KR100828891B1 - Ｌｅｄ 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 LED 패키지는 패키지 하우징; 상기 패키지 하우징의 하부에 형성된 다수의 리드; 상기 패키지 하우징의 내부에 실장된 다수의 LED; 상기 다수의 LED와 상기 다수의 리드를 전기적으로 연결하는 다수의 전기적 연결수단; 상기 패키지 하우징의 내부에 충진된 몰딩부; 를 포함하며, 상기 다수의 리드 중에서 적어도 하나의 리드는 복수의 LED에 전기적으로 공통 연결된다.
이와 같은 본 발명에 의하면 실장되는 발광다이오드의 전극 구조에 따라 적응적으로 회로를 설계할 수 있으며, 다양한 색상의 발광을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.

Description

ＬＥＤ 패키지{LED Package}
도 1은 종래의 LED 패키지를 나타낸 도면.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 2b는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지의 회로도.
도 3a는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 3b는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지의 회로도.
도 4a는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 4b는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지의 회로도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30... LED 패키지
10-1, 20-1, 30-1... 패키지 하우징
11, 21, 31... 제 1 리드 12, 22, 32... 제 2 리드
13, 23, 33... 제 3 리드 14, 24, 34... 제 4 리드
15, 25, 35... 제 5 리드
16-1, 16-2, 17-1, 18-1, 18-2... 와이어
26-1, 26-2, 27-1, 28-1, 28-2... 와이어
36-1, 36-2, 37-1, 37-2, 38-1, 38-2... 와이어
16, 26, 36... 청색 LED 17, 27, 37... 적색 LED
18, 28, 38... 녹색 LED 19, 29, 39... 몰딩부
본 발명은 LED(Light Emitting Diode) 패키지에 관한 것이다.
LED는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있다. 이러한 LED 소자의 특성은 1차적으로는 LED 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도 분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로는 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착된 표면 실장(SMD : Surface Mount Device)형으로도 만들어지고 있다.
이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD형의 LED 램프는 기존의 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등 표시기, 문자 표시기, 영상 표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 이용되고 있으며, 요구되는 휘도도 갈수록 높아짐에 따라 최근에는 고출력 LED가 널리 쓰이고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 LED 패키지를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 LED 패키지는 PCB(200)에 LED(210)를 실장할 반사 홀을 형성한 다음 내부에 Ag 금속으로 반사 코팅층(201)을 형성하고, 반사 코팅층(201)은 LED(210)에 전원을 인가할 패키지 전극(230, 220)과 연결된다.
즉, PCB(200) 상에 형성된 반사홀 내측에 형성되는 반사 코팅층(201)은 중심 영역이 전기적으로 단선된 구조를 하도록 형성한다.
이와 같이 PCB(200) 상에 반사 코팅층(201)이 형성되면, LED(210)를 반사홀 하측에 실장하고, LED(210)의 P 전극과 N 전극을 반사 코팅층(201) 상에 전기적으로 연결한다.
상기와 같이 LED(210)가 실장되면, 반사 코팅층(201)의 양측에 캐소드 전극(220)과 애노드 전극(230)을 솔더 본딩 방식에 의하여 형성한다. 그런 다음, LED(210)가 실장되어 있는 PCB(200)의 반사홀 상에 와이어(218)의 산화 방지와 공기저항에 의한 광손실을 줄이면서 열전도율을 높이기 위하여 이후 구비되는 몰드 렌즈(250)와 굴절율이 비슷한 충진제(231)를 주입한다.
이렇게 조립된 LED 패키지는 상기 LED(210)에서 발생한 광을 반사 코팅층 (201)에서 반사시킨 다음, 몰드 렌즈(250)를 통하여 외부로 발산하게 된다.
그러나, 상기와 같은 리드 구조를 갖는 LED 패키지로는 다양한 색상의 발광을 구현하도록 다수의 LED를 패키지 내에 실장할 수 없다는 단점이 있다.
본 발명은 실장되는 발광다이오드의 전극 구조에 따라 적응적으로 회로를 설계할 수 있으며, 다양한 색상의 발광을 용이하게 구현할 수 있는 LED 패키지를 제공한다.
본 발명에 따른 LED 패키지는 패키지 하우징; 상기 패키지 하우징의 하부에 형성된 다수의 리드; 상기 패키지 하우징의 내부에 실장된 다수의 LED; 상기 다수의 LED와 상기 다수의 리드를 전기적으로 연결하는 다수의 전기적 연결수단; 상기 패키지 하우징의 내부에 충진된 몰딩부; 를 포함하며, 상기 다수의 리드 중에서 적어도 하나의 리드는 복수의 LED에 전기적으로 공통 연결된다.
이와 같은 본 발명에 의하면 실장되는 발광다이오드의 전극 구조에 따라 적응적으로 회로를 설계할 수 있으며, 다양한 색상의 발광을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 LED 패키지의 회로도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지(10) 는 패키지 하우징(10-1)의 하부에 다수의 리드, 예컨대 제 1 리드 내지 제 5 리드(11, 12, 13, 14, 15)가 형성되어 있다. 상기 제 1 리드 내지 제 5 리드(11, 12, 13, 14, 15)에 대응하여 패키지 하우징(10-1)의 상부에 청색 LED(16), 적색 LED(17), 녹색 LED(18)가 실장될 수 있다. 각 LED(16, 17, 18)와 제 1 리드 내지 제 5 리드(11, 12, 13, 14, 15) 사이에는 전기적 연결을 위한 다수의 와이어(16-1, 16-2, 17-1, 18-1, 18-2)가 형성되어 있다. 또한, 각 LED(16, 17, 18)를 보호하도록 패키지 하우징(10-1)의 내부에 몰딩부(19)가 충진되어 있다.
상기 패키지 하우징(10-1)은 플라스틱 재질, 예컨대 PC, PCABS, PPA, 나일론, PET, PBT 등을 사출 성형하여 형성할 수 있다. 상기 패키지 하우징(10-1)의 내부 구조를 원통 형상으로 구성하고 각 LED(16, 17, 18)를 각 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대될 수 있다. 또한, 상부 직경보다 작은 하부 직경을 갖도록 하여 그 직경 차이를 조절함으로써 상부 방향으로의 발광효율을 증가시킬 수도 있다.
상기 제 1 리드 내지 제 5 리드(11, 12, 13, 14, 15)는 각각 패키지 하우징(10-1)의 하부에 구비되고 상기 와이어(16-1, 16-2, 17-1, 18-1, 18-2)를 통해 각각의 LED(16, 17, 18)와 전기적으로 연결된다.
상기 몰딩부(19)는 투명 에폭시 또는 실리콘 등과 같은 재질로 이루어진 몰딩 수지로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(19)는 패키지 하우징(10-1) 내에서 LED(16, 17, 18)와 와이어(16-1, 16-2, 17-1, 18-1, 18-2)를 덮도록 충진된다. 여기서, 상기 몰딩부(19)는 도 2a에 도시된 바와 같이 평평한 표면을 가지도록 형성 되거나, 또는 반구형의 렌즈 형태로 형성되어 집광효율을 향상시켜 광의 휘도 분포와 휘도 세기를 조절할 수 있다. 또한 상기 몰딩부(19)는 다수의 오목부와 볼록부를 갖도록 형성될 수 있으며, 그 형상은 용도 또는 목적에 맞추어 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지(10)에서 청색 LED(16), 적색 LED(17), 녹색 LED(18)는 각각 패키지 하우징(10-1)의 하부면 상에 형성될 수 있다.
상기 청색 LED(16)는 제 1 리드(11)와 제 2 리드(12)에 각각 연결된 와이어(16-1, 16-2)를 통해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이루게 된다. 상기 적색 LED(17)는 제 2 리드(12)에 연결된 와이어(17-1)와 하부측에 접속한 제 3 리드(13)와 전기적으로 연결된다. 상기 적색 LED(17)의 상부면에는 P형 전극이 구비되는 P-탑(P-top) 수직 전극구조로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 리드(12)가 양극(anode)으로 작용될 수 있다. 상기 녹색 LED(18)는 제 4 리드(14)와 제 5 리드(15)에 각각 연결된 와이어(18-1, 18-2)를 통해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 상기 제 4 리드(14)가 양극으로 작용하고 상기 제 5 리드(15)가 음극으로 작용할 수 있게 된다.
따라서, 도 2b에 도시된 바와 같이 적색 LED(17)가 상부면에 P형 전극이 구비되는 P-탑 수직 전극구조로 실장되고, 청색 LED(16)와 적색 LED(17)가 제 2 리드(12)를 양극의 공통전극으로 하며, 청색 LED(16)와 녹색 LED(18)가 수평전극의 회로로 구현될 수 있다. 물론, 적색 LED(17) 이외의 청색 LED(16) 또는 녹색 LED(18) 가 P-탑 수직 전극구조로 실장되어 구현될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지를 설명한다.
도 3a는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 LED 패키지의 회로도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지(20)는 패키지 하우징(20-1)의 하부에 다수의 리드, 예컨대 제 1 리드 내지 제 5 리드(21, 22, 23, 24, 25)가 형성되어 있다. 상기 제 1 리드 내지 제 5 리드(21, 22, 23, 24, 25)에 대응하여 패키지 하우징(20-1)의 내부에 청색 LED(26), 적색 LED(27), 녹색 LED(28)가 실장될 수 있다. 각 LED(26, 27, 28)와 제 1 리드 내지 제 5 리드(21, 22, 23, 24, 25) 사이에 전기적 연결을 위한 다수의 와이어(26-1, 26-2, 27-1, 28-1, 28-2)가 연결될 수 있다. 또한 각 LED(26, 27, 28)를 보호하도록 패키지 하우징(20-1)의 내부에 몰딩부(29)가 충진될 수 있다.
상기 패키지 하우징(20-1)은 플라스틱 재질, 예컨대 PC, PCABS, PPA, 나일론, PET, PBT 등을 사출 성형하여 형성할 수 있다. 상기 패키지 하우징(20-1)의 내부 구조를 원통 형상으로 형성하고 상기 LED(26, 27, 28)를 각 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대될 수 있다. 또한 상부 직경보다 작은 하부 직경을 갖도록 하여 그 직경 차이를 조절함으로써 상부로 발광되는 발광효율을 증가시킬 수도 있다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지(20)에 의하면, 청색 LED(26)는 제 1 리드(21)와 제 2 리드(22)에 각각 연결된 와이어(26-1, 26-2)를 통해 수평전 극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 적색 LED(27)는 제 2 리드(22)에 연결된 와이어(27-1)와 하부측에 접속한 제 3 리드(23)에 의해 수직전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 또한 녹색 LED(28)는 제 4 리드(24)와 제 5 리드(25)에 각각 연결된 와이어(28-1, 28-2)를 통해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지(20)에 의하면, 도 3b에 도시된 바와 같이 적색 LED(27)가 상부면에 N형 전극이 구비되는 N-탑 수직전극 구조로 실장될 수 있다. 또한, 청색 LED(26)와 적색 LED(27)가 제 2 리드(22)를 음극(cathode)의 공통전극으로 하며, 청색 LED(26)와 녹색 LED(28)가 수평전극의 회로로 구현될 수 있다. 물론, 적색 LED(27) 이외의 청색 LED(26) 또는 녹색 LED(28)가 N-탑 수직전극 구조로 실장될 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 LED 패키지(20)는 제 1 실시 예에 따른 LED 패키지(10)에 비하여 청색 LED(26), 적색 LED(27), 녹색 LED(28) 중 하나가 N-탑 전극구조로 실장되고, 하나의 리드가 음극의 공통전극으로 이용될 수 있음을 보여준다.
이하, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지를 설명한다.
도 4a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다수의 LED를 구비한 패키지의 단면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 LED 패키지의 회로도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지(30)는 패키지 하우징(30-1)의 하부에 다수의 리드, 예컨대 제 1 리드 내지 제 5 리드 (31, 32, 33, 34, 35)가 형성될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 5 리드(31, 32, 33, 34, 35)에 대응하여 패키지 하우징(30-1)의 내부에 청색 LED(36), 적색 LED(37), 녹색 LED(38)가 실장될 수 있다. 각 LED(36, 37, 38)와 제 1 리드 내지 제 5 리드(31, 32, 33, 34, 35) 사이에 전기적 연결을 위한 다수의 와이어(36-1,36-2,37-1,37-2,38-1,38-2)가 형성될 수 있다. 또한 각 LED(36, 37, 38)를 보호하도록 패키지 하우징(30-1)의 내부에 몰딩부(39)가 충진될 수 있다.
상기 패키지 하우징(30-1)은 플라스틱 재질, 예컨대 PC, PCABS, PPA, 나일론, PET, PBT 등을 사출 성형하여 형성할 수 있다. 상기 패키지 하우징(30-1)의 내부 구조를 원통 등의 형상으로 구성하고 LED(36, 37, 38)를 각 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대될 수 있다. 또한, 상부 직경보다 작은 하부 직경을 갖도록 하여 그 직경 차이를 조절함으로써 상부로 발광되는 발광효율을 증가시킬 수도 있다.
본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지(30)에 의하면, 청색 LED(36)는 제 1 리드(31)와 제 2 리드(32)에 각각 연결된 와이어(36-1, 36-2)를 통해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 상기 적색 LED(37)는 제 2 리드(32)와 제 4 리드(34)에 연결된 와이어(37-1, 37-2)에 의해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 상기 녹색 LED(38)는 제 4 리드(34)와 제 5 리드(35)에 각각 연결된 와이어(38-1, 38-2)를 통해 수평전극 구조의 전기적 연결을 이룰 수 있게 된다. 여기서, 상기 제 3 리드(33)는 적색 LED(37)를 실장하기 위한 지지부재로서 이용되고 전기적 연결은 이루어지지 않도록 구현될 수 있다.
본 발명의 제 3 실시 예에 따른 LED 패키지(30)에 의하면, 도 4b에 도시된 바와 같이 청색 LED(36), 적색 LED(37), 녹색 LED(38) 각각은 수평전극 구조로 실장될 수 있으며, 상기 제 1 리드(31)가 양극으로 작용하고 제 5 리드(35)를 음극으로 하는 회로로 구현될 수 있다. 물론, 도 4b에 도시된 회로와 반대로 청색 LED(36), 적색 LED(37), 녹색 LED(38)의 각 전극이 바뀌어 상기 제 1 리드(31)가 음극으로 작용하고 상기 제 5 리드(35)를 양극으로 하는 회로로 구현될 수도 있다.
또한, 몰딩부(39) 내부에 실리케이트계 형광체 등이 소정 비율로 혼합되어 형성되도록 구현할 수도 있다. 이와 같은 구현을 통하여, 실장된 발광다이오드로부터 발산되는 광이 실리케이트계 형광체 등과의 반응에 의해 소정의 색상으로 발광하여 백색 발광을 수행하게 할 수도 있다.
예를 들어, 실장된 발광다이오드가 모두 청색 LED이고 몰딩부(39)에 함유된 실리케이트계 형광체가 황색발광의 형광체 물질인 경우에 청색 LED에서 발산되는 광이 황색발광의 형광체 물질과 반응하여 백색을 발광할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명의 각 실시 예에 따른 LED 패키지에서 각 LED의 출력비를 조절하여 발광색을 조절할 수 있다, 예를 들어 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED의 각 출력비가 각각 3:7:1로 구비되는 경우 LED 패키지에서는 백색 발광이 구현될 수 있다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 LED 패키지에 의하면 실장되는 발광다이오드의 전극 구조에 따라 적응적으로 회로를 설계할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따른 LED 패키지에 의하면, 다수의 LED를 패키지 내부에 실장하여 다수의 LED로부터 다양한 색상이 발광되도록 구현할 수 있으며, 이를 이용하여 백색발광을 구현할 수 있다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 패키지 하우징;
    상기 패키지 하우징의 하부에 형성된 다수의 리드;
    상기 패키지 하우징의 내부에 실장된 다수의 LED;
    상기 다수의 LED와 상기 다수의 리드를 전기적으로 연결하는 다수의 전기적 연결수단;
    상기 패키지 하우징의 내부에 충진된 몰딩부;
    를 포함하며,
    상기 다수의 LED 중에서 서로 다른 파장 대역의 빛을 발광하는 제1 LED와 제2 LED에 공통으로 연결된 공통 리드가 적어도 하나 존재하며, 상기 공통 리드는 상기 제1 LED의 일단과 상기 제2 LED의 일단에 동일 전압을 공급하고, 상기 제1 LED의 타단에는 상기 공통 리드를 통하여 공급되는 전압에 비하여 더 낮은 전압이 공급되고, 상기 제2 LED의 타단에는 상기 공통 리드를 통하여 공급되는 전압에 비하여 더 높은 전압이 공급되어, 상기 제1 LED와 상기 제2 LED는 순차적으로 직렬 연결된 LED 패키지.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 몰딩부는 투명 에폭시 또는 실리콘의 재질로 형성된 몰딩 수지이고, 상기 LED와 상기 전기적 연결수단을 덮도록 충진된 LED 패키지.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 몰딩부에는 형광체 물질이 함유되고, 상기 형광체 물질이 상기 LED에서 발생하는 광과 반응하여 발광되는 LED 패키지.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 LED 각각의 광출력비를 조절하여 백색발광을 수행하는 LED 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101518458B1 (ko) * 2011-04-11 2015-05-11 서울반도체 주식회사 고전압 발광 다이오드 패키지

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
DE112007001950T5 (de) 2006-08-21 2009-07-02 Innotec Corporation, Zeeland Elektrische Vorrichtung mit platinenloser Montageanordnung für elektrische Komponenten
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
WO2009076579A2 (en) 2007-12-12 2009-06-18 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
DE102007061261A1 (de) * 2007-12-19 2009-07-02 Bayer Materialscience Ag Leuchtkörper mit LED-DIEs und deren Herstellung
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
JP4931959B2 (ja) * 2009-05-15 2012-05-16 シャープ株式会社 光源装置、該光源装置を備えた光照射装置、該光照射装置を備えた画像読取装置、及び、該画像読取装置を備えた画像形成装置
DE112010002822T5 (de) 2009-07-03 2012-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Gehäuse für licht emittierende dioden
KR20110018777A (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101007139B1 (ko) * 2009-09-10 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101543333B1 (ko) 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
CN102403306B (zh) * 2010-09-10 2015-09-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102412346A (zh) * 2010-09-23 2012-04-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US8987022B2 (en) 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN102437151B (zh) * 2011-11-17 2013-10-16 佛山市蓝箭电子股份有限公司 一种全彩smd led支架结构及其封装产品装置
US8759847B2 (en) * 2011-12-22 2014-06-24 Bridgelux, Inc. White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals
JP2013135083A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2013135082A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN102537739B (zh) * 2012-01-08 2013-10-30 浙江新天天光电科技有限公司 一种黄光led光源组件
CN103311233B (zh) * 2012-03-12 2016-08-03 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装结构
JP2013205661A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nichia Chem Ind Ltd 表示装置及びこれを用いた表示方法
JP2013239539A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
WO2013188678A1 (en) 2012-06-13 2013-12-19 Innotec, Corp. Flexible light pipe
TWI473294B (zh) * 2012-08-03 2015-02-11 Genesis Photonics Inc 發光裝置
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
TWI482318B (zh) * 2012-12-18 2015-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其封裝結構
US9443833B2 (en) * 2013-01-31 2016-09-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent overlapping LED die layers
KR102108214B1 (ko) 2013-06-12 2020-05-07 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
US20150116992A1 (en) * 2013-10-28 2015-04-30 Johnny Ray Massey LED device for lighting a fishing line at the pole
TWI540771B (zh) * 2014-01-20 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具
DE102014101215A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement
CN105098046B (zh) * 2014-05-19 2019-06-07 四川新力光源股份有限公司 Led光源基板及其制作方法和led光源
CN104134743A (zh) * 2014-06-17 2014-11-05 京东方光科技有限公司 Led封装结构及封装方法、显示装置、照明装置
JP6194514B2 (ja) * 2014-06-26 2017-09-13 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
CN105322058A (zh) * 2014-07-25 2016-02-10 新世纪光电股份有限公司 发光单元的制作方法
EP3201953B1 (en) * 2014-10-01 2019-08-07 Lumileds Holding B.V. Light source with tunable emission spectrum
CN105591006A (zh) * 2014-10-20 2016-05-18 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装体
JP6583247B2 (ja) 2016-12-21 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190028134A (ko) 2017-09-08 2019-03-18 중앙대학교 산학협력단 비콘의 저전력 위치기반 통신 기술을 이용한 효율적인 호텔 서비스 대체 어플리케이션 장치 및 방법
JP7221647B2 (ja) * 2018-10-24 2023-02-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
TWI710128B (zh) * 2020-01-08 2020-11-11 劉台徽 微型發光二極體及其封裝方法
EP4100999A1 (en) 2020-02-07 2022-12-14 Signify Holding B.V. Led-based device
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010051594A (ko) * 1999-11-11 2001-06-25 도다 다다히데 풀컬러 광원 유니트

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6246292Y2 (ko) * 1979-01-19 1987-12-12
JPS55122377U (ko) * 1979-02-22 1980-08-30
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH07129099A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ表示装置
JPH10247748A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Omron Corp 発光素子及び当該発光素子を用いた面光源装置
US6401807B1 (en) * 1997-04-03 2002-06-11 Silent Systems, Inc. Folded fin heat sink and fan attachment
JP3468018B2 (ja) * 1997-04-10 2003-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JPH10319871A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Kouha:Kk Ｌｅｄディスプレイ装置
JP3165078B2 (ja) * 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JP2000232186A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
US6198529B1 (en) * 1999-04-30 2001-03-06 International Business Machines Corporation Automated inspection system for metallic surfaces
JP2000315823A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Runaraito Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP3829582B2 (ja) * 2000-05-12 2006-10-04 豊田合成株式会社 発光装置
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US7262752B2 (en) * 2001-01-16 2007-08-28 Visteon Global Technologies, Inc. Series led backlight control circuit
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP3708026B2 (ja) * 2001-04-12 2005-10-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
JP2003078172A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄリードフレーム
US7294956B2 (en) * 2001-10-01 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
GB0314079D0 (en) * 2003-06-18 2003-07-23 Astrazeneca Ab Therapeutic agents
JP3801931B2 (ja) * 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
CA2447288C (en) * 2002-03-22 2011-10-04 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP2003338639A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Rohm Co Ltd 表示装置
JP4239509B2 (ja) 2002-08-02 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4132043B2 (ja) * 2002-11-27 2008-08-13 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4306247B2 (ja) 2002-12-27 2009-07-29 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP4383059B2 (ja) 2003-01-24 2009-12-16 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US7026660B2 (en) * 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
WO2004098255A1 (ja) * 2003-04-25 2004-11-11 Sanko Lite Industries Co., Ltd. 電気回路および電子部品
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
TWI350009B (en) * 2003-09-24 2011-10-01 Osram Gmbh High efficient lighting system on led-basis with improved color rendition
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
KR100533635B1 (ko) * 2003-11-20 2005-12-06 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US6998280B2 (en) * 2004-02-10 2006-02-14 Mei-Hung Hsu Wafer packaging process of packaging light emitting diode
JP4780939B2 (ja) 2004-07-28 2011-09-28 京セラ株式会社 発光装置
US6849876B1 (en) * 2004-05-31 2005-02-01 Excel Cell Electronic Co., Ltd. Light emitting device
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
JP2006041380A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US7402842B2 (en) * 2004-08-09 2008-07-22 M/A-Com, Inc. Light emitting diode package
TWI240438B (en) * 2004-09-07 2005-09-21 Opto Tech Corp High power LED array
US7842526B2 (en) * 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
KR100524098B1 (ko) * 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
TWI253191B (en) * 2005-01-06 2006-04-11 Genesis Photonics Inc White light-emitting equipment with LED, and its application
JP4839662B2 (ja) * 2005-04-08 2011-12-21 富士ゼロックス株式会社 面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム
JP5017804B2 (ja) * 2005-06-15 2012-09-05 富士ゼロックス株式会社 トンネル接合型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
US7491636B2 (en) * 2005-07-19 2009-02-17 Micron Technology, Inc. Methods for forming flexible column die interconnects and resulting structures
ATE466858T1 (de) * 2005-11-09 2010-05-15 Hoffmann La Roche 3-arylisoxazol-4-carbonylbenzofuranderivative
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US20080081862A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 Arnold Lustiger Fiber reinforced polystyrene composites

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010051594A (ko) * 1999-11-11 2001-06-25 도다 다다히데 풀컬러 광원 유니트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101518458B1 (ko) * 2011-04-11 2015-05-11 서울반도체 주식회사 고전압 발광 다이오드 패키지

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