JP5678629B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5678629B2
JP5678629B2 JP2010274283A JP2010274283A JP5678629B2 JP 5678629 B2 JP5678629 B2 JP 5678629B2 JP 2010274283 A JP2010274283 A JP 2010274283A JP 2010274283 A JP2010274283 A JP 2010274283A JP 5678629 B2 JP5678629 B2 JP 5678629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
transparent resin
resin layer
light
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010274283A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011187929A (ja
Inventor
大島　行豊
行豊 大島
健人 廣瀬
健人 廣瀬
賢 加藤
賢 加藤
有理華 石原
有理華 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2010274283A priority Critical patent/JP5678629B2/ja
Priority to US13/021,166 priority patent/US8975648B2/en
Publication of JP2011187929A publication Critical patent/JP2011187929A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5678629B2 publication Critical patent/JP5678629B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/16—Making multilayered or multicoloured articles
    • B29C45/1671—Making multilayered or multicoloured articles with an insert
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0031—Refractive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

この発明は、発光装置の製造方法に関し、特に、発光ダイオード等の固体発光素子を用いた発光装置の製造方法に関する。
従来、固体発光素子、例えば発光ダイオードを使用した発光装置が提案されている。この種の発光装置として、擬似的に白色光を得るものが提案されている。このように白色光を発光する発光装置は、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源、あるいは照明用光源などとして利用できる。
例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３等には、発光ダイオードの外側に、この発光ダイオードの発光波長で励起される蛍光体が含有された蛍光体層を設け、発光ダイオードの発光（励起光）と、この蛍光体からの発光（波長変換光）との組み合わせで擬似的に白色光を得ることができる発光装置が記載されている。
特開２００８−０１０７４９号公報 特開２００７−１１６１３１号公報 特開２００７−２７４０１０号公報
特許文献１−３等に記載される発光装置は、発光ダイオードの外側が３層以上の多層構造であり、製造プロセスが複雑になり、コスト増の要因となっている。また、特許文献１−３等に記載される発光装置は、発光ダイオードの外側が３層以上の多層構造であり、層数が多くなるほど光の取り出し効率が低下する。
この発明の目的は、製造プロセスを簡単にしてコストの低減を図ることにある。また、この発明の目的は、光の取り出し効率を高めることにある。
この発明の概念は、
実装基板に実装された固体発光素子の外側に透明樹脂からなる第１の樹脂層を設け、該第１の樹脂層の外側に上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層を設けた構造であり、
上記固体発光素子の屈折率をＮ１、上記第１の樹脂層の屈折率をＮ２、上記第２の樹脂層の屈折率をＮ３とするとき、Ｎ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１である
発光装置にある。
この発明において、実装基板に固体発光素子、例えば発光ダイオードが実装されている。この固体発光素子の外側に、透明樹脂からなる第１の樹脂層を設けられ、さらに、この第１の樹脂層の外側に、第２の樹脂層が設けられている。この第２の樹脂層は、固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。
この場合、固体発光素子の発光の一部は、第１の樹脂層および第２の樹脂層を通じて外部に出力される。また、この固体発光素子の発光の他の一部は、第１の樹脂層を通じて第２の樹脂層に入力され、第２の樹脂層内の蛍光体を励起する。そして、この蛍光体の発光が第２の樹脂層から外部に出力される。例えば、発光ダイオードが青色発光ダイオードであり、蛍光体がこの青色発光ダイオードで励起される蛍光体、例えばＹＡＧ系、シリケート系等の蛍光体であるとき、発光ダイオードの発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで擬似的に白色光を得ることが可能となる。
ここで、固体発光素子の屈折率Ｎ１、第１の樹脂層の屈折率Ｎ２、第２の樹脂層の屈折率Ｎ３の関係がＮ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１とされ、固体発光素子の発光および第２の樹脂層内の蛍光体の発光は外部に効率よく取り出される。
このようにこの発明においては、固体発光素子の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にしてコストの低減を図ることができ、また、光の取り出し効率を高めることが可能となる。
この発明において、例えば、第１の樹脂層および第２の樹脂層は、固体発光素子を内包する凸部と、この凸部に連接し、この凸部の周辺に位置する薄膜部とを有する、ようにされてもよい。この場合、固体発光素子からの発光および第２の樹脂層内の蛍光体からの発光は、凸部から外部に出力される他に、薄膜部からも外部に出力される。そのため、全面から光りを出力できると共に、輝度の向上を図ることができる。
この発明において、例えば、実装基板と第１の樹脂層との間の一部または全部に対応して、固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる薄膜部を有する、ようにされてもよい。この場合、固体発光素子の発光のうち基板に向かう光は、第１の樹脂層を通じて薄膜部に入力され、この薄膜部内の蛍光体を励起する。そして、この蛍光体の発光の一部は、第１の樹脂層および第２の樹脂層を通じて外部に出力される。そのため、輝度の向上を図ることができる。
また、この発明の他の概念は、
固体発光素子が実装された実装基板の該固体発光素子が実装された面に、該固体発光素子を囲むように撥水性素材を塗布する工程と、
透明樹脂を上記固体発光素子の外側に塗布して、該固体発光素子の外側にドーム状の第１の樹脂層を形成する工程と、
上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂を上記第１の樹脂層の外側に塗布して、該第１の樹脂層の外側にドーム状の第２の樹脂層を形成する工程と
を有する発光装置の製造方法にある。
この発明において、まず、固体発光素子が実装された実装基板のこの固体発光素子が実装された面に、この固体発光素子を囲むように、例えばフッ素を成分とする撥水性素材が塗布される。このように撥水性素材が塗布されることで、以下のように、第１の樹脂層および第２の樹脂層をポッティング法により製造することが可能となる。
次に、透明樹脂が固体発光素子の外側に塗布されて、この固体発光素子の外側にドーム形状の第１の樹脂層が形成される。この場合、固体発光素子の外側に塗布された透明樹脂は、撥水性素材の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱を加えることで凝固し、第１の樹脂層として、固体発光素子を内包したドーム形状（凸状）のレンズ機構が形成される。
次に、蛍光体を含有する透明樹脂が第１の樹脂層の外側に塗布されて、この第１の樹脂層の外側にドーム状の第２の樹脂層が形成される。この場合、第１の樹脂層の外側に塗布された透明樹脂は、撥水性素材の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂も、例えば熱硬化性樹脂であり、熱を加えることで凝固し、第２の樹脂層として、固体発光素子および第１の樹脂層を内包した凸状のレンズ機構が形成される。
このようにこの発明においては、実装基板に実装された固体発光素子の外側に透明樹脂からなる第１の樹脂層および固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層を順次設けた構造の発光装置を、簡単に製造でき、コストの低減を図ることができる。
また、この発明の他の概念は、
実装基板に実装された固体発光素子の外側に、金型を使用して、透明樹脂からなる第１の樹脂層を形成する工程と、
上記第１の樹脂層の外側に、金型を使用して、上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層を形成する工程と
を有する発光装置の製造方法にある。
この発明において、まず、実装基板に実装された固体発光素子の外側に、金型を使用して、透明樹脂からなる第１の樹脂層が形成される。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱を加えることで凝固し、第１の樹脂層として、例えば、固体発光素子を内包した凸状のレンズ機構が形成される。
次に、第１の樹脂層の外側に、金型を使用して、固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層が形成される。この透明樹脂も、例えば熱硬化性樹脂であり、熱を加えることで凝固し、第２の樹脂層として、例えば、固体発光素子および第１の樹脂層を内包した凸状のレンズ機構が形成される。
このようにこの発明においては、実装基板に実装された固体発光素子の外側に透明樹脂からなる第１の樹脂層および固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層を順次設けた構造の発光装置を、簡単に製造でき、コストの低減を図ることができる。
この発明の発光装置によれば、固体発光素子の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にしてコストの低減を図ることができ、また、光の取り出し効率を高めることが可能となる。また、この発明の発光装置の製造方法によれば、実装基板に実装された固体発光素子の外側に透明樹脂からなる第１の樹脂層および固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなる第２の樹脂層を順次設けた構造の発光装置を、簡単に製造でき、コストの低減を図ることができる。
この発明の第１の実施の形態としての発光装置の構造例を概略的に示す図である。 この発明の第１の実施の形態としての発光装置の製造工程を説明するための図である。 この発明の第１の実施の形態としての発光装置の光出力動作を説明するための図である。 この発明の第１の実施の形態としての発光装置を含む複数種類の構造における発光強度および発光波長の一例を示す図である。 発光ダイオードの外側に直接蛍光体を含有した透明樹脂層を形成した構造の発光装置を示す図である。 この発明の第２の実施の形態としての発光装置の構造例を概略的に示す図である。 この発明の第２の実施の形態としての発光装置の製造工程を説明するための図である。 この発明の第２の実施の形態としての発光装置の透明樹脂層（１層目）の製造工程の一例を示す図である。 この発明の第２の実施の形態としての発光装置の透明樹脂層（２層目）の製造工程の一例を示す図である。 この発明の第２の実施の形態としての発光装置の光出力動作を説明するための図である。 この発明の第３の実施の形態としての発光装置の構造例を概略的に示す図である。 この発明の第３の実施の形態としての発光装置の製造工程を説明するための図である。 この発明の第３の実施の形態としての発光装置の光出力動作を説明するための図である。 この発明の第４の実施の形態としての発光装置の構造例を概略的に示す図である。 この発明の第４の実施の形態としての発光装置の製造工程を説明するための図である。
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」とする）について説明する。なお、説明を以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．第４の実施の形態
５．変形例
＜１．第１の実施の形態＞
［発光装置の構成］
図１は、第１の実施の形態としての発光装置１００の構造例を示している。この発光装置１００は、固体発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）１０１と、第１の樹脂層としての透明樹脂層１０２と、第２の樹脂層としての透明樹脂層１０３を有している。
発光ダイオード１０１は、実装基板としての回路基板１０４に実装されている。発光ダイオード１０１の電極は、回路基板１０４上の導体に、ワイヤ１０５を用いて接続されている。透明樹脂層１０２は、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０２は、発光ダイオード１０１を覆うように、この発光ダイオード１０１の外側に設けられている。この透明樹脂層１０２は、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
透明樹脂層１０３は、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０３は、透明樹脂層１０２を覆うように、この透明樹脂層１０２の外側に設けられている。この透明樹脂層１０３は、透明樹脂層１０２と同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１および透明樹脂層１０２を内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体とされる。
上述の透明樹脂層１０２，１０３の回路基板１０４の接触部には、撥水性素材１０６が塗布されている。この撥水性素材１０６は、例えば、フッ素を成分とする。後述するように、発光装置１００において、透明樹脂層１０２，１０３はポッティング法により形成される。撥水性素材１０６は、透明樹脂層１０２，１０３の成形性を確保するために塗布されたものである。
なお、図１に示す発光装置１００において、発光ダイオード１０１、透明樹脂層１０２，１０３の屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード１０１の屈折率をＮ１、透明樹脂層１０２の屈折率をＮ２、透明樹脂層１０３の屈折率をＮ３とするとき、Ｎ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１の関係を満足するようにされる。
［発光装置の製造方法］
図１に示す発光装置１００の製造工程を、図２を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が用意される。次に、図２（ｂ）に示すように、回路基板１０４の発光ダイオード１０１が実装された面に、この発光ダイオード１０１を囲むように、撥水性素材１０６が塗布される。この場合、図示は省略するが、撥水性素材１０６の塗布領域は、例えば、発光ダイオード１０１を中心とするドーナツ状領域となる。
次に、図２（ｃ）に示すように、発光ダイオード１０１の外側に、透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材１０６の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、発光ダイオード１０１の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層１０２が形成される。
次に、図２（ｄ）に示すように、透明樹脂層１０２の外側に、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材１０６の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、透明樹脂層１０２の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層１０３が形成され、発光装置１００が完成する。
図１に示す発光装置１００においては、図３に示すように、発光ダイオード１０１を内包した透明樹脂層１０２，１０３の凸部から光が出力される。この場合、発光ダイオード１０１の発光の一部は、透明樹脂層１０２および透明樹脂層１０３を通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード１０１の発光の他の一部は、透明樹脂層１０２を通じて、透明樹脂層１０３に入力され、この透明樹脂層１０３内の蛍光体を励起する。
そして、この透明樹脂層１０３内の蛍光体の発光が、透明樹脂層１０３から外部に出力される。上述したように、発光ダイオード１０１が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層１０３内の蛍光体がＹＡＧ系の蛍光体であるため、発光ダイオード１０１の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード１０１の屈折率Ｎ１、透明樹脂層１０２の屈折率Ｎ２、透明樹脂層１０３の屈折率Ｎ３の関係がＮ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１とされている。そのため、発光ダイオード１０１の発光および透明樹脂層１０３内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
図１に示す発光装置１００においては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図１に示す発光装置１００においては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。この図１に示す発光装置１００は、上述したように凸部のみからの発光となることから、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源などとして利用できる。
図４は、以下の（１）〜（４）の場合における発光強度および発光波長を示している。
（１）回路基板１０４に発光ダイオード１０１のみを実装して発光させた場合（図２（ａ）参照）。
（２）回路基板１０４に発光ダイオード１０１を実装し、さらに、この発光ダイオード１０１の外側に透明樹脂層１０２を形成して発光させた場合（図２（ｃ）参照）。
（３）回路基板１０４に発光ダイオード１０１を実装し、この発光ダイオード１０１の外側に、透明樹脂層１０２を形成し、さらにこの透明樹脂層１０２の外側に蛍光体を含有した透明樹脂層１０３を形成して発光させた場合（図１、図２（ｄ）参照）。
（４）回路基板１０４に発光ダイオード１０１を実装し、さらに、この発光ダイオード１０１の外側に直接蛍光体を含有した透明樹脂層１０３を形成して発光させた場合（図５参照）。
（１）の場合、発光ダイオード１０１からの４５０〜４７０ｎｍ前後の波長の光（青色光）のみが外部に出力される。（２）の場合、（１）の場合と同様に発光ダイオード１０１からの４５０〜４７０ｎｍ前後の波長の光（青色光）のみが外部に出力される。この場合、発光ダイオード１０１が、この発光ダイオード１０１よりも屈折率の低い透明樹脂層１０２で覆われているので、（１）の場合に比べて、光の取り出し効率が高くなり、発光強度が大きくなる。
（４）の場合、発光ダイオード１０１からの４５０〜４７０ｎｍ前後の波長の光（青色光）と、蛍光体からの５７０〜５８０前後の波長の光（赤から緑に渡る光）が外部に出力され、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード１０１の外側が直接蛍光体を含有した透明樹脂層１０３で覆われている。そのため、発光ダイオード１０１から透明樹脂層１０３に入力される光の強度は弱く（（１）の場合参照）、出力光（白色光）の強度も弱くなる。
（３）の場合、（４）の場合と同様に、発光ダイオード１０１からの４５０〜４７０ｎｍ前後の波長の光（青色光）と、蛍光体からの５７０〜５８０前後の波長の光（赤から緑に渡る光）が外部に出力され、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード１０１の外側が、まず透明樹脂層１０２で覆われ、その外側が蛍光体を含有した透明樹脂層１０３で覆われている。そのため、発光ダイオード１０１から透明樹脂層１０３に入力される光の強度は（４）の場合に比べて強く（（２）の場合参照）、出力光（白色光）の強度も強くなる。つまり、（３）の場合には、（４）の場合に比べて、白色光の輝度が高くなる。
＜２．第２の実施の形態＞
［発光装置の構成］
図６は、第２の実施の形態としての発光装置１００Ａの構成例を示している。この図６において、図１と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置１００Ａは、固体発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ）１０１と、第１の樹脂層としての透明樹脂層１０２Ａと、第２の樹脂層としての透明樹脂層１０３Ａを有している。
発光ダイオード１０１は、実装基板としての回路基板１０４に実装されている。発光ダイオード１０１の電極は、回路基板１０４上の導体に、ワイヤ１０５を用いて接続されている。
透明樹脂層１０２Ａは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０２Ａは、発光ダイオード１０１を覆うように、この発光ダイオード１０１の外側に設けられている。この透明樹脂層１０２Ａは、発光ダイオード１０１を内包する凸部１０２Ａａと、この凸部１０２Ａａに連接し、この凸部１０２Ａａの周辺に位置する薄膜部１０２Ａｂとを有する。透明樹脂層１０２Ａの凸部１０２Ａａは、ドーム状に形成されており、凸状のレンズ機構を構成する。
透明樹脂層１０３Ａは、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０３Ａは、透明樹脂層１０２Ａを覆うように、この透明樹脂層１０２Ａの外側に設けられている。この透明樹脂層１０３Ａは、発光ダイオード１０１を内包する凸部１０３Ａａと、この凸部１０３Ａａに連接し、この凸部１０３Ａａの周辺に位置する薄膜部１０３Ａｂとを有する。透明樹脂層１０３Ａの凸部１０３Ａａは、ドーム状に形成されており、凸状のレンズ機構を構成する。
この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードとされ、透明樹脂層１０３Ａに含有される蛍光体はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体とされる。
なお、図６に示す発光装置１００Ａにおいて、発光ダイオード１０１、透明樹脂層１０２Ａ，１０３Ａの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード１０１の屈折率をＮ１、透明樹脂層１０２Ａの屈折率をＮ２、透明樹脂層１０３Ａの屈折率をＮ３とするとき、Ｎ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１の関係を満足するようにされる。
［発光装置の製造方法］
図６に示す発光装置１００Ａの製造工程を、図７を参照して説明する。まず、図７（ａ）に示すように、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が用意される。次に、図７（ｂ）に示すように、発光ダイオード１０１の外側に、コンプレッション成型法により、凸部１０２Ａａおよび薄膜部１０２Ａｂを有する透明樹脂層１０２Ａが形成される。
この透明樹脂層１０２Ａの製造工程の一例を、図８を参照して説明する。図８（ａ）に示すように、透明樹脂層１０２Ａの凸部１０２Ａａに対応した凹部２１１を有する下金型２１０と、平板状の上金型２２０が使用される。
まず、図８（ａ）に示すように、下金型２１０の上部に剥離シート２１２を介して液状の熱硬化性の透明樹脂２１４が置かれる。なお、下金型２１０の上部には、上述した液状の透明樹脂２１４が外部に漏れ出ることを防止するためのＯリング２１３が配置される。この状態で、剥離シート２１２は、矢印で示すように外周方向に引っ張られており、緊張した状態に置かれる。また、図８（ａ）に示すように、上金型２２０に、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が固定される。
次に、図８（ｂ）に示すように、上金型２２０が下金型２１０に近づくように移動されていき、回路基板１０４に実装された発光ダイオード１０１が、下金型２１０の凹部２１１内に位置する状態とされる。この場合、上金型２２０の移動速度を抑制することで、ワイヤ１０５にダメージが発生することを回避できる。この状態では、発光ダイオード１０１は液状の透明樹脂２１４内に埋没した状態にあると共に、剥離シート２１２は凹部２１１の底に張り付いた状態にある。そして、この状態で熱が加えられて、透明樹脂２１４が凝固するようにされる。
次に、図８（ｃ）に示すように、上金型２２０が下金型２１０から遠ざかるように移動されていく。上述したように透明樹脂２１４が凝固することで、発光ダイオード１０１の外側に、ドーム状の透明樹脂層１０２Ａが形成される。この場合、下金型２１０と透明樹脂層１０２Ａとの間に剥離シート２１２が配されているので、下金型２１０からの透明樹脂層１０２Ａの剥離はスムーズに行われる。
図７に戻って、図７（ｂ）に示すように、発光ダイオード１０１の外側に透明樹脂層１０２Ａが形成される。そして、その後に、図７（ｃ）に示すように、透明樹脂層１０２Ａの外側に、コンプレッション成型法により、凸部１０３Ａａおよび薄膜部１０３Ａｂを有する透明樹脂層１０３Ａが形成され、発光装置１００Ａが完成する。
この透明樹脂層１０３Ａの製造工程の一例を、図９を参照して説明する。図９（ａ）に示すように、透明樹脂層１０３Ａの凸部１０３Ａａに対応した凹部３１１を有する下金型３１０と、平板状の上金型３２０が使用される。
まず、図９（ａ）に示すように、下金型３１０の上部に剥離シート３１２を介して液状の熱硬化性の透明樹脂（蛍光体含有）３１４が置かれる。なお、下金型３１０の上部には、上述した液状の透明樹脂３１４が外部に漏れ出ることを防止するためのＯリング３１３が配置される。この状態で、剥離シート３１２は、矢印で示すように外周方向に引っ張られており、緊張した状態に置かれる。また、図９（ａ）に示すように、上金型３２０に、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が固定される。なお、発光ダイオード１０１の外側に透明樹脂層１０２Ａが形成されている。
次に、図９（ｂ）に示すように、上金型３２０が下金型３１０に近づくように移動されていき、回路基板１０４に実装された、外側に透明樹脂層１０２Ａで覆われた発光ダイオード１０１が、下金型３１０の凹部２１１内に位置する状態とされる。この状態では、透明樹脂層１０２Ａで覆われた発光ダイオード１０１は液状の透明樹脂３１４内に埋没した状態にあると共に、剥離シート３１２は凹部３１１の底に張り付いた状態にある。そして、この状態で熱が加えられて、透明樹脂３１４が凝固するようにされる。
次に、図９（ｃ）に示すように、上金型３２０が下金型３１０から遠ざかるように移動されていく。上述したように透明樹脂３１４が凝固することで、透明樹脂層１０２Ａの外側に、透明樹脂層１０３Ａが形成される。この場合、下金型３１０と透明樹脂層１０３Ａとの間に剥離シート３１２が配されているので、下金型３１０からの透明樹脂層１０３Ａの剥離はスムーズに行われる。
図６に示す発光装置１００Ａにおいては、図１０に示すように、発光ダイオード１０１を内包した透明樹脂層１０２Ａ，１０３Ａの凸部および薄膜部から光が出力される。この場合、発光ダイオード１０１の発光の一部は、透明樹脂層１０２Ａおよび透明樹脂層１０３Ａを通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード１０１の発光の他の一部は、透明樹脂層１０２Ａを通じて、透明樹脂層１０３Ａに入力され、この透明樹脂層１０３Ａ内の蛍光体を励起する。
そして、この透明樹脂層１０３Ａ内の蛍光体の発光が、透明樹脂層１０３Ａから外部に出力される。上述したように、発光ダイオード１０１が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層１０３Ａ内の蛍光体がＹＡＧ系の蛍光体であるため、発光ダイオード１０１の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード１０１の屈折率Ｎ１、透明樹脂層１０２Ａの屈折率Ｎ２、透明樹脂層１０３Ａの屈折率Ｎ３の関係がＮ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１とされている。そのため、発光ダイオード１０１の発光および透明樹脂層１０３Ａ内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
図６に示す発光装置１００Ａにおいては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図６に示す発光装置１００Ａにおいては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。
さらに、図６に示す発光装置１００Ａにおいては、発光ダイオード１０１からの発光および透明樹脂層１０３Ａ内の蛍光体からの発光は、凸部から外部に出力される他に、薄膜部からも外部に出力される。そのため、全面から発光できると共に、輝度の向上を図ることができる。この図６に示す発光装置１００Ａは、このように全面発光となることから、例えば、照明用光源等として利用できる。
＜３．第３の実施の形態＞
［発光装置の構成］
図１１は、第３の実施の形態としての発光装置１００Ｂの構成例を示している。この図１１において、図１と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置１００Ｂは、固体発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ）１０１と、第１の樹脂層としての透明樹脂層１０２Ｂと、第２の樹脂層としての透明樹脂層１０３Ｂを有している。
発光ダイオード１０１は、実装基板としての回路基板１０４に実装されている。発光ダイオード１０１の電極は、回路基板１０４上の導体に、ワイヤ１０５を用いて接続されている。透明樹脂層１０２Ｂは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０２Ｂは、発光ダイオード１０１を覆うように、この発光ダイオード１０１の外側に設けられている。この透明樹脂層１０２Ｂは、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
透明樹脂層１０３Ｂは、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０３Ｂは、透明樹脂層１０２Ｂを覆うように、この透明樹脂層１０２Ｂの外側に設けられている。この透明樹脂層１０３Ｂは、透明樹脂層１０２Ｂと同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１および透明樹脂層１０２Ｂを内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体とされる。
この図１１に示す発光装置１００Ｂにおいては、上述の図１に示す発光装置１００とは異なり、透明樹脂層１０２Ｂ，１０３Ｂの回路基板１０４の接触部には、撥水性素材は塗布されていない。その理由は、この発光装置１００Ｂにおいて、透明樹脂層１０２Ｂ，１０３Ｂは、上述の図６の発光装置１００Ａの透明樹脂層１０２Ａ，１０３Ａと同様に、金型を用いたコンプレッション成型法により形成されるからである。
なお、図１１に示す発光装置１００Ｂにおいて、発光ダイオード１０１、透明樹脂層１０２Ｂ，１０３Ｂの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード１０１の屈折率をＮ１、透明樹脂層１０２Ｂの屈折率をＮ２、透明樹脂層１０３Ｂの屈折率をＮ３とするとき、Ｎ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１の関係を満足するようにされる。
［発光装置の製造方法］
図１１に示す発光装置１００Ｂの製造工程を、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）に示すように、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が用意される。次に、図１２（ｂ）に示すように、発光ダイオード１０１の外側に、コンプレッション成型法により、ドーム状の透明樹脂層１０２Ｂが形成される。この透明樹脂層１０２Ｂの製造は、詳細説明は省略するが、例えば、上述の図６に示す発光装置１００Ａにおける透明樹脂層１０２Ａの製造と同様の工程で行われる（図８参照）。
次に、図１２（（ｃ）に示すように、透明樹脂層１０２Ｂの外側に、コンプレッション成型法により、ドーム状の透明樹脂層１０３Ｂが形成され、発光装置１００Ｂが完成する。この透明樹脂層１０３Ｂの製造は、詳細説明は省略するが、例えば、上述の図６に示す発光装置１００Ａにおける透明樹脂層１０３Ａの製造と同様の工程で行われる（図９参照）。
図１１に示す発光装置１００Ｂにおいては、図１３に示すように、発光ダイオード１０１を内包した透明樹脂層１０２Ｂ，１０３Ｂの凸部から光が出力される。この場合、発光ダイオード１０１の発光の一部は、透明樹脂層１０２Ｂおよび透明樹脂層１０３Ｂを通じて、外部に出力される。また、この発光ダイオード１０１の発光の他の一部は、透明樹脂層１０２Ｂを通じて、透明樹脂層１０３Ｂに入力され、この透明樹脂層１０３Ｂ内の蛍光体を励起する。
そして、この透明樹脂層１０３Ｂ内の蛍光体の発光が、透明樹脂層１０３Ｂから外部に出力される。上述したように、発光ダイオード１０１が青色発光ダイオードであり、透明樹脂層１０３Ｂ内の蛍光体がＹＡＧ系の蛍光体であるため、発光ダイオード１０１の発光と、蛍光体からの発光との組み合わせで、擬似的に白色光が得られる。この場合、発光ダイオード１０１の屈折率Ｎ１、透明樹脂層１０２Ｂの屈折率Ｎ２、透明樹脂層１０３Ｂの屈折率Ｎ３の関係がＮ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１とされている。そのため、発光ダイオード１０１の発光および透明樹脂層１０３Ｂ内の蛍光体の発光は、外部に効率よく取り出される。
図１１に示す発光装置１００Ｂにおいては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて製造プロセスを簡単にでき、コストの低減を図ることができる。また、図１１に示す発光装置１００Ｂにおいては、発光ダイオード１０１の外側が２層であることから、従来の３層以上のものに比べて光の減衰を抑制でき、光の取り出し効率を高めることができる。この図１１に示す発光装置１００Ｂは、上述したように凸部のみからの発光となることから、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源などとして利用できる。
＜４．第４の実施の形態＞
［発光装置の構成］
図１４は、第４の実施の形態としての発光装置１００Ｃの構成例を示している。この図１４において、図１と対応する部分には同一符号を付し、適宜、その詳細説明は省略する。この発光装置１００Ｃは、固体発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ）１０１と、第１の樹脂層としての透明樹脂層１０２Ｃと、第２の樹脂層としての透明樹脂層１０３Ｃと、薄膜部としての透明樹脂薄膜部１０７を有している。
発光ダイオード１０１は、実装基板としての回路基板１０４に実装されている。発光ダイオード１０１の電極は、回路基板１０４上の導体に、ワイヤ１０５を用いて接続されている。透明樹脂層１０２Ｃは、透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０２Ｃは、発光ダイオード１０１を覆うように、この発光ダイオード１０１の外側に設けられている。この透明樹脂層１０２Ｃは、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１を内包した凸状のレンズ機構を構成する。
透明樹脂層１０３Ｃは、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。この透明樹脂層１０３Ｃは、透明樹脂層１０２Ｃを覆うように、この透明樹脂層１０２Ｃの外側に設けられている。この透明樹脂層１０３Ｃは、透明樹脂層１０２Ｃと同様に、ドーム状に形成され、発光ダイオード１０１および透明樹脂層１０２Ｃを内包した凸状のレンズ機構を構成する。この実施の形態では、擬似的に白色光を得るために、例えば、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードとされ、蛍光体はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光体とされる。
上述の透明樹脂層１０３Ｃの回路基板１０４の接触部には、撥水性素材１０６が塗布されている。この撥水性素材１０６は、例えば、フッ素を成分とする。後述するように、発光装置１００Ｃにおいて、透明樹脂層１０３Ｃはポッティング法により形成される。撥水性素材１０６は、透明樹脂層１０３Ｃの成形性を確保するために塗布されたものである。
また、回路基板１０４と透明樹脂層１０２Ｃとの間の一部または全部（第４の実施の形態では一部）に対応して、透明樹脂薄膜部１０７が設けられている。この透明樹脂薄膜部１０７は、上述の透明樹脂層１０３Ｃと同様に、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂からなっている。後述するように、この透明樹脂薄膜部１０７は、例えば、印刷法により形成される。
なお、図１４に示す発光装置１００Ｃにおいて、発光ダイオード１０１、透明樹脂層１０２Ｃ，１０３Ｃの屈折率の関係は、以下のように設定される。すなわち、発光ダイオード１０１の屈折率をＮ１、透明樹脂層１０２Ｃの屈折率をＮ２、透明樹脂層１０３Ｃの屈折率をＮ３とするとき、Ｎ１≧Ｎ２≧Ｎ３≧１の関係を満足するようにされる。
［発光装置の製造方法］
図１４に示す発光装置１００Ｃの製造工程を、図１５を参照して説明する。まず、図１５（ａ）に示すように、発光ダイオード１０１が実装された回路基板１０４が用意される。次に、図１５（ｂ）に示すように、回路基板１０４の発光ダイオード１０１が実装された面に、この発光ダイオード１０１を囲むように、撥水性素材１０６が例えば印刷法により塗布される。この場合、図示は省略するが、撥水性素材１０６の塗布領域は、例えば、発光ダイオード１０１を中心とするドーナツ状領域となる。
次に、図１５（ｃ）に示すように、回路基板１０４の発光ダイオード１０１が実装された面に、この発光ダイオード１０１を囲むように、透明樹脂が、例えば印刷法により塗布される。この場合、図示は省略するが、透明樹脂の塗布領域は、撥水性素材１０６の塗布領域の内側で、例えば、発光ダイオード１０１を中心とするドーナツ状領域とされる。これにより、回路基板１０４上に透明樹脂薄膜部１０７が形成される。
次に、図１５（ｄ）に示すように、発光ダイオード１０１の外側に、透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材１０６の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、発光ダイオード１０１の外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層１０２Ｃが形成される。
次に、図１５（ｅ）に示すように、透明樹脂層１０２Ｃの外側に、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂が塗布される。この場合、透明樹脂は、撥水性素材１０６の撥水効果により水玉状となる。この透明樹脂は、例えば熱硬化性樹脂であり、熱が加えられることで凝固する。これにより、透明樹脂層１０２Ｃの外側に、凸状のレンズ機構を構成する、ドーム状の透明樹脂層１０３Ｃが形成され、発光装置１００Ｃが完成する。
図１４に示す発光装置１００Ｃにおいては、図１に示す発光装置１００と同様の構造とされていることから、製造プロセスを簡単にしてコストの低減を図ることができ、また、光の取り出し効率を高めることが可能となる。さらに、この図１４に示す発光装置１００Ｃにおいては、透明樹脂薄膜部１０７が設けられていることから、輝度の向上を図ることができる。
すなわち、発光ダイオード１０１の発光のうち回路基板１０４に向かう光は、透明樹脂層１０２Ｃを通じて透明樹脂薄膜部１０７に入力され、この透明樹脂薄膜部１０７内の蛍光体が励起される。そして、この蛍光体の発光の一部は、透明樹脂層１０２Ｃおよび透明樹脂層１０３Ｃを通じて外部に出力される。そのため、図１に示す発光装置１００よりも輝度が向上したものとなる。
＜５．変形例＞
なお、上述実施の形態においては、擬似的に白色光を得るために、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードとされ、透明樹脂層１０３，１０３Ａ，１０３Ｂ内の蛍光体はＹＡＧ系の蛍光体とされている。しかし、この発明は、これに限定されるものではない。すなわち、発光ダイオード１０１は青色発光ダイオードに限定されない。また、発光ダイオード１０１の発光波長で励起される蛍光体はＹＡＧ系の蛍光体に限定されない。例えば、シリケート系の蛍光体等の他の蛍光体を使用してもよい。
また、上述実施の形態においては、固体発光素子が発光ダイオードであるものを示したが、この発明は、固体発光素子として発光ダイオード以外のものを使用するものにも同様に適用できることは勿論である。
この発明は、例えば、液晶表示素子のバックライト用光源、あるいは照明用光源などとして利用し得る発光装置に適用できる。
１００，・・・発光装置
１０１・・・発光ダイオード
１０２，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ・・・透明樹脂層
１０２Ａａ・・・凸部
１０２Ａｂ・・・薄膜部
１０３，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃ・・・透明樹脂層（蛍光体含有）
１０３Ａａ・・・凸部
１０３Ａｂ・・・薄膜部
１０４・・・回路基板
１０５・・・ワイヤ
１０６・・・撥水性素材
１０７・・・透明樹脂薄膜部（蛍光体含有）
２１０，３１０・・・下金型
２１１，３１１・・・凹部
２１２，３１２・・・剥離シート
２１３，３１３・・・Ｏリング
２１４・・・液状の透明樹脂
２２０，３２０・・・上金型
３１４・・・液状の透明樹脂（蛍光体含有）

Claims (2)

  1. 固体発光素子が実装された実装基板の該固体発光素子が実装された面の、上記固体発光素子を囲むドーナツ状領域に撥水性素材を塗布する工程と、
    上記固体発光素子が実装された実装基板の該固体発光素子が実装された面の、上記撥水性素材が塗布されたドーナツ状領域の内側で、上記固体発光素子を囲むドーナツ状領域に、上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂を塗布する工程と、
    透明樹脂を上記固体発光素子の外側に塗布して、該固体発光素子の外側にドーム状の第１の樹脂層を形成する工程と、
    上記固体発光素子の発光波長で励起される蛍光体を含有した透明樹脂を上記第１の樹脂層の外側に塗布して、該第１の樹脂層の外側にドーム状の第２の樹脂層を形成する工程と
    を有する発光装置の製造方法。
  2. 上記撥水性素材は、フッ素を成分とする
    請求項１に記載の発光装置の製造方法。
JP2010274283A 2010-02-09 2010-12-09 発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5678629B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010274283A JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2010-12-09 発光装置の製造方法
US13/021,166 US8975648B2 (en) 2010-02-09 2011-02-04 Light emitting device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010026580 2010-02-09
JP2010026580 2010-02-09
JP2010274283A JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2010-12-09 発光装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014141924A Division JP5842963B2 (ja) 2010-02-09 2014-07-10 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011187929A JP2011187929A (ja) 2011-09-22
JP5678629B2 true JP5678629B2 (ja) 2015-03-04

Family

ID=44352985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010274283A Expired - Fee Related JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2010-12-09 発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8975648B2 (ja)
JP (1) JP5678629B2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
DE102010027212A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
CN103477457A (zh) * 2011-04-28 2013-12-25 株式会社朝日橡胶 带透镜的光半导体装置及其制造方法
US20110256647A1 (en) * 2011-06-28 2011-10-20 Bridgelux Inc Methods of manufacturing elongated lenses for use in light emitting apparatuses
US8564004B2 (en) * 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
JP5751154B2 (ja) * 2011-12-14 2015-07-22 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2014135471A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US9911907B2 (en) * 2014-07-28 2018-03-06 Epistar Corporation Light-emitting apparatus
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20170003182A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
CN109819683A (zh) 2016-10-07 2019-05-28 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6196780A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄチツプのコ−テイング方法
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JP3640153B2 (ja) * 1999-11-18 2005-04-20 松下電工株式会社 照明光源
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
US6717362B1 (en) * 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
US6998777B2 (en) * 2002-12-24 2006-02-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode and light emitting diode array
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP2005167091A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP4451178B2 (ja) * 2004-03-25 2010-04-14 スタンレー電気株式会社 発光デバイス
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP4453553B2 (ja) * 2005-01-14 2010-04-21 パナソニック電工株式会社 光源装置及び照明装置
US7710016B2 (en) * 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
JP4653671B2 (ja) * 2005-03-14 2011-03-16 株式会社東芝 発光装置
EP1919000A1 (en) * 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP2007116131A (ja) 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP4956977B2 (ja) * 2005-12-05 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
JP2008010749A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置およびその製造方法
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
KR100862695B1 (ko) * 2006-10-17 2008-10-10 삼성전기주식회사 백색 발광 다이오드
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
WO2008100991A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
JP4678392B2 (ja) 2007-07-17 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4888280B2 (ja) * 2007-08-28 2012-02-29 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP5302533B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-02 パナソニック株式会社 発光装置
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
JP5040863B2 (ja) * 2008-09-03 2012-10-03 豊田合成株式会社 半導体発光装置
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
JP2010245481A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Sharp Corp 発光装置
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US8975648B2 (en) 2015-03-10
US20110193118A1 (en) 2011-08-11
JP2011187929A (ja) 2011-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5678629B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5481587B2 (ja) 発光素子
TWI594661B (zh) 發光二極體顯示器及其製造方法
JP3782411B2 (ja) 発光装置
KR101297405B1 (ko) 유전체 다층막 반사 미러를 채택한 발광 소자
JP5084324B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP3640153B2 (ja) 照明光源
US20160081142A1 (en) Light emitting apparatus and lighting apparatus
JP7048873B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2010245481A (ja) 発光装置
WO2011004795A1 (ja) 発光装置
JP2015176960A (ja) 発光装置
JP2013038215A (ja) 波長変換部材
JP2008130777A (ja) 半導体発光装置
JP2019145690A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2009182085A (ja) 発光装置
KR20110039229A (ko) 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
JP2007080874A (ja) 発光装置
JP5842963B2 (ja) 発光装置
US20130240930A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2010258281A (ja) 発光素子チップ組立体およびその製造方法
KR101258228B1 (ko) 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
JP4976895B2 (ja) 発光装置
KR20180074968A (ko) 형광몰딩층을 갖지 않는 led 모듈
KR20100118457A (ko) 백라이트 유닛 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141222

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5678629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees