JP2013135082A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】LEDチップとその表面上の蛍光体層から構成される発光素子を備え、発光素子の歩留まりを向上させることができる構成を有する発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る発光装置1は、基板2と、基板2に実装された、LEDチップ4a、4bとその表面上の蛍光体層5a、5bを有する発光素子3a、3bと、を有し、発光素子3a、3bが発する光の色度座標のx値の偏差の最大値が0.0125以上である。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、LEDチップとその表面上の蛍光体層から構成される発光素子が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。このような発光素子においては、蛍光体がLEDチップに隣接するため、光変換効率が高い。また、蛍光体層を均一な厚さに形成することにより、視野角による色むらを抑えることができる。
特開2002−261325号公報 国際公開第2003/034508号
しかし、LEDチップ上の蛍光体層の厚さを制御することは難しく、発光素子から発せられる光の色度が個体ごとに異なってしまう場合が多い。通常、製品規格から外れた色度を有する発光素子は、不良品として処理されるため、発光素子の歩留まりが低下する。
したがって、本発明の目的は、LEDチップとその表面上の蛍光体層から構成される発光素子を備え、発光素子の歩留まりを向上させることができる構成を有する発光装置を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、基板と、前記基板に実装された、LEDチップとその表面上の蛍光体層を有する複数の発光素子と、を有し、前記複数の発光素子が発する光の色度座標のx値の偏差の最大値が0.0125以上である発光装置を提供する。
上記発光装置において、前記色度座標のx値の偏差の最大値は0.1000以下であってもよい。
上記発光装置において、前記色度座標のx値の偏差の最大値が0.0250以上であってもよい。
上記発光装置において、前記色度座標のx値の偏差の最大値が0.0375以上であってもよい。
本発明によれば、LEDチップとその表面上の蛍光体層から構成される発光素子を備え、発光素子の歩留まりを向上させることができる構成を有する発光装置を提供することができる。
図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
〔実施の形態〕
図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置1の垂直断面図である。発光装置1は、基板2と、基板2上に実装された発光素子3a、3bと、基板2上に発光素子3a、3bを囲む又は挟むように形成されたリフレクタ6と、基板2上のリフレクタ6の内側にLEDチップ3a、3bを覆うように充填された透明封止樹脂7を有する。
発光素子3a、3bは、それぞれ、LEDチップ4a、4bとその表面上の蛍光体層5a、5bからなる。
LEDチップ4a、4bは、例えば、四角形の平面形状を有する。LEDチップ4a、4bは、例えば、青色の光を発する。
蛍光体層5a、5bは、粒子状の蛍光体を含む透明樹脂膜からなる。蛍光体含有層5の厚さは、例えば、0.5mmである。蛍光体層5a、5bは、異なる波長の蛍光を発する複数種の蛍光体を含んでもよい。
蛍光体層5a、5bを構成する透明樹脂膜は、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PC(ポリカーボネート)、アクリル、ETFE(エチレン・四フッ化エチレン共重合体)等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。
LEDチップ4a、4bから発せられた光は、一部が蛍光体含有層5を透過して外部へ射出され、他の一部が蛍光体層5a、5b内の蛍光体中の電子を励起させる。電子が励起された蛍光体からは、バンドギャップの大きさに応じた波長の蛍光が発せられる。
LEDチップ4a、4bから発せられて蛍光体層5a、5bを透過して外部へ射出された光の色と、蛍光体層5a、5bから発せられた蛍光の色との混色が発光素子3a、3bの発光色となる。
図1においては、蛍光体層5a、5bはLEDチップ4a、4bの全表面を覆うように形成されているが、蛍光体層5a、5bの配置はこれに限られず、例えば、LEDチップ4a、4bの上面(図1の上側の面)にのみ形成されてもよい。
基板2は、例えば、アルミナや窒化アルミからなるセラミック基板である。基板2は、表面や内部に図示しない配線を有する。発光素子3a、3bは、この配線により直列に接続され、配線を介して電圧が印加される。なお、基板2の代わりに、所望のパターンに形成したリードフレームのパターン間を樹脂で埋めた樹脂複合リードフレームを用いてもよい。
リフレクタ6は、例えば、白色の樹脂からなり、発光素子3a、3bから発せられる光を反射し、発光装置1から発せられる光に指向性を与える。
透明封止樹脂7は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂からなる。
以下に、発光装置1の発光色が白色である場合の、LEDチップ4a、4bの発光色と蛍光体層5a、5bの発光色の組み合わせを挙げる。LEDチップ4a、4bの発光色が青色、蛍光体層5a、5bの発光色が黄色の場合は、青みがかった白色光が得られる。LEDチップ4a、4bの発光色が青色、蛍光体層5a、5bの発光色が緑色及び赤色の場合は、太陽光に近い色の白色光が得られる。LEDチップ4a、4bの発光色が青色、蛍光体層5a、5bの発光色が黄色及び赤色の場合は、白熱電球の色に近い赤みがかった白色光が得られる。
また、LEDチップ4a、4bが紫外光を発し、蛍光体層5a、5bの発光色が青色及び黄色の場合は、青みがかった白色光が得られる。LEDチップ4a、4bが紫外光を発し、蛍光体層5a、5bの発光色が青色、緑色及び赤色の場合は、太陽光に近い色の白色光が得られる。LEDチップ4a、4bが紫外光を発し、蛍光体層5a、5bの発光色が青色、基色及び赤色の場合は、白熱電球の色に近い赤みがかった白色光が得られる。
蛍光体層5a、5bが複数の異なる色の光を発する場合は、蛍光体層5a、5bが多層の透明樹脂膜を含み、それぞれの透明樹脂膜に異なる蛍光体が含まれてもよい。例えば、蛍光体層5a、5bの発光色が赤色及び黄色である場合は、1枚の透明樹脂膜中に赤色の光を発する蛍光体と黄色の光を発する蛍光体が含まれてもよいし、赤色の光を発する蛍光体を含む透明樹脂膜と黄色の光を発する蛍光体を含む透明樹脂膜が積層されてもよい。
なお、蛍光体層5a、5bが多層の透明樹脂膜を含む場合は、下層の透明樹脂膜中の蛍光体から発せられる光が上層の透明樹脂膜中の蛍光体に吸収されないように、波長の長い光を発する蛍光体を含む透明樹脂膜を下層にすることが好ましい。
また、透明封止樹脂7に蛍光体が含まれてもよい。この場合、蛍光体層5a、5b中の蛍光体の発光色と透明封止樹脂7の蛍光体の発光色は同じであってもよく、異なっていてもよい。
また、発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値の偏差の最大値は、0.0125以上である。ここで、偏差とは、個々の値の平均値との差をいう。このような条件を満たす発光素子は、従来の発光装置の製造工程においては、通常、製品規格から外れた色度を有する不良品として廃棄される。
発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値の偏差の最大値が、0.0125以上である場合、発光素子3aと発光素子3bを各々単独でパッケージに搭載したときには、2つのパッケージに色目の違いが生じるおそれがあるが、本実施の形態のように、発光素子3aと発光素子3bを1つのパッケージで組み合わせて用いることにより、所望の色度の光を発する発光装置1を得ることができる。
より好ましくは、発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値の偏差の最大値は、0.0250以上である。この場合、発光素子3aと発光素子3bを各々単独でパッケージに搭載したときには、2つのパッケージに色目の違いが生じ易いが、本実施の形態のように、発光素子3aと発光素子3bを1つのパッケージで組み合わせて用いることにより、所望の色度の光を発する発光装置1を得ることができる。
また、さらに好ましくは、発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値の偏差の最大値は、0.0375以上である。この場合、発光素子3aと発光素子3bを各々単独でパッケージに搭載したときには、2つのパッケージに色目の違いが顕著に生じるが、本実施の形態のように、発光素子3aと発光素子3bを1つのパッケージで組み合わせて用いることにより、所望の色度の光を発する発光装置1を得ることができる。
なお、発光素子3a、3bの発する色度座標のx値の偏差の最大値が大きすぎると、発光装置1の発光スペクトル幅が広がり、出射光に色むらが生じてしまうため、0.1000以下であることが好ましい。
以下に、一例として、色度座標のx値が0.2800の光(白色光)を発する発光装置1を製造する場合について述べる。
発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値が、例えば、それぞれ0.2300及び0.3300であり、これらの平均値である0.2800が発光装置1の発する光の色度座標のx値となる。この場合、発光素子3a、3bの発する光の色度座標のx値の平均値は0.2800であり、偏差の最大値は0.050である。
なお、発光装置1には、3つ以上の発光素子が含まれてもよく、その場合、それらの発光素子の発する光の色度座標のx値の偏差の最大値が、上記の条件を満たす。この場合、少なくとも1つの発光素子が、従来、不良品として廃棄されていた規格外品である。
(実施の形態の効果)
上記実施の形態によれば、従来は廃棄されていたような製品規格から外れた色度を有するLEDチップを適切な条件で組み合わせて用いることにより、所望の色度の光を発する発光装置を得ることができる。このため、蛍光体層の膜厚の制御が難しいために色度に個体差が生じやすい、LEDチップ及びその表面上の蛍光体層を有する発光素子の歩留まりを向上させることができる。
また、LEDチップを基板に実装する前に蛍光体層をLEDチップの表面に形成することができるため、LEDチップを基板に実装する前に発光素子の発する光の色度を検査することができる。そのため、発光素子の適切な組み合わせを決定した後に、基板に実装し、発光装置を形成することができる。
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
1 発光装置
2 基板
3a、3b 発行素子
4a、4b LEDチップ
5a、5b 蛍光体層

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板に実装された、LEDチップとその表面上の蛍光体層を有する複数の発光素子と、
    を有し、
    前記複数の発光素子が発する光の色度座標のx値の偏差の最大値が0.0125以上である発光装置。
  2. 前記色度座標のx値の偏差の最大値は0.1000以下である、
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記色度座標のx値の偏差の最大値が0.0250以上である、
    請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記色度座標のx値の偏差の最大値が0.0375以上である、
    請求項3に記載の発光装置。


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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070242A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US9502317B2 (en) 2014-06-26 2016-11-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170999A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2009088299A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Nichia Corp 発光素子及びこれを備える発光装置
WO2009101718A1 (ja) * 2008-02-13 2009-08-20 Canon Components, Inc. 白色発光ダイオード、白色発光装置及びそれらを用いたライン状照明装置
JP2011040366A (ja) * 2010-03-05 2011-02-24 Canon Components Inc 画像読取装置における白色発光装置およびそれを用いたライン状照明装置
JP2011249751A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Intematix Technology Center Corp Ledパッケージ構造体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4081985B2 (ja) 2001-03-02 2008-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JPWO2003034508A1 (ja) 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US6943379B2 (en) * 2002-04-04 2005-09-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
KR100533635B1 (ko) * 2003-11-20 2005-12-06 삼성전기주식회사 Led 패키지
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5106761B2 (ja) * 2005-07-14 2012-12-26 株式会社フジクラ 高演色性発光ダイオードランプユニット
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
US8531126B2 (en) 2008-02-13 2013-09-10 Canon Components, Inc. White light emitting apparatus and line illuminator using the same in image reading apparatus
JPWO2011021402A1 (ja) * 2009-08-21 2013-01-17 パナソニック株式会社 発光装置
KR20110073114A (ko) * 2009-12-23 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170999A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2009088299A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Nichia Corp 発光素子及びこれを備える発光装置
WO2009101718A1 (ja) * 2008-02-13 2009-08-20 Canon Components, Inc. 白色発光ダイオード、白色発光装置及びそれらを用いたライン状照明装置
JP2011040366A (ja) * 2010-03-05 2011-02-24 Canon Components Inc 画像読取装置における白色発光装置およびそれを用いたライン状照明装置
JP2011249751A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Intematix Technology Center Corp Ledパッケージ構造体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070242A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US9502317B2 (en) 2014-06-26 2016-11-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device

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