CN102403306B - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和多条金属导线。每一发光二极管芯片包括正极焊垫与负极焊垫。该基板包括第一电极、第二电极，第三电极、第四电极和内连电极。该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域。该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内。该第一电极至第四电极分别设置在该基板安装区域之外的四个角落且暴露于该基板的上表面。该内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与该第三电极。该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫分别连接第一电极至第四电极，且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连。该发光二极管封装结构可靠性较高且厚度较薄。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构，尤其是一种便于多个发光二极管实现不同电路连接的发光二极管封装结构。
背景技术
通常，具有多个发光二极管芯片的封装结构，为了实现多个发光二极管芯片之间串联或并联的电路连接，需要在发光二极管芯片的焊垫之间以金属打线的方式进行连接。
如图1-2所示，一种现有技术的发光二极管封装结构1包括基板10、第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片12和多条金属导线13，保护层14。每一发光二极管芯片包括正极焊垫与负极焊垫(未标示)。该基板10包括安装区域109、第一电极101和第二电极102。该安装区域109定义在该基板10的中心位置。该第一电极101和第二电极102分别设置在该安装区域109相对两侧。该第一发光二极管芯片11和该第二发光二极管芯片12设置在该基板10的安装区域109内。该第一发光二极管芯片11的正极焊垫通过金属导线13连接至该第一电极101。该第一发光二极管芯片11的负极焊垫通过金属导线13连接至该第二发光二极管芯片12的正极焊垫。该第二发光二极管芯片12的负极焊垫通过金属导线13连接至该第二电极102。保护层14覆盖部分基板10、第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片12和多条金属导线13。如此，该发光二极管封装结构1的第一、第二发光二极管芯片11、12在第一电极101和第二电极102之间以串联的方式形成电路连接，其等效电路如图3所示。
然而，由于静电放电的原因，第一、第二发光二极管芯片11、12的焊垫之间在通过金属打线的方式实现电路连接时较易造成芯片被击穿或受损，因而降低了发光二极管封装结构1的可靠性。另外，由于第一、第二发光二极管芯片11、12的焊垫所在位置均高于基板10上的第一电极101与第二电极102的位置，根据金属打线的工艺，连接第一、第二发光二极管芯片11、12焊垫的金属导线13也相对需要占用更高的空间，即图2中标示的高度H，这也使得发光二极管封装结构1的整体厚度相应增加，与现有技术的封装结构越来越轻薄的趋势不相符。
发明内容
为解决现有技术发光二极管封装结构厚度较大、可靠性较低的问题，有必要提供一种厚度较小、可靠性较高的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和多条金属导线。每一发光二极管芯片包括正极焊垫与负极焊垫。该基板包括第一电极、第二电极，第三电极、第四电极和内连电极。该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域。该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内。该第一电极至第四电极分别设置在该基板安装区域之外的四个角落且暴露于该基板的上表面。该内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与该第三电极。该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫分别连接第一电极至第四电极，且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连。
一种发光二极管封装结构包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、多条金属导线和保护层。每一发光二极管芯片包括正极焊垫和负极焊垫。该基板包括第一电极、第二电极，第三电极、第四电极、第五电极、第六电极、第一内连电极和第二内连电极。该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域，该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内。该第一至第四电极分别设置在该基板安装区域之外的四个角落且暴露于该基板的上表面，该第五电极和第六电极位于安装区域的相对两侧且暴露于该基板的上表面，第一内连电极埋设于基板内并电连接该第一电极与第三电极，该第二内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与第四电极，该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫分别连接第一电极至第六电极中的四个，且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连。
相较于现有技术，上述发光二极管封装结构的第一、第二发光二极管芯片的焊垫均直接连接到基板的电极，第一、第二发光二极管芯片之间不再通过金属打线的方式连接，因此上述发光二极管封装结构可靠性较高且厚度较薄。
附图说明
图1是一种现有技术发光二极管封装结构的顶示图。
图2是图1所示发光二极管封装结构的剖面结构示意图。
图3是图1所示发光二极管封装结构的等效电路图。
图4是本发明第一实施方式发光二极管封装结构的顶示图。
图5是图4所示发光二极管封装结构的剖面结构示意图。
图6是图4所示发光二极管封装结构的等效电路图。
图7是图4所示发光二极管封装结构所采用基板的立体分解透视图。
图8是本发明第二实施方式发光二极管封装结构的顶面透视图。
图9是图8所示发光二极管封装结构所采用基板的立体结构分解透视图。
图10是本发明第三实施方式发光二极管封装结构的顶面透视图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构          1、2、3、4
基板                        10、20、30
第一发光二极管芯片          11、21、31
第二发光二极管芯片          12、22、32
金属导线                    13、23、33
保护层                  14、24、34
安装板                  25、35
布线层                  26
第一布线层              36
第二布线层              37
支撑板                  28、38
安装区域                109、259、359
第一电极                101、201、301
第二电极                102、202、302
第三电极                203、303
第四电极                204、304
内连电极                261
第一内连电极            361
第二内连电极            362
第三内连电极            373
第一通孔                251、351
第二通孔                282、372
第三通孔                383
具体实施方式
请参阅图4-5，本发明第一实施方式的发光二极管封装结构2包括基板20、第一发光二极管芯片21、第二发光二极管芯片22、多条金属导线23和保护层24。每一发光二极管芯片21、22包括正极焊垫与负极焊垫(未标示)。
该基板20且大致呈长方形，其包括第一电极201、第二电极202、第三电极203、第四电极204、内连电极261和安装区域259。该安装区域259定义为该基板20的上表面中心位置的一方形区域。该第一至第四电极201～204分别设置在该安装区域259相对四个角落。该第一电极201与第四电极均贯通该基板20的上下表面且突出于该基板20的下表面。该第二电极202与第三电极203的仅一端贯通该基板20的上表面。该内连电极261埋设于基板20内用于电连接该第二电极202与该第三电极203。
该第一发光二极管芯片21和该第二发光二极管芯片22依次设置在该安装区域259内。该第一发光二极管芯片21的正极焊垫通过金属导线23连接至该第一电极201。该第一发光二极管芯片21的负极焊垫通过金属导线23连接至该第二电极202。该第二发光二极管芯片22的正极焊垫通过金属导线23连接至该第三电极203。该第二发光二极管芯片22的负极焊垫通过金属导线23连接至该第四电极204。保护层24覆盖部分基板20、第一发光二极管芯片21、第二发光二极管芯片22和多条金属导线23。
如此，该发光二极管封装结构2的第一、第二发光二极管芯片21、22在第一电极201和第四电极204之间以串联的方式形成电路连接，其等效电路如图6所示。
图7是发光二极管封装结构2所采用基板20的立体分解透视图。该基板20进一步包括依次层叠设置的安装板25、布线层26和支撑板28。本实施方式中，该安装板25与支撑板28均为长方形陶瓷基板。该布线层26为呈长方形并与该安装板25、支撑板28的大小相同。
该安装板25包括四个第一通孔251。该安装区域259定义在该安装板25上表面的中心位置。该四个第一通孔251分别设置在该安装区域259相对四个角落。
该第一至第四电极201～204、该内连电极261均设置在该布线层26。第一至第四电极201～204位于该布线层26四个角落且与该四个第一通孔251分别对应。该第一电极201与第四电极204位于该布线层26的两个相对的角落，该第二电极202与第三电极203位于该布线层26另外两个相对的角落。该内连电极261电连接该第二电极202与第三电极203。
该支撑板28包括两个第二通孔282。该地第二通孔282对应该第一电极201与该第四电极204设置在该支撑板28的两个相对的角落。
组装时，将该安装板25的下表面与布线层26的上表面贴近并相互对位，使该第一至第四电极201～204分别穿过该第一通孔251后暴露于该安装板25的上表面，以利于采用金属导线23，例如金线，分别连接第一、第二发光二极管芯片21、22的四个焊垫。本实施方式中，该第一至第四电极201～204的顶面与安装板25的上表面齐平。然后将支撑板28的上表面与布线层26的下表面贴近并相互对齐，使第一电极201与第四电极204分别穿过该第二通孔282后暴露并突出于该支撑板28的下表面，以作为该发光二极管封装结构2与其它外部电路连接的电极。最后利用低温共烧的方式结合该安装板25、布线层26以及该支撑板28为一牢固的整体结构。
由于该发光二极管封装结构2的第一、第二发光二极管芯片21、22的焊垫均直接连接到基板20的电极201～204，发光二极管芯片21、22之间不再通过金属打线的方式连接，因此该发光二极管封装结构2可靠性较高且厚度较薄。
请参阅图8-9，本发明第二实施方式的发光二极管封装结构3包括长方形基板30、第一发光二极管芯片31、第二发光二极管芯片32、多条金属导线33和保护层34。每一发光二极管芯片31、32包括正极焊垫与负极焊垫(未标示)。
如图9所示，该基板30包括依次层叠设置的安装板35、第二布线层37、第一布线层36、和支撑板38。本实施方式中，该安装板35与支撑板38均为陶瓷基板。
该安装板35包括六个第一通孔351。该安装板35的上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域359。该六个第一通孔351中有四个分别设置在该安装区域359相对四个角落，另外两个设置在该安装区域359的相对两侧。
该第一布线层36设置有第一至第四电极301～304、第一内连电极361和第二内连电极362。该第一至第四电极301～304位于该第一布线层36四个角落且与安装区域359四个角落的该四个第一通孔351一一对应。该第一电极301与该第四电极304位于该第一布线层36的两个相对的角落，该第二电极302与第三电极303位于该第一布线层36另外两个相对的角落。第一内连电极361电连接该第一电极301与第三电极303，第二内连电极362电连接该第二电极302与第四电极304。本实施方式中，该第一内连电极361与第二内连电极362呈条形且相互平行设置。
该第二布线层37位于该安装板35与该第一布线层36之间，并设置有四个第二通孔372、第五电极305、第六电极306和第三内连电极373，该四个第二通孔372设置在该第二布线层37相对的四个角落且与该第一至第四电极301～304一一对应。该第五电极305和第六电极306位于该四个第二通孔372之间且与安装区域359的相对两侧的第一通孔351一一对应。第一内连电极361、第二内连电极362和第三内连电极373三者互相绝缘设置。
该支撑板38包括两个第三通孔383。该第三通孔383对应该第一电极301与第四电极304设置在该支撑板38的两个相对的角落。
组装时，将该安装板35的下表面与第二布线层37的上表面贴近并相互对位，使该第五电极305与第六电极306分别穿过安装区域359相对两侧的第一通孔351后暴露于该安装板35的上表面。然后将第一布线层36的上表面贴近该第二布线层37的下表面并相互对齐，使该第一至第四电极301～304分别穿过四个第二通孔372，以及位于安装区域359四个角落的四个第一通孔351后暴露于该安装板35的上表面。本实施方式中，该第一至第六电极301～306的顶面与安装板35的上表面齐平，以便于利于金属导线33，例如金线，分别连接发光二极管芯片31、32的焊垫。接着将支撑板38的上表面与第一布线层36的下表面贴近并相互对齐，使第一电极301与第四电极304分别穿过该第三通孔383后暴露并突出于该支撑板38的下表面，以作为该发光二极管封装结构3与其它外部电路连接的电极。最后利用低温共烧的方式结合该安装板35、第一布线层36、第二布线层37和该支撑板38为一牢固的整体结构。
该第一、第二发光二极管芯片31、32依次设置在该安装区域359内。该第一发光二极管芯片31的正极焊垫通过金属导线33连接至该第一电极301。该第一发光二极管芯片31的负极焊垫通过金属导线33连接至该第二电极302。该第二发光二极管芯片32的正极焊垫通过金属导线33连接至该第三电极303。该第二发光二极管芯片32的负极焊垫通过金属导线33连接至该第四电极304。保护层34覆盖部分基板30、第一发光二极管芯片31、第二发光二极管芯片32和多条金属导线33。
如此，该发光二极管封装结构3的第一、第二发光二极管芯片31、32在第一电极301和第四电极304之间以并联的方式形成电路连接。
由于采用了基板30，该发光二极管封装结构3不仅性能可靠、厚度较薄，而且仅通过选择连接不同的电极就能使第一、第二发光二极管芯片31、32实现串联或并联的电路连接。
图10为本发明第三实施方式的发光二极管封装结构4的顶面透视图。该发光二极管封装结构4与发光二极管封装结构3的区别之处在于该第一、第二发光二极管芯片31、32的连接方式。本实施方式中，该第一发光二极管芯片31的正极焊垫通过金属导线33连接至该第一电极301。该第一发光二极管芯片31的负极焊垫通过金属导线33连接至该第六电极306。该第二发光二极管芯片32的正极焊垫通过金属导线33连接至该第五电极305。该第二发光二极管芯片31的负极焊垫通过金属导线33连接至该第四电极304。
如此，该发光二极管封装结构4的第一、第二发光二极管芯片31、32在第一电极301、第四电极304之间以串联的方式形成电路连接。
本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构，其包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和多条金属导线，每一发光二极管芯片包括正极焊垫和负极焊垫，该基板包括第一电极和第二电极，该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域，该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内，其特征在于：该基板进一步包括第三电极、第四电极和内连电极，该第一至第四电极分别设置在该安装区域之外四个角落且暴露于该基板的上表面，该内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与该第三电极，该第一发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接第一电极，该第一发光二极管芯片的负极焊垫通过金属导线连接第二电极，该第二发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接第三电极，该第二发光芯片的负极焊垫通过金属导线连接第第四电极，且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连，其中，该第一电极与该第四电极位于该基板安装区域之外的两个相对的角落，该第二电极与该第三电极位于该基板安装区域之外的另外两个相对的角落，该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片在该第一电极与第四电极之间通过金属导线以串联的方式形成电路连接；该基板进一步包括依次层叠设置的安装板、布线层和支撑板，该安装板包括四个第一通孔，该第一至第四电极和该内连电极均设置于布线层，该支撑板包括两个第二通孔，该第一至第四电极分别穿过该第一通孔后暴露于该安装板的上表面，第一电极与第四电极分别穿过该第二通孔后暴露并突出于该支撑板的下表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一电极至第四电极的顶面与基板的上表面齐平。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一电极与该第四电极贯通该基板的上下表面且突出于该基板的下表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该安装板与该支撑板为长方形陶瓷基板，该安装板、该支撑板以及该布线层通过低温共烧成为一整体结构。
5.一种发光二极管封装结构，其包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和多条金属导线，每一发光二极管芯片包括正极焊垫和负极焊垫，该基板包括第一电极和第二电极，该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域，该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内，其特征在于：该基板进一步包括第三电极、第四电极、第五电极、第六电极、第一内连电极和第二内连电极，该第一至第四电极分别设置在该基板安装区域之外四个角落且暴露于该基板的上表面，该第五电极和第六电极位于安装区域的相对两侧且暴露于该基板的上表面，第一内连电极埋设于基板内并电连接该第一电极与第三电极，该第二内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与第四电极，该第一发光二极管芯片的正极焊垫连接第一电极，该第一发光二极管芯片的负极焊垫连接第二电极，该第二发光二极管芯片的正极焊垫连接第三电极，该第二发光二极管芯片的负极焊垫连接第四电极，且该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连，其中，该第一电极与该第四电极位于该基板安装区域之外的两个相对的角落，该第二电极与该第三电极位于该基板安装区域之外的另外两个相对的角落,该第一发光二极管芯片与该第二发光二极管芯片在该第一电极与第四电极之间通过金属导线以串联或并联的方式形成电路连接；该基板进一步包括依次层叠设置的安装板、第二布线层、第一布线层和支撑板，该安装区域定义在该安装板的上表面中心位置，该安装板包括六个第一通孔，其中四个第一通孔分别设置在该基板安装区域外的相对四个角落，另外两个第一通孔设置在该安装区域的相对两侧，该第二布线层包括四个第二通孔，该支撑板包括两个第三通孔，该第一电极至第四电极、该第一内连电极和该第二内连电极均设置于第一布线层，该第五电极、该第六电极和该第二内连电极均设置在该第二布线层，该第五电极和该第六电极分别穿过该安装区域相对两侧的第一通孔后暴露于该安装板的上表面，该第一至该第四电极依次穿过该第二通孔以及该基板安装区域外相对四个角落的第一通孔后暴露于该安装板的上表面，该第一电极与该第四电极还分别穿过该第三通孔后暴露并突出于该支撑板的下表面。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一电极至第六电极的顶面与基板的上表面齐平。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一电极与该第四电极贯通该基板的上下表面且突出于该基板的下表面。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该安装板与该支撑板为长方形陶瓷基板，该安装板、该支撑板以及该第一、第二布线层通过低温共烧结合为一整体结构。
9.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接至该第一电极，该第一发光二极管芯片的负极焊垫通过金属导线连接至该第二电极，该第二发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接至该第三电极，该第二发光二极管芯片的负极焊垫通过金属导线连接至该第四电极。
10.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接至该第一电极，该第一发光二极管芯片的负极焊垫通过金属导线连接至该第六电极，该第二发光二极管芯片的正极焊垫通过金属导线连接至该第五电极，该第二发光二极管芯片的负极焊垫通过金属导线连接至该第四电极。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8759847B2 (en) * 2011-12-22 2014-06-24 Bridgelux, Inc. White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals
JP6277860B2 (ja) * 2013-07-19 2018-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6842246B2 (ja) * 2016-05-26 2021-03-17 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
KR102449952B1 (ko) * 2016-08-10 2022-10-04 교세라 가부시키가이샤 전기 소자 탑재용 패키지, 어레이형 패키지, 및 전기 장치
KR102426118B1 (ko) * 2017-10-13 2022-07-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP7136884B2 (ja) * 2018-03-08 2022-09-13 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11335833B2 (en) * 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
TWI769932B (zh) * 2021-10-03 2022-07-01 郭明騰 光源模組

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201278348Y (zh) * 2008-10-21 2009-07-22 郑文宗 保险丝专用的插件式发光二极管封装结构
CN201383500Y (zh) * 2008-12-17 2010-01-13 鋐鑫电光科技股份有限公司 发光二极管的封装结构
CN101771031A (zh) * 2008-12-29 2010-07-07 先进开发光电股份有限公司 具有静电保护的光电元件的封装结构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616595B1 (ko) * 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 광원
JP4726204B2 (ja) * 2005-06-03 2011-07-20 シチズン電子株式会社 チップ型ｌｅｄ
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
CN2927319Y (zh) * 2006-06-20 2007-07-25 楼满娥 用于安装led芯片的电连接装置
KR100828956B1 (ko) * 2006-06-27 2008-05-13 하나 마이크론(주) Ｕｓｂ 메모리 패키지 및 그 제조 방법
US8421093B2 (en) * 2007-07-13 2013-04-16 Rohm Co., Ltd. LED module and LED dot matrix display
KR101448153B1 (ko) * 2008-06-25 2014-10-08 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
KR101812761B1 (ko) * 2011-03-02 2017-12-28 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201278348Y (zh) * 2008-10-21 2009-07-22 郑文宗 保险丝专用的插件式发光二极管封装结构
CN201383500Y (zh) * 2008-12-17 2010-01-13 鋐鑫电光科技股份有限公司 发光二极管的封装结构
CN101771031A (zh) * 2008-12-29 2010-07-07 先进开发光电股份有限公司 具有静电保护的光电元件的封装结构

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