JP2007116131A - Led発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】蛍光体の励起効率の向上を図るとともに、蛍光体が発する熱がLEDチップに悪影響を与えることを抑制するLED発光装置を提供する。
【解決手段】LEDチップ2と、LEDチップ2上に設けられた第1樹脂層4と、第1樹脂層4上に設けられた第2樹脂層6と、第2樹脂層6上に設けられた第3樹脂層とをLED発光装置1が備え、第1樹脂層4が、屈折率n1を有する層であり、第2樹脂層が、LEDチップ2が発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体5を含み、屈折率n2を有する層であり、第3樹脂層8が、屈折率n3を有する層であり、屈折率n2は、屈折率n3よりも大きい。
【選択図】図1
【解決手段】LEDチップ2と、LEDチップ2上に設けられた第1樹脂層4と、第1樹脂層4上に設けられた第2樹脂層6と、第2樹脂層6上に設けられた第3樹脂層とをLED発光装置1が備え、第1樹脂層4が、屈折率n1を有する層であり、第2樹脂層が、LEDチップ2が発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体5を含み、屈折率n2を有する層であり、第3樹脂層8が、屈折率n3を有する層であり、屈折率n2は、屈折率n3よりも大きい。
【選択図】図1
Description
本発明は、LEDチップと、LEDチップが発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体とを備えたLED発光装置に関する。
発光ダイオード(LED)チップを基体に実装し、その周囲を蛍光体含有透光性樹脂にて覆った構造の白色LED発光装置は、小型、低消費電力、長寿命等の利点があり、豆電球やナツメ球等の既存の小型電球の代替品として既に実用化されている。白色LED発光装置はまた、今後の高効率化、低コスト化によって、白熱灯や蛍光灯の代わりに一般照明用の光源にもなり得ると期待されている。
一般的な砲弾型白色LED発光装置100は、図14に示すように紫外又は青色発光のLEDチップ111を椀型の第1のリードフレーム112の凹部に実装固定し、蛍光体113を混入した蛍光体含有透光性樹脂114(以下、蛍光体含有樹脂と称する)を第1のリードフレーム112内に充填してLEDチップ111を覆い、第1のリードフレーム112に近接対向して配置された第2のリードフレーム115も含めてその周りを第3樹脂116で覆って所定の形状にした構造である。
このような構造のLED発光装置による可視光の発光原理は次の通りである。LEDチップ111から放射された紫外光が蛍光体含有樹脂114に照射され、それにより励起された蛍光体113が可視光を放射し、放射された可視光が第3樹脂116を経由して外部に取り出される。このとき、蛍光体含有樹脂114は内部側から励起光を受けて外部側へ蛍光を放射する。
また、LED発光装置から出射される光の取り出し効率やLED発光装置から出射される光の指向性の向上を図るLED発光装置も提案されている。例えば、特開2004−265985号公報(特許文献1)や特開2005−123588号公報(特許文献2)に記載の技術のように、LEDチップを低屈折率樹脂層で覆い、その外部側に高屈折率樹脂層を形成した構造のLED発光装置が提案されている。
特開2004−265985号公報
特開2005−123588号公報
しかしながら、上述したLED発光装置では、LEDチップが発する励起光は、蛍光体を含む樹脂を通って、LED発光装置から出射されてしまうため、蛍光体の励起効率が低下してしまう。また、蛍光体の励起に起因して蛍光体が発する熱がLEDチップに悪影響を与える。
そこで、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、蛍光体の励起効率の向上を図るとともに、蛍光体が発する熱がLEDチップに悪影響を与えることを抑制するLED発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一の特徴は、LEDチップと、前記LEDチップ上に設けられた第1の層と、前記第1の層上に設けられた第2の層と、前記第2の層上に設けられた第3の層とをLED発光装置が備え、前記第1の層が、屈折率n1を有する層であり、前記第2の層が、前記LEDチップが発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含み、屈折率n2を有する層であり、前記第3の層が、屈折率n3を有する層であり、前記屈折率n2は、前記屈折率n3よりも大きいことを要旨とする。
なお、蛍光体の粒形が光の波長以上のサイズである場合には、第2の層の屈折率n2は、第2の層を構成する光透過性樹脂の屈折率と考えることができる。一方、蛍光体の粒形が光の波長よりも十分に小さい場合には、第2の層の屈折率n2は、第2の層を考慮した実効的な屈折率と考えることができる。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記屈折率n2が、前記屈折率n1よりも大きいことを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記屈折率n1が、前記屈折率n2と同じであることを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記屈折率n1が、前記屈折率n2よりも大きいことを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記屈折率n3が、前記屈折率n1よりも大きいことを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記LEDチップが、前記励起光として紫外光を発し、前記蛍光体が、前記蛍光として可視光を発光することを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記第2の層が、蛍光体シートによって構成されることを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記LEDチップが、前記励起光が出射する光出射面を有し、前記光出射面には、微細な凹凸が設けられていることを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記第1の層及び前記第2の層が、樹脂によって構成されることを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記第3の層が、樹脂によって構成されることを要旨とする。
本発明の一の特徴は、本発明の上述した特徴において、前記第3の層が、ガラスによって構成されることを要旨とする。
本発明によれば、蛍光体の励起効率の向上を図るとともに、蛍光体が発する熱がLEDチップに悪影響を与えることを抑制するLED発光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。
[第1の実施の形態]
(LED発光装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態のLED発光装置1を示している。このLED発光装置1は、砲弾型白色LED発光装置であり、紫外光発光のLEDチップ2を椀型の第1のリードフレーム3の凹部に実装固定し、第1のリードフレーム3内に屈折率n1を持つ透光性樹脂を充填して硬化させて第1樹脂層4を形成してLEDチップ2を覆い、第1の樹脂層4の上に、蛍光体5を混入した屈折率n2を持つ透光性樹脂(以下、蛍光体含有樹脂と呼ぶ)を充填して硬化させ、第1樹脂層4を覆うように第2樹脂層6を形成し、さらに、第1のリードフレーム3に近接対向して配置された第2のリードフレーム7も含めたその周りを、屈折率n3を持つ第3樹脂層8で覆って所定の形状にした構造である。そして、第1樹脂層4の屈折率n1、第2樹脂層6の屈折率n2、第3樹脂層8の屈折率n3の間には、n2>n1,n3の関係を持たせている。尚、LEDチップ2は紫外光発光タイプだけでなく、青色発光タイプであってもよいが、本実施の形態では、紫外光発光タイプとして説明する。
(LED発光装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態のLED発光装置1を示している。このLED発光装置1は、砲弾型白色LED発光装置であり、紫外光発光のLEDチップ2を椀型の第1のリードフレーム3の凹部に実装固定し、第1のリードフレーム3内に屈折率n1を持つ透光性樹脂を充填して硬化させて第1樹脂層4を形成してLEDチップ2を覆い、第1の樹脂層4の上に、蛍光体5を混入した屈折率n2を持つ透光性樹脂(以下、蛍光体含有樹脂と呼ぶ)を充填して硬化させ、第1樹脂層4を覆うように第2樹脂層6を形成し、さらに、第1のリードフレーム3に近接対向して配置された第2のリードフレーム7も含めたその周りを、屈折率n3を持つ第3樹脂層8で覆って所定の形状にした構造である。そして、第1樹脂層4の屈折率n1、第2樹脂層6の屈折率n2、第3樹脂層8の屈折率n3の間には、n2>n1,n3の関係を持たせている。尚、LEDチップ2は紫外光発光タイプだけでなく、青色発光タイプであってもよいが、本実施の形態では、紫外光発光タイプとして説明する。
(LED発光装置の製造方法)
次に、上記構造の白色LED発光装置1の製造方法について説明する。紫外光LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、そして第3樹脂層8の形状は一般的な白色LED発光装置と同じものを用いる。また、LEDチップ2はチップ外への光取り出し効率を高めるため、表面に凹凸構造を形成したものを使用することもできる。表面凹凸構造は、チップとその周囲の屈折率差が大きいほど光取り出し効果の向上が顕著であるため、チップを覆う樹脂に低屈折率のものを用いる本発明の構造に適する。
次に、上記構造の白色LED発光装置1の製造方法について説明する。紫外光LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、そして第3樹脂層8の形状は一般的な白色LED発光装置と同じものを用いる。また、LEDチップ2はチップ外への光取り出し効率を高めるため、表面に凹凸構造を形成したものを使用することもできる。表面凹凸構造は、チップとその周囲の屈折率差が大きいほど光取り出し効果の向上が顕著であるため、チップを覆う樹脂に低屈折率のものを用いる本発明の構造に適する。
まず、第1のリードフレーム3内にLEDチップ2を配置し、ワイヤボンディングを行い結線する。次に、第1樹脂層4の樹脂として、例えば、屈折率n1=1.42のシリコン樹脂をLEDチップ2が埋まる程度にリードフレーム3内に注入し、加熱して樹脂を硬化させて第1樹脂層4を形成する。
この後、第2樹脂層6の蛍光体含有樹脂として、例えば、屈折率n2=1.56のシリコン樹脂に、あらかじめ紫外励起によりそれぞれ可視光の波長領域で発光する複数種の一般的な蛍光体5を混入したものを、リードフレーム3内に注入し、加熱して樹脂を硬化させる。
この蛍光体5は紫外光に対しては吸収が大きくともよいが、可視光に対しては吸収が少ないものがよい。また、蛍光体5の屈折率は第2樹脂層6の樹脂と同程度か高いものがよい。これは、蛍光体5を含めた第2樹脂層6の実効的な屈折率n2が第1樹脂層4、第3樹脂層8の屈折率n1,n3よりも低くならないようにするためである。
第2樹脂層6の形成後に、第3樹脂層8を形成するために、例えば、屈折率1.52のシリコン樹脂をモールドに充てんしたものに、リードフレーム3,7のLED部を差し込み、加熱して樹脂を硬化させ、第3樹脂層8を第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7を覆うようにしてそれらと一体化させてLED発光装置1を形成する。この後、モールドから取り外すことで砲弾型の白色LED発光装置1を得る。
尚、蛍光体5は後述する可視光の散乱、屈折、反射要因であるため、波長程度以上の粒径が望ましい。また、第2樹脂層6の厚みが均一にならないようにするのが好ましい。それにより、第2樹脂層6が均一な厚みのとき、第1樹脂層4から入射した紫外光は第3樹脂層8と第2樹脂層6との境界面11にて全反射角以下の角度で入射する可能性が高くなる。また、第2樹脂層6には、蛍光体含有樹脂の代りに、上記の条件を満たし、かつ第1樹脂層4の屈折率n1より大きい屈折率n2を持つ蛍光体シートを用いることができる。
(作用及び効果)
本実施の形態のLED発光装置1によれば、次のような作用、効果を奏する。各樹脂層(第1樹脂層4、第2樹脂層6及び第3樹脂層8)が均一な屈折率を有するLED発光装置では、励起のための紫外光が蛍光体層を一度しか通過せず、また蛍光体からの発光も内部のLEDチップ側と外部側へ同確率で放射される。
本実施の形態のLED発光装置1によれば、次のような作用、効果を奏する。各樹脂層(第1樹脂層4、第2樹脂層6及び第3樹脂層8)が均一な屈折率を有するLED発光装置では、励起のための紫外光が蛍光体層を一度しか通過せず、また蛍光体からの発光も内部のLEDチップ側と外部側へ同確率で放射される。
これに対して、本実施の形態のLED発光装置1では、第2樹脂層6の屈折率n2が第3樹脂層の屈折率n3よりも大きいため、第2樹脂層6から第3樹脂層側に向かう励起光UVが境界面11で全反射されやすい。すなわち、第2樹脂層6側に励起光UVが戻るため、蛍光体5の励起効率が向上し、LED発光装置1の光度が向上する。例えば、本実施の形態では、境界面11の全反射角は76.9°であるため、境界面11は、第2樹脂層6から第3樹脂層側に向かう励起光UVのうち、76.9°以上の励起光UVを全反射する。
また、本実施の形態のLED発光装置1では、第2樹脂層6の屈折率n2が第1樹脂層4の屈折率n1よりも大きいため、第2樹脂層6から第1樹脂層4側に戻される励起光UVが境界面12で全反射されやすい。すなわち、第2樹脂層6側に励起光UVが再び戻るため、蛍光体5の励起効率が向上し、LED発光装置1の光度が向上する。例えば、本実施の形態では、境界面12の全反射角は65.5°であるため、境界面11は、第2樹脂層6から第3樹脂層側に向かう励起光UVのうち、65.5°以上の励起光UVを全反射する。
さらに、本実施の形態のLED発光装置1では、第3樹脂層6の屈折率n3が第1樹脂層の屈折率n2よりも大きいため、可視光VLが境界面11で全反射される可能性よりも可視光VLが境界面12で全反射される可能性の方が高い。すなわち、可視光VLの取り出し効率の低下を抑制することができ、LED発光装置1の光度が向上する。
尚、第1樹脂層4、第2樹脂層6、第3樹脂層8の屈折率n1、n2、n3の関係は変更可能である。例えば、第2樹脂層6には、屈折率1.62のシリコン樹脂を用いることができ、それにより、全反射角は第3樹脂層8との境界面11で69.8°、第1樹脂層4との境界面12で61.2°となり、第2樹脂層6中への紫外光閉じ込め効果が高まり、励起効率がより高くなる。
[第2の実施の形態]
(LED発光装置の構成)
図3を参照して、本発明の第2の実施の形態のLED発光装置1Aについて説明する。本実施の形態のLED発光装置1Aは、蛍光体含有樹脂を硬化させた第2樹脂層6Aに特徴を有している。すなわち、本実施の形態では、第2樹脂層6Aは、蛍光体含有樹脂中の蛍光体5の分布を不均一にし、第1樹脂層4との境界側の分布濃度を密にし、第3樹脂層8との境界側の分布濃度を粗にしている。尚、その他の構成要素は図1に示した第1の実施の形態と共通であるので、共通の符号を用いて説明する。
(LED発光装置の構成)
図3を参照して、本発明の第2の実施の形態のLED発光装置1Aについて説明する。本実施の形態のLED発光装置1Aは、蛍光体含有樹脂を硬化させた第2樹脂層6Aに特徴を有している。すなわち、本実施の形態では、第2樹脂層6Aは、蛍光体含有樹脂中の蛍光体5の分布を不均一にし、第1樹脂層4との境界側の分布濃度を密にし、第3樹脂層8との境界側の分布濃度を粗にしている。尚、その他の構成要素は図1に示した第1の実施の形態と共通であるので、共通の符号を用いて説明する。
(LED発光装置の製造方法)
上記構成の第2の実施の形態のLED発光装置1Aの製造方法を説明する。LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、モールド形状、第1樹脂層4、第2樹脂層6A、第3樹脂層8の屈折率n1,n2,n3それぞれ、及び構造は第1の実施の形態と同じである。そして、第2樹脂層6Aの形成の際には、それに混入されている蛍光体5を、例えば沈降、比重の差などを利用して第2樹脂層6Aの下方側、つまり、第1樹脂層4側に集まるようにし、第2樹脂層6A中で蛍光体5に下方側で濃度が大となるように分布差を作る。
上記構成の第2の実施の形態のLED発光装置1Aの製造方法を説明する。LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、モールド形状、第1樹脂層4、第2樹脂層6A、第3樹脂層8の屈折率n1,n2,n3それぞれ、及び構造は第1の実施の形態と同じである。そして、第2樹脂層6Aの形成の際には、それに混入されている蛍光体5を、例えば沈降、比重の差などを利用して第2樹脂層6Aの下方側、つまり、第1樹脂層4側に集まるようにし、第2樹脂層6A中で蛍光体5に下方側で濃度が大となるように分布差を作る。
(作用及び効果)
本実施の形態によれば、第1の実施の形態の作用、効果に加えて、以下の作用及び効果を奏する。具体的には、第2樹脂層6Aの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度は、第2樹脂層6Aの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高い。従って、第2樹脂層6Aの第1樹脂層4側において、可視光VLが第1樹脂層4側に戻ることを阻害する蛍光体5の濃度が高いため、可視光VLの取り出し効率が低下しにくい。一方で、第2樹脂層6Aの第3樹脂層8側において、可視光VLの取り出しを阻害する蛍光体の濃度が低いため、可視光VLの取り出し効率が低下しにくい。すなわち、可視光VLの取り出し効率の低下を抑制することができ、LED発光装置1の光度が向上する。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態の作用、効果に加えて、以下の作用及び効果を奏する。具体的には、第2樹脂層6Aの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度は、第2樹脂層6Aの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高い。従って、第2樹脂層6Aの第1樹脂層4側において、可視光VLが第1樹脂層4側に戻ることを阻害する蛍光体5の濃度が高いため、可視光VLの取り出し効率が低下しにくい。一方で、第2樹脂層6Aの第3樹脂層8側において、可視光VLの取り出しを阻害する蛍光体の濃度が低いため、可視光VLの取り出し効率が低下しにくい。すなわち、可視光VLの取り出し効率の低下を抑制することができ、LED発光装置1の光度が向上する。
尚、蛍光体含有樹脂そのものよりも屈折率の大きい蛍光体を採用すれば、蛍光体5を含めた第2樹脂層6Aの実効的な屈折率n2が大きくなるので、第1樹脂層4との屈折率差をより大きくすることができ、これらにより損失となるランプ内側への放射をいっそう抑制することができ、白色LED発光装置としてのいっそうの光度向上が実現できる。
[第3の実施の形態]
(LED発光装置の構成)
図4を参照して、本発明の第3の実施の形態のLED発光装置1Bについて説明する。本実施の形態のLED発光装置1Bは、蛍光体含有樹脂を硬化させた第2の樹脂層6Bに特徴を有している。すなわち、本実施の形態では、第2樹脂層6Bは、蛍光体含有樹脂中の蛍光体5の分布を不均一にし、第2の実施の形態とは逆に、第1樹脂層4との境界側の分布濃度を粗にし、第3樹脂層8との境界側の分布濃度を密にしている。尚、その他の構成要素は図1に示した第1の実施の形態と共通であるので、共通の符号を用いて説明する。
(LED発光装置の構成)
図4を参照して、本発明の第3の実施の形態のLED発光装置1Bについて説明する。本実施の形態のLED発光装置1Bは、蛍光体含有樹脂を硬化させた第2の樹脂層6Bに特徴を有している。すなわち、本実施の形態では、第2樹脂層6Bは、蛍光体含有樹脂中の蛍光体5の分布を不均一にし、第2の実施の形態とは逆に、第1樹脂層4との境界側の分布濃度を粗にし、第3樹脂層8との境界側の分布濃度を密にしている。尚、その他の構成要素は図1に示した第1の実施の形態と共通であるので、共通の符号を用いて説明する。
(LED発光装置の製造方法)
上記構成の第3の実施の形態のLED発光装置1Bの製造方法を説明する。LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、モールド形状、第1樹脂層4、第2樹脂層6B、第3樹脂層8の屈折率n1,n2,n3それぞれ、及び構造は第1の実施の形態と同じである。一方で、第2樹脂層6Bの形成は、例えば、以下のように行われる。具体的には、蛍光体の濃度が大きくなるように、蛍光体の濃度が異なる樹脂層を第1樹脂層上に順次形成することによって、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度が第2樹脂層6Bの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高くなるように、第2樹脂層6Bを形成する。
上記構成の第3の実施の形態のLED発光装置1Bの製造方法を説明する。LEDチップ2、第1のリードフレーム3、第2のリードフレーム7、モールド形状、第1樹脂層4、第2樹脂層6B、第3樹脂層8の屈折率n1,n2,n3それぞれ、及び構造は第1の実施の形態と同じである。一方で、第2樹脂層6Bの形成は、例えば、以下のように行われる。具体的には、蛍光体の濃度が大きくなるように、蛍光体の濃度が異なる樹脂層を第1樹脂層上に順次形成することによって、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度が第2樹脂層6Bの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高くなるように、第2樹脂層6Bを形成する。
(作用及び効果)
本実施の形態のLED発光装置1Bでは、第1の実施の形態の作用、効果に加えて、以下の効果を奏する。具体的には、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度が第2樹脂層6Bの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高い。従って、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側において、紫外光UVを吸収して紫外光UVが第3樹脂層8側に抜けることを阻害する蛍光体5の濃度が高いため、紫外光UVの利用効率が向上する。一方で、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5は、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5が発する可視光VLの阻害要因がないため、可視光VLが第3樹脂層8側に容易に取り出される。すなわち、LED発光装置1の光度が向上する。
本実施の形態のLED発光装置1Bでは、第1の実施の形態の作用、効果に加えて、以下の効果を奏する。具体的には、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5の濃度が第2樹脂層6Bの第1樹脂層4側に含まれる蛍光体5の濃度よりも高い。従って、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側において、紫外光UVを吸収して紫外光UVが第3樹脂層8側に抜けることを阻害する蛍光体5の濃度が高いため、紫外光UVの利用効率が向上する。一方で、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5は、第2樹脂層6Bの第3樹脂層8側に含まれる蛍光体5が発する可視光VLの阻害要因がないため、可視光VLが第3樹脂層8側に容易に取り出される。すなわち、LED発光装置1の光度が向上する。
尚、第2樹脂層6Bの蛍光体含有樹脂自身の屈折率n2よりも屈折率の小さい蛍光体をそれに混入すれば、可視光に対しては第3樹脂8との境界での屈折率の差を小さくすることができ、可視光の外部側への取り出しがいっそう容易になり、白色LED発光装置としてさらに光度向上が実現できる。
[第4の実施の形態]
(LED発光装置の構成)
図5を用いて、本発明の第4の実施の形態として、紫外光発光のLEDチップ2を用いたチップ型白色LED発光装置1Cについて説明する。本実施の形態のチップ型LED発光装置1Cは、金属リード線21が配された絶縁体基板22に形成された凹部23にLEDチップ24が実装固定され、通電可能なように結線されている。凹部23内に、例えば、屈折率n1=1.42のシリコン樹脂の第1樹脂層25がLEDチップ24を覆うように充填され硬化されている。そして絶縁体基板22の表面全体を覆うようにして、例えば、屈折率n2=1.56のシリコン樹脂に、あらかじめ紫外励起によりそれぞれ可視光の波長領域で発光する複数種の蛍光体26を混入した蛍光体含有樹脂による第2樹脂層27が形成されている。そして、例えば、屈折率n3=1.52のシリコン樹脂を硬化させた第3樹脂層28が第2樹脂層27を覆うように形成されている。
(LED発光装置の構成)
図5を用いて、本発明の第4の実施の形態として、紫外光発光のLEDチップ2を用いたチップ型白色LED発光装置1Cについて説明する。本実施の形態のチップ型LED発光装置1Cは、金属リード線21が配された絶縁体基板22に形成された凹部23にLEDチップ24が実装固定され、通電可能なように結線されている。凹部23内に、例えば、屈折率n1=1.42のシリコン樹脂の第1樹脂層25がLEDチップ24を覆うように充填され硬化されている。そして絶縁体基板22の表面全体を覆うようにして、例えば、屈折率n2=1.56のシリコン樹脂に、あらかじめ紫外励起によりそれぞれ可視光の波長領域で発光する複数種の蛍光体26を混入した蛍光体含有樹脂による第2樹脂層27が形成されている。そして、例えば、屈折率n3=1.52のシリコン樹脂を硬化させた第3樹脂層28が第2樹脂層27を覆うように形成されている。
尚、第3樹脂層28の表面29は平滑面でなくてもよく、図示したようなレンズアレイ状や凹凸構造であってもよく、また、表面に回折格子やフォトニック結晶等の微細な凹凸を形成するなどの光取り出し効率を向上させる形状でもよい。また、第3樹脂層28の代わりに、屈折率1.5程度のガラス板を貼り付けてもよい。このとき、ガラス板は第3樹脂層28と同じく、レンズアレイ状や凹凸構造、表面に回折格子やフォトニック結晶等の微細な凹凸を持つなどの形状に加工したものでもよい。
(LED発光装置の製造方法)
次に、上記構成のチップ型LED発光装置1Cの製造方法について説明する。まず、例えば、酸化膜で絶縁された金属基板、樹脂基板、ガラス基板、SiO2で絶縁されたSi基板のような絶縁体基板22にLEDチップ24が埋め込まれる程度の穴もしくは溝の凹部23を形成し、金属のリード線21を配し、その凹部23にLEDチップ24を実装固定し、通電可能なようにリード線21に結線する。
次に、上記構成のチップ型LED発光装置1Cの製造方法について説明する。まず、例えば、酸化膜で絶縁された金属基板、樹脂基板、ガラス基板、SiO2で絶縁されたSi基板のような絶縁体基板22にLEDチップ24が埋め込まれる程度の穴もしくは溝の凹部23を形成し、金属のリード線21を配し、その凹部23にLEDチップ24を実装固定し、通電可能なようにリード線21に結線する。
次に、第1樹脂層25を形成するために、例えば、屈折率n1=1.42のシリコン樹脂をLEDチップ24が埋まる程度に凹部23内に注入し、加熱して樹脂を硬化させて第1樹脂層25を形成する。次に、第2樹脂層27を形成するために、例えば、屈折率n2=1.56のシリコン樹脂に、あらかじめ紫外励起によりそれぞれ可視光の波長領域で発光する複数種の蛍光体26を混入した蛍光体含有樹脂を塗布又は滴下し、少なくともLEDチップ24からの紫外光が放射される範囲をこの蛍光体含有樹脂の層で覆い、加熱して樹脂を硬化させて第2樹脂層27を形成する。このとき、第2樹脂層27に含まれる蛍光体26が均一に分布した構造の他、第2の実施の形態で示したように蛍光体を下方に多く分布した構造、あるいは第3の実施の形態で示したように蛍光体を上方に多く分布した構造のいずれかとなるようにすることもできる。
尚、第1樹脂層25が凸形状を有しているため、第1樹脂層25上に形成される第2樹脂層27の厚みが均一とならない。これによって、LEDチップ24からの紫外光が境界面に全反射角以下の角度で入射する可能性を減らし、第2樹脂層27中へ紫外光を閉じ込める効果を強めることができる。また、第2樹脂層27の代わりに、上記の条件を満たす第1樹脂層25の屈折率n1より大きい屈折率n2を持つ蛍光体シートを用いることができる。
次に、第3樹脂層28を形成するために、例えば、屈折率n3=1.52のシリコン樹脂を、少なくとも第2樹脂層27を覆うように塗布又は滴下し、加熱して樹脂を硬化させて第3樹脂層28を形成する。第3樹脂層28は、同じ樹脂を用いて射出形成によって形成することもできる。また、第3樹脂層28の表面29は平板状である必要はなく、レンズアレイ状や凹凸構造、表面に回折格子やフォトニック結晶等の微細な凹凸を形成するなどの光取り出し効率を向上させる形状にすることもできる。
(作用及び効果)
本実施の形態のチップ型LED発光装置1Cでは、第1〜第3の実施の形態と同様の作用、効果を奏することができ、可視光の外部側への取り出しが容易になり、光度向上が実現できる。また、紫外光の下部側への放射が少なくなり、LEDチップ24の劣化を抑えることができ、また、可視光の下部側への放射も少なくして、外部側への取り出し量を増やし、光度のいっそうの向上が図れる。
本実施の形態のチップ型LED発光装置1Cでは、第1〜第3の実施の形態と同様の作用、効果を奏することができ、可視光の外部側への取り出しが容易になり、光度向上が実現できる。また、紫外光の下部側への放射が少なくなり、LEDチップ24の劣化を抑えることができ、また、可視光の下部側への放射も少なくして、外部側への取り出し量を増やし、光度のいっそうの向上が図れる。
さらに、チップ型LED発光装置1Cでは、絶縁体基板22に形成された凹部23内に第1樹脂層25が充填されるため、絶縁体基板22上に複数のLEDチップを容易に形成することができる。すなわち、LEDチップの集積化が容易である。
尚、上記第1〜第4の実施の形態において、各樹脂又は蛍光体シート、ガラス板の屈折率をそれぞれ内部側からn1、n2、n3とすると、n2>n3及びn2>n1の関係を持つものならば上記のものを変更可能である。さらに、n2>n3>n1の関係を持つものを用いると、可視光が外部側へ取り出される確率が高くなるのでより好ましい。
本発明の実施例として、図8〜図9及び図13に示す構造を有するLED発光装置を作成して、各LED発光装置の発光特性の評価を行った。第1樹脂層55の屈折率n1、第2樹脂層56の屈折率n2、第3樹脂層57の屈折率n3は、それぞれ、図6の表1に示す通りである。また、発光特性の評価については、図7の表2に示す通りである。
また、比較例として、各樹脂層の屈折率がn2=n3=n1で実施例の第2樹脂層に対応する蛍光体含有樹脂でLEDチップを覆ったLED発光装置(比較用として示している)についても同様の測定を行った。
LED発光装置の構造及びその製作プロセスは、次の通りである。第1のリードフレーム51、第2のリードフレーム52を図8に示してある。寸法はmm単位である。図9に示すように、第1のリードフレーム51の椀型のバスケット53内に縦横350μm×350μm程度、高さ150μm程度の紫外発光LEDチップ54を配置し、ワイヤーボンディングによりワイヤー結線59を行った。次に、第1樹脂層55のためのシリコン樹脂を注入し、加熱して樹脂を硬化させた。その後、同様に蛍光体を混入した第2樹脂層56のための蛍光体含有樹脂を注入し、加熱して樹脂を硬化させた。第1樹脂層55、第2樹脂層56の硬化後のLED部の形状は、図9のようになり、厚みはそれぞれLEDチップ54の直上で約0.2mmとした。この後、第3樹脂層57のためのシリコン樹脂を充填したモールドに図9に示したLED部を差し込み、加熱により樹脂を硬化させ、モールドから取り出し、図13に示す本発明のLED発光装置を得た。本LED発光装置は、直径5mm、高さ約7mm、LED部から天頂部まで約5mmの砲弾型LEDである。
第1樹脂層、第2樹脂層、第3樹脂層の樹脂材料は、屈折率は異なるものの、何れもシリコン樹脂を用いた。蛍光体材料には、粒径3〜10μm程度の固体粉末の緑発光蛍光体と赤発光蛍光体を用い、2:8の比率で第2樹脂層の樹脂中へ混入した。その混入率は重量比(=蛍光体重量/樹脂重量)で40%にした。
本発明の実施例として、n2>n3=n1のLED発光装置(本発明構造1として示している)と、n2>n3>n1のLED発光装置(本発明構造2として示している)を製作した。また、比較用のLED発光装置として、各樹脂層の屈折率がn2=n3=n1で実施例の第2樹脂層に対応する蛍光体含有樹脂でLEDチップを覆ったものも製作した。
図7の表2は、9個のLED発光装置について、光出力、色温度及び色度の測定値をそれぞれ示している。比較用と比較すると、本発明構造1は全体的な光出力(積分球)はほぼ同じであるにもかかわらず、励起光領城(λ<450nm)の光出力は低下し、逆に蛍光体発光領域(λ>450nm)の光出力は若干向上しており、「UV放射の抑制」と「蛍光体の励起効率向上」の効果が現われている。また、色温度、色度共に、本発明構造1の方が赤領域の発光(以下、赤発光と称する)が多い。これは、蛍光体を含む第2樹脂層に光が閉じ込められるため、緑発光が赤蛍光体を励起してしまい、励起光(LEDチップ)⇒緑発光(緑蛍光体)⇒赤発光(赤蛍光体)のように変遍し、赤発光が増加したためだと考えられ、「蛍光体の励起効率向上」の効果が現われた結果である。
さらに、本発明構造1と本発明構造2を比較すると、励起光部に対する蛍光体部の光出力比(=蛍光体部光出カ/励起光部光出力)は、本発明構造1が約1.4に対して、本発明構造2は約3.0と増加している。また、色温度、色度共に構造2の赤発光が増加している。これは、本発明構造2の方がn2とn1の屈折率差が大きく、第2樹脂層への光閉じ込めの効果が大きいためである。尚、本発明構造2で光出力が低下しているのは、n1が小さいためLEDチップとの屈折率差が大きくなり、LEDチップから樹脂への光取り出し率が低下するためと考えられる。これはLEDチップの表面に凹凸を形成するなど、LEDチップからの光取り出し効率を向上させることで解決することができる。
[第5の実施の形態]
以下において、本発明の第5の実施の形態に係るLED発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第1の実施の形態と第5の実施の形態との相違点について主として説明する。
以下において、本発明の第5の実施の形態に係るLED発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第1の実施の形態と第5の実施の形態との相違点について主として説明する。
具体的には、上述した第1の実施の形態では、第2の樹脂層の屈折率n2は、第1樹脂層の屈折率n1よりも大きい。これに対して、第5の実施の形態では、第2の樹脂層の屈折率n2は、第1樹脂層の屈折率n1と同じ、又は、第1樹脂層の屈折率n1よりも小さい。
(LED発光装置の構成)
以下において、本発明の第5の実施の形態に係るLED発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図10は、本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dを示す図である。
以下において、本発明の第5の実施の形態に係るLED発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図10は、本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dを示す図である。
図10に示すように、チップ型LED発光装置1Dは、LEDチップ2Dと、第1のリードフレーム3Dと、第1樹脂層4Dと、第2樹脂層6Dと、第2のリードフレーム7Dと、第3樹脂層8Dとを有する。なお、チップ型LED発光装置1Dは、上述した第1の実施の形態と同様に、砲弾型白色LED発光装置である。
LEDチップ2Dは、紫外光を励起光として発するチップである。また、LEDチップ2Dは、紫外光が出射される面である光出射面9Dを有する。さらに、LEDチップ2Dは、窒化物半導体(例えば、GaN基板上に発光層などを有する構造)によって構成されており、屈折率n0を有する。なお、光出射面9Dは、上述したように、凹凸構造を有していてもよい。
第1のリードフレーム3Dは、椀型の形状を有しており、LEDチップ2Dを支持するリードフレームである。
第1樹脂層4Dは、屈折率n1を有する層であり、LEDチップ2D上に設けられている。また、第1樹脂層4Dは、光透過性樹脂によって構成される。なお、第1樹脂層4Dは、LEDチップ2Dが設けられた第1のリードフレーム3Dに充填されており、LEDチップ2Dの光出射面9Dを覆っている。
第2樹脂層6Dは、屈折率n2を有する層であり、第1樹脂層4D上に設けられている。また、第2樹脂層6Dは、蛍光体5Dが混入された光透過性樹脂によって構成される。なお、第2樹脂層6Dは、LEDチップ2D及び第1樹脂層4Dが設けられた第1のリードフレーム3Dに充填されており、第1樹脂層4Dを覆っている。
ここで、蛍光体5Dは、LEDチップ2Dが発する紫外光(励起光)を吸収して、可視光を蛍光として発する。また、蛍光体5Dの粒形は、上述した第1実施形態と同様に、光の波長以上のサイズ(数μm)であってもよいが、これに限定されるものではない。蛍光体5Dの粒形は、光の波長よりも十分に小さいサイズ(例えば、100nm)であってもよい。
なお、蛍光体5Dの粒形が光の波長以上のサイズである場合には、第2樹脂層6Dの屈折率n2は、第2樹脂層6Dを構成する光透過性樹脂の屈折率と考えることができる。一方、蛍光体5Dの粒形が光の波長よりも十分に小さい場合には、第2樹脂層6Dの屈折率n2は、蛍光体5Dを考慮した実効的な屈折率と考えることができる。
第2のリードフレーム7Dは、第1のリードフレーム3Dに近接して設けられたリードフレームである。
第3樹脂層8Dは、屈折率n3を有する層であり、第2樹脂層6D上に設けられている。また、第3樹脂層8Dは、LEDチップ2D、第1樹脂層4D、第2樹脂層6D、第1のリードフレーム3D及び第2のリードフレーム7Dを覆っている。
以下において、LEDチップ2Dの屈折率n0、第1樹脂層4Dの屈折率n1、第2樹脂層6Dの屈折率n2及び第3樹脂層8Dの屈折率n3の関係について説明する。
第2樹脂層6Dの屈折率n2は、第3樹脂層8Dの屈折率n3よりも大きい。また、第1樹脂層4Dの屈折率n1は、第2樹脂層6Dの屈折率n2と同じ、又は、第2樹脂層6Dの屈折率n2よりも大きい。
ここで、上述したように、蛍光体5Dの粒形が光の波長よりも十分に小さい場合には、第2樹脂層6Dの屈折率n2は、蛍光体5Dを考慮した実効的な屈折率と考えることができる。この場合には、第2樹脂層6Dを構成する光透過性樹脂の屈折率が第3樹脂層8Dの屈折率よりも小さくても、蛍光体5Dを考慮した実効的な屈折率が第3樹脂層8Dの屈折率よりも大きければよい。
また、LEDチップ2Dは、一般的に、窒化物半導体によって構成されるため、LEDチップ2Dの屈折率n0は、第1樹脂層4Dの屈折率n1、第2樹脂層6Dの屈折率n2及び第3樹脂層8Dの屈折率n3に比べて大きい。
なお、本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dの製造方法は、上述した第1の実施の形態と同様であるため、チップ型LED発光装置1Dの製造方法の説明については省略する。
(作用及び効果)
本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dによれば、第1樹脂層4Dの屈折率n1は、第2樹脂層6Dの屈折率n2と同じ、又は、第2樹脂層6Dの屈折率n2よりも大きい。従って、第2樹脂層6Dの屈折率n2が第1樹脂層4Dの屈折率n1よりも大きい場合よりも、LEDチップ2Dが発する励起光が第1樹脂層4Dと第2樹脂層6Dとの境界で全反射する影響で、第2樹脂層6Dに到達する励起光が減少する可能性がある。また、第2樹脂層6Dと第3樹脂層8Dとの境界で全反射された励起光が、第1樹脂層4Dと第2樹脂層6Dとの境界で全反射されにくくなる影響で、第2樹脂層6Dに励起光を閉じ込める効果が減少する可能性がある。
本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dによれば、第1樹脂層4Dの屈折率n1は、第2樹脂層6Dの屈折率n2と同じ、又は、第2樹脂層6Dの屈折率n2よりも大きい。従って、第2樹脂層6Dの屈折率n2が第1樹脂層4Dの屈折率n1よりも大きい場合よりも、LEDチップ2Dが発する励起光が第1樹脂層4Dと第2樹脂層6Dとの境界で全反射する影響で、第2樹脂層6Dに到達する励起光が減少する可能性がある。また、第2樹脂層6Dと第3樹脂層8Dとの境界で全反射された励起光が、第1樹脂層4Dと第2樹脂層6Dとの境界で全反射されにくくなる影響で、第2樹脂層6Dに励起光を閉じ込める効果が減少する可能性がある。
一方で、一般的に、LEDチップ2Dの屈折率n0は、光透過性樹脂によって構成される第1樹脂層4Dの屈折率n1よりも大きく、LEDチップ2Dの屈折率n0と第1樹脂層4Dの屈折率n1との差が大きいほど、LEDチップ2Dが発する励起光の取り出し効率が低下する。従って、本発明の第5の実施形態のように、第1樹脂層4Dの屈折率n1が、第2樹脂層6Dの屈折率n2と同じ、又は、第2樹脂層6Dの屈折率n2よりも大きいと、LEDチップ2Dの屈折率n0と第1樹脂層4Dの屈折率n1との差を小さくすることができる。この結果、LEDチップ2Dが発する励起光の取り出し効率の向上を図ることができる。
すなわち、第2樹脂層6Dに到達する励起光の減少や励起光の閉じ込め効果の減少に起因するチップ型LED発光装置1Dの輝度減少量よりも、励起光の取り出し効率の向上に起因するチップ型LED発光装置1Dの輝度増加量が大きい場合には、全体としてチップ型LED発光装置1Dの輝度向上(発光効率向上)を図ることができる。
また、本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dによれば、上述した第1の実施の形態と同様に、LEDチップ2Dが発する励起光が、第2樹脂層6Dと第3樹脂層8Dとの境界で全反射される。このように、LEDチップ2Dが発する励起光が第2樹脂層6Dに戻されるため、第2樹脂層6Dに含まれる蛍光体5Dの励起効率を高めて、チップ型LED発光装置1Dの輝度向上を図ることができる。
さらに、本発明の第5の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Dによれば、上述した第1の実施の形態と同様に、蛍光体5Dを含む第2樹脂層6DとLEDチップ2Dとの間に第1樹脂層4Dが設けられる。従って、蛍光体5Dの励起に起因して蛍光体5Dが発する熱がLEDチップ2Dに対して悪影響を与えることを抑制することができる。
[第6の実施の形態]
以下において、本発明の第6の実施の形態に係るLED発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第4の実施の形態と第6の実施の形態との相違点について主として説明する。
以下において、本発明の第6の実施の形態に係るLED発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、上述した第4の実施の形態と第6の実施の形態との相違点について主として説明する。
具体的には、上述した第4の実施の形態では、蛍光体を含む樹脂層は、蛍光体を含む樹脂を充填した後に、蛍光体を含む樹脂を硬化させることによって形成される。
これに対して、第6の実施の形態では、蛍光体を含む樹脂層は、蛍光体を含む樹脂がシート状に加工された部材である蛍光体シートによって構成される。
(LED発光装置の構成)
以下において、本発明の第6の実施の形態に係るLED発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図11は、本発明の第6の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Eを示す図である。
以下において、本発明の第6の実施の形態に係るLED発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図11は、本発明の第6の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Eを示す図である。
図11に示すように、チップ型LED発光装置1Eは、金属リード線21Eと、絶縁体基板22Eと、LEDチップ24Eと、第1樹脂層25Eと、蛍光体シート27Eと、第3樹脂層28Eとを有する。
金属リード線21Eは、LEDチップ24Eの下面及びLEDチップ24Eの上面に接続されており、LEDチップ24Eに電流を供給する。
絶縁体基板22Eは、絶縁部材によって構成されており、LEDチップ24Eが配置される凹部23Eを有する。
LEDチップ24Eは、紫外光を励起光として発するチップである。また、LEDチップ24Eは、絶縁体基板22Eの凹部23Eに配置される。
第1樹脂層25Eは、屈折率n1(例えば、1.42)を有する層であり、LEDチップ24E上に設けられている。また、第1樹脂層25Eは、光透過性樹脂によって構成される。また、第1樹脂層25Eは、絶縁体基板22Eの凹部23Eに充填される。
蛍光体シート27Eは、屈折率n2(例えば、1.56)を有するシート層(第2樹脂層)であり、第1樹脂層25E及び絶縁体基板22E上に設けられている。また、蛍光体シート27Eは、蛍光体26Eが混入された光透過性樹脂によって構成される。なお、蛍光体シート27Eは、凹部23Eに第1樹脂層25Eが充填された絶縁体基板22E上に貼り付けられる。
蛍光体26Eは、LEDチップ24Eが発する紫外光(励起光)を吸収して、可視光を蛍光として発する。また、蛍光体26Eの粒形は、上述した第1実施形態と同様に、光の波長以上のサイズ(数μm)であってもよいが、これに限定されるものではない。蛍光体26Eの粒形は、光の波長よりも十分に小さいサイズ(例えば、100nm)であってもよい。
なお、蛍光体26Eの粒形が光の波長以上のサイズである場合には、蛍光体シート27Eの屈折率n2は、蛍光体26Eを構成する光透過性樹脂の屈折率と考えることができる。一方、蛍光体26Eの粒形が光の波長よりも十分に小さい場合には、蛍光体シート27Eの屈折率n2は、蛍光体26Eを考慮した実効的な屈折率と考えることができる。
第3樹脂層28Eは、屈折率n3(例えば、1.52)を有する層であり、蛍光体シート27E上に設けられている。
(作用及び効果)
本発明の第6の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Eによれば、蛍光体を含む樹脂層(第2樹脂層)が蛍光体シート27Eによって構成されるため、凹部23Eに第1樹脂層25Eが充填された絶縁体基板22E上に蛍光体シート27Eを貼り付けることによって、チップ型LED発光装置1Eを形成することができる。すなわち、蛍光体を含む樹脂の充填や硬化を必要とせずに、チップ型LED発光装置1Eを容易に形成することができる。
本発明の第6の実施の形態に係るチップ型LED発光装置1Eによれば、蛍光体を含む樹脂層(第2樹脂層)が蛍光体シート27Eによって構成されるため、凹部23Eに第1樹脂層25Eが充填された絶縁体基板22E上に蛍光体シート27Eを貼り付けることによって、チップ型LED発光装置1Eを形成することができる。すなわち、蛍光体を含む樹脂の充填や硬化を必要とせずに、チップ型LED発光装置1Eを容易に形成することができる。
以下において、本発明の実施例2について表を参照しながら説明する。なお、実施例2では、以下に示すサンプルを準備して、チップ型LED発光装置の発光効率、チップ型LED発光装置に含まれる蛍光体の励起効率を測定した。
具体的には、図1と同様の構造を有するLED発光装置(本発明構造1)と、図10と同様の構造を有するLED発光装置(本発明構造3)を作製した。すなわち、本発明構造1のLED発光装置では、第1樹脂層4の屈折率n1、第2樹脂層6の屈折率n2及び第3樹脂層8の屈折率n3が、n2>n1=n3の関係を有している。各樹脂層の屈折率は、それぞれ、図12の表3に示す通りである。
また、図1に示すLED発光装置において、第1樹脂層4を形成することなく、蛍光体を含む第2樹脂層がLEDチップ2を直接覆う構造を有するLED発光装置を比較用として準備した(表3では、「比較用」として示した)。
各LED発光装置の測定結果を図12の表3に示す。この表3に示すように、各実験(実験1〜実験3)において、発光効率及び蛍光体励起効率について、比較用よりも本発明構造1及び本発明構造3の方が優れていることが確認された。これは、蛍光体が発する熱がLEDチップに与える悪影響を第1樹脂層が抑制するためであると考えられる。
また、実験3の結果に示すように、発光効率については、本発明構造1よりも本発明構造3の方が優れており、蛍光体励起効率については、本発明構造3よりも本発明構造1の方が優れていることが確認された。
ここで、本発明構造1では、第2樹脂層6の屈折率n2が第1樹脂層4の屈折率n1よりも大きいため、第2樹脂層6中に紫外光が強く閉じ込められる。これによって、第2樹脂層6中の蛍光体が励起されやすくなり、蛍光体励起効率が向上したと考えられる。
また、本発明構造3では、第2樹脂層6Dの屈折率n2が第1樹脂層4Dの屈折率n1と等しいため、本発明構造1と比較して、第1樹脂層4DとLEDチップ2Dとの屈折率差が小さい。これによって、LEDチップ2Dから第1樹脂層4Dに光を取り出しやすいため、発光効率が向上したと考えられる。
[その他の実施形態]
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、上述した第1の実施の形態〜第4の実施の形態では、蛍光体の粒形は、光の波長以上のサイズ(数μm)であるが、これに限定されるものではない。具体的には、第5の実施の形態で示したように、蛍光体の粒形は、光の波長よりも十分に小さいサイズ(例えば、100nm)であってもよい。
なお、蛍光体の粒形が光の波長以上のサイズである場合には、第2樹脂層6の屈折率n2は、第2樹脂層6を構成する光透過性樹脂の屈折率と考えることができる。一方、蛍光体の粒形が光の波長よりも十分に小さい場合には、第2樹脂層6の屈折率n2は、蛍光体を考慮した実効的な屈折率と考えることができる。
また、上述した第1樹脂層4は、蛍光体を含まない方が好ましいが、LEDチップ2に影響を与えない範囲で微量の蛍光体を含んでいてもよいことは勿論である。
さらに、第3樹脂層8は、第2樹脂層6に含まれる蛍光体が発する蛍光の放出を妨げない範囲であれば、蛍光体を含んでいてもよいことも勿論である。この場合に、第3樹脂層8に含まれる蛍光体は、LEDチップ2が発する紫外光によって励起する蛍光体であってもよい。第3樹脂層8に含まれる蛍光体は、第2樹脂層6に含まれる蛍光体が発する蛍光によって励起する蛍光体であってもよい。例えば、第2樹脂層6は、LEDチップ2が発する紫外光を吸収して青色光を発する蛍光体を含み、第3樹脂層8は、第2樹脂層6に含まれる蛍光体が発する青色光を吸収して赤色光や緑色光を発する蛍光体を含んでもよい。
1,1A,1B,1C…LED発光装置、2…LEDチップ、3…第1のリードフレーム、4…第1樹脂層、5…蛍光体、6…第2樹脂層、7…第2のリードフレーム、8…第3樹脂層、UV…紫外光、VL…可視光。
Claims (11)
- LEDチップと、前記LEDチップ上に設けられた第1の層と、前記第1の層上に設けられた第2の層と、前記第2の層上に設けられた第3の層とを備え、
前記第1の層は、屈折率n1を有する層であり、
前記第2の層は、前記LEDチップが発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含み、屈折率n2を有する層であり、
前記第3の層は、屈折率n3を有する層であり、
前記屈折率n2は、前記屈折率n3よりも大きいことを特徴とするLED発光装置。 - 前記屈折率n2は、前記屈折率n1よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記屈折率n1は、前記屈折率n2と同じであることを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記屈折率n1は、前記屈折率n2よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記屈折率n3は、前記屈折率n1よりも大きいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のLED発光装置。
- 前記LEDチップは、前記励起光として紫外光を発し、
前記蛍光体は、前記蛍光として可視光を発光することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のLED発光装置。 - 前記第2の層は、蛍光体シートによって構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のLED発光装置。
- 前記LEDチップは、前記励起光が出射する光出射面を有し、
前記光出射面には、微細な凹凸が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のLED発光装置。 - 前記第1の層及び前記第2の層は、樹脂によって構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のLED発光装置。
- 前記第3の層は、樹脂によって構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のLED発光装置。
- 前記第3の層は、ガラスによって構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のLED発光装置。
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US11/524,257 US20070096113A1 (en) | 2005-09-21 | 2006-09-21 | Led device |
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---|---|
US (1) | US20070096113A1 (ja) |
JP (1) | JP2007116131A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010013A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Toppan Printing Co Ltd | 白色光源 |
JP2009094351A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009158637A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kyocera Corp | 発光装置 |
WO2009128468A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
JP2010147318A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び駆動方法 |
WO2010082286A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
JP2011082340A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止材 |
JP2011515851A (ja) * | 2008-03-19 | 2011-05-19 | クリー インコーポレイテッド | Ledデバイスの低屈折率スペーサ層 |
US7955879B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer |
JP2011114222A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置、半導体発光装置アセンブリ、および半導体発光装置の製造方法 |
JPWO2009107535A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2011-06-30 | 株式会社東芝 | 白色ledランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置 |
JP2012114142A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | Led発光装置 |
WO2012147608A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US8324796B2 (en) | 2009-07-03 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Lighting device with phosphor layer and lens, and surface light source, and liquid-crystal display |
WO2013105514A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | Led装置 |
JP2014168087A (ja) * | 2010-02-18 | 2014-09-11 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及び照明システム |
US8975648B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-03-10 | Sony Corporation | Light emitting device and manufacturing method thereof |
WO2015072120A1 (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、発光モジュール、照明器具及びランプ |
JP2016058614A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
JP2016149541A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 | 光学センサモジュール、光学センサアクセサリー、及び光学センサデバイス |
JP2017034134A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
KR101739576B1 (ko) | 2011-10-28 | 2017-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정-고분자 미분 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전자 소자 |
JP2018032692A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
CN111710774A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-09-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种彩膜基板、显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100900866B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-06-04 | 삼성전자주식회사 | 나노결정-금속산화물 복합체를 이용하는 발광 다이오드소자 및 그의 제조방법 |
JP4829190B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2011-12-07 | 株式会社東芝 | 発光素子 |
US20090173958A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-09 | Cree, Inc. | Light emitting devices with high efficiency phospor structures |
JP5665160B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2015-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置および照明器具 |
TW201007091A (en) * | 2008-05-08 | 2010-02-16 | Lok F Gmbh | Lamp device |
US20090321758A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Wen-Huang Liu | Led with improved external light extraction efficiency |
JP5284006B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-11 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
WO2010151600A1 (en) | 2009-06-27 | 2010-12-29 | Michael Tischler | High efficiency leds and led lamps |
KR101039930B1 (ko) | 2009-10-23 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR101140961B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 광학소자용 패키지 기판 및 제조방법 |
US9480133B2 (en) | 2010-01-04 | 2016-10-25 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting element repair in array-based lighting devices |
US8384121B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-02-26 | Cooledge Lighting Inc. | Electronic devices with yielding substrates |
US8653539B2 (en) | 2010-01-04 | 2014-02-18 | Cooledge Lighting, Inc. | Failure mitigation in arrays of light-emitting devices |
KR101659355B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2016-09-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP5917796B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2016-05-18 | 三菱電機株式会社 | Ledパッケージ装置 |
JP5775375B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2015-09-09 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
KR20120097697A (ko) * | 2011-02-25 | 2012-09-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 |
JPWO2012131792A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101702000B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2017-02-03 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자 |
US9231178B2 (en) | 2012-06-07 | 2016-01-05 | Cooledge Lighting, Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
JP6062431B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2017-01-18 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
US9411090B2 (en) * | 2012-11-21 | 2016-08-09 | Empire Technology Development Llc | Backlight system |
JP6476567B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW201438936A (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 車燈系統 |
JP2015012299A (ja) | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光デバイス及びその製造方法 |
US20150137163A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Nanoco Technologies Ltd. | LED Cap Containing Quantum Dot Phosphors |
JP2016076634A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Ledパッケージ、バックライトユニット及び液晶表示装置 |
CN105895784B (zh) * | 2015-01-26 | 2018-05-15 | 扬州艾特光电有限公司 | 磷光片与具有磷光片的发光装置 |
CN105992465B (zh) * | 2015-03-06 | 2019-01-15 | 龙门县佳茂聚氨酯橡胶有限公司 | 嵌入式发光二极管电路板及其制作方法 |
DE102018101326A1 (de) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
CN110311028A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-10-08 | 中山市聚明星电子有限公司 | 一种高亮度柔光广角led灯珠及生产工艺 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US6522065B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-18 | General Electric Company | Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device |
US20020084749A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | Ayala Raul E. | UV reflecting materials for LED lamps using UV-emitting diodes |
US20040159900A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having front illumination |
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
DE102004034166B4 (de) * | 2003-07-17 | 2015-08-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
JP2005167091A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
US7344902B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
-
2006
- 2006-09-20 JP JP2006254857A patent/JP2007116131A/ja not_active Withdrawn
- 2006-09-21 US US11/524,257 patent/US20070096113A1/en not_active Abandoned
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010013A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Toppan Printing Co Ltd | 白色光源 |
JP2009094351A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009158637A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kyocera Corp | 発光装置 |
JP2013038447A (ja) * | 2008-02-25 | 2013-02-21 | Toshiba Corp | 白色ledランプ、バックライトおよび照明装置 |
JP2014197707A (ja) * | 2008-02-25 | 2014-10-16 | 株式会社東芝 | 白色ledランプ、バックライトおよび照明装置 |
JPWO2009107535A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2011-06-30 | 株式会社東芝 | 白色ledランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置 |
US10886434B2 (en) | 2008-02-25 | 2021-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device |
JP2011515851A (ja) * | 2008-03-19 | 2011-05-19 | クリー インコーポレイテッド | Ledデバイスの低屈折率スペーサ層 |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
US8598618B2 (en) | 2008-04-17 | 2013-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light emitting device, backlight, liquid crystal display device, and illuminating device |
JP5542660B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
WO2009128468A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
JPWO2009128468A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2011-08-04 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
US7955879B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer |
JP2010147318A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び駆動方法 |
WO2010082286A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
JP5395097B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
US8324796B2 (en) | 2009-07-03 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Lighting device with phosphor layer and lens, and surface light source, and liquid-crystal display |
JP2011082340A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止材 |
JP2011114222A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置、半導体発光装置アセンブリ、および半導体発光装置の製造方法 |
US8975648B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-03-10 | Sony Corporation | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2014168087A (ja) * | 2010-02-18 | 2014-09-11 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及び照明システム |
JP2012114142A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | Led発光装置 |
WO2012147608A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US9190579B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
JP5892160B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2016-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
KR20140024397A (ko) * | 2011-04-26 | 2014-02-28 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 |
KR101886070B1 (ko) | 2011-04-26 | 2018-08-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 |
KR101739576B1 (ko) | 2011-10-28 | 2017-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정-고분자 미분 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전자 소자 |
WO2013105514A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | Led装置 |
WO2015072120A1 (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、発光モジュール、照明器具及びランプ |
JP2016058614A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
US9696199B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-07-04 | Taiwan Biophotonic Corporation | Optical sensor |
JP2016149541A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 | 光学センサモジュール、光学センサアクセサリー、及び光学センサデバイス |
JP2017034134A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP2018032692A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
CN111710774A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-09-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种彩膜基板、显示面板和显示装置 |
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