KR20180090006A - 발광 다이오드 유닛 - Google Patents

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홍승식
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 유닛에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛은, 기판 상에 배치되며, 청색광을 외부로 방출하는 청색 발광 다이오드 패키지; 기판 상에 배치되고, 적색광을 외부로 방출하는 적색 발광 다이오드 패키지; 및 기판 상에 배치되며, 녹색광을 외부로 방출하는 녹색 발광 다이오드 패키지를 포함하고, 상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 측면으로 광이 방출되지 않도록 벽부를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 각 발광 다이오드 패키지에 포함된 발광 다이오드 칩의 측면에 벽부가 배치되어 측면으로 방출되어 손실되는 광을 최소화하여 각 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광을 원하는 색으로 혼합할 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 유닛{LIGHT EMITTING DIODE UNIT}
본 발명은 발광 다이오드 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 발광 다이오드 칩을 이용하여 백색광을 방출하는 발광 다이오드 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명 등과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있으며, 이러한 장점으로 인해 기존의 광원을 빠르게 대치해 가고 있다.
발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현하는 방법은 다양한데, 그 중 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드, 적색광을 방출하는 적색 발광 다이오드 및 녹색광을 방출하는 녹색 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도들이다. 도 1의 (a) 내지 도 1의 (c)는 청색광, 적색광 및 녹색광을 각각 방출하는 발광 다이오드(22, 24, 26)를 이용한 것을 각각 도시한 것이다.
이때, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 파장변환을 하지 않고, 청색 발광 다이오드(22), 적색 발광 다이오드(24) 및 녹색 발광 다이오드(26)를 이용할 수 있다. 그런데, 적색 발광 다이오드(24)의 경우, 제조단가 및 수율 등의 문제로 인해 제조가 쉽지 않은 단점이 있다. 그에 따라 적색 발광 다이오드(24) 대신, 청색 발광 다이오드(22)를 이용하여 적색광을 구현할 수 있다.
도 1의 (b)에 도시된 도면이, 청색 발광 다이오드(22a)를 파장변환하여 적색광을 방출시키는 것을 도시한 도면이다. 즉, 청색 발광 다이오드(22a)를 덮도록 적색 형광부(50)가 배치된다. 적색 형광부(50)는 청색 발광 다이오드(22a)에서 방출되는 청색광을 파장 변환하여 외부로 적색광을 방출하도록 내부에 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또한, 필요에 따라 녹색 발광 다이오드(26)도 이용하지 않을 수 있다. 도 1의 (c)에 도시된 도면이 청색 발광 다이오드(22, 22a)를 이용하여, 청색광, 적색광 및 녹색광을 방출시키는 것을 도시한 도면이다. 즉, 녹색광을 방출하기 위해 청색 발광 다이오드(22a)를 덮도록 녹색 형광부(52)가 배치된다. 녹색 형광부(52)는 청색 발광 다이오드(22a)에서 방출되는 청색광을 파장 변환하여 외부로 녹색광을 방출하도록 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
하지만, 도 1에 도시된 종래의 발광 다이오드 유닛은 각 발광 다이오드에서 상면 및 측면으로 방출됨에 따라 각 발광 다이오드에서 방출된 광에 대한 혼합이 원하는 색으로 구현하는 것이 쉽지 않은 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 각 발광 다이오드에서 방출된 광의 혼합하여 색 밸런스(color balance)를 쉽게 조절할 수 있는 발광 다이오드 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛은, 기판 상에 배치되며, 청색광을 외부로 방출하는 청색 발광 다이오드 패키지; 기판 상에 배치되고, 적색광을 외부로 방출하는 적색 발광 다이오드 패키지; 및 기판 상에 배치되며, 녹색광을 외부로 방출하는 녹색 발광 다이오드 패키지를 포함하고, 상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 측면으로 광이 방출되지 않도록 벽부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 청색 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 칩, 상기 청색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제1 투명부 및 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제1 벽부를 포함하고, 상기 녹색 발광 다이오드 패키지는, 녹색 발광 다이오드 칩, 상기 녹색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제2 투명부 및 상기 녹색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제2 벽부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 적색 발광 다이오드 칩, 상기 적색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제3 투명부 및 상기 적색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제3 벽부를 포함할 수 있다.
또는, 상기 청색 발광 다이오드 패키지에 포함된 청색 발광 다이오드 칩은 제1 청색 발광 다이오드 칩이고, 상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 제2 청색 발광 다이오드 칩; 상기 제2 청색 발광 다이오드 칩을 덮도록 배치되며, 상기 제2 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광부; 상기 형광부를 덮도록 배치되고, 상기 형광부에서 방출된 광에서 청색광을 차단하는 컬러필터부; 및 상기 컬러필터부의 측면을 둘러싸도록 배치된 제3 벽부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 벽부와 제3 벽부는 하나로 연장되고, 상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 적색 발광 다이오드 패키지는 하나로 연장된 벽부에 의해 둘러싸일 수 있다.
그리고 상기 제1 벽부와 제2 벽부는 하나로 연장되고, 상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 하나로 연장된 벽부에 의해 둘러싸일 수 있다.
여기서, 상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 서로 이격 배치될 수 있다.
그리고 상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 상기 벽부의 측면을 둘러싸는 검정색의 제2 벽부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 청색 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 칩, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제1 벽부 및 상기 청색 발광 다이오드 칩 및 제1 벽부의 상부에 배치된 제1 투명부를 포함하고, 상기 녹색 발광 다이오드 패키지는, 녹색 발광 다이오드 칩, 상기 녹색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제2 벽부 및 상기 녹색 발광 다이오드 칩 및 제2 벽부의 상부에 배치된 제2 투명부를 포함할 수 있다.
그리고 상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 적색 발광 다이오드 칩, 상기 적색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제3 벽부 및 상기 적색 발광 다이오드 칩 및 제3 벽부의 상부에 배치된 제3 투명부를 포함할 수 있다.
또는, 상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 칩; 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸도록 배치된 제3 벽부; 상기 청색 발광 다이오드 칩 및 제3 벽부의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광부; 및 상기 형광부를 덮도록 배치되고, 상기 형광부에서 방출된 청색광을 차단하는 컬러필터부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 벽부와 제2 벽부는 하나로 연장되고, 상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 한로 연장된 벽부에 의해 둘러싸일 수 있다.
또한, 상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 상기 벽부의 측면을 둘러싸는 검정색의 제4 벽부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 각 발광 다이오드 패키지에 포함된 발광 다이오드 칩의 측면에 벽부가 배치되어 측면으로 방출되어 손실되는 광을 최소화하여 각 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광을 원하는 색으로 혼합할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 유닛을 도시한 도면들이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛에 포함된 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛에 포함된 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제14 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 제15 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은 기판(110), 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다.
기판(110)은 각 발광 다이오드 패키지를 지지하기 위해 구비되며, 기판(110) 상에 복수의 발광 다이오드 패키지가 배치될 수 있다. 그리고 기판(110) 상에 각 발광 다이오드 패키지와 전기적으로 연결되기 위한 복수의 단자가 구비될 수 있으며, 복수의 단자를 통해 각 발광 다이오드 패키지에 외부의 전원을 공급할 수 있다.
본 실시예에서 기판(110) 상에 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)의 순서로 배치된 것으로 설명하지만, 이러한 배치 순서는 필요에 따라 달라질 수 있다.
청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 각각 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포함한다. 그리고 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 각각 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 더 포함할 수 있다.
이때, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 각각 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광구조체를 포함할 수 있다.
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 각각 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있다.
n형 반도체층은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 그리고 활성층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 개재될 수 있으며, 다중 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다. 그리고 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.
또한, 본 실시예에서, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 각각 플립칩 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126) 각각은 발광구조체의 하부에 n형 전극패드 및 p형 전극패드가 배치될 수 있다. 이때, n형 전극패드는 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 전극패드는 p형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 동일한 구조를 가지므로, 청색 발광 다이오드 패키지(112)를 기준으로 설명한다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다.
제1 청색 발광 다이오드 칩(122)은 기판(110) 상에 배치되며, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 상부에 투명부(130)가 배치된다. 투명부(130)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 광을 투과할 수 있게 투명한 소재가 이용될 수 있으며, 실리콘이나 에폭시 등이 이용될 수 있다. 그리고 투명부(130)에 의해 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 외부로 직접 노출되는 것을 방지할 수 있다.
제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 투명부(130)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 투명부(130)의 측면에 접촉된 상태로 배치될 수 있으며, 광 손실이 적고 반사율이 높은 소재가 이용될 수 있다.
상기와 같이, 투명부(130)와 제1 벽부(140)가 배치됨에 따라 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 발생된 광이 상부 방향으로 투명부(130)를 통해 외부로 방출되고, 측면에 배치된 제1 벽부(140)에서 반사되어 상부 방향으로 방출될 있다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함하고, 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)의 구조는 청색 발광 다이오드 패키지(112)의 구성과 동일하다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛에 포함된 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3을 참조하여, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해 설명하며, 청색 발광 다이오드 패키지(112)를 제조하는 것을 일례로 설명한다. 본 실시예에 따른 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 청색 발광 다이오드 패키지(112)의 제조 방법과 동일하여 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 3의 (a)를 참조하면, 제조기판(110a) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)을 소정의 간격이 이격된 상태로 배치한다. 그리고 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 제조기판(110a) 상에 배치된 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)을 모두 덮도록 투명물질을 도포한다. 투명물질은 실리콘이나 에폭시 등일 수 있으며, 점성이 높은 액상의 형태일 수 있다. 도포된 투명물질이 경화된 다음, 각 발광 다이오드 칩을 기준으로 다이싱(dicing) 공정을 통해 발광 다이오드 칩들 사이에 위치한 투명물질을 제거한다. 그리고 다이싱 공정 이후 발광 다이오드 칩 상에 남은 투명물질을 그라인딩(grinding)하여 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩 상에 투명부(130)를 형성한다.
발광 다이오드 칩 상에 투명부(130)가 형성되면, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 벽부(140)를 형성하기 위한 벽부물질을 도포한다. 벽부물질은 광 손실이 적고, 반사율이 높은 소재가 이용될 수 있으며, 도팅(dotting) 또는 프린팅(printing) 공정으로 형성될 수 있다. 이때, 벽부물질은 투명부(130)가 상부에 배치된 발광 다이오드 칩의 상부 및 측면 전체를 덮도록 형성될 수 있다.
벽부물질이 경화되면, 다이싱 공정을 통해 각 발광 다이오드 칩을 기준으로 분리하고, 상면을 그라인딩하여 투명부(130)의 높이에 맞게 제1 벽부(140)를 형성할 수 있다. 이러한 공정을 통해 제1 벽부(140)는 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩과 투명부(130)의 측면에 접하고 소정의 두께를 가지도록 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 기판(110), 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다. 이때, 청색 발광 다이오드 패키지(112) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 제1 실시예에서 설명한 바와 동일하며, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)의 배치 구조도 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a), 형광부(150), 컬러필터부(160) 및 제1 벽부(140)를 포함한다.
제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)은 제1 실시예에서 설명한 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 동일할 수 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 적색 발광 다이오드 패키지(114)에 포함된 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)의 크기가 청색 발광 다이오드 패키지(112)에 포함된 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 크기보다 작을 수 있다.
이렇게 본 실시예에 따른 적색 발광 다이오드 패키지(114)에 포함된 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)의 크기가 작더라도 그 구조는 제1 실시예에서 설명한 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 구조와 동일할 수 있다.
형광부(150)는 기판(110) 상에 배치된 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)의 상면 및 측면을 덮도록 배치된다. 형광부(150)는 형광부(150)로 입사된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출시킬 수 있는 한 종류 이상의 형광체가 포함될 수 있다. 즉, 형광부(150)는 한 종류의 이상의 형광체와 한 종류 이상의 형광체를 담지하는 실리콘과 같은 담지체를 포함할 수 있다. 또는, 필요에 따라 형광부(150)는 한 종류 이상의 형광체와 유리 알갱이 등이 압축 혼합되어 배치될 수 있다. 이때, 형광부(150)에 포함되는 형광체는 질화물 또는 불화물 계열의 적색 형광체일 수 있다.
그리고 형광부(150)를 덮도록 컬러필터부(160)가 배치될 수 있다. 컬러필터부(160)는 형광부(150)를 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당되는 광을 차단하기 위해 배치된다. 본 실시예에서 컬러필터부(160)는 발광 다이오드 칩에서 방출되는 파장의 광을 차단할 수 있다. 즉, 본 실시예에서 컬러필터부(160)는 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)에서 방출된 청색광을 차단할 수 있다.
제1 벽부(140)는 컬러필터부(160)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 벽부(140)는 컬러필터부(160)의 측면에 접촉된 상태로 배치될 수 있고, 광 손실이 적고 반사율이 높은 소재가 이용될 수 있다.
그에 따라 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)에서 방출된 적색광은 형광부(150) 및 컬러필터부(160)를 통해 외부로 적색광이 상부 방향으로 방출될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛에 포함된 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 패키지(112) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)의 제조 방법은 제1 실시예에서와 동일하게 그에 대한 설명은 생략한다. 그리고 적색 발광 다이오드 패키지(114)의 제조 방법은 도 5에 도시된 도면들을 참조하여 설명한다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제조기판(110a) 상에 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)이 소정의 간격으로 배치된다. 그리고 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a) 전체를 덮도록 형광물질이 도포된다. 이때, 형광물질은 점성이 높은 실리콘이나 에폭시 등이 이용될 수 있다. 도포된 형광물질이 경화되면, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩들을 기준으로 다이싱 공정을 통해 분리되어 각 발광 다이오드 칩을 덮도록 형광부(150)가 형성된다. 여기서, 필요에 따라 형광부(150) 상부를 그라인딩 공정을 통해 평탄화할 수 있다.
이렇게 형광부(150)가 형성된 다음, 도 5의 (d)와 같이, 컬러필터부(160)가 코팅된다. 컬러필터부(160)는 스핀코팅 공정을 통해 코팅될 수 있다. 이때 컬러필터부(160)의 두께는 필요에 따라 조절될 수 있으며, 컬러필터부(160)는 형광부(150)의 측면 및 상면을 덮도록 형성될 수 있다.
컬러필터부(160)가 형성되면, 도 5의 (e)에 도시된 바와 같이, 제1 벽부(140)를 형성하기 위한 벽부물질을 도포한다. 벽부물질은 광 손실이 적고, 반사율이 높은 소재가 이용된다. 벽부물질이 경화되면, 다이싱 공정을 통해 각 발광 다이오드 칩을 기준으로 분리하고, 상면을 그라인딩하여 컬러필터부(160)의 높이에 맞게 제1 벽부(140)를 형성할 수 있다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는 각각 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 녹색 발광 다이오드 패키지(116) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함한다. 녹색 발광 다이오드 패키지(116) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)는 기판(110) 상에 서로 이격된 상태로 배치된다. 여기서, 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 제1 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
혼한 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 패키지(112)와 적색 발광 다이오드 패키지(114)가 하나의 패키지로 형성된 것으로, 제1 벽부(140)를 서로 공유한다. 즉, 일 측에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 상부에 투명부(130)가 배치된다.
그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 이격된 상태로, 작은 크기의 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)이 배치되고, 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a)을 덮도록 형광부(150)가 배치되며, 형광부(150)를 덮도록 컬러필터부(160)가 배치된다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 컬러필터부(160)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 컬러필터부(160)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다.
이렇게 외부로 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드 패키지(112)와 외부로 적색광을 방출하는 적색 발광 다이오드 패키지(114)가 하나의 혼합 발광 다이오드 패키지(118)로 배치됨에 따라 기판(110) 상에 각 발광 다이오드 패키지(116, 118)를 실장하는 공정 횟수를 줄여 공정 시간을 단축할 수 있다.
도 7의 (a) 및 도 7의 (b)는 각각 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도 및 평면도이다.
도 7의 (a) 및 도 7의 (b)를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함한다. 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)는 기판(110) 상에 서로 이격된 상태로 배치되며, 적색 발광 다이오드 패키지(114)는 제2 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에서의 혼한 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 패키지(112)와 녹색 발광 다이오드 패키지(116)가 하나의 패키지로 형성된 것으로, 제1 벽부(140)를 서로 공유한다. 즉, 일 측에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 이격된 상태로 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치된다.
그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126) 상부에 각각 투명부(130)가 배치되며, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드와 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다.
이렇게 외부로 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드 패키지(112)와 외부로 녹색광을 방출하는 녹색 발광 다이오드 패키지(116)가 하나의 혼합 발광 다이오드 패키지(118)로 배치됨에 따라 각 발광 다이오드 패키지(114, 118)를 실장하는 공정 횟수를 줄여 공정 시간을 단축할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 기판(110), 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다. 그리고 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 각각 기판(110) 상에서 이격된 상태로 배치된다.
본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 패키지(112)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 그리고 적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다.
청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 모두 동일한 구조를 가진다. 그에 따라 청색 발광 다이오드 패키지(112)의 구조에 대해서만 설명한다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는, 기판(110) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 상부에 투명부(130)가 배치된다. 그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 투명부(130)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 이 상태에서 제2 벽부(170)가 제1 벽부(140)를 둘러싸도록 배치된다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)는 제1 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
제2 벽부(170)는 제1 벽부(140)의 외측에 배치되며, 검정색으로 형성될 수 있다. 이렇게 검정색의 제2 벽부(170)가 배치됨에 따라 각 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광의 콘트라스트(contrast)가 향상될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 기판(110), 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다.
본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 패키지(112) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 제5 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a), 형광부(150), 컬러필터부(160), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 제2 청색 발광 다이오드 칩(122a), 형광부(150), 컬러필터부(160) 및 제1 벽부(140)는 제2 실시예에서 설명한 바와 동일하다. 제2 벽부(170)는 제1 벽부(140)를 둘러싸도록 제1 벽부(140)의 외측에 배치된다. 이렇게 검정색의 제2 벽부(170)가 배치됨에 따라 각 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광의 콘트라스트가 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 기판(110), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함하고, 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)는 서로 이격된 상태로 배치된다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는 제6 실시예에서와 동일하여 자세한 설명은 생략한다.
혼합 발광 다이오드 패키지(118)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다.
제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 서로 이격된 상태로 배치되며, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126) 상부에 각각 투명부(130)가 배치된다. 그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 감싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 그리고 제1 벽부(140)의 외측을 둘러싸도록 제2 벽부(170)가 배치된다. 이때, 혼합 발광 다이오드 패키지(118)의 제1 벽부(140)는 제4 실시예에서와 동일하며, 제2 벽부(170)는 제 5 실시예에서와 동일한 소재가 이용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 11을 참조하며, 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다. 그리고 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 이때, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키는 각각 동일한 구조를 가질 수 있어, 청색 발광 다이오드 패키지(112)에 대해서만 설명한다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 높이와 동일한 높이를 가지도록 배치될 수 있다.
그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 제1 벽부(140)의 상부를 덮도록 투명부(130)가 배치될 수 있다.
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함하고, 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서 청색 발광 다이오드 패키지(112) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 제8 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 형광부(150), 컬러필터부(160) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 기판(110) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 동일한 높이를 가질 수 있다. 형광부(150)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 제1 벽부(140)의 상부를 덮도록 배치된다. 형광부(150)는 앞서 다른 실시예에서와 같이, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출할 수 있다.
그리고 형광부(150)의 상부 전체를 덮도록 컬러필터부(160)가 배치될 수 있다. 컬러필터부(160)는 앞선 실시예에서와 동일하게 형광부(150)를 통해 방출된 광에서 청색광을 차단하기 위해 구비된다.
도 13은 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 녹색 발광 다이오드 패키지(116) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함한다. 이때, 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 제8 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
혼합 발광 다이오드 패키지(118)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 적색 발광 다이오드 칩(124)이 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 적색 발광 다이오드 칩(124)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 적색 발광 다이오드 칩(124)의 측면을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 적색 발광 다이오드 칩(124)과 동일한 높이를 가질 수 있다.
투명부(130)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 제1 벽부(140)의 상면을 덮도록 배치된다.
도 14는 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함하고, 서로 이격된 상태로 배치된다.
본 실시예에서 적색 발광 다이오드 패키지(114)는 제9 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
혼합 발광 다이오드 패키지(118)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130) 및 제1 벽부(140)를 포함한다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 측면을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)과 동일한 높이를 가질 수 있다.
투명부(130)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 제1 벽부(140)의 상면을 덮도록 배치된다.
도 15는 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함한다. 그리고 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 이때, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키는 각각 동일한 구조를 가질 수 있어, 청색 발광 다이오드 패키지(112)에 대해서만 설명한다.
청색 발광 다이오드 패키지(112)는 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 높이와 동일한 높이를 가지도록 배치될 수 있다. 그리고 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 제1 벽부(140)의 상부를 덮도록 투명부(130)가 배치될 수 있다.
또한, 상기와 같이, 투명부(130)가 배치된 상태에서 투명부(130) 및 제1 벽부(140)의 측면을 둘러싸도록 제2 벽부(170)가 배치된다. 이때, 제2 벽부(170)는 앞선 실시예에서와 동일하며, 투명부(130)의 상면과 동일한 높이를 가질 수 있다.
도 16은 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 청색 발광 다이오드 패키지(112), 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)를 포함하고, 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서 청색 발광 다이오드 패키지(112) 및 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는 제12 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
적색 발광 다이오드 패키지(114)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 형광부(150), 컬러필터부(160), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 기판(110) 상에 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)이 배치되고, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면을 둘러싸도록 제1 벽부(140)가 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 동일한 높이를 가질 수 있다. 형광부(150)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 제1 벽부(140)의 상부를 덮도록 배치된다. 형광부(150)는 앞서 다른 실시예에서와 같이, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출할 수 있다.
그리고 형광부(150)의 상부 전체를 덮도록 컬러필터부(160)가 배치될 수 있다. 컬러필터부(160)는 앞선 실시예에서와 동일하게 형광부(150)를 통해 방출된 광에서 청색광을 차단하기 위해 구비된다. 상기와 같이, 컬러필터부(160)가 배치된 상태에서, 형광부(150), 컬러필터부(160) 및 제1 벽부(140)의 측면을 둘러싸도록 제2 벽부(170)가 배치된다. 이때, 제2 벽부(170)의 높이는 컬러필터부(160)의 높이와 같을 수 있다.
도 17은 본 발명의 제14 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 본 발명의 제14 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 녹색 발광 다이오드 패키지(116) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함한다. 이때, 녹색 발광 다이오드 패키지(116)는, 제12 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
혼합 발광 다이오드 패키지(118)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 적색 발광 다이오드 칩(124)이 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 적색 발광 다이오드 칩(124)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 적색 발광 다이오드 칩(124)의 측면을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 적색 발광 다이오드 칩(124)과 동일한 높이를 가질 수 있다.
투명부(130)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 칩(124) 및 제1 벽부(140)의 상면을 덮도록 배치된다. 그리고 제2 벽부(170)는 투명부(130) 및 제1 벽부(140)의 측면을 둘러싸도록 배치되며, 제2 벽부(170)의 높이는 투명부(130)의 상면과 동일한 높이를 가질 수 있다.
도 18은 본 발명의 제15 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛을 도시한 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 제15 실시예에 따른 발광 다이오드 유닛(100)은, 적색 발광 다이오드 패키지(114) 및 혼합 발광 다이오드 패키지(118)를 포함하고, 서로 이격된 상태로 배치된다.
본 실시예에서 적색 발광 다이오드 패키지(114)는 제13 실시예에서와 동일하여 그에 대한 설명은 생략한다.
혼합 발광 다이오드 패키지(118)는, 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126), 투명부(130), 제1 벽부(140) 및 제2 벽부(170)를 포함한다. 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 서로 이격된 상태로 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 사이 및 제1 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 측면을 둘러싸도록 배치된다. 이때, 제1 벽부(140)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)과 동일한 높이를 가질 수 있다.
투명부(130)는 제1 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 제1 벽부(140)의 상면을 덮도록 배치된다. 그리고 제2 벽부(170)는 투명부(130) 및 제1 벽부(140)의 측면을 둘러싸도록 배치되며, 제2 벽부(170)의 높이는 투명부(130)의 상면과 동일한 높이를 가질 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드 유닛
110: 기판
112: 청색 발광 다이오드 패키지
114: 적색 발광 다이오드 패키지
116: 녹색 발광 다이오드 패키지
118: 혼합 발광 다이오드 패키지
122: 제1 청색 발광 다이오드 칩
122a: 제2 청색 발광 다이오드 칩
124: 적색 발광 다이오드 칩
126: 녹색 발광 다이오드 칩
130: 투명부 140: 제1 벽부
150: 형광부 160: 컬러필터부
170: 제2 벽부

Claims (13)

  1. 기판 상에 배치되며, 청색광을 외부로 방출하는 청색 발광 다이오드 패키지;
    기판 상에 배치되고, 적색광을 외부로 방출하는 적색 발광 다이오드 패키지; 및
    기판 상에 배치되며, 녹색광을 외부로 방출하는 녹색 발광 다이오드 패키지를 포함하고,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 측면으로 광이 방출되지 않도록 벽부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 칩, 상기 청색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제1 투명부 및 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제1 벽부를 포함하고,
    상기 녹색 발광 다이오드 패키지는, 녹색 발광 다이오드 칩, 상기 녹색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제2 투명부 및 상기 녹색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제2 벽부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 적색 발광 다이오드 칩, 상기 적색 발광 다이오드 칩 상부에 배치된 제3 투명부 및 상기 적색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제3 벽부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지에 포함된 청색 발광 다이오드 칩은 제1 청색 발광 다이오드 칩이고,
    상기 적색 발광 다이오드 패키지는,
    제2 청색 발광 다이오드 칩;
    상기 제2 청색 발광 다이오드 칩을 덮도록 배치되며, 상기 제2 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광부;
    상기 형광부를 덮도록 배치되고, 상기 형광부에서 방출된 광에서 청색광을 차단하는 컬러필터부; 및
    상기 컬러필터부의 측면을 둘러싸도록 배치된 제3 벽부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 벽부와 제3 벽부는 하나로 연장되고,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 적색 발광 다이오드 패키지는 하나로 연장된 벽부에 의해 둘러싸인 발광 다이오드 유닛.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 벽부와 제2 벽부는 하나로 연장되고,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 하나로 연장된 벽부에 의해 둘러싸인 발광 다이오드 유닛.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 서로 이격 배치된 발광 다이오드 유닛.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 상기 벽부의 측면을 둘러싸는 검정색의 제2 벽부를 더 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지는, 청색 발광 다이오드 칩, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제1 벽부 및 상기 청색 발광 다이오드 칩 및 제1 벽부의 상부에 배치된 제1 투명부를 포함하고,
    상기 녹색 발광 다이오드 패키지는, 녹색 발광 다이오드 칩, 상기 녹색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제2 벽부 및 상기 녹색 발광 다이오드 칩 및 제2 벽부의 상부에 배치된 제2 투명부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 적색 발광 다이오드 패키지는, 적색 발광 다이오드 칩, 상기 적색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸는 제3 벽부 및 상기 적색 발광 다이오드 칩 및 제3 벽부의 상부에 배치된 제3 투명부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 적색 발광 다이오드 패키지는,
    청색 발광 다이오드 칩;
    상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면을 둘러싸도록 배치된 제3 벽부;
    상기 청색 발광 다이오드 칩 및 제3 벽부의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광부; 및
    상기 형광부를 덮도록 배치되고, 상기 형광부에서 방출된 청색광을 차단하는 컬러필터부를 포함하는 발광 다이오드 유닛.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 벽부와 제2 벽부는 하나로 연장되고,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 한로 연장된 벽부에 의해 둘러싸인 발광 다이오드 유닛.
  13. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드 패키지, 적색 발광 다이오드 패키지 및 녹색 발광 다이오드 패키지는 각각 상기 벽부의 측면을 둘러싸는 검정색의 제4 벽부를 더 포함하는 발광 다이오드 유닛.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020053447A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光モジュール

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11201265B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
CN111403371A (zh) * 2020-03-31 2020-07-10 苏州晶台光电有限公司 一种避免led chip系列封装出光混光的方法
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US7564070B2 (en) 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
US8461613B2 (en) * 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
KR20110115506A (ko) 2010-04-15 2011-10-21 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함한 조명 장치 및 발광다이오드 패키지 제조방법
EP2378576A2 (en) 2010-04-15 2011-10-19 Samsung LED Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
CN102064171A (zh) * 2010-10-22 2011-05-18 友达光电股份有限公司 发光二极管装置
KR20130022595A (ko) 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
KR20130017067A (ko) 2011-11-04 2013-02-19 루미리치 주식회사 발광다이오드 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 램프
TWI505440B (zh) * 2012-06-04 2015-10-21 Lextar Electronics Corp 光源模組
JP5611492B1 (ja) * 2012-12-10 2014-10-22 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
CN105378952B (zh) * 2013-05-13 2018-01-12 首尔半导体（株） 发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
JP6065135B2 (ja) * 2015-04-02 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102335106B1 (ko) * 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20170000512A (ko) 2015-06-24 2017-01-03 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020053447A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光モジュール

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