KR100878326B1 - 칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 칩스케일로 패키징된 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서 특히, 반도체층 상에 구비된 제 1 전극과, 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하는 발광소자와 이들의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에 따르면, 발광소자의 제조과정에서 와이어 본딩과 다이 본딩과정의 생략으로 공정의 단순화 및 제조비용을 절감할 수 있으며 패키지의 두께를 줄일 수 있는 효과가 있어 발광 효율을 극대화할 수 있다. 이렇게 형성된 반도체 발광소자는 다른 패키지 및 인쇄회로기판에 곧바로 실장할 수 있는 장점이 있다.

칩스케일, 발광소자, 반도체층, 전극, 보호막층, 와이어본딩, 다이본딩

Description

칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법{DIRECT BONDED CHIP SCALE PACKAGED LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 칩스케일로 패키징되는 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서 특히, 반도체층 상에 구비된 제 1 전극과, 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하는 발광소자와 이들의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 종래의 질화물 반도체 발광소자는 사파이어 기판상에 순차적으로 형성된 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 다중양자우물구조인 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층과 활성층은 그 일부 영역을 식각 등의 공정으로 제거하여 n형 질화물 반도체층의 일부 상면이 노출된 구조를 갖는다. 상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에는 n형 전극이 형성되고 p형 질화물 반도체층 상에는 오믹접촉을 형성하기 위하여 투명 전극층이 형성된 후에, p형 본딩 전극을 형성한다.

종래의 이러한 발광소자의 제조방법에 따라 형성된 발광소자는 실리콘이나 세라믹으로 제조된 서브마운트 기판에 접합되어 패키지 형태로 사용하거나 다른 패키지에 실장되어 사용하게 된다.

이때 발광 소자를 이러한 다른 패키지 재료에 실장하기 위한 다이 본딩과 외부에서 전자와 전공을 주입하기 위한 와이어 본딩 등의 공정은 종래의 발광소자의 제조방법에서 필수적이다.

도 1은 종래의 발광소자의 제조방법에 따라 적층된 발광소자의 단면도를 개시하고 있는데, 와이어 본딩에 의해 전자나 정공이 이동되는 모습을 함께 제시하고 있다.

도 1을 참조하면, 사파이어 기판(100)상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(101), 다중양자우물구조인 활성층(102) 및 p형 질화물 반도체층(103)을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층(103) 상에 p형 전극(104)가 구비되고 상기 n형 질화물 반도체층(101)이 드러나도록 식각한 후에 그 노출부분 상에 n형 전극(105)이 구비된 것을 알 수 있다.

상기 p형 전극 및 n형 전극은 와이어(106)로 인쇄회로기판이나 다른 패키지에 연결될 수 있는 구조이다.

일반적으로 상기와 같은 종래구조에 기판과 반도체층 사이에 완충역할을 하는 버퍼층이 더 구비되기도 한다.

도 1을 참조하여 알 수 있듯이, 각 영역이 다른 반도체층에서 방출되는 전자 또는 정공은 활성층으로 모여 발광되어 빛을 외부로 방출하게 되는 것이다.

종래의 발광소자 제조방법에 따라 제조된 발광소자 모듈의 구조로 인하여 전체 패키지의 두께가 두꺼워지게 되기 때문에 광추출 효율과 성능에 있어서 취약한 문제가 있으며, 복잡한 공정을 거침으로 인한 수율 및 생산성에 있어서도 문제가 발생한다.

그러나, 이러한 패키지 타입 자체를 변경하려면 신규 라인을 설치하는 등 비용의 부담이 있기 때문에 현재의 패키지 타입과 공정에서 보다 개선된 발광소자 모듈 구조와 그 제조방법의 제안이 필요하다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 발광소자의 효율과 생산성에 대한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발광소자 제작 단계에서 패키지 전반 공정을 완료할 수 있는 구조를 갖게 하여 바로 실장을 진행할 수 있는 발광소자를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 패키지의 두께가 감소되고 유연한 구조를 갖는 칩스케일 패키징 발광소자를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 종래의 와이어 본딩과 다이 본딩과정을 생략하여 발광소자의 제조 공정을 단순화하고 제조비용을 절감하여 생산성을 향상할 수 있는 발광소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 발광소자는 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서, n형 반도체층 상의 n형 제 1 전극 및 p형 반도체층 상의 p형 제 1 전극, 및 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 n형 제 1 전극 및 p형 제 1 전극과 전기적으로 연결된 n형 제 2 전극 및 p형 제 2 전극을 포함한다.

상기 제 1 보호막층은 폴리미드, 에폭시 수지, 및 SOG(Spin On Glass)로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.

상기 p형 반도체층 상에 형성되는 p형 제 1 전극은 광의 반사도를 높이기 위한 물질로 구성된 반사층을 매개로 구비될 수 있다. 바람직하게는 금속으로 구성된 반사금속층일 수 있다.

본 발명에서 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 추가로 더 포함할 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광소자의 제조방법은 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자의 제조방법에 있어서, n형 및 p형 반도체층 상에 각각 형성된 n형 제 1 전극 및 p형 제 1 전극을 형성하고, 그 위에 제 1 보호막층을 매개로 하여 전기적으로 연결되도록 n형 제 2 전극 및 p형 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 제 1 보호막층은 폴리미드, 에폭시 수지, 및 SOG 등으로 구성될 수 있다.

본 발명의 제조방법에서, 상기 n형 제 2 전극 및 p형 제 2 전극은 상기 제 1 보호막층 외에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 추가로 더 매개하여 형성될 수 있다.

본 발명에서 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 서로 전기적으로 도통되기 위하여 상기 제 1 보호막층을 식각하거나, 제 1 전극의 일부가 노출되도록 제 1 보호막층을 패터닝하여 증착하는 단계를 더 포함한다.

본 발명에서 상기 단계를 거친 발광소자에서 상기 기판을 제거하고 글래스 또는 형광체층을 형성하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 단계를 거친 발광소자에서 기판의 일면을 규칙적 또는 불규칙적인 요철을 가지도록 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.

본 발명에서, 상기 단계를 거친 발광소자에 기판을 제거하고, 기판이 부착된 반도체층의 일면을 규칙적 또는 불규칙적인 요철을 가지도록 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.

본 발명에서 상기 반도체층 상에 제 1 전극을 형성하기에 앞서 광의 반사를 위한 반사금속층을 상기 반도체층 상에 형성하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있다.

상기 반도체층은 화합물 반도체층으로서 바람직하게는 질화물 화합물계 반도체층일 수 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 발광소자 제작 레벨에서 패키지 전반 공정을 완료할 수 있는 구조를 갖게 한 것이다.

상기 본 발명에 의한 발광소자는 인쇄회로기판 등에 바로 실장할 수 있고 이로 인하여 패키지의 두께가 감소되고, 유연한 구조의 패키지를 얻을 수 있게 한 것이다.

본 발명의 일 실시예에서는 발광소자 제작시에 n형 반도체층의 컨택을 위하여 실시하는 메사 식각을 진행한 후에 p형 반도체층의 컨택과 n형 반도체층의 컨택을 위하여 우선적으로 제 1 전극을 증착한다.

이때, p형 반도체층의 컨택 부분에 광의 반사도를 높이기 위한 물질층을 반 사층으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 금속층으로 구성되어 반사금속층으로 형성할 수 있다. 반드시 p형 반도체층의 컨택 부분에만 한정되는 것이 아니라 적층되는 발광소자의 외부 접촉면에 넓게 구성될 수 있을 것이다.

상기 공정 후, 제 2 전극을 증착하기 전에 제 1 보호막을 형성하여 준다. 제 1 보호막은 폴리미드, 에폭시, SOG 등 여러 가지 재료가 선택되어 질 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니다.

제 2 전극의 형태는 특정한 형태로 한정되지 않으나 바람직하게는 직사각형의 패드형상을 가질 수 있다.

이때 제 2 전극과 n형 및 p형의 반도체층에 구비된 제 1 전극이 컨택되기 위해서는 제 1 전극의 상부 일부분이 개방되어 외부로 노출되어야 하기 때문에 이를 위한 식각공정이나 패터닝 공정이 필요하다.

제 1 전극 형성 후 제 1 보호막을 증착하면서 패터닝을 통해 상기 제 1 전극이 오픈되도록 증착할 수 있으며 또는 제 1 전극과 그 위에 제 1 보호막층을 형성한 후에 제 1 보호막층의 식각을 통해 제 1 전극이 오픈되도록 할 수 있다.

상기 제 1 전극 및 이와 컨택되는 제 2 전극은 다른 패키지에 바로 실장될 수 있도록 크기와 위치 등이 미리 결정되어야 한다.

필요에 따라서 상기 제 1 전극 형성 후에는 제 2 보호막층을 형성할 수 있다. 제 2 보호막층은 글라스나 열전도율이 우수한 세라믹 필름 등을 부착할 수 있다.

세라믹 필름으로는 질화붕소(BN), 알루미나(Alumina), 질화알루미늄(AlN), 베릴륨 옥사이드(BeO) 등의 물질이 사용될 수 있다.

본 발명에 따른 발광소자는 와이어 본딩이나 다이 본딩없이도 바로 실장될 수 있는데, 소자의 성능 향상을 위하여 적층되지 않은 기판의 반대면에 요철구조를 형성할 수 있다. 또는 기판을 제거하고 반도체층에 직접 요철구조를 형성할 수도 있다.

상기 요철구조는 텍스쳐링(texturing) 공정을 통해 형성한다.

텍스쳐링 공정은 규칙적인 패턴을 이용하는 방법 또는 랜덤 패터닝을 이용하는 방법이 있다.

규칙적인 패턴을 이용하는 방법으로는 나노 임프린팅, 전자빔 리소그라피 및 레이저 홀로그라프를 이용하는 방법이 바람직하다. 상기 규칙적인 패턴을 형성한 뒤 건식식각을 통하여 기판 또는 반도체층 상에 텍스쳐링 구조를 형성할 수 있다.

랜덤 패터닝을 이용하는 방법으로는, 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등의 금속의 열처리를 통하여 나노 사이즈의 클러스터를 형성한 뒤 건식 식각을 통하여 랜덤한 텍스쳐링 구조를 형성할 수 있다.

또는 습식화학에칭법으로 랜덤한 텍스쳐링을 형성할 수도 있는데, 수산화칼륨(KOH) 수용액을 이용하여 식각한 후 기판 또는 반도체층 상에 랜덤한 텍스쳐링 구조를 형성할 수도 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 등의 방식에 의해 기판을 제거한 후 글라스나 형광체층 등 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 기능을 가지는 층을 추가할 수 있다.

상기와 같은 방식으로 제조된 발광소자는 당업자에 의해 알 수 있는 통상적인 절단방법을 통해 개별 발광소자로 분리하여 사용될 수 있다. 바람직하게는 다이싱 공정이나 스크라이빙 공정을 통하여 개별적으로 분리한다.

완성된 다양한 실시예의 본 발명에 의한 발광소자를 패키징하기 위하여는 인쇄회로기판(PCB) 등과 같은 패키지 재료 상에 솔더를 형성하고 소자를 바로 실장하는 방식을 사용할 수 있으며, 다른 패키지 내에 실장이 가능할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 단계적으로 나타낸 단면도이다.

도 2a를 참조하면 사파이어 기판(200) 위에 n형 질화갈륨 화합물 반도체층(201), 활성층(202), p형 질화갈륨 화합물 반도체층(203)이 순차로 적층된 발광소자에 일부면을 식각하여 n형 반도체층(201)이 노출되도록 한 후 각 반도체층 상에 제 1 전극을 형성한 것을 알 수 있다.

즉, n형 질화갈륨 화합물 반도체층(201) 상에는 n형 제 1 전극(205)이 구비 되고, p형 질화갈륨 화합물 반도체층(203) 상에는 p형 제 1 전극(204)이 구비된다.

상기 발광소자에는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.

또한 상기 발광소자의 p형 제 1 전극과 p형 질화갈륨 화합물 반도체층 사이에는 광의 반사를 더 높일 수 있는 반사금속층(206)이 포함될 수 있다.

다음 단계인 도 2b에서는 p형 제 1 전극(204), 반사금속층(206), n형 제 1 전극(205) 및 반도체층을 포함하는 전체 발광소자의 상면에 제 1 보호막층(207)이 적층된다. 상기 제 1 보호박막층은 고분자유기화합물로 이루어질 수 있으며 특히 에폭시 수지 등이 이용된다.

도 2c를 참조하면 다음으로 상기 제 1 보호막층(207) 상에 제 2 보호막층(208)을 형성한다. 이 과정은 생략될 수 있으며, 제 2 보호층은 글라스나 실리콘 물질 등이 사용된다.

도 2d에서는 p형 제 1 전극(204)과 n형 제 1 전극(205)과 전기적으로 컨택하기 위하여 식각공정을 수행하여 이들 제 1 전극 일부가 노출되도록 한다. 그 후 상기 제 1 전극 부분과 결합되면서 제 2 보호막층(208) 상에 패드 형상으로 구비되는 제 2 전극을 형성한다. 즉, p형 제 1 전극(204)과 연결되는 p형 제 2 전극(209), 및 n형 제 1 전극(205)과 연결되는 n형 제 2 전극(210)을 형성한다.

이렇게 해서 형성된 발광소자는 스크라이빙 또는 다이싱 공정을 통해 원하는 크기와 모양에 따라 개별 소자로 분리된다.

각 개별 발광소자는 상기 p형 제 2 전극(209)과 n형 제 2 전극(210)을 접촉점으로 하여 바로 실장될 수 있다.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 단계적으로 나타낸 단면도이다.

발광소자에 제 1 보호막층(207)과 제 2 보호막층(208)이 형성되기까지의 공정은 상기 도 2의 제반공정과 유사하다.

도 3a에서는 n형 제 1 전극(205)이 노출되도록 식각하는 방법이 제시되어 있다. 도 3a를 참조하면 비교적 넓게 형성된 n형 제 1 전극(205)까지 메사 식각을 수행하여 측면에 경사 기울기를 가지도록 발광소자를 형성한다.

이어서 도 3b를 참조하면 p형 제 1 전극(204)이 형성된 부위를 식각하여 이와 연결되는 p형 제 2 전극(209)를 형성한다.

n형 제 2 전극(210)은 상기 n형 제 1 전극과 컨택하면서, 메사 식각되어 외부로 드러난 측면 발광구조를 따라 제 2 보호막층의 상면에 이르기까지 형성된다.

물론 상기 p형 제 2 전극(209)과 n형 제 2 전극(210)이 접촉되지 않고 분리됨은 당연하다.

본 발명의 상기 실시예에서는 n형 제 1 전극 부분을 경계로 하여 다이싱 또는 스크라이빙 공정을 통해 개별 소자로 분리한다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 개략적으로 나타낸 것인데, 상기 도 2 내지 도 3의 과정을 거친 발광소자의 기판을 텍스쳐링하여 요철구조를 형성한 것이다.

도 4에 도시된 바와 같이 규칙적인 텍스쳐링 구조를 가질 수도 있으나 그렇지 않은 랜덤한 형태의 러프닝을 형성할 수도 있다.

도 5에서는 본 발명의 또 다른 일 실시예로서, 제작된 발광소자에서 레이저 리프트 오프와 같은 공정을 수행하여 기판을 제거하고 드러난 반도체층을 텍스쳐링한 것을 나타낸다.

기판을 제거하는 방법은 반드시 레이저 리프트 오프에 한정하지 않고 당업자라면 누구나 알 수 있는 공지의 방법이면 족할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허등록청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼 상에 직접 칩 제작공정과 패키징 공정을 함께 수행함으로써 와이어 본딩과 다이 본딩 등의 과정을 생략할 수 있어 발광소자의 제조단가를 절감하고 생산성 부분에서 현저하게 향상된 효과를 얻을 수 있다.

또한 레이저 리프트 오프 공정 등을 이용하여 제조함으로써, 결합 수직형 발광소자 및 횡방향(lateral)성장된 발광소자의 장점이 결합된 얇은 두께의 유연한 구조를 갖는 발광소자를 제공할 수 있는 효과가 있다.

그리고 최소형의 패키징으로 백라이트 유닛이나 밀집 조명과 같은 설비에 이용될 수 있으며, 웨이퍼 레벨 상에서 유리나 형광체막 등을 추가로 더 형성하는 공정을 통하여 다양한 부분에 편리하고 간단한 공정으로 생산되는 발광소자를 얻을 수 있고 그에 따라 생산성과 수율이 향상되는 경제적 부가가치 창출의 효과가 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 외부에서 관찰하면 발광소자의 최상부면에 반사금속층이 형성되고 p형 제 1 전극과 컨택된 p형 제 2 전극이 포함된 모습을 나타낸다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 n형 질화물 반도체층 상의 n형 제 1 전극과 전기적으로 연결되어 상면에 구성되는 n형 제 2 전극이 형성된 구조를 나타낸다.

따라서, 상기 n형 제 1 전극과 전기적으로 연결된 n형 제 2 전극을 형성하고 칩을 분리하면 두 개의 개별 발광소자를 얻을 수 있으며, 이들 소자는 바로 실장될 수 있어 공정상 유리하게 된다.

공정상 넓은 면적에 순차적으로 발광소자를 적층한 후 복수 개의 개별소자를 얻을 수 있으며 경우에 따라 일면에 텍스쳐링 구조를 가지는 발광소자를 형성할 수 있다.

도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 단계적으로 나타낸 단면도.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 단계적으로 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도.

도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 발광소자에서 기판을 제거한 형태를 개략적으로 나타낸 단면도.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 외부에서 관찰한 사시도.

{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}

100,200,300,400,500,600 : 기판 101,201,301,401,501 : n형 반도체층

102,202,302,402,502 : 활성층 103,203,303,403,503 : p형 반도체층

104 : p형 전극 105 : n형 전극

106 : 와이어 204,304,404,504 : p형 제 1 전극

205,305,405,505,605 : n형 제 1 전극 206,306,406,506,606 : 반사금속층

207,307,407,507 : 제1보호막층 208,308,408,508 : 제2보호막층

209,309,409,509,609 : p형 제 2 전극 210,310,410,510 : n형 제 2 전극

Claims (12)

1. 기판 위에 순차로 적층된 n형 및 p형 반도체층 상의 일부에 각각 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 형성하는 (a) 단계;

   상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 포함한 상기 n형 및 p형 반도체층 위에 제 1 보호막층을 형성하는 (b) 단계;

   상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층 중 일부를 식각하는 (c) 단계;

   상기 노출된 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 복수 개의 n형 제 2 전극 및 복수 개의 p형 제 2 전극을 형성하는 (d) 단계;

   상기 기판을 제거한 후 상기 기판의 위치에 글래스 또는 형광체층을 형성하는 (e) 단계; 및

   한 개의 n형 전극과 한 개의 p형 전극을 포함하는 복수 개의 개별 발광소자로 분리하는 (f) 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 보호막층은 폴리미드, 에폭시 수지, 및 SOG로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 (b) 단계에서, 상기 제 1 보호막층 위에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 제 2 보호막층은, 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층과 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 (a) 단계에서, 상기 p형 반도체층과 복수 개의 p형 제 1 전극 사이에 광의 반사를 위한 반사금속층을 추가로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 (c) 단계에서,

   상기 복수 개의 n형 제 1 전극의 일부가 노출되는 식각은 메사 식각을 수행하여 측면에 경사기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 반도체층은 질화물 화합물계 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
8. 기판 위에 순차로 적층된 n형 및 p형 반도체층 상의 일부에 각각 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 형성하는 (a) 단계;

   상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 포함한 상기 n형 및 p형 반도체층 위에 제 1 보호막층을 형성하는 (b) 단계;

   상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층 중 일부를 식각하는 (c) 단계;

   상기 노출된 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 복수 개의 n형 제 2 전극 및 복수 개의 p형 제 2 전극을 형성하는 (d) 단계;

   상기 기판을 제거한 후 기판이 부착된 반도체층의 일면을 규칙적 또는 불규칙적인 요철을 가지도록 텍스쳐링(texturing)하는 (e) 단계; 및

   한 개의 n형 전극과 한 개의 p형 전극을 포함하는 복수 개의 개별 발광소자로 분리하는 (f) 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 (b) 단계에서, 상기 제 1 보호막층 위에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 제 2 보호막층은, 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층과 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
11. 삭제
12. 삭제

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