JP2006041380A - 光源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 半導体発光素子の安定した発光及び長寿命化を図る光源装置を提供する。
【解決手段】 リードフレームは、複数の半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3と、載置リードフレーム3とは別に各半導体発光素子10を電気接続するボンディングワイヤ11を中継する中継リードフレーム4とを有する。載置リードフレーム3を反射性樹脂からなる本体2から外部に露出したり、電極とすることにより半導体発光素子10からのジュール熱を露出した載置リードフレーム3から放出する。これにより、ボンディングワイヤ11の破損を回避し、半導体発光素子10の安定した発光および寿命の延命を図り、より多くの電流を流して放出輝度を高めることができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、複数の半導体発光素子を直列に接続する時に、複数の半導体発光素子を載置する載置リードフレームと、各半導体発光素子の電極から配線するボンディングワイヤを載置リードフレームに接続せずにボンディングワイヤを互いに中継して接続する中継リードフレームとを設けるとともに、載置リードフレームの一部が反射性樹脂から外部に露出するようにインサートモールド成形する光源装置に関する。
従来の光源装置として、リードフレームを反射性樹脂でインサートモールド成形し、複数の半導体発光素子チップを載置したリードフレームに各半導体発光素子の電極からボンディングワイヤで直接電気接続を行い、複数の半導体発光素子を線状に載置して少なくとも1つ以上の出光部(開口部)を有して一体化されたものが知られてる。
また、従来の光源装置として、基板に複数の半導体発光素子をアレー状に載置し、各半導体発光素子からボンディングワイヤで基板上の配線に接続し、透明樹脂等で一体化したものも知られている。
特開平11−004022号公報
上述した従来の光源装置は、複数の半導体発光素子を接続する場合、図5に示すように、リードフレーム3に複数の半導体発光素子10(10a,10b,10c)を載置する。そして、半導体発光素子10aの電極13からボンディングワイヤ11で例えばアノード側電極13aを半導体発光素子10a自身が載置されているリードフレーム3aにボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。続いて、同じリードフレーム3aに次(隣)のリードフレーム3bに載置された半導体発光素子10bのカソード側電極13bのボンディングワイヤ11bをワイヤーボンディングする。
同様に、半導体発光素子10bを載置したリードフレーム3b自身にアノード側電極13aのボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。続いて、同じリードフレーム3bに次(隣)のリードフレーム3cに載置された半導体発光素子10cのカソード側電極13bのボンディングワイヤ11bをワイヤーボンディングする。
さらに、半導体発光素子10cを載置したリードフレーム3c自身にアノード側電極13aのボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングし、電極端子6(アノード側電極)に電気的に接続する。
また、半導体発光素子10aのカソード側電極13bのボンディングワイヤ11bをリードフレーム5にワイヤーボンディングし、電極端子8(カソード側電極)に電気的に接続する。
このように、リードフレーム3をインサートモールド成形し、複数の半導体発光素子チップ10を線状に並列に載置して半導体発光素子10の電極13からボンディングワイヤ11で直接電気接続を行い、複数の半導体発光素子10を線状に載置して1つまたは複数の出光部(開口部)を有して一体化されたものは、半導体発光素子10からのジュール熱を吸収することなく半導体発光素子10からのジュール熱を載置リードフレーム3から外部に放出することができない。このために、リードワイヤ11の破損の恐れがあり、半導体発光素子10が安定せず、半導体発光素子10の発光および寿命に課題がある。
また、図6は従来の光源装置として図5と同様に電極端子6(アノード側電極)の端を一方向の電極端子8(カソード側電極)に寄せて設けたものである。この光源装置では、電極端子6の位置が相違するだけのことで、基本的には図5の構成と概略等しい。従って、上記図5で説明した場合と同様に、ボンディングワイヤ11の破損の恐れがあり、半導体発光素子10が安定せず、半導体発光素子10の発光および寿命に課題がある。なお、図5および図6において、複数の半導体発光素子10は、リードフレーム3上の接着部9に接着剤等を塗布してダイボンドされている。
さらに、従来の光源装置として、基板に複数の半導体発光素子をアレー状に載置し、各半導体発光素子からボンディングワイヤで基板上の配線に接続し、透明樹脂等で一体化したものでは、基板自体が金属製でないために、半導体発光素子の輝度の上昇を図るためには供給電流を多くしなければならない。その反面、電流の増加に伴って各半導体発光素子からのジュール熱がより多く発生し、このジュール熱の吸収・放出することが困難となる。その結果、各半導体発光素子自身に熱が籠もってしまい、半導体発光素子の安定発光や劣化および寿命に課題がある。
さらに、これら一体化モールド成形されたものでは、各半導体発光素子チップからのジュール熱を外部に放出することができず、光源装置内に熱が籠もってしまう。このため、例えば蛍光材により白色発光させるものでは、熱による蛍光材の劣化を招いてしまう恐れがある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の半導体発光素子を載置する載置リードフレームとは別に、各半導体発光素子を電気接続するボンディングワイヤを中継する中継リードフレームを有するとともに、載置リードフレームの一部を反射性樹脂から外部に露出したり、電極とすることにより、各半導体発光素子チップからのジュール熱を露出したリードフレームから放出することができ、ボンディングワイヤの破損を回避でき、半導体発光素子の安定した発光および寿命の延命を図ることができるとともに、より多くの電流を流して放出輝度を高めることができる光源装置を提供することを目的とするものである。
上記した目的を達成するために、請求項1記載の光源装置は、複数の半導体発光素子を載置し、一部が本体から外部に露出した載置リードフレームと、
載置リードフレームとは別に、複数の半導体発光素子を各々電気接続するボンディングワイヤを中継する中継リードフレームとを有することを特徴とする。
請求項1に係る光源装置は、複数の半導体発光素子を載置し、一部が本体から外部に露出した載置リードフレームと、
載置リードフレームとは別に、複数の半導体発光素子を各々電気接続するボンディングワイヤを中継する中継リードフレームとを有するので、載置リードフレーム上にボンディングワイヤを設けないため、各半導体発光素子からのジュール熱を吸収することなく各半導体発光素子からのジュール熱を載置リードフレームから外部に放出することができる。
請求項2記載の光源装置は、載置リードフレームが、互いに電気的および機械的に接続され、一端を電極とすることを特徴とする。
請求項2に係る光源装置は、載置リードフレームが、互いに電気的および機械的に接続され、一端を電極とするので、電極部分が外部に露出するために半導体発光素子からジュール熱を外部に放出することができる。
請求項3記載の光源装置は、少なくとも最初または最終の中継リードフレームを本体から外部に露出するとともに電極とすることを特徴とする。
請求項3に係る光源装置は、少なくとも最初または最終の中継リードフレームを本体から外部に露出するとともに電極とするので、半導体発光素子からのジュール熱を外部に放出することができる電極から電源を供給することができる。
請求項4記載の光源装置は、半導体発光素子が、1表面部に陽陰、両方の電極を有することを特徴とすることを特徴とする。
請求項4に係る光源装置は、半導体発光素子が、1表面部に陽陰、両方の電極を有するので、電極を載置リードフレームに接続することなく1表面部からボンディングワイヤによって中継リードフレームに接続することができる。
以上のように、請求項1に係る光源装置は、複数の半導体発光素子を載置し、一部が本体から外部に露出した載置リードフレームと、
載置リードフレームとは別に、複数の半導体発光素子を各々電気接続するボンディングワイヤを中継する中継リードフレームとを有するので、載置リードフレーム上にボンディングワイヤを設けないため、各半導体発光素子からのジュール熱を吸収することなく各半導体発光素子からのジュール熱を載置リードフレームから外部に放出することができる。これにより、ボンディングワイヤの破損を回避でき、半導体発光素子の安定した発光および寿命の延命を図ることができるとともに、各半導体発光素子への供給電源を多く流せるために放出輝度を高めることができる。
また、請求項2に係る光源装置は、載置リードフレームが、互いに電気的および機械的に接続され、一端を電極とするので、電極部分が外部に露出するために各半導体発光素子からのジュール熱を外部に放出することができる。これにより、ボンディングワイヤの破損を回避でき、半導体発光素子の安定した発光および寿命の延命を図ることができる。
さらに、請求項3に係る光源装置は、少なくとも最初または最終の中継リードフレームを本体から外部に露出するとともに電極とするので、各半導体発光素子からのジュール熱を外部に放出する電極から電源を供給することができ。これにより、半導体発光素子に安定した電力を供給でき安定した発光および寿命の延命を図ることができる。
また、請求項4に係る光源装置は、半導体発光素子が、1表面部に陽陰、両方の電極を有するので、電極を載置リードフレームに接続することなく1表面部からボンディングワイヤによって中継リードフレームに接続することができる。これにより、ボンディングワイヤを半導体発光素子から載置リードフレームに伝導するジュール熱から隔離することができ、安定した光源装置を得ることできる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら具体的に説明する。
なお、本発明は、リードフレームを反射性樹脂等でインサートモールド成形し複数の半導体発光素子を直列接続した光源装置において、1表面部に陽陰の両方の電極を有する複数の半導体発光素子を載置する載置リードフレームと、載置リードフレームとは別に各半導体発光素子を電気接続するリードワイヤを中継する中継リードフレームとを有しており、載置リードフレームの一部を反射性樹脂から外部に露出し、載置リードフレームの1端を電極としたり、また中継リードフレームの最端を反射性樹脂から外部に露出して電極とする構造である。このため、各半導体発光素子からのジュール熱をボンディングワイヤが吸収することなく、各半導体発光素子からのジュール熱を載置リードフレームから外部に放出することができる。これにより、本発明では、ボンディングワイヤの破損を回避でき、半導体発光素子からの放出輝度を高めるために半導体発光素子への供給電流を多く流せるとともに半導体発光素子の安定した発光および寿命の延命を図ることができる光源装置を提供している。
図1は本発明に係る光源装置の略斜視図、図2は本発明に係る光源装置の一形態を示す略正面断面図、図3は本発明に係る光源装置の他の形態を示す略正面断面図、図4は本発明に係る光源装置のさらに他の形態を示す略正面断面図である。
まず、光源装置1の概略構成について図1を参照しながら説明する。本例の光源装置1は、図1に示すように、インジェクションやトランスファーモルドにより反射性樹脂からなる本体2が略四角柱の形状に成形される。反射性樹脂からなる本体2の正面側2aには、半導体発光素子10上方出射方向に開口部15が設けられる。そして、この開口部15に平行になるとともに開口部15内側の底部になるようにリードフレーム3,4,5等を配置する。リードフレーム5は、半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3と、載置リードフレーム3上の複数の半導体発光素子10間をボンディングワイヤ11を介して中継接続するための中継リードフレーム4とを有する。そして、個々に半導体発光素子10を接着固定する接着部9載置リードフレーム3に設け、各半導体発光素子10の電極13からボンディングワイヤ11で接続するために中継リードフレーム4に接続配線する。そして、本例の光源装置1は、載置リードフレーム3と中継リードフレーム4および半導体発光素子10とを複数シリーズに接続し、載置リードフレームの一部を本体2から外部に露出させて電極とした構成である。
また、図示しないが、光源装置1は、インジェクションやトランスファーモルドタイプのもので、半導体発光素子の配置を考慮して所定のパターン形状に形成した燐青銅材等からなるリードフレームを、インサート成形によって反射性樹脂に挿入し、リードフレーム上に反射性樹脂からなる成型樹脂によって本体2を形成することができる。
なお、本体2を形成する樹脂は、例えば変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ナイロン46や芳香族系ポリエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性を有する材料に、光の反射性を良くするとともに遮光性を得るためにチタン酸バリウム等の白色粉体を混入させたものである。そして、これらの材料を加熱射出成形して本体2を形成する。
半導体発光素子10は、どのようなタイプのものでも良いが、特に4元素化合物やInGaAlP系、InGaAlN系、InGaN系等の化合物の半導体チップ等からなる高輝度発光素子が有効である。
また、半導体発光素子10には、半導体発光素子10の上面部にIn2 3 やSnO2 やITO等からなる電導性透明電極13をスパッタリングや真空蒸着や化学蒸着等により生成させて設ける。
そして、半導体発光素子10は、電極13から例えばアノード電極13aにアノード側ボンディングワイヤ11aをカソード側にカソードボンディングワイヤ11bをワイヤーボンダで接続する。
さらに、半導体発光素子10から白色の出射光を出射する場合には、半導体発光素子10の赤色発光(R)、青色発光(B)、緑色発光(G)の3原色を載置リードフレーム3上に極めて近接して設けて各単色の出射光を混合させて白色の出射光を得ることができる。
また、同様に白色光を出射する場合に、半導体発光素子10と波長変換材とによって構成することもできる。例えば接着部9に無色透明の接着剤に黄色発光の波長変換材料である蛍光材を混入させた接着剤を設け、さらにその上部に青色発光の半導体発光素子10を設ける。この構成により、青色発光の半導体発光素子10自身からの青色の光を直接開口部15方向に出射させる。同時に、青色発光の半導体発光素子10から接着部9の底部方向に出射した光が波長変換材料に達して半導体発光素子10の青色光によって励起し、黄色発光の蛍光材により黄色の発光した光が接着部9底部で反射して再度半導体発光素子10を通過して開口部15方向に出射する。これにより、黄色の発光色と青色の発光色との混合によって開口部15から白色の光が出射する。
なお、図1では図示しないが、光源装置1は、電気的接続をするための図2に示すような電極端子6や電極端子8を開口部15の反対側や本体2の後方側面に設けたり、載置リードフレーム3やリードフレーム5の端子から直接リード線を接続してリード線を設けても良い。
開口部15は、インサート成形を行なったときには、4方に傾斜面を有した空洞状態である。このため、開口部15の底面には、載置リードフレーム3や中継リードフレーム4が露出している。そして、インサート成形後にダイボンダ等により載置リードフレーム3に蛍光材(接着剤を含んだ波長変換材等)や接着剤を接着部9に設け、その上に半導体発光素子10を載置する。その後、ワイヤボンダ等によってボンディングワイヤ11aやボンディングワイヤ11bをボンディングする。
そして、これらの電気的接合の後に透明な樹脂(エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等)を充填する。これにより、半導体発光素子10やボンディングワイヤ11等を固定するとともに外気に触れないようにし、劣化等を予防する。
なお、充填する透明な樹脂は、無色または単色発光時には出射光と同色に着色されても良い。
また、図1では開口部15を1つとし、複数の半導体発光素子10から出射光の1つの開口部15から出射する構成としたが、各半導体発光素子10に対応した複数の開口部15としても良い。
ボンディングワイヤ11は、細い金線等の導電性からなる。このボンディングワイヤ11は、例えば半導体発光素子10のアノード側電極13aにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンダで接続し、カソード側電極13bにカソードボンディングワイヤ11bをワイヤーボンダで接続する。
接着部9は、無色透明なエポキシ樹脂や無色透明なシリコーン樹脂からなる。この接着部9に半導体発光素子10を載置して、単色発光としたり、R(赤色発光)、G(緑色発光)、B(青色発光)の3種の半導体発光素子10を1ユニットとして載置して白色光を得ることができる。
また、この無色透明なエポキシ樹脂や無色透明なシリコーン樹脂に波長変換材料を混合したものを接着剤として用いれば、半導体発光素子10と波長変換材料とによって異なる発光色等を得ることができる。
さらに、この無色透明なエポキシ樹脂や無色透明なシリコーン樹脂に波長変換材料を混合したものを一度、接着部9に塗布や印刷を行なった上に無色透明なエポキシ樹脂や無色透明なシリコーン樹脂等で接着しても良い。
さらにまた、無色透明なエポキシ樹脂や無色透明なシリコーン樹脂の代わりに粘性の高いシアノアクリルレート系の透明接着剤でも良い。
図示しないが、波長変換材料は、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系統からなる。
例えば、青色発光の半導体発光素子10からの出射光によって励起され、黄色の発光色を出射し、この波長変換材料による発光色と半導体発光素子10自身の青色発光色とによって混合され、白色光を得ることができる。
次に、本例の光源装置1の一形態の略正面断面図(リードフレーム)を図2に示す。図2に示す光源装置1のリードフレーム部分は、載置リードフレーム3と中継リードフレーム4とが交互にくるように設ける。その際、中継リードフレーム4が互いに隔離され、載置リードフレーム3同士がリードフレーム(連結部)7bによって連結接続される。また、接着剤に波長変換材を混合させたものや接着剤によって電気的絶縁された接着部9を載置リードフレーム3上に設け、この接着部9上にダイボンダによって各半導体発光素子10を載置しボンディングする。
さらに図2の光源装置1の構成について例えば右側から順に説明すると、半導体発光素子10aに電気結合(電力供給)するために電極端子8を有したリードフレーム5から載置リードフレーム3の接着部9に載置した半導体発光素子10aのカソード側電極13bにカソード側ボンディングワイヤ11bでワイヤーボンディングする。
次に、半導体発光素子10aのアノード側電極13aから中継リードフレーム4aにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。続いて、同じ中継リードフレーム4aからカソード側ボンディングワイヤ11bで次の半導体発光素子10bのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。その後、半導体発光素子10bのアノード側電極13aから中継リードフレーム4bにアノード側ボンディングワイヤ11aをボンディングする。
さらに、中継リードフレーム4bからカソード側ボンディングワイヤ11bで次の半導体発光素子10cのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。そして、半導体発光素子10cのアノード側電極13aから中継リードフレーム4cにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。
このように、図2の光源装置1では、半導体発光素子10のアノード側電極13aとカソード側電極13bとをアノード側ボンディングワイヤ11aおよびカソード側ボンディングワイヤ11bで次々にシリーズに接続する。そして、最後の中継リードフレーム4cから共通の載置リードフレーム3に接続ボンディングワイヤ11cでリードフレーム(連結部)7bにワイヤーボンディングして接続し、この端部を電極端子6(アノード側電極)として電気的に接続する。
なお、図2の光源装置1において、各々半導体発光素子10を載置した3つの載置リードフレーム3は、括れ部分を介してリードフレーム(連結部)7bと一体化されている。また、図示はしないが、図2の光源装置1において、載置リードフレーム3とリードフレーム(連結部)7bとの間の括れ部分で折り曲げ、開口部15とは反対側(光源装置の裏面方向)に電極端子6と電極端子8を設けることができる。
さらに、このリードフレーム(連結部)7b部分を光源装置1の外部(樹脂成形部の外側)に設けて、より放熱を良くすることができる。図示しないが、中継リードフレーム4cとリードフレーム(連結部)7bとの間に抵抗を挿入することができる。この抵抗を挿入することによって、端子電圧(電極端子6と電極端子8との間の負荷電圧)に対する調整を行うことができる。
以上のように、図2の光源装置1は1、表面部に陽陰、両方の電極13を有した複数の半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3とは別に、各半導体発光素子10を電気接続するボンディングワイヤ11を中継する中継リードフレーム4を有し、載置リードフレーム3および載置リードフレーム3の1端や最終の中継リードフレーム4を電極部分6,8等として外部に露出する。従って、載置リードフレーム3上にボンディングワイヤ11を設けない構成なので、半導体発光素子10からのジュール熱を吸収することなく各半導体発光素子10からのジュール熱を載置リードフレーム3や電極部分6,8から外部に放出することができる。これにより、ボンディングワイヤ11の破損を回避でき、半導体発光素子10の安定した発光および寿命の延命を図ることができる。しかも、各半導体発光素子10への供給電源を多く流せるので、放出輝度を高めることができる。
次に、本例の光源装置1の他の形態の略正面断面図(リードフレーム)を図3に示す。図3に示す光源装置1のリードフレーム部分は、載置リードフレーム3と中継リードフレーム4とを交互に隔離して設ける。そして、接着剤に波長変換材を混合させたものや接着剤によって電気的絶縁された接着部9を載置リードフレーム3上に設け、この接着部9上にダイボンダによって各半導体発光素子10を載置しボンディングする。また、両端の中継リードフレーム4を電極端子6および電極端子8とする。
さらに図3の光源装置1の構成について例えば右側から順に説明すると、半導体発光素子10aに電気結合(電力供給)するために電極端子8を有したリードフレーム5から載置リードフレーム3aの接着部9に載置した半導体発光素子10aのカソード側電極13bにカソード側ボンディングワイヤ11bでワイヤーボンディングする。
次に、半導体発光素子10aのアノード側電極13aからの中継リードフレーム4aにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。続いて、同じ中継リードフレーム4aからカソード側ボンディングワイヤ11bで次の載置リードフレーム3bの接着部9に載置した半導体発光素子10bのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。そして、半導体発光素子10bのアノード側電極13aから中継リードフレーム4bにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。
さらに、中継リードフレーム4bからカソード側ボンディングワイヤ11bで対の載置リードフレーム3cの接着部9に載置した半導体発光素子10cのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。そして、半導体発光素子10cのアノード側電極13aから電極端子6を有したリードフレーム5bにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディグする。
このように、図3の光源装置1では、半導体発光素子10のアノード側電極13aとカソード側電極13bとをアノード側ボンディングワイヤ11aおよびカソード側ボンディングワイヤ11bで次々にシリーズに接続する。そして、最後のリードフレーム5bにワイヤーボンディングして接続し、リードフレーム5bの電極端子6(アノード側電極)として接続する。
なお、最初のリードフレーム5の電極端子8と、最後のリードフレーム5bの電極端子6とは図示しないが出っ張った部分で折り曲げ、開口部15とは反対側(光源装置1の裏面方向)に電極端子6と電極端子8を設けることができる。
また、同様にこの載置リードフレーム3の舌状露出部7を光源装置1の外部(樹脂成形部の外側)に設けて、より放熱を良くすることができる。
以上のように、図3の光源装置1は、1表面部に陽陰、両方の電極13を有した複数の半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3とは別に、各半導体発光素子10を電気接続するボンディングワイヤ11を中継する中継リードフレーム4を有し、載置リードフレーム3の舌状露出部7および最初のリードフレーム5の電極端子8と、最後のリードフレーム5bの電極端子6等を外部に露出させる。従って、載置リードフレーム3上にボンディングワイヤ11を設けない構成なので、各半導体発光素子10からのジュール熱を吸収することなく半導体発光素子10からのジュール熱を載置リードフレーム3や電極部分6,8から外部に放出することができる。これにより、ボンディングワイヤ11の破損を回避でき、半導体発光素子10の安定した発光および寿命の延命を図ることができる。しかも、各半導体発光素子10への供給電源を多く流せるので、放出輝度を高めることができる。
次に、本例の光源装置1のさらに他の形態の略正面断面図(リードフレーム)を図4に示す。図4に示す光源装置1のリードフレーム部分は、載置リードフレーム3と隔離した中継リードフレーム4とを交互に設け、接着剤に波形変換材を混合させたものや接着剤によって電気的絶縁された接着部9を載置リードフレーム3上に設け、この接着部9上にダイボンダによって半導体発光素子10を載置しボンディングする。
なお、最終の載置リードフレーム3b以外の載置リードフレーム3同士は接続されている。また、載置リードフレーム3の一部とリードフレーム5を電極端子6および電極端子8とする。
さらに図4の光源装置1の構成について例えば右側から順に説明すると、半導体発光素子10aに電気結合(電力供給)するために電極端子8を有したリードフレーム5から載置リードフレーム3aの接着部9に載置した半導体発光素子10aのカソード側電極13bにカソード側ボンディングワイヤ11bでワイヤーボンディングする。
次に、半導体発光素子10aのアノード側電極13aから中継リードフレーム4aにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。続いて、同じ中継リードフレーム4aからカソード側ボンディングワイヤ11bで次の同じ載置リードフレーム3aの接着部9に載置した半導体発光素子10bのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。そして、半導体発光素子10bのアノード側電極13aから中継リードフレーム4bにアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤーボンディングする。
さらに、中継リードフレーム4bからカソード側ボンディングワイヤ11bで次の載置リードフレーム3aと隔離した載置リードフレーム3bの接着部9に載置した半導体発光素子10cのカソード側電極13bにワイヤーボンディングする。そして、半導体発光素子10cのアノード側電極13aから前の載置リードフレーム3aの一端にアノード側ボンディングワイヤ11aをワイヤボンディングする。この載置リードフレーム3aには電極端子6を有している。
このように、図4の光源装置1では、半導体発光素子10のアノード側電極13aとカソード側電極13bとをアノード側ボンディングワイヤ11aおよびカソード側ボンディングワイヤ11bで次々にシリーズに接続する。そして、最後に他の載置リードフレーム3aと隔離したリードフレーム3bにワイヤーボンディングして接続し、さらに最後の半導体発光素子10のアノード側電極13aから電極端子6(アノード側電極)を有する一つ前の載置リードフレーム3aに接続する。
なお、最初のリードフレーム5の電極端子8と、載置リードフレーム3aの電極端子6とは図示しないが出っ張った部分で折り曲げ、開口部15とは反対側(光源装置1の裏面方向)に電極端子6と電極端子8を設けることができる。
また、同様にこの載置リードフレーム3aの舌状露出部7を光源装置1の外部(樹脂成形部の外側)に設けて、より放熱を良くすることができる。
以上のように、図4の光源装置1は、1表面部に陽陰、両方の電極13を有した複数の半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3aと載置リードフレーム3bとは別に、各半導体発光素子10を電気接続するボンディングワイヤ11を中継する中継リードフレーム4を有し、載置リードフレーム3aの舌状露出した電極端子6および最初のリードフレーム5の電極端子8等を外部に露出させる。従って、載置リードフレーム3上にボンディングワイヤ11を設けない構成なので、各半導体発光素子10からのジュール熱を吸収することなく半導体発光素子10からのジュール熱を載置リードフレーム3や電極部分6,8から外部に放出することができる。これにより、ボンディングワイヤ11の破損を回避でき、半導体発光素子10の安定した発光および寿命の延命を図ることができる。しかも、半導体発光素子10への供給電源を多く流せるので、放出輝度を高めることができる。
このように、本発明は、光源装置1に用いる半導体発光素子10と、この半導体発光素子10を電気的に接続配線するボンディングワイヤ11とを各々専用に半導体発光素子10を載置する載置リードフレーム3とボンディングワイヤ11を中継する中継リードフレーム4とに分離して設け、これら載置リードフレーム3と中継リードフレーム4とによって複数の半導体発光素子10のアノードとカソードとをシリーズに接続した光源装置である。
本発明は、高輝度な出射光を得ることができる半導体発光素子に対して十分な電流を与えた場合であっても、外部に露出させたリードフレームおよび半導体発光素子のみを載置させた載置リードフレームと配線等に係る中継リードフレーム4とを設けて半導体発光素子からのジュール熱を外部に逃がすように対応させた光源装置である。このため、例えば各種ディスプレ、プロジェクタ、信号機等、光源を必要とするあらゆるものに応用することができる。
本発明に係る光源装置の略斜視図である。 本発明に係る光源装置の一形態を示す略正面断面図である。 本発明に係る光源装置の他の形態を示す略正面断面図である。 本発明に係る光源装置のさらに他の形態を示す略正面断面図である。 従来の光源装置の略正面断面図である。 従来の光源装置の略正面断面図である。
符号の説明
1 光源装置
2 本体
2a 正面側
3 載置リードフレーム
3a 載置リードフレーム
3b 載置リードフレーム
3c 載置リードフレーム
4 中継リードフレーム
4a 中継リードフレーム
4b 中継リードフレーム
4c 中継リードフレーム
5 リードフレーム
5b リードフレーム
6 電極部分
7 舌状露出部
8 電極部分
9 接着部
10 半導体発光素子
10a 半導体発光素子
10b 半導体発光素子
10c 半導体発光素子
11 ボンディングワイヤ
11a アノード用ボンディングワイヤ
11b カソード用ボンディングワイヤ
13 電極
13a アノード用電極
13b カソード用電極
15 開口部

Claims (4)

  1. リードフレームを本体をなす反射性樹脂でインサートモールド成形し複数の半導体発光素子を直列接続した光源装置において、
    前記複数の半導体発光素子を載置し、一部が前記本体から外部に露出した載置リードフレームと、
    該載置リードフレームとは別に、前記複数の半導体発光素子を各々電気接続するボンディングワイヤを中継する中継リードフレームとを有することを特徴とする光源装置。
  2. 前記載置リードフレームは、互いに電気的および機械的に接続され、一端を電極とすることを特徴とする請求項1記載の光源装置。
  3. 前記中継リードフレームは、少なくとも最初または最終の前記中継リードフレームを前記本体から外部に露出するとともに電極とすることを特徴とする請求項1記載の光源装置。
  4. 前記半導体発光素子は、1表面部に陽陰、両方の電極を有することを特徴とする請求項1記載の光源装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227925A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Lg Innotek Co Ltd Ledパッケージ及びその製造方法
JP2008085302A (ja) * 2006-08-29 2008-04-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
WO2008087868A1 (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Showa Denko K.K. 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造
JP2009252419A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Minebea Co Ltd 線状光源装置、および面状照明装置
US7989840B2 (en) 2006-08-29 2011-08-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
US8098003B2 (en) 2009-06-01 2012-01-17 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and illumination device
US8167456B2 (en) 2006-11-30 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
CN102856313A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 丰田合成株式会社 发光装置
WO2013161934A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 株式会社ニコン 光源ユニット及び電子機器
JP2013239708A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
JP2014064006A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2015041685A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 豊田合成株式会社 発光装置
DE102016125022A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von leuchtvorrichtungen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138397A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Nichia Chem Ind Ltd Led発光体及びそれを用いた面状発光光源
JP2001326389A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002033522A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd 面発光素子モジュール用の回路基板
JP2002353515A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138397A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Nichia Chem Ind Ltd Led発光体及びそれを用いた面状発光光源
JP2001326389A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002033522A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd 面発光素子モジュール用の回路基板
JP2002353515A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオード及びこれを用いた発光装置とその製造方法
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227925A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Lg Innotek Co Ltd Ledパッケージ及びその製造方法
US9502617B2 (en) 2006-02-23 2016-11-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US8471271B2 (en) 2006-02-23 2013-06-25 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US8115214B2 (en) 2006-02-23 2012-02-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US9029903B2 (en) 2006-02-23 2015-05-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
JP2008085302A (ja) * 2006-08-29 2008-04-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US8558272B2 (en) 2006-08-29 2013-10-15 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
JP4678391B2 (ja) * 2006-08-29 2011-04-27 東芝ライテック株式会社 照明装置
US7989840B2 (en) 2006-08-29 2011-08-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
EP3489572A1 (en) * 2006-08-29 2019-05-29 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
US8167456B2 (en) 2006-11-30 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
US7875899B2 (en) 2007-01-15 2011-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode package and lead group structure for light-emitting diode package
WO2008087868A1 (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Showa Denko K.K. 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造
JP2009252419A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Minebea Co Ltd 線状光源装置、および面状照明装置
US8098003B2 (en) 2009-06-01 2012-01-17 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and illumination device
CN102856313A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 丰田合成株式会社 发光装置
JP2013012613A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2013161934A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 株式会社ニコン 光源ユニット及び電子機器
JP2013239708A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
US9306139B2 (en) 2012-05-14 2016-04-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system
JP2014064006A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2015041685A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 豊田合成株式会社 発光装置
DE102016125022A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von leuchtvorrichtungen

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