JPH05218507A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05218507A JPH05218507A JP4020035A JP2003592A JPH05218507A JP H05218507 A JPH05218507 A JP H05218507A JP 4020035 A JP4020035 A JP 4020035A JP 2003592 A JP2003592 A JP 2003592A JP H05218507 A JPH05218507 A JP H05218507A
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板に略垂直に又は略平行に発光又は受
光できる光半導体装置を提供する。 【構成】 絶縁基台と、その絶縁基台に配置された第
１、第２のフレームと、その第１のフレーム上に固着さ
れかつその第２のフレームに配線された光半導体素子と
を設ける。そして第１、第２のフレームを離れて位置さ
せ、かつそれぞれ絶縁基台の同一表面上と同一側面上と
同一裏面上に連なって設ける。
光できる光半導体装置を提供する。 【構成】 絶縁基台と、その絶縁基台に配置された第
１、第２のフレームと、その第１のフレーム上に固着さ
れかつその第２のフレームに配線された光半導体素子と
を設ける。そして第１、第２のフレームを離れて位置さ
せ、かつそれぞれ絶縁基台の同一表面上と同一側面上と
同一裏面上に連なって設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小型のチップ化された光
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年チップ化された小型の略箱型形状を
した光半導体装置が提案されている。これは例えば特開
昭６０−２６２４７６号公報の如く、図４にて示され
る。図４（ａ）は本装置の平面図であり、図４（ｂ）は
そのＤ1Ｄ2断面図である。これらの図に於て、第１、第
２の配線層３１と３２はセラミック配線基板３３の表面
に位置し、側面を通り裏面に延びて形成されている。セ
ラミック基板３４はセラミック配線基板３３上に積層さ
れている。そして光半導体素子３５は第１の配線層３１
上に固着され、第２の配線層３２に配線されている。
した光半導体装置が提案されている。これは例えば特開
昭６０−２６２４７６号公報の如く、図４にて示され
る。図４（ａ）は本装置の平面図であり、図４（ｂ）は
そのＤ1Ｄ2断面図である。これらの図に於て、第１、第
２の配線層３１と３２はセラミック配線基板３３の表面
に位置し、側面を通り裏面に延びて形成されている。セ
ラミック基板３４はセラミック配線基板３３上に積層さ
れている。そして光半導体素子３５は第１の配線層３１
上に固着され、第２の配線層３２に配線されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしてこの様な光半
導体装置に於ては、セラミック配線基板３３の裏面の配
線層を回路基板３６上に載置固着するため、発光又は受
光方向は回路基板３６と垂直方向に限定される。そして
回路基板３７と平行に発光又は受光する事が不可能であ
るため、側面発光・受光型の光半導体装置を提供する事
ができない。故に本発明はかかる欠点を鑑みてなされた
ものであり、すなわち回路基板に略垂直に又は略平行に
発光又は受光できる汎用性のある光半導体装置を提供す
るものである。
導体装置に於ては、セラミック配線基板３３の裏面の配
線層を回路基板３６上に載置固着するため、発光又は受
光方向は回路基板３６と垂直方向に限定される。そして
回路基板３７と平行に発光又は受光する事が不可能であ
るため、側面発光・受光型の光半導体装置を提供する事
ができない。故に本発明はかかる欠点を鑑みてなされた
ものであり、すなわち回路基板に略垂直に又は略平行に
発光又は受光できる汎用性のある光半導体装置を提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、絶縁基台と、その絶縁基台に配置された
第１、第２のフレームと、その第１のフレーム上に固着
されかつその第２のフレームに配線された光半導体素子
とを設ける。そして前記第１、第２のフレームを離れて
位置させ、かつそれぞれ前記絶縁基台の同一表面上と同
一側面上と同一裏面上に連なって設ける。
決するために、絶縁基台と、その絶縁基台に配置された
第１、第２のフレームと、その第１のフレーム上に固着
されかつその第２のフレームに配線された光半導体素子
とを設ける。そして前記第１、第２のフレームを離れて
位置させ、かつそれぞれ前記絶縁基台の同一表面上と同
一側面上と同一裏面上に連なって設ける。
【０００５】本発明は更に望ましくは、前記絶縁基台に
前記第１、第２のフレームより上に位置する反射枠を設
け、かつ前記反射枠の側面が前記第１、第２のフレーム
の側面と略同一平面上に位置する様に設けるものであ
る。
前記第１、第２のフレームより上に位置する反射枠を設
け、かつ前記反射枠の側面が前記第１、第２のフレーム
の側面と略同一平面上に位置する様に設けるものであ
る。
【０００６】
【作用】上述の如く、絶縁基台の同一の側面上に位置す
る第１、第２のフレームを回路基板上に載置固着する事
により、回路基板と略平行に発光又は受光ができる。ま
た絶縁基台の同一の裏面上に位置する第１、第２のフレ
ームを回路基板上に載置固着する事により、回路基板と
略垂直に発光又は受光ができる。
る第１、第２のフレームを回路基板上に載置固着する事
により、回路基板と略平行に発光又は受光ができる。ま
た絶縁基台の同一の裏面上に位置する第１、第２のフレ
ームを回路基板上に載置固着する事により、回路基板と
略垂直に発光又は受光ができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明実施例を図１と図２に従い説明
する。図１（ａ）は本実施例に係る光半導体装置の平面
図、図１（ｂ）はそのＡ1Ａ2断面図、図２（ａ）は図１
（ａ）のＢ1Ｂ2断面図、図２（ｂ）は本装置の斜視図で
ある。これらの図に於て絶縁基台１は第１のフレーム２
と第２のフレーム３を一体成形したものであり、ポリフ
ェニレンサルファイドや液晶ポリマー等の高耐熱性白色
樹脂からなる。絶縁基台１は第１、第２のフレーム２と
３より上に位置する反射枠４と下に位置する基台部５を
有している。反射枠４は上方に開放された凹状に形成さ
れている。また絶縁基台１は反射枠４を設けないで基台
部５だけを設けてもよい。
する。図１（ａ）は本実施例に係る光半導体装置の平面
図、図１（ｂ）はそのＡ1Ａ2断面図、図２（ａ）は図１
（ａ）のＢ1Ｂ2断面図、図２（ｂ）は本装置の斜視図で
ある。これらの図に於て絶縁基台１は第１のフレーム２
と第２のフレーム３を一体成形したものであり、ポリフ
ェニレンサルファイドや液晶ポリマー等の高耐熱性白色
樹脂からなる。絶縁基台１は第１、第２のフレーム２と
３より上に位置する反射枠４と下に位置する基台部５を
有している。反射枠４は上方に開放された凹状に形成さ
れている。また絶縁基台１は反射枠４を設けないで基台
部５だけを設けてもよい。
【０００８】第１、第２のフレーム２と３はメッキ等の
表面処理をされた鉄板からなり、絶縁基台１の表面６上
にそれぞれ離れて設けられている。そして第１、第２の
フレーム２と３は絶縁基台１の同一の側面７と８上と裏
面９上に位置する様に設けられている。第１のフレーム
２は絶縁基台の表面６上では幅広に、その他の部分では
幅狭に形成されている。
表面処理をされた鉄板からなり、絶縁基台１の表面６上
にそれぞれ離れて設けられている。そして第１、第２の
フレーム２と３は絶縁基台１の同一の側面７と８上と裏
面９上に位置する様に設けられている。第１のフレーム
２は絶縁基台の表面６上では幅広に、その他の部分では
幅狭に形成されている。
【０００９】光半導体素子１０は第１のフレーム２の上
に塗布された導電性接着剤の上に載置固着されている。
光半導体素子１０は例えば１辺が２００〜４００μｍ、
高さが２５０〜３００μｍの略さいころ状をなしたＧａ
Ｐ、ＧａＡｓＰ等からなる発光素子である。又は光半導
体素子１０は例えば１辺が５００〜７００μｍ、高さが
２５０〜３００μｍの略直方体状をなし、Ｐ型基板に燐
を拡散して形成されたＰＩＮフォトダイオードからなる
受光素子である。その他に光半導体素子１０として、フ
ォトトランジスター等も適用できる。
に塗布された導電性接着剤の上に載置固着されている。
光半導体素子１０は例えば１辺が２００〜４００μｍ、
高さが２５０〜３００μｍの略さいころ状をなしたＧａ
Ｐ、ＧａＡｓＰ等からなる発光素子である。又は光半導
体素子１０は例えば１辺が５００〜７００μｍ、高さが
２５０〜３００μｍの略直方体状をなし、Ｐ型基板に燐
を拡散して形成されたＰＩＮフォトダイオードからなる
受光素子である。その他に光半導体素子１０として、フ
ォトトランジスター等も適用できる。
【００１０】金属細線１１は金等からなり、光半導体素
子１０の表面と第２のフレーム３の表面との間に配線さ
れている。透光性樹脂１２はエポキシ樹脂等からなり、
光半導体素子１０と金属細線１１を覆ってかつ反射枠４
の凹部を埋める様に設けられている。これらの部品によ
り光半導体装置１３が構成されている。
子１０の表面と第２のフレーム３の表面との間に配線さ
れている。透光性樹脂１２はエポキシ樹脂等からなり、
光半導体素子１０と金属細線１１を覆ってかつ反射枠４
の凹部を埋める様に設けられている。これらの部品によ
り光半導体装置１３が構成されている。
【００１１】上述の様に第１、第２のフレーム２、３は
金属細線１１の配線方向と略直交する様に絶縁基台１の
表面６上にそれぞれ離れて位置し、絶縁基台１の同一の
側面７と８上にそれぞれ設けられている。回路基板１４
上にこの光半導体装置１３の側面が位置する様に、チッ
プマウンター等により載置される。そして半田リフロー
等により、第１、第２のフレームの側面１５、１６と回
路基板１４の配線パターン（図示せず）が半田付けされ
ている。これにより回路基板１４に略平行な発光または
受光が得られる。
金属細線１１の配線方向と略直交する様に絶縁基台１の
表面６上にそれぞれ離れて位置し、絶縁基台１の同一の
側面７と８上にそれぞれ設けられている。回路基板１４
上にこの光半導体装置１３の側面が位置する様に、チッ
プマウンター等により載置される。そして半田リフロー
等により、第１、第２のフレームの側面１５、１６と回
路基板１４の配線パターン（図示せず）が半田付けされ
ている。これにより回路基板１４に略平行な発光または
受光が得られる。
【００１２】本実施例は更に望ましくは、第１、第２の
フレームの側面１５、１６と反射枠４の側面１７とを略
同一平面上になる様に設ける事により、これらの側面１
５、１６、１７が回路基板１４に略平面的に固定され
る。故に光半導体装置１３のガタツキが少なくなり固定
が確実になり、発光または受光の指向特性のバラツキが
少なくなる。また他の回路基板１８上にこの光半導体装
置１３の裏面が位置する様に載置固着すると、この回路
基板１８に略垂直な発光又は受光が得られる。
フレームの側面１５、１６と反射枠４の側面１７とを略
同一平面上になる様に設ける事により、これらの側面１
５、１６、１７が回路基板１４に略平面的に固定され
る。故に光半導体装置１３のガタツキが少なくなり固定
が確実になり、発光または受光の指向特性のバラツキが
少なくなる。また他の回路基板１８上にこの光半導体装
置１３の裏面が位置する様に載置固着すると、この回路
基板１８に略垂直な発光又は受光が得られる。
【００１３】次に、本実施例に係る光半導体装置の製造
工程を図３に従い説明する。図３（ａ）の平面図と図３
（ｂ）のＣ1Ｃ2断面図に示す様に、表面処理された長尺
の第１、第２のリード１９、２０の長尺方向に沿って複
数の絶縁基台１が一体成形される。（図では１個の絶縁
基台１しか示されていないが）絶縁基台１は第１、第２
のリード１９、２０より上に位置する反射枠４と、下に
位置する基台部５を有している。光半導体素子１０が第
１のリード１９上に載置され、金属細線１１により第２
のリード２０に配線され、透光性樹脂１２により反射枠
４の内部が覆われている。そして第１、第２のリード１
９、２０が所望の長さに切断される。
工程を図３に従い説明する。図３（ａ）の平面図と図３
（ｂ）のＣ1Ｃ2断面図に示す様に、表面処理された長尺
の第１、第２のリード１９、２０の長尺方向に沿って複
数の絶縁基台１が一体成形される。（図では１個の絶縁
基台１しか示されていないが）絶縁基台１は第１、第２
のリード１９、２０より上に位置する反射枠４と、下に
位置する基台部５を有している。光半導体素子１０が第
１のリード１９上に載置され、金属細線１１により第２
のリード２０に配線され、透光性樹脂１２により反射枠
４の内部が覆われている。そして第１、第２のリード１
９、２０が所望の長さに切断される。
【００１４】次に図３（ｃ）に示す様に第１、第２のリ
ード１９、２０は絶縁基台１の側面７と８に沿って曲げ
られる。そして図４（ｄ）の様に、第１、第２のリード
１９と２０は更に絶縁基台１の裏面９に沿って曲げら
れ、それぞれ第１、第２のフレーム２、３に形成され、
光半導体装置１３が完成する。
ード１９、２０は絶縁基台１の側面７と８に沿って曲げ
られる。そして図４（ｄ）の様に、第１、第２のリード
１９と２０は更に絶縁基台１の裏面９に沿って曲げら
れ、それぞれ第１、第２のフレーム２、３に形成され、
光半導体装置１３が完成する。
【００１５】次に絶縁基台１が反射枠４を設けない光半
導体装置を説明する。第１、第２のフレーム２、３は絶
縁基台１の表面すなわち基台部５の表面６上に設けられ
ている。そして第１、第２のフレーム２、３は絶縁基台
１の同一の側面７と８および同一の裏面９上に連なって
設けられている。光半導体素子１０は第１のフレーム２
上に載置固着され、金属細線１１により、第２のフレー
ム３上に配線されている。光半導体素子１０と金属細線
１１を含めた周辺に透光性樹脂が設けられている。これ
らの部品により光半導体装置が構成される。
導体装置を説明する。第１、第２のフレーム２、３は絶
縁基台１の表面すなわち基台部５の表面６上に設けられ
ている。そして第１、第２のフレーム２、３は絶縁基台
１の同一の側面７と８および同一の裏面９上に連なって
設けられている。光半導体素子１０は第１のフレーム２
上に載置固着され、金属細線１１により、第２のフレー
ム３上に配線されている。光半導体素子１０と金属細線
１１を含めた周辺に透光性樹脂が設けられている。これ
らの部品により光半導体装置が構成される。
【００１６】
【発明の効果】上述の如く、本発明は第１、第２のフレ
ームをそれぞれ離して絶縁基台の表面上に配置し、かつ
絶縁基台の同一の側面上に配置する。故にこの同一側面
上の第１、第２のフレームを回路基板上に載置固着する
事により、回路基板と略平行に発光又は受光ができる。
また第１、第２のフレームを絶縁基台の同一の裏面上に
配置するので、裏面上の第１、第２のフレームを回路基
板上に載置固着する事により、回路基板と略垂直に発光
又は受光ができる。故に本発明は回路基板に略垂直に又
は略平行に発光又は受光ができる汎用性のある光半導体
装置を提供する事ができる。
ームをそれぞれ離して絶縁基台の表面上に配置し、かつ
絶縁基台の同一の側面上に配置する。故にこの同一側面
上の第１、第２のフレームを回路基板上に載置固着する
事により、回路基板と略平行に発光又は受光ができる。
また第１、第２のフレームを絶縁基台の同一の裏面上に
配置するので、裏面上の第１、第２のフレームを回路基
板上に載置固着する事により、回路基板と略垂直に発光
又は受光ができる。故に本発明は回路基板に略垂直に又
は略平行に発光又は受光ができる汎用性のある光半導体
装置を提供する事ができる。
【００１７】本発明は更に望ましくは、絶縁基台に第
１、第２のフレームより上に位置する反射枠を設け、か
つ第１、第２のフレームの側面と反射枠の側面を略同一
平面上になる様に設ける事により、光半導体装置のガタ
ツキが少なくなり固定が確実となり、更に発光又は受光
の指向特性のバラツキが少なくなる。
１、第２のフレームより上に位置する反射枠を設け、か
つ第１、第２のフレームの側面と反射枠の側面を略同一
平面上になる様に設ける事により、光半導体装置のガタ
ツキが少なくなり固定が確実となり、更に発光又は受光
の指向特性のバラツキが少なくなる。
【００１８】そして従来の様に薄膜で電極を構成する方
法により本発明の構成を行おうとすれば、側面にも電極
を形成するので分離された個々の光半導体装置に薄膜形
成をする必要があり量産性がない。これに対して本発明
はフレームを一体成形した絶縁基台を用いる。故にリー
ドに複数の絶縁基台を設けてペレットボンディングとワ
イヤボンディングした後に、個々の光半導体装置に分離
すればよいので量産性がよい。
法により本発明の構成を行おうとすれば、側面にも電極
を形成するので分離された個々の光半導体装置に薄膜形
成をする必要があり量産性がない。これに対して本発明
はフレームを一体成形した絶縁基台を用いる。故にリー
ドに複数の絶縁基台を設けてペレットボンディングとワ
イヤボンディングした後に、個々の光半導体装置に分離
すればよいので量産性がよい。
【図１】（ａ）は本発明実施例に係る光半導体装置の平
面図、（ｂ）はそのＡ1Ａ2断面図である。
面図、（ｂ）はそのＡ1Ａ2断面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＢ1Ｂ2断面図、（ｂ）は
本装置の斜視図である。
本装置の斜視図である。
【図３】本発明実施例に係る光半導体装置の製造工程図
である。
である。
【図４】（ａ）は従来の光半導体装置の平面図、（ｂ）
はそのＤ1Ｄ2断面図である。
はそのＤ1Ｄ2断面図である。
１ 絶縁基台 ２ 第１のフレーム ３ 第２のフレーム ４ 反射枠 ６ 絶縁基台の表面 ７、８ 絶縁基台の側面 ９ 絶縁基台の裏面 １０ 光半導体素子 １３ 光半導体装置 １５ 第１のフレームの側面 １６ 第２のフレームの側面 １７ 反射枠の側面
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基台と、その絶縁基台に設けられた
第１、第２のフレームと、その第１のフレーム上に固着
されかつその第２のフレームに配線された光半導体素子
とを具備し、前記第１、第２のフレームが離れて位置し
かつそれぞれ前記絶縁基台の同一表面上と同一側面上と
同一裏面上に連なって設けられる事を特徴とする光半導
体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁基台が前記第１、第２のフレー
ムより上に位置する反射枠を有し、かつその反射枠の側
面が前記第１、第２のフレームの側面と略同一平面内に
ある事を特徴とする請求項１の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020035A JPH05218507A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020035A JPH05218507A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218507A true JPH05218507A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12015814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4020035A Pending JPH05218507A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218507A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075690A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | トランスミッタ及びレシーバ |
| JP2003234507A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Koha Co Ltd | 側面発光型ｌｅｄランプ |
| WO2004034529A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光素子 |
| JP2008010562A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置および平面照明装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185351U (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-09 | エスエムケイ株式会社 | チツプ型発光ダイオ−ド |
| JPH01163352U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-14 | ||
| JPH0311771A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-21 | Siemens Ag | 表面実装可能なオプトデバイス |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP4020035A patent/JPH05218507A/ja active Pending
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| US7531844B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-05-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
| JP2008010562A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置および平面照明装置 |
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