KR20180090002A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20180090002A
KR20180090002A KR1020170014861A KR20170014861A KR20180090002A KR 20180090002 A KR20180090002 A KR 20180090002A KR 1020170014861 A KR1020170014861 A KR 1020170014861A KR 20170014861 A KR20170014861 A KR 20170014861A KR 20180090002 A KR20180090002 A KR 20180090002A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
phosphor layer
diode chip
Prior art date
Application number
KR1020170014861A
Other languages
English (en)
Inventor
홍승식
모토노부 타케야
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020170014861A priority Critical patent/KR20180090002A/ko
Priority to CN201880005226.7A priority patent/CN110114892A/zh
Priority to US16/482,854 priority patent/US11456401B2/en
Priority to PCT/KR2018/001366 priority patent/WO2018143681A1/ko
Publication of KR20180090002A publication Critical patent/KR20180090002A/ko
Priority to US17/875,358 priority patent/US20220367761A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및 상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 적색 발광 다이오드 칩을 사용하지 않고, 청색 발광 다이오드 칩이나 자외선 발광 다이오드 칩 및 형광체를 이용하여 적색광을 구현할 때, 적색광과 함께 청색광 또는 자외선이 같이 방출되는 것을 형광체층에 코팅한 컬러필터층으로 청색광 또는 자외선을 차단함으로써, 적색광만 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 형광체층을 포함하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명 등과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있으며, 이러한 장점으로 인해 기존의 광원을 빠르게 대체해 가고 있다.
이러한 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현하는 방법은 다양한데, 그 중 청색광을 방출하는 발광 다이오드, 녹색광을 방출하는 발광 다이오드 및 적색광을 방출하는 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다. 이때, 파장 변환하지 않고, 청색광 및 녹색광을 방출하는 발광 다이오드를 제조하는 것은 무리가 없으나, 적색광을 방출하는 발광 다이오드를 제조하는 것이 제조비용 및 수율 등의 문제로 제조가 쉽지 않다. 그에 따라 적색광을 방출하는 발광 다이오드는 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출하는 발광 다이오드 패키지가 주로 사용된다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발광 다이오드 패키지는 상기에서 설명한 바와 같이, 발광 다이오드를 이용한 패키지를 도시한 도면이다. 종래의 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩 및 형광체층을 포함한다.
기판(11)은 발광 다이오드 패키지를 지지하고, 발광 다이오드 패키지는 기판(11) 상에 배치된다.
발광 다이오드 칩(12)은 기판(11) 상에 배치되며, 단색광을 방출한다. 이때, 종래의 발광 다이오드 패키지에 포함됨 발광 다이오드 칩(12)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩(12)에 대해 설명한다. 이때, 종래에 적색광을 방출하기 위해서는 청색광 또는 자외선을 적색광으로 파장변환하기 위해 발광 다이오드 칩(12)을 덮도록 적색 형광체층(13)이 배치된다. 여기서, 적색 형광체층(13)은 발광 다이오드 칩(12)에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출할 수 있다.
그런데, 후술하겠지만, 상기와 같은 종래의 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광은 적색광만 외부로 방출되지 않고, 일부의 청색광이 외부로 같이 방출되는 문제가 있다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도들이고, 도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2a 내지 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지들의 파장에 따른 광의 세기를 도시한 그래프들이다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 종래의 발광 다이오드 패키지는, 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지를 통해 외부로 방출되는 적색광에서 청색광이 함께 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 종래의 발광 다이오드 패키지이다.
도 2a에 도시된 발광 다이오드 패키지는, 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 적색광에서 청색광을 최소화하기 위해 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 배치된 형광체층(13)의 두께를 보다 두껍게 형성한 것이다.
이렇게 종래의 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광의 스펙트럼을 도 3a에 도시된 그래프를 통해 비교한다. 도 3a를 참조하면, 적색 형광체로, BR102Q를 이용하고, 형광체층(13)을 이루는 수지에 적색 형광체 BR102Q가 100% 포함된 형광체층(13)이 도 1에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것, 적색 형광체 BR102Q가 150% 포함된 형광체층(13)이 도 1에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것 그리고 적색 형광체 BR102Q가 150% 포함된 형광체층(13)이 도 2a에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것을 비교한다.
이를 통해 보면, 발광 다이오드 패키지의 형광체층(13)에 적색 형광체가 150% 이상 포함되거나, 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 배치된 형광체층(13)의 두께를 두껍게 하여 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광에 포함된 청색광을 줄일 수 있다.
하지만, 상기와 같이, 형광체층(13)에 포함된 형광체의 양을 늘리는 경우, 발광 다이오드 패키지의 생산성 및 작업성을 떨어뜨리는 단점이 있다. 또한, 형광체층(13)의 두께를 두껍게 하는 것은 제품의 사이즈가 커짐에 따라 발광 다이오드 패키지의 생산성 및 작업성이 떨어지고, 적색 구현의 한계가 있어 색 재현성(color gamut)이 떨어지는 단점이 있다.
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(12)의 양측에 벽부(15)를 배치하고, 벽부(15)와 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 형광체층(13)을 배치할 수 있다(Type A). 그리고 도 2c에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(12)의 전체를 덮도록 형광체층(13)을 배치하고, 형광체층(13)의 측면에 벽부(15)를 배치할 수도 있다(Type B). 그에 따라 발광 다이오드 칩(12)의 측면에서 방출되는 청색광이나 자외선을 차단하여, 발광 다이오드 패키지에서 청색광이나 자외선이 방출되는 것을 줄일 수 있다.
상기와 같이, 발광 다이오드 패키지의 구조를 변형하더라도 도 3b에 도시된 그래프와 같이, 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지(Type B)에서 방출되는 광에서만 청색광이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 두 가지 타입(Type A, B)은 모두, 적색을 구현하는 한계가 있으며, 색 재현성이 떨어지는 단점이 있으며, 형광체층(13)의 두께가 두꺼워지는 구조적 한계로 인해 발광 다이오드 패키지의 전체적인 크기가 커지는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 다이오드 패키지의 크기가 커지지 않으면서, 원하는 색 재현성을 가질 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및 상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함할 수 있다.
이때, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되며, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치될 수 있다.
그리고 상기 발광 다이오드 칩은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있으며, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 방출시킬 수 있다. 이때, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층을 통해 방출되는 광 중 청색광 또는 자외선을 차단할 수 있다.
여기서, 상기 컬러필터층의 두께는 0.5um 내지 3um일 수 있다.
그리고 상기 형광체층은 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩의 측면에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사하는 벽부를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩 및 벽부의 상부에 배치될 수 있고, 상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 접촉되게 배치될 수 있다.
또한, 상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 이격되게 배치될 수 있다. 그리고 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되고, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치되며, 상기 벽부는 상기 컬러필터층의 측면에 접촉되게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 벽부의 상면과 컬러필터층의 상면과 동일한 평면일 수 있다.
그리고 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm일 수 있다.
또한, 상기 컬러필터층은 스핀 코팅 방식으로 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 적색 발광 다이오드 칩을 사용하지 않고, 청색 발광 다이오드 칩이나 자외선 발광 다이오드 칩 및 형광체를 이용하여 적색광을 구현할 때, 적색광과 함께 청색광 또는 자외선이 같이 방출되는 것을 형광체층에 코팅한 컬러필터층으로 청색광 또는 자외선을 차단함으로써, 적색광만 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기와 같이, 컬러필터층을 이용함으로써, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 적색광의 적색 좌표 구현이 자유롭고, 퓨어 레드(pure red)부터 딥 레드(deep red)까지 원하는 적색을 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2a 내지 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지들의 파장에 따른 광의 세기를 도시한 그래프들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 종래의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 비교한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 백색광의 색좌표를 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130) 및 컬러필터층(140)을 포함한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 외부에서 공급된 전원에 의해 발광할 수 있다. 본 실시예에서 발광 다이오드 칩(120)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩(120)일 수 있고, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함할 수 있다.
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 각각 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있다.
n형 반도체층은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 그리고 활성층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 개재될 수 있으며, 다중 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다. 그리고 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.
본 실시예에서 발광 다이오드 칩(120)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 이용될 수 있다. 예컨대, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 적색광을 외부로 방출시키기 위한 것이므로, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 청색광 또는 자외선을 파장 변환할 필요가 있다. 그에 따라 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 형광체층(130)이 배치된다.
형광체층(130)은 내부에 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출시킬 수 있는 한 종류 이상의 형광체가 포함될 수 있다. 즉, 형광체층(130)은 한 종류 이상의 형광체와 한 종류 이상의 형광체를 담지하는 실리콘과 같은 담지체를 포함할 수 있다. 또한, 필요에 따라 형광체층(130)은 한 종류 이상의 형광체와 유리 알갱이 등이 압축 혼합되어 배치될 수 있다. 이때, 형광체층(130)에 포함되는 형광체는 질화물 또는 불화물 계열의 적색 형광체가 포함될 수 있다.
그리고 형광체층(130)을 덮도록 컬러필터층(140)이 배치될 수 있다. 컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당되는 광을 차단하기 위해 배치된다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)은 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 파장의 광을 차단할 수 있다. 즉, 예컨대, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 광의 피크 파장이 445nm 내지 455nm이면, 컬러필터는 455nm 이하의 광을 차단하고, 455nm 초과의 광을 투과할 수 있다.
컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 덮도록 배치되며, 스핀코팅에 의해 코팅될 수 있다. 그에 따라 스핀 속도(spin speed[rpm]) 및 코팅 시간(coating time)에 따라 원하는 두께로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 컬러필터층(140)의 스핀 속도는 3000 내지 6000rpm의 속도로 약 5 내지 90초 동안 코팅할 수 있다. 그에 따라 컬러필터층(140)의 두께는 0.5 내지 3um일 수 있다.
상기와 같은 컬러필터층(140)의 두께는 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 적색광의 피크 파장, 색좌표 및 광 손실 등을 고려하여 결정될 수 있다.
본 실시예에서, 발광 다이오드 패키지(100)의 제조 방법에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다.
기판(110) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 서로 이격된 상태로 배치하고, 복수의 발광 다이오드 칩(120) 전체를 덮도록 형광체층(130)을 배치한다. 이때, 형광체층(130)은 점성을 갖는 액상의 상태일 수 있으며, 각 발광 다이오드 칩(120)을 덮고, 복수의 발광 다이오드 칩(120)들 사이를 채우도록 배치될 수 있다. 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 배치된 형광체층(130)이 경화되면, 각 발광 다이오드 칩(120)을 구분할 수 있게 다이싱(dicing) 공정을 거친다. 이때, 형광체층(130)의 두께를 고려하여, 형광체층(130) 상부에 그라인딩(grinding) 공정이 추가될 수 있다.
이렇게 형광체층(130)이 배치된 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 컬러필터층(140)이 스핀 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 컬러필터층(140)의 코팅은 상기에서 설명한 바와 같이, 스핀 속도가 3000 내지 6000rpm의 속도로 약 5 내지 90초 동안 코팅되어, 약 0.5 내지 3um의 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 스핀 코팅을 통해 컬러필터층(140)이 형성된 이후, 추가로 다이싱 공정이 이루어져 컬러필터층(140)의 불필요한 부분을 제거할 수 있다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)을 스핀 코팅 공정을 통해 형성한 것에 대해 설명하였지만, 컬러필터층(140)은 다른 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 종래의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 비교한 그래프이다.
도 5a는 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)와 도 1에 도시된 종래의 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 도시한 그래프이다. 좀 더 자세히 설명하면, 도시된 그래프 중 #1 내지 #4는 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130) 및 컬러필터층(140)이 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광에 대한 그래프이고, #8은 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130)만 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광에 대한 그래프이다.
도시된 그래프 중 #1은 컬러필터층(140)이 스핀 속도 4500rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타내며, 도시된 그래프 중 #2는 컬러필터층(140)이 스핀 속도 6000rpm으로 90초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다. 그리고 도시된 그래프 중 #3은 컬러필터층(140)이 스핀 속도 6000rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타내고, 도시된 그래프 중 #4는 컬러필터층(140)이 스핀 속도 3000rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다.
또한, 도시된 그래프 중 #8은 컬러필터층(140)이 배치되지 않고, 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130)만 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다.
이를 통해 컬러필터층(140)이 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 적색광의 세기가 종래에 비해 다소 감소하는 것을 확인할 수 있지만, 청색광 대역의 파장에서 피크가 거의 나타나지 않는 것을 확인할 수 있다. 그에 따라 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 광에서 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광이 종래에 비해 현저하게 줄어든 것을 확인할 수 있다.
도 5b는 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광의 부분을 확대하여 도시한 그래프이다. 이를 통해 #8에 해당하는 종래의 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 광에 비해, #1 내지 #4에 해당하는 컬러필터층(140)을 포함하는 발광 다이오드 패키지(100)에서 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광이 줄어든 것을 보다 확실히 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 백색광의 색좌표를 도시한 그래프이다.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 이용하여 적색광을 구현하고, 이와 함께 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드 칩 및 녹색광을 방출하는 녹색 발광 다이오드 칩을 이용하여 백색광을 구현한 색좌표를 표준 색좌표 값들과 비교한 것을 도 6에 도시하였다. 도 6을 참조하면, 상기와 같이, 구성한 발광 다이오드 시스템은 청색 발광 다이오드 칩, 녹색 발광 다이오드 칩 및 적색 발광 다이오드 패키지(100)를 포함한다.
이러한 발광 다이오드 시스템의 CIE 색좌표는 BT2020 기준 대비 75%이고, NTSC 대비 101%이며, sRGB 대비 142%를 갖는 것을 확인할 수 있다. 그에 따라 각 표준 대비 색좌표 면적율을 높일 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130), 컬러필터층(140) 및 벽부(150)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 발광 다이오드 칩(120)의 측면을 감싸도록 벽부(150)가 배치된다. 이때, 벽부(150)는 발광 다이오드 칩(120)에 접촉된 상태로 배치될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(120)과 같은 높이로 배치될 수 있다. 벽부(150)는 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 투과되지 않고, 반사할 수 있게 백색으로 형성될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(120)은 발광 다이오드 칩(120)의 상부로 광이 방출될 수 있다.
형광체층(130)은 발광 다이오드 칩(120)의 상부 및 벽부(150)의 상부를 덮도록 배치될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(120)의 상부 방향으로 방출된 광은 형광체층(130)을 통해 파장 변환되어 외부로 방출될 수 있다.
그리고 컬러필터층(140)은 형광체층(130)의 상부에 배치될 수 있다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)은 형광체층(130)의 측면에는 배치되지 않고, 상부만 덮도록 배치되며, 형광체층(130)의 상부를 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당되는 광을 차단할 수 있다. 컬러필터층(140)은 일 실시예에서와 같이, 스핀 코팅을 통해 형성될 수 있으며, 방출되는 광의 피크 파장, 색좌표 및 광 손실 등을 고려하여 두께가 결정될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130), 컬러필터층(140) 및 벽부(150)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 형광체층(130)은 발광 다이오드 칩(120)의 측면과 상면을 덮도록 배치되며, 내부에 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
형광체층(130)을 덮도록 컬러필터층(140)이 배치될 수 있다. 컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당하는 광을 차단한다. 그리고 컬러필터층(140)의 측면을 감싸도록 벽부(150)가 배치된다. 이때, 벽부(150)는 컬러필터층(140)의 측면에 접촉되도록 배치되며, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 벽부(150)에서 반사되어 상부 측으로 방출될 수 있다.
여기서, 발광 다이오드 패키지(100)의 전체 크기를 고려하여, 발광 다이오드 칩(120)의 크기가 일 실시예에서보다 작은 크기를 가질 수 있다. 그에 따라 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)와 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)의 크기는 거의 유사할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드 패키지 110: 기판
120: 발광 다이오드 칩 130: 형광체층
140: 컬러필터층 150: 벽부

Claims (15)

  1. 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및
    상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되며,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치된 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩인 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층을 통해 방출되는 광 중 청색광 또는 자외선을 차단하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬러필터층의 두께는 0.5um 내지 3um인 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체층은 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩의 측면에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사하는 벽부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩 및 벽부의 상부에 배치된 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 접촉되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 이격되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되고,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치되며,
    상기 벽부는 상기 컬러필터층의 측면에 접촉되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 벽부의 상면과 컬러필터층의 상면과 동일한 평면인 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm인 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬러필터층은 스핀 코팅 방식으로 형성된 발광 다이오드 패키지.
KR1020170014861A 2017-02-02 2017-02-02 발광 다이오드 패키지 KR20180090002A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170014861A KR20180090002A (ko) 2017-02-02 2017-02-02 발광 다이오드 패키지
CN201880005226.7A CN110114892A (zh) 2017-02-02 2018-02-01 发光二极管封装件
US16/482,854 US11456401B2 (en) 2017-02-02 2018-02-01 Light emitting diode package
PCT/KR2018/001366 WO2018143681A1 (ko) 2017-02-02 2018-02-01 발광 다이오드 패키지
US17/875,358 US20220367761A1 (en) 2017-02-02 2022-07-27 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170014861A KR20180090002A (ko) 2017-02-02 2017-02-02 발광 다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180090002A true KR20180090002A (ko) 2018-08-10

Family

ID=63040911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170014861A KR20180090002A (ko) 2017-02-02 2017-02-02 발광 다이오드 패키지

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11456401B2 (ko)
KR (1) KR20180090002A (ko)
CN (1) CN110114892A (ko)
WO (1) WO2018143681A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210082963A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 경희대학교 산학협력단 백색광 구현 발광 패키지 및 이의 제조방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI814842B (zh) * 2019-06-17 2023-09-11 大陸商蘇州鐸力斯科技有限公司 白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置
CN114122219A (zh) * 2020-08-28 2022-03-01 群创光电股份有限公司 发光单元
TW202210605A (zh) * 2020-09-14 2022-03-16 李崇華 白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置
CN113659058B (zh) * 2021-08-20 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN115799434B (zh) * 2023-01-31 2023-05-12 天津德高化成新材料股份有限公司 一种健康照明背光源及其制备方法
CN116825929A (zh) * 2023-06-30 2023-09-29 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
ATE461511T1 (de) * 2005-04-15 2010-04-15 Koninkl Philips Electronics Nv Farbanzeigevorrichtung und betriebsverfahren dafür
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
US7564070B2 (en) 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
JP2009524914A (ja) * 2006-01-24 2009-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
KR100900620B1 (ko) * 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US8502130B2 (en) * 2008-12-22 2013-08-06 Candela Microsystems (S) Pte. Ltd. Light guide array for an image sensor
KR100984126B1 (ko) * 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
JPWO2011004795A1 (ja) * 2009-07-07 2012-12-20 シーシーエス株式会社 発光装置
US9293667B2 (en) * 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
DE112011100376T5 (de) * 2010-01-29 2012-11-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Verfahren zur herstellung einer licht aussendenden vorrichtung und licht aussendende vorrichtung
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
JP2011228673A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
KR20110115506A (ko) * 2010-04-15 2011-10-21 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함한 조명 장치 및 발광다이오드 패키지 제조방법
EP2378576A2 (en) 2010-04-15 2011-10-19 Samsung LED Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
KR20120063815A (ko) * 2010-12-08 2012-06-18 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
KR101268497B1 (ko) * 2011-10-17 2013-06-04 현병문 발광 다이오드 색변환 필터 및 이를 포함하는 발광 다이오드 모듈
KR20130017067A (ko) * 2011-11-04 2013-02-19 루미리치 주식회사 발광다이오드 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 램프
JP2013135082A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN103503182A (zh) * 2012-01-23 2014-01-08 松下电器产业株式会社 氮化物半导体发光装置
WO2013147195A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置、及び照明装置
US9634201B2 (en) * 2012-05-14 2017-04-25 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with nanostructured phosphor
JPWO2014084012A1 (ja) * 2012-11-30 2017-01-05 シャープ株式会社 散乱体基板
EP2927970B1 (en) * 2012-12-03 2017-08-30 Citizen Watch Co., Ltd. Led module
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
KR20150007885A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
CN103779375A (zh) 2014-02-19 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 全彩led显示面板及其制造方法、显示器
KR102191211B1 (ko) * 2014-02-28 2020-12-15 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2015133821A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
US9219240B1 (en) * 2014-06-27 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Protective layer(s) in organic image sensors
EP2988340B1 (en) * 2014-08-18 2017-10-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US10811572B2 (en) * 2014-10-08 2020-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
CN107534076B (zh) * 2015-04-27 2019-07-05 西铁城电子株式会社 Led封装体、发光装置以及led封装体的制造方法
KR20170000512A (ko) * 2015-06-24 2017-01-03 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20170003182A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US20170025589A1 (en) * 2015-07-22 2017-01-26 Epistar Corporation Light emitting structure and method for manufacturing the same
CN111048463A (zh) * 2015-07-23 2020-04-21 首尔半导体株式会社 显示装置制造方法
JP6660687B2 (ja) * 2015-07-30 2020-03-11 シチズン電子株式会社 半導体素子および発光装置
US9926488B2 (en) * 2015-08-14 2018-03-27 Epistar Corporation Phosphor
CN105047681B (zh) * 2015-08-24 2019-04-23 深圳市万中和科技有限公司 一种微型显示芯片的彩色像素结构
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
CN116469883A (zh) * 2016-04-01 2023-07-21 首尔半导体株式会社 显示模块和显示装置
US10332949B2 (en) * 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US10606121B2 (en) * 2016-09-12 2020-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US10199552B2 (en) * 2016-09-29 2019-02-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and electronic component
US11756937B2 (en) * 2017-02-13 2023-09-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
TW201910885A (zh) * 2017-07-27 2019-03-16 榮創能源科技股份有限公司 液晶顯示裝置
KR102650950B1 (ko) * 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
CN111165074B (zh) * 2017-09-29 2023-01-03 夏普株式会社 发光装置和显示装置
US10797027B2 (en) * 2017-12-05 2020-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device
TWI827639B (zh) * 2018-08-09 2024-01-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法
EP3851905A4 (en) * 2018-09-14 2022-06-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THEREOF
US11637258B2 (en) * 2019-07-26 2023-04-25 Nanosys, Inc. Display devices with different light sources
KR20220165280A (ko) * 2020-04-14 2022-12-14 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 협대역 발광 형광체 물질을 함유하는 잉크 조성물 및 필름
KR20210155576A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210082963A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 경희대학교 산학협력단 백색광 구현 발광 패키지 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200013931A1 (en) 2020-01-09
WO2018143681A1 (ko) 2018-08-09
US11456401B2 (en) 2022-09-27
CN110114892A (zh) 2019-08-09
US20220367761A1 (en) 2022-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180090002A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20180090006A (ko) 발광 다이오드 유닛
US10978614B2 (en) Light-emitting device
JP3645422B2 (ja) 発光装置
US7279350B2 (en) White-light emitting devices and methods for manufacturing the same
US20230231085A1 (en) Wide color gamut light-emitting element
US6933535B2 (en) Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
JP5209881B2 (ja) リードフレーム及びこれを用いた発光素子パッケージ
US20160233393A1 (en) Light emitting device
KR100799859B1 (ko) 백색 발광 소자
EP3120394B1 (en) Heavily phosphor loaded led package
KR100901369B1 (ko) 백색 발광다이오드 칩 및 그 제조 방법
US20170162762A1 (en) Encapsulant modification in heavily phosphor loaded led packages for improved stability
US9837585B2 (en) Light emitting device
US7999274B2 (en) White light emitting device
JP2007080864A (ja) 発光装置
TW201543713A (zh) 用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法
JP2008041807A (ja) 白色光源
TW201320411A (zh) 光電半導體組件及具有複數此種組件的模組
US9923119B2 (en) White LED chip and white LED packaging device
KR20150055810A (ko) 청색 광원과 형광체를 이용한 초고연색 백색 발광 조명용 소자
JP2006319061A (ja) 半導体発光装置
CN105489731A (zh) 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构
CN205428992U (zh) 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构
KR20160081091A (ko) 형광체 혼합체 및 이를 포함하는 백색 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal