KR20130021296A - 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛 - Google Patents

발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR20130021296A
KR20130021296A KR1020110083719A KR20110083719A KR20130021296A KR 20130021296 A KR20130021296 A KR 20130021296A KR 1020110083719 A KR1020110083719 A KR 1020110083719A KR 20110083719 A KR20110083719 A KR 20110083719A KR 20130021296 A KR20130021296 A KR 20130021296A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
semiconductor layer
conductivity type
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110083719A
Other languages
English (en)
Inventor
정환희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110083719A priority Critical patent/KR20130021296A/ko
Priority to EP12151108.3A priority patent/EP2562828B1/en
Priority to CN201210016849.9A priority patent/CN102956664B/zh
Priority to US13/442,120 priority patent/US9559254B2/en
Publication of KR20130021296A publication Critical patent/KR20130021296A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials

Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 지지기판; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 아래에 제1 활성층, 상기 제1 활성층 아래에 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 제1 발광구조물; 상기 제1 발광구조물 아래에 제1 반사전극; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 아래에 제2 활성층, 상기 제2 활성층 아래에 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 제2 발광구조물; 상기 제2 발광구조물 아래에 제2 반사전극; 상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층과 상기 제2 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.

Description

발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}
실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.
발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.
실시 예는 공정 안정성이 향상되며 전기적으로 직렬 연결된 복수의 발광 셀을 포함하는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 지지기판; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 아래에 제1 활성층, 상기 제1 활성층 아래에 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 제1 발광구조물; 상기 제1 발광구조물 아래에 제1 반사전극; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 아래에 제2 활성층, 상기 제2 활성층 아래에 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 제2 발광구조물; 상기 제2 발광구조물 아래에 제2 반사전극; 상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층과 상기 제2 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 반사전극, 상기 반사전극 위에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제1 도전형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀 중에서 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 발광 셀에 인접한 제2 발광 셀의 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 지지기판; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 아래에 제1 활성층, 상기 제1 활성층 아래에 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 제1 발광구조물; 상기 제1 발광구조물 아래에 제1 반사전극; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 아래에 제2 활성층, 상기 제2 활성층 아래에 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 제2 발광구조물; 상기 제2 발광구조물 아래에 제2 반사전극; 상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층과 상기 제2 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 반사전극, 상기 반사전극 위에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제1 도전형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀 중에서 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 발광 셀에 인접한 제2 발광 셀의 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 지지기판; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 아래에 제1 활성층, 상기 제1 활성층 아래에 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 제1 발광구조물; 상기 제1 발광구조물 아래에 제1 반사전극; 상기 지지기판 위에 배치되며, 제1 도전형의 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 아래에 제2 활성층, 상기 제2 활성층 아래에 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 제2 발광구조물; 상기 제2 발광구조물 아래에 제2 반사전극; 상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층과 상기 제2 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 반사전극, 상기 반사전극 위에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제1 도전형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 발광 셀; 상기 복수의 발광 셀 중에서 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 발광 셀에 인접한 제2 발광 셀의 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부; 를 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 공정 안정성이 향상되며 전기적으로 직렬 연결된 복수의 발광 셀을 제공할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 6은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 발광구조물(10), 제2 발광구조물(20), 제3 발광구조물(30), 제1 반사전극(17), 제2 반사전극(27), 제3 반사전극(37), 전극(80)을 포함할 수 있다. 도 1에는 3 개의 발광구조물이 배치된 경우를 나타내었으나, 실시 예에 따른 발광소자는 2 개의 발광구조물을 포함할 수도 있으며 또한 4 개 이상의 발광구조물을 포함할 수도 있다. 상기 복수의 발광구조물들은 전기적으로 직렬 구조로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광구조물들은 지지기판(70) 위에 배치될 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10)은 제1 도전형의 제1 반도체층(11), 제1 활성층(12), 제2 도전형의 제2 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제1 활성층(12)은 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 활성층(12)은 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)은 상기 제1 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.
예로써, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제1 활성층(12)은 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 제1 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 제1 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 상기 제1 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 상기 제1 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)과 상기 제1 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 제2 발광구조물(20)은 제1 도전형의 제3 반도체층(21), 제2 활성층(22), 제2 도전형의 제4 반도체층(23)을 포함할 수 있다. 상기 제2 활성층(22)은 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)과 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 활성층(22)은 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)은 상기 제2 활성층(22) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 발광구조물(20)은 위에서 설명된 상기 제1 발광구조물(10)에 준하여 유사하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3 발광구조물(30)은 제1 도전형의 제5 반도체층(31), 제3 활성층(32), 제2 도전형의 제6 반도체층(33)을 포함할 수 있다. 상기 제3 활성층(32)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31)과 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 활성층(32)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)은 상기 제3 활성층(32) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제3 발광구조물(30)은 위에서 설명된 상기 제1 발광구조물(10)에 준하여 유사하게 형성될 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10) 아래에 제1 오믹접촉층(15)과 상기 제1 반사전극(17)이 배치될 수 있다. 상기 제1 발광구조물(10) 아래 및 상기 제1 반사전극(17) 둘레에 제1 확산장벽층(19)이 배치될 수 있다. 상기 제1 확산장벽층(19)은 상기 제1 오믹접촉층(15) 둘레 및 상기 제1 반사전극(17) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제1 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 반사전극(17)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제1 반사전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 반사전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제1 반사전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 오믹접촉층(15)은 상기 제1 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 반사전극(17)은 상기 제1 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 제1 확산장벽층(19)은 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제1 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 확산장벽층(19)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제1 반사전극(17) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 확산장벽층(19)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 확산장벽층(19)은 아이솔레이션층 또는 채널층으로 지칭될 수도 있다.
또한, 상기 제2 발광구조물(20) 아래에 제2 오믹접촉층(25)과 상기 제2 반사전극(27)이 배치될 수 있다. 상기 제2 발광구조물(20) 아래 및 상기 제2 반사전극(27) 둘레에 제2 확산장벽층(29)이 배치될 수 있다. 상기 제2 확산장벽층(29)은 상기 제2 오믹접촉층(25) 둘레 및 상기 제2 반사전극(27) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제2 오믹접촉층(25)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 오믹접촉층(25)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 반사전극(27)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 반사전극(27)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 반사전극(27)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제2 반사전극(27)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 오믹접촉층(25)은 상기 제2 발광구조물(20)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 제2 반사전극(27)은 상기 제2 발광구조물(20)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 제2 확산장벽층(29)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제2 반사전극(27) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제2 확산장벽층(29)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제2 반사전극(27) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 확산장벽층(29)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제3 발광구조물(30) 아래에 제3 오믹접촉층(35)과 상기 제3 반사전극(37)이 배치될 수 있다. 상기 제3 발광구조물(30) 아래 및 상기 제3 반사전극(37) 둘레에 제3 확산장벽층(39)이 배치될 수 있다. 상기 제3 확산장벽층(39)은 상기 제3 오믹접촉층(35) 둘레 및 상기 제3 반사전극(37) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제3 오믹접촉층(35)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제3 오믹접촉층(35)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제3 반사전극(37)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제3 반사전극(37)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사전극(37)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제3 반사전극(37)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제3 오믹접촉층(35)은 상기 제3 발광구조물(30)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 제3 반사전극(37)은 상기 제3 발광구조물(30)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 제3 확산장벽층(39)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제3 반사전극(37) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제3 확산장벽층(39)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제3 반사전극(37) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 제3 확산장벽층(39)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10)과 상기 제2 발광구조물(20) 사이에 제1 컨택부(43)가 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 상기 제2 반사전극(27)을 전기적으로 연결한다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27)의 하부에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 오믹접촉층(25)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)은 상기 제1 컨택부(43)를 통하여 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
상기 제1 컨택부(43)와 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13) 사이에 제1 절연층(41)이 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)와 상기 제1 활성층(12) 사이에 상기 제1 절연층(41)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제1 절연층(41)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)와 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 사이에 제2 절연층(45)이 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)와 상기 제2 활성층(22) 사이에 상기 제2 절연층(45)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제2 절연층(45)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제1 발광구조물(10)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다.
상기 제2 발광구조물(20)과 상기 제3 발광구조물(30) 사이에 제2 컨택부(53)가 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)과 상기 제3 반사전극(37)을 전기적으로 연결한다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37)의 하부에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 오믹접촉층(35)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)은 상기 제2 컨택부(53)를 통하여 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
상기 제2 컨택부(53)와 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23) 사이에 제4 절연층(51)이 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)와 상기 제2 활성층(22) 사이에 상기 제4 절연층(51)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제4 절연층(51)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)와 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 사이에 제5 절연층(55)이 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)와 상기 제3 활성층(32) 사이에 상기 제5 절연층(55)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제5 절연층(55)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제3 발광구조물(30)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다.
상기 제2 확산장벽층(29) 및 상기 제3 확산장벽층(39) 아래에 제3 절연층(40)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(40)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 제3 절연층(40)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1 확산장벽층(19)과 상기 제3 절연층(40) 아래에 제4 확산장벽층(50), 본딩층(60), 지지부재(70)가 배치될 수 있다.
상기 제4 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제4 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4 확산장벽층(50)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 제1 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.
상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다. 상기 지지부재(70)는 예컨대 Al2O3, SiO2 등의 물질로 구현될 수도 있다.
한편, 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 위에 전극(80)이 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 상부면에 접촉될 수 있다.
이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 제1 반사전극(17)에 의하여 상기 제1 발광구조물(10). 상기 제2 발광구조물(20), 및 상기 제3 발광구조물(30)에 전원이 제공될 수 있게 된다. 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)은 전기적으로 직렬 구조로 연결된다. 이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 제1 반사전극(17)을 통하여 전원이 인가되면 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)에서 빛이 제공될 수 있게 된다.
실시 예에 의하면, 상기 전극(80)은 다층 구조로 구현될 수도 있다. 상기 전극(80)은 오믹접촉층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)의 상부면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30) 위에는 보호층이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 상기 제1 발광구조물(10) 및 상기 제3 발광구조물(30)의 둘레에 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택부(43) 및 제2 컨택부(53)를 통하여 이웃하는 발광구조물 간에 전기적으로 직렬 구조로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(41), 제2 절연층(45), 제4 절연층(51), 제5 절연층(55)을 이온 임플란테이션에 의하여 형성함으로써 제조 안정성을 구현할 수 있다. 즉, 절연층을 형성하기 위하여 식각 공정을 거치지 않아도 되므로 상대적으로 공정 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한, 실시 예에서는 이온 임플란테이션을 이용하여 절연층을 형성함에 따라 수십 마이크로 이하의 선폭을 구현할 수 있게 된다. 예컨대, 이웃하는 발광구조물 간에 수 마이크로 정도의 선폭을 갖는 절연층을 구현할 수 있게 된다. 이에 따라 발광층을 효율적으로 이용할 수 있게 된다.
한편, 이상의 설명에서는 상기 제1 절연층(41)과 상기 제2 절연층(45)이 서로 분리된 공정에서 각각 형성되는 것을 기준으로 설명하였으나, 상기 제1 절연층(41)과 상기 제2 절연층(45)은 동일 공정에서 형성될 수도 있다. 즉, 이온 임플란테이션 수행시 공정 변수 조절을 통하여 이온이 제공되는 위치를 제어할 수 있으므로, 상기 제1 절연층(41)과 상기 제2 절연층(45)은 동일 공정에서 동시에 또는 순차적으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 절연층(41)과 상기 제2 절연층(45) 각각은 도 4를 참조하여 설명된 이온 임플란테이션 공정에서 각 절연층의 일부 영역이 형성되고, 도 6을 참조하여 설명된 이온 임플란테이션 공정에서 각 절연층의 나머지 일부 영역이 형성될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 복수의 발광 셀을 포함한다. 상기 각각의 발광 셀은 반사전극, 상기 반사전극 위에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제1 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 복수의 발광 셀 중에서 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 발광 셀에 인접한 제2 발광 셀의 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부를 포함한다. 이때, 상기 컨택부는 상기 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층의 내부에 접촉되고 상기 제2 발광 셀의 반사전극에 접촉될 수 있다. 그리고, 상기 제2 발광 셀의 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 발광 셀에 포함된 상기 반사전극과 상기 제2 발광 셀에 포함된 상기 전극에 전원이 제공되면 상기 제1 발광 셀과 상기 제2 발광 셀은 전기적으로 직렬 구조로 연결되어 빛을 발광할 수 있게 된다.
그러면 도 2 내지 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다.
실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 성장기판(5) 위에 제1 도전형 반도체층(11a), 활성층(12a), 제2 도전형 반도체층(13a)을 형성한다. 상기 제1 도전형 반도체층(11a), 상기 활성층(12a), 상기 제2 도전형 반도체층(13a)은 발광구조물(10a)로 정의될 수 있다.
상기 성장기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 상기 성장기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다.
예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11a)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13a)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11a)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13a)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11a)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11a)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11a)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12a)은 상기 제1 도전형 반도체층(11a)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13a)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12a)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12a)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12a)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12a)이 상기 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12a)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13a)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13a)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13a)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11a)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13a)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13a) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10a)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11a) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13a) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10a)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11a)과 상기 활성층(12a) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13a)과 상기 활성층(12a) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 도전형 반도체층(13a)의 제1 영역 위에 제1 오믹접촉층(15), 제1 반사전극(17)이 형성된다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(13a)의 제2 영역 위에 제2 오믹접촉층(25), 제2 반사전극(27)이 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층(13a)의 제3 영역 위에 제3 오믹접촉층(35), 제3 반사전극(37)이 형성된다.
상기 제1 오믹접촉층(15), 상기 제2 오믹접촉층(25), 상기 제3 오믹접촉층(35)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 오믹접촉층(15), 상기 제2 오믹접촉층(25), 상기 제3 오믹접촉층(35)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 상기 제1 반사전극(17), 상기 제2 반사전극(27), 상기 제3 반사전극(37)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 오믹접촉층(15)과 상기 제2 오믹접촉층(25) 사이에 제1 절연층(41)을 형성한다. 상기 제1 절연층(41)은 예로서 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 상기 제2 도전형 반도체층(13a), 상기 활성층(12a)을 관통하여 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 절연층(41)은 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 일부 영역까지 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)에 의하여 제2 도전형의 제2 반도체층(13)과 제2 도전형의 제4 반도체층(23)이 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)에 의하여 제1 활성층(12)과 제2 활성층(22)이 전기적으로 절연될 수 있게 된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 오믹접촉층(25)과 상기 제3 오믹접촉층(35) 사이에 제4 절연층(51)을 형성한다. 상기 제4 절연층(51)은 예로서 이온 임플란테이션 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 상기 제2 도전형 반도체층(13a), 상기 활성층(12a)을 관통하여 형성될 수 있다. 또한 상기 제4 절연층(51)은 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 일부 영역까지 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)에 의하여 제2 도전형의 제4 반도체층(23)과 제2 도전형의 제6 반도체층(33)이 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)에 의하여 제2 활성층(22)과 제3 활성층(32)이 전기적으로 절연될 수 있게 된다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 절연층(41) 옆에 제1 컨택부(43)을 형성하고, 상기 제4 절연층(51) 옆에 제2 컨택부(53)을 형성한다.
상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27) 위에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 오믹접촉층(25)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11a)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37) 위에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 오믹접촉층(35)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11a)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 상기 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 제1 도전형 반도체층(11a)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
또한, 상기 제1 반사전극(17) 위에 제1 확산장벽층(19)을 형성하고, 상기 제2 반사전극(27) 위에 제2 확산장벽층(29)을 형성하고, 상기 제3 반사전극(37) 위에 제3 확산장벽층(39)을 형성한다. 이어서, 상기 제2 확산장벽층(29) 및 상기 제3 확산장벽층(39) 위에 제3 절연층(40)을 형성한다.
한편, 위에서 설명된 각 층의 형성 공정은 하나의 예시이며, 그 공정 순서는 다양하게 변형될 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 확산장벽층(19)과 상기 제3 절연층(40) 위에 제4 확산장벽층(50), 본딩층(60), 지지부재(70)를 형성한다.
상기 제4 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제1 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제4 확산장벽층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제1 반사전극(17) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 제4 확산장벽층(50)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 제1 반사전극(17)에 전원을 제공할 수 있다.
상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다. 상기 지지부재(70)는 예컨대 Al2O3, SiO2 등의 물질로 구현될 수도 있다.
다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(11a)으로부터 상기 성장기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 성장기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 성장기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 성장기판(5)과 상기 제1 도전형 반도체층(11a)을 서로 박리시키는 공정이다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 컨택부(43) 옆에 제2 절연층(45)이 형성되고, 상기 제2 컨택부(53) 옆에 제5 절연층(55)이 형성될 수 있다.
상기 제2 절연층(45)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(45)에 의하여 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 제1 도전형의 제3 반도체층(21)이 전기적으로 절연될 수 있게 된다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제1 발광구조물(10)의 표면까지 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 형성될 수 있다.
상기 제5 절연층(55)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제5 절연층(55)에 의하여 제1 도전형의 제3 반도체층(21)과 제1 도전형의 제5 반도체층(31)이 전기적으로 절연될 수 있게 된다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제3 발광구조물(30)의 표면까지 연장되어 형성될 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)의 상부면에 광 추출 패턴이 형성될 수 있다. 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30) 상부면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 위에 전극(80)이 배치될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 상부면에 접촉될 수 있다.
이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 제1 반사전극(17)에 의하여 상기 제1 발광구조물(10). 상기 제2 발광구조물(20), 및 상기 제3 발광구조물(30)에 전원이 제공될 수 있게 된다. 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)은 전기적으로 직렬 구조로 연결된다. 이에 따라, 상기 전극(80) 및 상기 제1 반사전극(17)을 통하여 전원이 인가되면 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)에서 빛이 제공될 수 있게 된다.
실시 예에 의하면, 상기 전극(80)은 다층 구조로 구현될 수도 있다. 상기 전극(80)은 오믹접촉층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30)의 상부면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
상기 제1 발광구조물(10), 상기 제2 발광구조물(20), 상기 제3 발광구조물(30) 위에는 보호층이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 상기 제1 발광구조물(10) 및 상기 제3 발광구조물(30)의 둘레에 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택부(43) 및 제2 컨택부(53)를 통하여 이웃하는 발광구조물 간에 전기적으로 직렬 구조로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(41), 제2 절연층(45), 제4 절연층(51), 제5 절연층(55)을 이온 임플란테이션에 의하여 형성함으로써 제조 안정성을 구현할 수 있다. 즉, 절연층을 형성하기 위하여 식각 공정을 거치지 않아도 되므로 상대적으로 공정 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한, 실시 예에서는 이온 임플란테이션을 이용하여 절연층을 형성함에 따라 수십 마이크로 이하의 선폭을 구현할 수 있게 된다. 예컨대, 이웃하는 발광구조물 간에 수 마이크로 정도의 선폭을 갖는 절연층을 구현할 수 있게 된다. 이에 따라 발광층을 효율적으로 이용할 수 있게 된다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.
상기 제1 발광구조물(10)과 상기 제2 발광구조물(20) 사이에 제1 컨택부(43)가 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)과 상기 제2 반사전극(27)을 전기적으로 연결한다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 반사전극(27)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 오믹접촉층(25)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)은 상기 제1 컨택부(43)를 통하여 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제1 컨택부(43)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제1 컨택부(43)는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 상기 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제1 컨택부(43)가 제1 도전형의 제1 반도체층(11)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
상기 제1 컨택부(43)와 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13) 사이에 제1 절연층(41)이 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)와 상기 제1 활성층(12) 사이에 상기 제1 절연층(41)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제1 절연층(41)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(41)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 컨택부(43)와 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 사이에 제2 절연층(45)이 배치될 수 있다. 상기 제1 컨택부(43)와 상기 제2 활성층(22) 사이에 상기 제2 절연층(45)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제2 절연층(45)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제1 발광구조물(10)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 절연층(45)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다.
상기 제2 발광구조물(20)과 상기 제3 발광구조물(30) 사이에 제2 컨택부(53)가 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)과 상기 제3 반사전극(37)을 전기적으로 연결한다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 내부에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 반사전극(37)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제3 오믹접촉층(35)에 접촉될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)은 상기 제2 컨택부(53)를 통하여 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 Cr, Al, Ti, Ni, Pt, V 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2 컨택부(53)는 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)는 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21) 내에 접촉될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)이 GaN층을 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 반도체층의 성장 방향 및 식각 방향을 고려하면, 상기 제2 컨택부(53)는 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면(Ga face)에 접촉될 수 있다. 이와 같이 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 상기 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 열적 안정성을 확보할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 제2 컨택부(53)가 제1 도전형의 제3 반도체층(21)의 Ga 면에 접촉될 수 있으므로 N 면에 접촉되는 경우에 비하여 동작 전압에 따른 특성곡선의 변동이 작게 되어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 고전류 인가에 유용하게 적용될 수 있게 된다.
상기 제2 컨택부(53)와 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23) 사이에 제4 절연층(51)이 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)와 상기 제2 활성층(22) 사이에 상기 제4 절연층(51)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제4 절연층(51)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제4 절연층(51)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 컨택부(53)와 상기 제1 도전형의 제5 반도체층(31) 사이에 제5 절연층(55)이 배치될 수 있다. 상기 제2 컨택부(53)와 상기 제3 활성층(32) 사이에 상기 제5 절연층(55)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제5 절연층(55)은 절연성 이온층으로 구현될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 이온 임플란테이션(ion implantation) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 N, O, V, Fe 등의 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제2 발광구조물(20)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제5 절연층(55)은 상기 제3 발광구조물(30)의 표면까지 연장되어 제공될 수 있다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 발광구조물(10) 아래에 제1 오믹 반사전극(16)이 배치될 수 있다. 상기 제1 오믹 반사전극(16)은 도 1에서 설명된 제1 반사전극(17)과 제1 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 오믹 반사전극(16)은 상기 제2 도전형의 제2 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 제1 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다.
또한, 상기 제2 발광구조물(20) 아래에 제2 오믹 반사전극(26)이 배치될 수 있다. 상기 제2 오믹 반사전극(26)은 도 1에서 설명된 제2 반사전극(27)과 제2 오믹접촉층(25)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 제2 오믹 반사전극(26)은 상기 제2 도전형의 제4 반도체층(23)에 오믹 접촉되며, 상기 제2 발광구조물(20)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다.
또한, 상기 제3 발광구조물(30) 아래에 제3 오믹 반사전극(36)이 배치될 수 있다. 상기 제3 오믹 반사전극(36)은 도 1에서 설명된 제3 반사전극(37)과 제3 오믹접촉층(35)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 제3 오믹 반사전극(36)은 상기 제2 도전형의 제6 반도체층(33)에 오믹 접촉되며, 상기 제3 발광구조물(30)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.
상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치, 도 12에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 발광소자(100)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1020)과 상기 발광소자(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이다.
도 12를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다.
상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.
상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자(100)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(100) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
실시 예는 상기 발광소자(100)가 패키징된 후 상기 기판에 탑재되어 발광 모듈로 구현되거나, LED 칩 형태로 탑재되어 패키징하여 발광 모듈로 구현될 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 제1 발광구조물 11: 제1 반도체층
12: 제1 활성층 13: 제2 반도체층
15: 제1 오믹접촉층 17: 제1 반사전극
19: 제1 확산장벽층 20: 제2 발광구조물
21: 제3 반도체층 22: 제2 활성층
23: 제4 반도체층 25: 제2 오믹접촉층
27: 제2 반사전극 29: 제2 확산장벽층
30: 제3 발광구조물 31: 제5 반도체층
32: 제3 활성층 33: 제6 반도체층
35: 제3 오믹접촉층 37: 제3 반사전극
39: 제3 확산장벽층 40: 제3 절연층
41: 제1 절연층 43: 제1 컨택부
45: 제2 절연층 50: 제4 확산장벽층
60: 본딩층 70: 지지부재
80: 전극

Claims (16)

  1. 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 아래에 제1 활성층, 상기 제1 활성층 아래에 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 제1 발광구조물;
    상기 제1 발광구조물 아래에 제1 반사전극;
    제1 도전형의 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 아래에 제2 활성층, 상기 제2 활성층 아래에 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 제2 발광구조물;
    상기 제2 발광구조물 아래에 제2 반사전극;
    상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층과 상기 제2 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부;
    를 포함하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 발광구조물 및 상기 제2 발광구조물 아래에 배치된 지지기판을 포함하는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 컨택부는 상기 제1 도전형의 제1 반도체층의 내부에 접촉된 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 컨택부는 상기 제2 반사전극의 하부에 접촉된 발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 컨택부는 상기 제2 반사전극의 측면에 접촉된 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 반사전극과 상기 제2 도전형의 제2 반도체층 사이에 제1 오믹접촉층이 배치되고, 상기 제2 반사전극과 상기 제2 도전형의 제4 반도체층 사이에 제2 오믹접촉층이 배치된 발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 컨택부와 상기 제2 도전형의 제2 반도체층 사이 및 상기 컨택부와 상기 제1 활성층 사이에 제1 절연층을 포함하는 발광소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 절연층은 절연성 이온층인 발광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 컨택부와 상기 제1 도전형의 제3 반도체층 사이 및 상기 컨택부와 상기 제2 활성층 사이에 제2 절연층을 포함하는 발광소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 절연층은 절연성 이온층인 발광소자.
  11. 제2항에 있어서, 상기 지지기판과 상기 제2 반사전극 사이에 제3 절연층을 포함하는 발광소자.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 도전형의 제1 반도체층이 GaN층을 포함하는 경우, 상기 컨택부는 상기 제1 반도체층의 Ga면에 접촉된 발광소자.
  13. 반사전극, 상기 반사전극 위에 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제1 도전형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 발광 셀;
    상기 복수의 발광 셀 중에서 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 발광 셀에 인접한 제2 발광 셀의 반사전극을 전기적으로 연결하는 컨택부;
    를 포함하는 발광소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 컨택부는 상기 제1 발광 셀의 제1 도전형 반도체층의 내부에 접촉되고 상기 제2 발광 셀의 반사전극에 접촉된 발광소자.
  15. 몸체;
    상기 몸체 위에 배치되며, 제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
    상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극;
    을 포함하는 발광소자 패키지.
  16. 기판;
    상기 기판 위에 배치되며, 제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
    상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재;
    를 포함하는 라이트 유닛.
KR1020110083719A 2011-08-22 2011-08-22 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛 KR20130021296A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110083719A KR20130021296A (ko) 2011-08-22 2011-08-22 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
EP12151108.3A EP2562828B1 (en) 2011-08-22 2012-01-13 Light emitting diode and light emitting diode package
CN201210016849.9A CN102956664B (zh) 2011-08-22 2012-01-18 发光器件及发光器件封装件
US13/442,120 US9559254B2 (en) 2011-08-22 2012-04-09 Light emitting device and light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110083719A KR20130021296A (ko) 2011-08-22 2011-08-22 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130021296A true KR20130021296A (ko) 2013-03-05

Family

ID=45463487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110083719A KR20130021296A (ko) 2011-08-22 2011-08-22 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9559254B2 (ko)
EP (1) EP2562828B1 (ko)
KR (1) KR20130021296A (ko)
CN (1) CN102956664B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2755245A3 (en) * 2013-01-14 2016-05-04 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR102162437B1 (ko) * 2014-05-15 2020-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
JP2017059638A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 半導体発光素子
DE102017125105A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN110137201B (zh) * 2019-05-24 2021-06-25 厦门乾照光电股份有限公司 一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
CN101652861B (zh) * 2007-01-22 2013-01-23 科锐公司 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法
EP3223313B1 (en) * 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
JP5123269B2 (ja) * 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101533817B1 (ko) * 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR100986440B1 (ko) * 2009-04-28 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI397989B (zh) * 2009-12-07 2013-06-01 Epistar Corp 發光二極體陣列
WO2011126248A2 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US8658513B2 (en) * 2010-05-04 2014-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Isolation by implantation in LED array manufacturing
US8592847B2 (en) * 2011-04-15 2013-11-26 Epistar Corporation Light-emitting device
KR101956101B1 (ko) * 2012-09-06 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP2562828A1 (en) 2013-02-27
CN102956664B (zh) 2017-03-01
US20130049030A1 (en) 2013-02-28
US9559254B2 (en) 2017-01-31
EP2562828B1 (en) 2017-12-20
CN102956664A (zh) 2013-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5960436B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
KR20130021296A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20130027275A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR102075151B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130065327A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130045686A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130067148A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130009040A (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101826983B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛, 발광소자 제조방법
KR20130031525A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛
KR20130029543A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101896680B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130078987A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101852566B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20130038061A (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101842594B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101914081B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20120137180A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101869553B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101818771B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20130049388A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101921150B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛
KR101873589B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101873590B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101888652B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application