JP3644927B2 - 面発光装置 - Google Patents
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Description
[発明の属する技術分野]
本発明は、たとえば液晶表示パネルに導光板を介して光照射するバックライト光源として利用できる半導体発光装置及びこれを利用した面発光装置に関する。
【0002】
[従来の技術]
従来より、たとえば携帯電話などの電子機器には、液晶を用いた画像表示部が一般に採用されている。この液晶による画像表示部は、液晶表示パネルの中に液晶を封止しておいて、LEDなどの発光装置をバックライト用光源として利用し、このバックライトにより画像を表示する構成となっている。このバックライト用光源に用いられる発光装置として、例えば、サイドビュー方式の半導体発光装置が知られている。
【0003】
図7(a)−(c)は、それぞれ順に、サイドビュー方式の面発光装置に用いられる半導体発光装置の斜視図、面発光装置の側面図及び面発光装置の正面図である。
【0004】
図7(a)に示すように、従来の半導体発光装置は、ブロック状の絶縁性の基板50と、基板50の両端部の正面(発光素子が取り付けられる面),側面及び裏面(発光素子が取り付けられる面に対向する面)に亘って設けられた一対の電極51a,51bと、一方の電極51a上に導電性接着剤を介して固着された発光素子52と、他方の電極51bと発光素子52とを電気的に接続するワイヤ53と、基板50の正面側において発光素子52,ワイヤ53等を封止するエポキシ樹脂からなる樹脂パッケージ54とを備えている。
【0005】
また、図7(b)及び(c)に示すように、従来の面発光装置においては、実装基板55の上に半導体発光装置とアクリルなどの合成樹脂からなる導光板56とを配置して構成されている。半導体発光装置は、実装基板55の上に実装されて液晶表示パネル57のバックライト光源として使用されるものである。実装基板55は、半導体発光装置の電極51a,51bに導通させるための配線パターン(図示せず)を有している。導光板56は、発光素子52からの光を液晶表示パネル57側に向けて導くためのものであって、導光板56の下面側には微小な凹凸パターンが形成されている。つまり、この微小な凹凸パターンによって側方から入射した光を液晶表示パネル57側へ反射して照射するように構成されている。すなわち、半導体発光装置の発光素子52で生成された光は、導光板56の側面からサイドビュー方式として導入され、導光板56はその光拡散によって液晶表示パネル57に対するバックライト光源として機能する。
【0006】
このような表面実装された面発光装置において、半導体発光装置は、実装基板55上で半田58a,58bによって電極51a,51bと配線パターンに電気的に接続するように固定されている。このとき、半導体発光装置の高さ方向の寸法は、基板50の高さ方向の寸法(図7(a)における上下方向の寸法)によって決まり、発光素子52はこの高さ寸法のほぼ半分の高さに設定される。
【0007】
[発明が解決しようとする課題]
ところが、基板50の高さ寸法や厚さは、その機械的強度を保持するためにある程度の大きさを持つようにダイシングされて形成されている。このため、実装基板55上に搭載したとき、発光素子52の高さ位置には制限があり、これに合わせて導光板56の厚さを設定する必要がある。つまり、導光板56の側面のほぼ中央から光を導入するためには、導光板56の厚さを大きくするか、実装基板55の上面から導光板56を少し浮かした状態で組み込む必要がある。このため、面発光装置と液晶表示パネル57とを合わせたユニット全体の厚さ方向の寸法が大きくなり、小型薄型化が急速に進む携帯電話などの電子機器への組込みの対応性に欠ける。また、実装基板55には基板50も含めたスペースが占有面積として加わるため、厚さだけでなく面積も大きくせざるを得ず、小型化への障害となる。
【0008】
また、図7(b),(c)には示されていないが、実装基板55の下面には発光素子52の駆動回路や検波回路及びその他の回路が形成されているので、実装基板55の下面側においてこれらの回路の半田リフローによる製造工程を踏まなければならない。ところが、図7(b),(c)に示す例のように、発光素子52を実装基板55の上面に搭載して、半田58a,58bにより取り付ける構造であると、実装基板55の上面側においても半田リフローの工程が必要となる。その結果、面発光装置の製造に際しては、実装基板55の上下両面において2回の半田リフローの工程が含まれることになり、製造工数の増加及び管理検査項目の増加を招き、製造コストの増大と製造歩留りの悪化を招くおそれがある。
【0009】
本発明の目的は、液晶表示用のバックライトに用いられる構造を小型薄型化するとともに、製造工数などの簡素化が可能な生産性の高い半導体発光装置及び面発光装置を提供することにある。
【0013】
本発明の面発光装置は、回路パターンを有する実装基板と、上記実装基板の上記回路パターンが形成された領域を除く領域に形成され、上記実装基板をその上面から下面に貫通する開口と、上記実装基板の上記開口を除く領域の上面上に搭載された導光板と、横方向に延びる基部と、正面における上記基部の中間領域の一部から縦方向に延び、上記実装基板の厚みよりも大きい一定距離だけ上記基部から離れた位置に素子取り付け部を有するマウント部とによって構成される基板、上記基板における上記基部の両端部から上記マウント部に亘ってそれぞれ形成された一対の電極、上記マウント部の上記素子取り付け部に取り付けられ、上記1対の電極の各電極にそれぞれ電気的に接続された発光素子、及び少なくとも上記発光素子と上記1対の電極の各一部とを封止する光透過性の封止部材を含み、上記半導体発光装置のマウント部が上記実装基板の開口を挿通して上記マウント部の上記素子取り付け部が上記実装基板の上面よりも上方に突出するように取り付けられた半導体発光装置とを備え、上記封止部材中に封止された発光素子は、上記導光板の1つの面に対向しており、上記半導体発光装置の上記一対の電極の各電極が上記実装基板の上記回路パターンに電気的に接続されているとともに、上記実装基板の回路パターンは、上記実装基板の下面に形成されており、上記半導体発光装置の上記各電極は、上記半導体発光装置の基板の基部の上面に亘って形成されていて、上記半導体発光装置の上記各電極は、上記実装基板の下面に形成された回路パターンの一部と接触した状態で電気的に接続されている。
【0014】
これにより、実装基板の上面から発光素子までの高さを従来よりも低くできるので、導光板と実装基板とを合わせた厚み方向の寸法を低減できるので、面発光装置の薄型化が可能となる。さらに、実装基板の上面においては、半導体発光装置の封止部材で封止されたマウント部が挿通する開口以外の部分を半導体発光装置が占有することはないので、実装基板の上面における半導体発光装置の占有面積が小さくなり、面発光装置全体の小型化が可能となる。
【0015】
上記実装基板の回路パターンは、上記実装基板の下面に形成されており、上記半導体発光装置の上記各電極は、上記半導体発光装置の基板の基部の上面に亘って形成されていて、上記半導体発光装置の上記各電極は、上記実装基板の下面に形成された回路パターンの一部と接触した状態で電気的に接続されていることにより、実装基板の裏面側に半田リフローを施すだけで、面発光装置を組み立てることが可能となり、製造工数の低減による製造コストの削減と製造歩留まりの向上とを図ることができる。
【0016】
[発明の実施の形態]
−半導体発光装置の構造−
図1は、本実施形態における半導体発光装置の外観を示す斜視図である。図2(a)−(c)は、それぞれ順に、本実施形態の面発光装置に用いられる半導体発光装置の正面図(発光素子が取り付けられる面),側面図及び上面図である。
【0017】
図1及び図2(a)に示すように、本発明の半導体発光装置10は、横方向に延びる基部1aと、基部1aの中央部から縦方向に延びるマウント部1bとからなるいわばほぼ逆T字状の平面形状を有する基板1を備えている。マウント部1bの正面に素子取り付け部(発光素子が取り付けられる部位)があり、この素子取り付け部は基部1aから一定の距離(図3(a)に示す実装基板21の厚みよりも大きい値)だけ離れている。基板1は、絶縁性材料により構成されており、基板1の基部1aの両端部において下面を除く4つの面,つまり正面,側面,上面及び裏面(発光素子が取り付けられる面に対向する面)と、マウント部1bの正面とに亘って形成された一対の電極2,3を備えている。各電極2,3は、基部1aの両端部からそれ延びてマウント部1bに先端部(パッド部)を有する引き出し配線部2a,3aを有している。そして、一方の電極2の引き出し配線部2aは、マウント部1bの素子取り付け部まで延びており、引き出し配線部2aの先端にあるパッド部には、発光ダイオードや半導体レーザなどの発光素子4の基板部(発光素子の電極となる部分)が導電性接着剤5によって一方の電極2と電気的に接続された状態で固着されている。また、発光素子4の上面には電極4aが設けられていて、発光素子4の電極4aと、他方の電極3の引き出し配線部3aのパッド部(先端部)との間は、ボンディングワイヤ6によって互いに電気的に接続されている。また、基板1の基部1a及びマウント部1bの正面側において、電極2,3の引き出し配線部2a,3aと発光素子4とボンディングワイヤ6とは、エポキシ樹脂からなる樹脂パッケージ7によって封止されている。
【0018】
図2(b),(c)に示すように、樹脂パッケージ7は、基部1aの上に設けられた角柱形の基部7aと、マウント部1bの上に設けられたほぼ半円柱形の凸レンズ部7bとを有している。
【0019】
−面発光装置の構造−
図3(a),(b)は、本実施形態の半導体発光装置10を液晶表示パネルのバックライト光源用として利用した面発光装置20の要部の構造を示す側面図及び正面図である。図4は、本実施形態の面発光装置20の要部の構造を示す斜視図である。
【0020】
図3(a),(b)及び図4に示すように、本実施形態の面発光装置20は、実装基板21と、実装基板21に搭載された半導体発光装置10と、実装基板21上で半導体発光装置の発光素子4に対向して搭載されたアクリルからなる導光板22と、すでに説明した構造を有する半導体発光装置10とを備えている。そして、導光板22の上方に液晶表示パネル23が配置されている。実装基板21の下面には、半導体発光装置10の電極2,3に接続されるプリント配線パターン(図示せず)が形成されている。実装基板21の導光板22が載置されている部位の近傍には、半導体発光装置10のマウント部1b及び樹脂パッケージ7が挿通可能な大きさを有する開口21aが設けられている。そして、実装基板21の開口21aに半導体発光装置10のマウント部1b及び樹脂パッケージ7を挿通させ、実装基板21の下面に半導体発光装置10の基部1aを対向させた状態で、半導体発光装置10が実装基板21に実装されている。このとき、半導体発光装置10の電極2,3のうち基部1aの両端部の上面に位置する部分と、実装基板21の下面上のプリント配線パターン(回路パターン)の端子とが互いに接触している。そして、半田24a,24bにより、半導体発光装置10が実装基板21の下面に固定され、かつ、半導体発光装置10の電極2,3と実装基板21のプリント配線パターンの端子とが互いに電気的に接続される。
【0021】
上述のような半導体発光装置の実装基板21への実装状態においては、基板1のマウント部1b及び樹脂パッケージ7の下部を除く上部だけが実装基板21の上面よりも上方に突出している。したがって、図7に示した従来の面発光装置においては、基板50の横断面積と樹脂パッケージ54の横断面積とを合わせた面積が実装基板55の上面を占有しているのに対して、本実施形態の面発光装置20においては、半導体発光装置10の基板1全体ではなく基板1のマウント部1b及び樹脂パッケージ7を挿通させるための開口だけが実装基板21の上面を占有している。したがって、半導体発光装置と導光板22とを組み合わせたときの実装基板21内で占める面積を小さくでき、小型化を図ることができる。
【0022】
具体的に、携帯電話などに組み込まれる液晶パネルのバックライトとして用いられる面発光装置のある種類のものの場合、図7(a)−(c)に示す従来の半導体発光装置及び面発光装置においては、半導体発光装置の基板50の大きさが縦1.0mm,横1.0mm,長さ2.5mmであり、発光素子(中心部)の実装基板55の上面からの高さが0.5mmである。樹脂パッケージ54の半径は約0.6mmである。導光板56の厚みは約1.0mmである。それに対し、本実施形態においては、半導体発光装置10の基板1のマウント部1bの厚みは0.5mm,幅は1.6mm,高さ方向の寸法は1.6mmである。樹脂パッケージ7の半径は約0.6mmである。面発光装置20における発光素子4(中心部)の実装基板21の上面からの高さは0.3mmで、導光板22の厚みは約0.6mmである。実装基板の厚みは、従来の面発光装置及び本発明の面発光装置共に約1.0mmである。
【0023】
従来の面発光装置の実装基板55の上面における半導体発光装置の占有面積が3.07mm2 (=2.5×1+(1/2)×3.14×0.62 )であったのに対し、本実施形態の面発光装置20の実装基板21の上面において半導体発光装置10のために確保すべき面積は開口の面積に等しく、約1.76mm2 (=1.6×(0.5+0.6)である。すなわち、本発明により、実装基板のうち半導体発光装置を搭載するために必要とされる領域の面積が低減できることがわかる。
【0024】
また、発光素子4が実装基板21の上面よりも上方に突出していることにより、発光素子4から導光板22への光の照射が可能となる。そして、半導体発光装置10の基板1の強度は基部1aによって確保することができるので、マウント部1bを実装基板21の開口に差し込んだときに、発光素子4が実装基板21の上面よりも上方に突出さえしていれば、発光素子4が実装基板21の上面に近い位置,つまり低い位置に存在していても導光板22への光の照射が可能となる。したがって、半導体発光装置10のマウント部1bの実装基板21の上面からの突出量を小さくすることができる。そして、発光素子4の位置を実装基板21の上面の近くに設定できることから、発光素子4に対向する導光板22を薄くすることができる。したがって、半導体発光装置10と導光板22との実装基板21の上面からの高さを小さくできるので、面発光装置20を液晶表示パネル23と組み合わせたときのユニット全体の厚さ寸法も低減することができる。
【0025】
従来の面発光装置における実装基板55と導光板56とを合わせた厚み方向の寸法が2mmであるのに対し、本実施形態の面発光装置においては、面発光装置20における実装基板21と導光板22とを合わせた厚み方向の寸法が1.6mmであって、本発明により、面発光装置と液晶表示パネルとを組み合わせたときの厚み方向の寸法を低減できることがわかる。
【0026】
さらに、従来のようなほぼ四角柱形状の半導体発光装置を実装基板上に載置したものに比べ、本実施形態では半導体発光装置のマウント部が実装基板の開口を挿通していることで、実装基板への半導体発光装置の取り付けが強固かつ安定するという効果もある。
【0027】
また、半導体発光装置10の基板1上の電極2,3は、検波回路やその他の回路(図示せず)が形成される実装基板21の下面に、半田24a,24bによって取り付けられている。したがって、図7に示す従来の面発光装置のごとく、実装基板55の上面に半導体発光装置の電極51a,51bを半田付けする工程と、実装基板55の下面に検波回路などの他の回路を含むチップを半田付けする工程という2つの半田リフロー工程を行なう必要はない。すなわち、実装基板21の下面に、半導体発光装置10の電極2a,2bと、検波回路等を含むチップとを半田付けする工程を1回だけ行なえば済む。このため、本実施形態により、工程数が削減でき、かつ生産性の向上につながる。
【0028】
−半導体発光装置の製造工程−
図5(a)−図6(b)は、本実施形態の半導体発光装置の製造工程を示す斜視図である。
【0029】
まず、図5(a)に示す工程で、予め所定の形状にパターニングされた基板基材31に、電極2a,3aとなる電極基礎パターン32を形成する。各基板基材31は、図示されていない外枠によって互いに連結され、各々同一形状を有する複数本の基板基材31が同時に加工される。次に、図5(b)に示す工程で、成形後の電極2の引き出し配線部2aに相当する部分に発光素子4を搭載して、導電性接着剤により発光素子4を引き出し配線部2aに電気的に接続させて固定する。その後、ワイヤボンディング工程により、発光素子4の電極4aと成形後の電極3の引き出し配線部3aに相当する部分との間をボンディングワイヤ6により接続する。
【0030】
次に、図6(a)に示す工程で、基板基材31の上面上にある発光素子4及びその電極4a,電極2,3の各引き出し配線部2a,3a及びボンディングワイヤ6をエポキシ樹脂からなる封止樹脂層33で封止し、封止樹脂層33を硬化させる。その後、図6(b)に示す工程で、図中破線で示す方向にダイシングすることにより、図1に示す半導体発光装置10を得る。
【0031】
本実施形態の製造方法によると、従来のような四角柱形状ではなく、平面形状がほぼ逆T字状の基板1を有する半導体発光装置10を簡素な工程で製造することができる。
【0032】
上記実施形態においては、発光素子は半導体発光装置中に1つだけ配置されているが、複数の発光素子を設けてもよい。
【0033】
ただし、半導体発光装置10の基板1は、必ずしも基部1aのほぼ中央部からマウント部1bが延びた形、つまり左右対称な形状を有している必要はない。その場合にも、マウント部1bが実装基板31の開口を挿通した状態で、半導体発光素子10を実装基板21に固定することが可能である。
【0034】
上記実施形態においては、発光素子を電極2の引き出し配線部2aに固着すると共に電気的に接続する構造を採ったが、発光素子から2つの電極を引きだして、発光素子の2つ電極と、各電極2,3の引き出し配線部2a,3aとがボンディングワイヤにより、それぞれ接続される構造を採ってもよい。
【0035】
また、発光素子の下面に2つの電極が設けられている場合、図1に示す基板1上の電極2,3が発光素子取り付け部まで延びて、発光素子の2つの電極と基板1上の電極2,3とがそれぞれバンプを介して電気的に接続されるいわゆるフリップチップ接続構造を採ることもできる。特に、基板がサファイア基板のような透明体のときには、発光された光を基板を通過させて外に取り出すことができるので、この接続構造が好ましい。
【0036】
また、上記実施形態においては、封止部材として樹脂パッケージを用いたが、本発明の封止部材は斯かる実施形態に限定されるものではない。例えば、各種ガラスやシリコン酸化膜などの無機材料からなる封止部材を用いることも可能である。
【0037】
本発明の発光素子は、例えばAlGaAs層を活性領域として用いた発光ダイオード,半導体レーザ,GaN層を活性領域として用いた発光ダイオード(青色)などがあり、いずれを用いてもよい。例えば、発光素子として半導体レーザを用い、導光板としてプリズムを配置することもできる。
【0038】
本発明は、液晶表示パネルのバックライト光源として利用される面発光装置及び面発光装置に組み込まれる半導体発光装置に利用される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態における半導体発光装置の外観構造を示す斜視図である。
【図2】 (a)−(c)は、それぞれ順に、本発明の実施形態における半導体発光装置の正面図,側面図及び上面図である。
【図3】 (a),(b)は、それぞれ順に、本発明の実施形態の半導体発光装置を液晶表示パネルのバックライト光源用として利用した面発光装置の構造を示す側面図及び正面図である。
【図4】 本発明の実施形態の面発光装置の要部を示す斜視図である。
【図5】 (a),(b)は、本発明の実施形態における半導体発光装置の製造工程のうちワイヤボンディングまでの工程を示す斜視図である。
【図6】 (a),(b)は、本発明の実施形態における半導体発光装置の製造工程のうち樹脂封止から切り出しまでの工程を示す斜視図である。
【図7】 (a)−(c)は、それぞれ順に、従来のバックライト光源用の半導体発光装置の構成を示す斜視図、半導体発光装置を液晶表示パネルのバックライト光源用として利用した面発光装置の正面図及び側面図である。
Claims (3)
- 回路パターンを有する実装基板と、
上記実装基板の上記回路パターンが形成された領域を除く領域に形成され、上記実装基板をその上面から下面に貫通する開口と、
上記実装基板の上記開口を除く領域の上面上に搭載された導光板と、
横方向に延びる基部と、上記基部の中間領域の一部から縦方向に延び、正面における上記実装基板の厚みよりも大きい一定距離だけ上記基部から離れた位置に素子取り付け部を有するマウント部とによって構成される基板、上記基板における上記基部の両端部から上記マウント部に亘ってそれぞれ形成された一対の電極、上記マウント部の上記素子取り付け部に取り付けられ、上記1対の電極の各電極にそれぞれ電気的に接続された発光素子、及び少なくとも上記発光素子と上記1対の電極の各一部とを封止する光透過性の封止部材を含み、上記半導体発光装置のマウント部が上記実装基板の開口を挿通して上記マウント部の上記素子取り付け部が上記実装基板の上面よりも上方に突出するように取り付けられた半導体発光装置とを備え、
上記封止部材中に封止された発光素子は、上記導光板の1つの面に対向しており、
上記半導体発光装置の上記一対の電極の各電極が上記実装基板の上記回路パターンに電気的に接続されているとともに、
上記実装基板の回路パターンは、上記実装基板の下面に形成されており、
上記半導体発光装置の上記各電極は、上記半導体発光装置の基板の基部の上面に亘って形成されていて、
上記半導体発光装置の上記各電極は、上記実装基板の下面に形成された回路パターンの一部と接触した状態で電気的に接続されていることを特徴とする面発光装置。 - 請求項1記載の面発光装置において、
上記半導体発光装置の上記各電極は、上記半導体発光装置の基板の基部の正面及び裏面にも亘って形成されていることを特徴とする面発光装置。 - 請求項2記載の面発光装置において、
上記半導体発光装置の上記各電極は、上記半導体発光装置の基板の基部の側面にも亘って形成されていることを特徴とする面発光装置。
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