CN102956664B - 发光器件及发光器件封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。

Description

发光器件及发光器件封装件
技术领域
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光，如红外线、可见光线或者紫外线。
由于发光器件的光效率已经得到了提高，所以发光器件已经应用在各种领域中，如显示器件和照明器件。
发明内容
实施方案提供了一种能够改善工艺稳定性并且包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
根据实施方案的发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括：反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体上的发光器件；以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极，其中，发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体上的发光器件；以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极，其中，发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的照明装置包括：板；安装在板上的发光器件；以及用作从发光器件发出的光的光路的光学构件，其中，发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的照明装置包括：板；安装在板上的发光器件；以及，用作从发光器件发出的光的光路的光学构件，其中，发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及照明装置，可以改善工艺稳定性，并且可以提供彼此电连接的多个单元。
附图说明
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图；
图2至图6是示出用于制造根据实施方案的发光器件的方法的视图；
图7和图8是示出根据实施方案的发光器件的改变实例的视图；
图9是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图；
图10是示出根据实施方案的显示器件的视图；
图11是示出根据另一实施方案的显示器件的视图；以及
图12是示出根据实施方案的照明器件的视图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应理解当层(或者膜)、区域、图案或者结构称为在另一层(或者膜)、另一区域、另一垫或者另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接”或者“间接”在其它基板、层(或者膜)、区域、垫或者图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。已经参照附图对层的这种位置进行了描述。
出于方便或者清楚的目的，可以对附图中示出的各层的厚度和尺寸进行放大、省略或者示意性地描绘。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
下文中，将参照附图对根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、照明装置以及用于制造发光器件的方法进行描述。
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。
如图1中所示，根据实施方案的发光器件可包括：第一发光结构10、第二发光结构20、第三发光结构30、第一反射电极17、第二反射电极27、第三反射电极37以及电极80。虽然图1中示出三个发光结构，然而，根据实施方案的发光器件可以包括两个发光结构或者至少四个发光结构。发光结构可以以串联方式彼此电连接。此外，发光结构可以设置在支撑基板70上。
第一发光结构10可以包括：第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13。第一有源层12设置在第一导电型第一半导体层11与第二导电型第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11下，第二导电型第二半导体层13可以设置在第一有源层12下。
例如，第一导电型第一半导体层11可以制备为掺杂有作为第一导电型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备为掺杂有作为第二导电型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型第一半导体层11可以制备为p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备为n型半导体层。
例如，第一导电型第一半导体层11可以包括n型半导体层。第一导电型第一半导体层11可以使用具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，如Si、Ge、Sn、Se或者Te。
第一有源层12通过经由第一导电型第一半导体层11注入的电子(或者空穴)和经由第二导电型第二半导体层13注入的空穴(或者电子)的复合、基于根据构成第一有源层12的材料的能带的带隙差而发出光。第一有源层12可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
第一有源层12可以包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果第一有源层12具有MQW结构，则第一有源层12可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，第一有源层12可以包括InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。
例如，第二导电型第二半导体层13可以包括p型半导体层。第二导电型第二半导体层13可以使用具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备。例如，第二导电型第二半导体层13可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。
同时，第一导电型第一半导体层11可以包括p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以包括n型半导体层。此外，可以在第二导电型第二半导体层13下形成包括n型半导体层或者p型半导体层的半导体层。因而，发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构和PNP结结构中的至少一种结构。此外，第一导电型第一半导体层11和第二导电型第二半导体层13中的杂质的掺杂浓度可以均一或者不均一。换言之，发光结构10可以不受限制地以不同的方式来形成。
此外，可以在第一导电型第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电型InGaN/GaN超晶格结构或者第一导电型InGaN/InGaN超晶格结构。此外，可以在第二导电型第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电型AlGaN层。
此外，第二发光结构20可以包括第一导电型第三半导体层21、第二有源层22和第二导电型第四半导体层23。第二有源层22设置在第一导电型第三半导体层21与第二导电型第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电型第三半导体层21下，第二导电型第四半导体层23可以设置在第二有源层22下。第二发光结构20可以按照与上述第一发光结构10类似的方式进行制备。
另外，第三发光结构30可以包括第一导电型第五半导体层31、第三有源层32和第二导电型第六半导体层33。第三有源层32设置在第一导电型第五半导体层31与第二导电型第六半导体层33之间。第三有源层32可以设置在第一导电型第五半导体层31下，第二导电型第六半导体层33可以设置在第三有源层32下。第三发光结构30可以按照与上述第一发光结构10类似的方式进行制备。
可以在第一发光结构10下设置第一欧姆接触层15和第一反射电极17。可以在第一发光结构10下并且在第一反射电极17周围设置第一扩散阻挡层19。第一扩散阻挡层19可以设置在第一欧姆接触层15周围并且在第一反射电极17下。
例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一欧姆接触层15可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第一反射电极17可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一反射电极17可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金属或者包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的合金。此外，可以使用上述金属或者上述合金以及透射导电材料，如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)或者ATO(锑锡氧化物)，将第一反射电极17形成为多层结构。例如，第一反射电极17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
第一欧姆接触层15与第一发光结构10欧姆接触。此外，第一反射电极17可通过反射从第一发光结构10入射的光来增加提取到外部的光量。
在形成接合层60时，第一扩散阻挡层19可以防止包括在接合层60中的材料朝向第一反射电极17扩散。详细地，第一扩散阻挡层19可以防止包括在接合层60中的材料如Sn对第一反射电极17施加影响。第一扩散阻挡层19可以包括Cu、Ni、Ti-W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。第一扩散阻挡层19可以称为隔离层或者沟道层。
此外，可以在第二发光结构20下设置第二欧姆接触层25和第二反射电极27。可以在第二发光结构20下并且在第二反射电极27周围设置第二扩散阻挡层29。第二扩散阻挡层29可以设置在第二欧姆接触层25周围并且在第二反射电极27下。
例如，第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二欧姆接触层25可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第二反射电极27可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第二反射电极27可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金属或者包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的合金。此外，可以使用上述金属或者上述合金以及透射导电材料如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)或者ATO(锑锡氧化物)，将第二反射电极27形成为多层结构。例如，第二反射电极27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
第二欧姆接触层25与第二发光结构20欧姆接触。此外，第二反射电极27可通过反射从第二发光结构20入射的光来增加提取到外部的光量。
在形成接合层60时，第二扩散阻挡层29可以防止包括在接合层60中的材料朝向第二反射电极27扩散。详细地，第二扩散阻挡层29可以防止包括在接合层60中的材料如Sn对第二反射电极27施加影响。第二扩散阻挡层29可以包括Cu、Ni、Ti-W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
此外，可以在第三发光结构30下设置第三欧姆接触层35和第三反射电极37。可以在第三发光结构30下并且在第三反射电极37周围设置第三扩散阻挡层39。第三扩散阻挡层39可以设置在第三欧姆接触层35周围并且在第三反射电极37下。
例如，第三欧姆接触层35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第三欧姆接触层35可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第三反射电极37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第三反射电极37可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金属或者包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的合金。此外，可以使用上述金属或者上述合金以及透射导电材料如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)或者ATO(锑锡氧化物)，将第三反射电极37形成为多层结构。例如，第三反射电极37可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
第三欧姆接触层35与第三发光结构30欧姆接触。此外，第三反射电极37可通过反射从第三发光结构30入射的光来增加提取到外部的光量。
在形成接合层60时，第三扩散阻挡层39可以防止包括在接合层60中的材料朝向第三反射电极37扩散。详细地，第三扩散阻挡层39可以防止包括在接合层60中的材料如Sn对第三反射电极37施加影响。第三扩散阻挡层39可以包括Cu、Ni、Ti-W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
在第一发光结构10与第二发光结构20之间可以设置有第一接触部43。第一接触部43将第一导电型第一半导体层11电连接至第二反射电极27。第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的内部接触。第一接触部43与第二反射电极27的底部和侧面接触。第一接触部43与第二欧姆接触层25接触。第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。第一导电型第一半导体层11通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的内部接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触。根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间可以设置有第一绝缘层41。第一绝缘层41可以设置在第一接触部43与第一有源层12之间。例如，第一绝缘层41可以包括绝缘离子注入层。第一绝缘层41可以通过离子注入工艺来形成。第一绝缘层41可以包括N、O和Ar中的至少一种。
在第一接触部43与第一导电型第三半导体层21之间可以设置有第二绝缘层45。第二绝缘层45可以设置在第一接触部43与第二有源层22之间。例如，第二绝缘层45可以包括绝缘离子注入层。第二绝缘层45可以通过离子注入工艺来形成。第二绝缘层45可以包括N、O和Ar中的至少一种。第二绝缘层45可以延伸至第一发光结构10的表面。第二绝缘层45可以延伸至第二发光结构20的表面。
在第二发光结构20与第三发光结构30之间可以设置有第二接触部53。第二接触部53将第一导电型第三半导体层21电连接至第三反射电极37。第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的内部接触。第二接触部53与第三反射电极37的底部和侧面接触。第二接触部53与第三欧姆接触层35接触。第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。第一导电型第三半导体层21通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的内部接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触。根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间可以设置有第四绝缘层51。第四绝缘层51可以设置在第二接触部53与第二有源层22之间。例如，第四绝缘层51可以包括绝缘离子注入层。第四绝缘层51可以通过离子注入工艺来形成。第四绝缘层51可以包括N、O、V和Fe中的至少一种。
在第二接触部53与第一导电型第五半导体层31之间可以设置有第五绝缘层55。第五绝缘层55可以设置在第二接触部53与第三有源层32之间。例如，第五绝缘层55可以包括绝缘离子注入层。第五绝缘层55可以通过离子注入工艺来形成。第五绝缘层55可以包括N、O、V和Fe中的至少一种。第五绝缘层55可以延伸至第二发光结构20的表面。第五绝缘层55可以延伸至第三发光结构30的表面。
可以在第二和第三扩散阻挡层29和39下设置第三绝缘层40。第三绝缘层40可以包括氧化物或者氮化物。例如，第三绝缘层40可以包括透射且绝缘的材料，例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3。
可以在第一扩散阻挡层19和第三绝缘层40下设置第四扩散阻挡层50、接合层60和支撑构件70。
在形成接合层60时，第四扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料朝向第一至第三反射电极17、27和37扩散。详细地，第四扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料如Sn对第一至第三反射电极17、27和37施加影响。第四扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti-W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或者接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并且电连接至外部电极以对第一发光结构10供电。接合层60可以制备为种子层。
例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及掺杂有杂质(即，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或者SiGe)的半导体基板中的至少一种。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或者SiO2。
同时，第一导电型第五半导体层31上设置有电极80。电极80电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80与第一导电型第五半导体层31的顶面接触。
因此，电力通过电极80和第一反射电极17提供给第一至第三发光结构10、20和30。第一至第三发光结构10、20和30彼此串联连接。从而，在通过电极80和第一反射电极17提供电力时，第一至第三发光结构10、20和30可以发光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成光提取图案。详细地，在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成有凹凸图案。因此，根据该实施方案，可以改善外部光提取效率。
在第一至第三发光结构10、20和30上可以形成有保护层。保护层可以包括氧化物或者氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，相邻的发光结构可以通过第一和第二接触部43和53以串联方式彼此电连接。此外，第一绝缘层41、第二绝缘层45、第四绝缘层51和第五绝缘层55通过离子注入工艺来形成，从而可以获得制造稳定性。也就是说，在形成绝缘层时不需要蚀刻工艺，因此可以确保工艺稳定性。此外，根据实施方案，因为绝缘层通过离子注入工艺来形成，所以可以实现小于几十微米的线宽。详细地，可以在相邻的发光结构之间设置具有小于几十微米的线宽的绝缘层。从而，可以有效地利用发光层。
同时，虽然已经描述通过单独的工艺来形成第一绝缘层41和第二绝缘层42，但是，也可以通过相同的工艺来形成第一和第二绝缘层41和42。也就是说，因为可以通过在进行离子注入处理时调整工艺参数来控制离子注入位置，所以可以通过相同的工艺来同时或者依次形成第一和第二绝缘层41和42。一部分的第一和第二绝缘层41和42可以通过参照图4描述的离子注入工艺来形成，其余部分的第一和第二绝缘层41和42可以通过参照图6描述的离子注入工艺来形成。
根据实施方案的发光器件包括多个发光单元。各发光单元可以包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层。此外，发光器件包括将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部。接触部与第一发光单元的第一导电型半导体层的内部以及第二发光单元的反射电极接触。接触部与第二发光单元的反射电极的底部接触。根据实施方案的发光器件可以还包括设置在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
此外，根据实施方案的发光器件可以包括电连接至第二发光单元的第一导电型半导体层的电极。从而，在对第一发光单元的反射电极和第二发光单元的电极供电时，第一发光单元以串联方式电连接至第二发光单元，从而可以发光。
下文中，将参照图2至图6对根据实施方案用于制造发光器件的方法进行描述。
根据用于制造根据实施方案的发光器件的方法，如图2中所示，在生长基板5上形成第一导电型半导体层11a、有源层12a和第二导电型半导体层13a。第一导电型半导体层11a、有源层12a和第二导电型半导体层13a可以构成发光结构10a。
生长基板5可以包括Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一种，但是实施方案不限于此。可以在第一导电型第一半导体层11和生长基板5之间设置缓冲层。
例如，第一导电型半导体层11a可以制备为掺杂有作为第一导电型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型半导体层13a可以制备为掺杂有作为第二导电型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型半导体层11a可以制备为p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以被制备为n型半导体层。
例如，第一导电型半导体层11a可以包括n型半导体层。可以使用具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第一导电型半导体层11a。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或者Te。
有源层12a通过经由第一导电型半导体层11a注入的电子(或者空穴)和经由第二导电型半导体层13a注入的空穴(或者电子)的复合、基于根据构成有源层12a的材料的能带的带隙差而发出光。有源层12a可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。
有源层12a可以包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。如果有源层12a具有MQW结构，则有源层12a可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，有源层12a可以包括InGaN阱层/GaN势垒层的堆叠结构。
例如，第二导电型半导体层13a可以包括p型半导体层。可以使用具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备第二导电型半导体层13a。例如，第二导电型半导体层13a可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有p型掺杂剂，如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。
同时，第一导电型半导体层11a可以包括p型半导体层，第二导电型半导体层13a可以包括n型半导体层。此外，可以在第二导电型半导体层13a下形成包括n型半导体层或者p型半导体层的半导体层。因而，发光结构10a可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构和PNP结结构中的至少一种结构。此外，第一导电型半导体层11a和第二导电型半导体层13a中的杂质的掺杂浓度可以均一或者不均一。换言之，可以不受限制地以不同的方式来形成发光结构10a。
此外，可以在第一导电型半导体层11a与有源层12a之间形成第一导电型InGaN/GaN超晶格结构或者第一导电型InGaN/InGaN超晶格结构。此外，可以在第二导电型半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电型AlGaN层。
接着，如图3中所示，在第二导电型半导体层13a的第一区域上形成第一欧姆接触层15和第一反射电极17。此外，在第二导电型半导体层13a的第二区域上形成第二欧姆接触层25和第二反射电极27，并且在第二导电型半导体层13a的第三区域上形成第三欧姆接触层35和第三反射电极37。
例如，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一至第三欧姆接触层15、25和35可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt和Ag中的至少一种。
第一至第三反射电极17、27和37可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一至第三反射电极17、27和37可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金属或者包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的合金。此外，可以使用上述金属或者上述合金以及透射导电材料如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)或者ATO(锑锡氧化物)，将第一至第三反射电极17、27和37形成为多层结构。例如，第一至第三反射电极17、27和37可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
接着，如图4中所示，在第一欧姆接触层15与第二欧姆接触层25之间形成第一绝缘层41。例如，可以通过离子注入工艺来形成第一绝缘层41。第一绝缘层41可以包括绝缘离子注入层。可以通过穿过第二导电型半导体层13a和有源层12a来形成第一绝缘层41。此外，第一绝缘层41可以延伸至第一导电型半导体层11a的一部分。第二导电型第二半导体层13可以通过第一绝缘层41与第二导电型第四半导体层23电绝缘。此外，第一有源层12通过第一绝缘层41与第二有源层22电绝缘。
此外，如图4中所示，在第二欧姆接触层25与第三欧姆接触层35之间形成第四绝缘层51。例如，可以通过离子注入工艺来形成第四绝缘层51。第四绝缘层51可以包括绝缘离子注入层。可以通过穿过第二导电型半导体层13a和有源层12a来形成第四绝缘层51。此外，第四绝缘层51可以延伸至第一导电型半导体层11a的一部分。第二导电型第四半导体层23可以通过第四绝缘层51与第二导电型第六半导体层33电绝缘。此外，第二有源层22可以通过第四绝缘层51与第三有源层32电绝缘。
接着，如图4中所示，将第一接触部43形成为与第一绝缘层41相邻，而将第二接触部53形成为与第四绝缘层51相邻。
将第一接触部43电连接至第二反射电极27。第一接触部43与第一导电型半导体层11a的内部接触。第一接触部43与第二反射电极27的顶面接触。第一接触部43与第二反射电极27的侧面接触。第一接触部43与第二欧姆接触层25接触。第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型半导体层11a的内部接触。例如，第一导电型半导体层11a可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型半导体层11a的Ga面接触。根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型半导体层11a的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型半导体层11a的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型半导体层11a的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型半导体层11a的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
将第二接触部53电连接至第三反射电极37。第二接触部53与第一导电型半导体层11a的内部接触。第二接触部53与第三反射电极37的顶面接触。第二接触部53与第三反射电极37的侧面接触。第二接触部53与第三欧姆接触层35接触。第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型半导体层11a的内部接触。例如，第一导电型半导体层11a可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53与第一导电型半导体层11a的Ga面接触。根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型半导体层11a的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型半导体层11a的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型半导体层11a的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型半导体层11a的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
此外，在第一反射电极17上形成第一扩散阻挡层19，在第二反射电极27上形成第二扩散阻挡层29，并且在第三反射电极37上形成第三扩散阻挡层39。因而，在第二和第三扩散阻挡层29和39上形成第三绝缘层40。
同时，用于形成上述层的工艺仅仅是示意性的，工艺顺序可以以不同的方式变化。
接着，如图5中所示，在第一扩散阻挡层19和第三绝缘层40上形成第四扩散阻挡层50、接合层60和支撑构件70。
在形成接合层60时，第四扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料朝向第一反射电极17扩散。详细地，第四扩散阻挡层50可以防止包括在接合层60中的材料如Sn对第一反射电极17施加影响。第四扩散阻挡层50可以包括Cu、Ni、Ti-W、W和Pt中的至少一种。
接合层60可以包括阻挡金属或者接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少一种。支撑构件70支撑根据实施方案的发光器件并且电连接至外部电极以对第一反射电极17供电。
例如，支撑构件70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及掺杂有杂质(即，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或者SiGe)的半导体基板中的至少一种。支撑构件70可以包括绝缘材料。例如，支撑构件70可以包括Al2O3或者SiO2。
接着，将生长基板5从第一导电型半导体层11a移除。例如，可以通过激光剥离(LLO)工艺来移除生长基板5。根据LLO工艺，将激光照射到生长基板5的底部，以将生长基板5从第一导电型半导体层11a剥离。
接着，如图6中所示，将第二绝缘层45形成为与第一接触部43相邻，将第五绝缘层55形成为与第二接触部53相邻。
第二绝缘层45可以包括绝缘离子注入层。第二绝缘层45可以通过离子注入工艺来形成。第二绝缘层45可以包括N、O和Ar中的至少一种。第一导电型第一半导体层11通过第二绝缘层45与第一导电型第三半导体层21电绝缘。第二绝缘层45可以延伸至第一发光结构10的表面。第二绝缘层45可以延伸至第二发光结构20的表面。
第五绝缘层55可以包括绝缘离子注入层。第五绝缘层55可以通过离子注入工艺来形成。第五绝缘层55可以包括N、O和Ar中的至少一种。第一导电型第三半导体层21通过第五绝缘层55与第一导电型第五半导体层31电绝缘。第五绝缘层55可以延伸至第二发光结构20的表面。第五绝缘层55可以延伸至第三发光结构30的表面。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成光提取图案。详细地，在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成凹凸图案。因此，根据实施方案，可以改善光提取效率。
可以将电极80设置在第一导电型第五半导体层31上。电极80电连接至第一导电型第五半导体层31。电极80与第一导电型第五半导体层31的顶面接触。
因此，通过电极80和第一反射电极17对第一至第三发光结构10、20和30供电。第一至第三发光结构10、20和30彼此串联连接。从而，在通过电极80和第一反射电极17供电时，第一至第三发光结构10、20和30可以发光。
根据实施方案，电极80可以具有多层结构。例如，电极80可以包括欧姆接触层、中间层和上层。欧姆接触层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn中的一种，以实现欧姆接触。中间层可以包括选自Ni、Cu和Al中的一种。上层可以包括Au。
可以在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成光提取图案。详细地，在第一至第三发光结构10、20和30的顶面上形成凹凸图案。因此，根据实施方案，可以改善外部光提取效率。
可以在第一至第三发光结构10、20和30上形成保护层。保护层可以包括氧化物或者氮化物。例如，保护层可以包括透射且绝缘的材料，如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3。保护层可以设置在第一和第三发光结构10和30周围。
根据实施方案，可以通过第一和第二接触部43和53以串联方式将相邻的发光结构彼此电连接。此外，第一绝缘层41、第二绝缘层45、第四绝缘层51和第五绝缘层55通过离子注入工艺来形成，从而可以获得制造稳定性。也就是说，在形成绝缘层时不需要蚀刻工艺，因此可以确保工艺稳定性。此外，根据实施方案，因为绝缘层通过离子注入工艺来形成，所以可以实现小于几十微米的线宽。详细地，可以在相邻的发光结构之间设置具有小于几十微米的线宽的绝缘层。从而，可以有效地利用发光层。
图7是示出根据另外的实施方案的发光器件的视图。在以下描述中，为了防止冗长，将省略与已经参照图1描述过的元件和结构有关的描述。
在第一发光结构10与第二发光结构20之间可以设置有第一接触部43。第一接触部43将第一导电型第一半导体层11电连接至第二反射电极27。第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的内部接触。第一接触部43与第二反射电极27的侧面接触。第一接触部43与第二欧姆接触层25接触。第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。第一导电型第一半导体层11通过第一接触部43电连接至第二导电型第四半导体层23。
例如，第一接触部43可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第一接触部43可以包括透明导电氧化物层。详细地，第一接触部43可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第一接触部43可以与第一导电型第一半导体层11的内部接触。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触。根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的Ga面接触，所以与第一接触部43与第一导电型第一半导体层11的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
在第一接触部43与第二导电型第二半导体层13之间可以设置有第一绝缘层41。第一绝缘层41可以设置在第一接触部43与第一有源层12之间。例如，第一绝缘层41可以包括绝缘离子注入层。第一绝缘层41可以通过离子注入工艺来形成。第一绝缘层41可以包括N、O、V和Fe中的至少一种。
在第一接触部43与第一导电型第三半导体层21之间可以设置有第二绝缘层45。第二绝缘层45可以设置在第一接触部43与第二有源层22之间。例如，第二绝缘层45可以包括绝缘离子注入层。第二绝缘层45可以通过离子注入工艺来形成。第二绝缘层45可以包括N、O、V和Fe中的至少一种。第二绝缘层45可以延伸至第一发光结构10的表面。第二绝缘层45可以延伸至第二发光结构20的表面。
在第二发光结构20与第三发光结构30之间可以设置有第二接触部53。第二接触部53将第一导电型第三半导体层21电连接至第三反射电极37。第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的内部接触。第二接触部53与第三反射电极37的侧面接触。第二接触部53与第三欧姆接触层35接触。第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。第一导电型第三半导体层21通过第二接触部53电连接至第二导电型第六半导体层33。
例如，第二接触部53可以包括选自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一种。此外，第二接触部53可以包括透明导电氧化物层。详细地，第二接触部53可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO中的至少一种。
第二接触部53可以与第一导电型第三半导体层21的内部接触。例如，第一导电型第三半导体层21可以包括GaN层。当考虑半导体层的生长方向和蚀刻方向时，第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触。根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的N面接触的情况相比，可以确保热稳定性。此外，根据实施方案，因为第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的Ga面接触，所以与第二接触部53与第一导电型第三半导体层21的N面接触的情况相比，可以减小特性曲线的随着操作电压的变化，从而可以改善可靠性并且能够进行大电流应用。
在第二接触部53与第二导电型第四半导体层23之间可以设置有第四绝缘层51。第四绝缘层51可以设置在第二接触部53与第二有源层22之间。例如，第四绝缘层51可以包括绝缘离子注入层。第四绝缘层51可以通过离子注入工艺来形成。第四绝缘层51可以包括N、O和Ar中的至少一种。
在第二接触部53与第一导电型第五半导体层31之间可以设置有第五绝缘层55。第五绝缘层55可以设置在第二接触部53与第三有源层32之间。例如，第五绝缘层55可以包括绝缘离子注入层。第五绝缘层55可以通过离子注入工艺来形成。第五绝缘层55可以包括N、O、V和Fe中的至少一种。第五绝缘层55可以延伸至第二发光结构20的表面。第五绝缘层55可以延伸至第三发光结构30的表面。
图8是示出根据又一实施方案的发光器件的视图。在以下描述中，为了防止冗长，将省略与已经参照图1描述过的元件和结构有关的描述。
根据实施方案的发光器件，在第一发光结构10下可以设置有第一欧姆反射电极16。第一欧姆反射电极16可以制备成实施已经参照图1描述的第一反射电极17和第一欧姆接触层15二者的功能。因而，第一欧姆反射电极16与第二导电型第二半导体层13欧姆接触并且反射从第一发光结构10入射的光。
此外，在第二发光结构20下可以设置有第二欧姆反射电极26。第二欧姆反射电极26可以制备成实施已经参照图1描述的第二反射电极27和第二欧姆接触层25二者的功能。因而，第二欧姆反射电极26与第二导电型第四半导体层23欧姆接触并且反射从第二发光结构20入射的光。
另外，在第三发光结构30下可以设置有第三欧姆反射电极36。第三欧姆反射电极36可以制备成实施已经参照图1描述的第三反射电极37和第三欧姆接触层35二者的功能。因而，第三欧姆反射电极36与第二导电型第六半导体层33欧姆接触并且反射从第三发光结构30入射的光。
图9是示出包括根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的视图。
参照图9，发光器件封装件包括：本体120、形成在本体120上的第一和第二引线电极131和132、安装在本体120中并且电连接至第一和第二引线电极131和132的根据实施方案的发光器件100、以及包围发光器件100的模制构件140。
本体120可以包括硅、合成树脂或者金属材料。在发光器件100周围可以形成有倾斜的表面。
第一和第二引线电极131和132彼此电绝缘并且对发光器件100供电。第一和第二引线电极131和132可以反射从发光器件100发出的光以增加光效率，并且可以将由发光器件100生成的热耗散到外部。
发光器件100可以安装在本体120上或者第一和第二引线电极131和132上。
发光器件100可以通过布线方案、倒装芯片方案和晶粒接合方案中的一种电连接至第一和第二引线电极131和132。
模制构件140可以通过包围发光器件100来保护发光器件100。此外，模制构件140可以包括磷光体，以改变从发光器件100发出的光的波长。
可以在板上设置根据多个发光器件封装件的实施方案的多个发光器件。此外，可以沿着发光器件封装件的光路安装光学构件，如透镜、导光板、棱镜片以及散射片。发光器件封装件、板以及光学构件可以用作照明装置。可以在显示器件如便携式终端或者笔记本电脑中设置俯视型照明装置或者侧视型照明装置。根据另一实施方案，设置有照明器件，该照明器件包括根据实施方案的发光器件或者发光器件封装件。例如，照明器件可以包括灯、街灯、电光板或者前灯。
根据实施方案的发光器件可以应用于照明装置。照明装置具有其中布置有多个发光器件的结构。照明装置可以包括图10和图11中示出的显示器件以及图12中示出的照明器件。
参照图10，根据实施方案的显示器件1000包括：导光板1041、用于给导光板1041提供光的发光模块1031、导光板1041下的反射构件1022、导光板1041上的光学片1051、光学片1051上的显示面板1061、以及用于容纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011。但是，实施方案不限于上述结构。
底盖1011、反射片1022、导光板1041和光学片1051可以构成照明装置1050。
导光板1041散射光以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酰基树脂如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸脂(PC)、环状烯烃共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种。
发光模块1031对导光板1041的至少一侧提供光，并且用作显示器件的光源。
设置有至少一个发光模块1031，以直接或者间接地从导光板1041的侧面提供光。发光模块1031可以包括板1033和根据实施方案的发光器件100。发光器件100设置在板1033上，同时以预定的间隔彼此间隔开。
板1033可以包括具有电路图案的印刷电路板(PCB)。此外，板1033还可以包括金属芯PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)以及典型的PCB，但是实施方案不限于此。如果发光器件100安装在底盖1011的侧面或者安装在散热板上，则可以省略板1033。散热板与底盖1011的顶面部分地接触。
此外，发光器件100布置成使得发光器件100的光出射表面与导光板1041以预定的距离间隔开，但是实施方案不限于此。发光器件100可以直接或者间接地给光入射表面提供光，光入射表面是导光板1041的一个侧面，但是实施方案不限于此。
反射构件1022设置在导光板1041下。反射构件1022朝向导光板1041对穿过导光板1041的底面向下传播的光进行反射，从而改善照明装置1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶面，但是实施方案不限于此。
底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031和反射构件1022容纳于其中。为此，底盖1011具有容纳部1012，其中，该容纳部1012为具有打开的顶面的箱形，但是实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖耦接，但是实施方案不限于此。
底盖1011可以使用金属材料或者树脂材料、通过压制工艺或者挤出工艺来制造。此外，底盖1011可以包括金属或者具有优异导热性的非金属材料，但是实施方案不限于此。
显示面板1061例如是LCD面板，该LCD面板包括彼此相对的透明的第一和第二基板、以及置于第一和第二基板之间的液晶层。显示面板1061的至少一个表面可以附接有偏振板，但是实施方案不限于此。显示面板1061基于已经穿过光学片1051的光来显示信息。显示器件1000可以应用于各种便携式终端、膝上型计算机的监视器以及电视机。
光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括散射片、水平和竖直棱镜片以及增亮片中的至少一个。散射片散射入射光，水平和竖直棱镜片将入射光汇聚到显示区域上，增亮片通过再利用损失的光来改善亮度。此外，可以在显示面板1061上设置保护片，但是实施方案不限于此。
导光板1041和光学片1051可以设置在发光模块1031的光路上作为光学构件，但是实施方案不限于此。
图11是示出根据另一实施方案的显示器件的截面图。
参照图11，显示器件1100包括底盖1152、其上布置有发光器件100的板1020、光学构件1154以及显示面板1155。
板1020和发光器件100可以构成发光模块1060。此外，底盖1152、至少一个发光模块1060以及光学构件1154可以构成照明装置。
底盖1152中可以设置有容纳部1153，但是实施方案不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、散射片、水平和竖直棱镜片以及增亮片中的至少一个。导光板可以包括PC或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。可以省略导光板。散射片散射入射光，水平和竖直棱镜片将入射光汇聚到显示区域上，增亮片通过再利用损失的光来改善亮度。
光学构件1154设置在发光模块1060上，以将从发光模块1060发出的光转换成表面光。此外，光学构件1154可以散射或者收集光。
图12是示出根据实施方案的照明器件的立体图。
参照图12，照明器件1500包括：壳1510、安装在壳1510中的发光模块1530、以及安装在壳1510中以从外部电源接收电力的接线端子1520。
优选地，壳1510包括具有优异散热性能的材料。例如，壳1510包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1530可以包括板1532以及安装在板1532上的根据实施方案的发光器件100。发光器件100彼此间隔开或者被设置成矩阵的形式。
板1532包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，板1532包括PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷PCB以及FR-4板。
此外，板1532可以包括有效地反射光的材料。可以在板1532的表面上形成涂覆层。此时，涂覆层具有白色或者银色以有效地反射光。
板1532上安装有至少一个发光器件100。各发光器件100可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。LED芯片可以包括发出具有红色、绿色、蓝色或者白色的可见光波段的光的LED以及发出UV(紫外)光的UV LED。
发光模块1530的发光器件100可以以各种方式进行安装，以提供各种颜色和亮度。例如，可以设置白色LED、红色LED和绿色LED，以获得高的显色指数(CRI)。
接线端子1520电连接至发光模块1530，以对发光模块1530供电。接线端子1520具有与外部电源旋接的插座的形状，但是实施方案不限于此。例如，接线端子1520可以制备成插入到外部电源中的管脚的形式或者通过导线连接至外部电源。
根据实施方案，将发光器件100封装，接着安装在板上，以提供发光模块。此外，发光器件安装成LED芯片的形式，接着封装以形成发光模块。
本说明书中对于“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意引用表示结合实施方案描述的具体特征、结构或者特性包括在本发明的至少一个实施方案中。本说明书中的各个位置处出现这样的措辞并非都涉及相同的实施方案。此外，在结合任意实施方案描述具体的特征、结构或者特性时，认为将这些特征、结构或者特性与实施方案的其他特征、结构或者特性进行结合在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其他的修改和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改之外，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (13)

1.一种发光器件，包括：
包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；
在所述第一发光结构下的第一反射电极；
包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；
在所述第二发光结构下的第二反射电极；
在所述第一发光结构和所述第二发光结构下的支撑基板；
将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部；以及
在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层，
其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的内部接触，
其中所述接触部与所述第二反射电极的下部和侧面直接接触,以及
其中所述支撑基板、所述第一反射电极、所述第一发光结构、所述接触部、所述第二反射电极、所述第二发光结构串联连接，使得通过所述支撑基板和电连接至所述第二发光结构的电极对串联的所述第一发光结构和所述第二发光结构供电。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一反射电极与所述第二导电型第二半导体层之间设置有第一欧姆接触层，并且在所述第二反射电极与所述第二导电型第四半导体层之间设置有第二欧姆接触层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘离子注入层设置在所述接触部与所述第一有源层之间。
4.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述接触部与所述第一导电型第三半导体层之间的第二绝缘离子注入层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述接触部与所述第二有源层之间的第二绝缘离子注入层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部的顶面与所述第一导电型第一半导体层接触。
7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述支撑基板与所述第二反射电极之间的绝缘层。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述绝缘层的一部分设置在所述第一反射电极与所述第二反射电极之间。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中当所述第一导电型第一半导体层包括GaN层时，所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的Ga面接触。
10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述第一发光结构下并且在所述第一反射电极周围的第一扩散阻挡层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一扩散阻挡层设置在所述第一反射电极和所述支撑基板之间。
12.一种发光器件封装件，包括：
本体；
安装在所述本体上的根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件；以及
电连接至所述发光器件的第一和第二引线电极。
13.一种照明装置，包括：
板；
安装在所述板上的根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件；以及
用作从所述发光器件发出的光的光路的光学构件。
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