CN105489731A - 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构 - Google Patents

一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构 Download PDF

Info

Publication number
CN105489731A
CN105489731A CN201510863434.9A CN201510863434A CN105489731A CN 105489731 A CN105489731 A CN 105489731A CN 201510863434 A CN201510863434 A CN 201510863434A CN 105489731 A CN105489731 A CN 105489731A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
photoresist
infrared light
near infrared
chip structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510863434.9A
Other languages
English (en)
Inventor
郝锐
易翰翔
刘洋
许徳裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Deli Photoelectric Co ltd
Original Assignee
Guangdong Deli Photoelectric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Deli Photoelectric Co ltd filed Critical Guangdong Deli Photoelectric Co ltd
Priority to CN201510863434.9A priority Critical patent/CN105489731A/zh
Publication of CN105489731A publication Critical patent/CN105489731A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Abstract

本发明公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，LED晶圆外覆盖有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点，所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力优秀，使光阻层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，降低制造成本；同时由于光阻层内带有GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线。

Description

一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构
技术领域
本发明涉及LED领域，具体涉及一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构。
背景技术
LED灯是现在广泛应用的照明灯具，具有体积小、亮度高、耗电量低、发热少、使用寿命长、环保等优点，并且具有繁多的颜色种类，深受消费者的喜爱。其中白光和黄光的LED灯主要用于日常照明。
LED灯的生产可大致分为三个步骤：一是LED发光芯片的制作，二是线路板的制作和LED发光芯片的封装，三是LED灯的组装。LED灯内最重要的部件是LED发光芯片，LED发光芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、P型半导体和夹在两者之间的发光层组成，N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极，并在通电后发光。LED发光芯片发出的光线颜色主要由芯片材料决定，如现有的LED发光芯片大多采用氮化镓半导体材料制作，发出蓝光。采用蓝光LED发光芯片制作其他的单色LED灯时，需要在封装步骤中掺入荧光粉，荧光粉受激发后发出的光与LED发光芯片的蓝光混合后成为其他颜色的光线。
此外，现有的LED发光芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层（SiO2层），起保护作用，光阻层（由光刻胶形成）设置在钝化层外。由于现有的LED发光芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，增加成本；同时，由于SiO2是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对芯片主体进行保护，同时在光阻层内掺入量子点，调节LED发光芯片发出的光线，使其接近红外光。
本发明为解决其技术问题采用的技术方案是：
一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层，所述光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有量子点,所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。
作为上述技术方案的进一步改进，所述量子点还包括PbS、CdTe、CdS中的任意一种或几种材料。
作为上述技术方案的进一步改进，所述N-GaN层和P-GaN层上分别设置有金属电极，所述光阻层上设置有使金属电极外露的缺口。
本发明的有益效果是：
本发明采用掺有量子点的光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线，可实现氮化镓LED芯片发近红外光的功能。
附图说明
以下结合附图和实例作进一步说明。
图1是本发明的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构的结构示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明提供的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底10，所述衬底10上由下至上依次设置有N-GaN层20、发光层30和P-GaN层40，形成LED晶圆，其中N-GaN层20部分暴露在发光层30外。所述N-GaN层20的暴露区上设置有与电源负极连接的金属电极52，P-GaN层40上设置有与电源正极连接的金属电极51。本实施例的LED晶圆采用氮化镓基材料制作，通电激发后发出蓝光或绿光。
LED晶圆外设置有光阻层60，光阻层60是将预先掺有量子点的透明绝缘的光刻胶涂抹在LED晶圆外，再通过曝光形成，光阻层60上设置有使金属电极51、52外露的缺口。
光刻胶中所添加的量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。
进一步，所述量子点还可以包括PbS、CdTe、CdS中的任意一种或几种。
本发明采用掺有量子点的光刻胶制成的光阻层60覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，因此光阻层60可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层60内带有GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线，可实现氮化镓LED芯片发近红外光的功能。
以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N-GaN层（20）、发光层（30）和P-GaN层（40），形成LED晶圆，所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有量子点,所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：所述量子点还包括PbS、CdTe、CdS中的任意一种或几种材料。
3.根据权利要求2所述的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：所述N-GaN层（20）和P-GaN层（40）上分别设置有金属电极（51；52），所述光阻层（60）上设置有使金属电极（51；52）外露的缺口。
CN201510863434.9A 2015-11-30 2015-11-30 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构 Pending CN105489731A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510863434.9A CN105489731A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510863434.9A CN105489731A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105489731A true CN105489731A (zh) 2016-04-13

Family

ID=55676589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510863434.9A Pending CN105489731A (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105489731A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115011329A (zh) * 2022-06-29 2022-09-06 苏州科技大学 一种超宽带高亮度绿色环保短波红外发射的光源材料及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1812092A (zh) * 2004-12-10 2006-08-02 安捷伦科技有限公司 具有量子点光转换的闪光模块
US20100078667A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Wei-Kang Cheng Light-emitting diode
CN101894892A (zh) * 2009-05-21 2010-11-24 沈育浓 发光二极管晶元封装体及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1812092A (zh) * 2004-12-10 2006-08-02 安捷伦科技有限公司 具有量子点光转换的闪光模块
US20100078667A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Wei-Kang Cheng Light-emitting diode
CN101894892A (zh) * 2009-05-21 2010-11-24 沈育浓 发光二极管晶元封装体及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115011329A (zh) * 2022-06-29 2022-09-06 苏州科技大学 一种超宽带高亮度绿色环保短波红外发射的光源材料及其制备方法与应用
CN115011329B (zh) * 2022-06-29 2023-09-08 苏州科技大学 一种超宽带高亮度绿色环保短波红外发射的光源材料及其制备方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7329907B2 (en) Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US6744196B1 (en) Thin film LED
KR101265094B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2020535651A (ja) 改善された暖白色点を有する発光デバイス
CN102130143B (zh) 白色led芯片及其形成方法
US8053798B2 (en) Light emitting device
KR100901369B1 (ko) 백색 발광다이오드 칩 및 그 제조 방법
CN205231113U (zh) 一种采用光刻胶作保护层的led白光芯片
CN105489731A (zh) 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构
KR100657137B1 (ko) 티오갈레이트계 녹색 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 적색 형광체를 채용한 백색 발광 소자
CN105355749A (zh) 一种全彩氮化镓基led芯片结构
JP2004103814A (ja) 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置
CN205428992U (zh) 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构
KR20110052262A (ko) 백색 발광 장치
TW201616687A (zh) 覆晶式led封裝體
CN105489740A (zh) 一种含量子点的led芯片结构
JP2008227550A (ja) 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置
KR20150051780A (ko) 고연색성 및 고효율 발광모듈
KR102579649B1 (ko) 발광장치
CN205282497U (zh) 一种全彩氮化镓基led芯片结构
CN105489730A (zh) 一种采用光刻胶作保护层的led白光芯片
KR101068867B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100594419B1 (ko) 백색 발광소자
CN205542861U (zh) 一种含量子点的led芯片结构
KR102282944B1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160413