JPH11307820A - 表面実装ｌｅｄとその製造方法 - Google Patents
表面実装ｌｅｄとその製造方法Info
- Publication number
- JPH11307820A JPH11307820A JP10122733A JP12273398A JPH11307820A JP H11307820 A JPH11307820 A JP H11307820A JP 10122733 A JP10122733 A JP 10122733A JP 12273398 A JP12273398 A JP 12273398A JP H11307820 A JPH11307820 A JP H11307820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- insulating portion
- light emitting
- conductive block
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の表面実装型ＬＥＤでは、プレス加工に
よる貫通スロットを作成する工程や、無電解メッキなど
による導電性皮膜を形成する工程が入り、生産コストが
高くなっていた。また、放熱性に問題があった。 【解決手段】 その製造方法は、平板状の導電ブロック
部１を平行に複数枚並べる工程と該平板状導電ブロック
部１によって絶縁部２が挟持されると同時に、略円形若
しくは略楕円形の凹部が、該凹部底面に前記導電ブロッ
ク部に挟持された該絶縁部が露出した状態で形成する工
程と、ＬＥＤチップ４を実装する工程と、前記凹部に透
明樹脂をモ−ルドする工程と各々一つずつの表面実装型
発光ダイオ−ドに裁断する工程とからなり、該導電性ブ
ロック部１に発光ダイオ−ドチップ４が電気的に接続さ
れて、前記凹部は透明樹脂にてモ−ルドされレンズ部６
となっている。
よる貫通スロットを作成する工程や、無電解メッキなど
による導電性皮膜を形成する工程が入り、生産コストが
高くなっていた。また、放熱性に問題があった。 【解決手段】 その製造方法は、平板状の導電ブロック
部１を平行に複数枚並べる工程と該平板状導電ブロック
部１によって絶縁部２が挟持されると同時に、略円形若
しくは略楕円形の凹部が、該凹部底面に前記導電ブロッ
ク部に挟持された該絶縁部が露出した状態で形成する工
程と、ＬＥＤチップ４を実装する工程と、前記凹部に透
明樹脂をモ−ルドする工程と各々一つずつの表面実装型
発光ダイオ−ドに裁断する工程とからなり、該導電性ブ
ロック部１に発光ダイオ−ドチップ４が電気的に接続さ
れて、前記凹部は透明樹脂にてモ−ルドされレンズ部６
となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型発光ダ
イオ−ドの構造及びその製造方法に関するものであり、
特に表面実装型発光ダイオ−ド（以下表面実装型ＬＥ
Ｄ）のうち、特に高出力で大電流を必要とする場合に熱
的問題が大きくなる用途に用いる時に最適である。詳細
には、赤外ＬＥＤや、車両用灯具として多数ＬＥＤを使
用した場合に好適である。
イオ−ドの構造及びその製造方法に関するものであり、
特に表面実装型発光ダイオ−ド（以下表面実装型ＬＥ
Ｄ）のうち、特に高出力で大電流を必要とする場合に熱
的問題が大きくなる用途に用いる時に最適である。詳細
には、赤外ＬＥＤや、車両用灯具として多数ＬＥＤを使
用した場合に好適である。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の表面実装型ＬＥＤの製造
方法を工程の順に示すものが図１４〜図２１であり、先
ず最初の工程としては、図１４に示すようにガラスファ
イバ−、不織布などにエポキシなどを含浸させた基材８
１の上下の面を圧延銅８２などの導電性物質にて挟みプ
リント基板を形成する。この時、導電性物質は、アンカ
−効果にて接着している。図１５は、このようにして出
来たプリント基板９０を示す。次に図１６に示すように
プリント基板９０を適宜間隔で表裏面に貫通するスロッ
ト９１をプレス加工などにより形成する。
方法を工程の順に示すものが図１４〜図２１であり、先
ず最初の工程としては、図１４に示すようにガラスファ
イバ−、不織布などにエポキシなどを含浸させた基材８
１の上下の面を圧延銅８２などの導電性物質にて挟みプ
リント基板を形成する。この時、導電性物質は、アンカ
−効果にて接着している。図１５は、このようにして出
来たプリント基板９０を示す。次に図１６に示すように
プリント基板９０を適宜間隔で表裏面に貫通するスロッ
ト９１をプレス加工などにより形成する。
【０００３】この状態では、プリント基板９０の側面お
よび上記で形成されたスロット９１の内面には、導電性
皮膜が形成されていないので、図１７に示すように、無
電解メッキなどの手段で前記側面及びスロット９１の内
面に銅などによる導電性皮膜９２を形成し、前記プリン
ト基板９０の外面の全てが導電性皮膜９２で覆われるも
のとして表裏面を電気的に接続する。
よび上記で形成されたスロット９１の内面には、導電性
皮膜が形成されていないので、図１７に示すように、無
電解メッキなどの手段で前記側面及びスロット９１の内
面に銅などによる導電性皮膜９２を形成し、前記プリン
ト基板９０の外面の全てが導電性皮膜９２で覆われるも
のとして表裏面を電気的に接続する。
【０００４】次いで、図１８に示すように前記プリント
基板９０の表面側のスロット９１には、エッチングなど
の手段で前記圧延銅８２を除去することで、パット部９
３と配線部９４とを形成し、同時に裏面側においてもス
ロット９１間で略長方形に圧延銅８２を除去することで
絶縁部９５を形成し、これにより、プリント基板９０が
完成する。
基板９０の表面側のスロット９１には、エッチングなど
の手段で前記圧延銅８２を除去することで、パット部９
３と配線部９４とを形成し、同時に裏面側においてもス
ロット９１間で略長方形に圧延銅８２を除去することで
絶縁部９５を形成し、これにより、プリント基板９０が
完成する。
【０００５】続いて、図１９に示すように前記パット部
９３にＬＥＤチップ９６を一方の極に例えば導電性接着
剤などによりマウントし、このＬＥＤチップ９６の他方
の極と前記配線部９４との配線を金線などのワイヤ９７
で行ない、更に、図１９に示すように前記ＬＥＤチップ
９６とワイヤ９７とを透明樹脂若しくは半透明樹脂でモ
−ルドしレンズ部９８を形成する。
９３にＬＥＤチップ９６を一方の極に例えば導電性接着
剤などによりマウントし、このＬＥＤチップ９６の他方
の極と前記配線部９４との配線を金線などのワイヤ９７
で行ない、更に、図１９に示すように前記ＬＥＤチップ
９６とワイヤ９７とを透明樹脂若しくは半透明樹脂でモ
−ルドしレンズ部９８を形成する。
【０００６】そして、図２０に示すように前記プリント
基板９０を夫々のＬＥＤチップ９６の中間の位置となる
切断面Ａで切断を行なえば、前記プリント基板９０は、
スロット９１の部分で個々の素子基板８１に分割され、
図２１に示すような面実装型ＬＥＤ素子９９が複数得ら
れる。
基板９０を夫々のＬＥＤチップ９６の中間の位置となる
切断面Ａで切断を行なえば、前記プリント基板９０は、
スロット９１の部分で個々の素子基板８１に分割され、
図２１に示すような面実装型ＬＥＤ素子９９が複数得ら
れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明の製造方法にもあるように上下の導通をとるために、
図１７でも示すような無電解メッキなどの手法で全面を
銅などの導電性皮膜で覆う工程が必要である。従って、
コストが高くなるばかりでなく、生産性も著しく低下し
てしまう。また、プリント基板部分の加工の制度から発
生する誤差と、メッキ工程によるメッキ厚みの誤差によ
り、仕上がり寸法の精度が低下してしまう問題も抱えて
いる。
明の製造方法にもあるように上下の導通をとるために、
図１７でも示すような無電解メッキなどの手法で全面を
銅などの導電性皮膜で覆う工程が必要である。従って、
コストが高くなるばかりでなく、生産性も著しく低下し
てしまう。また、プリント基板部分の加工の制度から発
生する誤差と、メッキ工程によるメッキ厚みの誤差によ
り、仕上がり寸法の精度が低下してしまう問題も抱えて
いる。
【０００８】更に、赤外ＬＥＤや車両用灯具等として多
数表面実装型ＬＥＤを使用する場合、その他通信機器に
搭載するのにも、熱による劣化の問題があり放熱対策が
求められる。本発明は、これらの点に鑑みて作り出され
たものであり、これらの問題を解決させるためにコスト
パフォ−マンス及び放熱性に優れた表面実装型ＬＥＤを
提供することにより課題を解決するものである。
数表面実装型ＬＥＤを使用する場合、その他通信機器に
搭載するのにも、熱による劣化の問題があり放熱対策が
求められる。本発明は、これらの点に鑑みて作り出され
たものであり、これらの問題を解決させるためにコスト
パフォ−マンス及び放熱性に優れた表面実装型ＬＥＤを
提供することにより課題を解決するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した問題
点を解決するための具体的手段として、その構造は、１
対となった導電ブロック部に挟まれた第一の絶縁部と、
該導電ブロック部にまたがって導電的に固定された発光
ダイオ−ドチップと、該発光ダイオ−ドチップを所定の
間隔をもって取り囲むように該導電ブロック部及び第一
の絶縁部上に設けられた第二の絶縁部と、表面を覆う透
明樹脂又は半透明樹脂より形成される表面実装型発光ダ
イオ−ドである。
点を解決するための具体的手段として、その構造は、１
対となった導電ブロック部に挟まれた第一の絶縁部と、
該導電ブロック部にまたがって導電的に固定された発光
ダイオ−ドチップと、該発光ダイオ−ドチップを所定の
間隔をもって取り囲むように該導電ブロック部及び第一
の絶縁部上に設けられた第二の絶縁部と、表面を覆う透
明樹脂又は半透明樹脂より形成される表面実装型発光ダ
イオ−ドである。
【００１０】また、前記絶縁部は、反射ホ−ンとして作
用し、前記導電ブロック部は、高温はんだであることも
特徴である。更に、第一の絶縁部と第二の絶縁部が、同
一材料であることも特徴としている。製造方法は、従来
の製造方法と比較して工程数が少なくコスト的メリット
がうかがえるものとなっている。
用し、前記導電ブロック部は、高温はんだであることも
特徴である。更に、第一の絶縁部と第二の絶縁部が、同
一材料であることも特徴としている。製造方法は、従来
の製造方法と比較して工程数が少なくコスト的メリット
がうかがえるものとなっている。
【００１１】詳細には、平板状導電ブロック部を平行に
複数枚並べる工程と該平板状導電ブロック部によって絶
縁部が挟持されると同時に、略円形若しくは略楕円形の
凹部が、該凹部底面に前記導電ブロック部に挟持された
該絶縁部が露出した状態で形成する工程と、ＬＥＤチッ
プを実装する工程と、前記凹部に透明樹脂をモ−ルドす
る工程と各々一つずつの表面実装型発光ダイオ−ドに裁
断する工程とからなる表面実装型ＬＥＤの製造方法によ
って、導電ブロック部に挟まれ且つ該導電ブロック部の
上に略円形若しくは楕円形の絶縁部からなる凹部を形成
し、該凹部底面には、導電ブロック部が絶縁部を挟持し
た状態で露出し、該導電ブロック部に発光ダイオ−ドチ
ップが電気的に接続されて、前記凹部に透明樹脂にてモ
−ルドされている表面実装型発光ダイオ−ドを提供する
ことを目的としたものである。
複数枚並べる工程と該平板状導電ブロック部によって絶
縁部が挟持されると同時に、略円形若しくは略楕円形の
凹部が、該凹部底面に前記導電ブロック部に挟持された
該絶縁部が露出した状態で形成する工程と、ＬＥＤチッ
プを実装する工程と、前記凹部に透明樹脂をモ−ルドす
る工程と各々一つずつの表面実装型発光ダイオ−ドに裁
断する工程とからなる表面実装型ＬＥＤの製造方法によ
って、導電ブロック部に挟まれ且つ該導電ブロック部の
上に略円形若しくは楕円形の絶縁部からなる凹部を形成
し、該凹部底面には、導電ブロック部が絶縁部を挟持し
た状態で露出し、該導電ブロック部に発光ダイオ−ドチ
ップが電気的に接続されて、前記凹部に透明樹脂にてモ
−ルドされている表面実装型発光ダイオ−ドを提供する
ことを目的としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について説明す
る。図１〜図７には、第一の実施の形態を示す。
る。図１〜図７には、第一の実施の形態を示す。
【００１３】最初に図１には、平板状の導電性ブロック
部１を平行に複数枚ならべる工程を示す。この平板状ブ
ロック部１は、使用条件から体積抵抗率が０．０７Ω・
ｍ未満、熱伝導率が６０Ｗ／( ｍ・Ｋ) 以上が望まし
い。この数値をクリアする材質に限る。しかしながら、
たいていの金属であればこの数値を満足している。又、
高温はんだでも可能である。
部１を平行に複数枚ならべる工程を示す。この平板状ブ
ロック部１は、使用条件から体積抵抗率が０．０７Ω・
ｍ未満、熱伝導率が６０Ｗ／( ｍ・Ｋ) 以上が望まし
い。この数値をクリアする材質に限る。しかしながら、
たいていの金属であればこの数値を満足している。又、
高温はんだでも可能である。
【００１４】続いて図２に示すように、図１で並べた平
板状の導電性ブロック部１に絶縁部２を一体に成形す
る。この時絶縁部２が平板状導電ブロック部１挟持され
ると同時に、この平板状の導電性ブロック部１、１の上
にまたがるように略楕円形の凹部３が成形される。導電
性ブロック部に挟持される絶縁部２を第一の絶縁部、凹
部を形成する絶縁部２を第二の絶縁部として、異なる材
料で、別々の工程で作成しても良いが、本実施形態では
同一材料で同時に形成されるものとする。この凹部３の
底面に前記平板状導電ブロック部１に絶縁部２が挟持さ
れた状態で露出するような状態に一体成形される工程を
図２に示してある。絶縁部２は、使用条件から光（可視
光、赤外光）の反射率の高いもの、耐熱性に優れるも
の、形成が容易なものが望ましい。
板状の導電性ブロック部１に絶縁部２を一体に成形す
る。この時絶縁部２が平板状導電ブロック部１挟持され
ると同時に、この平板状の導電性ブロック部１、１の上
にまたがるように略楕円形の凹部３が成形される。導電
性ブロック部に挟持される絶縁部２を第一の絶縁部、凹
部を形成する絶縁部２を第二の絶縁部として、異なる材
料で、別々の工程で作成しても良いが、本実施形態では
同一材料で同時に形成されるものとする。この凹部３の
底面に前記平板状導電ブロック部１に絶縁部２が挟持さ
れた状態で露出するような状態に一体成形される工程を
図２に示してある。絶縁部２は、使用条件から光（可視
光、赤外光）の反射率の高いもの、耐熱性に優れるも
の、形成が容易なものが望ましい。
【００１５】このことから、プラスチック（特にベクト
ラ、ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬
化性樹脂が望ましい。図３は、図２のＢ−Ｂ断面を示し
た図である。図３に示される凹部３は、絶縁部２によっ
て、形成された反射ホ−ンである。図４に図３に示す断
面図にＬＥＤチップ４を導電性接着剤やはんだ等で電気
的に接続する工程を示す。ここでは、はんだ５にて接合
している。続いて図５は、図４の凹部３を透明樹脂若し
くは、半透明樹脂でモ−ルドし、レンズ部６を形成する
工程である。モ−ルドする樹脂として、透明エポキシ樹
脂が最適である。ただし、用途によって拡散剤を添加し
たものを使用する場合もある。図５では、凹部３を越え
る高さでモ−ルドされているが、下回る高さでも特に問
題ない。図６は、図５でできた透明樹脂等をモ−ルドし
レンズ部６を形成した複数のＬＥＤチップが実装された
ユニットが示されており、破線に沿ってダイサ−等で裁
断する工程を示す図である。
ラ、ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬
化性樹脂が望ましい。図３は、図２のＢ−Ｂ断面を示し
た図である。図３に示される凹部３は、絶縁部２によっ
て、形成された反射ホ−ンである。図４に図３に示す断
面図にＬＥＤチップ４を導電性接着剤やはんだ等で電気
的に接続する工程を示す。ここでは、はんだ５にて接合
している。続いて図５は、図４の凹部３を透明樹脂若し
くは、半透明樹脂でモ−ルドし、レンズ部６を形成する
工程である。モ−ルドする樹脂として、透明エポキシ樹
脂が最適である。ただし、用途によって拡散剤を添加し
たものを使用する場合もある。図５では、凹部３を越え
る高さでモ−ルドされているが、下回る高さでも特に問
題ない。図６は、図５でできた透明樹脂等をモ−ルドし
レンズ部６を形成した複数のＬＥＤチップが実装された
ユニットが示されており、破線に沿ってダイサ−等で裁
断する工程を示す図である。
【００１６】図７は、図６から取出した一個の表面実装
型ＬＥＤの完成品を示す図である。図７からもわかるよ
うに、通常のプリント基板を使った表面実装型ＬＥＤと
比べ導電部１が占める体積が大きいため、放熱性が向上
する。また、体積だけでなく導電部１の占める表面積も
増えるので接触面積の増加に伴い電気的接続をより容易
にすることが予想される。更に、プリント基板を使用し
た表面実装型ＬＥＤと比べメッキ等の工程がない為に、
コストダウンも期待できる。
型ＬＥＤの完成品を示す図である。図７からもわかるよ
うに、通常のプリント基板を使った表面実装型ＬＥＤと
比べ導電部１が占める体積が大きいため、放熱性が向上
する。また、体積だけでなく導電部１の占める表面積も
増えるので接触面積の増加に伴い電気的接続をより容易
にすることが予想される。更に、プリント基板を使用し
た表面実装型ＬＥＤと比べメッキ等の工程がない為に、
コストダウンも期待できる。
【００１７】次に本発明の第二の実施形態について説明
する。図８〜図１３である。最初に第一の実施形態同様
に図１のように平板状の導電性ブロック部１を平行に複
数枚ならべる。使用条件は、体積抵抗率が０．０７Ω・
ｍ未満，熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ) 以上が望まし
い。この数値をクリアする材質に限る。しかしながら、
たいていの金属であればこの数値を満足している。又、
高温はんだでも可能である。
する。図８〜図１３である。最初に第一の実施形態同様
に図１のように平板状の導電性ブロック部１を平行に複
数枚ならべる。使用条件は、体積抵抗率が０．０７Ω・
ｍ未満，熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ) 以上が望まし
い。この数値をクリアする材質に限る。しかしながら、
たいていの金属であればこの数値を満足している。又、
高温はんだでも可能である。
【００１８】続いて図８に示すように、図１で並べた平
板状ブロック部１、１に絶縁部７を一体に成形する。こ
の時絶縁部７が平板状導電ブロック部１、１に挟持され
ると同時に、この平板状導電ブロック部１の上にまたが
るように略円形の凹部８がテ−パ−を持って成形され
る。この凹部８の底面に前記平板状導電ブロック部１に
絶縁部７が挟持された状態で露出するような状態に一体
成形される工程を図８に示してある。絶縁部７は、使用
条件から光（可視光、赤外光）の反射率の高いもの、耐
熱性に優れるもの、形成が容易なものが望ましい。この
ことから、プラスチック（特にベクトラ、ＰＰＳ）など
の熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬化性樹脂が望まし
い。
板状ブロック部１、１に絶縁部７を一体に成形する。こ
の時絶縁部７が平板状導電ブロック部１、１に挟持され
ると同時に、この平板状導電ブロック部１の上にまたが
るように略円形の凹部８がテ−パ−を持って成形され
る。この凹部８の底面に前記平板状導電ブロック部１に
絶縁部７が挟持された状態で露出するような状態に一体
成形される工程を図８に示してある。絶縁部７は、使用
条件から光（可視光、赤外光）の反射率の高いもの、耐
熱性に優れるもの、形成が容易なものが望ましい。この
ことから、プラスチック（特にベクトラ、ＰＰＳ）など
の熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬化性樹脂が望まし
い。
【００１９】図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示した図であ
る。図９に示されるテ−パ−を持った凹部８は、絶縁部
７によって、形成された反射ホ−ンであり傾斜面９を持
つ。図１０に図９に示す断面図にＬＥＤチップ１０を導
電性接着剤やはんだ等で電気的に接続する工程を示す。
ここでは、はんだ１１にて接合している。
る。図９に示されるテ−パ−を持った凹部８は、絶縁部
７によって、形成された反射ホ−ンであり傾斜面９を持
つ。図１０に図９に示す断面図にＬＥＤチップ１０を導
電性接着剤やはんだ等で電気的に接続する工程を示す。
ここでは、はんだ１１にて接合している。
【００２０】続いて図１１は、図１０の凹部８を透明樹
脂若しくは、半透明趣旨でモ−ルドし、レンズ部１２を
形成する工程である。モ−ルドする樹脂として、透明エ
ポキシ樹脂が最適である。ただし、用途によって拡散剤
を添加したものを使用する場合もある。
脂若しくは、半透明趣旨でモ−ルドし、レンズ部１２を
形成する工程である。モ−ルドする樹脂として、透明エ
ポキシ樹脂が最適である。ただし、用途によって拡散剤
を添加したものを使用する場合もある。
【００２１】図１１では、凹部８を越えない高さでモ−
ルドしており、これは製品の小型化及び樹脂の節約の為
である。レンズ効果を考え凹部を越えてもかまわない。
図１２は、図１１でできた透明樹脂等を凹部８にモ−ル
ドしレンズ部１２を形成した複数のＬＥＤチップが実装
されたユニットが示されており、破線に沿ってダイサ−
等で裁断する工程を示す図である。図１３は、図１２か
ら取出した一個の表面実装型ＬＥＤの完成品を示す図で
ある。図１３を見てもわかるように、通常のプリント基
板を使った表面実装型ＬＥＤと比べ導電部１が占める体
積が大きいため、放熱性が向上する。また、体積だけで
なく導電部１の占める表面積も増えるので接触面積の増
加に伴い電気的接続をより容易にすることが予想され
る。更に、プリント基板を使用した表面実装型ＬＥＤと
比べメッキ等の工程がない為に、コストダウンも期待で
きる。
ルドしており、これは製品の小型化及び樹脂の節約の為
である。レンズ効果を考え凹部を越えてもかまわない。
図１２は、図１１でできた透明樹脂等を凹部８にモ−ル
ドしレンズ部１２を形成した複数のＬＥＤチップが実装
されたユニットが示されており、破線に沿ってダイサ−
等で裁断する工程を示す図である。図１３は、図１２か
ら取出した一個の表面実装型ＬＥＤの完成品を示す図で
ある。図１３を見てもわかるように、通常のプリント基
板を使った表面実装型ＬＥＤと比べ導電部１が占める体
積が大きいため、放熱性が向上する。また、体積だけで
なく導電部１の占める表面積も増えるので接触面積の増
加に伴い電気的接続をより容易にすることが予想され
る。更に、プリント基板を使用した表面実装型ＬＥＤと
比べメッキ等の工程がない為に、コストダウンも期待で
きる。
【００２２】このように、二つの実施形態から、絶縁部
に形成される凹部３，８に相当する反射ホ−ンは、必要
な配向に合わせその時必要なな形状に形成される。ま
た、モ−ルド樹脂を凹部３，８にポッティングするとき
も、小型・軽量化で樹脂料が少なくて済みコスト的にメ
リットがあることからも凹部を越えない高さでのレンズ
化が効果を奏する。
に形成される凹部３，８に相当する反射ホ−ンは、必要
な配向に合わせその時必要なな形状に形成される。ま
た、モ−ルド樹脂を凹部３，８にポッティングするとき
も、小型・軽量化で樹脂料が少なくて済みコスト的にメ
リットがあることからも凹部を越えない高さでのレンズ
化が効果を奏する。
【００２３】第一、第二の実施形態ともに、各１個のＬ
ＥＤチップを有するように裁断したが、必要に応じて、
複数のＬＥＤチップを並列又は直列接続となるように裁
断しても良い。又その場合、ＬＥＤチップの発光色を変
える等も考えられる。これにより、複数色や混合色のＬ
ＥＤ発光色が得られる。
ＥＤチップを有するように裁断したが、必要に応じて、
複数のＬＥＤチップを並列又は直列接続となるように裁
断しても良い。又その場合、ＬＥＤチップの発光色を変
える等も考えられる。これにより、複数色や混合色のＬ
ＥＤ発光色が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による表面
実装型ＬＥＤとその製造方法には、さまざまな効果が挙
げられる。製造方法では、プリント基板を使用したもの
に比べプレス加工によるスロットを形成させる工程やス
ロット内面にプリント基板の上下導通をとる為無電解メ
ッキによる導電性被膜の形成といった工程をなくすこと
により、工程の簡略化をはかり大幅にコストを低減させ
ることができる。また、導電性ブロック部の体積が、従
来品と比べ大幅に増えているので、放熱性も良く従来品
にない放熱効果が期待できる。更に、可視光及び赤外光
の反射率の高いものを絶縁部材として使用し凹部を形成
し、反射ホ−ンとしておりさまざまな形状を作り出すこ
とによって配向を変えることも可能である。以上述べた
ように、従来に比べ工程の大幅減によるコスト削減及び
放熱性の改善及び用途に応じた配向を形成できる表面実
装型ＬＥＤを提供している。
実装型ＬＥＤとその製造方法には、さまざまな効果が挙
げられる。製造方法では、プリント基板を使用したもの
に比べプレス加工によるスロットを形成させる工程やス
ロット内面にプリント基板の上下導通をとる為無電解メ
ッキによる導電性被膜の形成といった工程をなくすこと
により、工程の簡略化をはかり大幅にコストを低減させ
ることができる。また、導電性ブロック部の体積が、従
来品と比べ大幅に増えているので、放熱性も良く従来品
にない放熱効果が期待できる。更に、可視光及び赤外光
の反射率の高いものを絶縁部材として使用し凹部を形成
し、反射ホ−ンとしておりさまざまな形状を作り出すこ
とによって配向を変えることも可能である。以上述べた
ように、従来に比べ工程の大幅減によるコスト削減及び
放熱性の改善及び用途に応じた配向を形成できる表面実
装型ＬＥＤを提供している。
【図１】 本発明における表面実装型ＬＥＤの製造方法
で平板状の導電性ブロック部を並べる工程。
で平板状の導電性ブロック部を並べる工程。
【図２】 同じく絶縁部材を形成する工程を示す図であ
る。
る。
【図３】 同じく絶縁性部材を形成する工程のＢ−Ｂ断
面図である。
面図である。
【図４】 同じくＬＥＤチップをダイボンドする工程で
ある。
ある。
【図５】 同じく樹脂モ−ルドしてレンズ部を形成する
工程である。
工程である。
【図６】 同じく複数のＬＥＤチップをダイボンドした
ユニットを破線によって裁断する工程である。
ユニットを破線によって裁断する工程である。
【図７】 図６で裁断された完成品の表面実装型ＬＥＤ
を示す図である。
を示す図である。
【図８】 本発明における表面実装型ＬＥＤの製造方法
で第二の実施形態を示す図で同じく絶縁部材を形成する
工程を示す図である。
で第二の実施形態を示す図で同じく絶縁部材を形成する
工程を示す図である。
【図９】 同じく絶縁性部材を形成する工程のＢ−Ｂ断
面図である。
面図である。
【図１０】 同じくＬＥＤチップをダイボンドする工程
である。
である。
【図１１】 同じく樹脂モ−ルドしてレンズ部を形成す
る工程である。
る工程である。
【図１２】 同じく複数のＬＥＤチップをダイボンドし
たユニットを破線によって裁断する工程である。
たユニットを破線によって裁断する工程である。
【図１３】 図１２で裁断された完成品の表面実装型Ｌ
ＥＤを示す図である。
ＥＤを示す図である。
【図１４】 基材の上下の面を圧延銅などの導電性物質
にて挟みプリント基板を形成する工程。
にて挟みプリント基板を形成する工程。
【図１５】 図１４でできたプリント基板を示す図。
【図１６】 プリント基板を適宜間隔で表裏面に貫通す
るスロットをプレス加工などにより形成する工程。
るスロットをプレス加工などにより形成する工程。
【図１７】 無電解メッキなどの手段で側面及びスロッ
トの内面に導電性被膜を形成する工程。
トの内面に導電性被膜を形成する工程。
【図１８】 プリント基板の表面側のスロットには、エ
ッチングなどの手段で圧延銅を除去し、パット部と配線
部とを形成し、同時に裏面側においてもスロット間で略
長方形に圧延銅を除去することで絶縁部を形成しする工
程。
ッチングなどの手段で圧延銅を除去し、パット部と配線
部とを形成し、同時に裏面側においてもスロット間で略
長方形に圧延銅を除去することで絶縁部を形成しする工
程。
【図１９】 図１８の断面図である。
【図２０】 複数のＬＥＤ素子をダイボンドしたプリン
ト基板を夫々のＬＥＤチップの中間の位置となるＡ−Ａ
断面で切断する工程。
ト基板を夫々のＬＥＤチップの中間の位置となるＡ−Ａ
断面で切断する工程。
【図２１】 面実装型ＬＥＤ素子の完成品を示す図。
１ 平板状の導電性ブロック部 ２，７ 絶縁部 ３，８ 凹部 ４，１０ ＬＥＤチップ ５，１１ はんだ ６，１２ 透明樹脂（レンズ部） ９ 傾斜面 ８１ 基材 ８２ 圧延銅 ９０ プリント基板 ９１ スロット ９２ 導電性被膜 ９３ パット部 ９４ 配線部 ９５ 絶縁部 ９６ ＬＥＤチップ ９７ 導電性ワイヤ ９８ 透明樹脂（レンズ部） ９９ 従来の表面実装型ＬＥＤ
Claims (7)
- 【請求項１】 １対となった導電ブロック部に挟まれた
第一の絶縁部と、該導電ブロック部にまたがって導電的
に固定された発光ダイオ−ドチップと、該発光ダイオ−
ドチップを所定の間隔をもって取り囲むように該導電ブ
ロック部及び第一の絶縁部上に設けられた第二の絶縁部
と、表面を覆う透明樹脂又は半透明樹脂より成る表面実
装型発光ダイオ−ド。 - 【請求項２】 前記絶縁部は、反射ホ−ンとして作用す
ることを特徴とする請求項１記載の表面実装型発光ダイ
オ−ド。 - 【請求項３】 前記導電ブロック部は、高温はんだであ
ることを特徴とする請求項１、２記載の表面実装型発光
ダイオ−ド。 - 【請求項４】 前記電気的接続が、ワイヤレスであるこ
とを特徴とする請求項１、２、３記載の表面実装型発光
ダイオ−ド。 - 【請求項５】 第一の絶縁部と第二の絶縁部が、同一材
料であることを特徴とする請求項１、２、３、４記載の
表面実装型発光ダイオ−ド。 - 【請求項６】 第一の絶縁部と第二の絶縁部が、同時に
形成されることを特徴とする請求項１、２、３、４、５
記載の表面実装型発光ダイオ−ド。 - 【請求項７】 導電ブロック部からなる平板状ブロック
体を平行に複数枚並べる工程と該導電ブロック部によっ
て絶縁部が挟持されると同時に、略円形若しくは略楕円
形の凹部が、該凹部底面に前記導電ブロック部に挟持さ
れた該絶縁部が露出した状態で形成される工程と、発光
ダイオ−ドチップを実装する工程と、前記凹部に透明樹
脂若しくは、半透明樹脂をモ−ルドする工程と個々又は
複数の発光ダイオ−ドチップを有する表面実装型発光ダ
イオ−ドに裁断する工程とを備える表面実装型発光ダイ
オ−ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12273398A JP4065051B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12273398A JP4065051B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307820A true JPH11307820A (ja) | 1999-11-05 |
| JP4065051B2 JP4065051B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=14843251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12273398A Expired - Fee Related JP4065051B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4065051B2 (ja) |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162668A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device manufacturing method |
| EP1162669A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| EP1253650A2 (en) * | 2001-04-25 | 2002-10-30 | Agilent Technologies Inc | Surface-mount type light emitting diode |
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| JP2004031708A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体レーザーパッケージ |
| JP2004152808A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2005039100A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール |
| DE10305021B4 (de) * | 2002-09-27 | 2005-10-06 | United Epitaxy Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden |
| GB2417824A (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-08 | Custom Interconnect Ltd | LED light source |
| US7078728B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-07-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mounted LED and light emitting device |
| EP1280211A3 (en) * | 2001-07-25 | 2006-09-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device with improved heat dissipation and its manufacturing method |
| JP2008252136A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| WO2008149322A2 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
| US20090315068A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7642704B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-01-05 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode with a base |
| DE102004009998B4 (de) * | 2003-02-28 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode |
| WO2012036281A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | ローム株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置 |
| JP2012094679A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Showa Denko Kk | 基板の製造方法 |
| JP2013225713A (ja) * | 2013-08-08 | 2013-10-31 | Towa Corp | 光デバイスの生産方法 |
| US8610143B2 (en) | 2007-03-12 | 2013-12-17 | Nichia Corporation | High output power light emitting device and package used therefor |
| JP2014099667A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-05-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014132693A (ja) * | 2014-04-03 | 2014-07-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2014140070A (ja) * | 2014-04-14 | 2014-07-31 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2015181201A (ja) * | 2006-02-03 | 2015-10-15 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
| DE102004003929B4 (de) * | 2004-01-26 | 2016-01-07 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| JP2016219855A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-22 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2016225665A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2016225666A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2017011309A (ja) * | 2016-10-06 | 2017-01-12 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2017028310A (ja) * | 2016-10-06 | 2017-02-02 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2017054933A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2017076822A (ja) * | 2017-02-01 | 2017-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US9793456B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-10-17 | Kaneka Corporation | Molded resin body for surface-mounted light-emitting device, manufacturing method thereof, and surface-mounted light-emitting device |
| JP2018053264A (ja) * | 2017-12-27 | 2018-04-05 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2018186306A (ja) * | 2018-08-28 | 2018-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| EP3598509A1 (en) * | 2008-09-03 | 2020-01-22 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a plurality of light emitting devices and resulting light emitting device |
| JP2020115588A (ja) * | 2020-04-27 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138468U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 | ||
| JPS63146453A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パツケ−ジおよびその製造方法 |
| JPH04258184A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光表示装置 |
| JPH04357886A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Sharp Corp | 電子部品 |
| JPH0661529A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
| JPH07106638A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ型発光ダイオードの製造方法 |
| JPH08298346A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-11-12 | Motorola Inc | 集積電気−光パッケージ |
| JPH0955535A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JPH09214002A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-17 JP JP12273398A patent/JP4065051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138468U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 | ||
| JPS63146453A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パツケ−ジおよびその製造方法 |
| JPH04258184A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光表示装置 |
| JPH04357886A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Sharp Corp | 電子部品 |
| JPH0661529A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
| JPH07106638A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ型発光ダイオードの製造方法 |
| JPH08298346A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-11-12 | Motorola Inc | 集積電気−光パッケージ |
| JPH0955535A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JPH09214002A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
Cited By (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162669A3 (en) * | 2000-06-09 | 2006-07-05 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| EP1162669A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| EP1162668A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device manufacturing method |
| EP1162668A3 (en) * | 2000-06-09 | 2006-07-05 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device manufacturing method |
| EP1253650A2 (en) * | 2001-04-25 | 2002-10-30 | Agilent Technologies Inc | Surface-mount type light emitting diode |
| EP1253650A3 (en) * | 2001-04-25 | 2008-02-20 | Avago Technologies ECBU IP (Singapore) Pte. Ltd. | Surface-mount type light emitting diode |
| EP1280211A3 (en) * | 2001-07-25 | 2006-09-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device with improved heat dissipation and its manufacturing method |
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| GB2383681B (en) * | 2001-09-27 | 2006-07-26 | United Epitaxy Co Ltd | High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate |
| JP2003304000A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| JP2004031708A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体レーザーパッケージ |
| DE10305021B4 (de) * | 2002-09-27 | 2005-10-06 | United Epitaxy Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden |
| JP2004152808A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| DE102004009998B4 (de) * | 2003-02-28 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode |
| JP2005039100A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール |
| CN100407453C (zh) * | 2003-07-29 | 2008-07-30 | 西铁城电子股份有限公司 | 表面安装型led及使用它的发光装置 |
| US7078728B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-07-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mounted LED and light emitting device |
| DE102004003929B4 (de) * | 2004-01-26 | 2016-01-07 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| DE102004003929B8 (de) * | 2004-01-26 | 2016-03-10 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| US7642704B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-01-05 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode with a base |
| GB2417824A (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-08 | Custom Interconnect Ltd | LED light source |
| JP2008252136A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2011097094A (ja) * | 2004-11-30 | 2011-05-12 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置 |
| JP2008252135A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2015181201A (ja) * | 2006-02-03 | 2015-10-15 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
| US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US8610143B2 (en) | 2007-03-12 | 2013-12-17 | Nichia Corporation | High output power light emitting device and package used therefor |
| US7791096B2 (en) | 2007-06-08 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
| US8039866B2 (en) | 2007-06-08 | 2011-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
| WO2008149322A2 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
| WO2008149322A3 (en) * | 2007-06-08 | 2009-03-26 | Philips Lumileds Lighting Co | Mount for a semiconductor light emitting device |
| US20090315068A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US10573788B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10573789B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10700241B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| EP3598509A1 (en) * | 2008-09-03 | 2020-01-22 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a plurality of light emitting devices and resulting light emitting device |
| US11094854B2 (en) | 2008-09-03 | 2021-08-17 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| WO2012036281A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | ローム株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置 |
| US10593846B2 (en) | 2010-09-17 | 2020-03-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device |
| JPWO2012036281A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2014-02-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置 |
| US9608187B2 (en) | 2010-09-17 | 2017-03-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device |
| US9224915B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-12-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device |
| JP2012094679A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Showa Denko Kk | 基板の製造方法 |
| US9793456B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-10-17 | Kaneka Corporation | Molded resin body for surface-mounted light-emitting device, manufacturing method thereof, and surface-mounted light-emitting device |
| JP2013225713A (ja) * | 2013-08-08 | 2013-10-31 | Towa Corp | 光デバイスの生産方法 |
| JP2014099667A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-05-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014132693A (ja) * | 2014-04-03 | 2014-07-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2014140070A (ja) * | 2014-04-14 | 2014-07-31 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2017054933A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2017011309A (ja) * | 2016-10-06 | 2017-01-12 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2016225666A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2016225665A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2016219855A (ja) * | 2016-10-06 | 2016-12-22 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2017028310A (ja) * | 2016-10-06 | 2017-02-02 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2017076822A (ja) * | 2017-02-01 | 2017-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2018053264A (ja) * | 2017-12-27 | 2018-04-05 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
| JP2018186306A (ja) * | 2018-08-28 | 2018-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2020115588A (ja) * | 2020-04-27 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4065051B2 (ja) | 2008-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4065051B2 (ja) | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 | |
| JP4305896B2 (ja) | 高輝度発光装置及びその製造方法 | |
| JP3146452B2 (ja) | 面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 | |
| US3938177A (en) | Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips | |
| JP3741512B2 (ja) | Ｌｅｄチップ部品 | |
| US7547923B2 (en) | Light emitting diode package having multi-stepped reflecting surface structure and fabrication method thereof | |
| US8003997B2 (en) | Package for light emitting device | |
| US7626211B2 (en) | LED reflecting plate and LED device | |
| JP3227295B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2003163378A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US20070290307A1 (en) | Light emitting diode module | |
| CN105684561A (zh) | Led照明设备的柔性电路板 | |
| US3999280A (en) | Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips | |
| JP4010424B2 (ja) | 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法 | |
| JP2001332769A (ja) | 発光ダイオード照明具 | |
| JP4023698B2 (ja) | 下面電極付き側面使用電子部品の製造方法 | |
| JP2012124248A (ja) | Ｌｅｄチップ搭載用リードフレーム基板及びその製造方法並びにｌｅｄパッケージ | |
| KR100937136B1 (ko) | 복수의 패키지를 모듈화한 리드프레임을 이용한 발광다이오드 모듈 | |
| WO2005083807A1 (en) | A pcb-mounted radiator and an led package using the pcb, and the manufacturing method thereof | |
| TWI483437B (zh) | 發光二極體封裝體及其製造方法 | |
| JP2003304000A (ja) | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 | |
| JP2000196153A (ja) | チップ電子部品およびその製造方法 | |
| JPH08186284A (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
| JP3995906B2 (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH0472393B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071101 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |