JPH05175553A - 発光ダイオード装置 - Google Patents
発光ダイオード装置Info
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- JPH05175553A JPH05175553A JP3338614A JP33861491A JPH05175553A JP H05175553 A JPH05175553 A JP H05175553A JP 3338614 A JP3338614 A JP 3338614A JP 33861491 A JP33861491 A JP 33861491A JP H05175553 A JPH05175553 A JP H05175553A
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- emitting diode
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性接着剤と第２の金属層との接触をなく
し、かつ金属細線の垂れをなくして短絡のない発光ダイ
オード装置を提供する。 【構成】 段違いの第１、第２の底面をもつ凹部を有す
る絶縁基台を設ける。第１の底面上に第１の金属層を形
成する。第１の底面より高い位置にある第２の底面上に
第２の金属層を形成する。第１の金属層上に導電性接着
剤を介して発光ダイオードを固着する。発光ダイオード
と第２の金属層との間に金属細線を配線する。
し、かつ金属細線の垂れをなくして短絡のない発光ダイ
オード装置を提供する。 【構成】 段違いの第１、第２の底面をもつ凹部を有す
る絶縁基台を設ける。第１の底面上に第１の金属層を形
成する。第１の底面より高い位置にある第２の底面上に
第２の金属層を形成する。第１の金属層上に導電性接着
剤を介して発光ダイオードを固着する。発光ダイオード
と第２の金属層との間に金属細線を配線する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリード線のない略箱型を
した発光ダイオード装置に関する。
した発光ダイオード装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年リード線のないコンパクトな略箱型
形状をした発光ダイオード装置が提案されている。これ
は例えば特公昭６０−４３０４０号公報の如く、図５の
断面図にて示されている。絶縁基台４０は頂面に凹部４
１を有する。第１、第２の金属層４２、４３はそれぞれ
の端部が凹部４１の底面に位置しかつ絶縁基台４０の側
面を通り裏面まで延びかつ延長方向が反対となる様に形
成される。発光ダイオード４４は第１の金属層４２の端
部上に導電性接着剤４５を介して固着される。金属細線
４６は、発光ダイオード４４と第２の金属層４３の端部
との間に接続される。
形状をした発光ダイオード装置が提案されている。これ
は例えば特公昭６０−４３０４０号公報の如く、図５の
断面図にて示されている。絶縁基台４０は頂面に凹部４
１を有する。第１、第２の金属層４２、４３はそれぞれ
の端部が凹部４１の底面に位置しかつ絶縁基台４０の側
面を通り裏面まで延びかつ延長方向が反対となる様に形
成される。発光ダイオード４４は第１の金属層４２の端
部上に導電性接着剤４５を介して固着される。金属細線
４６は、発光ダイオード４４と第２の金属層４３の端部
との間に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして、この様な発
光ダイオード装置は上述の様に、第１、第２の金属層４
２、４３の端部が凹部４１の同一平面上に形成されてい
る。それ故に導電性接着剤４５が第２の金属層４３の端
部に接触し短絡を起こし易く、そして金属細線４６の途
中の線が垂れて発光ダイオード４４又は導電性接着剤４
５に接触し短絡を起こし易い。故に本発明は上述の従来
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち導電性接
着剤４５と第２の金属層４３の端部の接触をなくし、か
つ金属細線４６の垂れをなくした発光ダイオード装置を
提供するものである。
光ダイオード装置は上述の様に、第１、第２の金属層４
２、４３の端部が凹部４１の同一平面上に形成されてい
る。それ故に導電性接着剤４５が第２の金属層４３の端
部に接触し短絡を起こし易く、そして金属細線４６の途
中の線が垂れて発光ダイオード４４又は導電性接着剤４
５に接触し短絡を起こし易い。故に本発明は上述の従来
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち導電性接
着剤４５と第２の金属層４３の端部の接触をなくし、か
つ金属細線４６の垂れをなくした発光ダイオード装置を
提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、段違いの第１、第２の底面をもつ凹部を
有する絶縁基台と、第１の底面上に形成された第１の金
属層と、第１の底面より高い位置にある第２の底面上に
形成された第２の金属層を設ける。そして第１の金属層
上に導電性接着剤を介して発光ダイオードを固着し、そ
の発光ダイオードと第２の金属層との間に金属細線を配
線するものである。
決するために、段違いの第１、第２の底面をもつ凹部を
有する絶縁基台と、第１の底面上に形成された第１の金
属層と、第１の底面より高い位置にある第２の底面上に
形成された第２の金属層を設ける。そして第１の金属層
上に導電性接着剤を介して発光ダイオードを固着し、そ
の発光ダイオードと第２の金属層との間に金属細線を配
線するものである。
【０００５】
【作用】上述の手段により、金属細線で接続される第２
の金属層は、導電性接着剤を介して発光ダイオードが固
着される第１の金属層よりも高い位置にある。故に、導
電性接着剤が第２の金属層に接触する事を防止でき、金
属細線の垂れを防止できる。更に発光ダイオードからの
側面光が絶縁基台の凹部の側面に反射するので、光が有
効に取り出される。
の金属層は、導電性接着剤を介して発光ダイオードが固
着される第１の金属層よりも高い位置にある。故に、導
電性接着剤が第２の金属層に接触する事を防止でき、金
属細線の垂れを防止できる。更に発光ダイオードからの
側面光が絶縁基台の凹部の側面に反射するので、光が有
効に取り出される。
【０００６】
【実施例】最初に本発明の第１実施例を説明する。図１
は本実施例に係る発光ダイオード装置の斜視図であり、
図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図に於て、絶
縁基台１は例えばセラミック基板を積層したものから成
り、頂面２に凹部３が形成されている。凹部３は低い位
置にある平坦な第１の底面４とそれに段違いに隣接しか
つそれより高い位置にある平坦な第２の底面５を有す
る。
は本実施例に係る発光ダイオード装置の斜視図であり、
図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図に於て、絶
縁基台１は例えばセラミック基板を積層したものから成
り、頂面２に凹部３が形成されている。凹部３は低い位
置にある平坦な第１の底面４とそれに段違いに隣接しか
つそれより高い位置にある平坦な第２の底面５を有す
る。
【０００７】第１の金属層６はその端部７が第１の底面
４の上に位置し、絶縁基台１の側面８を通り裏面９まで
延びる。第１の金属層６は絶縁基台１上に膜厚１μｍ以
上のニッケル層とその上に膜厚０．７５μｍ以上の金層
をメッキ等により形成されたものである。
４の上に位置し、絶縁基台１の側面８を通り裏面９まで
延びる。第１の金属層６は絶縁基台１上に膜厚１μｍ以
上のニッケル層とその上に膜厚０．７５μｍ以上の金層
をメッキ等により形成されたものである。
【０００８】第２の金属層１０はその端部１１が第２の
底面５の上に位置し、絶縁基台１の側面１２を通り裏面
９まで延び、材質はニッケル層と金属から成る。第１、
第２の金属層６、１０は裏面９に於て延長方向が反対と
なる様に形成される。
底面５の上に位置し、絶縁基台１の側面１２を通り裏面
９まで延び、材質はニッケル層と金属から成る。第１、
第２の金属層６、１０は裏面９に於て延長方向が反対と
なる様に形成される。
【０００９】導電性接着剤１３は銀ペースト等から成
り、第１の金属層の端部７の上に塗布される。発光ダイ
オード１４は例えば１辺が２００〜４００μｍ、高さが
２５０〜３００μｍの略さいころ状をなしたＧａＰ、Ｇ
ａＡｓＰ等からできている。そして底面からＰＮ接合面
までの高さは２００〜２５０μｍである。発光ダイオー
ド１４は導電性接着剤１３の上に載置され固着される。
り、第１の金属層の端部７の上に塗布される。発光ダイ
オード１４は例えば１辺が２００〜４００μｍ、高さが
２５０〜３００μｍの略さいころ状をなしたＧａＰ、Ｇ
ａＡｓＰ等からできている。そして底面からＰＮ接合面
までの高さは２００〜２５０μｍである。発光ダイオー
ド１４は導電性接着剤１３の上に載置され固着される。
【００１０】金属細線１５は直径２５μｍの金線から成
り、ワイヤボンダーにより、発光ダイオード１４の頂面
と第２の金属層の端部１１との間に配線される。この発
光ダイオード１４と金属細線１５を含めた凹部３を覆う
様に、エポキシ樹脂等から成る透光性樹脂１６が形成さ
れる。これらの部品により発光ダイオード装置１７が構
成されている。
り、ワイヤボンダーにより、発光ダイオード１４の頂面
と第２の金属層の端部１１との間に配線される。この発
光ダイオード１４と金属細線１５を含めた凹部３を覆う
様に、エポキシ樹脂等から成る透光性樹脂１６が形成さ
れる。これらの部品により発光ダイオード装置１７が構
成されている。
【００１１】また第１の底面４と第２の底面５の段差は
発光ダイオード１４の高さと略同じ程度が適切である。
何故ならば、この段差が低すぎると、導電性接着剤１３
が第２の金属層の端部１１に接触する危険がある。そし
てこの段差が高すぎると、発光ダイオード１４からの側
面光が第２の金属層の最端部１８に遮えぎられ、これが
影となり指向特性が悪くなるからである。
発光ダイオード１４の高さと略同じ程度が適切である。
何故ならば、この段差が低すぎると、導電性接着剤１３
が第２の金属層の端部１１に接触する危険がある。そし
てこの段差が高すぎると、発光ダイオード１４からの側
面光が第２の金属層の最端部１８に遮えぎられ、これが
影となり指向特性が悪くなるからである。
【００１２】次に本実施例の発光ダイオード装置に用い
られた絶縁基台１及び第１、第２の金属層６、１０の製
造工程を図３に従って説明する。図３（ａ）は絶縁基台
の第１層１９の裏面図であり、第１層１９の裏面上に第
１の金属層の他の端部２０と第２の金属層の他の端部２
１が形成される。そして第１層１９のスルーホール部
に、第１、第２の金属層の側部２２、２３が形成され、
それぞれ他の端部２０、２１と接続される。
られた絶縁基台１及び第１、第２の金属層６、１０の製
造工程を図３に従って説明する。図３（ａ）は絶縁基台
の第１層１９の裏面図であり、第１層１９の裏面上に第
１の金属層の他の端部２０と第２の金属層の他の端部２
１が形成される。そして第１層１９のスルーホール部
に、第１、第２の金属層の側部２２、２３が形成され、
それぞれ他の端部２０、２１と接続される。
【００１３】図３（ｂ）は第１層１９の平面図であり、
第１の金属層の端部７が形成され、これは側部２２と接
続される。
第１の金属層の端部７が形成され、これは側部２２と接
続される。
【００１４】図３（ｃ）は第２層２４の平面図であり、
第２の金属層の端部１１が形成されこれは第２層２４の
スルーホール部に、第２の金属層の他の側部２５と接続
される。第２層２４の開口部２６は第１の金属層の端部
７と同じかそれより小さい面積を有する。
第２の金属層の端部１１が形成されこれは第２層２４の
スルーホール部に、第２の金属層の他の側部２５と接続
される。第２層２４の開口部２６は第１の金属層の端部
７と同じかそれより小さい面積を有する。
【００１５】図３（ｄ）は絶縁基台１の平面図であり、
第１層１９と第２層２４と第３層２７を積層して焼成す
る事により形成される。第３層２７は第１、第２の金属
層の端部７、１１を露出させる様な開口部を有する額縁
状の形状をしている。
第１層１９と第２層２４と第３層２７を積層して焼成す
る事により形成される。第３層２７は第１、第２の金属
層の端部７、１１を露出させる様な開口部を有する額縁
状の形状をしている。
【００１６】図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）で示した様
に、第１の金属層６は裏面から順次他の端部２０と側部
２２と端部７により構成される。そして第２の金属層１
０は裏面から順次、他の端部２１と側部２３と他の側部
２５と端部１１により構成される。
に、第１の金属層６は裏面から順次他の端部２０と側部
２２と端部７により構成される。そして第２の金属層１
０は裏面から順次、他の端部２１と側部２３と他の側部
２５と端部１１により構成される。
【００１７】次に本発明の第２実施例を説明する。図４
は本実施例に係る発光ダイオード装置の断面図である。
絶縁基台２８は頂面２に凹部２９が形成され、凹部２９
は低い位置にある平坦な第１の底面３０とそれに段違い
に隣接しかつそれより高い位置にある平坦な第２の底面
３１を有する。そして第１実施例と異なり、第１、第２
の底面３０、３１は斜めの側面３２によって接続されて
いる。
は本実施例に係る発光ダイオード装置の断面図である。
絶縁基台２８は頂面２に凹部２９が形成され、凹部２９
は低い位置にある平坦な第１の底面３０とそれに段違い
に隣接しかつそれより高い位置にある平坦な第２の底面
３１を有する。そして第１実施例と異なり、第１、第２
の底面３０、３１は斜めの側面３２によって接続されて
いる。
【００１８】そして第１、第２の金属層３３、３４はそ
れぞれの端部が第１、第２の底面３０、３１の上に位置
し、絶縁基台２８の側面を通り、裏面まで延びる。第１
実施例で示した番号と同じ番号のものは同一の部品であ
る事を示す。上述の様に、第１、第２の底面３０、３１
を接続する斜めの側面３２を形成することにより、この
斜めの側面３２及び斜めの側面３２上の第１の金属層３
３が反射器の役割を果たし、発光ダイオード１４からの
側面光が有効に取り出される。
れぞれの端部が第１、第２の底面３０、３１の上に位置
し、絶縁基台２８の側面を通り、裏面まで延びる。第１
実施例で示した番号と同じ番号のものは同一の部品であ
る事を示す。上述の様に、第１、第２の底面３０、３１
を接続する斜めの側面３２を形成することにより、この
斜めの側面３２及び斜めの側面３２上の第１の金属層３
３が反射器の役割を果たし、発光ダイオード１４からの
側面光が有効に取り出される。
【００１９】
【発明の効果】上述の如く、本発明は金属細線で接続さ
れる第２の金属層を発光ダイオードが固着される第１の
金属層よりも高い位置に形成することにより、導電性接
着剤が第２の金属層の端部に接触することを防止でき、
金属細線の垂れを防止できる。そして発光ダイオードか
らの側面光が絶縁基台の凹部の側面に反射するので光が
有効に取り出される。
れる第２の金属層を発光ダイオードが固着される第１の
金属層よりも高い位置に形成することにより、導電性接
着剤が第２の金属層の端部に接触することを防止でき、
金属細線の垂れを防止できる。そして発光ダイオードか
らの側面光が絶縁基台の凹部の側面に反射するので光が
有効に取り出される。
【００２０】望ましくは第１、第２の底面の段差を発光
ダイオードの高さと略同じ程度に形成することにより、
発光ダイオードからの側面光が第２の金属層の最端部に
遮られることがないので、指向性が向上する。
ダイオードの高さと略同じ程度に形成することにより、
発光ダイオードからの側面光が第２の金属層の最端部に
遮られることがないので、指向性が向上する。
【００２１】更に望ましくは第１、第２の底面を接続す
る斜めの側面を形成することにより発光ダイオードから
の側面光が有効に取り出されるので輝度が向上する。
る斜めの側面を形成することにより発光ダイオードから
の側面光が有効に取り出されるので輝度が向上する。
【図１】本発明の第１実施例に係る発光ダイオード装置
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る発光ダイオード装置
に用いられた絶縁基台と第１、第２の金属層の製造工程
を示す図面である。
に用いられた絶縁基台と第１、第２の金属層の製造工程
を示す図面である。
【図４】本発明の第２実施例に係る発光ダイオード装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来の発光ダイオード装置の断面図である。
１、２８ 絶縁基台 ３、２９ 凹部 ４、３０ 第１の底面 ５、３１ 第２の底面 ６、３３ 第１の金属層 １０ 第２の金属層 １３ 導電性接着剤 １４ 発光ダイオード １５ 金属細線 １７ 発光ダイオード装置 ３２ 斜めの側面
Claims (1)
- 【請求項１】 段違いの第１、第２の底面をもつ凹部を
有する絶縁基台と、前記第１の底面上に形成された第１
の金属層と、前記第１の底面より高い位置にある前記第
２の底面上に形成された第２の金属層と、前記第１の金
属層上に導電性接着剤を介して固着された発光ダイオー
ドと、その発光ダイオードと前記第２の金属層との間に
接続された金属細線とを具備した事を特徴とする発光ダ
イオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3338614A JPH05175553A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 発光ダイオード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3338614A JPH05175553A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 発光ダイオード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175553A true JPH05175553A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18319840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3338614A Pending JPH05175553A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 発光ダイオード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175553A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311791A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Sharp Corp | 照明装置、バックライト装置および表示装置 |
| JP2006222248A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007288050A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2007299811A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Eudyna Devices Inc | 発光素子用ステム、半導体発光装置およびその製造方法 |
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