JPH0472393B2 - - Google Patents
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- JPH0472393B2 JPH0472393B2 JP63304903A JP30490388A JPH0472393B2 JP H0472393 B2 JPH0472393 B2 JP H0472393B2 JP 63304903 A JP63304903 A JP 63304903A JP 30490388 A JP30490388 A JP 30490388A JP H0472393 B2 JPH0472393 B2 JP H0472393B2
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- Japan
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- light emitting
- emitting diode
- recessed part
- diode chip
- light
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、側面より光が放射される表面実装
用の発光ダイオードに関するものである。
用の発光ダイオードに関するものである。
従来の技術
従来の表面実装用発光ダイオードの構造を第６
図、第７図および第８図に示す。
図、第７図および第８図に示す。
第６図ａは平面図、第６図ｂは側面図である。
この構造は、リードフレーム１と１′にインサー
ト成形により耐熱性樹脂の反射ケース２が形成さ
れ、反射ケース２の底部にあるリードフレーム１
の上に発光ダイオードチツプ３が銀ペースト４に
より固定され、発光ダイオードチツプ３の電極と
反射ケース２の底部にあるリードフレーム１′と
は金線５により接続され、反射ケース２の内部が
発光ダイオード３の保護や光の取り出し効率向上
のため透明エポキシ樹脂６で封止されたものであ
る。リードフレーム１′からリードフレーム１へ
数十mAの電流を流すことにより発光ダイオード
チツプ３が発光し、上方へ光が放射される。
この構造は、リードフレーム１と１′にインサー
ト成形により耐熱性樹脂の反射ケース２が形成さ
れ、反射ケース２の底部にあるリードフレーム１
の上に発光ダイオードチツプ３が銀ペースト４に
より固定され、発光ダイオードチツプ３の電極と
反射ケース２の底部にあるリードフレーム１′と
は金線５により接続され、反射ケース２の内部が
発光ダイオード３の保護や光の取り出し効率向上
のため透明エポキシ樹脂６で封止されたものであ
る。リードフレーム１′からリードフレーム１へ
数十mAの電流を流すことにより発光ダイオード
チツプ３が発光し、上方へ光が放射される。
第７図ａは平面図、第７図ｂは側面図、第７図
ｃは底面図である。この構造は、プリント基板７
もしくはセラミツクス基板７にめつきにより電極
配線８と８′が形成され、電極配線８の上に発光
ダイオードチツプ３が銀ペースト４により固定さ
れ、発光ダイオードチツプ３の電極と電極配線
８′とは金線５により接続され、透明エポキシ樹
脂６でトランスフアー成形されたものである。
ｃは底面図である。この構造は、プリント基板７
もしくはセラミツクス基板７にめつきにより電極
配線８と８′が形成され、電極配線８の上に発光
ダイオードチツプ３が銀ペースト４により固定さ
れ、発光ダイオードチツプ３の電極と電極配線
８′とは金線５により接続され、透明エポキシ樹
脂６でトランスフアー成形されたものである。
第８図ａは平面図、第８図ｂは正面図、第８図
ｃは側面図である。この構造は、リードフレーム
１のダイパツドの上に発光ダイオードチツプ３が
銀ペーストで固定され、発光ダイオードチツプ３
の上の電極とリードフレーム１′とは金線５によ
り接続され、透明エポキシ樹脂６でトランスフア
ー成形されたものである。
ｃは側面図である。この構造は、リードフレーム
１のダイパツドの上に発光ダイオードチツプ３が
銀ペーストで固定され、発光ダイオードチツプ３
の上の電極とリードフレーム１′とは金線５によ
り接続され、透明エポキシ樹脂６でトランスフア
ー成形されたものである。
発明が解決しようとする課題
従来の発光ダイオードは全て光が上方へ放射さ
れるトツプビユータイプのものであり、光が側面
から放射されるサイドビユータイプのものが開発
されていない。
れるトツプビユータイプのものであり、光が側面
から放射されるサイドビユータイプのものが開発
されていない。
すなわち、第６図と第８図の構造では、リード
フレームタイプであるためサイドビユータイプの
表面実装用発光ダイオードの作成は困難である。
また、第７図の構造では、プリント配線基板を用
いた場合、サイドビユータイプの作成は不可能で
あり、セラミツクス配線基板を用いた場合、費用
が高くなるという欠点がある。
フレームタイプであるためサイドビユータイプの
表面実装用発光ダイオードの作成は困難である。
また、第７図の構造では、プリント配線基板を用
いた場合、サイドビユータイプの作成は不可能で
あり、セラミツクス配線基板を用いた場合、費用
が高くなるという欠点がある。
本発明は、費用が安いサイドビユータイプの発
光ダイオードを提供することを目的とするもので
ある。
光ダイオードを提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段
本発明の発光ダイオードは、側面に開口がある
凹部を設けた金属めつきが可能な耐熱性樹脂で成
形した基板容器にアノードとカソードの両電極の
金属配線が前記凹部の底部より前記基板容器の裏
面まで連続して形成され、前記凹部の底部に発光
ダイオードチツプが配置され、光が前記基板容器
の側面より放射されるものである。
凹部を設けた金属めつきが可能な耐熱性樹脂で成
形した基板容器にアノードとカソードの両電極の
金属配線が前記凹部の底部より前記基板容器の裏
面まで連続して形成され、前記凹部の底部に発光
ダイオードチツプが配置され、光が前記基板容器
の側面より放射されるものである。
作 用
本発明の発光ダイオードによれば、耐熱性のプ
ラスチツク基板容器にめつきにより立体的に金属
配線を形成してサイドビユータイプの発光ダイオ
ードを形成することができる。
ラスチツク基板容器にめつきにより立体的に金属
配線を形成してサイドビユータイプの発光ダイオ
ードを形成することができる。
実施例
本発明の発光ダイオードの実施例を第１図の第
三角法で示した図と第２図に示した斜視図とを参
照して説明する。なお第１図のａは平面図、ｂは
正面図、ｃは下面図ｄは側面図である。
三角法で示した図と第２図に示した斜視図とを参
照して説明する。なお第１図のａは平面図、ｂは
正面図、ｃは下面図ｄは側面図である。
この構造は、金属めつきが可能な熱可塑性樹脂
により側面に開口がある凹部が形成された基板容
器９に、斜線が施された領域に銅（Cu）とニツ
ケル（Ni）および銀（Ag）が順次めつきされる
か、またはNiとAgが順次めつきされてアノード
とカソードの金属配線１０と１０′が形成されて
いる。そして凹部の底部の左側の金属配線１０′
の上に発光ダイオードチツプ３が銀ペースト４に
より固定され、発光ダイオードチツプ３の表面の
電極と図の絶縁領域１１より右側の金属配線１０
とは金線５で接続されている。さらに、凹部は、
発光ダイオードチツプ３の保護と光の取り出し効
率向上のために透明エポキシ樹脂６で封止されて
いる。
により側面に開口がある凹部が形成された基板容
器９に、斜線が施された領域に銅（Cu）とニツ
ケル（Ni）および銀（Ag）が順次めつきされる
か、またはNiとAgが順次めつきされてアノード
とカソードの金属配線１０と１０′が形成されて
いる。そして凹部の底部の左側の金属配線１０′
の上に発光ダイオードチツプ３が銀ペースト４に
より固定され、発光ダイオードチツプ３の表面の
電極と図の絶縁領域１１より右側の金属配線１０
とは金線５で接続されている。さらに、凹部は、
発光ダイオードチツプ３の保護と光の取り出し効
率向上のために透明エポキシ樹脂６で封止されて
いる。
なお、基板容器９の凹部は光の反射ケースとし
ての機能も有するとともに、凹部での金属配線は
基板容器９の表面にめつきされた金属層によりス
ルーホール１２を通つて基板容器９の裏面へ導か
れ、裏面で電極端子１３と１３′を構成している。
ての機能も有するとともに、凹部での金属配線は
基板容器９の表面にめつきされた金属層によりス
ルーホール１２を通つて基板容器９の裏面へ導か
れ、裏面で電極端子１３と１３′を構成している。
第２図には本発明の発光ダイオードをプリント
基板１４に実装した状態を示す。なお、１５はは
んだ、１６はプリント基板１４に形成された導電
配線層である。この状態で、電極端子１３から電
極端子１３′へ数十mAの電流を流すことにより
発光ダイオードチツプ３が発光し、光は凹部を反
射板としてプリント基板１４の面に対して平行
に、すなわち基板容器９の側面より放射される。
基板１４に実装した状態を示す。なお、１５はは
んだ、１６はプリント基板１４に形成された導電
配線層である。この状態で、電極端子１３から電
極端子１３′へ数十mAの電流を流すことにより
発光ダイオードチツプ３が発光し、光は凹部を反
射板としてプリント基板１４の面に対して平行
に、すなわち基板容器９の側面より放射される。
次に、本発明の発光ダイオードの製造方法につ
いて第３図〜第５図に示した工程図面を参照して
説明する。なお、第３図〜題５図において、ａは
上面図、ｂは正面図、ｃは下面図、ｄはＡ−
A′線に沿つた側断面図である。
いて第３図〜第５図に示した工程図面を参照して
説明する。なお、第３図〜題５図において、ａは
上面図、ｂは正面図、ｃは下面図、ｄはＡ−
A′線に沿つた側断面図である。
まず、第３図に示すようにめつきが可能な熱可
塑性樹脂により貫通孔１７と凹部１８とを設けた
基板容器１９を射出成形により形成する。表面実
装時のリフロー等の加熱に耐えるめつきが可能な
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルサルフオ
ン、ポリエーテルイミド、ポリフエニレンサルフ
アイド、液晶ポリマー等が利用できる。
塑性樹脂により貫通孔１７と凹部１８とを設けた
基板容器１９を射出成形により形成する。表面実
装時のリフロー等の加熱に耐えるめつきが可能な
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルサルフオ
ン、ポリエーテルイミド、ポリフエニレンサルフ
アイド、液晶ポリマー等が利用できる。
次に、基板容器１９にめつきを施して立体配線
を形成する。この方法は、まず第４図ａの面はめ
つきを施さない部分（ただし凹部を除く）にスク
リーン印刷によりレジストを塗布する。また第４
図ｂの面のめつきを施さない部分にレジストのス
タンピングもしくはテーピングによりマスキング
を行う。この後、めつき膜が付着しやすいように
表面を荒らすためエツチングを行い、続いて、
Pdの触媒を付与し、無電解銅めつきを行う。こ
の後、レジストやテープを除去し、凹部の絶縁領
域１１をYAGレーザ照射により凹部のめつき膜
を除去し、銅、ニツケル、銀を順次電気めつきを
行うことにより第４図の斜線を施した領域にめつ
き膜による金属配線を形成する。
を形成する。この方法は、まず第４図ａの面はめ
つきを施さない部分（ただし凹部を除く）にスク
リーン印刷によりレジストを塗布する。また第４
図ｂの面のめつきを施さない部分にレジストのス
タンピングもしくはテーピングによりマスキング
を行う。この後、めつき膜が付着しやすいように
表面を荒らすためエツチングを行い、続いて、
Pdの触媒を付与し、無電解銅めつきを行う。こ
の後、レジストやテープを除去し、凹部の絶縁領
域１１をYAGレーザ照射により凹部のめつき膜
を除去し、銅、ニツケル、銀を順次電気めつきを
行うことにより第４図の斜線を施した領域にめつ
き膜による金属配線を形成する。
次に、凹部１８の底部の金属配線２０の上に発
光ダイオードチツプ３を銀ペースト４により固定
したあと、金線５により金属配線２１と発光ダイ
オードチツプ３の電極とを接続する。次に、第５
図に示すように凹部１８に透明エポキシ樹脂６で
封止し、一点差線で示した線に沿つてダイヤモン
ドダイシングプレートで切断し、複数個の個々の
発光ダイオードに分割する。
光ダイオードチツプ３を銀ペースト４により固定
したあと、金線５により金属配線２１と発光ダイ
オードチツプ３の電極とを接続する。次に、第５
図に示すように凹部１８に透明エポキシ樹脂６で
封止し、一点差線で示した線に沿つてダイヤモン
ドダイシングプレートで切断し、複数個の個々の
発光ダイオードに分割する。
本実施例においては、一個の樹脂基板容器から
多数のサイドビユータイプの発光ダイオードを作
成することができる。
多数のサイドビユータイプの発光ダイオードを作
成することができる。
発明の効果
本発明の発光ダイオードによれば、被めつき性
を有する熱可塑性樹脂を用いて側面に開口のある
凹部を設けた基板容器にめつきにより立体配線を
施したモールド型プリント配線基板容器の凹部の
底部に発光ダイオードを配置しているため、発光
ダイオードは側面より光を放射することができ
る。また、樹脂成形基板容器を用いているため
に、金型代や材料費が安く、さらに、凹部により
反射ケースも構成されているために光を有効に取
り出すことができる。
を有する熱可塑性樹脂を用いて側面に開口のある
凹部を設けた基板容器にめつきにより立体配線を
施したモールド型プリント配線基板容器の凹部の
底部に発光ダイオードを配置しているため、発光
ダイオードは側面より光を放射することができ
る。また、樹脂成形基板容器を用いているため
に、金型代や材料費が安く、さらに、凹部により
反射ケースも構成されているために光を有効に取
り出すことができる。
第１図は本発明の発光ダイオードの実施例を示
す第三角法で示した図、第２図は本発明の発光ダ
イオードをプリント配線基板に実装した斜視図、
第３図〜第５図は本発明の発光ダイオードの製造
方法を第三角法で示した工程図、第６図〜第８図
は従来の発光ダイオードを示す図である。 ３……発光ダイオードチツプ、４……銀ペース
ト、５……金線、６……透明エポキシ樹脂、９…
…基板容器、１０，１０′……金属配線、１１…
…絶縁領域、１２……スルホール、１３，１３′
……電極端子、１４……プリント基板、１５……
はんだ、１６……導電配線層、１７……貫通孔、
１８……凹部、１９……基板容器、２０，２１…
…凹部の金属配線。
す第三角法で示した図、第２図は本発明の発光ダ
イオードをプリント配線基板に実装した斜視図、
第３図〜第５図は本発明の発光ダイオードの製造
方法を第三角法で示した工程図、第６図〜第８図
は従来の発光ダイオードを示す図である。 ３……発光ダイオードチツプ、４……銀ペース
ト、５……金線、６……透明エポキシ樹脂、９…
…基板容器、１０，１０′……金属配線、１１…
…絶縁領域、１２……スルホール、１３，１３′
……電極端子、１４……プリント基板、１５……
はんだ、１６……導電配線層、１７……貫通孔、
１８……凹部、１９……基板容器、２０，２１…
…凹部の金属配線。
Claims (1)
- １ 側面に開口がある凹部を設けた金属めつきが
可能な耐熱性樹脂で成形された基板容器にアノー
ドとカソードの両電極の金属配線が前記凹部の底
部より前記基板容器の裏面まで連続して形成さ
れ、前記凹部の底部に発光ダイオードチツプが配
置され、光が前記基板容器の側面より放射される
ことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304903A JPH02151086A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304903A JPH02151086A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151086A JPH02151086A (ja) | 1990-06-11 |
| JPH0472393B2 true JPH0472393B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=17938678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63304903A Granted JPH02151086A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH02151086A (ja) |
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1988
- 1988-12-01 JP JP63304903A patent/JPH02151086A/ja active Granted
Also Published As
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