JP4306247B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本件発明は、リード電極上に半導体発光素子をダイボンドした半導体発光装置に関し、特に、半導体発光素子をAgペースト等の導電性接着剤によってダイボンドした半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体発光装置の薄型化や放熱性の改善を目的として、種々のパッケージ方法が検討されている。図5に、そのようなパッケージ方法の一例である表面実装型パッケージを使用した半導体発光装置を示す。この半導体発光装置では、絶縁基板10の上に正及び負のリード電極12が形成されており、絶縁基板10の両端部で正及び負のリード電極12が絶縁基板に沿って折り曲げられ、内側に折り曲げられた部分で実装基板にはんだ付けされるようになっている。発光ダイオード8は、リード電極12の一方にダイボンド樹脂14によって接着されている。そして、発光ダイオード8の上面に形成されて正及び負電極と、正及び負のリード電極12とがワイヤ16によって接続されている。
【0003】
また、半導体発光装置の小型化を目的として、単一のパッケージ内に複数の半導体素子をダイボンドした半導体発光装置が多く使用されるようになっている。例えば、リードフレームに発光ダイオードと保護ダイオードを同時にダイボンドした半導体発光装置や、リードフレームの一方に黄色発光素子と青色発光素子を同時にダイボンドした半導体発光装置が知られている。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−135040号公報
【特許文献2】
特開2002−185049
【特許文献3】
特開2002−252371号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
これらの半導体発光装置において、Ag等の導電性粒子をエポキシ樹脂等の樹脂中に分散させた導電性接着剤をダイボンド樹脂として用いると、発光ダイオードの放熱性が向上して有利である。また、発光ダイオードが、チップ裏面に電極を有する場合、リードフレームと電気接続するために導電性接着剤を用いることが多い。
【0006】
しかしながら、図5に示すように、リード電極12の同一平面内で、導電性接着剤によるダイボンドとワイヤーボンドを同時に行おうとする場合、ワイヤーボンドが接合不良を起す場合が多かった。また、ワイヤーボンドが行われた場合も、接合強度が弱く、熱ストレス等によってワイヤーボンドが剥離し易いという問題もあった。
【0007】
また、単一のパッケージ内に複数の半導体素子をダイボンドする半導体発光装置の場合、ある素子のダイボンドと別の素子のワイヤーボンドを同一のリード電極上で行うことや、複数の素子のダイボンドを同一のリード電極上で行うことが多い。ところが、ある半導体素子を導電性接着剤によってリード電極上にダイボンドした場合、そのリード電極と同一平面内で、他の素子のワイヤーボンドやダイボンドを行おうとすると、ワイヤーボンド不良やダイボンド不良を起す場合が多かった。特に、半導体素子同士を狭い間隔でダイボンドしようとする場合に、その問題が顕著であった。
【0008】
そこで本発明は、導電性粒子を樹脂中に分散させた導電性接着剤をダイボンド樹脂として用いた半導体発光装置において、ワイヤーボンドやダイボンドの接合強度を高めて、信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本件発明者等は、上記課題について種々検討を重ねた結果、導電性接着剤に含まれる樹脂成分がリード電極の表面に滲み出し、その滲み出した樹脂成分(=ブリード)がワイヤーボンド不良やダイボンド不良の原因となっていることを見出し、本件発明を成すに至った。
【0010】
本件発明に係る第1の半導体発光装置は、絶縁基体と、該絶縁基体上に形成された一対のリード電極と、該リード電極上に固着された半導体素子とを備え、前記半導体素子が、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤によって前記リード電極に固着された半導体発光装置において、前記リード電極の表面に、前記半導体素子の固着面に重なる溝部が少なくとも1つ形成され、前記溝部は、少なくとも1つが貫通孔であり、前記半導体素子の中心付近を避けて形成され、前記半導体素子の構成辺のうち、前記リード電極を実装基板に電気接続する接続点から沿面距離が最も近い構成辺を除き、残る構成辺のいずれかと重なることを特徴とする。
【0011】
また、本件発明に係る第2の半導体発光装置は、絶縁基体と、該絶縁基体上に形成された複数のリード電極と、複数の半導体素子とを備えた半導体発光装置であって、
前記半導体素子の少なくとも1つが、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤によって前記リード電極に固着されており、前記リード電極の表面に、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の固着面に重なる溝部が少なくとも1つ形成され、前記溝部は、少なくとも1つが貫通孔であり、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の中心付近を避けて形成され、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の構成辺のうち、前記リード電極を実装基板に電気接続する接続点から沿面距離が最も近い構成辺を除き、残る構成辺のいずれかと重なることを特徴とする。
【0012】
本件発明によれば、リード電極の表面に形成した溝部によって、導電性接着剤からのブリード発生を抑制することができる。従って、そのリード電極上でのワイヤーボンド不良やダイボンド不良の発生が抑制し、また、ワイヤーボンドやダイボンドの耐剥離性を向上して、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
【0013】
リード電極の表面に形成する溝部は、絶縁基体に到達する深さを有することが好ましい。これにより、導電性接着剤からのブリードを抑制する効果が向上すると共に、導電性接着剤によって固着した半導体素子の固着強度も向上する。
【0014】
また、リード電極の表面に形成する溝部は、半導体発光装置の発光観測面側から見て、リード電極を実装基板に電気接続する接続点からリード電極上の半導体素子に至る経路と半導体素子を介して対向する、及び/又は垂直をなす領域に形成することが好ましい。例えば、矩形又は多角形の半導体素子の場合、半導体素子の構成辺のうち、リード電極を実装基板に電気接続する接続点から沿面距離が最も近い構成辺を除き、残る構成辺のいずれかと重なるように溝部を形成することが好ましい。これは次の理由による。即ち、半導体発光素子に生じた熱は、リード電極を伝熱経路として、リード電極と実装基板の接続部を介して外部に放熱される。特に、半導体発光素子とリード電極が導電性接着剤によって接合されている場合、導電性接着剤に含まれるAg等の導電性粒子は熱の良導体であるため、リード電極を介して効率の良い放熱が行われる。ところが、リード電極に溝部を形成すると、半導体発光素子とリード電極の間の熱伝導を部分的に妨げることになり、放熱効率の低下を招く場合がある。そこで、リード電極が実装基板にハンダ付けされる位置から半導体発光素子に至る放熱経路から溝部をずらすことにより、半導体発光素子の放熱効率の低下を防止できる。
【0015】
さらに、導電性接着剤として、エポキシ樹脂、有機変性シリコーン樹脂から成る群から選択された1種の樹脂中に、Ag、Au、Cuから成る群から選択された1種を主成分とする導電性粒子を分散させたものを用いると、放熱性と接着性に優れるため好ましい。
【0016】
また、上述の通り、本件発明に係る第2の半導体発光装置によれば、パッケージ内に複数の半導体素子を備えた半導体発光装置において、ワイヤーボンド不良やダイボンド不良を抑制できるが、この発明は種々の半導体発光装置に適用することができる。例えば、互いに異なる色を発光する複数の半導体発光素子を備えた発光装置や、互いに同色を発光する複数の半導体発光素子を備えた発光装置、半導体発光素子と保護素子を備えた発光装置等に本件発明を適用することにより、顕著な効果を得ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
実施の形態1.
図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のI−I’断面における断面図である。この半導体発光装置2では、絶縁基板10の上に正及び負のリード電極12及び13が形成されており、絶縁基板10の両端部でリード電極12及び13が絶縁基板10に沿って折り曲げられ、内側に折り曲げられた部分で実装基板にはんだ付けされるようになっている。発光ダイオード8は、一方のリード電極13の上に導電性接着剤14によって接着されている。導電性接着剤14は、例えば、Ag等の導電性粒子をエポキシ樹脂等の樹脂に分散して成る。そして、発光ダイオード8の上面に形成された正電極及び負電極は、金線等のワイヤ16によって、リード電極12及び13にボンディングされている。また、発光ダイオード8の周りは、透光性の保護樹脂18によって覆われている。
【0018】
本実施の形態において、リード電極13には、発光ダイオード8が導電性接着剤14によって固着される部分に重なるように、3箇所の溝部(=切欠部)13a、13b及び13cが形成されている。これらの溝部13a〜13cは、導電性接着剤14の硬化時に導電性接着剤14に含まれる樹脂成分がリード電極13の表面に滲み出す現象を抑制する。従来の半導体発光装置では、リード電極13の平坦面と発光ダイオード8の底面との間に導電性接着剤14が挟み込まれていたため、導電性接着剤14に含まれる樹脂成分がリード電極13の表面に滲み出し易く、滲み出た樹脂成分(=ブリード)による被膜が発光ダイオード8を囲む広い領域に形成されていた。このブリードによる被膜が形成された領域には、ワイヤーボンド等が付き難くなるため、ワイヤーボンド不良が発生し易く、また、一旦ワイヤーボンドが行われても熱応力等によって容易に剥離する。本実施の形態によれば、溝部13a〜13cによって、導電性接着剤14からブリードが広がる現象が抑制されるため、ワイヤーボンド16の耐剥離性が向上し、信頼性の高い半導体発光装置となる。
【0019】
ところで、図1に示すような半導体発光装置において、発光ダイオード8に生じた熱は、リード電極13を伝熱経路として、リード電極13と実装基板(図示せず)の接続部を介して外部に放熱される。特に、発光ダイオード8とリード電極13が導電性接着剤によって接合されている場合、導電性接着剤に含まれるAg等の導電性粒子は熱の良導体であるため、リード電極13を介して効率の良い放熱が行われる。しかし、リード電極13に溝部13a〜13cを形成すると、発光ダイオード8とリード電極13の間の熱伝導を部分的に妨げることになり、放熱効率の低下を招く場合がある。そこで、発光ダイオード8の裏面リード電極13に形成する溝部13a〜13cは、リード電極13による放熱が阻害されない位置に形成することが好ましい。即ち、リード電極13が実装基板にハンダ付けされる位置から発光ダイオード8に至る放熱経路上に溝部が形成されないようにすると、発光ダイオード8の放熱効率の低下を防止できる。
【0020】
例えば、図1(a)に示すように、発光ダイオード8の外周を構成する4辺のうち、その発光ダイオード8が固着されているリード電極と実装基板との接続点に最も近い辺には溝部を設けず、残る3辺に各々重なるように3つの溝部13a〜13cを形成する。また、発光ダイオード8の中心は特に発熱量が大きいため、図1(a)に示すように、発光ダイオード8の中心に溝部が重ならないようにすることが好ましい。このように放熱経路を避けて溝部13a〜13cを配置することにより、発光ダイオード8の放熱効率の低下を防止することができる。
【0021】
また、溝部13a〜13cの数は特に限定されないが、少なくとも2以上の溝部を設けることが好ましい。また、複数の溝部を形成する場合、各溝部の配置は、リード電極を介した放熱経路は開けるようにしながら、発光ダイオード8の周囲を囲む配置とすることが好ましい。複数の溝部によって発光ダイオード8の周囲を囲むことにより、ブリード抑制効果が高まると共に、ダイボンド位置のバラツキによるブリード抑制効果の変動を抑えることができる。即ち、複数の溝部13a〜13cによって発光ダイオード8の周囲を囲むように配置すると、ある溝部と発光ダイオード8の重なりが深くなれば、それと対向する溝部と発光ダイオード8との重なりは浅くなる。従って、発光ダイオード8のダイボンド位置がずれた場合であっても、溝部13a〜13cと発光ダイオード8との重なり面積の変動が少なく、安定したブリード抑制効果を得ることができる。
【0022】
本実施の形態では、リード電極に形成する溝部13a〜13cが、リード電極13の端部から切欠かれた形状となっている場合について説明した。このように溝部13a〜13cがリード電極13の端部まで連続していると、溝部13a〜13cによるブリード抑制効果が高くなるため好ましい。但し、溝部13a〜13cの形状はこれに限定されない。例えば、溝部13a〜13cは、リード電極13の内側に形成された窪みや孔であっても良い。また、溝部13a〜13cの平面形状は、円形、半円形、長円形、半長円形、矩形、三角形等、どのような形状であっても良い。
【0023】
また、本実施の形態では、溝部13a〜13cが、絶縁基板10が露出する深さとなっている場合について説明した。このように溝部13a〜13cが絶縁基板10に達する深さとなっていると、ブリード抑制効果が向上すると共に、発光ダイオード8自身のダイボンド強度も向上するため好ましい。但し、溝部13a〜13cの深さはこれに限定されない。一般的なリード電極13の厚さが30〜40μmであるのに対し、導電性接着剤14の接着厚さ(=リード電極13と発光ダイオード8に挟まれた部分の厚さ)は10μm以下である。従って、リード電極13の厚さに対して、1/3以上、より好ましくは1/2以上の深さの溝部であれば、良好なブリード抑制効果を得ることができる。
【0024】
本実施の形態において、導電性粒子を分散させた導電性接着剤14としては、種々のものを用いることができる。導電性粒子としては、Ag、Au、Cu等を用いることが好ましい。また、導電性粒子を分散させる樹脂としては、エポキシ樹脂や有機変性シリコーン樹脂を用いることが好ましい。中でも、導電性粒子として、Agを用い、樹脂としてエポキシ樹脂を用いることにより、放熱性と接着性に優れた導電性接着剤とすることができる。
【0025】
また、本実施の形態における発光ダイオード8としては、青色系、緑色系、赤色系等の種々のものを用いることができるが、窒化ガリウム系化合物半導体(=InxAlyGa1−x−yN;0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y<1)から成る発光ダイオードであることが好ましい。窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光ダイオードは、短波長、高輝度な発光が可能である反面、素子からの発熱も大きいため、放熱性の良い導電性接着剤によってリード電極上にダイボンドする必要性が高い。また、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光ダイオードは、サファイア等の絶縁基板上に形成され、表面に正負一対の電極が形成された構造であることが多いため、発光ダイオードがダイボンドされたリード電極にワイヤーボンドを行うことが多い。従って、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光ダイオードを有する半導体発光装置に本件発明を適用することにより、装置の信頼性が著しく向上する。
【0026】
実施の形態2.
本実施の形態では、単一のパッケージ内に3色の発光ダイオードをダイボンドした半導体発光装置に、本件発明を適用した例を説明する。尚、本実施の形態における半導体発光装置は、下記に説明する部分を除いて実施の形態1と同様であるので、実施の形態1と共通する部分については説明を省略する。
【0027】
図2(a)は、本発明の実施の形態2に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図であり、図2(b)は、図1(a)のII−II’断面における断面図である。この半導体発光装置20では、絶縁基板10の上に、1本の負のリード電極22と、3本の正のリード電極23、24及び25とが形成されている。4つのリード電極22〜25は、実施の形態1の場合と同様に、絶縁基板10に沿って絶縁基板10の裏側に折返されており、折返された部分が実装基板にハンダ付けされる。
【0028】
負の共通リード電極22の上には、青色発光ダイオード27、緑色発光ダイオード28、及び赤色発光ダイオード29がダイボンドされており、全ての発光ダイオードの負電極が共通に接続されている。即ち、図2(a)に示すように、青色発光ダイオード27及び緑色発光ダイオード28は、チップ表面に負電極が形成されているため、ワイヤー16によって負電極がリード電極22に接続されており、赤色発光ダイオード29は、チップ裏面に負電極が形成されているため、導電性接着剤14によって負電極がリード電極22に接続されている。尚、赤色発光ダイオード29の負電極とリード電極22との接続は、赤色発光ダイオード29のダイボンドを兼ねている。
【0029】
また、青色発光ダイオード27、緑色発光ダイオード28及び赤色発光ダイオード29の正電極は、各々、正のリード電極23、24及び25にワイヤー16によって接続されている。このように接続された3色の発光ダイオード27、28及び29は、互いに分離された3つの正リード電極23、24及び25を通じて独立に駆動することができる。従って、3つの正リード電極23、24及び25に印加する電圧を適宜調節することにより、任意の色を発光可能となる。
【0030】
上述の通り、赤色発光ダイオード29は導電性接着剤14によってダイボンドされているため、導電性接着剤14からリード電極22の表面に滲み出した樹脂成分(=ブリード)によって、リード電極22と他の発光ダイオードとのダイボンドやワイヤーボンドが阻害され易い。例えば、半導体発光装置に熱ストレスが加わると、青色発光ダイオード27または緑色発光ダイオード28とリード電極22との間のダイボンドに剥離が生じ易く、青色発光ダイオード27または緑色発光ダイオード28の負電極とリード電極22との間のワイヤーボンドにも剥離が生じ易い。
【0031】
そこで、本実施の形態では、赤色発光ダイオード29とリード電極22との固着面に重なるように、リード電極22の表面に3つの溝部22a〜22cを形成している。尚、3つの溝部のうち、左右にある溝部22a及び22cは切欠形状となっており、中央にある溝部22bは貫通孔となっている。溝部22a〜22cが形成されていることにより、導電性接着剤14からのブリードの広がりが抑制されるため、ダイボンド剥離やワイヤーボンド剥離の起き難い高信頼性の半導体発光装置とすることができる。
【0032】
また、この半導体発光装置20において赤色発光ダイオード29で生じた熱は、図2(a)に示すように、共通の負リード電極22を介して実装基板(図示せず)に放熱される。従って、リード電極22に形成する溝部22a〜22cは、実施の形態1で説明したのと同様に、赤色発光ダイオード29の放熱経路を塞がないような位置に形成している。即ち、赤色発光ダイオード29を囲む4辺のうち、リード電極22と実装基板との接続点に最も近い辺には溝部を設けず、残る3辺と重なるように3つの溝部22a〜22cが形成されている。また、溝部22a〜22cは、赤色発光ダイオード29の中心付近も避けて形成されている、このように溝部22a〜22cを配置することにより、赤色発光ダイオード29の放熱効率の低下を防止することができる。
【0033】
本実施の形態において、青色発光ダイオード27及び緑色発光ダイオード28としては、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光ダイオードを用いることが好ましい。また、赤色発光ダイオード29としては、AlInGaPやガリウム砒素系化合物半導体から成る発光ダイオードを用いることができるが、環境への影響を抑制するためにはAlInGaPを用いることが好ましい。尚、青色発光ダイオード27および緑色発光ダイオード28の放熱性を向上するために、これらの発光ダイオードも導電性接着剤14によってダイボンドしても良い。その場合には、後述する実施の形態3と同様にして、青色発光ダイオード27および緑色発光ダイオード28の下方にもリード電極の溝部を形成することが好ましい。
【0034】
また、本実施の形態では、負リード電極が共通電極であり、正リード電極が分離されている場合について説明したが、その逆に、正リード電極が共通電極であり、負リード電極が分離されている場合にも、上記と同様にして本件発明を適用することができる。
【0035】
実施の形態3.
本実施の形態では、単一のパッケージ内に複数の青色発光ダイオードをダイボンドした半導体発光装置に、本件発明を適用した例を説明する。尚、本実施の形態における半導体発光装置は、下記に説明する部分を除いて実施の形態1又は2と同様であるので、実施の形態1又は2と共通する部分については説明を省略する。
【0036】
図3(a)は、本発明の実施の形態3に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図であり、図3(b)は、図3(a)のIII−III’断面における断面図である。この半導体発光装置30では、実施の形態2と同様に、絶縁基板10の上に、1本の負のリード電極32と、3本の正のリード電極33、34及び35とが形成されている。4つのリード電極32〜35は、絶縁基板10に沿って絶縁基板10の裏側に折返されており、折返された部分が実装基板にハンダ付けされる。
【0037】
本実施の形態では、負リード電極32の上に、2つの青色発光ダイオード37及び38が導電性接着剤14によってダイボンドされている。導電性接着剤14に含まれるAg等の導電性粒子は熱伝導率が高いため、導電性接着剤によってダイボンドすることにより、青色発光ダイオード37及び38の放熱性が向上する。また、図3(a)に示すように、2つの青色発光ダイオード37及び38は、チップ表面に負電極と正電極が形成されている。そのため、2つの青色発光ダイオード37及び38の負電極及び正電極は、いずれもワイヤー16によってリード電極に接続されている。即ち、青色発光ダイオード37及び38の負電極は共通して負リード電極32に接続されており、正電極は正リード電極33及び34に別々に接続されている。このように接続された2つの青色発光ダイオード37及び38は、互いに分離された2つの正リード電極33及び34を通じて独立に駆動することができる。従って、2つの正リード電極33及び34に印加する電圧を適宜調節することにより、通常の2倍までの範囲内で任意の強度での発光が可能となる。
【0038】
上述の通り、2つの青色発光ダイオード37及び38は導電性接着剤14によってダイボンドされているため、一方の発光ダイオードをダイボンドしている導電性接着剤14から樹脂成分がリード電極32の表面に滲み出し、他方の発光ダイオードのダイボンドやワイヤーボンドを阻害し易い。
【0039】
そこで、本実施の形態では、青色発光ダイオード37及び38とリード電極32との固着面に重なるように、リード電極32の表面に6つの溝部32a〜32fを形成している。尚、6つの溝部のうち、チップ右側にある溝部32b及び32eは切欠形状となっており、チップを上下に挟む溝部32a及び32c、並びに32d及び32fは貫通孔となっている。溝部32a〜32fが形成されていることにより、導電性接着剤14からのブリードの広がりが抑制されるため、ダイボンド剥離やワイヤーボンド剥離の起き難い高信頼性の半導体発光装置とすることができる。
【0040】
また、この半導体発光装置30において、2つの青色発光ダイオード37及び38で生じた熱は、図3(a)に示すように、共通の負リード電極32を介して実装基板(図示せず)に放熱される。従って、リード電極32に形成する溝部32a〜32fは、青色発光ダイオード37及び38の放熱経路を塞がないような位置に形成している。即ち、青色発光ダイオード37を囲む4辺のうち、リード電極32と実装基板との接続点に最も近い辺には溝部を設けず、残る3辺と各々重なるように3つの溝部32a〜32cが形成されている。また、青色発光ダイオード38を囲む4辺のうち、リード電極32と実装基板との接続点に最も近い辺には溝部を設けず、残る3辺と各々重なるように3つの溝部32d〜32fが形成されている。また、溝部32a〜32fは、青色発光ダイオード37及び38の中心に重ならないように形成されている、このように溝部32a〜32fを配置することにより、2つの青色発光ダイオード37及び38の放熱効率の低下を防止することができる。
【0041】
実施の形態4.
本実施の形態では、単一のパッケージ内に発光ダイオードと保護ダイオードをダイボンドした半導体発光装置に、本件発明を適用した例を説明する。尚、本実施の形態における半導体発光装置は、下記に説明する部分を除いて実施の形態1乃至3と同様であるので、実施の形態1乃至3と共通する部分については説明を省略する。
【0042】
図4(a)は、本発明の実施の形態4に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図であり、図4(b)は、図4(a)のIV−IV’断面における断面図である。この半導体発光装置40では、実施の形態2と同様に、絶縁基板10の上に、1本の負のリード電極42と、3本の正のリード電極43、44及び45とが形成されている。4つのリード電極42〜45は、絶縁基板10に沿って絶縁基板10の裏側に折返されており、折返された部分が実装基板にハンダ付けされる。
【0043】
本実施の形態では、負リード電極32の上に、1つの青色発光ダイオード47が導電性接着剤14によってダイボンドされており、正リード電極44の上に、保護ダイオード48が導電性接着剤14によってダイボンドされている。発光ダイオード47と保護ダイオード48は、逆並列となるように接続されている。即ち、図4(a)に示すように、青色発光ダイオード47のチップ表側に正負一対の電極が形成されており、負電極はワイヤー16によって負リード電極32に接続され、正電極はワイヤー16によって正リード電極44に接続されている。一方、保護ダイオード47は、チップ裏面に負電極が形成され、チップ表面に正電極が形成されている。従って、保護ダイオード47の負電極は導電性接着剤14によって正リード電極44に接続され、保護ダイオード48の正電極はワイヤー16によって負リード電極42に接続されている。このように接続された保護ダイオード48は、静電気によって発光ダイオード47に大きな逆方向電圧が印加された際に電流を逃がす働きをするため、発光ダイオード47を静電気破壊から有効に保護する。
【0044】
上述の通り、青色発光ダイオード47と保護ダイオード48は、いずれも導電性接着剤14によってダイボンドされている。そのため、導電性接着剤14から滲み出したブリードによってワイヤーボンド不良が生じ易い。例えば、発光ダイオード47をダイボンドしている導電性接着剤14から滲み出したブリードにより、保護ダイオード48の正電極からリード電極42に接続されたワイヤー16や、発光ダイオード47の負電極からリード電極42に接続されたワイヤー16が剥離し易くなる。また、保護ダイオード48をダイボンドしている導電性接着剤14から滲み出したブリードにより、発光ダイオード47の正電極からリード電極44に接続されたワイヤー16が剥離し易くなる。
【0045】
そこで、本実施の形態では、青色発光ダイオード47とリード電極42との固着面に重なるように、リード電極42の表面に3つの溝部42a〜42cを形成している。また、保護ダイオード48とリード電極44との固着面に重なるように、リード電極44の表面に3つの溝部44a〜44cを形成している。尚、6つの溝部のうち、発光ダイオード47の右側にある溝部42bが切欠形状となっており、残りの溝部42a、42c、44a〜44cは全て貫通孔となっている。溝部42a〜42c及び溝部44a〜44cが形成されていることにより、導電性接着剤14からのブリードの広がりが抑制されるため、ダイボンド剥離やワイヤーボンド剥離の起き難い高信頼性の半導体発光装置とすることができる。
【0046】
また、この半導体発光装置40において、リード電極42に形成する溝部42a〜42cは、実施の形態3と同様に、青色発光ダイオード47の放熱経路を塞がないような位置に形成している。また、半導体発光装置40において、保護ダイオード48に発生した熱は、図4(a)に示すように、リード電極44を伝熱経路として、リード電極44と実装基板の接続点から外部に放熱される。そこで、リード電極44に形成する溝部44a〜44cは、保護ダイオード48の放熱経路を避けて形成することが好ましい。即ち、保護ダイオード48を囲む4辺のうち、リード電極44と実装基板との接続点に最も近い辺には溝部を設けず、残る3辺と各々重なるように3つの溝部44a〜44cが形成されている。また、溝部44a〜44cは、保護ダイオード48の中心に重ならないように形成されている、このように溝部44a〜44cを配置することにより、保護ダイオード48の放熱効率の低下を防止することができる。
【0047】
上記実施の形態1〜4では、いわゆる表面実装型のパッケージに本件発明を適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。半導体発光素子が導電性接着剤によってリード電極にダイボンドされ、そのリード電極にワイヤーボンド又はダイボンドが行われる半導体発光装置であれば、いかなる型のパッケージにも適用可能である。また、上記実施の形態では、半導体発光素子が発光ダイオードである場合について説明したが、半導体レーザ等、発光ダイオード以外の発光素子にも、上記と同様にして本件発明を適用できることは言うまでもない。
【0048】
【発明の効果】
本件発明によれば、リード電極の表面に、半導体素子の固着面に重なる溝部を形成したため、導電性接着剤からのブリードを抑制して、そのリード電極上でのワイヤーボンド不良やダイボンド不良の発生を抑制することができる。また、ワイヤーボンドやダイボンドの耐剥離性も向上するため、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1(a)及び(b)は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図及び断面図である。
【図2】 図2(a)及び(b)は、本発明の実施の形態2に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図及び断面図である。
【図3】 図3(a)及び(b)は、本発明の実施の形態3に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図及び断面図である。
【図4】 図4(a)及び(b)は、本発明の実施の形態4に係る半導体発光装置を模式的に示す上面図及び断面図である。
【図5】 図5は、従来の半導体発光装置を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
2、20、30、40:半導体発光装置、
8、27〜29、37〜38、47:発光ダイオード、
10:絶縁基板、
12〜13、22〜25、32〜35、42〜45:リード電極
13a〜13c、22a〜22c、32a〜32f、42a〜42c、44a〜44c:溝部、
16:ワイヤ
18:透光性樹脂
Claims (7)
- 絶縁基体と、該絶縁基体上に形成された一対のリード電極と、該リード電極上に固着された半導体素子とを備え、前記半導体素子が、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤によって前記リード電極に固着された半導体発光装置において、
前記リード電極の表面に、前記半導体素子の固着面に重なる溝部が少なくとも1つ形成され、
前記溝部は、少なくとも1つが貫通孔であり、前記半導体素子の中心付近を避けて形成され、前記半導体素子の構成辺のうち、前記リード電極を実装基板に電気接続する接続点から沿面距離が最も近い構成辺を除き、残る構成辺のいずれかと重なることを特徴とする半導体発光装置。 - 絶縁基体と、該絶縁基体上に形成された複数のリード電極と、複数の半導体素子とを備えた半導体発光装置であって、
前記半導体素子の少なくとも1つが、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤によって前記リード電極に固着されており、
前記リード電極の表面に、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の固着面に重なる溝部が少なくとも1つ形成され、
前記溝部は、少なくとも1つが貫通孔であり、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の中心付近を避けて形成され、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の構成辺のうち、前記リード電極を実装基板に電気接続する接続点から沿面距離が最も近い構成辺を除き、残る構成辺のいずれかと重なることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記溝部が、前記絶縁基体に到達する深さを有し、前記導電性接着剤によって固着された半導体素子の放熱経路上にある前記半導体素子については形成されていないことを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記導電性接着剤が、エポキシ樹脂、有機変性シリコーン樹脂から選択された1種より成る樹脂中に、Ag、Au、Cuから成る群から選択された1種を主成分とする導電性粒子を分散させて成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体素子として、互いに異なる色を発光する複数の半導体発光素子を備えたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体素子として、互いに同色を発光する複数の半導体発光素子を備えたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体素子として、半導体発光素子と保護素子を備えたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
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