JPH04357886A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH04357886A JPH04357886A JP3133083A JP13308391A JPH04357886A JP H04357886 A JPH04357886 A JP H04357886A JP 3133083 A JP3133083 A JP 3133083A JP 13308391 A JP13308391 A JP 13308391A JP H04357886 A JPH04357886 A JP H04357886A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体チップが搭載さ
れるリードフレームの改良に関する。
れるリードフレームの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来のＬＥＤランプの構成を示し
た図である。従来のＬＥＤランプは、カソード電極５１
ｂ上に銀ペースト５２等を介して半導体チップ５３がマ
ウントされ、この半導体チップ５３の他極がリード線５
４によってアノード電極５１ａに接続されていた。そし
て半導体チップ５３および半導体チップ周辺の電極部が
透明樹脂５５によってモールドされていた。
た図である。従来のＬＥＤランプは、カソード電極５１
ｂ上に銀ペースト５２等を介して半導体チップ５３がマ
ウントされ、この半導体チップ５３の他極がリード線５
４によってアノード電極５１ａに接続されていた。そし
て半導体チップ５３および半導体チップ周辺の電極部が
透明樹脂５５によってモールドされていた。
【０００３】また他のＬＥＤランプの構成例としては特
開平１−２８３８８３号公報に示されたようなものがあ
る。これは、凹面を有する反射ケースの凹面部に立体パ
ターンの鍍金電極部を設け、この電極部に半導体チップ
を搭載したものである。
開平１−２８３８８３号公報に示されたようなものがあ
る。これは、凹面を有する反射ケースの凹面部に立体パ
ターンの鍍金電極部を設け、この電極部に半導体チップ
を搭載したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のＬ
ＥＤランプには次のような問題があった。
ＥＤランプには次のような問題があった。
【０００５】■ 図６に示したＬＥＤランプにおいて
は、半導体チップ５３をアッセイしたのち樹脂モールド
し、電極５１ａ，５１ｂをこの透明樹脂５５によって固
定させている。この構成の場合、電極５１ａ，５１ｂは
透明樹脂５５によってのみ固定され、アッセイされた半
導体チップ５３の半田付け強度および機械的強度は透明
電極５５と電極５１ａ，５１ｂの固定強度のみに頼って
いるため、強度的に劣る問題があった。特にモールドに
使用される透明な樹脂は強度的に劣るものであり、強度
的な問題が大きかった。
は、半導体チップ５３をアッセイしたのち樹脂モールド
し、電極５１ａ，５１ｂをこの透明樹脂５５によって固
定させている。この構成の場合、電極５１ａ，５１ｂは
透明樹脂５５によってのみ固定され、アッセイされた半
導体チップ５３の半田付け強度および機械的強度は透明
電極５５と電極５１ａ，５１ｂの固定強度のみに頼って
いるため、強度的に劣る問題があった。特にモールドに
使用される透明な樹脂は強度的に劣るものであり、強度
的な問題が大きかった。
【０００６】■ 特開平１−２８３８８３号公報の技
術においては、 （ａ）アノード電極，カソード電極の
形成のために立体基板への特別なパターニングが必要に
なる、 （ｂ）半導体チップがマトリクス状にアッセイ
されるため、アッセイ完了後格子状にダイシングを行わ
なければならず、フレームを予めフィルム等に固定して
からダイシング装置でＸ−Ｙ方向の２方向に切断，分離
しなければならず切断作業に手間がかかる、 （ｃ）ア
ノード電極，カソード電極の各電極はダイシングの際に
できるスルホールの切断面であってチップ部品の１辺の
１部分のしかも内側に入り込んだ形状となり、電極の半
田付け強度を向上させるための障害となってしまう。
術においては、 （ａ）アノード電極，カソード電極の
形成のために立体基板への特別なパターニングが必要に
なる、 （ｂ）半導体チップがマトリクス状にアッセイ
されるため、アッセイ完了後格子状にダイシングを行わ
なければならず、フレームを予めフィルム等に固定して
からダイシング装置でＸ−Ｙ方向の２方向に切断，分離
しなければならず切断作業に手間がかかる、 （ｃ）ア
ノード電極，カソード電極の各電極はダイシングの際に
できるスルホールの切断面であってチップ部品の１辺の
１部分のしかも内側に入り込んだ形状となり、電極の半
田付け強度を向上させるための障害となってしまう。
【０００７】この発明の目的は、電極が確実かつ容易に
パターニングされるとともに、完成した電子部品が十分
な強度を有することのできる電子部品用リードフレーム
を提供することにある。
パターニングされるとともに、完成した電子部品が十分
な強度を有することのできる電子部品用リードフレーム
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、鍍金可能な
樹脂材と鍍金不可能な樹脂材とを連続２色押し出し成形
によってアレイ状に成形し、表面の電極対向部に前記鍍
金可能な樹脂材を、非電極対向部に前記鍍金不可能な樹
脂材をそれぞれ配置するとともに、この樹脂成形品表面
を鍍金処理したことを特徴とする。
樹脂材と鍍金不可能な樹脂材とを連続２色押し出し成形
によってアレイ状に成形し、表面の電極対向部に前記鍍
金可能な樹脂材を、非電極対向部に前記鍍金不可能な樹
脂材をそれぞれ配置するとともに、この樹脂成形品表面
を鍍金処理したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】この発明の電子部品用リードフレームの基体で
ある樹脂成形品は連続２色押し出し成形によってアレイ
状に成形されている。この樹脂成形品は表面の電極対向
部に鍍金可能な樹脂材が配置され、表面の非電極対向部
に鍍金不可能な樹脂材が配置されているため、鍍金処理
を行ったときには鍍金可能な樹脂材が配置されたところ
にのみ鍍金処理が施される。すなわち、電極が配置され
るべき部分にのみ鍍金処理がなされる。このように鍍金
処理によって形成された電極上に半導体チップがボンデ
ィングされる。この樹脂成形品はアレイ状に形成された
ものであり、半導体チップのボンディング，樹脂モール
ド等が行われた後ダイシングソー等を用いて一つ一つの
電子部品に切断される。
ある樹脂成形品は連続２色押し出し成形によってアレイ
状に成形されている。この樹脂成形品は表面の電極対向
部に鍍金可能な樹脂材が配置され、表面の非電極対向部
に鍍金不可能な樹脂材が配置されているため、鍍金処理
を行ったときには鍍金可能な樹脂材が配置されたところ
にのみ鍍金処理が施される。すなわち、電極が配置され
るべき部分にのみ鍍金処理がなされる。このように鍍金
処理によって形成された電極上に半導体チップがボンデ
ィングされる。この樹脂成形品はアレイ状に形成された
ものであり、半導体チップのボンディング，樹脂モール
ド等が行われた後ダイシングソー等を用いて一つ一つの
電子部品に切断される。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の実施例であるリードフレー
ムを示した斜視図、図２は同リードフレームから作成さ
れるＬＥＤランプの外観図、図３は同ＬＥＤランプの作
成工程を示す図、図４は同ＬＥＤランプを基板実装した
状態を示した図、図５はリードフレームの成形装置を示
した図である。
ムを示した斜視図、図２は同リードフレームから作成さ
れるＬＥＤランプの外観図、図３は同ＬＥＤランプの作
成工程を示す図、図４は同ＬＥＤランプを基板実装した
状態を示した図、図５はリードフレームの成形装置を示
した図である。
【００１１】まずこの実施例に用いられる樹脂成形品１
は２色連続押し出し成形機によって成形される。２色連
続成形機は図５に示したように金型１０の内側枠と外側
枠とにそれぞれ別の樹脂材を注入するように構成された
ものであって、この場合、外側枠には鍍金可能な樹脂Ａ
が注入され、内側枠には鍍金不可能な樹脂Ｂが注入され
る。なお鍍金可能な樹脂Ａとしては例えばＡＢＳ（アク
リロニトリル−ブタジエン共重合体）、ＰＰ（ポリプロ
ピレン）等が用いられ、鍍金不可能な樹脂Ｂとしては例
えば液晶ポリマー、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）等が
用いられる。２種類の樹脂Ａ，Ｂの押し出し成形により
、図３（Ａ）に示したように内側に鍍金不可能な樹脂３
（樹脂Ｂ）が成形され、その周囲のアノード電極および
カソード電極が形成されるべき部分にそれぞれ鍍金可能
な樹脂２（樹脂Ａ）が成形されている。
は２色連続押し出し成形機によって成形される。２色連
続成形機は図５に示したように金型１０の内側枠と外側
枠とにそれぞれ別の樹脂材を注入するように構成された
ものであって、この場合、外側枠には鍍金可能な樹脂Ａ
が注入され、内側枠には鍍金不可能な樹脂Ｂが注入され
る。なお鍍金可能な樹脂Ａとしては例えばＡＢＳ（アク
リロニトリル−ブタジエン共重合体）、ＰＰ（ポリプロ
ピレン）等が用いられ、鍍金不可能な樹脂Ｂとしては例
えば液晶ポリマー、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）等が
用いられる。２種類の樹脂Ａ，Ｂの押し出し成形により
、図３（Ａ）に示したように内側に鍍金不可能な樹脂３
（樹脂Ｂ）が成形され、その周囲のアノード電極および
カソード電極が形成されるべき部分にそれぞれ鍍金可能
な樹脂２（樹脂Ａ）が成形されている。
【００１２】連続押し出し成形によって成形された樹脂
成形品１にはＡｇ，Ａｕ等によって鍍金処理が施される
。このとき、Ａｇ，Ａｕ等の金属は鍍金可能な樹脂２の
表面にのみ鍍金され、鍍金不可能な樹脂３が表面に露出
している部分には付着しない。上述したように鍍金可能
な樹脂２はアノード電極が形成されるべき部分およびカ
ソード電極が形成されるべき部分に設けられている。し
たがって、樹脂成形品１の表面に鍍金を行った場合、鍍
金金属によってアノード電極４ａおよびカソード電極４
ｂが形成される（図３（Ｂ）参照）。このようにして形
成された電極４ａ，４ｂ上には図１および図３（Ｃ）に
示したように、発光ダイオード素子である半導体チップ
５がボンディングされる。図１に示したように樹脂成形
品１はアレイ状に構成されており、一つ一つの電子部品
（ＬＥＤランプ）ごとに半導体チップ５がボンディング
（アッセイ）され、後のダイシング工程において図中一
点鎖線で示した位置で各ＬＥＤランプごとに切断される
。
成形品１にはＡｇ，Ａｕ等によって鍍金処理が施される
。このとき、Ａｇ，Ａｕ等の金属は鍍金可能な樹脂２の
表面にのみ鍍金され、鍍金不可能な樹脂３が表面に露出
している部分には付着しない。上述したように鍍金可能
な樹脂２はアノード電極が形成されるべき部分およびカ
ソード電極が形成されるべき部分に設けられている。し
たがって、樹脂成形品１の表面に鍍金を行った場合、鍍
金金属によってアノード電極４ａおよびカソード電極４
ｂが形成される（図３（Ｂ）参照）。このようにして形
成された電極４ａ，４ｂ上には図１および図３（Ｃ）に
示したように、発光ダイオード素子である半導体チップ
５がボンディングされる。図１に示したように樹脂成形
品１はアレイ状に構成されており、一つ一つの電子部品
（ＬＥＤランプ）ごとに半導体チップ５がボンディング
（アッセイ）され、後のダイシング工程において図中一
点鎖線で示した位置で各ＬＥＤランプごとに切断される
。
【００１３】半導体チップ５がアッセイされた樹脂成形
品１は透明樹脂６によってモールドされる。この樹脂モ
ールドによって半導体チップ５が保護される。樹脂モー
ルド後の樹脂成形品１は図１に示したように一点鎖線の
位置でダイシングされ、図２に示したような製品（ＬＥ
Ｄランプ）に構成される。このＬＥＤランプは図４に示
したように半田リフロー等の方法で基板７に実装するこ
とが可能である。なお図中８は半田である。
品１は透明樹脂６によってモールドされる。この樹脂モ
ールドによって半導体チップ５が保護される。樹脂モー
ルド後の樹脂成形品１は図１に示したように一点鎖線の
位置でダイシングされ、図２に示したような製品（ＬＥ
Ｄランプ）に構成される。このＬＥＤランプは図４に示
したように半田リフロー等の方法で基板７に実装するこ
とが可能である。なお図中８は半田である。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、以下のような効果を
奏する。
奏する。
【００１５】■ 連続２色押し出し成形により予め樹
脂形成品の表面を電極が形成されるべき部分と電極が形
成されない部分とに分けられ、電極が形成されるべき部
分にのみ鍍金によって電極が形成される。このように連
続２色押し出し成形をするだけで電極のパターニングを
行うことができ、複雑なパターニング工程やスタンピン
グ工程を必要とせず、安価なフレームを構成することが
できる。
脂形成品の表面を電極が形成されるべき部分と電極が形
成されない部分とに分けられ、電極が形成されるべき部
分にのみ鍍金によって電極が形成される。このように連
続２色押し出し成形をするだけで電極のパターニングを
行うことができ、複雑なパターニング工程やスタンピン
グ工程を必要とせず、安価なフレームを構成することが
できる。
【００１６】■ アノード電極，カソード電極は樹脂
成形品上に鍍金処理によって構成されたものであって、
板上のフレームを樹脂で固定させた従来の構成に比して
機械的に強固な固定がなされ、電気的にも安定した状態
となる。このため、半田付け構成における熱ストレスや
外部応力に対して十分な強度を得ることができる。
成形品上に鍍金処理によって構成されたものであって、
板上のフレームを樹脂で固定させた従来の構成に比して
機械的に強固な固定がなされ、電気的にも安定した状態
となる。このため、半田付け構成における熱ストレスや
外部応力に対して十分な強度を得ることができる。
【００１７】■ 樹脂成形品は電子部品がアレイ状に
なるように構成されているため、アノード電極，カソー
ド電極としては横方向に貫通させて構成すればよく、電
子部品がマトリクス状になるように構成した場合に比し
て電極を縦方向で区切る必要がなく、電極面積を広くす
ることができる。このため、半導体チップをアッセイし
た場合の接着性が良くなる利点がある。
なるように構成されているため、アノード電極，カソー
ド電極としては横方向に貫通させて構成すればよく、電
子部品がマトリクス状になるように構成した場合に比し
て電極を縦方向で区切る必要がなく、電極面積を広くす
ることができる。このため、半導体チップをアッセイし
た場合の接着性が良くなる利点がある。
【図１】この発明の実施例であるリードフレームの樹脂
形成品に半導体チップをアッセイした状態を示した図
形成品に半導体チップをアッセイした状態を示した図
【
図２】同リードフレームを用いて構成されるＬＥＤラン
プを示した図
図２】同リードフレームを用いて構成されるＬＥＤラン
プを示した図
【図３】同ＬＥＤランプの作成工程を示した図
【図４】
同ＬＥＤランプを基板実装した状態を示した図
同ＬＥＤランプを基板実装した状態を示した図
【図５】
連続２色押し出し機を示した図
連続２色押し出し機を示した図
【図６】従来のＬＥＤラ
ンプの構成を示した図
ンプの構成を示した図
１ 樹脂成形品
２ 鍍金可能な樹脂材
１ 鍍金不可能な樹脂材
４ａ アノード電極
４ｂ カソード電極
５ 半導体チップ
６ 透明樹脂
７ 実装基板
８ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】鍍金可能な樹脂材と鍍金不可能な樹脂材と
を連続２色押し出し成形によってアレイ状に成形し、表
面の電極対向部に前記鍍金可能な樹脂材を、非電極対向
部に前記鍍金不可能な樹脂材をそれぞれ配置するととも
に、この樹脂成形品表面を鍍金処理してなる電子部品用
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133083A JP2714272B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133083A JP2714272B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357886A true JPH04357886A (ja) | 1992-12-10 |
| JP2714272B2 JP2714272B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15096456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3133083A Expired - Lifetime JP2714272B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2714272B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307820A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
| JP2005303071A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ、発光装置並びにこれらの製造方法 |
| JP2006514434A (ja) * | 2003-02-28 | 2006-04-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法 |
| JP2007214474A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
| JP2009076949A (ja) * | 2009-01-15 | 2009-04-09 | Nichia Corp | Ｌｅｄ表示装置およびその使用方法 |
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