JP6648048B2 - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Ledパッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6648048B2
JP6648048B2 JP2017025979A JP2017025979A JP6648048B2 JP 6648048 B2 JP6648048 B2 JP 6648048B2 JP 2017025979 A JP2017025979 A JP 2017025979A JP 2017025979 A JP2017025979 A JP 2017025979A JP 6648048 B2 JP6648048 B2 JP 6648048B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
led
lead frames
package body
led chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017025979A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017085186A (ja
Inventor
ウォン−ジン,ソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2017085186A publication Critical patent/JP2017085186A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6648048B2 publication Critical patent/JP6648048B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21DWORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21D43/00Feeding, positioning or storing devices combined with, or arranged in, or specially adapted for use in connection with, apparatus for working or processing sheet metal, metal tubes or metal profiles; Associations therewith of cutting devices
    • B21D43/02Advancing work in relation to the stroke of the die or tool
    • B21D43/04Advancing work in relation to the stroke of the die or tool by means in mechanical engagement with the work
    • B21D43/05Advancing work in relation to the stroke of the die or tool by means in mechanical engagement with the work specially adapted for multi-stage presses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21DWORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21D43/00Feeding, positioning or storing devices combined with, or arranged in, or specially adapted for use in connection with, apparatus for working or processing sheet metal, metal tubes or metal profiles; Associations therewith of cutting devices
    • B21D43/02Advancing work in relation to the stroke of the die or tool
    • B21D43/021Control or correction devices in association with moving strips
    • B21D43/023Centering devices, e.g. edge guiding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Description

本発明の実施の形態は、LEDパッケージ及びその製造方法に関する。
LED(Light Emitting Diode)は、GaAs系列、AlGaAs系列、GaN系列、InGaN系列及びInGaAlP系列などの化合物半導体材料を用いて発光源を構成することにより、多様な色を具現する。このようなLEDは、一つ以上のLEDを用いて、固有なカラーや多様なカラーを表示する点灯表示器、文字表示器及び映像表示器など、様々な分野に適用されている。
一般に、LEDの特性は、化合物半導体の材料、色(カラー)及び輝度、輝度の範囲などにより決定され、LEDチップが実装されるパッケージ構造によって大きく影響を受ける。
図1は、従来LEDパッケージを示す断面図である。
図1に示すように、LEDパッケージ10は、上側にキャビティが形成された基板20、反射電極層21、LEDチップ30、充填材40、及びモールドレンズ50を含む。
前記基板20の上側のキャビティには、Ag金属を用いた反射電極層21が電気的に分離されて形成されており、前記反射電極層21の両端は基板20の外側まで延長され、二つの電極端子22、23と連結される。
前記LEDチップ30は、青色LEDチップであって、P型電極とN型電極がワイヤ31を介して反射電極層21にそれぞれボンディングされる。
前記基板20のキャビティに充填材40が詰められる。前記充填材40は、エポキシのような樹脂材質を用いて、LEDチップ30、ワイヤ31、ボンディング部分の酸化を防止し、空気抵抗による光損失を減らし、熱伝導率を上げるためにモールディングされる。前記充填材40の上には、モールドレンズ50が付着される。
前記のようなLEDパッケージ10では、LEDチップ30で発生した光が、充填材40及びモールドレンズ50を透過して外部に放射されるか、反射電極層21で反射されてから充填材40及びモールドレンズ50を透過して、外部に放出される。
しかし、前記のような反射電極層の構造を有するLEDパッケージ10では、多数のLEDチップを実装することが難しいので、様々な色相で発光するLEDパッケージの製造が難しいという問題点がある。
本発明の実施の形態は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、LEDチップの種類と回路構成によって、多数のLEDチップの電極をリードフレームに容易に配置できるようにしたLEDパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成すべく、本発明の実施の形態に係るLEDパッケージは、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティ内に搭載された多数のLEDチップと、少なくとも一つのLEDチップの電極に連結されるワイヤと、前記パッケージ本体内に多数形成され、少なくとも一つはLEDチップまたは複数のワイヤと電気的に連結されるリードフレームと、を含む。
また、本発明の実施の形態に係るLEDパッケージの製造方法は、キャビティ内部に多数のリードフレームが形成されたパッケージ本体を成形する段階と、前記キャビティ内部に多数のLEDチップを付着する段階と、少なくとも一つのリードフレームに、LEDチップまたは/及び一つ以上のワイヤをボンディングする段階と、を含む。
本発明に係るLEDパッケージによれば、LEDチップの電極構造によって、適応的に回路を設計できるという長所がある。
また、LEDパッケージは、多数のLEDチップをパッケージの内部に搭載して、多数のLEDチップから様々な色相が発光されるように具現可能で、これを用いて白色光を発光することができる。このようなLEDパッケージは、サイドタイプのLEDパッケージであって、バックライトユニットまたは携帯端末機などで、側面から光を提供することができる。
従来LEDパッケージを示す断面図である。 本発明の第1実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図である。 図2AのLEDの回路構成図である。 本発明の第2実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図である。 図3AのLEDの回路構成図である。 本発明の第3実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図である。 図4AのLEDの回路構成図である。
以下、本発明の実施の形態に係るLEDパッケージ及びその製造方法について、添付図面に基づき詳細に説明する。
図2Aは、本発明の第1実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図であり、図2Bは、図2AのLEDの回路構成図である。
図A2及び図2Bに示すように、LEDパッケージ100は、キャビティを有するパッケージ本体110、多数のリードフレーム111〜115、多数のLEDチップ120、130、140、及びモールド部材150を含み、サイド方式で光を提供することができる。
前記パッケージ本体110は、プラスチック材質、例えば、polycarbonate(PC)、polycarbonate acrylonitrile butadiene styrene(PCABS)、polyphthalamide(PPA)、ナイロン、polyethylene terephtalate(PET)、polybutylene terephtalate(PBT)などを射出成形して形成することができる。前記パッケージ本体110の射出成形の際、キャビティの内部にリードフレーム111〜115が形成される。前記キャビティは、パッケージ本体110の上部に所定深さで形成され、キャビティの上部直径は、下部直径より大きく形成されることができる。例えば、キャビティの各側面が105〜120゜外側に傾斜するように形成して、発光効率を増加させることができる。
前記リードフレーム111〜115は、パッケージ本体110のキャビティ下部に、電気的に分離形成されるように多数形成される。各リードフレーム111〜115の端部は、パッケージ本体110を貫通し外側に露出して、電極リードとして使用される。
前記リードフレーム111〜115は、多数のLEDチップ120、130、140の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体110の長さ方向に所定間隔で離隔し、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ120、130、140は、三色のLEDチップまたは、全て単色LEDチップで構成されることができる。前記三色のLEDチップは、青色LEDチップ120、赤色LEDチップ130、緑色LEDチップ140であることが可能で、または、単色LEDチップは、全て青色LEDチップであることができる。
前記多数のLEDチップ120、130、140としては、LEDチップの上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップ120、140または/及びLEDチップの上部及び下部に二つの電極が垂直型構造で配置された垂直型LEDチップ130が用いられる。
前記LEDチップ120、130、140は、キャビティ内部のリードフレーム111〜115やパッケージ本体110の底面に接着されることができる。ここで、水平型LEDチップ120、140は、非導電性接着剤を用いて接着され、垂直型LEDチップ130は、その下部のN電極がどちらか一つのリードフレーム113に導電性接着剤を用いてダイボンディングされる。
前記LEDチップ120、130,140が接着されたら、各LEDチップ120,130,140の上部電極は、ワイヤ121、122、131、141、142により、各リードフレーム111、112、114、115にボンディングされる。ここで、前記水平型LEDチップ120、140は、上部の二つの電極N、Pを第1及び第2リードフレーム111、112、第4及び第5リードフレーム114、115にそれぞれ連結する。垂直型LEDチップ130は、垂直型LED130の下部のN型電極(またはP型電極)が第3リードフレーム113に連結され、垂直型LEDチップ130の上部のP型電極がワイヤ131を用いて第2リードフレーム112にボンディングされる。
具体的に、図2A及び図2Bに示すように、青色LEDチップ120は、水平型電極構造を有し、上部のN型及びP型電極がワイヤ121、122により第1及び第2リードフレーム111、112にそれぞれ連結される。赤色LEDチップ130は、垂直型電極構造を有し、赤色LEDチップ130の下部のN型電極は第3リードフレーム113に連結され、赤色LEDチップ130の上部のP型電極は、ワイヤ131を介して第2リードフレーム112に連結される。そして、緑色LEDチップ140は、水平型電極構造を有し、P型電極はワイヤ141を介して第4リードフレーム114に連結され、N型電極はワイヤ142を介して第5リードフレーム115に連結される。
ここで、前記第2リードフレーム112には、青色LEDチップ120及び赤色LEDチップ130のP型電極が共通に連結され、共通アノード(Anode)方式で構成されることができる。尚、本発明は、三つのLEDチップ120、130、140の中で、少なくとも一つは水平型または/及び垂直型電極構造で配置可能で、また、青色LEDチップ120と緑色LEDチップ140が搭載される位置が変更される場合、緑色LEDチップ140と赤色LEDチップ130のP型電極が、共通に第2リードフレーム112に連結されることができる。
また、キャビティ内部に一列に配置された五つのリードフレーム111〜115には、LEDチップ120、130、140のN型電極及びP型電極のリードが、それぞれ交互に形成されることができる。例えば、第1リードフレーム111はN型電極リード、第2リードフレーム112はP型電極リード、第3リードフレーム113はN型電極リード、第4リードフレーム114はP型電極リード、第5リードフレーム115はN型電極リードの順番で配置される。
前記パッケージ本体110のキャビティには、モールド部材150が形成される。前記モールド部材150は、エポキシまたはシリコンのような樹脂材質からなり、キャビティ内部に充填され、LEDチップ、ワイヤ、ボンディング部分を保護する。前記モールド部材150は、パッケージが求める色を発光できる場合、キャビティ内部に形成しないことも可能である。
前記モールド部材150は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。
本発明の第1実施の形態では、三つのLEDチップ120、130、140のうち一つが、P型電極がLEDチップ130の上部に配置された垂直型電極構造を有するLEDチップ130として搭載され、五つのリードフレーム111〜115のうち一つのリードフレーム112に、P型電極が共通に連結される、共通アノード方式が利用されることができる。
図3Aは、本発明の第2実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図であり、図3Bは、図3AのLEDの回路構成図である。
図3A及び図3Bに示すように、LEDパッケージ200は、キャビティを有するパッケージ本体210、多数のリードフレーム211〜215、多数のLEDチップ220、230、240、及びモールド部材250を含む。
前記パッケージ本体210は、プラスチック材質、例えば、PC、PCABS、PPA、ナイロン、PET、PBTなどを射出成形して形成することができる。前記パッケージ本体210の射出成形の際、キャビティの下部にリードフレーム211〜215が形成される。前記キャビティは、パッケージ本体210の上部に所定深さで形成され、キャビティの上部直径は、下部直径より大きく形成されることができる。例えば、キャビティの各側面が105〜120゜外側に傾斜するように形成して、発光効率を増加させることができる。
前記リードフレーム211〜215は、パッケージ本体210のキャビティ下部に、電気的に分離されるように多数形成される。各リードフレーム211〜215の端部は、パッケージ本体210を貫通し外側に露出して、電極リードとして使用される。
前記リードフレーム211〜215は、多数のLEDチップ220、230、240の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体210の長さ方向に所定間隔で離隔して、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ220、230、240は、三色のLEDチップまたは、全て単色LEDチップで構成されることができる。ここで、前記三色のLEDチップは、青色LEDチップ220、赤色LEDチップ230、緑色LEDチップ240であることが可能で、または、単色LEDチップは、全て青色LEDチップであることができる。
前記多数のLEDチップ220、230、240としては、LEDチップ220、240上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップ220、240または/及びLEDチップ230上部及び上部に二つの電極が垂直型構造で配置された垂直型LEDチップ230が用いられる。
前記LEDチップ220、230、240は、キャビティ内部のリードフレーム211〜215やパッケージ本体210に接着されることができる。ここで、水平型LEDチップ220、240は、非導電性接着剤を用いて接着され、垂直型LEDチップ230は、その下部のP電極がどちらか一つのリードフレーム213に、導電性接着剤を用いてダイボンディングされる。
前記LEDチップ220、230、240が接着されたら、各LEDチップ220、230、240の電極は、ワイヤ221、222、231、241、242を介して、各リードフレーム221〜215にボンディングされる。ここで、前記水平型LEDチップ220は、上部の二つの電極N、Pを第1及び第2リードフレーム211、212、にそれぞれ連結する。垂直型LEDチップ230は、垂直型LEDチップの下部のP型電極が第3リードフレーム213に連結され、垂直型LEDチップの上部のN型電極がワイヤ231を用いて第2リードフレーム212にボンディングされる。
具体的に、図3A及び図3Bに示すように、青色LEDチップ220は、水平型電極構造を有し、P型電極がワイヤ221により第1リードフレーム211に連結され、N型電極がワイヤ222により第2リードフレーム212に連結される。赤色LEDチップ230は、垂直型電極構造を有し、赤色LEDチップの下部のP型電極は第3リードフレーム213に電気的に連結され、赤色LEDチップの上部のN型電極は、ワイヤ231を介して第2リードフレーム212に連結される。そして、緑色LEDチップ240は、水平型電極構造を有し、P型電極はワイヤ241を介して第4リードフレーム214に連結され、N型電極はワイヤ242を介して第5リードフレーム215に連結される。
ここで、前記第2リードフレーム212には、青色LEDチップ220及び赤色LEDチップ230のN型電極が共通に連結され、共通カソード(Cathode)方式で構成されることができる。尚、本発明は、三つのLEDチップ220、230、240の中で、少なくとも一つは水平型または垂直型電極構造で配置可能で、また、青色LEDチップ220と緑色LEDチップ240が搭載される位置が変更される場合、緑色LEDチップ240と赤色LEDチップ230のN型電極が、共通に第2リードフレーム212に連結されることができる。
また、キャビティ内部に一列に配置された五つのリードフレーム211〜215には、多数のLEDチップ220〜250のN型電極及びP型電極のリードが、それぞれ交互に形成されることができる。
例えば、第1リードフレーム211はP型電極リード、第2リードフレーム212はN型電極リード、第3リードフレーム213はP型電極リード、第4リードフレーム214はN型電極リード、第5リードフレーム215はP型電極リードの順番で配置される。
前記パッケージ本体210のキャビティには、モールド部材250が形成される。前記モールド部材250は、透明エポキシまたはシリコンのような樹脂材質からなり、キャビティ内部に充填され、LEDチップ、ワイヤ、ボンディング部分を電気的に保護する。
前記モールド部材250は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。前記モールド部材250は、パッケージが求める色を発光できる場合、キャビティ内部に形成しないことも可能である。
本発明の第2実施の形態では、三つのLEDチップ220、230、240のうち一つが、N型電極がLEDチップ230の上部に配置された垂直型電極構造を有するLEDチップ230として搭載され、五つのリードフレーム211〜215のうち一つのリードフレーム212が、二つのLEDチップ220、230のN型電極に共通に連結される、共通カソード方式が利用されることができる。
図4Aは、本発明の第3実施の形態に係るLEDパッケージの側断面図であり、図4Bは、図4AのLEDの回路構成図である。
図4A及び図4Bに示すように、LEDパッケージ300は、キャビティを有するパッケージ本体310、多数のリードフレーム311〜315、多数のLEDチップ320、330、340、及びモールド部材350を含む。
前記パッケージ本体310は、プラスチック材質、例えば、PC、PCABS、PPA、ナイロン、PET、PBTなどを射出成形して形成することができる。前記パッケージ本体310の射出成形の際、キャビティの下部にリードフレーム311〜315が形成される。前記キャビティは、パッケージ本体310の上部に所定深さで形成され、キャビティの上部直径は、下部直径より大きく形成されることができる。例えば、キャビティの各側面が105〜120゜外側に傾斜するように形成して、発光効率を増加させることができる。
前記リードフレーム311〜315は、パッケージ本体310のキャビティ下部に電気的に分離されるように多数形成される。各リードフレーム311〜315の端部は、パッケージ本体310を貫通し外側に露出して、電極リードとして使用される。
前記リードフレーム311〜315は、多数のLEDチップ320、330、340の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体310の長さ方向に所定間隔で離隔して、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ320、330、340は、三色のLEDチップまたは、全て単色LEDチップで構成されることができる。ここで、前記三色のLEDチップは、青色LEDチップ320、赤色LEDチップ330、緑色LEDチップ340であることが可能で、または、単色LEDチップは、全て青色LEDチップであることができる。
前記多数のLEDチップ320、330、340は、LEDチップの上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップからなり、キャビティ内部のリードフレーム311〜315やパッケージ本体310に非導電性接着剤を用いて接着される。ここで、第3リードフレーム313は、赤色LEDチップ330の支持または放熱機能をする。
前記LEDチップ320、330、340が接着されたら、各LEDチップ320、330、340の二つの電極N、Pは、ワイヤ321、322、331、332、341、342により、各リードフレーム321〜315にそれぞれボンディングされる。
具体的に、図4A及び図4Bに示すように、青色LEDチップ320は、水平型電極構造を有し、P型電極がワイヤ321により第1リードフレーム311に連結され、N型電極がワイヤ322により第2リードフレーム312に連結される。赤色LEDチップ330は、水平型電極構造を有し、第3リードフレーム313上に配置され、N型電極が第2リードフレーム312に連結され、P型電極が第4リードフレーム314に連結される。緑色LEDチップ340は、水平型電極構造を有し、P型電極はワイヤ341を介して第4リードフレーム314に連結され、N型電極はワイヤ342を介して第5リードフレーム315に連結される。
ここで、青色LEDチップ320、赤色LEDチップ330、緑色LEDチップ340は、五つのリードフレーム311〜315にワイヤ321、322、331、332、341、342を用いて直列に連結される。また、直列に配置されるLEDチップの順番は、LEDチップの位置を変えることにより変更できる。
前記パッケージ本体310のキャビティには、モールド部材350が形成される。前記モールド部材350は、透明エポキシまたはシリコンのような樹脂材質からなり、キャビティ内部に充填され、LEDチップ、ワイヤ、ボンディング部分を電気的に保護する。
前記モールド部材350は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。
本発明の第3実施の形態では、三つのLEDチップ320、330、340を水平型電極構造で配置し、直列に連結することにより、第1リードフレーム311は、P型電極リードとして使用し、第5リードフレーム315はN型電極リードとして使用できる。または、第1リードフレーム311がN型電極リードとして使用され、第5リードフレームがP型電極リードとして使用されることもできる。
本発明の各実施の形態に係るLEDパッケージで、各LEDチップの出力比を調節して発光色を調節することができる。例えば、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、青色LEDチップの出力比が3:7:1である場合、LEDパッケージでは白色光が発光されることができる。
尚、本発明の各実施の形態で、リードフレームは多数のLEDチップの電極個数より一つ少ない個数で備えるが、放熱などの必要によって、それ以上の個数で形成されることもできる。
尚、LEDパッケージのキャビティ内部にLEDチップの搭載が終わった場合、前記モールド部材にシリケート系蛍光体を所定比率で添加することができる。よって、青色LEDチップで発生した青色光の一部が、前記シリケート系蛍光体により励起され黄色光として放出されて、前記青色光との混色によって白色光が発光される。
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
100 LEDパッケージ
110 パッケージ本体
111〜115 リードフレーム
120、130、140 LEDチップ
121、122、131、141、142 ワイヤ
150 モールド部材

Claims (12)

  1. キャビティを含むパッケージ本体と、
    前記キャビティの上に配置された複数のLEDチップと、
    前記複数のLEDチップ上に配置されたモールド部材と、
    前記複数のLEDチップのうちの少なくとも1つと電気的に連結されるワイヤと、
    前記パッケージ本体を貫通するように前記パッケージ本体の内部に配置され、前記ワイヤと電気的に連結される複数のリードフレームと、を含み、
    前記複数のリードフレームのうちの少なくとも1つは、前記ワイヤのうちの少なくとも1つを介して前記複数のLEDチップと電気的に連結され、
    前記複数のLEDチップは、前記キャビティの上に配置される第1LEDチップと第2LEDチップ及び第3LEDチップを含み、
    前記第1LEDチップ、前記第2LEDチップ及び前記第3LEDチップのうちの前記第1LEDチップは、垂直型LEDチップであり、残りは水平型LEDチップであり、
    前記垂直型LEDチップは、その上部及び下部に2つの電極が配置されており、
    前記水平型LEDチップは、その上部に2つの電極が配置されており、
    前記複数のリードフレームのうち少なくとも2つのリードフレームは、前記パッケージ本体の底面に延長されて前記パッケージ本体の外部に露出し、
    前記露出される少なくとも2つのリードフレームは、前記パッケージ本体に形成された貫通部の内面と接し、
    前記パッケージ本体は、底面に溝部を含み、
    前記パッケージ本体の溝部は、前記パッケージ本体の底面の一領域から上側に凹んだ形状であり、
    前記複数のリードフレームは、前記ワイヤと物理的に直接連結されない第1リードフレームを含み、
    前記垂直型LEDチップの下部電極が、前記第1リードフレーム上に導電性接着剤を用いてダイボンディングされ、
    前記第1リードフレームは、電極リードとして用いられ、
    前記第2LEDチップの上部の2つの電極のうち1つが、前記ワイヤのうち第1ワイヤにより、前記複数のリードフレームのうち第2リードフレーム上に連結され、残りの電極が、前記ワイヤのうち第2ワイヤにより、前記複数のリードフレームのうち第3リードフレーム上に連結され、
    前記第3LEDチップの上部の2つの電極のうち1つが、前記ワイヤのうち第3ワイヤにより、前記複数のリードフレームのうち第リードフレーム上に連結され、残りの電極が、前記ワイヤのうち第4ワイヤにより、前記複数のリードフレームのうち第5リードフレーム上に連結され、
    前記第1LEDチップは、前記パッケージ本体の溝部及び前記第1リードフレームと垂直で上下に重なることを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記複数のリードフレームのうち少なくとも4つのリードフレームは、前記パッケージ本体の中心を基準に、実質的に対称的に配置されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記パッケージ本体は、PPA(polyphthalamide)、PC(polycarbonate)、PCABS(polycarbonate acrylonitrile butadiene styrene)、ナイロン(nylon)、PET(polyethylene terephtalate)、PBT(polybutylene terephtalate)のいずれか1つの材質から形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記モールド部材は、蛍光体を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記複数のリードフレームは、前記複数のLEDチップの電極の個数より少なくとも1つ少なく形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 前記キャビティの外周側面は、105〜120°の範囲で傾斜するように形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 前記モールド部材は、前記複数のLEDチップを覆い、シリコンまたはエポキシ樹脂からなり、フラット状、凹レンズ状または凸レンズ状のいずれか1つの形状に形成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 前記複数のリードフレームのうち少なくとも2つの上に、前記複数のLEDチップのうち少なくとも1つがそれぞれ配置され、
    前記複数のLEDチップ同じ水平高さに配置されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. 前記ワイヤと前記複数のLEDチップのうち少なくとも2つのLEDチップが電気的に並列連結されたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  10. 前記複数のリードフレームのうち少なくとも4つ以上が、前記パッケージ本体の外部に露出したことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  11. 前記複数のLEDチップが一列に配置されることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
  12. 前記モールド部材は、透明エポキシまたはシリコンを含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
JP2017025979A 2006-02-23 2017-02-15 Ledパッケージ及びその製造方法 Active JP6648048B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060017476A KR100828891B1 (ko) 2006-02-23 2006-02-23 Led 패키지
KR10-2006-0017476 2006-02-23

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013247571A Division JP2014060443A (ja) 2006-02-23 2013-11-29 Ledパッケージ及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017085186A JP2017085186A (ja) 2017-05-18
JP6648048B2 true JP6648048B2 (ja) 2020-02-14

Family

ID=38427296

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007038381A Pending JP2007227925A (ja) 2006-02-23 2007-02-19 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013247571A Pending JP2014060443A (ja) 2006-02-23 2013-11-29 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013266885A Active JP5813086B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-25 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2017025979A Active JP6648048B2 (ja) 2006-02-23 2017-02-15 Ledパッケージ及びその製造方法

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007038381A Pending JP2007227925A (ja) 2006-02-23 2007-02-19 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013247571A Pending JP2014060443A (ja) 2006-02-23 2013-11-29 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013266885A Active JP5813086B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-25 Ledパッケージ及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (5) US8115214B2 (ja)
JP (4) JP2007227925A (ja)
KR (1) KR100828891B1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
WO2008024761A2 (en) 2006-08-21 2008-02-28 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
EP2232592B1 (en) 2007-12-12 2013-07-17 Innotec Corporation Method for overmolding a circuit board
DE102007061261A1 (de) * 2007-12-19 2009-07-02 Bayer Materialscience Ag Leuchtkörper mit LED-DIEs und deren Herstellung
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
JP4931959B2 (ja) * 2009-05-15 2012-05-16 シャープ株式会社 光源装置、該光源装置を備えた光照射装置、該光照射装置を備えた画像読取装置、及び、該画像読取装置を備えた画像形成装置
US8796706B2 (en) 2009-07-03 2014-08-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
KR20110018777A (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101007139B1 (ko) * 2009-09-10 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101543333B1 (ko) 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
CN102403306B (zh) * 2010-09-10 2015-09-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102412346A (zh) * 2010-09-23 2012-04-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US8987022B2 (en) 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ledモジュール
KR101518458B1 (ko) * 2011-04-11 2015-05-11 서울반도체 주식회사 고전압 발광 다이오드 패키지
CN102437151B (zh) * 2011-11-17 2013-10-16 佛山市蓝箭电子股份有限公司 一种全彩smd led支架结构及其封装产品装置
US8759847B2 (en) * 2011-12-22 2014-06-24 Bridgelux, Inc. White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals
JP2013135082A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2013135083A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN102537739B (zh) * 2012-01-08 2013-10-30 浙江新天天光电科技有限公司 一种黄光led光源组件
CN103311233B (zh) * 2012-03-12 2016-08-03 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装结构
JP2013205661A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nichia Chem Ind Ltd 表示装置及びこれを用いた表示方法
JP2013239539A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
US9022631B2 (en) 2012-06-13 2015-05-05 Innotec Corp. Flexible light pipe
TWI473294B (zh) * 2012-08-03 2015-02-11 Genesis Photonics Inc 發光裝置
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
TWI482318B (zh) 2012-12-18 2015-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其封裝結構
US9443833B2 (en) * 2013-01-31 2016-09-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent overlapping LED die layers
KR102108214B1 (ko) 2013-06-12 2020-05-07 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
US20150116992A1 (en) * 2013-10-28 2015-04-30 Johnny Ray Massey LED device for lighting a fishing line at the pole
TWI540771B (zh) * 2014-01-20 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具
DE102014101215A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement
CN105098046B (zh) * 2014-05-19 2019-06-07 四川新力光源股份有限公司 Led光源基板及其制作方法和led光源
CN104134743A (zh) * 2014-06-17 2014-11-05 京东方光科技有限公司 Led封装结构及封装方法、显示装置、照明装置
JP6194514B2 (ja) * 2014-06-26 2017-09-13 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
CN105322058A (zh) * 2014-07-25 2016-02-10 新世纪光电股份有限公司 发光单元的制作方法
EP3201953B1 (en) * 2014-10-01 2019-08-07 Lumileds Holding B.V. Light source with tunable emission spectrum
CN105591006A (zh) * 2014-10-20 2016-05-18 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装体
JP6583247B2 (ja) 2016-12-21 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190028134A (ko) 2017-09-08 2019-03-18 중앙대학교 산학협력단 비콘의 저전력 위치기반 통신 기술을 이용한 효율적인 호텔 서비스 대체 어플리케이션 장치 및 방법
JP7221647B2 (ja) * 2018-10-24 2023-02-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
TWI710128B (zh) * 2020-01-08 2020-11-11 劉台徽 微型發光二極體及其封裝方法
CN115088069A (zh) 2020-02-07 2022-09-20 昕诺飞控股有限公司 基于led的设备
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6246292Y2 (ja) * 1979-01-19 1987-12-12
JPS55122377U (ja) * 1979-02-22 1980-08-30
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH07129099A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Toyoda Gosei Co Ltd Led表示装置
JPH10247748A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Omron Corp 発光素子及び当該発光素子を用いた面光源装置
US6401807B1 (en) 1997-04-03 2002-06-11 Silent Systems, Inc. Folded fin heat sink and fan attachment
JP3468018B2 (ja) * 1997-04-10 2003-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JPH10319871A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Kouha:Kk Ledディスプレイ装置
JP3165078B2 (ja) * 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JP2000232186A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2000315823A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Runaraito Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
US6198529B1 (en) * 1999-04-30 2001-03-06 International Business Machines Corporation Automated inspection system for metallic surfaces
JP3829582B2 (ja) * 2000-05-12 2006-10-04 豊田合成株式会社 発光装置
KR100421688B1 (ko) * 1999-11-11 2004-03-10 도요다 고세이 가부시키가이샤 풀컬러 광원 유니트
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US7262752B2 (en) 2001-01-16 2007-08-28 Visteon Global Technologies, Inc. Series led backlight control circuit
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP3708026B2 (ja) * 2001-04-12 2005-10-19 豊田合成株式会社 Ledランプ
JP2003078172A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ledリードフレーム
US6812481B2 (en) 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
EP1447853B1 (en) 2001-10-01 2012-08-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
GB0314079D0 (en) * 2003-06-18 2003-07-23 Astrazeneca Ab Therapeutic agents
JP3801931B2 (ja) * 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
EP1433831B1 (en) * 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP2003338639A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Rohm Co Ltd 表示装置
JP4239509B2 (ja) 2002-08-02 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4132043B2 (ja) * 2002-11-27 2008-08-13 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4306247B2 (ja) 2002-12-27 2009-07-29 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP4383059B2 (ja) 2003-01-24 2009-12-16 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
WO2004098255A1 (ja) * 2003-04-25 2004-11-11 Sanko Lite Industries Co., Ltd. 電気回路および電子部品
US7026660B2 (en) * 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
WO2005030903A1 (de) 2003-09-24 2005-04-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色led
KR100533635B1 (ko) * 2003-11-20 2005-12-06 삼성전기주식회사 Led 패키지
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US6998280B2 (en) * 2004-02-10 2006-02-14 Mei-Hung Hsu Wafer packaging process of packaging light emitting diode
JP4780939B2 (ja) 2004-07-28 2011-09-28 京セラ株式会社 発光装置
US6849876B1 (en) * 2004-05-31 2005-02-01 Excel Cell Electronic Co., Ltd. Light emitting device
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
JP2006041380A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US7402842B2 (en) * 2004-08-09 2008-07-22 M/A-Com, Inc. Light emitting diode package
TWI240438B (en) 2004-09-07 2005-09-21 Opto Tech Corp High power LED array
US7842526B2 (en) * 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
KR100524098B1 (ko) 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Led装置
TWI253191B (en) * 2005-01-06 2006-04-11 Genesis Photonics Inc White light-emitting equipment with LED, and its application
JP4839662B2 (ja) * 2005-04-08 2011-12-21 富士ゼロックス株式会社 面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム
JP5017804B2 (ja) * 2005-06-15 2012-09-05 富士ゼロックス株式会社 トンネル接合型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
US7491636B2 (en) 2005-07-19 2009-02-17 Micron Technology, Inc. Methods for forming flexible column die interconnects and resulting structures
JP2009514924A (ja) * 2005-11-09 2009-04-09 エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲー 3−アリール−イソオキサゾール−4−カルボニル−ベンゾフラン誘導体
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
US20080081862A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 Arnold Lustiger Fiber reinforced polystyrene composites

Also Published As

Publication number Publication date
US20100258823A1 (en) 2010-10-14
JP2007227925A (ja) 2007-09-06
US7956378B2 (en) 2011-06-07
US8471271B2 (en) 2013-06-25
US9502617B2 (en) 2016-11-22
US20100213475A1 (en) 2010-08-26
KR20070087270A (ko) 2007-08-28
JP2017085186A (ja) 2017-05-18
US9029903B2 (en) 2015-05-12
US20150235997A1 (en) 2015-08-20
JP2014060443A (ja) 2014-04-03
US20070194333A1 (en) 2007-08-23
JP2014112688A (ja) 2014-06-19
KR100828891B1 (ko) 2008-05-09
JP5813086B2 (ja) 2015-11-17
US20130270586A1 (en) 2013-10-17
US8115214B2 (en) 2012-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6648048B2 (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
US8987022B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
US7511312B2 (en) Surface mounting device-type light emitting diode
US8044423B2 (en) Light emitting device package
US8952404B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
KR101775428B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR100862531B1 (ko) 멀티 캐비티 발광다이오드 패키지
KR101346706B1 (ko) 발광소자
KR101104744B1 (ko) 발광 장치
KR100610272B1 (ko) 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조
KR20120054483A (ko) 발광 소자 패키지
KR200376274Y1 (ko) 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조
KR101104767B1 (ko) 발광 장치
KR101104763B1 (ko) 발광 장치
KR100648627B1 (ko) 발광 다이오드
KR20100042066A (ko) 발광소자 패키지
KR20060015036A (ko) 백색 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2000332303A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180717

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20181011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181213

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190802

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6648048

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250