JP2009117536A - 樹脂封止発光体及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止発光体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009117536A
JP2009117536A JP2007287546A JP2007287546A JP2009117536A JP 2009117536 A JP2009117536 A JP 2009117536A JP 2007287546 A JP2007287546 A JP 2007287546A JP 2007287546 A JP2007287546 A JP 2007287546A JP 2009117536 A JP2009117536 A JP 2009117536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealed light
led chips
light emitting
sealed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007287546A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuteru Kawakubo
一輝 川窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2007287546A priority Critical patent/JP2009117536A/ja
Priority to TW097141580A priority patent/TWI441350B/zh
Priority to MYPI20084347A priority patent/MY159521A/en
Priority to US12/262,557 priority patent/US20090114937A1/en
Priority to KR1020080108335A priority patent/KR101162404B1/ko
Publication of JP2009117536A publication Critical patent/JP2009117536A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C70/00Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
    • B29C70/68Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
    • B29C70/70Completely encapsulating inserts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • B29L2011/0016Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光効率と信頼性とに優れ安価なLEDパッケージを提供する。
【解決手段】複数の領域16を有する基板15を含む封止体14を個片化して形成されたLEDパッケージ1Aに、基板2の上面の凹部に装着されたLEDチップ3と、領域16の全面を覆う封止樹脂4と、凹部の内底面に設けられLEDチップ3が設置される設置用パターン5と、凹部の内底面に設けられた配線用パッド8と、凹部の斜面9に設けられ光反射部を兼ねる配線用パターン10と、LEDチップ3の電極と配線用パッド8とを接続するワイヤ13と、基板2の下面に設けられた外部端子12と、配線用パッド8につながる配線用パターン10と外部端子12とを接続する接続部11と、LEDチップ3が生成した熱をLEDパッケージ1の外部に逃がす目的で下面に設けられた放熱用パターン7とを備え、設置用パターン5は接続部6によって放熱用パターン7に接続されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、優れた放熱性及び発光効率を有する樹脂封止発光体とその製造方法とに関するものである。
従来行われている、透光性樹脂を使用してLEDチップを樹脂封止して樹脂封止発光体(以下適宜「LEDパッケージ」という。)を製造する方法を説明する。
LEDチップを樹脂封止する方法として、回路基板(以下、適宜「基板」という。)に設けられた複数の領域にそれぞれLEDチップを装着し、それらのLEDチップを一括して樹脂封止する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。その後に、複数のLEDチップが一括して樹脂封止された封止体を切断することにより各領域単位に個片化して、1個の領域に相当する1個のLEDパッケージを完成させる。
しかしながら、上述した従来の技術によれば、LEDパッケージとしての放熱性が不十分であるという問題がある。特に、基板の材料としてガラスエポキシ基板からなるプリント基板を使用する場合には、この問題は顕著である。また、この問題は、LEDパッケージの高出力化(LEDパッケージ1個当たりの光束の増加)という近年の傾向に伴いいっそう顕著になっている。
特開2006−106479号公報(第10−11頁、図4)
本発明が解決しようとする課題は、樹脂封止発光体の放熱性が不十分であること及び優れた放熱性を有する樹脂封止発光体の製造方法が提供されていないことである。
以下、「課題を解決するための手段」と「発明の効果」と「発明を実施するための最良の形態」との説明における()内の符号は、説明における用語と図面に示された構成要素とを対比しやすくする目的で記載されたものである。また、これらの符号は、「図面に示された構成要素に限定して説明における用語の意義を解釈すること」を意味するものではない。
上述の課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、複数の領域(16)を有する回路基板(15)と、該回路基板(15)の一方の面において複数の領域(16)に各々設けられた凹部(26)と、凹部(26)に各々装着された1又は複数のLEDチップ(3)と、少なくとも凹部(26)を覆うようにして設けられた透光性の封止樹脂(4)とを有する樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)であって、凹部(26)の底面に設けられ1若しくは複数のLEDチップ(3)が設置される1の設置用パターン(5)又は複数のLEDチップ(3)が各々設置される複数の設置用パターン(5)と、凹部(26)の側面に設けられた斜面(9)と、斜面(9)に設けられた光反射部(10)と、1又は複数のLEDチップ(3)に対して電気信号を授受する目的で凹部(26)の底面に設けられた配線用パッド(8)と、1又は複数のLEDチップ(3)に設けられた電極と配線用パッド(8)とを電気的に接続する導電性材料(13)と、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)と外部機器とを電気的に接続する目的で回路基板(15)の他方の面又は一方の面に設けられた外部端子(12)と、配線用パッド(8)と外部端子(12)とを電気的に接続する配線用パターン(10)と、1又は複数のLEDチップ(3)において生成された熱を樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の外部に逃がす目的で設けられた1又は複数の放熱用パターン(7)とを備えるとともに、1又は複数の放熱用パターン(7)は1の設置用パターン(5)又は複数の設置用パターン(5)に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、上述の樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)において、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、複数の領域(16)からなる部分が個片に個片化されることによって形成され、個片は複数の領域(16)の全部若しくは一部からなる複数の領域(16)又は一部からなる1の領域(16)に相当することを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、上述の樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)において、回路基板(2,15)はシリコン基板、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板のいずれか1つからなることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、上述の樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)において、光反射部(10)は金属層からなることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)は、上述の樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)において、領域(16)において封止樹脂(4)からなるレンズ(20)が設けられていることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1B,14)は、上述の樹脂封止発光体(1B,14)において、複数のLEDチップ(3)から封止樹脂(4)を介して放射される光は実質的に白色光であることを特徴とするとともに、それぞれ加えられる次のことを特徴とする。1つの特徴は、白色光は、異なる波長の光を各々放射する複数のLEDチップ(3)が1又は複数の設置用パターン(5)に装着されることによって得られることである。別の特徴は、白色光は、所定の波長の光を放射する1又は複数のLEDチップ(3)が1又は複数の設置用パターン(5)に装着されるとともに封止樹脂(4)に所定の蛍光体が混入されることによって得られることである。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法は、複数の領域(16)を有する回路基板(15)と、該回路基板(15)の一方の面において複数の領域(16)に各々設けられた凹部(26)と、該凹部(26)の底面に設けられた1又は複数の設置用パターン(5)と、1の設置用パターン(5)に装着された1若しくは複数のLEDチップ(3)又は複数の設置用パターン(5)に各々装着された1のLEDチップ(3)と、凹部(26)の底面に設けられた配線用パッド(8)と、1又は複数のLEDチップ(3)に設けられた電極と配線用パッド(8)とを電気的に接続する導電性材料(13)と、外部機器との間で電気信号を授受する目的で回路基板(15)の他方の面又は一方の面に設けられた外部端子(12)と、配線用パッド(8)と外部端子(12)とを電気的に接続し光反射部を兼ねる配線用パターン(10)と、少なくとも凹部(26)を覆うようにして設けられた透光性の封止樹脂(4)とを有する樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)を製造する樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法であって、上型(28)と下型(29)とからなる成形型を準備する工程と、凹部(26)を下向きにして回路基板(15)を上型(28)に保持する工程と、下型(29)に設けられたキャビティ(32)を透光性の流動性樹脂(34)によって充填された状態にする工程と、上型(28)と下型(29)とを相対向するように配置する工程と、上型(28)と下型(29)とを型締めすることによって回路基板(15)の一方の面における複数のLEDチップ(3)を流動性樹脂(34)に浸漬する工程と、上型(28)と下型(29)とが型締めされた状態において流動性樹脂(34)を硬化させて封止樹脂(4)を一括して形成することによって封止体(14)を形成する工程と、上型(28)と下型(29)とを型開きする工程と、封止体(14)を取り出す工程と、封止体(14)を個片に個片化する工程とを備えるとともに、個片は複数の領域(16)の全部若しくは一部からなる複数の領域(16)又は一部からなる1の領域(16)に相当し、個片が樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)を構成し、1又は複数の設置用パターン(5)は回路基板(15)に設けられた1又は複数の放熱用パターン(7)に接続され、1又は複数の放熱用パターン(7)は1又は複数のLEDチップ(3)において生成された熱を樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の外部に逃がす目的で設けられていることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,19,21,23,25)の製造方法は、上述の製造方法において、個片化する工程では、回転刃、バンドソー、ワイヤソー、ウォータージェット、又はレーザ光を使用することを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法は、上述の製造方法において、回路基板(2,15)はシリコン基板、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板のいずれか1つからなることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法は、上述の製造方法において、封止体(14)を形成する工程では、複数の領域(16)の各々において封止樹脂(4)からなるレンズ(20)を形成することを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1B,14)の製造方法は、上述の製造方法において、複数のLEDチップ(3)から封止樹脂(4)を介して放射される光は実質的に白色光であり、白色光は、異なる波長の光を各々放射する複数のLEDチップ(3)を1又は複数の設置用パターン(5)に装着することによって得られることを特徴とする。また、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法は、1又は複数のLEDチップ(3)から封止樹脂(4)を介して放射される光は実質的に白色光であり、白色光は、所定の波長の光を放射する1又は複数のLEDチップ(3)を1又は複数の設置用パターン(5)に装着するとともに封止樹脂(4)に所定の蛍光体を混入することによって得られることを特徴とする。
また、本発明に係る樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の製造方法は、上述の製造方法において、キャビティ(32)を流動性樹脂(34)によって充填された状態にする工程の前に、キャビティ(32)における型面に沿ってフィルム(33)を張設する工程を備えることを特徴とする。
本発明によれば、LEDチップ(3)が設置される設置用パターン(5)と、LEDチップ(3)において生成された熱を樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の外部に逃がす目的で設けられた放熱用パターン(7)とが設けられ、設置用パターン(5)と放熱用パターン(7)とが接続されている。これにより、LEDチップ(3)によって生成された熱が、設置用パターン(5)と放熱用パターン(7)とを順次経由して樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の外部に効果的に放出されるので、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の放熱性が向上する。したがって、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の高信頼化と長寿命化とが可能になる。
また、本発明によれば、回路基板(15)の一方の面における複数の領域(16)に各々凹部(26)が設けられ、それらの凹部(26)の斜面(9)に光反射部(10)が設けられる。これにより、LEDチップ(3)によって放射された光の一部は、光反射部(10)によって効率よく反射されて上方へと放射される。したがって、上述した効果に加えて、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)の発光効率が向上する。
また、本発明によれば、回路基板(15)の一方の面における複数の領域(16)に各々凹部(26)を設け、それらの凹部(26)に各々装着された1又は複数のLEDチップ(3)を、回路基板(15)全体を対象にして一括して樹脂封止する。そして、必要に応じて1又は複数の領域(16)を単位として個片化することによって、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)を製造する。したがって、上述した効果に加えて、樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)が効率よく製造される。
また、本発明によれば、上述した効果に加えて、回路基板(2,15)として、シリコン基板、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板のいずれか1つを使用して樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)を製造することができる。
また、本発明によれば、上述した効果に加えて、レンズ(20)を有する樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)が得られる。
また、本発明によれば、上述した効果に加えて、異なる波長の光を各々放射する複数のLEDチップ(3)が1又は複数の設置用パターン(5)に装着されることによって、それらの光が加法混色される。したがって、異なる波長の光を適当に選ぶことによって、実質的な白色光を放射する樹脂封止発光体(1B,14)が得られる。更に、所定の波長の光を放射する1又は複数のLEDチップ(3)が1又は複数の設置用パターン(5)に装着されるとともに封止樹脂(4)に所定の蛍光体が混入されることによっても、実質的な白色光を放射する樹脂封止発光体(1A,1B,14,19,21,23,25)が得られる。
複数の領域(16)を有する基板(15)を含む封止体(14)を個片化して、LEDパッケージ(1A)を製造する。LEDパッケージ(1A)は、基板(2)の一方の面に設けられた凹部に装着されたLEDチップ(3)と、領域(16)の全面に設けられた封止樹脂(4)と、凹部の内底面に設けられLEDチップ(3)が設置される設置用パターン(5)と、凹部の斜面(9)に設けられ光反射部(10)を兼ねる配線用パターン(10)と、凹部の内底面に設けられた配線用パッド(8)と、LEDチップ(3)の電極と配線用パッド(8)とを接続するワイヤ(13)と、基板(2)の他方の面に設けられた外部端子(12)と、配線用パッド(8)につながる配線用パターン(10)に含まれその配線用パッド(8)と外部端子(12)とを接続する接続部(11)と、LEDチップ(3)によって生成された熱をLEDパッケージ(1A)の外部に逃がす目的で基板(2)の他方の面に設けられた放熱用パターン(7)とを備え、設置用パターン(5)は接続部(6)によって放熱用パターン(7)に接続されている。
図1を参照して、本発明に係る樹脂封止発光体に関する実施例1を説明する。図1(1)は本実施例に係る樹脂封止発光体を、図1(2)は図1(1)の樹脂封止発光体の製造工程における中間体である封止体を、それぞれ示す正面縦断面図である。なお、以下の説明において使用する図は、わかりやすくするためにいずれも誇張して又は簡略化して描かれている。また、各図において示された符号が同じであることは、その符号が付された構成要素が同じであることを示す。
まず、図1(1)に示されている、樹脂封止発光体であるLEDパッケージ1Aを説明する。LEDパッケージ1Aの主な構成要素は、基板2と、基板2の一方の面(図では上面)に設けられた凹部(図7の凹部26参照)に装着されたLEDチップ3と、透光性を有する封止樹脂4とである。凹部の底面には設置用パターン5が形成され、設置用パターン5にLEDチップ3が導電性ペースト(図示なし)を介して装着されている。設置用パターン5は、基板2を貫通して設けられた接続部(スルーホール)6を介して、基板2の他方の面(図では下面)に設けられた放熱用パターン7に接続されている。
凹部の底面には配線用パッド8が形成され、凹部の側面には斜面9が設けられている。配線用パッド8には配線用パターン10が接続され、配線用パターン10は斜面9に沿って斜め上に延びるようにして形成されている。配線用パターン10のうち斜面9に形成されている部分は、光反射部を兼ねている。配線用パターン10は、基板2の一方の面から他方の面に、その配線用パターン10の一部を構成する接続部11を介して引き出されている。そして、配線用パターン10は、他方の面に設けられた外部端子12に接続されている。外部端子12は、LEDパッケージ1AとそのLEDパッケージ1Aが取り付けられるプリント基板等からなる外部機器とを電気的に接続するために使用される。LEDチップ3に設けられた電極(図示なし)と配線用パッド8とは、ワイヤボンディングを使用してワイヤ(金属細線)13によって接続されている。なお、斜面9において配線用パターン10が形成されている部分以外の場所に、配線用パターン10とは電気的に無関係な光反射部を形成してもよい。
次に、図1(2)に示されている封止体14を説明する。封止体14は、LEDパッケージ1Aを製造する工程における中間体である。封止体14は基板15を有し、基板15は格子状に仕切られた複数の領域16を有する。図1(2)には、複数の領域16が4(=2×2)個だけ設けられた例が便宜的に示されている。実際には、はるかに多い領域を基板15に設けることができる。
各領域16の境界には、それぞれ切断線17が仮想的に設けられている。各領域16には凹部(符号なし)が形成され、凹部の底面には設置用パターン5が形成されている。ここで、切断線17において封止体14が切断され個片化されることによって、各領域16にそれぞれ相当するLEDパッケージ1Aが完成する。したがって、封止体14はLEDパッケージ1Aを製造する工程における中間体であるといえる。また、図1(1)における基板2は、図1(2)における基板15が各領域16を単位として切断されたものに相当する。
以下、LEDパッケージ1Aのいくつかの構成要素に使用されている材料について説明する。まず、基板2は、シリコン基板(シリコンウェーハ)、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又は、セラミックベース基板のいずれか1つによって構成される。ここで、シリコン基板を使用する場合には、凹部をエッチングによって形成し、接続部11は周知の方法によって形成することができる(例えば、フジクラ技報、第109号、P.60−P.63、株式会社フジクラ、2005年10月)。したがって、凹部がエッチングによって形成されるので、凹部における斜面9は鏡面になる。また、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板を使用する場合には、凹部を機械加工によって形成することができる。更に、樹脂ベース基板として、立体成形回路基板(MID;Molded Interconnect Device)を使用することができる。
また、設置用パターン5、接続部6、放熱用パターン7、配線用パッド8、光反射部を兼ねる配線用パターン10、接続部11、及び外部端子12は、銅、アルミニウム等の金属によって構成される。銅によって構成されるパターン類及び外部端子12には、金めっきが施されている。ワイヤ13は、金、アルミニウム等によって構成される。
また、透光性を有する封止樹脂4は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂によって構成される。そして、LEDチップ3が放射する光とLEDパッケージ1Aから放射させたい光とのそれぞれの波長に応じて、封止樹脂4には適宜蛍光体が添加される。例えば、LEDチップ3が青色光を放射し、LEDパッケージ1Aから放射させたい光が白色光である場合には、封止樹脂4に黄色の蛍光体が添加される。
本実施例に係る樹脂封止発光体、すなわちLEDパッケージ1Aは、次のような特徴を有する。第1に、LEDチップ3が生成する熱が、導電性ペースト(図示なし)と設置用パターン5と接続部6とを順次介して、基板2の他方の面(図では下面)に設けられた放熱用パターン7から放熱される。そして、放熱用パターン7を外部機器の放熱手段(例えば、プリント基板の銅箔や外部機器に設けられたヒートシンク等)に熱的に接続することによって、LEDチップ3が生成する熱がLEDパッケージ1Aの外部に効果的に放出される。したがって、LEDパッケージ1Aの放熱特性が改善されるので、LEDパッケージ1Aの高信頼化と長寿命化とが可能になる。
第2に、LEDチップ3から放射された光が、光反射部によって上方に向かって反射され封止樹脂4を透過して上方に放射される。これにより、LEDパッケージ1Aの発光効率が向上する。特に、シリコン基板を使用する場合には、光反射部を構成する斜面9が鏡面になっているので、この効果が大きくなる。また、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板を使用する場合には、光反射部を兼ねる配線用パターン10に金めっきが施されているので、この効果が大きくなる。ここで、本実施例においては、封止樹脂4は平板レンズとして機能する。
第3に、封止体14が各領域16を単位として個片化されることにより、各領域16にそれぞれ相当するLEDパッケージ1Aが完成する。これにより、LEDパッケージ1Aを製造する際の効率が向上する。
なお、本実施例においては、いくつかの変形例を採用することができる。そして、そのような変形例は、今後説明する他の実施例においても適宜適用されるものである。そのような変形例としては、次のものがある。
第1の変形例として、LEDチップ3の裏面(光を放射しない面)が装着される設置用パターン5を特定の電位に接続することができる。例えば、導電性ペースト(図示なし)を介してLEDチップ3の裏面をGND電位(接地端子の電位)に接続する。この場合には、設置用パターン5は放熱に寄与するだけでなく接地用パターンとしても機能する。また、接地用パターンが斜面9における光反射部を兼ねることとしてもよい。
また、本実施例においては、ワイヤボンディングを使用して、LEDチップ3の電極(図示なし)と配線用パッド8とがワイヤ13によって電気的に接続される。これに代えて、第2の変形例として、フリップチップボンディングを使用して、LEDチップ3の電極と配線用パッド8とを電気的に接続してもよい。フリップチップボンディングによる電気的な接続には、金やはんだ等からなるバンプ、導電性接着剤、異方性導電膜等の導電性材料が使用される。そして、この場合には、LEDチップ3と基板2との間には優れた熱伝導性を有する物質を充填することが好ましい。
また、本実施例においては、封止体14が切断され個片化されることによって、各領域16にそれぞれ相当するLEDパッケージ1Aが完成する。これに代えて、第3の変形例として、封止体14を切断することなく、複数の領域16のすべてを含む封止体14自体を1個のLEDパッケージとしてもよい。この場合には、封止体14自体が個片であり封止体14自体を1個のLEDパッケージとして取り扱うことが個片化に相当すると考えることができる。
また、第4の変形例として、封止体14の外縁に存在する不要部を切断して除去することによって、複数の領域16のすべてを1個のLEDパッケージとしてもよい。この場合には、封止体14が2×2=4個の領域からなる1個のLEDパッケージに個片化されたことになる。ここで、第3及び第4の変形例の説明においては、1個のLEDパッケージは4個のLEDチップ3を有する。そして、1個のLEDパッケージに含まれるLEDチップ3の数を増やすこともできる。したがって、これらの変形例によれば、大型の基板、200mm径や300mm径のシリコンウェーハ等を使用することによって、大型の樹脂封止発光体(面発光体)を効率よく製造することができる。
また、第5の変形例として、封止体14を切断して、2×2=4個の領域16の一部からなる複数の領域16を、1個のLEDパッケージとしてもよい。この変形例によれば、1×2=2個又は2×1=2個の複数の領域16を、1個のLEDパッケージとすることができる。したがって、複数個のLEDチップ3を含み正方形又は細長い平面形状を有するLEDパッケージが容易に製造される。また、更に多数の領域、例えば4×4=16個の領域16を含む封止体を切断して、1×2=2個、2×2=4個、2×4=8個等の複数の領域16を、1個のLEDパッケージとすることもできる。
また、第6の変形例として、第4又は第5の変形例における1個のLEDパッケージに含まれる複数個のLEDチップ3を、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の光を放射するLEDチップとしてもよい。そして、隣り合うLEDチップ3がそれぞれ異なる色の光を放射するように構成することが好ましい。これにより、LEDパッケージから放射される光は、R、G、Bの3色の光が加法混色された実質的な白色光になる。したがって、実質的な白色光を放射するLEDパッケージ(面発光体)が得られる。
図2を参照して、本発明に係る樹脂封止発光体に関する実施例2を説明する。図2(1)は本実施例に係る樹脂封止発光体を、図2(2)は図2(1)の樹脂封止発光体の製造工程における中間体である封止体を、それぞれ示す正面縦断面図である。
本実施例においては、図2(1)に示されているように、基板2の一方の面(図では上面)に設けられた凹部(符号なし)には複数個のLEDチップ3が装着される。具体的には、凹部に設けられた3個の設置用パターン5のそれぞれに1個のLEDチップ3が装着される。したがって、凹部には3個のLEDチップ3が装着されることになる(図には2個しか描かれていない)。そして、3個のLEDチップ3は、それぞれR、G、Bの光を放射する。このことにより、LEDパッケージ1Bから放射される光は、R、G、Bの3色の光が加法混色された実質的な白色光になる。したがって、本実施例によれば、実施例1と同様の特徴を有するとともに実質的な白色光を放射するLEDパッケージ1Bが得られる。なお、3個の設置用パターン5にそれぞれ対応して、接続部6と放熱用パターン7とが3個ずつ設けられている。
なお、本実施例の第1の変形例として、同じ色の光を放射するLEDチップ3を、3個だけ凹部に装着してもよい。この場合には、優れた発光効率を有するLEDパッケージ1Bが得られる。また、同じ色の光を放射するLEDチップ3の個数は、2個以上であればよい。
また、凹部には3個の設置用パターン5が設けられ、3個のLEDチップ3は1個ずつ各設置用パターン5に装着され、各設置用パターン5は各接続部6を介して各放熱用パターン7に接続されることとした。これに代えて、第2の変形例として、3個のLEDチップ3が1個の共通する設置用パターン5に装着されることとしてもよい。そして、1個の共通する設置用パターン5に3個よりも多い数の接続部6を設けることができる。これにより、3個のLEDチップ3から熱がいっそう効率よく放出されるので、放熱特性が改善されたLEDパッケージ1Bが得られる。
また、第3の変形例として、3個のLEDチップ3の発熱特性が異なる場合には、それぞれの発熱特性に応じて設置用パターン5と接続部6と放熱用パターン7とのサイズを変えてもよい。例えば、大きい発熱量を有するLEDチップ3については、設置用パターン5と放熱用パターン7との面積を大きくし、接続部6の断面積を大きくすればよい。これにより、3個のLEDチップ3の発熱特性が異なる場合においても、優れた放熱特性を有するLEDパッケージ1Bが得られる。
図3を参照して、本発明に係る樹脂封止発光体に関する実施例3を説明する。図3は本実施例に係る樹脂封止発光体を示す正面縦断面図である。
図3(1)に示されているように、本実施例によれば、凹部の側面に設けられた斜面が曲面18になっている。そして、この曲面に、光反射部を兼ねる配線用パターン10が形成される。これにより、曲面18の曲率を適当に定めることによって、LEDチップ3から放射された光が、光反射部によって上方に向かって効率よく反射される。したがって、本実施例によれば、実施例1と同様の特徴を有するとともに、優れた発光効率を有するLEDパッケージ1Aが得られる。
ここで、凹部の側面に設けられた曲面18を形成する方法を説明する。シリコン基板を使用する場合には、等方性エッチングによって凹部を形成することにより、このような曲面18が得られる。この構成によれば、等方性エッチングによって形成された曲面18は鏡面になっているので、配線用パターン10が形成されていない部分においてもLEDチップ3から放射された光が上方に向かって効率よく反射される。また、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板を使用する場合には、凹部を機械加工によって形成することにより、このような曲面が得られる。
図4と図5とを参照して、本発明に係る樹脂封止発光体に関する実施例4とその変形例とを説明する。図4(1)は本実施例に係る樹脂封止発光体を、図4(2)は本実施例の第1の変形例を、それぞれ示す正面縦断面図である。図5(1)は本実施例の第2の変形例を示す正面縦断面図であり、図5(2)は図5(1)の樹脂封止発光体の右縦断面図である。
図4(1)に示されているように、本実施例に係るLEDパッケージ19には、封止樹脂4からなるレンズ(凸レンズ)20が設けられている。これにより、LEDチップ3から放射された光がレンズ20によって集光されて、上方に向かって放射される。また、本実施例においては、LEDパッケージ19の上面はすべて封止樹脂4によって覆われている。したがって、本実施例によれば、実施例1と同様の特徴を有するとともに、レンズ20を有しており上面の全面が封止樹脂4によって覆われたLEDパッケージ19が得られる。
また、図4(2)に示されているLEDパッケージ21は、本実施例の第1の変形例である。このLEDパッケージ21によれば、上面の周縁部において封止樹脂4によって覆われていない露出部22が形成される。これにより、本変形例によれば、実施例1と同様の特徴を有するとともに、レンズ20を有しており上面の周縁部において露出部22が形成されたLEDパッケージ21が得られる。したがって、本変形例によれば、LEDパッケージ21の製造工程における封止樹脂4の消費量が削減される。また、LEDパッケージ21における不要な方向(図では水平方向に近い方向)への光の放射が抑制される。ここで、本変形例に係るLEDパッケージ21の製造工程についていえば、封止樹脂4からなるレンズ20同士を接続する連通部を設けることなく、封止樹脂4を形成することになる。
また、図5に示されているLEDパッケージ23は、本実施例の第2の変形例である。このLEDパッケージ23によれば、設置用パターン5と放熱用パターン7とが、接続部6に加えてLEDパッケージ23の側面に設けられた接続部24によっても接続される。この接続部24を形成するには、次のようにして行えばよい。まず、LEDパッケージ23を製造する際に使用される切断線(図1(2)の切断線17参照)に沿って、複数個の接続部(スルーホール)を形成する。次に、切断線に沿って切断する。これにより、複数個の接続部(スルーホール)がほぼ中心において切断されるので、LEDパッケージ23の側面において縦長に細長く露出する複数個の接続部24が形成される。第2の変形例によれば、接続部24は露出しているので、LEDチップ3が生成する熱が放熱用パターン7と接続部24とからLEDパッケージ23の外部にいっそう効果的に放出される。したがって、本実施例によれば、実施例1と同様の特徴を有するとともに、レンズ20を有しており放熱特性がいっそう改善されたLEDパッケージ23が得られる。
なお、第2の変形例においては、第1の変形例(図4(2)参照)に露出部22として示されているように、LEDパッケージ23の上面の周縁部において封止樹脂4によって覆われていない露出部を形成してもよい。これにより、接続部24につながる配線用パターン10の一部が露出するので、放熱特性がいっそう改善されたLEDパッケージ23が得られる。
図6を参照して、本発明に係る樹脂封止発光体に関する実施例5を説明する。図6(1)は本実施例に係る樹脂封止発光体を示す正面縦断面図、図6(2)は図6(1)の樹脂封止発光体の右縦断面図である。
図6に示されているように、本実施例によれば、LEDパッケージ25において、放熱用パターン7と外部端子12とが、基板2においてLEDチップ3が装着されている面(図では上面)に設けられている。また、上面の周縁部において封止樹脂4によって覆われていない露出部22が形成されている。ここで、本変形例に係るLEDパッケージ25の製造工程についていえば、封止樹脂4からなるレンズ20をそれぞれ独立して形成し、レンズ20同士を接続する連通部を設けることなく封止樹脂4を形成することになる。
これにより、本実施例によれば、基板2の上面においてのみ、設置用パターン5、放熱用パターン7、配線用パッド8、光反射部を兼ねる配線用パターン10、及び外部端子12が設けられる。そして、基板2において、下面のパターンと両面のパターン同士を接続する接続部とを設ける必要がない。これにより、基板2の構成が簡素化されるので、基板2を低価格にすることができる。したがって、LEDパッケージ25を低価格にすることができる。また、図4(2)に示されているLEDパッケージ21における効果と同様の効果が得られる。
加えて、放熱用パターン7は封止樹脂4から露出するので、LEDチップ3が生成する熱がLEDパッケージ25の外部に効果的に放出される。また、設置用パターン5をGND電位に接続する場合には、放熱用パターン7は、外部機器(図示なし)の接地端子に接続するための外部端子としても機能する。また、外部端子12は封止樹脂4から露出しているので、それらの外部端子12を使用して外部機器に対する電気的な接続を行うことができる。
図7〜図9を参照して、本発明に係る樹脂封止発光体の製造方法についての実施例6を説明する。図7は、流動性樹脂によってキャビティが充填された状態になっている下型に対向して、複数のLEDチップが装着された基板を配置するまでの工程を示す縦断面図である。図8は、流動性樹脂が硬化して封止体が形成されるまでの工程を示す縦断面図である。図9は、封止体が切断されてLEDパッケージが完成するまでの工程を示す縦断面図である。
まず、図7(1)に示すように、基板15と基板15に設けられた複数の凹部26にそれぞれ装着されたLEDチップ3とを含む封止前基板27を、準備する。また、上型28と上型28に対向する下型29とを準備する。ここで、下型29には主キャビティ30が設けられ、主キャビティ30において複数の凹部26にそれぞれ対向する位置には独立した凹部からなる副キャビティ31が設けられている。主キャビティ30と副キャビティ31とは、併せて全体キャビティ32を構成する。ここで、凹部26の平面形状としては、円形、楕円形、小判形、矩形、四角形以外の多角形等が考えられる。
次に、下型29の型面に沿って離型フィルム33を張設する。そして、離型フィルム33を吸着することによって、下型29の型面に離型フィルム33を密着させる。
次に、吸着やクランプ等の周知の方法によって、凹部26を下に向けた封止前基板27を上型28の型面に保持(固定)する。ここで、上型28の型面に封止前基板27を保持する際には、各LEDチップ3と各副キャビティ31との中心同士を位置合わせする。なお、下型29とは対向しない位置において上型28の型面に封止前基板27を保持して、その後に上型28を移動させて各LEDチップ3と各副キャビティ31との中心同士を位置合わせしてもよい。
次に、図7(2)に示すように、全体キャビティ32を、熱硬化性樹脂からなる流動性樹脂34によって充填された状態にする。全体キャビティ32に流動性樹脂34を充填するには、常温で液状である樹脂(液状樹脂)を、ディスペンサ等を使用して全体キャビティ32に滴下して供給する。なお、上型28とは対向しない位置において全体キャビティ32に液状樹脂を滴下し、その後に下型29を移動させて各LEDチップ3と各副キャビティ31との中心同士を位置合わせしてもよい。
次に、図8(1)に示すように、上型28を下降させて上型28と下型29とを型締めすることによって各LEDチップ3を流動性樹脂34に浸漬し、型締めした状態を維持して流動性樹脂34を硬化させ、封止樹脂4を形成する。ここで、副キャビティ31(図7(1)参照)において硬化した封止樹脂4がレンズ20を構成する。その後に、上型28を上昇させて上型28と下型29とを型開きする(図8(1)の矢印参照)。ここで、離型フィルム33を使用しているので、下型29の型面から封止体14(図8(2)参照)を容易に離型させることができる。なお、型締めと型開きとを行うには、上型28と下型29とを垂直方向に相対的に移動させればよい。
ここまでの工程によって、図8(2)に示すように、複数の凹部26(図7参照)のそれぞれにおいて、樹脂封止されたLEDチップ3とそのLEDチップ3に対して中心同士が位置合わせされたレンズ20とを有する、封止体14が完成する。そして、吸着を解除して上型28から封止体14を取り外す。その後に、適当な搬送手段を使用して、封止体14を次工程に搬送する。
次に、図9(1)に示すように、吸着、粘着、クランプ等の周知の方法によって、切断装置のテーブル35に、封止樹脂4を上に向けて封止体14を保持(固定)する。その後に、切断装置の回転刃36を使用して、各切断線17において封止樹脂4と基板15とを順次切断する。ここで、テーブル35において各切断線17に対応する位置に設けられた逃げ溝37に回転刃36の外縁が収容されるまで、切断が行われる。これにより、各切断線17において封止体14は完全に切断されて(フルカットされて)、各LEDパッケージ19に個片化される。
ここまでの工程によって、図9(2)に示すように、封止体14を各領域16単位にフルカットすることによって、各LEDパッケージ19を完成させることができる。なお、これまでの実施例1〜5において説明したLEDパッケージを製造する場合に、本実施形態に係る樹脂封止発光体の製造方法を適用することができる。
本実施例によれば、基板15の一方の面における複数の領域16に各々凹部26を設けて、それらの凹部26に各々装着されたLEDチップ3を、基板15全体を対象にして一括して樹脂封止する。そして、必要に応じて1又は複数の領域16を単位として個片化することによってLEDパッケージを製造する。したがって、所望の寸法・形状を有するLEDパッケージを効率よく製造することができる。
また、基板15に装着された複数のLEDチップ3を流動性樹脂34に浸漬し、型締めした状態を維持して流動性樹脂34を硬化させ、封止樹脂4を形成する。このことによって、LEDチップ3の側から見た流動性樹脂34の流動を、図7(2)の上下方向における微小な距離にとどめることができる。したがって、ワイヤ13に加えられる外力が減少するので、不良率を低減することができる。
なお、本実施例において全体キャビティ32を流動性樹脂34によって充填された状態にするには、次の方法を採ることもできる。それは、全体キャビティ32に粉末状、顆粒状、塊状、円板状、円柱状、シート状等の樹脂材料を供給し、その樹脂材料を加熱して溶融させる方法である。そして、円板状、円柱状、又はシート状の樹脂材料を使用する場合には、全体キャビティ32の寸法・形状に応じてそれらの樹脂材料の寸法・形状・数量を決定してもよい。これらの場合においても、上型28とは対向しない位置において全体キャビティ32に樹脂材料を供給し、その後に下型29を移動させて各LEDチップ3と各副キャビティ31との中心同士を位置合わせしてもよい。
また、封止樹脂4を形成する際には、まず平板レンズの部分を形成し、次に別の金型を使用して凸レンズの部分を形成することもできる。この場合には、平板レンズの部分と凸レンズの部分とをそれぞれ構成する材料を、適宜変えることができる。
また、下型29において、主キャビティ30を設けずに副キャビティ31のみを設けてもよい。この場合には、図6に示されたように、周囲に連通部を持たないレンズ20と外縁付近における露出部22とを有するLEDパッケージを製造することができる。また、図8(2)と図9(1)とに示された封止体14においては、レンズ20がそれぞれ独立して形成されるとともに、レンズ20同士を連通する連通部が存在しないことになる。このことによって、LEDパッケージの製造工程における封止樹脂の消費量が削減される。また、LEDパッケージにおける不要な方向(図では水平方向に近い方向)への光の放射が抑制される。
また、レンズ20として凸レンズを有するLEDパッケージについて説明した。これに限らず、副キャビティ31における型面に適当な加工を施すことによって、レンズ20としてフレネルレンズを有するLEDパッケージを製造することもできる。更に、副キャビティ31の有無を問わず、全体キャビティ32における型面全体にフレネルレンズに対応する微細なパターンを多数個設けることによって、封止樹脂4の表面に多数の超小型フレネルレンズを形成することもできる。また、レンズ20として凹レンズを有するLEDパッケージを製造することもできる。したがって、本実施例によれば、集光、光の拡散、及び平行光の放射という機能をそれぞれ有する異なるタイプのLEDパッケージを製造することができる。
また、離型フィルム33として、流動性樹脂34に接触する側の面(図では上面)に微細なパターンを形成した離型フィルムを使用することもできる。この場合には、それらの微細なパターンが封止樹脂4の表面に転写されることによって、封止樹脂4の表面に微細なパターンを形成することができる。この場合には、離型フィルム33は転写用の型としても機能する。
また、離型フィルム33を使用して封止体14を完成させることとした。このことに代えて、下型29を構成する材料及び流動性樹脂34のそれぞれの特性によっては、離型フィルム33を使用せずに封止体14を完成させることができる。また、LEDパッケージに加えられる外力が小さいような離型機構を採用した場合も、離型フィルム33を使用せずに封止体14を完成させることができる。
また、切断装置の回転刃36を使用して、各切断線17において封止体14を完全に切断することとした。これに限らず、封止体14を厚み方向の途中まで切削して(ハーフカットして)溝を形成し、その後に封止体14に外力を加えて各LEDパッケージ19に個片化してもよい。更に、回転刃、バンドソー、ワイヤソー、ウォータージェット、若しくはレーザ光のいずれかを、又はこれらを組み合わせて、使用してもよい。
また、ワイヤボンディングを使用して、LEDチップ3の電極と配線用パッド8とをワイヤ13によって電気的に接続した。これに限らず、フリップチップボンディングを使用して、LEDチップ3の電極と配線用パッド8とを導電性材料によって電気的に接続してもよい。なお、フリップチップボンディングによる電気的な接続には、金やはんだ等からなるバンプ、導電性接着剤、異方性導電膜等の導電性材料を使用することができる。
また、本発明は、上述の各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
図1(1)は実施例1に係る樹脂封止発光体を、図1(2)は図1(1)の樹脂封止発光体の製造工程における中間体である封止体を、それぞれ示す正面縦断面図である。 図2(1)は実施例2に係る樹脂封止発光体を、図2(2)は図2(1)の樹脂封止発光体の製造工程における中間体である封止体を、それぞれ示す正面縦断面図である。 図3は、実施例3に係る樹脂封止発光体を示す正面縦断面図である。 図4(1)は実施例4に係る樹脂封止発光体を、図4(2)は本実施例の第1の変形例を、それぞれ示す正面縦断面図である。 図5(1)は実施例4の第2の変形例を示す正面縦断面図であり、図5(2)は図5(1)の樹脂封止発光体の右縦断面図である。 図6(1)は実施例5に係る樹脂封止発光体を示す正面縦断面図、図6(2)は図6(1)の樹脂封止発光体の右縦断面図である。 図7は、実施例6に係る樹脂封止発光体の製造方法において、流動性樹脂によってキャビティが充填された状態になっている下型に対向して、複数のLEDチップが装着された基板を配置するまでの工程を示す縦断面図である。 図8は、実施例6に係る樹脂封止発光体の製造方法において、流動性樹脂が硬化して封止体が形成されるまでの工程を示す縦断面図である。 図9は、実施例6に係る樹脂封止発光体の製造方法において、封止体が切断されてLEDパッケージが完成するまでの工程を示す縦断面図である。
符号の説明
1A,1B,19,21,23,25 LEDパッケージ(樹脂封止発光体)
2 基板(回路基板)
3 LEDチップ
4 封止樹脂
5 設置用パターン
6 接続部
7 放熱用パターン
8 配線用パッド
9 斜面
10 配線用パターン(光反射部)
11 接続部
12 外部端子
13 ワイヤ(導電性材料)
14 封止体(樹脂封止発光体)
15 基板(回路基板)
16 領域
17 切断線
18 曲面
20 レンズ
22 露出部
24 接続部
26 凹部
27 封止前基板
28 上型
29 下型
30 主キャビティ
31 副キャビティ
32 全体キャビティ(キャビティ)
33 離型フィルム(フィルム)
34 流動性樹脂
35 テーブル
36 回転刃
37 逃げ溝

Claims (12)

  1. 複数の領域を有する回路基板と、該回路基板の一方の面において前記複数の領域に各々設けられた凹部と、前記凹部に各々装着された1又は複数のLEDチップと、少なくとも前記凹部を覆うようにして設けられた透光性の封止樹脂とを有する樹脂封止発光体であって、
    前記凹部の底面に設けられ前記1若しくは複数のLEDチップが設置される1の設置用パターン又は前記複数のLEDチップが各々設置される複数の設置用パターンと、
    前記凹部の側面に設けられた斜面と、
    前記斜面に設けられた光反射部と、
    前記1又は複数のLEDチップに対して電気信号を授受する目的で前記凹部の底面に設けられた配線用パッドと、
    前記1又は複数のLEDチップに設けられた電極と前記配線用パッドとを電気的に接続する導電性材料と、
    前記樹脂封止発光体と外部機器とを電気的に接続する目的で前記回路基板の他方の面又は前記一方の面に設けられた外部端子と、
    前記配線用パッドと前記外部端子とを電気的に接続する配線用パターンと、
    前記1又は複数のLEDチップにおいて生成された熱を前記樹脂封止発光体の外部に逃がす目的で設けられた1又は複数の放熱用パターンとを備えるとともに、
    前記1又は複数の放熱用パターンは前記1の設置用パターン又は前記複数の設置用パターンに接続されていることを特徴とする樹脂封止発光体。
  2. 請求項1記載の樹脂封止発光体において、
    前記樹脂封止発光体は、前記複数の領域からなる部分が個片に個片化されることによって形成され、
    前記個片は前記複数の領域の全部若しくは一部からなる複数の領域又は一部からなる1の領域に相当することを特徴とする樹脂封止発光体。
  3. 請求項1又は2記載の樹脂封止発光体において、
    前記回路基板はシリコン基板、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板のいずれか1つからなることを特徴とする樹脂封止発光体。
  4. 請求項1−3のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体において、
    前記光反射部は金属層からなることを特徴とする樹脂封止発光体。
  5. 請求項1−4のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体において、
    前記領域において前記封止樹脂からなるレンズが設けられていることを特徴とする樹脂封止発光体。
  6. 請求項1−5のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体において、
    前記1又は複数のLEDチップから前記封止樹脂を介して放射される光は実質的に白色光であり、
    前記白色光は、異なる波長の光を各々放射する複数のLEDチップが前記1又は複数の設置用パターンに装着されることによって、又は、所定の波長の光を放射する前記1又は複数のLEDチップが前記1又は複数の設置用パターンに装着されるとともに前記封止樹脂に所定の蛍光体が混入されることによって得られることを特徴とする樹脂封止発光体。
  7. 複数の領域を有する回路基板と、該回路基板の一方の面において前記複数の領域に各々設けられた凹部と、該凹部の底面に設けられた1又は複数の設置用パターンと、前記1の設置用パターンに装着された1若しくは複数のLEDチップ又は前記複数の設置用パターンに各々装着された1のLEDチップと、前記凹部の底面に設けられた配線用パッドと、前記1又は複数のLEDチップに設けられた電極と前記配線用パッドとを電気的に接続する導電性材料と、外部機器との間で電気信号を授受する目的で前記回路基板の他方の面又は前記一方の面に設けられた外部端子と、前記配線用パッドと前記外部端子とを電気的に接続し光反射部を兼ねる配線用パターンと、少なくとも前記凹部を覆うようにして設けられた透光性の封止樹脂とを有する樹脂封止発光体を製造する樹脂封止発光体の製造方法であって、
    上型と下型とからなる成形型を準備する工程と、
    前記凹部を下向きにして前記回路基板を前記上型に保持する工程と、
    前記下型に設けられたキャビティを透光性の流動性樹脂によって充填された状態にする工程と、
    前記上型と前記下型とを相対向するように配置する工程と、
    前記上型と前記下型とを型締めすることによって前記回路基板の前記一方の面における複数のLEDチップを前記流動性樹脂に浸漬する工程と、
    前記上型と前記下型とが型締めされた状態において前記流動性樹脂を硬化させて前記封止樹脂を一括して形成することによって封止体を形成する工程と、
    前記上型と前記下型とを型開きする工程と、
    前記封止体を取り出す工程と、
    前記封止体を個片に個片化する工程とを備えるとともに、
    前記個片は前記複数の領域の全部若しくは一部からなる複数の領域又は一部からなる1の領域に相当し、
    前記個片が前記樹脂封止発光体を構成し、
    前記1又は複数の設置用パターンは前記回路基板に設けられた1又は複数の放熱用パターンに接続され、
    前記1又は複数の放熱用パターンは前記1又は複数のLEDチップにおいて生成された熱を前記樹脂封止発光体の外部に逃がす目的で設けられていることを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
  8. 請求項7記載の樹脂封止発光体の製造方法において、
    前記個片化する工程では、回転刃、バンドソー、ワイヤソー、ウォータージェット、又はレーザ光を使用することを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
  9. 請求項7又は8に記載の樹脂封止発光体の製造方法において、
    前記回路基板はシリコン基板、樹脂ベース基板、金属ベース基板、又はセラミックベース基板のいずれか1つからなることを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
  10. 請求項7−9のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体の製造方法において、
    前記封止体を形成する工程では、前記複数の領域の各々において前記封止樹脂からなるレンズを形成することを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
  11. 請求項7−10のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体の製造方法において、
    前記1又は複数のLEDチップから前記封止樹脂を介して放射される光は実質的に白色光であり、
    前記白色光は、異なる波長の光を各々放射する複数のLEDチップを前記1又は複数の設置用パターンに装着することによって、又は、所定の波長の光を放射する前記1又は複数のLEDチップを前記1又は複数の設置用パターンに装着するとともに前記封止樹脂に所定の蛍光体を混入することによって得られることを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
  12. 請求項7−11のいずれか1つに記載の樹脂封止発光体の製造方法において、
    前記キャビティを前記流動性樹脂によって充填された状態にする工程の前に、前記キャビティにおける型面に沿ってフィルムを張設する工程を備えることを特徴とする樹脂封止発光体の製造方法。
JP2007287546A 2007-11-05 2007-11-05 樹脂封止発光体及びその製造方法 Pending JP2009117536A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287546A JP2009117536A (ja) 2007-11-05 2007-11-05 樹脂封止発光体及びその製造方法
TW097141580A TWI441350B (zh) 2007-11-05 2008-10-29 樹脂填封發光體及其製造方法
MYPI20084347A MY159521A (en) 2007-11-05 2008-10-31 Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
US12/262,557 US20090114937A1 (en) 2007-11-05 2008-10-31 Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
KR1020080108335A KR101162404B1 (ko) 2007-11-05 2008-11-03 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287546A JP2009117536A (ja) 2007-11-05 2007-11-05 樹脂封止発光体及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009117536A true JP2009117536A (ja) 2009-05-28

Family

ID=40587210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007287546A Pending JP2009117536A (ja) 2007-11-05 2007-11-05 樹脂封止発光体及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090114937A1 (ja)
JP (1) JP2009117536A (ja)
KR (1) KR101162404B1 (ja)
MY (1) MY159521A (ja)
TW (1) TWI441350B (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077164A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2011113031A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp 画像表示素子及びその製造方法
JP2012060133A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Samsung Led Co Ltd 発光デバイス、照明装置およびバックライト
JP2013506976A (ja) * 2009-09-30 2013-02-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品
JP2014503122A (ja) * 2011-01-17 2014-02-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 低コストなカプセル化された発光装置
JP2014517528A (ja) * 2011-06-01 2014-07-17 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードアセンブリ
JP2014192371A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、及びその製造方法
US8866376B2 (en) 2011-03-14 2014-10-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and manufacturing method thereof
JP2015012081A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9166133B2 (en) 2012-03-15 2015-10-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate for LED, LED module, and LED bulb
JP2016001724A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016025182A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 大日本印刷株式会社 貫通電極基板、配線基板および半導体装置
US10115875B2 (en) 2016-04-26 2018-10-30 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
WO2011002208A2 (ko) 2009-07-03 2011-01-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101014063B1 (ko) * 2009-08-26 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
TWI404242B (zh) * 2009-11-26 2013-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
KR101619832B1 (ko) * 2009-11-30 2016-05-13 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법, 및 이를 구비한 헤드 램프 모듈과 그 제어 방법
TWI407598B (zh) * 2010-05-26 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝製程
CN102263187A (zh) * 2010-05-31 2011-11-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102376845A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
IT1402806B1 (it) * 2010-11-29 2013-09-18 St Microelectronics Srl Dispositivo fotomoltiplicatore incapsulato di materiale semiconduttore, in particolare per l'utilizzo in macchine per l'esecuzione della tomografia ad emissione di positroni.
TWI400824B (zh) * 2010-12-08 2013-07-01 Au Optronics Corp 光源模組及背光模組
CN102569595A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102563557B (zh) * 2010-12-30 2016-08-17 欧司朗股份有限公司 用于灯条的封装方法
TWI416772B (zh) * 2010-12-30 2013-11-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
CN103101875A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 精材科技股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN103187487A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装制程及其封装结构
KR101453748B1 (ko) * 2011-12-30 2014-10-23 루미마이크로 주식회사 발광다이오드 패키지
KR20130081515A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 삼성전자주식회사 Led 패키지용 기판 및 led 패키지 제조방법
CN103378226A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
CN103531702A (zh) * 2012-07-03 2014-01-22 深圳市蓝科电子有限公司 一种倒装晶片的led结构
CN103730567A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 清华大学 一种led器件及其制备方法
TWI512292B (zh) * 2014-09-04 2015-12-11 Taiwan Green Point Entpr Co 薄膜式生物晶片之製作方法
DE102015105470A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
DE102015115824A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102016106833A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP6806218B2 (ja) * 2018-10-31 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、発光装置及び発光モジュールの製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357886A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Sharp Corp 電子部品
JPH10215002A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002043345A (ja) * 1998-07-10 2002-02-08 Apic Yamada Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
JP2004079750A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006019666A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Phenitec Semiconductor Corp 発光器及び発光装置
JP2006106479A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Towa Corp 透光性部材、光デバイス、及び光デバイスの組立方法
WO2007080742A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Towa Corporation 光素子の樹脂封止成形方法
JP2007237740A (ja) * 2007-04-02 2007-09-20 Towa Corp 光電子部品および光電子部品の製造方法
JP2007288050A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
US6552487B1 (en) * 1999-10-27 2003-04-22 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Phosphor for light sources, and associated light source
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Towa株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP2007227737A (ja) 2006-02-24 2007-09-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357886A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Sharp Corp 電子部品
JPH10215002A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2002043345A (ja) * 1998-07-10 2002-02-08 Apic Yamada Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004079750A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006019666A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Phenitec Semiconductor Corp 発光器及び発光装置
JP2006106479A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Towa Corp 透光性部材、光デバイス、及び光デバイスの組立方法
WO2007080742A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Towa Corporation 光素子の樹脂封止成形方法
JP2007288050A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007237740A (ja) * 2007-04-02 2007-09-20 Towa Corp 光電子部品および光電子部品の製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077164A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2013506976A (ja) * 2009-09-30 2013-02-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品
JP2011113031A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp 画像表示素子及びその製造方法
JP2012060133A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Samsung Led Co Ltd 発光デバイス、照明装置およびバックライト
JP2014503122A (ja) * 2011-01-17 2014-02-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 低コストなカプセル化された発光装置
US8866376B2 (en) 2011-03-14 2014-10-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR101752447B1 (ko) * 2011-06-01 2017-07-05 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 어셈블리
JP2014517528A (ja) * 2011-06-01 2014-07-17 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードアセンブリ
US9166133B2 (en) 2012-03-15 2015-10-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate for LED, LED module, and LED bulb
JP2014192371A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、及びその製造方法
JP2015012081A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2016001724A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10193045B2 (en) 2014-05-21 2019-01-29 Nichia Corporation Light emitting device having heat disipation terminal arranged on substrate
US10333043B2 (en) 2014-05-21 2019-06-25 Nichia Corporation Light emitting device having element connection sections with convex shapes
US10559735B2 (en) 2014-05-21 2020-02-11 Nichia Corporation Light emitting device having a pair of vias passing through a center of the concave component
US10734563B2 (en) 2014-05-21 2020-08-04 Nichia Corporation Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate
US10892393B2 (en) 2014-05-21 2021-01-12 Nichia Corporation Light emitting device having external connection with different width
JP2016025182A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 大日本印刷株式会社 貫通電極基板、配線基板および半導体装置
US10115875B2 (en) 2016-04-26 2018-10-30 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
US10497826B2 (en) 2016-04-26 2019-12-03 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI441350B (zh) 2014-06-11
US20090114937A1 (en) 2009-05-07
MY159521A (en) 2017-01-13
TW200931688A (en) 2009-07-16
KR20090046701A (ko) 2009-05-11
KR101162404B1 (ko) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009117536A (ja) 樹脂封止発光体及びその製造方法
US6730533B2 (en) Plastic packaging of LED arrays
JP4279388B2 (ja) 光半導体装置及びその形成方法
JP5520243B2 (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
JP4045781B2 (ja) 発光装置
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
EP2479810B1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP4910220B1 (ja) Ledモジュール装置及びその製造方法
CN101542753A (zh) 发光封装件及其制造方法
JP2002064226A (ja) 光 源
US20130161670A1 (en) Light emitting diode packages and methods of making
KR101476771B1 (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
TWI508334B (zh) 發光半導體元件及其製作方法
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP2012134295A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008042149A (ja) 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法
TWI472067B (zh) 光學封裝及其製造方法
JP2007335734A (ja) 半導体装置
JP5286122B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2022180523A (ja) 半導体装置
JP2006049715A (ja) 発光光源、照明装置及び表示装置
KR101465708B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JP5672714B2 (ja) Led発光素子用リードフレームの製造方法
KR101461153B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20140127099A (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100928

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120626

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121115

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121203

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20130301