TW201543713A - 用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法。第一基板設置於發光二極體上。第二基板面向第一基板。第一密封件設置於第一基板的頂表面上，界定具有第一基板之頂表面作為其底表面之凹槽型容納空間。量子點(QD)被容納於容納空間中。第二密封件以與第一密封件的形狀對應的形狀設置於第二基板及第一基板之間。第二密封件以吸收紅外光(IR)雷射光的能力大於第一密封件之材料來形成。提供一種氣密封件，從而完整地保護容納於顏色轉換基板的量子點免於外在環境的損害。

Description

用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法
本發明係關於一種用於發光二極體(LED)之顏色轉換基板及其製造方法。更具體地，本發明係關於能夠形成氣密件，從而完整地保護容納於顏色轉換基板中之量子點(QD)免於外在環境損害之一種用於LED的顏色轉換基板及其製造方法。
發光二極體(LED)為一種藉由像是砷化鎵之化合物形成，以於電流施加至其時發光之半導體裝置。LED使用少數載子，像是電子或電洞注入其之半導體的p-n接面，使得光藉由少數載子的再結合而產生。
LED的特徵包含低電力消耗、相對長的使用壽命、安裝在狹窄空間的能力及抗震。另外，LED被用於顯示裝置及顯示裝置的背光單元中。最近已進行將LED用於一般照明裝置的研究。除了像是紅光、藍光或綠光LED之單色LED以外，白光LED亦已面市。特別是，由於白光LED可以應用於車輛和照明裝置，預計對白光LED的需求會急劇增加。
在LED技術領域中，白光通常使用兩種主要的方法產生。第一種產生白光的方法包含將像是紅光、藍光或綠光LED之單色LED彼此相鄰配置，使得由具有各種顏色之單色LED發出的光混合。然而，由於個別的單色LED具有不同的熱或時間特性，色調可能根據使用此種裝置之環境而變化。特別是，可能發生色斑(color stains)，使其難以均勻地混合不同顏色的光。第二種產生白光的方法包含將螢光材料用於LED，並混合由LED發出之原始光線及通過螢光材料改變波長之二次光線。舉例而言，可使用產生黃綠光或黃光之螢光材料作為藍光LED上之激發光源，由此，可通過混合藍光LED產生之藍光及螢光材料激發之黃綠光或黃光而產生白光。目前一般使用利用藍色LED和螢光材料實現白光的方法。
目前，將相較於傳統螢光材料，產生具有更窄波長之強光的量子點(QD)用作為顏色轉換材料。一般而言，QD-LED背光係藉由以藍光LED發射之藍光照射黃光量子點而產生白光，並供應所述白光作為液晶顯示器(LCD)的背光。使用此種QD-LED背光之LCD具有作為新型顯示器的巨大潛力，因為此些LCD的特性包含：不像是僅使用LED之使用傳統背光者之優越的色彩再現、與LED相當之實現全彩的能力、及與LED電視相比，較低的製造成本及較高的生產效率。
於相關領域中，製造此種QD-LED的方法包含：藉由將量子點與聚合物混合以形成量子點板；且隨後以複數個阻障層塗層量子點板，以保護所述量子點板表面免於外在環境損害等並維持使用壽命。此相關技術方法因為必須要塗布數次的阻障層而有製造成本昂貴的問題，且最重要的是，此方法難以完整地保護量子點免於外在環境損害。
另外，相關技術中所使用之其他方法包含：蝕刻玻璃表面至特定深度；將量子點置入於玻璃表面的蝕刻部分；以覆蓋玻璃覆改蓋所得結構；塗布低熔點玻璃於其周邊；並使用雷射光線密封所得結構。然而，蝕刻製程導致製造成本昂貴。特別是，其難以使用薄玻璃板。 先前技術文件 專利文件
專利文件1：日本未經審查之專利公開號2012-124123(2012年6月28日)。
待解決之問題
本發明的各種態樣提供一種能夠形成氣密封，從而完整地保護容納於顏色轉換基板中之量子點(QD)免於外在環境損害之用於發光二極體(LED)之顏色轉換基板及其製造方法。 解決問題之手段
於本發明的一態樣，提供一種用於發光二極體之顏色轉換基板。所述顏色轉換基板包含：設置於該發光二極體上之第一基板；面向第一基板之第二基板；設置於第一基板的頂表面上，界定具有第一基板之頂表面作為其底表面之凹槽型容納空間的第一密封件；容納於凹槽型容納空間中之量子點；與以與第一密封件之形狀對應的的形狀，設置於第二基板及第一基板間之第二密封件。第二密封件係由吸收紅外光雷射光的能力大於第一密封件的材料所形成。
根據本發明的一實施例，第一基板及第二基板可各由玻璃基板形成。第一密封件及第二密封件可各由玻璃熔塊形成。
於此，第一密封件的玻璃熔塊的軟化點可低於第一基板的軟化點。
第二密封件的玻璃熔塊的軟化點可低於第一密封件的玻璃熔塊的軟化點。
以重量計，第二密封件的組成可包含2至10%的黑色顏料。
形成於第一基板的頂表面上之第一密封件的高度可為在300至500μm之範圍內。
於本發明的另一態樣中，提供用於發光二極體之一顏色轉換基板的製造方法。所述方法包含：形成第一密封件於其下設置發光二極體之第一基板之頂表面上，界定具有第一基板作為其底表面之凹槽型容納空間；置入量子點於凹槽型容納空間；排列第二密封件及第二基板於第一密封件上，第二基板被設置於第二密封件上並面向第一基板，使得第二密封件以與第一密封件之形狀對應的形狀，被設置於第一密封件上，第二密封件吸收紅外光雷射光的能力大於第一密封件；以及藉由以雷射光束照射第二密封件，雷射密封第一基板、第一密封件、第二密封件、及第二基板至彼此。
根據本發明之實施例，排列第二密封件與第二基板的操作包含形成第二密封件於第一密封件上，並隨後設置第二基板於第二密封件上。
排列第二密封件與第二基板的操作可包含塗布第二密封件於第二基板的底表面上並隨後設置第二基板於第一密封件上，使第二密封件與第一密封件緊密接觸。
第一基板及第二基板可各由玻璃基板形成。第一密封件及第二密封件可各由玻璃熔塊之糊料形成。
第一密封件的玻璃熔塊的軟化點可低於第一基板的軟化點。
第二密封件的玻璃熔塊的軟化點可低於第一密封件的玻璃熔塊的軟化點。
以重量計，第二密封件的組成可包含2至10%的黑色顏料。
形成第一密封件的操作可包含形成第一密封件，使得複數個容納空間被界定於第一基板的頂表面上。方法可進一步包含，於置入量子點的操作後，排列第二密封件及第二基板，且依序對複數個容納空間中的各容納空間進行雷射密封，將所得結構切成由第一密封件及第二密封件界定之單元。 本發明之功效
根據如上所述之本發明實施例，熱膨脹係數(CTE)與由玻璃形成之下基板的CTE相同的第一密封件被塗布於下基板上，界定具有下玻璃作為其底表面之凹槽型容納空間。隨後，量子點被置入於由下基板及第一密封件界定之容納空間中。接著，第二密封件及由玻璃形成之上基板被依序設置於第一密封件上，使得吸收紅外光雷射光的能力大於第一密封件的第二密封件以與第一密封件之形狀對應的形狀，被設置於第一密封件上。之後，藉由雷射密封，使上基板、下基板、第一密封件、及第二密封件彼此密封，使得只有具有吸收紅外光雷射光的能力大於第一密封件的第二密封件可被局部加熱，從而保護第一密封件免於否則將由熱衝擊導致之裂痕。因此可提供製造之具有氣密件之用於LED之顏色轉換基板，從而完整地保護容納於顏色轉換基板的量子點免於外在環境的損害。
另外，根據本發明，省略相關技術的製程，像是意圖保護量子點的多層塗布或蝕刻。從而與相關技術相比，可能減低製造成本，並解除對基板厚度的限制。
將詳細參照其實施例描繪於附隨圖式中並於以下說明之根據本發明之用於發光二極體(LED)之顏色轉換基板及其製造方法，以使本發明相關領域中之通常知識者可輕易地實現本發明。
整篇文件中，將對圖式進行參照，其中相同的附圖標記和符號於所有不同圖式中被用以表示相同或相似的元件。於本發明之以下描述中，在本發明的技術特徵呈現的不清楚的情況下，整合於本文中的已知功能及元件的詳細描述將被省略。
如第1圖及第2圖中所述，根據本發明例示性實施例之顏色轉換基板100為設置在LED上以轉換一部分由LED所發射之光的顏色，同時密封LED。因此，包含顏色轉換基板100及LED的LED封裝發出白光，其中，例如，由藍光LED發出之藍光及來自顏色轉換基板之顏色轉換光被混合。雖然未繪示於圖式中，LED包含主體及LED晶片。LED的主體為具有預定形狀開口之結構，提供其中安裝LED的結構空間。主體可具有線路及導線架，LED可透過其電性連結置外部電源。另外，LED晶片被安裝於主體上，且用作為利用外部電流發光之光源。LED晶片以提供電子的n-半導體層及提供電洞的p-半導體層的順向接面實現。
設置於如上的LED上之根據本發明之顏色轉換基板100，包含第一基板110、第二基板120、第一密封件130、量子點140、及第二密封件150。
第一基板110設置於LED上。設置第二基板120使得第二基板120面向第一基板110。第一基板110及第二基板120藉由設置於其間之第一密封件130、量子點140、及第二密封件150 之工具而彼此分隔。第一基板110及第二基板120用作為LED發出之光對外照射之路徑，同時保護量子點140免於外在環境損害。為此，第一基板110或第二基板120中的任一個可由透明玻璃基板形成。
第一密封件130設置於第一基板110的頂表面上，形成為具有第一基板110作為其底表面之凹槽型容納空間。設置於第一基板110之頂表面上之第一密封件130的高度為在300至500μm之範圍內。如第1圖及第2圖所繪示的，設置於第一基板110之頂表面上之第一密封件130為長方形框架形狀。量子點140容納於第一密封件130所界定之容納空間中。因此，第一密封件130用作為密封量子點140的結構，同時容納量子點140。根據此實施例，第一密封件130係由玻璃熔塊所形成。具體而言，第一密封件130係由玻璃熔塊(glass frit)所形成，所述之玻璃熔塊之軟化點為在例如，500至800℃之範圍內，該範圍低於以玻璃基板實施之第一基板110的軟化點，且其熱膨脹係數(CTE)類似於第一基板110之CTE。舉例而言，第一密封件130可由ZnO-B2 O3 -SiO2 系玻璃熔塊形成。無意根據本實施例而將第一密封件130限於ZnO-B2 O3 -SiO2 系玻璃熔塊，因為第一密封件130可由其軟化點及CTE於上述範圍之任何玻璃熔塊形成。於此，第一密封件130之軟化點需要低於第一基板110之軟化點，因為若第一密封件130的軟化點高於第一基板110的軟化點，則第一基板110可在燒結過程中被轉化。
量子點140容納於由第一基板110及第一密封件130界定之容納空間中。量子點140藉由第一基板110、第二基板120、第一密封件130及第二密封件140氣密封，其被雷射密封，使得量子點140可被完整地保護以免於外在環境損害。量子點140為具有量子侷限效應(quantum confinement effect)之半導體材料的奈米晶體，其直徑約在1至10nm的範圍內。量子點140轉換由LED所發出之光的波長，從而產生波長轉換光或螢光。根據本發明之本實施例，LED以藍光LED實現，且量子點140以能夠將由藍光LED所發出之光的一部分波長轉換為黃光，以藉由混合黃光及藍光而產生白光之量子點材料形成。
第二密封件150設置於第二基板120與第一密封件130之間。如於第1圖及第2圖中所繪示的，第二密封件150為與第一密封件130的形狀對應之形狀。亦即，第二密封件150係沿著量子點140的周圍設置。以此構造，當第一基板110、第二基板120、第一密封件130、量子點140、及第二密封件150被雷射密封時，容納於由第一基板110及第一密封件130界定之容納空間中之量子點140被第一基板110、第二基板120、第一密封件130、量子點140、及第二密封件150氣密封，從而被完整地保護以免於外在環境損害。
根據此實施例，第二密封件150係由吸收紅外光(IR)雷射光的能力大於第一密封件130之材料形成。第二密封件150可由類似第一密封件130之玻璃熔塊形成。第二密封件150的玻璃熔塊的軟化點可低於第一密封件130的玻璃熔塊的軟化點。較佳的是，第二密封件150的玻璃熔塊的軟化點可低於第一密封件130的玻璃熔塊的軟化點，因為當第二密封件150的軟化點高於第一密封件130的軟化點時，可能通過熱衝擊而導致裂痕。第二密封件150可由具有低熔點之V2 O5 系玻璃熔塊或 Bi2 O3 -B2 O3 -ZnO系玻璃熔塊。當第二密封件150由具有低熔點之Bi2 O3 -B2 O3 -ZnO系玻璃熔塊形成時，第二密封件150的組成可包含黑色顏料(black pigment)以進一步提昇吸收IR雷射光的能力。第二密封件150中的黑色顏料可為MnO2 -Fe2 O3 系材料，其含量以重量計可為於，第二密封件150的2％至10％範圍內。當黑色染料的含量超過10％重量時，第二密封件150的物理特性改變。當黑色染料的含量少於2％重量時，吸收在IR波長範圍中之雷射光的能力減少。此因而使氣密封困難。
根據本發明另一例示性實施例之用於LED的顏色轉換基板之描述將參照第3圖及第4圖提供於下。
第3圖係為描繪根據本發明本例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板的透視圖，而第4圖係為沿著第3圖之線A-A截取之剖面圖。
如於第3圖及第4圖中所示，根據本實施例之用於LED之顏色轉換基板200包含第一基板110、第二基板120、第一密封件230、複數個量子點140、及第二密封件250。
除了第一密封件係設置於第一基板上，使複數個容納空間被界定於單個第一基板上，且第二密封件為與第一密封件之形狀對應的形狀以外，本實施例與先前實施例實質上相同。因此，相同的附圖標記將被用以表示相同或相似之部分，且將省略其之詳細描述。
根據本實施例之用於LED的顏色轉換基板200可為適用於用作為大型顯示器之背光光源或廣域照明設備之光源之複數個LED的基板。或者，根據本實施例之用於LED的顏色轉換基板200可為劃分為單元前之塊狀基板(bulk substrate)，各單元以單個量子點140為基礎並應用於相同數量LED中對應的其一。
為此，第一密封件230形成於第一基板110上以界定符合設置於第一基板110下之複數個LED的排列之複數個容納空間。複數個量子點140被容納於複數個容納空間中。第二密封件250形成於面向第一基板110之第二基板120之底表面與第一密封件230之間。第二密封件250的形狀對應於第一密封件230或與第一密封件230相配。
如上所述，根據本發明實施例之顏色轉換基板100及200中，第一密封件130/230與第一基板110界定容納空間以容納量子點140，且由其吸收IR雷射光之能力大於第一密封件130/230之玻璃熔塊形成，且其軟化點低於第一密封件130/230之軟化點之第二密封件150/250，提供氣密件。此結構使第二密封件150/250於雷射密封期間局部地加熱，避免否則將由熱衝擊導致之裂痕。此可因此提供氣密封，通過氣密封，量子點140被完整地保護免於外在環境損害，從而增加包含顏色轉換基板100/200之LED封裝的使用壽命。
根據本發明例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板之製造方法之描述將參照第5圖至第8圖提供於以下。
如於第5圖中所示，根據本實施例之用於LED之顏色轉換基板之製造方法包含第一密封件形成步驟S1、量子點置入步驟S2、排列步驟S3、及雷射密封步驟S4。於根據本實施例之用於LED之顏色轉換基板之製造方法之描述中，用於LED之顏色轉換基板將被描述為係適用於顯示器之背光光源或廣域照明設備之光源之LED顏色轉換基板。
首先，如第6圖中所示，於第一密封件形成步驟S1中，第一密封件230被形成於LED應該被設置於其下、界定具有第一基板作為其底表面之凹槽型容納空間之第一基板110的頂表面上。具體而言，於第一密封件形成步驟S1，第一密封件230由將玻璃熔塊之糊料塗布於第一基板110至，例如300至500μm之高度範圍而形成，使得複數個容納空間被界定於第一基板110上，並隨後燒結。糊狀的第二密封件230可藉由印刷或利用點膠機被塗布於第一基板110的頂表面上。於第一密封件形成步驟S1中，第一密封件230可由玻璃熔塊形成，其軟化點低於以玻璃基板實現之第一基板110的軟化點，且其CTE類似於第一基板110的CTE。舉例而言，第一密封件230可由ZnO -B2 O3 - SiO2 系玻璃熔塊形成。另外，陶瓷填料可被加至第一密封件230以增加第一密封件230的強度。
之後，於量子點置入步驟S2 中，量子點140被置入由第一基板110及第一密封件230界定之容納空間中。具體而言，於量子點置入步驟S2 中，能夠將嵐光LED發出之部分光，波長轉換為黃光量子點材料被置於複數個被劃分之容納空間的各容納空間中。
其後，於排列步驟S3中，第二密封件250與設置在第二密封件250的第二基板120被排列在界定複數個容納空間的第一密封件230上，第二基板120面向第一基板110。於此，第二密封件250以與第一密封件230之形狀對應的形狀被設置於第一密封件230上並與第一密封件230。排列步驟S3可包含設置以玻璃基板實現之第二基板120於第二密封件250上，並隨設置第二密封件250於第一密封件230上。或者，如第7圖所示，排列步驟S3可包含將以玻璃熔塊之糊料形成之第二密封件250塗布於第二基板120的底表面(參照第8圖)、燒結塗布之第二密封件250、並隨後設置第二基板120於第一密封件230上，使得第二密封件250與第一密封件230緊密接觸。
於排列步驟S3中，可使用吸收IR雷射光的能力大於第一密封件230，且軟化點低於第一密封件230之玻璃熔塊來形成第二密封件250。舉例而言，於排列步驟S3中，可使用低熔點玻璃熔塊，像是V2 O5 系玻璃熔塊或 Bi2 O3 -B2 O3 -ZnO系玻璃熔塊來形成第二密封件250。當第二密封件230係由Bi2 O3 -B2 O3 -ZnO系低熔點玻璃熔塊形成時，可加入，例如由MnO2 -Fe2 O3 系材料形成之黑色顏料以提昇吸收IR雷射光的能力。黑色顏料之含量以重量計可為於，第二密封件150的2％至10％範圍內。
最後，於雷射密封步驟S4中，雷射光被提供於第二密封件250上，以密封第一基板110、第一密封件230、第二密封件250、及第二基板120於彼此。於此情形下，局部加熱具有較高之吸收IR雷射光的能力之第二密封件250。此可因此保護第一密封件230免於在沒有其的情形下因為熱衝擊所導致之裂痕，從而形成氣密封。
當如上完成雷射密封步驟S4時，根據本發明實施例之用於LED之顏色轉換基板200被製造，如第8圖所示。當用於LED之顏色轉換基板200藉由根據本實施例之製造方法製造時，省略意圖保護量子點之相關技術的多層塗布製程，從而與相關技術相比，減低了製造成本。另外，省略容納量子點所需之相關技術的蝕刻塗布製程，由此解除對基板厚度的限制。
由根據本實施例之製造方法製造之用於LED之顏色轉換基板200適用於顯示器之背光光源或廣域照明設備之光源。另外，顏色轉換基板200可被劃分為複數個單元，各單元被用作為用於LED之顏色轉換基板(參見第1圖之100)。為此目的，根據本實施例之製造方法，於雷射密封步驟S4後，可進一步包含將顏色轉換基板切成單元，各單元容納複數個量子點140中之單個量子點。如上所述，根據本實施例，藉由製造塊狀顏色轉換基板200並隨後將塊狀顏色轉換基板200切成椱數個單元，其可能促進適用於個別LED之顏色轉換基板(參見第1圖之100)的量產。
本發明具體例示性實施例之以上描述已藉由參照圖式呈現。其不意圖以精確的揭露詳盡或限制本發明，且在上述技術的教示下，對於領域中具有通常知識者來說，明顯地，許多修改及變化是有可能的。
因此其意圖使本發明的範圍不限於所述實施例，而是由附隨至其之申請專利範圍及其均等來界定。
100、200‧‧‧顏色轉換基板
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧第二基板
130、230‧‧‧第一密封件
140‧‧‧量子點
150、250‧‧‧第二密封件
S1~S4‧‧‧步驟
第1圖係為描繪根據本發明例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板的剖面圖。
第2圖係為描繪繪示於第1圖之用於LED之顏色轉換基板的俯視圖。
第3圖係為描繪根據本發明另一例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板的透視圖。
第4圖係為沿著第3圖之線A-A截取之剖面圖。
第5圖係為描繪根據本發明另一例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板的製作方法之處理流程圖。
第6圖至第8圖係為依序描繪根據本發明例示性實施例之用於LED之顏色轉換基板的製作方法的操作之流程圖。
100‧‧‧顏色轉換基板
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧第二基板
130‧‧‧第一密封件
140‧‧‧量子點
150‧‧‧第二密封件

Claims (14)

  1. 一種用於發光二極體之顏色轉換基板，其包含： 一第一基板，設置於該發光二極體上； 一第二基板，面向該第一基板； 一第一密封件，設置於該第一基板的一頂表面上，界定具有該第一基板之該頂表面作為其底表面之一凹槽型容納空間； 一量子點，容納於該凹槽型容納空間中；以及 一第二密封件，以與該第一密封件之形狀對應的形狀，設置於該第二基板及該第一密封件間； 其中該第二密封件包含吸收紅外光雷射光的能力大於該第一密封件的一材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顏色轉換基板，其中該第一基板及該第二基板各包含一玻璃基板，且該第一密封件及該第二密封件各包含一玻璃熔塊。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顏色轉換基板，其中該第一密封件的該玻璃熔塊的軟化點低於該第一基板的軟化點。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顏色轉換基板，其中該第二密封件的該玻璃熔塊的軟化點低於該第一密封件的該玻璃熔塊的軟化點。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顏色轉換基板，其中以重量計，該第二密封件的組成包含2至10%的黑色顏料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顏色轉換基板，其中形成於該第一基板的該頂表面上之該第一密封件的高度為在300至500μm之範圍內。
  7. 一種用於發光二極體之顏色轉換基板的製造方法，其包含： 形成一第一密封件於其下設置一發光二極體之一第一基板之一頂表面上，界定具有該第一基板作為其底表面之一凹槽型容納空間； 置入一量子點於該凹槽型容納空間； 排列一第二密封件及一第二基板於該第一密封件上，該第二基板被設置於該第二密封件上並面向該第一基板，使得該第二密封件以與該第一密封件之形狀對應的形狀，被設置於該第一密封件上，該第二密封件吸收紅外光雷射光的能力大於該第一密封件；以及 藉由以雷射光束照射該第二密封件，雷射密封該第一基板、該第一密封件、該第二密封件、及該第二基板至彼此。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中排列該第二密封件與該第二基板包含形成該第二密封件於該第一密封件上，並隨後設置該第二基板於該第二密封件上。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中排列該第二密封件與該第二基板包含塗布該第二密封件於該第二基板的一底表面上並隨後設置該第二基板於該第一密封件上，使該第二密封件與該第一密封件緊密接觸。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中該第一基板及該第二基板各包含一玻璃基板，且該第一密封件及該第二密封件各包含一玻璃熔塊之糊料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該第一密封件的該玻璃熔塊的軟化點低於該第一基板的軟化點。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該第二密封件的該玻璃熔塊的軟化點低於該第一密封件的該玻璃熔塊的軟化點。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之製造方法，其中以重量計，該第二密封件的組成包含2至10%的黑色顏料。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中形成該第一密封件包含形成該第一密封件，使得複數個容納空間被界定於該第一基板的該頂表面上， 該方法進一步包含，於置入該量子點的操作後，排列該第二密封件及該第二基板，且依序對該複數個容納空間中的每一個進行雷射密封，將所得結構切成由該第一密封件及該第二密封件界定之單元。
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