KR101448153B1 - 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자 - Google Patents

발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자 Download PDF

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Abstract

하나의 패키지 내에 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되어 있는 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자를 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 발광 다이오드 소자는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 배치된 발광 다이오드용 멀티칩 패키지; 및 상기 멀티칩 패키지를 둘러싸며, 상기 멀티칩 패키지에서 발생한 광을 외부로 방출시키기 위한 광방출기;를 포함하며, 상기 멀티칩 패키지는 하나의 공통된 웨이퍼 기판 위에 형성된 다수의 발광 다이오드 칩들을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자{Multi-chip package for LED chip and multi-chip package LED device}
본 발명은 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 상기 패키지를 포함하는 발광 다이오드 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 패키지 내에 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되어 있는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자에 관한 것이다.
질화물 반도체 박막을 이용한 발광 다이오드(LED)는 90년도 초부터 많은 발전을 하였으며, 현재 단파장 발광 다이오드의 대부분을 차지하고 있다. 특히, 반도체 성장 기술과 소자 제작 기술의 발전은 질화물 반도체 박막을 이용한 발광 다이오드의 효율을 발전시켜, 현재 디스플레이의 광원, 광통신, 조명 등 많은 분야에서 질화물계 반도체 발광 다이오드가 응용되고 있다. 최근에는 120 lm/W 이상의 고효율을 갖는 질화물계 반도체 발광 다이오드가 개발되면서, 조명분야에서 램프와 같은 기존의 광원을 대체가 가능한 수준까지 발전하였다. 이러한 발전은 에너지분야의 혁명이라고 할 수 있을 만한 성과로 지목되고 있다.
이러한 발광 다이오드(LED)의 발전을 바탕으로, 최근 가정용, 장식용 또는 디스플레이용 조명 분야에서 LED를 적용한 광원 개발이 이루어지고 있다. 에너지 절약이 가능하고 친환경적인 광원인 LED는 차세대 조명용 광원으로서 각광을 받고 있기 때문에 기존 광원을 대체하는 것을 목표로 개발되고 있다. LED를 조명에 적용하기 위해서는 기존의 광원과 동일한 광량을 발광하는 것이 필요하다. 이를 위해, 현재 LED의 효율을 향상시키는 동시에, 많은 량의 전력을 LED에 인가하여 하나의 LED 칩에서 많은 량의 광을 발광시키기 위한 연구가 계속되고 있다. 현재 하나의 LED 칩에서 약 1000 lm 정도 밝기의 발광을 얻는 것을 목표로 조명용 고전력 고휘도 LED 소자가 개발되고 있다.
그러나 이러한 접근법은 기본적으로 조명용 LED 소자의 하나의 칩에 많은 량의 전력을 인가하는 방식으로 진행되고 있는 것이 문제이다. 하나의 LED 칩에 많은 량의 전력을 인가할 경우, 전체 광량은 증가하겠지만 발광 효율이 떨어지면서 그에 해당하는 만큼 열이 발생하게 된다. 이는, LED 칩의 수명을 단축시키거나 신뢰성을 떨어뜨리는 원인으로 지적되고 있다. 또한, 이 과정에서 발생한 열을 제어하기 위해 냉각팬과 히트 싱크(Heat sink)가 조명용 LED 소자에 반드시 포함되어야 하기 때문에, 조명용 LED 소자의 제작 비용과 부피가 커지는 단점을 가지고 있다.
또한, 현재 사용되는 조명용 LED 소자는 그 크기가 매우 작기 때문에 기본적으로 점광원의 특징을 나타낸다. 이러한 점광원 특징은 조명에서 사용시 조명의 가장 큰 요구사항인 면발광의 사양을 만족하지 못한다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래에 비하여 발광 효율을 증가시키고 발열이 적은 발광 다이오드 소자용 멀티칩 패키지 및 발광 다이오드 소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 종래에 비하여 구조가 단순화된 발광 다이오드 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 유형에 따른 발광 다이오드용 멀티칩 패키지는, 하나의 공통된 웨이퍼 기판 위에 형성된 다수의 발광 다이오드 칩들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 각각의 발광 다이오드 칩은, 예컨대, 웨이퍼 기판; 상기 웨이퍼 기판 위에 형성된 제 1 클래드층; 상기 제 1 클래드층의 상면 위에 부분적으로 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2 클래드층; 상기 제 1 클래드층의 상면 위에 부분적으로 형성된 제 1 전극; 및 상기 제 2 클래드층 위에 형성된 제 2 전극;을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 다수의 발광 다이오드 칩들은 하나의 웨이퍼 기판과 제 1 클래드층을 서로 공유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드용 멀티칩 패키지는, 상기 다수의 발광 다이오드 칩이 장착될 패키지 블록; 상기 패키지 블록에 형성되며, 외부의 전원과 연결되는 제 1 및 제 2 본딩 패드; 상기 제 1 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 칩의 제 1 전극 사이를 연결하는 제 1 배선 패턴; 및 상기 제 2 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 칩의 제 2 전극 사이를 연결하는 제 2 배선 패턴;을 더 구비할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 본딩 패드들은, 예컨대, 웨이퍼 처리 공정에서, 발광 다이오드 칩들과 함께 웨이퍼 기판 위에 형성될 수도 있다.
또한, 상기 발광 다이오드용 멀티칩 패키지는, 하나의 제 1 및 제 2 본딩 패드와 하나의 제 1 및 제 2 배선 패턴으로 구성되는 배선 그룹을 적어도 2개 이상 구비할 수도 있다.
이 경우, 상기 적어도 2개의 배선 그룹들은 각각 서로 다른 발광 다이오드 칩들과 연결될 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 유형에 따른 발광 다이오드 소자는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 배치된 발광 다이오드용 멀티칩 패키지; 및 상기 멀티칩 패키지를 둘러싸며, 상기 멀티칩 패키지에서 발생한 광을 외부로 방출시키기 위한 광방출기;를 포함하며, 상기 발광 다이오드용 멀티칩 패키지는 하나의 공통된 웨이퍼 기판 위에 형성된 다수의 발광 다이오드 칩들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 다수의 발광 다이오드 칩들이 동시에 점등 또는 소등될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 다수의 발광 다이오드 칩들 중 일부가 독립적으로 점등 또는 소등될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 상기 각각의 발광 다이오드 칩에 인가되는 전류 밀도는, 예컨대, 0.1 A/㎠ 내지 50 A/㎠의 범위 내에 있을 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자의 구성 및 동작에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드 소자의 휘도와 효율 사이의 상관관계를 나타내는 그래프이다. 일반적으로, 발광 다이오드 소자에서 방출되는 광의 휘도는 인가 전력의 크기에 의존한다. 특히, 발광 다이오드 소자의 구동 전압은 칩 크기에 관계 없이 대부분 대략 3.0~3.5V 정도이므로, 발광 다이오드 소자에서 방출되는 광의 휘도는 실질적으로 인가 전류의 크기에 의존한다고 할 수 있다. 도 1의 그래프를 통해 알 수 있듯이, 발광 다이오드 소자에 인가되는 전류가 증가할수록 발광 다이오드 소자에서 방출되는 광의 휘도 또한 증가하게 된다. 그러나 발광 다이오드 소자의 발광 효율은 인가 전류가 약 5~10mA 정도일 때 최대치를 가지며 인가 전류가 그보다 커지게 될수록 낮아지게 된다.
현재 사용되고 있는 조명용 고전력 고휘도 발광 다이오드 소자의 경우, 광량의 증가를 위해 대부분 약 350mA 이상의 전류를 인가하고 있다. 그 결과, 발광 효율이 매우 낮으며, 효율의 감소량 만큼 인가 전류가 열로 변환되기 때문에, 발광 다이오드 칩의 온도가 높아진다. 따라서, 앞서 이미 설명한 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 소자의 경우, 칩에서 발생하는 열을 방출하기 위하여 히트 싱크 등과 같은 방열 수단이 마련되어야 한다.
따라서, 발열량이 적은 고효율의 발광 다이오드 소자를 얻기 위해서는, 도 1에 도시된 그래프에서 최대 효율에 해당하는 전류를 인가하여 발광 다이오드 소자를 구동시켜야 한다. 그러나, 이 경우 발광 다이오드 소자에서 방출되는 광의 광량이 줄어들게 된다. 본 발명은 이러한 문제를 개선하기 위하여 하나의 패키지 내에 다수의 발광 다이오드 칩을 배치하는 멀티 패키징 방식을 제안한다.
일반적으로 하나의 발광 다이오드 소자를 제작하기 위해서는, 반도체 제조 공정을 통해 웨이퍼 위에 다수의 발광 다이오드 칩들을 형성한 후, 이들을 하나씩 잘라내어 패키징하고, 이렇게 만들어진 발광 다이오드 칩 패키지를 히트 싱크, 렌즈 등과 같은 다른 부품들과 조립하는 과정을 거친다. 종래의 경우, 발광 다이오드 칩을 패키징 하는 과정에서, 하나씩 절단되어 있는 하나의 단일칩만을 사용하거나, 또는 하나씩 절단되어 있는 단일칩 몇개를 함께 묶어서 패키징하였다. 반면, 본 발명은, 전기적으로 서로 연결되어 있는 다수의 발광 다이오드 칩들의 그룹을 웨이퍼 처리 과정에서 형성하고, 이 다수의 발광 다이오드 칩들의 그룹을 한꺼번에 패키징하는 방식을 제안한다.
도 2는 이러한 본 발명에 따른 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자의 칩 배열 구조를 예시적으로 도시하고 있는 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 하나의 공통된 웨이퍼 기판(11) 위에 다수의 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)이 형성되어 있다. 본 발명의 멀티칩 패키징 방식에 따르면, 이렇게 하나의 공통된 웨이퍼 기판(11) 위에 형성되어 있는 다수의 발광 다이오드 칩 들(20a,20b,20c)을 한꺼번에 패키징한다.
도 2를 참조하여 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)의 구조를 보다 구체적으로 살펴보면, 각각의 발광 다이오드 칩(20a,20b,20c)은, 예컨대, 웨이퍼 기판(11), 상기 웨이퍼 기판(11) 위에 형성된 제 1 클래드층(12), 상기 제 1 클래드층(12)의 상면 위에 부분적으로 형성된 활성층(13a,13b,13c), 상기 활성층(13a,13b,13c) 위에 형성된 제 2 클래드층(14a,14b,14c), 상기 제 1 클래드층(12)의 상면 위에 부분적으로 형성된 제 1 전극(16a,16b,16c), 및 상기 제 2 클래드층(14a,14b,14c) 위에 형성된 제 2 전극(15a,15b,15c)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 다수의 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)은 하나의 웨이퍼 기판(11)과 제 1 클래드층(12)을 서로 공유할 수 있다. 도 2에는 세 개의 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)만이 예시적으로 도시되어 있으나, 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)의 개수는 필요에 따라 임의로 선택될 수 있다.
공지된 다른 발광 다이오드 칩들과 마찬가지로, 웨이퍼 기판(11)으로는, 예컨대, 유리, 산화실리콘(SiO2), 수정(quartz), 사파이어(Al2O3), AlN 등과 같은 절연체, 또는 ITO나 금속과 등과 같은 전도체, 또는 Si와 같은 반도체 기판을 사용할 수 있다. 또한, 예컨대, 제 1 클래드층(12)은 n형 반도체층일 수 있으며, 제 2 클래드층(14a,14b,14c)은 p형 반도체층일 수 있다. 이 경우, 제 1 클래드층(12) 위에 있는 제 1 전극(16a,16b,16c)은 n형 전극이고, 제 2 클래드층(14a,14b,14c) 위에 있는 제 2 전극(15a,15b,15c)은 p형 전극이다. 또한, 활성층(13a,13b,13c)으로는, 예컨대, Ⅱ-Ⅵ족 산화물계로서 ZnO, MaO, CdO, MnO 등과 같은 화합물 반도체를 사용하거나, 질화물계로서 GaN, AlN, InN 등과 같은 화합물 반도체를 사용할 수도 있고, 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로서 InP, GaAs, InAs 등을 사용할 수도 있다. 또한, 전면 발광 방식을 채용할 경우, 제 2 전극(15a,15b,15c)으로서 투명 전극을 사용하고 웨이퍼 기판(11)에 반사판을 마련할 수도 있다. 반면, 배면 발광 방식을 채용할 경우, 제 2 전극(15a,15b,15c)으로서 반사 전극을 사용하고 웨이퍼 기판(11)으로서 투명한 재료를 사용할 수도 있다.
도 3은 하나의 패키지 블록(31) 내에 하나의 발광 다이오드 칩(20)만이 배치되어 있는 종래의 발광 다이오드 소자 패키지(30)의 내부를 예시적으로 도시하고 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 종래의 경우, 도 2에 도시된 것과 같은 발광 다이오드 칩들(20a,20b,20c)을 하나씩 절단하여 각각 개별적으로 패키징하고, 패키지 블록(31) 내의 본딩 패드(32,33)들과 연결한다.
반면, 도 4a 내지 도 4c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본 발명은 하나의 패키지 내에 다수의 발광 다이오드들이 배열되어 있는 멀티칩 패키지 방식이다. 예컨대, 도 4a 및 도 4b는 각각 4개의 발광 다이오드 칩들(20)과 9개의 발광 다이오드 칩들(20)을 한꺼번에 패키징한 멀티칩 패키지(40,40')의 예를 도시하고 있다. 도 4a 및 도 4b에서, 상기 4개 및 9개의 발광 다이오드 칩들(20)은 모두, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 기판(11)과 제 1 클래드층(12)을 공유하고 있다.
보다 구체적으로, 패키지 블록(41) 내에 다수의 발광 다이오드 칩들(20)이 장착되어 있다. 상기 패키지 블록(41) 내에서 상기 다수의 발광 다이오드 칩들(20) 은 각각, 외부의 전원과 연결되어 상기 발광 다이오드 칩들(20)에 전류를 공급하는 본딩 패드(42,43)와 병렬적으로 연결된다. 예컨대, 제 1 본딩 패드(42)는 제 1 배선 패턴(44)을 통해 상기 발광 다이오드 칩들(20)의 제 1 전극(도 2 참조)과 연결될 수 있다. 또한, 제 2 본딩 패드(43)는 제 2 배선 패턴(45)을 통해 상기 발광 다이오드 칩들(20)의 제 2 전극(도 2 참조)과 연결될 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2 본딩 패드(42,43)들은, 예컨대, 웨이퍼 처리 공정에서, 발광 다이오드 칩들(20)과 함께 웨이퍼 기판(11) 위에 형성될 수 있다.
이러한 구조에서 각각의 발광 다이오드 칩들(20)에 인가되는 전류의 밀도는, 예컨대, 약 0.1 A/㎠ 내지 50 A/㎠의 범위 내에 있도록 유지된다. 그러면, 도 1의 그래프에서와 같이, 개별적인 발광 다이오드 칩들(20)은 최적의 효율로 구동될 수 있다. 이 경우, 비록 개개의 발광 다이오드 칩들(20)에서 발생한 광량은 작지만, 상기 발광 다이오드 칩들(20)에서 발생한 광량의 총합은 칩들의 개수에 따라 조명용으로 사용할 수 있을 정도가 된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 종래의 고전력 고휘도 발광 다이오드 소자와 동일한 량의 전력을 사용할 경우, 효율이 증가한 만큼 더 증가된 휘도를 얻을 수 있다. 또한, 종래의 고전력 고휘도 발광 다이오드 소자와 동일한 휘도를 얻고자 하는 경우, 효율이 증가한 만큼 전력의 소모가 적어지게 된다. 따라서, 효율 증가로 인해 열문제도 발생하지 않을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래의 고휘도 발광 다이오드 칩에서 발생하는 전류 확산 문제를 개선할 수도 있다. 종래의 고휘도 발광 다이오드 칩의 경우, 휘도를 높이기 위해 매우 넓은 칩 면적을 갖는데, 이로 인해 칩 전체에 균일하게 전류 를 확산시키기 어렵다. 반면 본 발명의 경우, 칩 면적이 작은 발광 다이오드 칩들을 다수 개 사용하기 때문에, 이러한 문제가 발생하지 않는다. 또한, 본 발명에 따르면, 다수의 칩들을 하나씩 개별적으로 패키징 하지 않고 일정 단위의 칩들을 한꺼번에 패키징 하기 때문에 제조 비용의 절감도 가능하다. 또한, 본 발명에 따르면, 일부의 발광 다이오드 칩이 고장으로 발광하지 않더라도 전체 광량에 미치는 영향이 매우 낮다. 따라서, 멀티칩 패키징 방식으로 제작된 조명 광원의 수명은 종래에 비해 길어질 수도 있다.
한편, 도 4a 및 도 4b의 경우, 하나의 멀티칩 패키지(40,40') 내에 배치된 모든 발광 다이오드 칩들(20)이 동시에 점등 또는 소등되는 방식이다. 그러나, 본 발명에 따르면, 하나의 멀티칩 패키지 내에서 일부의 발광 다이오드 칩들이 독립적으로 점등 또는 소등되도록 구성할 수도 있다. 이를 위하여, 하나의 멀티칩 패키지 내에 하나의 제 1 및 제 2 본딩 패드와 하나의 제 1 및 제 2 배선 패턴으로 구성되는 배선 그룹을 적어도 2개 이상 마련하고, 상기 적어도 2개의 배선 그룹들을 각각 서로 다른 발광 다이오드 칩들과 연결할 수 있다.
예컨대, 도 4c에 도시된 멀티칩 패키지(40")는 제 1 본딩 패드(42a,42b), 제 2 본딩 패드(43a,43b), 제 1 배선 패턴(44a,44b) 및 제 2 배선 패턴(45a,45b)을 각각 두 개씩 구비하고 있다. 그 중에서, 제 1 배선 그룹의 제 1 본딩 패드(42a), 제 2 본딩 패드(43a), 제 1 배선 패턴(44a) 및 제 2 배선 패턴(45a)은 제 1 그룹의 발광 다이오드 칩들(20')과 전기적으로 연결된다. 또한, 제 2 배선 그룹의 제 1 본딩 패드(42b), 제 2 본딩 패드(43b), 제 1 배선 패턴(44b) 및 제 2 배선 패턴(45b)은 제 2 그룹의 발광 다이오드 칩들(20")과 전기적으로 연결된다. 이러한 구조에서, 제 1 배선 그룹으로 전류가 공급되면 제 1 그룹의 발광 다이오드 칩들(20')이 점등되며, 제 2 배선 그룹으로 전류가 공급되면 제 2 그룹의 발광 다이오드 칩들(20")이 점등된다. 도 4c에는 예시적으로 두 개의 배선 그룹이 도시되어 있지만, 설계에 따라서는 3개 또는 그 이상의 배선 그룹을 마련할 수도 있다.
도 5는 상술한 멀티칩 패키지(40,40',40")를 채용한 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자(50)의 전체적인 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 발광 다이오드 소자(50)는, 베이스 기판(51), 베이스 기판(50) 위에 배치된 발광 다이오드용 멀티칩 패키지(40,40',40"), 및 발광 다이오드용 멀티칩 패키지(40,40',40")를 둘러싸며 상기 발광 다이오드용 멀티칩 패키지(40,40',40")에서 발생한 광을 외부로 방출시키기 위한 광방출기(56)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드 소자(50)의 베이스 기판(51)에는 외부 전원과 연결되고 상기 발광 다이오드 소자(50)를 지지하기 위한 리드(52,53)가 각각 마련되어 있다. 상기 리드(52,53)는 와이어(55,56)를 통해 멀티칩 패키지(40,40',40")의 본딩 패드(도 4a 내지 도4c 참조)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 광방출기(56)는, 예컨대, 투명한 유리 또는 폴리머 수지로 이루어진 렌즈일 수 있다. 상기 광방출기(56)의 다양한 형태가 이미 공지되어 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자(50)는 우수한 발광 효율을 갖기 때문에, 열문제 등이 거의 발생하지 않는다. 따라서, 히트 싱크와 같은 방열 구조가 필요하지 않으므로, 도 5에 도시된 바와 같이 단순화된 구조 로 제작이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 멀티칩 패키지(40,40',40")는 그 내부에 다수의 발광 다이오드 칩들이 장착되기 때문에 전체적인 면적이 증가한다. 따라서, 상기 멀티칩 패키지(40,40',40")를 채용한 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자(50)는, 종래의 발광 다이오드 소자와는 달리 점광원 특성보다는 면광원 특성을 더 가질 수 있다.
지금까지, 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드 소자의 휘도와 효율 사이의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자의 칩 배열 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 하나의 패키지 블록 내에 하나의 발광 다이오드 칩만이 배치된 종래의 발광 다이오드 소자의 패키지 내부 구조를 개략적으로 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c는 하나의 패키지 블록 내에 다수의 발광 다이오드들이 배열되어 있는 본 발명에 따른 발광 다이오드용 멀티칩 패키지의 내부 구조를 개략적으로 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 멀티칩 패키지 방식의 발광 다이오드 소자의 전체적인 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11.....웨이퍼 기판 12a,12b,12c.....n-형 클래드층
13a,13b,13c.....활성층 14a,14b,14c.....p-형 클래드층
15a,15b,15c.....p-형 전극 16a,16b,16c.....n-형 전극
20,20a,20b,20c.....발광 다이오드 칩
30,40,40'.....패키지 31,41.....패키지 블록
32,33,42,43.....본딩 패드 44,45.....배선 패턴
50.....발광 다이오드 소자 51.....베이스 기판
52,53.....리드 54,55.....와이어
56.....광방출기

Claims (17)

  1. 하나의 공통된 웨이퍼 기판 위에 형성된 다수의 발광 다이오드 칩들을 구비하되,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩들 각각은,
    상기 웨이퍼 기판 위에 형성된 제 1 클래드층;
    상기 제 1 클래드층의 상면 위에 부분적으로 형성된 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2 클래드층;
    상기 제 1 클래드층의 상면 위에 부분적으로 형성된 제 1 전극;
    상기 제 2 클래드층 위에 형성된 제 2 전극;
    외부의 전원과 연결되는 제1 및 제2 본딩 패드;
    상기 제1 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 칩의 제1 전극 사이를 연결하는 제1 배선 패턴; 및
    상기 제2 본딩 패드와 상기 발광 다이오드 칩의 제2 전극 사이를 연결하는 제2 배선 패턴;을 포함하는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지에 있어서,
    상기 멀티칩 패키지는, 하나의 제1 및 제2 본딩 패드와 하나의 제1 및 제2 배선 패턴으로 구성되는 배선 그룹을 적어도 2개 이상 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩들은 하나의 웨이퍼 기판과 제 1 클래드층을 서로 공유하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 배선 패턴은 상기 웨이퍼 기판 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 배선 그룹들은 각각 서로 다른 발광 다이오드 칩들과 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드용 멀티칩 패키지.
  8. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 배치된 발광 다이오드용 멀티칩 패키지; 및
    상기 멀티칩 패키지를 둘러싸며, 상기 발광 다이오드용 멀티칩 패키지에서 발생한 광을 외부로 방출시키기 위한 광방출기;를 포함하며,
    상기 발광 다이오드용 멀티칩 패키지는 하나의 공통된 웨이퍼 기판 위에 형성된 다수의 발광 다이오드 칩들을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩들은, 적어도 2 개 이상의 배선 그룹 단위로 구분되며, 상기 배선 그룹 단위로 독립적으로 점등 또는 소등되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
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