JP5665160B2 - 発光装置および照明器具 - Google Patents

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Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置およびそれを備えた照明器具に関するものである。
従来から、LEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する蛍光体とを組み合わせ所望の混色光(例えば、白色光)を得るようにした発光装置の研究開発が各所で行われている(例えば、特許文献1参照)。
ここにおいて、上記特許文献1には、図10に示すように、LEDチップ10’と、当該LEDチップ10’が実装されたセラミックス基板からなる実装基板20’と、透光性封止材(例えば、シリコーン樹脂など)により形成され実装基板20’におけるLEDチップ10’の実装面側でLEDチップ10’を封止した半球状の封止部50’と、LEDチップ10’から放射される光によって励起されてLEDチップ10’よりも長波長の光を放射する蛍光体161’を含有した第1の透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)により形成され封止部50’の光出射面側に固着されたドーム状の第1の色変換部(第1の波長変換部)61’と、LEDチップ10’から放射される光によって励起されてLEDチップ10’よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体162’を含有した第2の透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)により形成され第1の色変換部61’との間に透光性材料層70’が介在する形で配置されたドーム状の第2の色変換部(第2の波長変換部)62’とを備えた発光装置が記載されている。ここにおいて、図10に示した構成の発光装置では、LEDチップ10’として青色光を放射する青色LEDチップを用い、第2の蛍光体162’として第1の蛍光体161’よりもLEDチップ10’から放射される光の吸収率の高い蛍光体を用いている。
上述の発光装置では、各色変換部61’,2’がドーム状に形成されているので、色むらの発生を抑制することができ、また、第2の蛍光体162’として第1の蛍光体161’よりもLEDチップ10’から放射される光の吸収率の高い蛍光体を用いているので、第1の蛍光体161’および第2の蛍光体162’それぞれの量子効率を向上できて外部への光取出し効率を高めることができる。
特開2007−35885号公報
ところで、上述の発光装置では、点灯時に、LEDチップ10’だけでなく、第1の色変換部61’の第1の蛍光体161’および第2の色変換部62’の第2の蛍光体162’もストークスシフトによるエネルギ損失に起因して発熱するが、各色変換部61’,2’がドーム状に形成され実装基板20’側の端部しか実装基板20’と接していないので、各色変換部61’,62’で発生した熱を効率良く放熱させることができず、各色変換部61’,62’内の温度差や各蛍光体161’,162’の温度上昇に起因した温度消光により量子効率が低下し、LEDチップ10’から放射される光と各色変換部61’,62’から放射される光とのバランスが崩れ色度がずれてしまうという問題や、光出力が低下するという問題があった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、色むらを抑制でき且つ蛍光体の温度上昇による温度消光を抑制できる発光装置およびそれを備えた照明器具を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、前記LEDチップが実装された実装基板と、前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップよりも長波長の光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成され前記LEDチップの光取出し面に積層された第1の色変換部と、前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップよりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成され前記LEDチップから放射される光の伝搬方向において前記第1の色変換部よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部とを備え、前記第1の色変換部の発熱量が前記第2の色変換部の発熱量よりも大きくなるように前記第1の色変換部の前記第1の蛍光体の量および前記第2の色変換部の前記第2の蛍光体の量を設定してなり、前記第2の色変換部が前記実装基板における前記LEDチップの実装面側において前記実装基板との間に前記第1の色変換部および前記LEDチップを囲む形で配置されてなり、前記第2の色変換部の内側で前記実装基板との間に前記第1の色変換部および前記LEDチップを囲む形で配置された光学部材と、前記光学部材と前記実装基板とで囲まれた空間で前記第1の色変換部および前記LEDチップを封止した透光性封止材からなる封止部とを備え、前記第2の色変換部の光入射面と前記光学部材の光出射面との間に空隙が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、LEDチップから放射される光によって励起されてLEDチップよりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップから放射される光の伝搬方向において第1の色変換部よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部を備えていることにより、色むらを抑制できるとともに色合わせが容易になり、しかも、LEDチップから放射される光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成された第1の色変換部がLEDチップの光取り出し面側に積層されており、第1の色変換部の発熱量が第2の色変換部の発熱量よりも大きくなるように前記第1の色変換部の前記第1の蛍光体の量および前記第2の色変換部の前記第2の蛍光体の量を設定してあるので、第2の色変換部の第2の蛍光体の温度上昇を抑制できるとともに、第1の色変換部の第1の蛍光体で発生した熱をLEDチップを通して実装基板側へ効率良く放熱させることができ、第1の蛍光体および第2の蛍光体それぞれの温度上昇に起因した温度消光を抑制できる。
また、この発明によれば、前記第2の色変換部の光入射面と前記光学部材の光出射面との間に空隙が形成されているので、前記第2の蛍光体から放射された光が前記光学部材側へ戻るのを抑制でき、外部への光取出し効率を高めることができるとともに、前記第1の蛍光体および前記第2の蛍光体の材料の選択肢が多くなる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記第1の色変換部は、前記LEDチップ側とは反対側に全反射抑制用の凹凸構造が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップから放射され前記第1の色変換部を透過した光や前記第1の蛍光体から放射された光を効率良く取り出すことが可能となり、光取出し効率を向上できるとともに、前記第1の色変換部の温度上昇を抑制することができる
請求項3の発明は、請求項1または請求項2記載の発光装置を備えることを特徴とする。
請求項1の発明では、色むらを抑制でき且つ蛍光体の温度上昇による温度消光を抑制できるという効果がある。
(実施形態1)
本実施形態の発光装置は、図1に示すように、LEDチップ10と、当該LEDチップ10が実装された実装基板20と、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成されLEDチップ10の光取出し面11側に積層されたシート状の第1の色変換部(波長変換部)61と、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップ10から放射される光の伝搬方向において第1の色変換部61よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部(波長変換部)62とを備えている。
ここにおいて、本実施形態の発光装置は、第2の色変換部62が実装基板20におけるLEDチップ10の実装面側において実装基板20との間に第1の色変換部61およびLEDチップ10を囲む形で配置されており、第2の色変換部62の内側で実装基板20との間に第1の色変換部61およびLEDチップ10を囲む形で配置されたドーム状の光学部材40と、光学部材40と実装基板20とで囲まれた空間で第1の色変換部61およびLEDチップ10を封止した透光性封止材からなる封止部50とを備え、第2の色変換部62の光入射面62aと光学部材40の光出射面40bとの間に空隙80が形成されている。
本実施形態の発光装置では、LEDチップ10として、青色光を放射する青色LEDチップを用い、第1の色変換部61の第1の蛍光体として、緑色光を放射する緑色蛍光体を用い、第2の色変換部62の第2の蛍光体として、赤色光を放射する赤色蛍光体を用いており、青色光と緑色光と赤色光との混色光からなる白色光を得ることができるので、演色性の高い白色光を得ることができる。
LEDチップ10は、厚み方向の一表面側(図1における上面側)にアノード電極(図示せず)が形成されるとともに、厚み方向の他表面側(図1における下面側)にカソード電極(図示せず)が形成されており、上記一表面側を光取り出し面11側としている。ここにおいて、アノード電極およびカソード電極は、下層側のNi膜と上層側のAu膜との積層膜により構成されている。
実装基板20は、第1の熱伝導性材料(例えば、AlNなど)により形成されLEDチップ10が一表面側に搭載される矩形板状のサブマウント部材30と、第2の熱伝導性材料(例えば、Cu、Alなど)により形成されサブマウント部材30が一面側の中央部に固着される矩形板状の伝熱板21と、伝熱板21の一面側(図1における上面側)に例えばポリオレフィン系の固着シート(図示せず)を介して固着される矩形板状のフレキシブルプリント配線板により形成され中央部にサブマウント部材30を露出させる矩形状の窓孔24を有する配線基板22とで構成されている。したがって、LEDチップ10で発生した熱が配線基板22を介さずにサブマウント部材30および伝熱板21に伝熱されるようになっている。
一方、配線基板22は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材22aの一表面側に、LEDチップ10への給電用の一対の配線パターン23,23が設けられるとともに、各配線パターン23,23および絶縁性基材22aにおいて配線パターン23,23が形成されていない部位を覆う白色系の樹脂からなるレジスト層26が積層されている。ここにおいて、LEDチップ10は、上記カソード電極がボンディングワイヤ14を介して一方の配線パターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がサブマウント部材30の電極パターン31およびボンディングワイヤ14を介して他方の配線パターン23と電気的に接続されている。なお、各配線パターン23,23は、絶縁性基材22aの外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。また、絶縁性基材22aの材料としては、FR4、FR5、紙フェノールなどを採用してもよい。
レジスト層26は、配線基板22の窓孔24の近傍において各配線パターン23,23の2箇所が露出し、配線基板22の周部において各配線パターン23,23の1箇所が露出するようにパターニングされており、各配線パターン23,23は、配線基板22の窓孔24近傍において露出した部位が、ボンディングワイヤ14が接続される端子部23aを構成し、配線基板22の周部において露出した円形状の部位が外部接続用の電極部23bを構成している。なお、配線基板22の配線パターン23,23は、Cu膜とNi膜とAu膜との積層膜により構成され、最上層がAu膜となっている。
また、サブマウント部材30は、第1の熱伝導性材料として熱伝導率が比較的高く且つ電気絶縁性を有するAlNを採用し、平面サイズをLEDチップ10のチップサイズよりも大きく設定してあり、伝熱板21とLEDチップ10との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する応力緩和機能と、LEDチップ10で発生した熱を伝熱板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能とを有している。したがって、本実施形態の発光装置では、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和することができるとともに、LEDチップ10で発生した熱をサブマウント部材30および伝熱板21を介して効率良く放熱させることができる。
本実施形態では、サブマウント部材30の第1の熱伝導性材料としてAlNを採用しているが、第1の熱伝導性材料はAlNに限らず、例えば、複合SiC、Siなどを採用してもよい。また、サブマウント部材30の一表面側には、LEDチップ10におけるサブマウント部材30側の電極である上記アノード電極と接合される上述の電極パターン31が形成され、当該電極パターン31の周囲に可視光を反射する反射膜32が形成されている。したがって、LEDチップ10から放射された可視光がサブマウント部材30に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることが可能となる。ここにおいて、電極パターン31は、Auを主成分とするAuとSnとの合金(例えば、80Au−20Sn、70Au−30Snなど)により形成されている。また、反射膜32は、Alにより形成されているが、Alに限らず、Ag,Ni,Auなどにより形成してもよい。
また、本実施形態の発光装置では、サブマウント部材30の厚み寸法を、当該サブマウント部材30の表面が配線基板22のレジスト層26の表面よりも伝熱板21から離れるように設定してあり、LEDチップ10や赤色蛍光体や緑色蛍光体から放射された可視光が配線基板22の窓孔24の内周面を通して配線基板22に吸収されるのを防止することができる。
上述の封止部50は、半球状の形状に形成されているが、半球状に限らず、半楕円球状の形状でもよい。また、上述の封止部50の材料である透光性封止材としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
光学部材40は、第3の透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)の成形品であってドーム状に形成されており、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。また、光学部材40は、光入射面40aが封止部50の光出射面と密着しており、光学部材40と封止部50とで半球状のレンズ部を構成している。ここで、本実施形態では、光学部材40をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材40と封止部50との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、光学部材40の材料である第3の透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
第1の色変換部61は、第1の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用するとともに、第1の蛍光体として上述のように緑色蛍光体を採用している。ここで、第1の色変換部61は、厚みが一様なシート状の形状であり、LEDチップ10の光取り出し面11側に接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)により固着することで積層されているが、必ずしも接着剤を用いる必要はなく、例えば、LEDチップ10の光取出し面11側にスクリーン印刷法、インクジェット法などにより形成してもよい。なお、第1の色変換部61は、シート状に限らず、第1の蛍光体を含有させた第1の透光性材料を塗布したりディピングすることで形成してもよく、光出射面側に1ないし複数の凸曲面が形成されていてもよい。なお、第1の色変換部61の周部には、LEDチップ10の上記カソード電極とボンディングワイヤ14との接続部位を露出させる切欠部が形成されている。
また、第2の色変換部62は、第2の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用するとともに第2の蛍光体として上述のように赤色蛍光体を採用している。ここで、第2の色変換部62は、ドーム状の形状であり、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。ここにおいて、第2の色変換部62は、光入射面62aが光学部材40の光出射面40bに沿った形状に形成されている。したがって、光学部材40の光出射面40bの位置によらず法線方向における光出射面40bと第2色変換部62の光入射面62aとの間の距離が略一定値となっている。なお、第2の色変換部62は、位置によらず光出射面62bの法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。
なお、第1の色変換部61の第1の透光性材料および第2の色変換部62の第2の透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。
ところで、本実施形態の発光装置では、点灯時に、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きくなるように第1の色変換部61の第1の蛍光体の量および第2の色変換部62の第2の蛍光体の量を設定してある。ここで、本実施形態の発光装置において、LEDチップ10への駆動電流を500mAとしたときにLEDチップ10の温度が80℃、色温度が5000Kとなる一例について、LEDチップ10への駆動電流を500mA一定とした場合の発光装置の製造過程における光出力の測定結果を図2に示す。図2における(1)は、LEDチップ10を封止する前の状態、(2)は、LEDチップ10に第1の色変換部61を積層せずに封止部50および光学部材40を設けた状態、(3)は、LEDチップ10の光取出し面11側に第1の色変換部61を積層してから封止部50および光学部材40を設けた状態、(4)は第2の色変換部62を光学部材40との間に空隙が形成される形で配置した状態、それぞれを示している。ここにおいて、(2)の状態の光出力は、(1)の状態に対して封止部50および光学部材40を設けたことによる光取出し効率の増倍率を1.3と仮定して、446×1.3=580としてある。また、第1の色変換部61の発熱量P1は、P1=〔(2)の状態の光出力量〕−〔(3)の状態の光出力量〕で求められると仮定すると、P1=300mWとなり、第2の色変換部62の発熱量P2は、P2=〔(3)の状態の光出力量〕−〔(4)の状態の光出力量〕で求められると仮定すると、P2=71mWとなり、P1>P2となっている。
また、本実施形態の発光装置にあたっては、製造時に、あらかじめ第2の蛍光体の濃度が異なる複数種類の第2の色変換部62を用意しておき、第2色変換部62を実装基板20に配置する前に、光学部材40を通して出射される混色光の色を検出して当該検出結果に応じて適宜濃度の第2の色変換部62を配置するようにすれば、発光装置ごとの色ばらつきを低減することが可能となる。
以上説明した本実施形態の発光装置では、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップ10から放射される光の伝搬方向において第1の色変換部61よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部62を備えていることにより、色むらを抑制できるとともに色合わせが容易になり、しかも、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成された第1の色変換部61がLEDチップ10の光取り出し面11側に積層されており、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きいので、第2の色変換部62の第2の蛍光体の温度上昇を抑制できるとともに、第1の色変換部61の第1の蛍光体で発生した熱をLEDチップ10を通して実装基板20側へ効率良く放熱させることができ、第1の蛍光体および第2の蛍光体それぞれの温度上昇に起因した温度消光を抑制できる。
また、本実施形態の発光装置では、第2の色変換部62の光入射面62aと光学部材40の光出射面40bとの間に空隙80が形成されており、光学部材40の光出射面40bと第2の色変換部62との間の媒質が気体(例えば、空気、不活性ガスなど)となっているので、第2の蛍光体から放射された光が光学部材40側へ戻るのを抑制でき、外部への光取出し効率を高めることができるとともに、第1の蛍光体および第2の蛍光体の材料の選択肢が多くなる。なお、本実施形態の発光装置では、所望の混色光が白色光である場合、第2の蛍光体は、赤色蛍光体に限らず、例えば、青色〜赤色の蛍光体を複数種類用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体の2種類や、黄緑色蛍光体と黄色蛍光体と橙色蛍光体との3種類を用いることにより、色合わせが容易になる。また、第1の蛍光体および第2の蛍光体の発光色を適宜設定すれば、LEDチップ10として紫外LEDチップや紫色LEDチップを用いても白色光を得ることができる。
(実施形態2)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と同じであり、図1における第1の色変換部61の第1の蛍光体として赤色蛍光体を採用し、第2の色変換部62の第2の蛍光体として緑色蛍光体を採用している点が相違するだけであり、実施形態1と同様に、点灯時に、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きくなるように第1の色変換部61の第1の蛍光体の量および第2の色変換部62の第2の蛍光体の量を設定してある。ここで、本実施形態の発光装置において、LEDチップ10への駆動電流を500mAとしたときにLEDチップ10の温度が80℃、色温度が3800Kとなる一例について、LEDチップ10への駆動電流を500mA一定とした場合の発光装置の製造過程における光出力の測定結果を図3に示す。図3の見方は、上述の図2と同じであり、第1の色変換部61の発熱量P1は、P1=190mWとなり、第2の色変換部62の発熱量P2は、P2=115mWとなり、P1>P2となっている。
しかして、本実施形態の発光装置は、実施形態1と同様、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップ10から放射される光の伝搬方向において第1の色変換部61よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部62を備えていることにより、色むらを抑制できるとともに色合わせが容易になり、しかも、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成された第1の色変換部61がLEDチップ10の光取り出し面11側に積層されており、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きいので、第2の色変換部62の第2の蛍光体の温度上昇を抑制できるとともに、第1の色変換部61の第1の蛍光体で発生した熱をLEDチップ10を通して実装基板20側へ効率良く放熱させることができ、第1の蛍光体および第2の蛍光体それぞれの温度上昇に起因した温度消光を抑制できる。なお、本実施形態の発光装置では、所望の混色光が白色光である場合、第2の蛍光体は、緑色蛍光体に限らず、例えば、青色〜赤色の蛍光体を複数種類用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体の2種類や、黄緑色蛍光体と黄色蛍光体と橙色蛍光体との3種類を用いることにより、色合わせが容易になる。また、第1の蛍光体および第2の蛍光体の発光色を適宜設定すれば、LEDチップ10として紫外LEDチップや紫色LEDチップを用いても白色光を得ることができる。
ところで、実施形態1の発光装置では、第1の色変換部61の第1の蛍光体として緑色蛍光体を採用し第2の色変換部62の第2の蛍光体として赤色蛍光体を採用しているので、赤色蛍光体と緑色蛍光体との2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する緑色蛍光体から放射された緑色光が長波長側に発光ピーク波長を有する赤色蛍光体に二次吸収されてしまう。
これに対して、本実施形態の発光装置では、第1の色変換部61の第1の蛍光体として赤色蛍光体を採用し第2の色変換部62の第2の蛍光体として緑色蛍光体を採用しているので、赤色蛍光体と緑色蛍光体との2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する緑色蛍光体から放射された緑色光が長波長側に発光ピーク波長を有する赤色蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となる。
(実施形態3)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と同じであり、第1の色変換部61の第1の蛍光体として赤色蛍光体および緑色蛍光体を採用し、第2の色変換部62の第2の蛍光体として赤色蛍光体および緑色蛍光体を採用している点が相違するだけである。
しかして、本実施形態の発光装置では、第2の色変換部62を色合わせ層として用いるので、第2の色変換部62の発熱量を第1の色変換部61の発熱量に比べてより小さくすることができ、第2の色変換部62の第2の蛍光体の温度上昇をより抑制できる。
(実施形態4)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、第1の色変換部61におけるLEDチップ10側とは反対側に全反射抑制用の凹凸構造61aが形成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符合を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態の発光装置では、LEDチップ10から放射され第1の色変換部61を透過した光や第1の蛍光体から放射された光を効率良く取り出すことが可能となり、光取出し効率を向上できるとともに、第1の色変換部61の温度上昇を抑制することができる。なお、他の実施形態において第1の色変換部61に全反射抑制用の凹凸構造61aを形成してもよい。
(実施形態5)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図5に示すように、第2の色変換部62に、当該第2の色変換部62の第2の透光性材料とは屈折率の異なる球状の光拡散材63を分散させてある点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
光拡散材63の材料としては、例えば、SiO(ガラス)、TiO、Alなどの透明な無機材料や、第2の透光性材料とは屈折率の異なる有機材料(例えば、シリコーン樹脂など)を採用すればよい。なお、光拡散材73の屈折率が高くなるほど拡散効果が大きくなる。
また、第2の色変換部62の母材である第2の透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、ガラスでもよく、ガラスを採用すれば、母材がシリコーン樹脂などの有機材料である場合に比べて、第2の色変換部62の温度上昇を抑制することができる。第2の色変換部62の母材を高融点ガラス、拡散材63を低融点ガラスとしてもよい。
また、光拡散材63は、球状のガラスに限らず、ガラス繊維や、メッシュ状のガラス、金属ナノ粒子などにより構成してもよい。ここで、光拡散材63としてガラス繊維を採用すれば、光拡散材63が球状のガラスである場合に比べて、第2の色変換部62の第2の蛍光体で発生した熱を効率的に放熱させることが可能となり、第2の色変換部62の局所的な発熱を抑制することが可能となる。また、光拡散材63として金属ナノ粒子(例えば、金や銀などの貴金属のナノ粒子)を採用すれば、LEDチップ10からの光によって光拡散材63において表面プラズモンポラリトンが励起され、LEDチップ10からの光が増強されるので、外部への光取り出し効率を高めることが可能となる。
以上説明した本実施形態の発光装置では、第2の色変換部62に光拡散材63を分散させてあるので、色むらをより一層抑制できるとともに放熱性が向上する。なお、他の実施形態において第2の色変換部62に光拡散材63を分散させてもよい。
(実施形態6)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図6に示すように、ドーム状の第2の色変換部62が、LEDチップ10から放射され第1の色変換部61を透過した光および第1の色変換部61の第1の蛍光体から放射された光の配光を制御するフレネルレンズを構成するように第2の色変換部62の光出射面62bに凹凸を形成して第2の色変換部62の肉厚を変化させてある点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態の発光装置では、第2の色変換部62によって、LEDチップ10から放射され第1の色変換部61を透過した光および第1の色変換部61の第1の蛍光体から放射された光の配光を制御することができる。なお、他の実施形態において第2の色変換部62の形状を本実施形態と同様の形状としてもよい。
(実施形態7)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図7に示すように、第2の色変換部62の光出射面62b側にドーム状のフレネルレンズ90が配置されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態の発光装置では、フレネルレンズ90によって、LEDチップ10から放射され第1の色変換部61を透過した光および第1の色変換部61の第1の蛍光体から放射された光の配光を制御することができる。なお、実施形態1〜5において第2の色変換部62の光出射面62b側にフレネルレンズ90を配置してもよい。
(実施形態8)
本実施形態の発光装置は、図8に示すように、第1の熱伝導性材料(例えば、Cuなど)からなる伝熱板102と、伝熱板102の一表面側に突設された第2の熱伝導性材料(例えば、AlNなど)からなるサブマウント部103と、絶縁性基材141の一表面側に配線パターン142,142が形成されるとともにサブマウント部103が内側に離間して配置される窓孔143が厚み方向に貫設されてなり伝熱板102の上記一表面側に配置された配線基板104と、LEDチップ10を収納したパッケージ112に設けられた外部接続用電極113,113が配線基板104の上記一表面側の配線パターン142,142に第1の接合材料(例えば、半田など)からなる第1の接合部106,106を介して接合されるとともにパッケージ112の裏面側に設けられた放熱用導体部115がサブマウント部103に第2の接合材料(例えば、半田など)からなる第2の接合部107を介して接合された表面実装型LED1とを備え、伝熱板102と配線基板104との間に介在して両者を接合し、且つ、伝熱板102と配線基板104およびパッケージ112それぞれとの線膨張率差に起因して各接合部106,106,107それぞれに働く応力を緩和する熱可塑性樹脂からなる応力緩和部108を設けてある。なお、本実施形態では、パッケージ112が、LEDチップ10が実装された実装基板を構成している。また、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
本実施形態の発光装置を例えば照明器具の光源として用いる場合には、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化し当該加熱時の流動性が高いエポキシ樹脂シート(例えば、溶融シリカを高充填したエポキシ樹脂シートのような有機グリーンシート)110により、Alなどの熱伝導率の高い金属からなる金属製部材(例えば、金属板、金属製の器具本体など)100と伝熱板102とを接合させ且つ熱結合させればよい。ここにおいて、上述の有機グリーンシート110は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いので、伝熱板102を金属製部材100に有機グリーンシート110を介して接合する(伝熱板2と金属製部材100との間に有機グリーンシート110を介在させた後で有機グリーンシート110を加熱することで伝熱板102と金属製部材100とを接合する)際に有機グリーンシート110と伝熱板102および金属製部材100との間に空隙が発生するのを防止することができて、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を防止することができ、従来のように表面実装型LEDを金属ベースプリント配線板に実装して金属ベースプリント配線板と金属製部材との間にサーコン(登録商標)のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、LEDチップ10から金属製部材100までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上するとともに熱抵抗のばらつきが小さくなり、LEDチップ10のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。なお、実施形態1〜7の発光装置を照明器具の光源として用いる場合には、上述の金属製部材100と実装基板20(図1,4〜7参照)における伝熱板21とを有機グリーンシート110により接合させ且つ熱結合させればよい。
本実施形態の発光装置は、表面実装型LED1が上述のLEDチップ10とパッケージ112とLEDチップ10の光取出し面11に積層された第1の色変換部61とを備えており、第2の色変換部62が配線基板104との間に表面実装型LED1を囲む形で配置されている。
本実施形態におけるLEDチップ10は、一表面側(図8おける上面側)に各電極(図示せず)が形成されており、パッケージ112は、LEDチップ10を収納する収納凹所112aが一表面に設けられたセラミックス基板であり、LEDチップ10の各電極それぞれとボンディングワイヤ117,117を介して電気的に接続される2つの導体パターン114,114が形成されており、各導体パターン114,114がパッケージ112の側面と他表面(裏面)とに跨って形成されている外部接続用電極113,113まで延設され電気的に接続されている。なお、パッケージ112は、平面視における外周形状が矩形状である。
また、パッケージ112は、上記他表面側に導電性材料(例えば、Cuなど)からなる放熱用導体部115が設けられているが、放熱用導体部115は、LEDチップ10がマウントされるマウント部115bが中央部から連続一体に突設されている。ここで、LEDチップ10は、放熱用導体部115のマウント部115bに対して半田(例えば、AuSn半田など)などにより接合されている。また、放熱用導体部115は、パッケージ112の上記他表面を含む平面から、外部接続用電極113,113よりも突出している。
また、表面実装型LED1は、投影視における放熱用導体部115の外周線がLEDチップ10の外周線の外側に位置している。要するに、放熱用導体部115の投影領域内にLEDチップ10が配置されている。したがって、LEDチップ10で発生した熱がLEDチップ10よりも広い放熱用導体部115へ伝熱されて放熱されるので、LEDチップ10の温度上昇が抑制され、光出力の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。なお、LEDチップ10は、LEDチップ10と放熱用導体部115との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する機能およびLEDチップ10で発生した熱をマウント部115bにおいてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有するサブマウント部材を介してマウント部115bに搭載するようにしてもよい。
上述のパッケージ112の材料はアルミナなどのセラミックに限らず、絶縁性の高いガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂でもよい。また、放熱用導体部115の材料は、Cuに限らず、例えば、CuWなどでもよい。また、放熱用導体部115は、必ずしもマウント部115bを備えている必要はなく、パッケージ112の収納凹所112aの内底面にLEDチップ10をダイボンディングするダイパッド部を設けてもよい。
また、パッケージ112における収納凹所112aは、円形状に開口され且つ内底面から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなっており、収納凹所112aの開口面付近に段部112bが形成されている。ここで、表面実装型LED1は、平面視における外周形状が円形状であるシート状の透光性部材(カバー)116の周部を段部112bに対して接着剤を用いて封着することによって、パッケージ112の収納凹所112aが透光性部材116により閉塞されている。なお、パッケージ112と透光性部材116とで囲まれた空間には、LEDチップ10、第1の色変換部61およびボンディングワイヤ117,117を封止した透光性封止材(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラスなど)からなる封止部(図示せず)が充実されているが、上記空間を空気雰囲気や不活性ガス雰囲気や真空雰囲気としてもよいし、LEDチップ10からの光の配向を制御したり光取り出し効率を高める適宜の光学部材を収納してもよい。また、透光性部材116は、シート状に限らず、例えば、ドーム状の形状として光学部材を構成するようにしてもよい。
上述の第1の熱伝導性材料からなる伝熱板102は、矩形板状に形成されており、上記一表面側に熱可塑性樹脂からなる応力緩和部108を介して配線基板104が接合されている。ここで、熱可塑性樹脂としては、例えば、APAS(住友スリーエム株式会社の商品名)を用いればよい。なお、本実施形態では、第1の熱伝導性材料としてCuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Alなどを採用してもよい。
配線基板104は、伝熱板102と同様に矩形板状に形成されており、上述のサブマウント部103が内側に離間して配置される長方形状の窓孔143が中央部に形成されている。
上述の配線基板104は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材141の一表面側に、表面実装型LED1への給電用の一対の配線パターン142,142が設けられるとともに、各配線パターン142,142および絶縁性基材141において配線パターン142,142が形成されていない部位を覆う白色系のレジスト(樹脂)からなる保護層144が積層されている。ここにおいて、配線基板104の配線パターン142,142は、Cuにより形成されている。なお、絶縁性基材141の材料としては、FR4、FR5、紙フェノールなどを採用してもよい。
サブマウント部103の材料である第2の熱伝導性材料としては、電気絶縁性を有するAlNを採用しており、表面実装型LED1の放熱用導体部115とサブマウント部103とは、AuSnを用いて接合しており、サブマウント部103および放熱用導体部115それぞれにおける接合表面にあらかじめAuからなる金属層131,119が形成されている。なお、放熱用導体部115とサブマウント部103とを接合する材料はAuSnに限らず、例えば、AuSn、SnPb、SnAgCuなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよい。
また、サブマウント部103と伝熱板102とは、AuSnからなる第4の接合部134を介して接合しており、サブマウント部103および伝熱板102それぞれにおける接合表面にあらかじめAuからなる金属層132,122が形成されている。なお、サブマウント部103と伝熱板102とを接合する材料はAuSnに限らず、例えば、AuSn、SnPb、SnAgCuなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよい。
上述のサブマウント部103は、表面実装型LED1のLEDチップ10などで発生した熱を伝導させる熱伝導機能を有しており、サブマウント部103における放熱用導体部115側の表面の面積は放熱用導体部115におけるサブマウント部103側の表面の面積よりも大きくなっている。要するに、サブマウント部103は、表面実装型LED1の放熱用導体部115の平面サイズよりも大きなサイズの長方形状に形成されており、サブマウント部103における放熱用導体部115側の金属層131は、サブマウント部103の平面サイズよりもやや小さな平面サイズに形成されている。ここにおいて、本実施形態の発光装置では、サブマウント部103が、平面視において表面実装型LED1のパッケージ112を横切る形で形成されており、パッケージ112の上記他表面側に設けられた放熱用導体部115とサブマウント部103との第2の接合部107の一部を平面視においてパッケージ112の外周線の外側まで形成することが可能となり、第2の接合部107の半田フィレットの形成の有無を目視で確認することができるので、第2の接合部107の接合状況を目視で容易に確認することが可能となる。なお、外部接続用電極113,113と配線パターン142,142との第1の接合部106,106については、外部接続用電極113,113がパッケージ112の上記他表面(裏面)と側面とに跨って形成されており、半田フィレットの形成の有無を目視で確認することができるので、第1の接合部106,106の接合状況を目視で容易に確認することができる。
なお、サブマウント部103の材料である第2の熱伝導性材料はAlNに限らず、伝熱板102の材料である第1の熱伝導性材料(例えば、Cuなど)と同一材料でもよく、この場合には、サブマウント部103を伝熱板102から連続一体に突設させることにより、部品点数を削減でき、製造が容易になるとともに低コスト化を図れる。ただし、この場合は、伝熱板102と金属製部材100とを電気的に絶縁するために有機グリーンシート110を設けることがより望ましい。
以上説明した本実施形態の発光装置では、実施形態1と同様、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップ10から放射される光の伝搬方向において第1の色変換部61よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部62を備えていることにより、色むらを抑制できるとともに色合わせが容易になり、しかも、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成された第1の色変換部61がLEDチップ10の光取り出し面11側に積層されており、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きいので、第2の色変換部62の第2の蛍光体の温度上昇を抑制できるとともに、第1の色変換部61の第1の蛍光体で発生した熱をLEDチップ10を通して実装基板20側へ効率良く放熱させることができ、第1の蛍光体および第2の蛍光体それぞれの温度上昇に起因した温度消光を抑制できる。なお、本実施形態では、第1の蛍光体として黄色蛍光体を採用し、第2の蛍光体として、赤色蛍光体および緑色蛍光体を採用しているが、第1の蛍光体および第2の蛍光体の種類は特に限定するものではなく、他の実施形態と同様の組み合わせでもよい。
また、本実施形態の発光装置では、第1の熱伝導性材料からなる伝熱板102の上記一表面側に突設された第2の熱伝導性材料からなるサブマウント部103と、絶縁性基材141の上記一表面側に配線パターン142,142が形成されるとともにサブマウント部103が内側に離間して配置される窓孔143が厚み方向に貫設されてなり伝熱板102の上記一表面側に配置された配線基板104とを備え、表面実装型LED1においてLEDチップ10を収納したパッケージ112に設けられた外部接続用電極113,113が配線基板104の上記一表面側の配線パターン142,142に第1の接合材料(半田など)からなる第1の接合部106,106を介して接合されて電気的に接続されるとともにパッケージ112の上記他表面側(裏面側)に設けられた放熱用導体部115がサブマウント部103に第2の接合材料(半田など)からなる第2の接合部107を介して接合されているので、LEDチップ10で発生した熱がパッケージ112の裏面側に設けられた放熱用導体部115からサブマウント部103および伝熱板102を通して放熱されることとなり、放熱経路に絶縁樹脂層が介在している場合に比べて、放熱経路の熱抵抗を小さくできるから、LEDチップ10の温度上昇が抑制されることとなり、光出力の向上を図れる。なお、第1の接合材料と第2の接合材料とは同じ材料を用いることが好ましい。
また、本実施形態の発光装置は、配線基板104に形成された窓孔143の内周面とサブマウント部103とが離間しており、伝熱板102と配線基板104との間に、両者を接合し、且つ、伝熱板102と配線基板104およびパッケージ112それぞれとの線膨張率差に起因して各接合部106,106,107それぞれに働く応力を緩和する熱可塑性樹脂からなる応力緩和部108が介在しているので、伝熱板102と配線基板104とが熱硬化性樹脂により接合されている場合に比べて、温度サイクルに起因して各接合部106,106,107にかかる応力を緩和することができ、温度サイクルに対する信頼性を高めることができる。
また、本実施形態の発光装置では、サブマウント部103が熱伝導性および電気絶縁性を有する材料により形成されているので、表面実装型LED1と伝熱板102とをサブマウント部103により熱的に結合する一方で電気的に絶縁することができ、例えば、伝熱板102の上記他表面側に金属製部材100を配置するような場合に伝熱板102と金属製部材100との間に電気絶縁性を有する部材を必ずしも配置しなくてもよくなり、また、例えば、上述のように、伝熱板102と伝熱板102の上記他表面側に配置する金属製部材100との間に熱伝導性が高く且つ電気絶縁性を有する有機グリーンシート110を介在させるような場合でも、当該有機グリーンシート110の電気絶縁性のレベル(要求性能)を低くできて安価なものを用いることが可能となる。
(実施形態9)
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態8と略同じであって、図9に示すように、表面実装型LED1が、金属板(例えば、Al板)201上に絶縁層202を介して配線パターン203,203が形成された金属基板(金属ベースプリント配線板)200に半田リフローにより実装され、第2の色変換部62が、表面実装型LED1のパッケージ112に固着されている点などが相違する。なお、実施形態8と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
また、本実施形態における表面実装型LED1は、実施形態8にて説明した放熱用導体部115を備えておらず、LEDチップ10を収納したパッケージ112に設けられた外部接続用電極113,113が金属基板200の上記一表面側の配線パターン203,203に接合材料(例えば、半田など)からなる接合部106,106を介して接合されている。なお、金属基板200は、各配線パターン203,203および絶縁層203において配線パターン203,203が形成されていない部位を覆う白色系のレジスト(樹脂)からなる保護層204が積層されている。
以上説明した本実施形態の発光装置では、実施形態8と同様、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成されLEDチップ10から放射される光の伝搬方向において第1の色変換部61よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部62を備えていることにより、色むらを抑制できるとともに色合わせが容易になり、しかも、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成された第1の色変換部61がLEDチップ10の光取り出し面11側に積層されており、第1の色変換部61の発熱量が第2の色変換部62の発熱量よりも大きいので、第2の色変換部62の第2の蛍光体の温度上昇を抑制できるとともに、第1の色変換部61の第1の蛍光体で発生した熱をLEDチップ10を通して金属基板200側へ効率良く放熱させることができ、第1の蛍光体および第2の蛍光体それぞれの温度上昇に起因した温度消光を抑制できる。
なお、本実施形態の発光装置では、第2の色変換部62を表面実装型LED1に固着してあるが、第2の色変換部62の平面サイズを大きくして第2の色変換部62が金属基板200との間に表面実装型LED1を囲む形で配置されるようにしてもよい。また、透光性部材116の形状は、シート状に限らず、例えば、ドーム状の形状として光学部材を構成するようにしてもよいし、光出射面側に凹凸を形成した光学部材を構成するようにしてもよい。
実施形態1の発光装置の概略断面図である。 同上の発光装置の説明図である。 実施形態2の発光装置の説明図である。 実施形態4の発光装置の概略断面図である。 実施形態5の発光装置の概略断面図である。 実施形態6の発光装置の概略断面図である。 実施形態7の発光装置の概略断面図である。 実施形態8の発光装置の概略断面図である。 実施形態9の発光装置の概略断面図である。 従来例の発光装置の概略断面図である。
符号の説明
10 LEDチップ
11 光取り出し面
20 実装基板
40 光学部材
40a 光入射面
40b 光出射面
50 封止部
61 第1の色変換部
61a 凹凸構造
62 第2の色変換部
62a 光入射面
62b 光出射面
80 空隙

Claims (3)

  1. LEDチップと、前記LEDチップが実装された実装基板と、前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップよりも長波長の光を放射する第1の蛍光体を含有する第1の透光性材料により形成され前記LEDチップの光取出し面に積層された第1の色変換部と、前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップよりも長波長の光を放射する第2の蛍光体を含有する第2の透光性材料により形成され前記LEDチップから放射される光の伝搬方向において前記第1の色変換部よりも下流側に配置されたドーム状の第2の色変換部とを備え、前記第1の色変換部の発熱量が前記第2の色変換部の発熱量よりも大きくなるように前記第1の色変換部の前記第1の蛍光体の量および前記第2の色変換部の前記第2の蛍光体の量を設定してなり、前記第2の色変換部が前記実装基板における前記LEDチップの実装面側において前記実装基板との間に前記第1の色変換部および前記LEDチップを囲む形で配置されてなり、前記第2の色変換部の内側で前記実装基板との間に前記第1の色変換部および前記LEDチップを囲む形で配置された光学部材と、前記光学部材と前記実装基板とで囲まれた空間で前記第1の色変換部および前記LEDチップを封止した透光性封止材からなる封止部とを備え、前記第2の色変換部の光入射面と前記光学部材の光出射面との間に空隙が形成されてなることを特徴とする発光装置。
  2. 前記第1の色変換部は、前記LEDチップ側とは反対側に全反射抑制用の凹凸構造が形成されてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 請求項1または請求項2記載の発光装置を備えることを特徴とする照明器具。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9316184B2 (en) 2006-10-31 2016-04-19 Temple University Of The Commonwealth System Of Higher Education Electric-field assisted fuel atomization system and methods of use

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
DE102010025608A1 (de) * 2010-06-30 2012-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
CN102315371A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 松下电工株式会社 发光装置
US9004667B2 (en) * 2010-07-23 2015-04-14 Kyocera Corporation Light irradiation device, light irradiation module, and printing apparatus
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
KR101810589B1 (ko) 2010-09-15 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 조명 장치
WO2012053571A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
JP5839555B2 (ja) 2010-11-05 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
WO2013054226A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting arrangement
CN102437276A (zh) 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
JPWO2013179624A1 (ja) 2012-05-31 2016-01-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 Ledモジュール、照明器具及びランプ
TWI529976B (zh) 2012-08-27 2016-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR20140038692A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 포항공과대학교 산학협력단 색변환 엘리먼트 및 그 제조방법
DE102012109217A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission und Verfahren zum Erzeugen einer Lichtemission
KR101979825B1 (ko) 2012-11-19 2019-05-17 서울반도체 주식회사 발광디바이스 및 이를 포함하는 전자장치
CN102969437A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件
CN103337584A (zh) * 2013-06-06 2013-10-02 河北神通光电科技有限公司 一种白光led及其封装方法
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
JP6176287B2 (ja) * 2015-06-10 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN108139066B (zh) * 2015-08-17 2021-01-05 肖特股份有限公司 用于调准光学转换器上产生的光斑的方法、包括光斑的装置及其用途以及使用金属焊料连接的转换器-冷却体组件
US10381532B2 (en) 2015-10-09 2019-08-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength conversion device and lighting apparatus
US20180173692A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 Google Inc. Iconographic symbol predictions for a conversation
JP2019062173A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置、及び、発光装置
KR102121409B1 (ko) * 2018-05-02 2020-06-10 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
BR112022006546A2 (pt) 2019-10-07 2022-08-30 Kallyope Inc Agonistas de gpr119

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
KR100961322B1 (ko) * 2002-03-22 2010-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
JP2005166941A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置
JP4020092B2 (ja) * 2004-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 半導体発光装置
JP4143043B2 (ja) 2004-05-26 2008-09-03 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
DE102005046420B4 (de) * 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
TWI400817B (zh) * 2005-04-08 2013-07-01 Nichia Corp 具有藉由網版印刷形成之矽酮樹脂層的發光裝置
JP4876426B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
WO2007004572A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP4857633B2 (ja) * 2005-07-20 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Led光源
JP5196711B2 (ja) * 2005-07-26 2013-05-15 京セラ株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2009504809A (ja) * 2005-08-11 2009-02-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 規則的に配列した空洞を有するフォトニック材料
EP1928029B1 (en) * 2005-09-20 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2007116131A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
US20070075306A1 (en) * 2005-09-22 2007-04-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
JP4013077B2 (ja) * 2005-11-21 2007-11-28 松下電工株式会社 発光装置およびその製造方法
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
CN101852349B (zh) * 2005-12-22 2012-08-29 松下电器产业株式会社 具有led的照明器具
CN101370907A (zh) * 2006-01-16 2009-02-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有含Eu的磷光体材料的发光器件
JP4353196B2 (ja) * 2006-03-10 2009-10-28 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP2007243054A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
EP2016630B1 (en) * 2006-05-02 2016-10-12 Koninklijke Philips N.V. Color-stable phosphor converted led
KR100878326B1 (ko) 2007-07-03 2009-01-14 한국광기술원 칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9316184B2 (en) 2006-10-31 2016-04-19 Temple University Of The Commonwealth System Of Higher Education Electric-field assisted fuel atomization system and methods of use

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