JP5813086B2 - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
一般に、LEDの特性は、化合物半導体の材料、色(カラー)及び輝度、輝度の範囲などにより決定され、LEDチップが実装されるパッケージ構造によって大きく影響を受ける。
図1に示すように、LEDパッケージ10は、上側にキャビティが形成された基板20、反射電極層21、LEDチップ30、充填材40、及びモールドレンズ50を含む。
前記基板20の上側のキャビティには、Ag金属を用いた反射電極層21が電気的に分離されて形成されており、前記反射電極層21の両端は基板20の外側まで延長され、二つの電極端子22、23と連結される。
前記LEDチップ30は、青色LEDチップであって、P型電極とN型電極がワイヤ31を介して反射電極層21にそれぞれボンディングされる。
前記基板20のキャビティに充填材40が詰められる。前記充填材40は、エポキシのような樹脂材質を用いて、LEDチップ30、ワイヤ31、ボンディング部分の酸化を防止し、空気抵抗による光損失を減らし、熱伝導率を上げるためにモールディングされる。前記充填材40の上には、モールドレンズ50が付着される。
前記のようなLEDパッケージ10では、LEDチップ30で発生した光が、充填材40及びモールドレンズ50を透過して外部に放射されるか、反射電極層21で反射されてから充填材40及びモールドレンズ50を透過して、外部に放出される。
しかし、前記のような反射電極層の構造を有するLEDパッケージ10では、多数のLEDチップを実装することが難しいので、様々な色相で発光するLEDパッケージの製造が難しいという問題点がある。
また、本発明の実施の形態に係るLEDパッケージの製造方法は、キャビティ内部に多数のリードフレームが形成されたパッケージ本体を成形する段階と、前記キャビティ内部に多数のLEDチップを付着する段階と、少なくとも一つのリードフレームに、LEDチップまたは/及び一つ以上のワイヤをボンディングする段階と、を含む。
また、LEDパッケージは、多数のLEDチップをパッケージの内部に搭載して、多数のLEDチップから様々な色相が発光されるように具現可能で、これを用いて白色光を発光することができる。このようなLEDパッケージは、サイドタイプのLEDパッケージであって、バックライトユニットまたは携帯端末機などで、側面から光を提供することができる。
図A2及び図2Bに示すように、LEDパッケージ100は、キャビティを有するパッケージ本体110、多数のリードフレーム111〜115、多数のLEDチップ120、130、140、及びモールド部材150を含み、サイド方式で光を提供することができる。
前記リードフレーム111〜115は、多数のLEDチップ120、130、140の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体110の長さ方向に所定間隔で離隔し、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ120、130、140としては、LEDチップの上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップ120、140または/及びLEDチップの上部及び下部に二つの電極が垂直型構造で配置された垂直型LEDチップ130が用いられる。
前記LEDチップ120、130、140は、キャビティ内部のリードフレーム111〜115やパッケージ本体110の底面に接着されることができる。ここで、水平型LEDチップ120、140は、非導電性接着剤を用いて接着され、垂直型LEDチップ130は、その下部のN電極がどちらか一つのリードフレーム113に導電性接着剤を用いてダイボンディングされる。
ここで、前記第2リードフレーム112には、青色LEDチップ120及び赤色LEDチップ130のP型電極が共通に連結され、共通アノード(Anode)方式で構成されることができる。尚、本発明は、三つのLEDチップ120、130、140の中で、少なくとも一つは水平型または/及び垂直型電極構造で配置可能で、また、青色LEDチップ120と緑色LEDチップ140が搭載される位置が変更される場合、緑色LEDチップ140と赤色LEDチップ130のP型電極が、共通に第2リードフレーム112に連結されることができる。
また、キャビティ内部に一列に配置された五つのリードフレーム111〜115には、LEDチップ120、130、140のN型電極及びP型電極のリードが、それぞれ交互に形成されることができる。例えば、第1リードフレーム111はN型電極リード、第2リードフレーム112はP型電極リード、第3リードフレーム113はN型電極リード、第4リードフレーム114はP型電極リード、第5リードフレーム115はN型電極リードの順番で配置される。
前記モールド部材150は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。
図3A及び図3Bに示すように、LEDパッケージ200は、キャビティを有するパッケージ本体210、多数のリードフレーム211〜215、多数のLEDチップ220、230、240、及びモールド部材250を含む。
前記リードフレーム211〜215は、多数のLEDチップ220、230、240の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体210の長さ方向に所定間隔で離隔して、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ220、230、240としては、LEDチップ220、240上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップ220、240または/及びLEDチップ230上部及び上部に二つの電極が垂直型構造で配置された垂直型LEDチップ230が用いられる。
前記LEDチップ220、230、240は、キャビティ内部のリードフレーム211〜215やパッケージ本体210に接着されることができる。ここで、水平型LEDチップ220、240は、非導電性接着剤を用いて接着され、垂直型LEDチップ230は、その下部のP電極がどちらか一つのリードフレーム213に、導電性接着剤を用いてダイボンディングされる。
ここで、前記第2リードフレーム212には、青色LEDチップ220及び赤色LEDチップ230のN型電極が共通に連結され、共通カソード(Cathode)方式で構成されることができる。尚、本発明は、三つのLEDチップ220、230、240の中で、少なくとも一つは水平型または垂直型電極構造で配置可能で、また、青色LEDチップ220と緑色LEDチップ240が搭載される位置が変更される場合、緑色LEDチップ240と赤色LEDチップ230のN型電極が、共通に第2リードフレーム212に連結されることができる。
また、キャビティ内部に一列に配置された五つのリードフレーム211〜215には、多数のLEDチップ220〜250のN型電極及びP型電極のリードが、それぞれ交互に形成されることができる。
例えば、第1リードフレーム211はP型電極リード、第2リードフレーム212はN型電極リード、第3リードフレーム213はP型電極リード、第4リードフレーム214はN型電極リード、第5リードフレーム215はP型電極リードの順番で配置される。
前記モールド部材250は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。前記モールド部材250は、パッケージが求める色を発光できる場合、キャビティ内部に形成しないことも可能である。
図4A及び図4Bに示すように、LEDパッケージ300は、キャビティを有するパッケージ本体310、多数のリードフレーム311〜315、多数のLEDチップ320、330、340、及びモールド部材350を含む。
前記リードフレーム311〜315は、多数のLEDチップ320、330、340の電極個数より一つ少なく形成され、パッケージ本体310の長さ方向に所定間隔で離隔して、一列に配置される。
前記多数のLEDチップ320、330、340は、LEDチップの上部に二つの電極N、Pが水平型構造で配置された水平型LEDチップからなり、キャビティ内部のリードフレーム311〜315やパッケージ本体310に非導電性接着剤を用いて接着される。ここで、第3リードフレーム313は、赤色LEDチップ330の支持または放熱機能をする。
ここで、青色LEDチップ320、赤色LEDチップ330、緑色LEDチップ340は、五つのリードフレーム311〜315にワイヤ321、322、331、332、341、342を用いて直列に連結される。また、直列に配置されるLEDチップの順番は、LEDチップの位置を変えることにより変更できる。
前記モールド部材350は、表面がフラット状、凹レンズ状または凸レンズ状で形成されることが可能で、このような表面形状は、パッケージの用途または目的によって多様に変化できる。
110 パッケージ本体
111〜115 リードフレーム
120、130、140 LEDチップ
121、122、131、141、142 ワイヤ
150 モールド部材
Claims (14)
- キャビティが形成されたパッケージ本体と、
前記キャビティ内に搭載された複数のLEDチップと、
前記複数のLEDチップ上に蛍光体と、
前記複数のLEDチップのうちのいずれか一つと連結されるワイヤと、
前記パッケージ本体に形成され、前記ワイヤと電気的に連結される複数のリードフレームと、
前記ワイヤと電気的に連結されない第3リードフレームと、
前記パッケージ本体の底面に形成された溝部と、を含み、
前記パッケージ本体の溝部は、前記パッケージ本体の底面の第1領域から上側に凹んだ形状であり、
前記第3リードフレームは、前記溝部によって端部及び側部が露出され、
前記複数のリードフレームは、前記パッケージ本体の底面の第2領域に端部が露出される第1リードフレームを含み、
前記複数のLEDチップは、前記ワイヤを介して前記複数のリードフレームのうちの少なくとも一つと直列方式で連結されることを特徴とする発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のLEDチップは、前記第3リードフレームの上に配置される第3LEDチップを含み、
前記第3リードフレームは、前記第3LEDチップと電気的に連結されないことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のリードフレームは、前記複数のLEDチップの電極の個数より少なくとも一つ少なく形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記キャビティの外周側面は、105〜120°の範囲で傾斜するように形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記複数のLEDチップを覆うモールド部材を含み、
前記モールド部材は、シリコンまたはエポキシ樹脂からなり、フラット状、凹状または凸状のいずれか一つの形状に形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のリードフレームのうちの少なくとも2つの上に、前記複数のLEDチップのうちの少なくとも一つがそれぞれ搭載され、
前記複数のLEDチップは、同じ水平高さに配置されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のLEDチップは、前記第3リードフレームの上に電極が水平型構造に配置された水平型構造の第3LEDチップを含み、
前記第3LEDチップは、前記パッケージ本体の溝部及び前記第3リードフレームと上下に重なることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のLEDチップのうちの少なくとも一つは青色光を発光し、
前記青色光と前記蛍光体の混色によって白色発光することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記パッケージ本体の溝部を介して露出される第3リードフレームの端部及び側部領域は、前記パッケージ本体の底面の第2領域に露出される第1リードフレームの端部領域より面積が広いことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記複数のリードフレームのうちの少なくとも2つの上に、前記複数のLEDチップのうちの少なくとも一つがそれぞれ搭載され、
前記複数のLEDチップのうちの少なくとも2つは、上面の高さがそれぞれ異なることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記複数のLEDチップのうちの少なくとも3つが直列方式で連結されることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記複数のリードフレームは、前記パッケージ本体のキャビティに一列に相互離隔して配置され、
前記キャビティの底面から前記パッケージ本体の外側に貫通することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記パッケージ本体は、PC(polycarbonate)、PCABS(polycarbonate acrylonitrile butadiene styrene)、PPA(polyphthalamide)、ナイロン(nylon)、PET(polyethylene terephtalate)、PBT(polybutylene terephtalate)のいずれか一つの材質で形成されることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記蛍光体は、前記複数のLEDチップのうちの少なくとも一つの上側と側面に配置されることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
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DE102007061261A1 (de) * | 2007-12-19 | 2009-07-02 | Bayer Materialscience Ag | Leuchtkörper mit LED-DIEs und deren Herstellung |
KR100986359B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP4931959B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2012-05-16 | シャープ株式会社 | 光源装置、該光源装置を備えた光照射装置、該光照射装置を備えた画像読取装置、及び、該画像読取装置を備えた画像形成装置 |
WO2011002208A2 (ko) | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR20110018777A (ko) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
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CN102403306B (zh) * | 2010-09-10 | 2015-09-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN102412346A (zh) * | 2010-09-23 | 2012-04-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
US8987022B2 (en) | 2011-01-17 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device package and method of manufacturing the same |
JP5748496B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2015-07-15 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
KR101518458B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2015-05-11 | 서울반도체 주식회사 | 고전압 발광 다이오드 패키지 |
CN102437151B (zh) * | 2011-11-17 | 2013-10-16 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种全彩smd led支架结构及其封装产品装置 |
US8759847B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-06-24 | Bridgelux, Inc. | White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals |
JP2013135082A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2013135083A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
CN102537739B (zh) * | 2012-01-08 | 2013-10-30 | 浙江新天天光电科技有限公司 | 一种黄光led光源组件 |
CN103311233B (zh) * | 2012-03-12 | 2016-08-03 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP2013205661A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 表示装置及びこれを用いた表示方法 |
JP2013239539A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
WO2013188678A1 (en) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Innotec, Corp. | Flexible light pipe |
TWI473294B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-02-11 | Genesis Photonics Inc | 發光裝置 |
US9178123B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
TWI482318B (zh) | 2012-12-18 | 2015-04-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體及其封裝結構 |
US9443833B2 (en) * | 2013-01-31 | 2016-09-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Transparent overlapping LED die layers |
KR102108214B1 (ko) | 2013-06-12 | 2020-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치 |
US20150116992A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Johnny Ray Massey | LED device for lighting a fishing line at the pole |
TWI540771B (zh) * | 2014-01-20 | 2016-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具 |
DE102014101215A1 (de) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement |
CN105098046B (zh) * | 2014-05-19 | 2019-06-07 | 四川新力光源股份有限公司 | Led光源基板及其制作方法和led光源 |
CN104134743A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-11-05 | 京东方光科技有限公司 | Led封装结构及封装方法、显示装置、照明装置 |
JP6194514B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2017-09-13 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TWI641285B (zh) | 2014-07-14 | 2018-11-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光模組與發光單元的製作方法 |
CN105322058A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-02-10 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光单元的制作方法 |
US20180231191A1 (en) * | 2014-10-01 | 2018-08-16 | Koninklijke Philips N.V. | Light source with tunable emission spectrum |
CN105591006A (zh) * | 2014-10-20 | 2016-05-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 覆晶式led封装体 |
JP6583247B2 (ja) | 2016-12-21 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20190028134A (ko) | 2017-09-08 | 2019-03-18 | 중앙대학교 산학협력단 | 비콘의 저전력 위치기반 통신 기술을 이용한 효율적인 호텔 서비스 대체 어플리케이션 장치 및 방법 |
JP7221647B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2023-02-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
TWI710128B (zh) * | 2020-01-08 | 2020-11-11 | 劉台徽 | 微型發光二極體及其封裝方法 |
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Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6246292Y2 (ja) * | 1979-01-19 | 1987-12-12 | ||
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US4918497A (en) * | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
JPH07129099A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led表示装置 |
JPH10247748A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Omron Corp | 発光素子及び当該発光素子を用いた面光源装置 |
US6401807B1 (en) * | 1997-04-03 | 2002-06-11 | Silent Systems, Inc. | Folded fin heat sink and fan attachment |
JP3468018B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2003-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JPH10319871A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Kouha:Kk | Ledディスプレイ装置 |
JP3165078B2 (ja) * | 1997-07-24 | 2001-05-14 | 協和化成株式会社 | 表面実装部品の製造方法 |
JP2000232186A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000315823A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
US6198529B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Automated inspection system for metallic surfaces |
EP1103759A3 (en) * | 1999-11-11 | 2005-02-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Full-color light source unit |
JP3829582B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2006-10-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
US7262752B2 (en) * | 2001-01-16 | 2007-08-28 | Visteon Global Technologies, Inc. | Series led backlight control circuit |
US6891200B2 (en) * | 2001-01-25 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units |
JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP3708026B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2005-10-19 | 豊田合成株式会社 | Ledランプ |
JP2003078172A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledリードフレーム |
US6812481B2 (en) * | 2001-09-03 | 2004-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
JP3993854B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子とこれを用いた発光装置 |
GB0314079D0 (en) * | 2003-06-18 | 2003-07-23 | Astrazeneca Ab | Therapeutic agents |
JP3801931B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-07-26 | ローム株式会社 | Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 |
AU2003221442A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-08 | Nichia Corporation | Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device |
JP2003338639A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Rohm Co Ltd | 表示装置 |
JP4239509B2 (ja) | 2002-08-02 | 2009-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP4132043B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2008-08-13 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP4306247B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP4383059B2 (ja) | 2003-01-24 | 2009-12-16 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US7026660B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-04-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Interconnection for organic devices |
JPWO2004098255A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2006-07-13 | 伊藤 亮 | 電気回路および電子部品 |
EP1658642B1 (en) * | 2003-08-28 | 2014-02-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
KR101131648B1 (ko) * | 2003-09-24 | 2012-03-28 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 연색성이 개선된 led-기반 고효율 조명 시스템 |
JP4458804B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2010-04-28 | シチズン電子株式会社 | 白色led |
KR100533635B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2005-12-06 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
JP4654670B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2011-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US7102152B2 (en) | 2004-10-14 | 2006-09-05 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material |
US6998280B2 (en) * | 2004-02-10 | 2006-02-14 | Mei-Hung Hsu | Wafer packaging process of packaging light emitting diode |
JP4780939B2 (ja) | 2004-07-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
US6849876B1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-02-01 | Excel Cell Electronic Co., Ltd. | Light emitting device |
US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
JP2006041380A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
US7402842B2 (en) * | 2004-08-09 | 2008-07-22 | M/A-Com, Inc. | Light emitting diode package |
TWI240438B (en) * | 2004-09-07 | 2005-09-21 | Opto Tech Corp | High power LED array |
US7842526B2 (en) * | 2004-09-09 | 2010-11-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of producing same |
KR100524098B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2005-10-26 | 럭스피아 주식회사 | 반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
JP4922555B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2012-04-25 | スタンレー電気株式会社 | Led装置 |
TWI253191B (en) * | 2005-01-06 | 2006-04-11 | Genesis Photonics Inc | White light-emitting equipment with LED, and its application |
JP4839662B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-12-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム |
JP5017804B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2012-09-05 | 富士ゼロックス株式会社 | トンネル接合型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US7491636B2 (en) * | 2005-07-19 | 2009-02-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming flexible column die interconnects and resulting structures |
BRPI0618383A2 (pt) * | 2005-11-09 | 2011-08-30 | Hoffmann La Roche | derivados de 3-aril-isoxazol-4-carbonil-benzofurano |
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