KR20170003182A - 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20170003182A
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light
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송재완
박재현
박소미
남기범
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 발광 다이오드는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성되고, 제1 굴절률을 가지는 제1 몰딩부; 상기 제1 몰딩부를 덮도록 형성되며, 제2 굴절률을 가지는 제2 몰딩부를 포함하고, 상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률보다 크지 않을 수 있다. 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩을 굴절률이 높은 몰딩부로 덮고 다시 굴절률이 낮은 몰딩부로 덮어 외부 공기와 굴절률이 높은 몰딩부와의 굴절률 차이를 줄여 몰딩부 내에서 발생하는 빛의 전반사를 줄여 발광 다이오드의 광량을 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 칩을 몰딩하는 몰딩부가 포함된 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED, light emitting diode)는 발광 효율이 높으면서 수명이 길고, 소비전력이 낮아 친화경적인 제품이다. 또한, 사용목적이나 형태에 따라 발광 다이오드 칩이 탑재된 패키지 구조로 제작할 수 있기 때문에 그 사용범위 넓은 장점도 있다.
발광 다이오드는 기판 등에 발광 다이오드 칩이 실장되고, 발광 다이오드 칩을 몰딩부로 덮어 보호할 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩이 청색광 또는 자외선을 방출하는 경우, 형광체를 이용하여 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 형광체는 별도로 구비될 수 있지만, 통상 몰딩부에 포함시킬 수도 있다.
몰딩부는 발광 다이오드 칩을 보호하기 위해 구비되므로, 발광 다이오드 칩을 덮도록 구비될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛이 외부로 잘 투과될 수 있도록 투과율이 높은 재질을 이용한다. 통상적으로 몰딩부는 실리콘을 이용하여 제조하고 있으며, 실리콘 중에서도 굴절률이 약 1.53 정도의 HRI(high refractive index) 실리콘이 이용된다.
이러한 HRI 실리콘을 이용하여 몰딩부를 제조할 때, 몰딩부 내에 형광체를 분포시켜 제조하면 형광체로 인해 몰딩부의 굴절률이 더 상승한다. 형광체 자체의 굴절률이 약 1.8 ~ 2.0 정도로 형광체가 분포된 몰딩부의 굴절률은 약 1.7 이상이 될 수 있다.
상기와 같이, 형광체가 포함된 몰딩부를 이용하여 발광 다이오드 칩을 몰딩하면 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛이 몰딩부를 통해 외부로 방출되지 못하는 빛의 양이 많아진다. 이는 몰딩부와 외부 공기의 굴절률 차이에 의한 것으로, 몰딩부의 굴절률이 높아질수록 외부 공기와의 굴절률 차이가 커져 몰딩부와 외부 공기의 경계에서 전반사가 발생하는 경우가 많아지기 때문이다.
그에 따라 형광체가 분포된 몰딩부를 이용함으로써, 발광 다이오드의 광량이 감소하는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 형광체가 분포된 몰딩부를 이용하여 발광 다이오드 칩을 몰딩하면서 발광 다이오드의 광량을 높일 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성되고, 제1 굴절률을 가지는 제1 몰딩부; 상기 제1 몰딩부를 덮도록 형성되며, 제2 굴절률을 가지는 제2 몰딩부를 포함하고, 상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률보다 크지 않을 수 있다.
이때, 상기 제1 몰딩부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 모두 덮는 컨포멀 코팅(conformal coating)될 수 있으며, 상기 제2 몰딩부는 상기 제1 몰딩부의 상면 및 측면을 모두 덮는 컨포멀 코팅될 수 있다.
그리고 상기 제1 몰딩부는 형광체를 포함할 수 있고, 상기 형광체는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 및 1종 이상의 적색 형광체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 몰딩부는 상기 형광체가 포함되지 않은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 몰딩부 또는 제2 몰딩부는 실리콘 또는 글라스로 형성될 수 있고, 상기 제2 몰딩부의 상면 또는 측면에 러프니스가 형성될 수 있으며, 상기 제1 몰딩부의 상면 또는 측면에 러프니스가 형성될 수 있다.
그리고 상기 제2 몰딩부의 상부면은 서로 다른 경사를 가지는 둘 이상의 면으로 형성될 수 있다. 상기 제2 몰딩부의 상부면은 곡면을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 몰딩부의 상부 두께 및 측면 두께는 서로 같을 수 있으며, 또는, 상기 제2 몰딩부의 상부 두께와 측면 두께는 서로 같을 수 있다.
또한, 상기 제2 몰딩부는 상부 두께와 측면 두께가 서로 다를 수 있으며, 상기 제2 몰딩부의 상부 두께는 상기 측면 두께보다 얇게 형성될 수 있다.
그리고 상기 발광 다이오드 칩은 하부에 한 쌍의 전극 패드가 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩을 굴절률이 높은 몰딩부로 덮고 다시 굴절률이 낮은 몰딩부로 덮어 외부 공기와 굴절률이 높은 몰딩부와의 굴절률 차이를 줄여 몰딩부 내에서 발생하는 빛의 전반사를 줄여 발광 다이오드의 광량을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드에 두 개의 몰딩부가 형성됨에 따라 빛의 투과율을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 5는 제2 몰딩부의 두께에 따른 광량을 시험한 결과를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 발광 다이오드 칩(110), 제1 몰딩부(120) 및 제2 몰딩부(130)를 포함한다.
발광 다이오드 칩(110)은 기판(미도시) 등에 실장될 수 있으며, 청색광 또는 자외선을 방출할 수 있는 발광 다이오드 칩(110)이 이용될 수 있다. 또한 발광 다이오드 칩(110)은 필요에 따라 다수 개가 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 발광 다이오드 칩(110)은 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하며 정공과 전자의 결합을 통해 광을 방출할 수 있는 구조를 가진다. 이를 위해 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 활성층이 개재도리 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)은 수평형, 수직형 또는 플립칩형 등의 구조를 가질 수 있다.
그리고 발광 다이오드 칩(110)은 기판 등에 실장될 때, 기판의 상부면에 형성될 수 있는 다수의 도전성 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 다이오드 칩(110)의 하부에 기판의 도전성 패턴과 전기적으로 연결되도록 한상의 전극 패드(112)가 형성될 수 있다. 전극 패드(112)는 다양한 실시예들에서 발광 다이오드 칩(110)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 나란하게 위치할 수 있고, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(110)의 아래 방향으로 연장되어 형성될 수도 있다. 또한, 필요에 따라 발광 다이오드 칩(110)의 하면보다 높게 위치할 수도 있다.
한 쌍의 전극 패드(112)는 기판의 도전형 패턴과 전기적으로 연결되어 기판으로부터 외부 전원이 공급되어 전극 패드(112)를 통해 발광 다이오드 칩(110)에 전원을 공급할 수 있다.
기판은 발광 다이오드 칩(110)이 실장되며, 절연성 또는 도전형 기판일 수 있다. 또한, 도전형 패턴이 상부면에 형성된 PCB일 수 있다. 기판이 절연성 기판이면, 기판은 폴리머 물질이나 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 일례로, AlN와 같이 열전도성이 높은 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 그리고 기판이 도전성 패턴을 포함하는 PCB인 경우, 기판은 베이스 및 적어도 둘 이상의 전극을 포함하는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.
제1 몰딩부(120)는 발광 다이오드 칩(110) 전체를 덮도록 형성되며, 실리콘 등의 폴리머 수지나 유리 또는 알루미나와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 몰딩부(120)는 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 포함한 전체를 덮을 수 있도록 형성된다. 즉, 제1 몰딩부(120)는 발광 다이오드 칩(110)을 컨포멀 코팅(conformal coating)하는 방식으로 전체를 감싸도록 형성될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛은 제1 몰딩부(120)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
제1 몰딩부(120)는 상기에서 설명한 바와 같이, 투명한 실리콘 수지나 유리 등이 이용될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서 제1 몰딩부(120)는 굴절률이 약 1.53인 실리콘 수지가 이용된 것에 대해 설명한다.
그리고 제1 몰딩부(120)에 한 종류 이상의 형광체(122, 124)가 포함될 수 있다. 제1 형광체(122)는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 및 1종 이상의 적색 형광체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 일례로, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체 및 규산염 형광체 등을 포함할 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 빛을 파장 변환하여 다양한 색이 방출되도록 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩(110)이 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 빛을 방출하는 경우, 제1 몰딩부(120)에 포함되는 제1 형광체(122)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예컨대, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시킬 수 있는 종류일 수 있다. 또는 발광 다이오드 칩(110)이 자외선을 방출하는 경우, 제1 몰딩부(120)에 포함되는 제1 형광체(122)는 자외선보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예컨대, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시킬 수 있는 종류일 수 있다.
그에 따라 발광 다이오드에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 다만, 이는 본 발명의 일례이며, 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 일 실시예에서 제1 몰딩부(120)는 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
이렇게 설명한 바와 같이, 제1 몰딩부(120)에 1종 이상의 제1 형광체(122)가 포함됨에 따라 제1 몰딩부(120)의 전체 굴절률은 약 1.9 내지 2.0 정도로 상승한다. 이는 제1 몰딩부(120)에 포함된 제1 형광체(122)들의 굴절률이 실리콘 수지 등에 비해 높기 때문이다.
또한, 제1 몰딩부(120)는 발광 다이오드 칩(110)을 덮도록 형성될 때, 1종 이상의 제1 형광체(122)가 포함된 액상의 제1 몰딩부(120)가 발광 다이오드 칩(110) 전체를 덮도록 도포된 다음, 경화된 다음 그라이딩 및 커팅과정을 통해 형성된다. 이 과정에서 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 몰딩부(120)에 포함된 제1 형광체(122) 일부가 커팅될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛이 제1 몰딩부(120)를 통해 외부로 방출될 때, 커팅된 제1 형광체(122)를 통해 외부로 방출되면, 그때의 굴절률이 더욱 높아질 수 있다.
상기와 같이, 1종 이상의 제1 형광체(122)가 포함된 제1 몰딩부(120)는 외부 공기와의 굴절률 차이가 커 발광 다이오드 칩(110)에서 방출되는 빛의 광량이 감소될 수 있다. 그에 따라 본 발명의 일 실시예에서 제1 몰딩부(120)를 덮도록 제2 몰딩부(130)를 형성할 수 있다.
제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)와 같은 종류가 이용될 수 있으며, 제1 몰딩부(120)와 달리, 제1 형광체(122)를 포함하지 않는다. 즉, 제2 몰딩부(130)는 투명 재질의 실리콘 등의 폴리머 수지나 유리, 또는 알루미나와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)의 측면을 포함한 전체를 덮을 수 있도록 형성된다. 즉, 제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)를 컨포멀 코팅 방식으로 전체를 감싸도록 형성될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛은 제1 몰딩부(120)를 거쳐 제2 몰딩부(130)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
제2 몰딩부(130)는 투명한 실리콘 수지나 유리 등으로 형성됨에 따라 앞서 설명한 바와 같이, 굴절률이 약 1.53일 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛은 약 1.9 내지 2.0의 굴절률을 가지는 제1 몰딩부(120)와 약 1.53의 굴절률을 가지는 제2 몰딩부(130)를 거쳐 외부로 방출될 수 있다.
이렇게 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 빛이 굴절률이 서로 다른 두 개의 몰딩부를 통해 외부로 방출되기 때문에 외부 공기와의 굴절률 차이를 줄일 수 있어 두 개의 몰딩부를 통해 방출된 빛의 광량을 보다 높일 수 있다.
또한, 제2 몰딩부(130)의 상부면에는 소정의 러프니스(R)가 형성될 수 있다. 러프니스(R)는 제2 몰딩부(130)의 상부면을 그라인딩하는 공정을 통해 형성될 수 있으며, 러프니스(R)가 형성됨에 따라 제2 몰딩부(130)와 공기와의 경계면에서 굴절률 차이에 의해 빛이 반사되는 현상을 줄일 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛은 제1 몰딩부(120)를 거쳐 제2 몰딩부(130)를 통해 외부로 방출될 때, 경계면에서의 반사를 줄여 발광 다이오드의 광량을 보다 향상시킬 수 있다. 그리고 제2 몰딩부(130)의 측면에도 러프니스(R)가 형성될 수 있으며, 제1 몰딩부(120)에도 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 몰딩부(120)가 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 덮는 두께(t1)와 발광 다이오드 칩(110)의 상면을 덮는 두께(t2)는 서로 동일하게 형성된다. 그리고 제2 몰딩부(130)가 제1 몰딩부(120)의 측면을 덮는 두께(t3)와 제1 몰딩부(120)의 상면을 덮는 두께(t4)는 서로 동일하게 형성된다. 또한, 제1 몰딩부(120)의 측면 두께(t1)와 제2 몰딩부(130)의 측면 두께(t3)도 동일하게 형성한다. 일례로, 제1 몰딩부(120)는 발광 다이오드 칩(110)의 측면 및 상면을 약 100㎛의 두께로 덮을 수 있고, 제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)의 측면 및 상면을 약 100㎛의 두께로 덮을 수 있다.
도 3의 (a)는 굴절률이 2.0인 매질과 굴절률이 1.0인 공기와의 매질 경계면에서 빛의 투과율을 설명하기 위한 도면이고, 도 3의 (b)는 굴절률이 2.0인 매질, 굴절률이 1.5인 매질 및 굴절률이 1.0인 공기와의 매질 경계면에서 빛의 투과율을 설명하기 위한 도면이다.
도 3의 (a)에서와 같이, 굴절률이 2.0인 매질에서 빛이 공기 측으로 방출될 때, 빛의 투과율은 매질의 경계면에서의 반사율을 계산함으로써, 계산될 수 있다. 굴절률이 서로 다른 매질의 경계면에서의 반사율은 하기 수학식 1에 의해 계산될 수 있다.
Figure pat00001
이렇게 수학식 1을 통해 도 3의 (a)에서 n2와 n0의 경계면에서의 반사율은 약 11.1%가 나옴을 알 수 있고, 그에 따라 투과율은 약 88.9%인 것을 알 수 있다.
그리고 도 3의 (b)에서와 같이, 굴절률이 2.0인 매질에서 굴절률이 1.5인 매질을 통해 공기 측으로 빛이 방출될 때, 각 매질의 경계면에서의 반사율을 수학식 1을 이용하여 계산하면, 다음과 같다.
매질 n2와 매질 n1의 경계면에서의 반사율은 약 2%이고, 매질 n1과 공기 n0의 경계면에서의 반사율을 약 4%인 것을 알 수 있다. 그에 따라 매질 n2에서 공기로 방출되는 빛의 투과율을 약 94%임을 확인할 수 있다. 이렇게 매질의 차이를 줄여 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 투과율을 높일 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이고, 도 5는 제2 몰딩부의 두께에 따른 광량을 시험한 결과를 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩(110), 제1 몰딩부(120) 및 제2 몰딩부(130)를 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명하면서 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
도시된 바와 같이, 제1 몰딩부(120)는 일 실시예에서와 같이, 발광 다이오드 칩(110)을 덮도록 형성되고, 제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)를 덮도록 형성된다. 이때, 제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)의 상부에 형성되는 두께(t4)가 측면의 두께(t3)보다 얇게 형성될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 몰딩부(130)의 상부면 두께(t4)가 얇아짐에 따라 발광 다이오드의 광량이 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 상부면 두께(t4)에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 지향각이 달라질 수 있으며, 두꺼워질수록 지향각이 넓어질 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩(110), 제1 몰딩부(120) 및 제2 몰딩부(130)를 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명하면서 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
제2 몰딩부(130)는 제1 몰딩부(120)를 덮도록 형성되며, 모서리의 일부 또는 전체가 모따기되어 경사면(C)이 형성될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛이 제2 몰딩부(130)를 통해 외부로 방출되면서 모서리에서 빛이 왜곡되는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 제2 몰딩부(130)의 상면은 평평한 면과 경사면(C)을 포함할 수 있으며, 제2 몰딩부(130)의 모서리 측으로 향하는 빛은 경사면(C)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 이때, 경사면(C)은 곡면을 포함할 수 있다.
상기와 같이, 제2 몰딩부(130)의 모서리에 경사진 면이 형성됨에 따라 제2 몰딩부(130)의 상부 모서리를 통해 방출되는 빛이 상대적으로 감소하지 않고, 빛이 제2 몰딩부(130) 내부를 통과하는 경로가 길어지지 않는다. 그에 따라 제2 몰딩부(130)를 통해 방출되는 빛이 균일하게 방출되도록 할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드
110: 발광 다이오드 칩 112: 전극 패드
120: 제1 몰딩부 122, 124: 형광체
130: 제2 몰딩부 R: 러프니스
C: 경사면

Claims (16)

  1. 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성되고, 제1 굴절률을 가지는 제1 몰딩부;
    상기 제1 몰딩부를 덮도록 형성되며, 제2 굴절률을 가지는 제2 몰딩부를 포함하고,
    상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률보다 크지 않은 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰딩부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 모두 덮는 컨포멀 코팅(conformal coating)된 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 상기 제1 몰딩부의 상면 및 측면을 모두 덮는 컨포멀 코팅된 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰딩부는 형광체를 포함하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 형광체는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 및 1종 이상의 적색 형광체 중 하나 이상을 포함하는 발광 다이오드.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 상기 형광체가 포함되지 않은 투명한 재질로 형성된 발광 다이오드.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰딩부 또는 제2 몰딩부는 실리콘 또는 글라스로 형성된 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상면 또는 측면에 러프니스가 형성된 발광 다이오드.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상면 또는 측면에 러프니스가 형성된 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상부면은 서로 다른 경사를 가지는 둘 이상의 면으로 형성된 발광 다이오드.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상부면은 곡면을 포함하는 발광 다이오드.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상부 두께 및 측면 두께는 서로 같은 발광 다이오드.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상부 두께와 측면 두께는 서로 같은 발광 다이오드.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 상부 두께와 측면 두께가 서로 다른 발광 다이오드.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상부 두께는 상기 측면 두께보다 얇게 형성된 발광 다이오드.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 하부에 한 쌍의 전극 패드가 형성된 발광 다이오드.
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