KR101711961B1 - 발광 디바이스 - Google Patents

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KR101711961B1 KR1020100089048A KR20100089048A KR101711961B1 KR 101711961 B1 KR101711961 B1 KR 101711961B1 KR 1020100089048 A KR1020100089048 A KR 1020100089048A KR 20100089048 A KR20100089048 A KR 20100089048A KR 101711961 B1 KR101711961 B1 KR 101711961B1
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Abstract

본 발명은 발광 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판과, 상기 기판의 제1 주면 상에 실장된 발광소자 및 상기 기판 내부에서 상기 발광소자 하부에 대응하는 영역에 형성되며, 상기 발광소자에 인가되는 전류의 양을 조절하는 구동 집적회로를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명을 사용함으로써, 발광 다이오드의 구동을 위하여 제공되는 회로를 기판 내에 집적시킴으로써 크기가 소형화된 일체 구조의 발광 디바이스를 얻을 수 있다.

Description

발광 디바이스 {LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일 종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
조명 장치 등에 있어서 기존 광원을 발광 다이오드로 대체함으로써 얻을 수 있는 장점 중 하나는 슬림한 디자인을 갖는 장치의 구현이 가능하다는 것이며, 이를 위하여 발광 다이오드의 구동을 위하여 제공되는 주변 회로나 소자들의 소형화가 가속화되고 있다.
본 발명의 일 목적은 발광 다이오드의 구동을 위하여 제공되는 회로를 기판 내에 집적시킴으로써 크기가 소형화된 일체 구조의 발광 디바이스를 제공하는 것이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판과, 상기 기판의 제1 주면 상에 실장된 발광소자 및 상기 기판 내부에서 상기 발광소자 하부에 대응하는 영역에 형성되며, 상기 발광소자에 인가되는 전류의 양을 조절하는 구동 집적회로를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판은 실리콘 반도체로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자는 상기 기판을 향하도록 배치된 한 쌍의 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판의 제1 주면으로부터 상기 제2 주면 방향으로 연장되며, 상기 기판과 다른 물질로 이루어진 도전성 비아를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 기판과 상기 도전성 비아 사이에 개재된 절연체를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동 집적회로는 상기 제1 주면 방향에 배치된 한 쌍의 외부입력단자를 포함하며, 상기 외부입력단자와 상기 도전성 비아는 상기 제1 주면 상에 형성된 배선 구조를 통하여 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 구동 집적회로는 한 쌍의 제어신호 입력단자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 구동 집적회로는 상기 발광소자와 연결되는 한 쌍의 소자연결단자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판의 제1 주면 상에 배치된 렌즈를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판 내부에 배치된 제어 집적회로 및 전력 집적회로를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 구동 집적회로, 제어 집적회로 및 전력 집적회로를 서로 연결하는 배선구조를 더 포함하며, 상기 배선구조는 상기 기판의 제1 및 제2 주면 중 적어도 하나의 표면을 따라 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자 하부에 상기 기판을 관통하도록 배치된 방열부를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 구동 집적회로는 상기 방열부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판은 상기 제1 주면으로부터 일부가 제거된 형태의 캐비티를 가지며, 상기 발광소자는 상기 캐비티에 배치될 수 있다.
이 경우, 상기 기판의 적어도 상기 캐비티가 형성된 영역에 배치된 반사부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 반사부는 도전성 물질로 이루어지며, 상기 발광소자는 상기 반사부에 의하여 상기 구동 집적 회로와 연결될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판과, 상기 기판의 제1 주면 상에 실장된 발광소자와, 상기 기판 내부에 형성되며, 상기 발광소자에 인가되는 전류의 양을 조절하는 구동 집적회로와, 상기 기판 내부에 형성되며, 상기 구동 집적회로와 연결된 제어 집적회로 및 상기 기판 내부에 형성되며, 상기 제어 집적회로와 연결된 전력 집적회로를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 주면 중 적어도 하나의 면 상에 형성되며, 상기 발광소자, 구동 집적 회로, 제어 집적회로 및 전력 집적회로 중 적어도 2개를 연결하는 배선 구조를 더 포함할 수 있다.
본 발명을 사용함으로써, 발광 다이오드의 구동을 위하여 제공되는 회로를 기판 내에 집적시킴으로써 크기가 소형화된 일체 구조의 발광 디바이스를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 발광 디바이스에 사용된 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 9의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다. 도 3 및 도 4는 도 1의 발광 디바이스에 사용된 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
우선, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(100)는 기판(102), 발광소자(101), 구동 집적회로(Driver IC, 103) 및 렌즈(104)를 포함하는 구조이다. 본 실시 형태의 경우, 기판(102)은 반도체 기판으로서, 주요하게는 실리콘(Silicon) 반도체로 이루어질 수 있으며, 이는 반도체 집적 공정을 이용하여 기판(102) 내부에 구동 집적회로(103, 도 2에서 점선으로 표현) 등을 형성하기 위한 것이다. 기판(102)은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 구비하며, 제1 주면 상에는 발광소자(101)가 배치된다. 발광소자(101)는 구동 집적회로(103)와 한 쌍의 소자 연결 단자(105)를 통하여 전기적으로 연결되며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니지만, 도 3 및 도 4에 도시된 형태의 발광 다이오드 구조를 가질 수 있다.
우선, 도 3의 발광 다이오드(101)의 경우, 소자 기판(209) 상에 제1 도전형 컨택층(204)이 형성되며, 제1 도전형 컨택층(204) 상에는 발광구조물, 즉, 제1 도전형 반도체층(203), 활성층(202) 및 제2 도전형 반도체층(201)을 구비하는 구조가 형성된다. 제2 도전형 컨택층(207)은 제1 도전형 컨택층(204)과 소자 기판(209) 사이에 형성되며, 도전성 비아(v)를 통하여 제2 도전형 반도체층(201)과 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 도전형 컨택층(204, 207)은 서로 전기적으로 분리되어 있으며, 이를 위하여 제1 도전형 컨택층(204)과 제2 도전형 컨택층(207) 사이에는 절연체(206)가 개재된다. 또한, 제1 도전형 컨택층(204)은 소자 기판(209) 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제1 전기 연결부(205)를 구비하며, 이와 유사하게, 제2 도전형 컨택층(207)은 소자 기판(209) 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제2 전기 연결부(208)를 구비한다. 이러한 구조를 갖기 위하여, 제1 도전형 컨택층(204)은 제2 도전형 컨택층(207)에 형성된 관통홀에 형성될 수 있으며, 상기 관통홀에는 제1 및 제2 도전형 컨택층(204, 207)을 전기적으로 분리시키기 위하여 절연체(206)가 형성된다. 또한, 도 3에 도시된 것과 같이, 제1 및 제2 도전형 컨택층(204, 207)은 소자 기판(209)에 형성된 관통홀에 형성될 수 있다.
도 3의 발광 다이오드(101)의 경우, 제1 및 제2 전기 연결부(205, 208)이 소자의 하부로 노출되어 있으며, 도 1에서 설명한 한 쌍의 소자 연결 단자(105)에 의하여 구동 집적 회로(103)와 연결될 수 있다. 이를 위하여, 제1 및 제2 전기 연결부(205, 208)는 기판(102)의 제1 주면을 향하도록 배치될 수 있다. 이와 같이, 소자 기판(209)을 전극으로 사용하지 않을 수 있으므로, 소자 기판(209)은 전기 절연성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 세라믹이나 사파이어 등과 같은 물질로 이루어진 기판 중에서 열 전도성, 열팽창계수 등의 특성을 이용하여 적절히 선택할 수 있다. 전기 절연성 기판 외에 도전성 물질로도 소자 기판(209)을 형성할 수 있으며, 예컨대, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 도 3에는 도시되어 있지 아니하지만, 소자 기판(209)이 도전성 물질로 이루어진 경우에는 절연체(206)가 소자 기판(209)과 제1 도전형 컨택층(207) 사이에 형성될 필요가 있을 것이다. 본 실시 형태와 같이, 소자의 하부로 전극이 노출된 구조의 경우, 발광 다이오드(101)를 기판이나 리드 프레임 등에 바로 실장할 수 있으며, 도전성 와이어를 이용하지 않아 신뢰성, 광 추출 효율, 공정 편의성 등의 측면에서 장점을 제공한다.
다음으로, 도 4의 발광 다이오드(101`)는 사파이어와 같은 성장용 기판(210)을 구비하며, 소위, 플립 칩(flip chip) 형태로 실장되는 구조이다. 즉, 한 쌍의 전극(211)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(203, 201)과 연결되며, 도 1의 기판(102)의 제1 주면을 향하도록 배치된다. 한편, 도 3 및 도 4의 발광 다이오드(101, 101`)의 경우, 한 쌍의 전극이 기판(102)의 제1 주면을 향하여 전기 연결 구조로서 와이어를 사용하지 않지만, 본 발명은 이러한 구조에만 제한되는 것은 아니다. 즉, 도시하지는 않았으나, 발광 다이오드(101, 101`)의 전극이 기판(102)과 반대되는 방향을 향하는 구조도 가능하며, 이 경우에는 와이어나 다른 형태의 배선이 필요할 수 있을 것이다. 또한, 도시하지는 않았으나, 발광 다이오드(101, 101`)의 광 출면에는 요철이 형성될 수 있으며, 나아가, 빛의 파장을 변환하는 형광 물질들이 적용될 수 있다. 한편, 도 1 및 도 2에서는 발광 디바이스(100)에 발광소자(101)가 하나만 구비된 구조를 설명하였으나, 필요 시, 발광소자(101)는 2개 이상 구비될 수 있으며, 이에 따라, 구동 집적 회로(103)도 2개 이상 구비될 수 있을 것이다.
다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 구동 집적 회로(103)는 반도체 물질로 이루어진 기판(102) 내부에 집적되며, 구체적으로, 발광소자(101)의 하부에 대응하는 영역에 배치되어 발광소자(101)와 최단 거리에서 직접 연결될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 구동 집적 회로(103)는 기판(102)에 당 기술 분야에서 공지된 반도체(예컨대, 실리콘) 집적 공정을 이용하여 적절한 형태의 회로를 구현함으로써 형성될 수 있다. 구동 집적 회로(103)는 발광소자(101)에 인가되는 전류를 조절함으로써 발광소자(101)로부터 방출되는 빛의 세기를 조절하는 기능을 수행하며, 이를 위하여, 외부 전기신호를 전달받기 위한 한 쌍의 외부입력단자(106)와 발광소자의 제어신호를 전달받기 위한 한 쌍의 제어신호 입력단자(110)를 구비할 수 있다. 외부입력단자(106) 및 제어신호 입력단자(110)로부터 제공되는 신호는 구동 집적 회로(103)를 거쳐 발광소자(101)에 제공될 수 있다.
이 경우, 도 2에 도시된 것과 같이, 외부입력단자(106) 및 제어신호 입력 단자(110)는 기판(102)의 제1 주면 상에 형성된 배선 구조(107)에 의하여 도전성 비아(108)와 연결되며, 도전성 비아(108)는 기판(102)을 제1 주면으로부터 제2 주면 방향으로 관통한다. 도전성 비아(108)는 전기 전도성이 우수한 Au, Ag, Al, Cu, Ni 등의 금속 물질로 형성될 수 있으며, 도전성 비아(108)와 기판(102) 사이에는 절연체(109)가 개재될 수 있다. 또한, 본 발명에서 반드시 요구되는 사항은 아니지만, 도 2에 도시된 것과 같이, 기판(102)을 관통하는 비아 형태의 방열부(108)를 포함할 수 있으며, 방열 효과를 향상시키기 위하여 그 크기는 적절히 조절될 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 2에 도시된 구조와 달리, 방열부(108)는 그 크기가 확장되어 발광소자(101)와 접촉되도록 형성될 수도 있을 것이다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는 발광소자(101)의 구동을 위하여 별도로 제공되던 구동 집적 회로(103)를 기판(102) 내부에 집적하여 슬림한 발광 디바이스의 구현이 가능하며, 나아가, 반도체 집적 공정을 이용하여 간소화된 공정으로 기판(102) 내부에 회로를 집적할 수 있는 장점을 제공한다. 다만, 본 실시 형태에서는 구동 집적 회로(103)만이 집적된 구조를 설명하고 있으나, 본 발명은 이에만 제한되지 않으며, 발광 디바이스(100)는 기판(102) 내부에 집적 가능한 다양한 회로나 소자를 포함할 수 있다. (예컨대, 제어 집적 회로, 전력 집적 회로 - 도 10의 실시 형태 참조)
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 5의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(300)는 기판(302), 발광소자(301), 구동 집적회로(303) 및 렌즈(304)를 포함하는 구조로서, 앞선 실시 형태와 마찬가지로, 구동 집적 회로(303)는 기판(302) 내부에 집적되며 발광소자(301)와는 한 쌍의 소자연결단자(305)를 통하여 연결될 수 있다. 또한, 구동 집적 회로(303)는 한 쌍의 외부연결단자(306)를 구비하며, 배선 구조(307)에 의하여 도전성 비아(308)와 연결될 수 있다. 이 경우, 도전성 비아(308)와 기판(302) 사이에는 의도하지 않는 단락을 방지하도록 절연체(309)가 배치될 수 있다.
본 실시 형태에서 앞서 실시 형태와의 차이는 방열부(311)가 발광소자(301)의 직하부에 배치되는 것이며, 이러한 구조에 의하여 발광소자(301)로부터 발생된 열이 보다 효과적으로 외부 방출될 수 있다. 방열부(311)가 발광소자(301)의 직하부에 배치됨에 따라, 도 6에 도시된 것과 같이, 구동 집적 회로(303 - 점선으로 표현)는 발광소자(301)의 하부에 대응하는 영역에 형성되되, 방열부(311)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 8은 도 7의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(400)는 기판(402), 발광소자(401), 구동 집적회로(403) 및 렌즈(404)를 포함하는 구조로서, 앞선 실시 형태와 마찬가지로, 구동 집적 회로(403)는 기판(402) 내부에 집적된다. 또한, 구동 집적 회로(403)는 한 쌍의 외부연결단자(406)를 구비하며, 배선 구조(407)에 의하여 도전성 비아(408)와 연결될 수 있다. 이 경우, 도전성 비아(408)와 기판(402) 사이에는 의도하지 않는 단락을 방지하도록 절연체(409)가 배치될 수 있다.
본 실시 형태의 경우, 기판(402)은 제1 주면으로부터 일부가 제거된 형태의 캐비티를 구비하며, 발광소자(401)는 상기 캐비티에 배치된다. 발광소자(401)가 기판(402)의 캐비티 영역에 배치됨에 따라 발광 디바이스(402)의 실장 면, 즉, 기판(402)의 제2 주면로부터의 거리가 감소될 수 있으므로, 앞선 실시 형태보다 방열에 유리할 수 있으며, 도시하지는 않았으나, 방열 효과를 더욱 향상하기 위하여 기판을 관통하는 비아 형태의 방열부를 더 형성할 수 있을 것이다. 상기 캐비티의 내벽에는 발광소자(401)로부터 방출된 빛을 반사하여 상부를 향하도록 유도하는 반사부(411)가 배치되며, 이러한 구조에 의하여 원하는 지향각의 조절이 가능할 수 있다. 또한, 반사부(411)를 Ag, Au, Al, Cu, Ni 등과 같은 금속 물질로 형성함으로써 에 발광소자(401)는 반사부(411)에 의하여 구동 집적 회로(403)와 연결된 구조를 가질 수도 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 10은 도 9의 발광 디바이스를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이다. 이 경우, 도 10에서는 도 9의 발광 디바이스가 복수 개 구비되어 어레이 형태로 제공된 구조를 나타내었다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(500)는 기판(502), 발광소자(501), 구동 집적회로(503) 및 렌즈(504)를 포함하는 구조로서, 앞선 실시 형태와 마찬가지로, 구동 집적 회로(503)는 기판(502) 내부에 집적된다. 본 실시 형태의 경우, 구동 집적 회로(503) 외에 발광소자(501)의 구동에 필요한 다른 집적 회로를 더 포함하며, 구체적으로, 기판(502) 내에는 제어 집적 회로(Controller IC, 511) 및 전력 집적 회로(Power IC, 514)가 더욱 집적된다. 제어 집적 회로(511) 및 전력 집적 회로(514)는 구동 집적 회로(503)와 마찬가지로 기판(502)에 반도체 집적 공정을 적용하여 적절한 회로를 구현함으로써 형성될 수 있다.
제어 집적 회로(511)는 발광소자(501)의 밝기 등을 제어하기 위한 전기 신호를 생성하며, 한 쌍의 단자(512)는 제어 신호를 구동 집적 회로(503)에 전달하고, 다른 한 쌍의 단자(513)는 외부 소자(예컨대, 센서)로부터 발광소자(501)의 밝기 등에 대한 정보를 받을 수 있다. 이 경우, 상기 외부 소자도 기판(502) 내에 집적될 수 있음을 물론이다. 전력 집적 회로(514)는 발광소자(501)에 작동을 위하여 필요한 적절한 전류 및 전압을 생성하며, 예컨대, 교류 전류를 직류로 변환하는 기능 등을 수행할 수 있다. 제어 집적 회로(511)와 마찬가지로 전력 집적 회로(514)는 두 쌍의 단자(515, 516)를 구비할 수 있으며, 하나는 외부 전원과 연결되고, 다른 하나는 구동 집적 회로(503)와 연결될 수 있다. 이 경우, 발광소자(501), 구동 집적 회로(503), 제어 집적 회로(511) 및 전력 집적 회로(514)는 서로 간에 배선 구조에 의하여 적절히 연결될 수 있으며, 상기 배선 구조는 기판(502)의 제1 주면 및 제2 주면 중 적어도 하나의 면을 따라 형성될 수 있다. 도 10에서는 기판(502)의 제1 주면에 형성된 배선 구조(517)를 나타내고 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 발광소자 102: 기판
103: 구동 집적 회로 104: 렌즈
105: 소자연결단자 106: 외부입력단자
107: 배선 구조 108: 도전성 비아
109: 절연체 110: 제어신호 입력단자
111: 방열부 201: 제2 도전형 반도체층
202: 활성층 203: 제1 도전형 반도체층
204: 제1 도전형 컨택층 205, 208: 제1 및 제2 전기 연결부
206: 절연체 207: 제2 도전형 컨택층
209: 소자 기판 210: 성장용 기판
211: 전극

Claims (18)

  1. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판;
    상기 기판의 제1 주면 상에 실장된 발광소자;
    상기 기판 내부에서 상기 발광소자 하부에 대응하는 영역에 형성되며, 상기 발광소자에 인가되는 전류의 양을 조절하는 구동 집적회로; 및
    상기 기판의 제1 주면으로부터 상기 제2 주면 방향으로 연장되며, 상기 기판과 다른 물질로 이루어진 도전성 비아를 포함하고,
    상기 구동 집적회로는 상기 제1 주면 방향에 배치된 한 쌍의 외부입력단자를 포함하며, 상기 외부입력단자와 상기 도전성 비아는 상기 제1 주면 상에 형성된 배선 구조를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구동 집적회로는 한 쌍의 제어신호 입력단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동 집적회로는 상기 발광소자와 연결되는 한 쌍의 소자연결단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자 하부에 상기 기판을 관통하도록 배치된 방열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 구동 집적회로는 상기 방열부를 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 주면으로부터 일부가 제거된 형태의 캐비티를 가지며, 상기 발광소자는 상기 캐비티에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판의 적어도 상기 캐비티가 형성된 영역에 배치된 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  10. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판;
    상기 기판의 제1 주면 상에 실장된 발광소자;
    상기 기판 내부에 형성되며, 상기 발광소자에 인가되는 전류의 양을 조절하는 구동 집적회로;
    상기 기판 내부에 형성되며, 상기 구동 집적회로와 연결된 제어 집적회로;
    상기 기판 내부에 형성되며, 상기 제어 집적회로와 연결된 전력 집적회로; 및
    상기 기판의 제1 주면으로부터 상기 제2 주면 방향으로 연장되며, 상기 기판과 다른 물질로 이루어진 도전성 비아;를 포함하고,
    상기 구동 집적회로는 상기 제1 주면 방향에 배치된 한 쌍의 외부입력단자를 포함하며, 상기 외부입력단자와 상기 도전성 비아는 상기 제1 주면 상에 형성된 배선 구조를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
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