第四p型區域之接觸表面、該第五p型區域之接觸表面、該第六p型區域之接觸表面均與第二平面實質上共平面，此第一互連元件第一n型接觸之接觸表面、此第一互連元件第二n型接觸之接觸表面、以及此第一互連元件第三n型接觸之接觸表面均與第三平面實質上共平面， 此第一互連元件第一p型接觸之接觸表面、此第一互連元件第二p型接觸之接觸表面、以及此第一互連元件第三p型接觸之接觸表面均與第四平面實質上共平面，以及該第一平面實質上平行於該第二平面，該第二平面實質上平行於該第三平面，該第三平面實質上平行於該第四平面。
  49. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該發光器更包括一基板層；該第一n型層與該第一p型層設置在該基板層與該第一互連元件之間。
  50. 如申請專利範圍第49項之發光器，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯；及/或包括少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  51. 如申請專利範圍第42項之發光器，其中該發光器更包括一基板層，該基板層設置在該第一p型層與該第一互連元件之間。
  52. 如申請專利範圍第51項之發光器，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  53. 如申請專利範圍第51項之發光器，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  54. 一種包括n型層與p型層之發光器，其中：該n型層包括：第一n型區域、第二n型區域、第三 n型區域、第四n型區域、第五n型區域、以及第六n型區域，該第一n型區域、該第二n型區域、該第三n型區域、該第四n型區域、該第五n型區域、以及該第六n型區域藉由至少一隔離區域而各彼此隔離，該p型層包括：第一p型區域、第二p型區域、第三p型區域、第四p型區域、第五p型區域、以及第六p型區域，該第一p型區域、該第二p型區域、該第三p型區域、該第四p型區域、該第五p型區域、以及該第六p型區域藉由至少一隔離區域而各彼此隔離，該第一n型區域與第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第二n型區域與第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第三n型區域與第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第四n型區域與第四p型區域一起包括一第四發光裝置，該第五n型區域與第五p型區域一起包括一第五發光裝置，該第六n型區域與第六p型區域一起包括一第六發光裝置，該發光器更包括一第一p接觸，其經由該至少一隔離 區之至少一部份而延伸，該第一p接觸電性連接至該第一p型區域，以及該發光器更包括一第二p接觸，其經由該至少一隔離區之至少一部份而延伸，該第二p接觸電性連接至該第四p型區域。
  55. 如申請專利範圍第54項之發光器，其中該發光器適合以AC電源操作。
  56. 如申請專利範圍第54項之發光器，其中該第一p接觸亦電性連接至該第二p型區域與該第三p型區域，且該第二p接觸亦電性連接至該第五p型區域與該第六p型區域。
  57. 如申請專利範圍第54項之發光器，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  58. 如申請專利範圍第54項之發光器，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  59. 如申請專利範圍第54項之發光器，其中該發光器更包括一基板，該n型層以及該p型層乃設置在該基板上。
  60. 一種包括n型層與p型層之發光器，其中：該n型層包括：第一n型區域、第二n型區域、以及第三n型區域，該第一n型區域、該第二n型區域、以及該第三n型 區域藉由至少一隔離區域而各彼此隔離，此p型層包括：第一p型區域、第二p型區域、以及第三p型區域，該第一p型區域、該第二p型區域、以及該第三p型區域藉由該至少一隔離區域而各彼此隔離，該第一n型區域與第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第二n型區域與第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第三n型區域與第三p型區域一起包括一第三發光裝置，以及此發光器更包括一第一p接觸，其經由該至少一隔離區之至少一部份而延伸，該第一p接觸電性連接至該第一p型區域。
  61. 如申請專利範圍第60項之發光器，其中該發光器適合以AC電源操作。
  62. 如申請專利範圍第60項之發光器，其中該第一p接觸亦電性連接至該第二p型區域與該第三p型區域。
  63. 如申請專利範圍第60項之發光器，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  64. 如申請專利範圍第60項之發光器，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一 個之導電串聯斷開的機構。
  65. 如申請專利範圍第60項之發光器，其中該發光器更包括一基板，該n型層以及該p型層乃設置在該基板上。
  66. 一種照明元件，包括：一第一發光器；一第二發光器；以及一互連元件，該第一發光器包括：一第一n型層與一第一p型層，該第一n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域藉由至少一第一發光器隔離區域而各彼此隔離，該第一p型層包括：一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，該第一發光器第一p型區域、該第一發光器第二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域藉由該至少一第一發光器隔離區域而各彼此隔離，該第一發光器第一n型區域與該第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第一發光器第二n型區域與該第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置， 該第一發光器第三n型區域與該第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第一發光器包括一第一發光器第一p接觸，其經由該至少一第一發光器隔離區域之至少一部份而延伸，該第一發光器第一p接觸電性連接至該第一發光器第一p型區域，該第二發光器包括：一第二n型層與一第二p型層，該第二n型層包括：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域藉由至少一第二發光器隔離區域而各彼此隔離，此第二發光器p型層包括：一第二發光器第一p型區域、一第二發光器第二p型區域、以及一第二發光器第三p型區域，該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域藉由該至少一第二發光器隔離區域而各彼此隔離，該第二發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，該第二發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，該第二發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型 區域一起包括一第六發光裝置，該第二發光器包括一第二發光器第一p接觸，其經由該第二發光器隔離區域之至少一部份而延伸，該互連元件提供：介於該第一發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域間之電性連接，介於該第一發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域間之該電性連接，以及介於該第一發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域間之該電性連接。
  67. 如申請專利範圍第66項之照明元件，其中該互連元件設置在該第一發光器與該第二發光器之間。
  68. 如申請專利範圍第66項之照明元件，其中該第一發光器與該第二發光器設置在該互連元件之相同側上。
  69. 如申請專利範圍第68項之照明元件，其中該發光器適合以AC電源操作。
  70. 如申請專利範圍第66項之照明元件，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  71. 如申請專利範圍第66項之照明元件，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  72. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；以及一第二發光器；該第一發光器包括：一第一發光器n型層與一第一發光器p型層，該第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，該第一n型區域、該第二n型區域、以及該第三n型區域各彼此隔離，該第一發光器p型層包括：一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，該第一p型區域、該第二p型區域、以及該第三p型區域各彼此隔離，該第一發光器第一n型區域與該第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第一發光器第二n型區域與該第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第一發光器此第三n型區域與該第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第二發光器包括：一第二發光器n型層與一第二發光器p型層，此該第二發光器n型層包括：該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域，該第二發光器該第一n型區域、該第二發光 器該第二n型區域、以及該第二發光器該第三n型區域各彼此隔離，該第二發光器p型層包括：一第二發光器第一p型區域、一第二發光器第二p型區域、以及一第二發光器第三p型區域，該第二發光器該第一p型區域、該第二發光器該第二p型區域、以及該第二發光器該第三p型區域各彼此隔離，該第二發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，該第二發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，該第二發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，該第一發光器第一n型區域電性連接至該第二發光器第一p型區域，該第一發光器第二n型區域電性連接至該第二發光器第二p型區域，該第一發光器第三n型區域電性連接至該第二發光器第三p型區域，該第一發光器第一n型區域電性連接至：該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域電性連接至：該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域，以及將該第一發光器與該第二發光器相對於彼此設置，以 致於該第一發光裝置第一n型區域面對該第二發光裝置第一p型區域、該第一發光裝置第二n型區域面對該第二發光裝置第二p型區域、以及該第一發光裝置第三n型區域面對該第二發光裝置第三p型區域。
  73. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該發光器適合以AC電源操作。
  74. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該照明裝置更包括一第一導電區域、一第二導電區域、以及一第三導電區域，該第一導電區域設置在：該第一發光裝置第一n型區域、與該第二發光裝置第一p型區域之間，該第二導電區域設置在：該第一發光裝置第二n型區域、與該第二發光裝置第二p型區域之間，以及該第三導電區域設置在：該第一發光裝置第三n型區域、與該第二發光裝置第三p型區域之間。
  75. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該第一發光器n型層之表面與該第二發光器p型層之表面實質上彼此平行。
  76. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該照明裝置更包括一n接觸，其電性連接至該第一發光裝置第一n型區域、該第一發光裝置第二n型區域、以及該第一發光裝置第三n型區域。
  77. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該照明裝置更包括一p接觸，其電性連接至該第二發 光裝置第一p型區域、該第二發光裝置第二p型區域、以及該第二發光裝置第三p型區域。
  78. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該發光器更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  79. 如申請專利範圍第72項之照明裝置，其中該發光器更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  80. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；以及一第二發光器；該第一發光器包括：一第一n型層與一第一p型層，該第一n型層與該第一p型層一起包含一第一發光裝置，該第二發光器包含：一第二n型層與一第二p型層，該第二n型層與該第二p型層一起包含一第二發光裝置，該第一n型層電性連接至該第二p型層，以及將該第一發光器與該第二發光器相對於彼此設置，以致於該第一n型層面對該第二p型層。
  81. 如申請專利範圍第80項之照明裝置，其中該第一n型層之表面與該第二p型層之表面實質上彼此平行。
  82. 如申請專利範圍第80項之照明裝置，其中 該發光器更包含至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  83. 如申請專利範圍第80項之照明裝置，其中該發光器更包含至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  84. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；一第二發光器；以及一互連元件，該第一發光器包含：一第一發光器n型層與一第一發光器p型層，該第一發光器n型層包含：該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域，該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域各彼此隔離，該第一發光器p型層包含：第一發光器第一p型區域、第一發光器第二p型區域、以及第一發光器第三p型區域，該第一發光器第一p型區域、該第一發光器第二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域各彼此隔離，該第一發光器第一n型區域與該第一發光器第一p型區域一起包含一第一發光裝置，該第一發光器第二n型區域與該第一發光器第二p型區域一起包含一第二發光裝置，該第一發光器第三n型區域與該第一發光器第三p型 區域一起包含一第三發光裝置，該第二發光器包含：一第二發光器n型層與一第二發光器p型層，該第二發光器n型層包含：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域各彼此隔離，該第二發光器p型層包含：第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、第二發光器第三p型區域，該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域各彼此隔離，該第二發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域一起包含一第四發光裝置，該第二發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域一起包含一第五發光裝置，該第二發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域一起包含一第六發光裝置，該互連元件提供：介於該第一發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域間之電性連接，介於該第一發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域間之電性連接，介於該第一發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域間之電性連接，以及介於該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二 n型區域、該第一發光器第三n型區域間之電性連接，該第一發光器第一p型區域電性連接至該第一發光器第二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域，以及該第二發光器第一n型區域電性連接至該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域。
  85. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中該發光器適合以AC電源操作。
  86. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中該互連元件設置在介於該第一發光器n型層與該第二發光器p型層之間。
  87. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中將該第一發光器與該第二發光器相對於彼此設置，以致於該第一發光裝置第一n型區域、該第一發光裝置第二n型區域、以及該第一發光裝置第三n型區域面對著該第二發光裝置第一p型區域、該第二發光裝置第二p型區域、以及該第二發光裝置第三p型區域。
  88. 如申請專利範圍第87項之照明裝置，其中該第一發光器n型層之表面與該第二發光器p型層之表面實質上彼此平行。
  89. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中該照明裝置更包含一n接觸，其電性連接至該第一發光裝置第一n型區域、該第一發光裝置第二n型區域、以及該第一發光裝置第三n型區域。
  90. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中 該照明裝置更包含一p接觸，其電性連接至該第二發光裝置第一p型區域、該第二發光裝置第二p型區域、以及該第二發光裝置第三p型區域。
  91. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中該照明裝置更包含至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  92. 如申請專利範圍第84項之照明裝置，其中該照明裝置更包含至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  93. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；以及一第二發光器；該第一發光器包括：一第一發光器n型層與一第一發光器p型層，該第一發光器p型層包括：一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，該第一p型區域、該第二p型區域、以及該第三p型區域各彼此隔離，該第一發光器n型層與該第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第一發光器n型層與該第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第一發光器n型層與該第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第一發光器更包括一第一p接觸層，該第一p接觸 層電性連接至：該第一發光器第一p型區域、該第一發光器第二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域，該第一發光器更包括第一n接觸層，該第一n接觸層電性連接至該第一發光器n型層；該第二發光器包括：一第二發光器n型層、與一第二發光器p型層，該第二發光器p型層包括：該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域，該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域各彼此隔離，該第二發光器n型層與該第二發光器第一p型區域一起包括一第四發光裝置，該第二發光器n型層與該第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，該第二發光器n型層與該第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，該第二發光器更包括一第二p接觸層，該第二p接觸層電性連接至第二發光器第一p型區域、第二發光器第二p型區域、以及第二發光器第三p型區域，該第二發光器更包括一第二n接觸層，該第二n接觸層電性連接至第二發光器n型層，以及該第一n接觸層電性連接至該第二p接觸層。
  94. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該發光器適合以AC電源操作。
  95. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域各彼此隔離，該第一發光裝置包括：該第一發光器第一n型區域與該第一發光器第一p型區域，該第二發光裝置包括：該第一發光器第二n型區域與該第一發光器第二p型區域，該第三發光裝置包括：該第一發光器第三n型區域與該第一發光器第三p型區域，該第二發光器n型層包括：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域各彼此隔離，該第四發光裝置包括：該第二發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型區域，該第五發光裝置包括：該第二發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域，以及該第六發光裝置包括：該第二發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域。
  96. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該第一p接觸層與該第一n接觸層是在該第一發光器之相對側上。
  97. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該第一p接觸層具有：一第一p接觸層第一表面與一第一p接觸層第二表面，該第一n接觸層具有：一第一n接觸層第一表面與一第一n接觸層第二表面，該第二p接觸層具有：一第二p接觸層第一表面與一第二p接觸層第二表面，該第二n接觸層具有：一第二n接觸層第一表面與一第二n接觸層第二表面，以及該第一p接觸層第一表面、該第一p接觸層第二表面、該第一n接觸層第一表面、該第一n接觸層第二表面、該第二p接觸層第一表面、該第二p接觸層第二表面、該第二n接觸層第一表面、以及該第二n接觸層第二表面均彼此實質上平行。
  98. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該第一p接觸層具有：一第一p接觸層第一表面與一第一p接觸層第二表面，該第一n接觸層具有：一第一n接觸層第一表面與一第一n接觸層第二表面，該第二p接觸層具有：一第二p接觸層第一表面與一第二p接觸層第二表面，該第二n接觸層具有：一第二n接觸層第一表面與一第二n接觸層第二表面，以及該第一p接觸層第二表面、該第一n接觸層第一表面、 該第一n接觸層第二表面、該第二p接觸層第一表面、該第二p接觸層第二表面、該第二n接觸層第一表面，乃設置介於該第一p接觸層第一表面與該第二n接觸層第二表面之間。
  99. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  100. 如申請專利範圍第93項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  101. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；以及一第二發光器；該第一發光器包括：一第一發光器p型層與一第一發光器n型層，該第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、一第一發光器第三n型區域，該第一n型區域、該第二n型區域、以及該第三n型區域各彼此隔離，該第一發光器p型層與該第一發光器第一n型區域一起包括一第一發光裝置，該第一發光器p型層與該第一發光器第二n型區域一起包括一第二發光裝置，該第一發光器p型層與該第一發光器第三n型區域一起包括一第三發光裝置， 該第一發光器更包括一第一n接觸層，該第一n接觸層電性連接至：該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域，該第一發光器更包括第一p接觸層，該第一p接觸層電性連接至該第一發光器p型層；該第二發光器包括：一第二發光器p型層與一第二發光器n型層，該第二發光器n型層包括：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域各彼此隔離，該第二發光器p型層與該第二發光器第一n型區域一起包括一第四發光裝置，該第二發光器p型層與該第二發光器第二n型區域一起包括一第五發光裝置，該第二發光器p型層與該第二發光器第三n型區域一起包括一第六發光裝置，該第二發光器更包括一第二n接觸層，該第二n接觸層電性連接至第二發光器第一n型區域、第二發光器第二n型區域、以及第二發光器第三n型區域，該第二發光器更包括一第二p接觸層，該第二p接觸層電性連接至該第二發光器p型層，以及該第一n接觸層電性連接至該第二p接觸層。
  102. 如申請專利範圍第101項之照明裝置，其中 該第一p接觸層與該第一n接觸層是在該第一發光器之相對側上。
  103. 如申請專利範圍第101項之照明裝置，其中該第一n接觸層具有：一第一n接觸層第一表面與一第一n接觸層第二表面，該第一p接觸層具有：一第一p接觸層第一表面與一第一p接觸層第二表面，該第二n接觸層具有：一第二n接觸層第一表面與一第二n接觸層第二表面，該第二p接觸層具有：一第二p接觸層第一表面與一第二p接觸層第二表面，以及該第一n接觸層第一表面、該第一n接觸層第二表面、該第一p接觸層第一表面、該第一p接觸層第二表面、該第二n接觸層第一表面、該第二n接觸層第二表面、該第二p接觸層第一表面、以及該第二p接觸層第二表面均實質上彼此平行。
  104. 如申請專利範圍第101項之照明裝置，其中該第一n接觸層具有：一第一n接觸層第一表面與一第一n接觸層第二表面，該第一p接觸層具有：一第一p接觸層第一表面與一第一p接觸層第二表面，該第二n接觸層具有：一第二n接觸層第一表面與一第二n接觸層第二表面，該第二p接觸層具有：一第二p接觸層第一表面與一 第二p接觸層第二表面，以及該第一p接觸層第二表面、該第一n接觸層第一表面、該第一n接觸層第二表面、該第二p接觸層第一表面、該第二p接觸層第二表面、以及該第二n接觸層第一表面，乃設置介於該第一p接觸層第一表面、與該第二n接觸層第二表面之間。
  105. 如申請專利範圍第101項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  106. 如申請專利範圍第101項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  107. 一種照明裝置，包括：一第一發光器；以及一第二發光器；該第一發光器包括：一第一發光器n型層、一第一發光器p型層、以及一第一發光器基板層，該第一發光器n型層包括：一第一發光器第一n型區域、一第一發光器第二n型區域、以及一第一發光器第三n型區域，該第一發光器第一n型區域、該第一發光器第二n型區域、以及該第一發光器第三n型區域各彼此隔離，該第一發光器p型層包括：一第一發光器第一p型區域、一第一發光器第二p型區域、以及一第一發光器第三p型區域，該第一發光器第一p型區域、該第一發光器第 二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域各彼此隔離，該第一發光器第一n型區域與該第一發光器第一p型區域一起包括一第一發光裝置，該第一發光器第二n型區域與該第一發光器第二p型區域一起包括一第二發光裝置，該第一發光器第三n型區域與該第一發光器第三p型區域一起包括一第三發光裝置，該第一發光器更包括第一p接觸層，該第一p接觸層電性連接至：該第一發光器第一p型區域、該第一發光器第二p型區域、以及該第一發光器第三p型區域，該第一發光器更包括該第一發光器第一n接觸區域、該第一發光器第二n接觸區域、以及該第一發光器第三n接觸區域，該第二發光器包括一第二發光器n型層、一第二發光器p型層、以及一第二發光器基板層，該第二發光器n型層包括：一第二發光器第一n型區域、一第二發光器第二n型區域、以及一第二發光器第三n型區域，該第二發光器第一n型區域、該第二發光器第二n型區域、以及該第二發光器第三n型區域各彼此隔離，該第二發光器p型層包括：一第二發光器第一p型區域、一第二發光器第二p型區域、以及一第二發光器第三p型區域，該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域各彼此隔離，該第二發光器第一n型區域與該第二發光器第一p型 區域一起包括一第四發光裝置，該第二發光器第二n型區域與該第二發光器第二p型區域一起包括一第五發光裝置，該第二發光器第三n型區域與該第二發光器第三p型區域一起包括一第六發光裝置，該第二發光器更包括一第二p接觸層，該第二p接觸層電性連接至：該第二發光器第一p型區域、該第二發光器第二p型區域、以及該第二發光器第三p型區域，該第二發光器更包括一第二發光器第二n接觸區域、一第二發光器第二n接觸區域、以及一第二發光器第三n接觸區域，該第一發光器第一n接觸區域電性連接至：該第一發光器第一n型區域與該第二發光器p接觸層，該第一發光器第二n接觸區域電性連接至：該第一發光器第二n型區域與該第二發光器p接觸層，以及該第一發光器第三n接觸區域電性連接至：該第一發光器第三n型區域與該第二發光器p接觸層。
  108. 如申請專利範圍第107項之照明裝置，其中該發光器適合以AC電源操作。
  109. 如申請專利範圍第107項之照明裝置，其中該第一p型層是在相對於該第一發光器第一n接觸區域、該第一發光器第二n接觸區域、以及該第一發光器第三n接觸區域的該第一發光器之相對面上。
  110. 如申請專利範圍第107項之照明裝置，其中該第一p接觸層具有：一第一p接觸第一表面與一第 一p接觸第二表面，該第二p接觸層具有：一第二p接觸第一表面與一第二p接觸第二表面，以及該第一p接觸第一表面、該第一p接觸第二表面、該第二p接觸第一表面、以及該第二p接觸第二表面均實質上彼此平行。
  111. 如申請專利範圍第107項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一熔絲連接，其與該等發光裝置之至少一個電性串聯。
  112. 如申請專利範圍第107項之照明裝置，其中該照明裝置更包括至少一用於將該等發光裝置之至少一個之導電串聯斷開的機構。
  113. 一種結構，包括：一單體式n型層，其包括複數個n型區域；以及一單體式p型層，其包括複數個p型區域，該等n型區域藉由至少一個隔離區域而各彼此隔離，該等p型區域藉由該至少一個隔離區域而各彼此隔離，以及該等n型區域相對於彼此設置，而防止該n型層被傳統晶圓切割裝置切割成個別n型區域。
  114. 一種結構，包括：一單體式n型層，其包括複數個n型區域；以及一單體式p型層，其包括複數個p型區域，該等n型區域藉由至少一個隔離區域而各彼此隔離， 該等p型區域藉由該至少一個隔離區域而各彼此隔離，以及該等n型區域之至少之一跨於由以下區域所界定之線而延伸：在至少兩個其他該等n型區域間延伸之至少一個隔離區域。
  115. 一種如申請專利範圍第54、60、以及65項中任一項之發光器，其中該n型層為一單體層，且該p型層為一單體層。
  116. 一種如申請專利範圍第72、80、84、93、101以及107項中任一項之照明裝置，其中該第一n型層為一單體層、該第二n型層為一單體層、該第一p型層為一單體層、以及該第二p型層為一單體層。
  117. 一種製造高電壓發光器之方法，包括以下步驟：提供複數個發光裝置，其藉由在上面形成此等發光裝置之一共同基板而機械地互連；以及將該共同基板安裝在一互連底板上，而將該等複數個發光裝置機械地且電性地連接，其中，該等發光裝置藉由該互連底板而電性互連，以提供該等發光裝置之至少兩個串聯子集合之陣列，各該子集合包括至少三個電性並聯之該等發光裝置。
  118. 一種如申請專利範圍第66項之照明元件，其中該第一n型層為一單體層、該第二n型層為一單體層、該第一p型層為一單體層、以及該第二p型層為一單體層。
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