JPH0311771A - 表面実装可能なオプトデバイス - Google Patents

表面実装可能なオプトデバイス

Info

Publication number
JPH0311771A
JPH0311771A JP2136919A JP13691990A JPH0311771A JP H0311771 A JPH0311771 A JP H0311771A JP 2136919 A JP2136919 A JP 2136919A JP 13691990 A JP13691990 A JP 13691990A JP H0311771 A JPH0311771 A JP H0311771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
light
optical device
substrate
receiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2136919A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2962563B2 (ja
Inventor
Guenther Waitl
ギユンター、ワイトル
Franz Schellhorn
フランツ、シエルホルン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=8201434&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0311771(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH0311771A publication Critical patent/JPH0311771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2962563B2 publication Critical patent/JP2962563B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4249Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表面実装可能なオプトデバイスに関する。
〔従来の技術〕
SMD (表面実装デバイス)はプリント板モジュール
の組立技術に適する。SMDはデバイスの新しい加工様
式つまり表面実装ならびに新しい技術に適合しなければ
ならない最近の世代のデバイスを含む。
表面実装は挿入実装の従来技術の代わりに益々用いられ
るようになっている0表面実装はリード線無しデバイス
がリード線付きデバイスの代わりにプリント板またはそ
の他の基板上に設置されることを意味する。SMDを用
いることによって他の利点が得られる。つまり、プリン
ト板モジュールが70%に小形化し、製造が合理的にな
り、信頼性が高くなる。
表面実装可能なデバイスは自動実装機において加工され
る場合には経済的に使用することが出来る0表面実装の
利点はデバイス、プリント板レイアウト、自動実装、は
んだ付は技術、試験が互いに良好に調和すればする程多
くなる。
表面実装可能なオプトデバイスはヨーロッパ特許出願公
開第0083627号公報によって公知である。この公
知のオプトデバイスにおいては、セラミック材料から成
る基板上にオプトエレクトロニク半導体基体が配置され
る。この半導体基体上にはエポキシ樹脂から成りドーム
状湾曲を存する光透過膜が配置される。この公知のデバ
イスは主としてディスプレイ装置用への使用が考慮され
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、エポキシ樹脂から成る光透過膜が半導体
基体上に予め与えられたドーム状湾曲を有することは、
公知のデバイスの柔軟な使用を困難にしている。
そこで、本発明は、柔軟に使用可能な冒頭で述べたm類
の表面実装可能なオプトデバイスを堤供することを課題
とする。
〔課題を解決するための手段〕
このような課題を解決するために、本発明は、実装装置
によって自動的に実装可能でありかつ少なくとも1つの
光送信器および(または)受信器を含む少なくとも1つ
の基体と、放射光および(または)受信光を成形するた
めの少なくとも1つの光学装置と、この少なくとも1つ
の光学装置を調整して固定するための調整補助具とを有
することを特徴とする。
〔作用および発明の効果〕
本発明においては、放射光および(または)受信光を成
形するための光学装置は、この光学装置と基体との間の
側部から実際上光が漏出しないように基板上に取付けら
れる。
本発明においては、送信器および(または)受信器は基
体の富み内に配置される。これによってプリント板また
は1つの基板、複数の基体上に配設された種々の送信器
間のクロストークが回避される。このような窪みは反射
器として筒車な方法で形成され得る。
受信器が窪み内に配置されると、測光受信が軽減するの
で有効S/N比が明確に改善される。
本発明においては基体はその表面にドーム状湾曲を有し
ないので、基体は実装装置によって精密に位置決め可能
である。
基体と光学装置との間の位置決め精度は同様に本発明に
おいては表面に公知のドーム状湾曲を有する公知のデバ
イスに関する反射器の位置決め精度よりも大きい。これ
によって一定の結合比が得られると共に、観察者に良い
印象を与える。
基体がほぼ平坦状の表面を有することは有利であり、こ
のことは実装技術にとっては好ましいことである。
基体に光学装置を固定するためにも使われる調整補助具
が突起、クランプ、孔、窪みの形態にて基体および光学
装置に形成されることは有利である。
複数の基体に対して1つの光学装置が設けられ得る。反
対に、1つの基体に対して複数の光学装置が使用され得
る。
本発明は僅かな製作費用でもって可変の光学要素を備え
た表面実装可能なオプトデバイスの製作を可能にする。
光学要素を変えるためには従来技術においては特別に合
わせられたケースが製作されなければならなかった。こ
のことは最終実装の領域において、特に部品被覆におい
て高い投資を必要とする。さらに、SMD自動実装機の
実装が光学要素の形状を制限する。
本発明は費用的に良好でありかつ市販の自動実装機にて
加工可能である表面実装可能な構成形状(基本デバイス
)の製作を可能にする。さらに、本発明においては、実
装プロセスおよびはんだ付はプロセスの後にこの基本デ
バイスがその都度の適用例に合わせられた光学要素に結
合される。
基体と光学要素(光学装置)とを分離することによって
構成形状の個数が可成り低減する。実装性およびはんだ
付は性に関してSMDデバイスに出される高い要求は本
発明によるデバイスを用いることによって確実に実現さ
れる。光学要素の形状はデザインおよび材料選択に関し
てその都度の適用例に著しく良好に最適化され得る。
基本デバイス(基体)は光送信器および(または)受信
器を含む、光送信器の場合には、半導体デバイスを反射
器内に実装することは有利である。
この反射器は金属支持体への押型としてまたは反射性、
必要な場合には高反射性を有するプラスチングによる被
覆体によって形成され得る。金属支持体への押型と反射
性プラス千ンクとを組合わせ使用することも同様に可能
である。デバイスの外形は、実装技術にとって好ましく
かつほぼ平坦状の表面が基体に設けられさらに光学要素
に基体を結合するために調整補助具が基体内に成形され
るように形成される。
光学要素(光学装置)はその都度の適用例に応じて形成
(デザイン)される0幅狭または幅広の放射特性または
受信特性を有するオプトデバイスが実現される。光学装
置内で光転同装置を使用すると、送信方向または受信方
向が成る角度、例えば90°転換される。これによって
所謂サイドルツカ−(Side−Looker)形構成
形状が必要とされなくなる。サイドルツカ−形構成形状
においては、デバイスの送信器または受信器はデバイス
が配置される基板の表面に対して平行な方向に向けられ
る。
光学装置による光学レンズの代わりに光導波路が用いら
れると、SMD化先導波路デバイスが得られる。
SMDデバイスは1986年9月8日に出願された米国
特許出願第904638号の米国特許出願明細書、ヨー
ロッパ特許出願公開第0218832号公報、ドイツ連
邦共和国特許出願公開第3231277号公報およびP
CT特許出願公開第WO35101634号公報によっ
て公知である。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第1図a −fは基体lの実施例を示す概略図である、
基体1は光送信器および(または)光受信器が配置され
る少なくとも1つの窪み5を有する。
この窪み5は光送信器が配置される際には反射器として
有利に構成され得る。窪み5にはプラスチック例えば注
型樹脂が注入されると有利である。
基体1が実装される基板とは反対側に位置する基体1の
表面はほぼ平坦状に形成される。このことは、平坦表面
がデバイス実装装置によって自動的にかつ高速度で吸引
され得ることを倉味する。従って、平坦表面を有する基
体lは基板、例えばプリント板上に非常に迅速にかつ非
常に精密に位置決めされ得る。基体lはこの基体l上の
光学装置の調整を改善するために溝2、孔3および突起
4が設けられ得る。さらに、基体1に対して光学装置の
固定を行うために設けられかつ専門家が手操作すること
の出来る他の調整補助具を設置することも出来る。
第2図a −cおよび第3図a −cは基体1の製作を
説明するための概略図である。電気端子6.7は、半導
体基体8を取付けその半導体基体8と電気端子6とのボ
ンディングワイヤ結合を行う間、所謂リードフレーム技
術によって一緒に保持される。ボンディングワイヤ結合
が行われた後に、半導体基体8、ボンディングワイヤお
よび電気端子6.7の一部分が例えば熱硬化性プラスチ
ックまたは熱可塑性プラスチックの如きプラスチックに
よって一体注型される。最初にリードフレームがプラス
チック例えば熱可塑性プラスチックをコーティングされ
、その後窪み5の内部に半導体基体8が配置され得るよ
うにしてもよい。次に窪み5が注型樹脂を注入される。
基体lの被覆体には例えば孔3の如き調整補助具が設け
られる。電気端子6.7は、第2図に示される如く基体
lの被覆体から鶴翼状に突出するように基体1の被覆体
を突出した後に折曲げられ得るか、または第3図に示さ
れる如く基体lの被覆体を突出した後に下方に折曲げら
れさらに基体1の被覆体の中心部に向かって折曲げられ
得る。
基体1に対して本発明においては僅かな基本形しか必要
としない。さらに、表面実装を行う際に現れる高温度お
よび応力に耐えるプラスチック材料は少量しか必要とさ
れない、基体lの被覆体としてはSMD化可能な全ての
材料が使用され得る。
基体1の被覆体としては例えばLCP (液晶ポリマー
)材料が使用され得る。基体lに僅かな基本形が必要で
はあるが、未発明においては、オプトデバイスを構成す
る際に形状に関して大きな自由度が得られる。
基体1の被覆体として熱可塑性プラスチックが使用され
る場合、このプラスチックは200″C〜280″Cの
通常のはんだ付は温度に耐える。
第4図ないし第23図は本発明によるオプトデバイスの
種々の実施例を示す、第4図は反射器5内に光送信器8
を備えた基体lを示す、基体lの孔3内には光学装置9
の突起が嵌合している。光学装置9はこの突起とは一体
成形されている。光学装置9としては完全注型体が使用
され得る。光学装置9としては例えば所定の屈折率を有
するガラスレンズが使用され得る。しかしながら、光学
装置9としては、光送信器および(または)光受信器8
によって送信または受信される光を何らかの方法で成形
し、東線化しまたは形成するような他の装置も使用され
得る。本発明においては、光学装置9としては耐久性に
は限界があっても高温度には耐え得る材料を使用するこ
とが可能である。
例えば光学装置9としては(レンズに対してガラス透明
度を増すためにまたはディスプレイに対して白色度を増
すために入れられる)ポリカーポふ一トが使用され得る
。光学装置9としてはポンカン(Pocan)(ポリブ
チレン−テレフタレート)の如き価格的に手頃なプラス
チックも使用され得る。このようなプラスチックは例え
ば150℃以下の耐久温度に耐える。
第4図の光学装置9は例えば収束レンズとして形成され
ている。この第4図において、平行光は東線光に変換さ
れて、方向転換させられる。窪み(反射器)5および(
または)光学装置9を形成することによって種々の放射
特性および(または)受信特性が得られる。それゆえ、
任意の通用例に対して、僅かな個数の基体lを使用する
のに最も適するケース形状が製作され得る。
第5図には光学装置9が光送信器および(または)光受
信器8によって送信または受信される光を90°転向さ
せるように形成されたオプトデバイスが示されている。
この第5図において、光学装置9の光入射面および(ま
たは)光出射面は反射曲面おびレンズ状曲面を有してい
る。このような放射特性もしくは反射特性はドイツ連邦
共和国実用新案第8500013.2号(1985年4
月15日に出願された米国特許出顆第723236号明
細書)に記載されている。
第5図においては光学装置9はクランプ10と一体成形
されている。クランプIOは基体Iの切欠または溝内に
保持される。
第6図は窪み5内に半導体検出器が配置されている基体
lを備えたオプトデバイスを示す。光学装置9はその外
周縁部に基体1の切欠11に嵌合する突出部を有してい
る。
基体lは他の材料からもまたプラスチック材料からも製
作されi辱る。基体1は光学装置9を取付けるための平
坦表面を存する必要がない。光学装¥f9は基体1と光
学装置9との間の側部から実際上光が漏出し得ないよう
に基体1上に装着されるように簡単の方法で形成され得
る。
第7図および第8図は種々異なった個数の送信器および
(または)受信器8が複数の窪み5内に配置されたディ
スプレイデバイスを示す。放射形状は本発明においては
窪み5の形状および光学装置9の形成によって与えられ
る。第7図においては窪み5は比較的小さい開口部を有
している。窪み5のこの比較的小さい開口部は光学装置
9の内部において上方に向けて拡大する開口部14によ
って光学的に補助的に拡大されている。
基体1は第7図においては基板、例えばプリント板13
上に固定されている。光学装置9は基板13の開口部内
に固定されるクランプ12を有している。
第8図においては光学装置9は基体lの切欠内にスナッ
プ結合されるクランプ15を有している。
第8図においては光学装置9は基体l内の窪み5の開口
部を光学的に補助的に拡大しない開口部16を有してい
る。
第9図および第1O図はLEDアレイの概略図を示す。
この3X3LEDアレイにおいては基板13上には9個
の基体1が固定されている。光学装置9は9個のレンズ
17から構成されている。
9個のレンズ17は橋絡片18によって一体的に相互に
結合されている。光学装置9はこの光学装置9を基板1
3に固定するクランプ12を有している。各基体1上に
はレンズ17が取付けられている。
第110は3個の基体1が並置されているオプトデバイ
スを示す。この3個の基体1上には光学装置9が取付け
られている。2個の送信器および(または)受信器上に
はそれぞれ1個のレンズ17が配置され、−力筒3の半
導体デバイス上には発光面】9が取付けられている。半
導体デバイスに付設されたこの発光面19は例えばドイ
ツ連邦共和国実用新案第8713875.5号に記載さ
れている。半導体デバイスの被覆体は出来る限り大きな
空間角度にて光を放射するために凹レンズとして形成さ
れた光出射面を存している。発光面I9は散乱板の特性
を存する。
第12図は2個の窪み5を有する個別基体lを示す。第
1の窪み5上には光学装置9としてのレンズが取付けら
れている。第2の窪み5上には取外し可能なファイバー
結合を構成するための装置20が取付けられている。こ
の装置2oは実際上光導体結合器を表す。装置20には
光導波路21が取Iすけられる。光導体結合器を備えた
オブトデバイスハ光ファイバー通信網においてサブステ
ーション用に使用され得る。光導体結合器を備えたこの
オプトデバイスは例えば自動車の光ファイバーシステム
の如き他の光ファイバーシステムにおいても使用され得
る。基体1内では勿論集積回路も同様に使用され得る。
装W20は勿論クランプによって基体1に固定され得る
第12図に示された装置は光導体を差込むための保持部
材の予備個所を有している。それによって光導体を差込
むための補助的な位置決め公差が断念され得る。それに
よって装置20を備えたオプトデバイスの一層の小形化
が可能になる。
1個の窪み5内には光送信器も光受信器も集積回路も配
置され得る。
第13図a、bおよび第14図は基体lとそれに付属す
る光学装置9とを示す。第13図に示された基体1は所
謂7セグメント表示体である。この基体は7個の光孔2
3を存する。基体lはさらに第14図に示された光学装
置9を固定するための突起22を有する。
基板上に並んで実装された多数の基体!上には第14図
にポされた光学装置9が配設される。第14図の光学装
置9は7セグメント表示体24を表示するための徐々に
拡大する孔14を有している。さらに、第14図の光学
装置9は2個の発光面19を有している。最後に第14
図の光学装置9は第13図の基体lの突起22に固定す
るための穴26を有している。
本発明によるオプトデバイスは基体1の僅かな変形によ
り種々の光学装置9を可能にする。
第15図ないし第17図は所望の通用例に応じて形成さ
れた7セグメント表示体の種々の形状を示す、第15図
ないし第17図の表示体は種々の形状を有してはいるが
、この表示体は第13図の単一の基体1によって実現さ
れ得る。第13図の基体lにおける窪み5は、第15[
kないし第17図の光学装置9内の補助拡大部14によ
って種々異なった表示体形状が得られるように拡大され
る。
第18図および第19図は種々に配置された光バーを備
えた光学装置9を示す。
第20図ないし第23図a、bは第18図の光学装置9
ならびに種々に成形された光バーを有する第19図の光
学装置9が取付けられ得る法化Iを示す。
光学装置9は基体1の孔3内に差込まれる突起28を有
している。基体1においては光送信器8が窪み(反射器
)5内に配置されている。この反射器5は種々の光間口
部J4を備えた光学装置9が装着され得るように形成さ
れている。光バーの均一な■q明が得られるようにする
ために、散乱板(デイフユーザ)27が光学装置9に取
付けられる。
第20図は電気端子7の端部が基体から鶴翼状に離れて
いる基体lを示す。第22図は電気端子7の端部が下方
へ向けて折曲げられた後に基体側に再度折曲げられてい
る基体lを示す。
第20図および第22図においては窪み5の周縁部29
は高く形成されている。二〇問縁部29は光学装置9の
窪み30内に嵌め込まれる。高く形成された周縁部29
は種々の送信器におけるクロストークを妨げ、および(
または)、受信器が窪み5内に配置される場合には有効
S/N比を改善する。
【図面の簡単な説明】
第1図は基体の概略図、第2図および第3図は基体の製
作について説明するための概略図、第4図ないし第23
図はオプトデバイスのそれぞれ異なる実施例を示す概略
図である。 l・・・基体 2・・・溝 3・・・孔 4.22.28・・・突起 5・・・窪み 8・・・半導体基体 9・・・光学装置 1O112,15・・・クランプ 11・・・切欠 I9・・・発光面 26・・・開口部 FIG 3 FIG2 FIG 4 FIG6 FIGII IG9 IG 14 IG15 FIG 20 a ト

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕実装装置によって自動的に実装可能でありかつ少
    なくとも1つの光送信器および(または)受信器(8)
    を含む少なくとも1つの基体(1)と、放射光および(
    または)受信光を成形するための少なくとも1つの光学
    装置(9)と、この少なくとも1つの光学装置(9)を
    調整して固定するための調整補助具(2〜4、10、1
    1、12、15、22、26、28)とを有することを
    特徴とする表面実装可能なオプトデバイス。 〔2〕前記放射光および(または)受信光の成形は前記
    基体(1)によっても行われることを特徴とする請求項
    1記載のデバイス。 〔3〕前記光送信器および(または)受信器(8)は半
    導体送信器および(または)半導体受信器であることを
    特徴とする請求項1または2記載のデバイス。 〔3〕前記基体(1)内には送信光のための反射器(5
    )が設けられることを特徴とする請求項1ないし3の1
    つに記載のデバイス。 〔5〕前記反射器は前記基体(1)の金属支持体への押
    型によって設けられることを特徴とする請求項4記載の
    デバイス。 〔6〕前記基体(1)の反射性被覆体が設けられること
    を特徴とする請求項4または5記載のデバイス。 〔7〕前記調整補助具として突起またはクランプまたは
    溝または孔または窪みが設けられることを特徴する請求
    項1ないし6の1つに記載のデバイス。 〔8〕光の送信方向および(または)受信方向を転換す
    るための転向装置が設けられることを特徴とする請求項
    1ないし7の1つに記載のデバイス。 〔9〕前記光学装置として光学レンズが設けられること
    を特徴とする請求項1ないし8の1つに記載のデバイス
    。 〔10〕前記光学装置として発光面(19)が設けられ
    ることを特徴とする請求項1ないし9の1つに記載のデ
    バイス。 〔11〕前記光学装置として光導体結合器(20)が設
    けられることを特徴とする請求項1ないし10の1つに
    記載のデバイス。 〔12〕前記光学装置(9)用に150℃以下の耐久温
    度に耐える材料が使用されることを特徴とする請求項1
    ないし11の1つに記載のデバイス。 〔13〕前記デバイスはディスプレイ用に使用されるこ
    とを特徴とする請求項1ないし12の1つに記載のデバ
    イス。 〔14〕前記デバイスは光アレイ用に使用されることを
    特徴とする請求項1ないし13の1つに記載のデバイス
    。 〔15〕前記デバイスは光信号伝送用に使用されること
    を特徴とする請求項1ないし14の1つに記載のデバイ
    ス。 〔16〕前記デバイスは光ファイバー式情報システムに
    使用されることを特徴とする請求項1ないし15の1つ
    に記載のデバイス。
JP2136919A 1989-05-31 1990-05-25 表面実装可能なオプトデバイス Expired - Lifetime JP2962563B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP89109835A EP0400176B1 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
EP89109835.2 1989-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0311771A true JPH0311771A (ja) 1991-01-21
JP2962563B2 JP2962563B2 (ja) 1999-10-12

Family

ID=8201434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2136919A Expired - Lifetime JP2962563B2 (ja) 1989-05-31 1990-05-25 表面実装可能なオプトデバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5040868A (ja)
EP (3) EP1022787B2 (ja)
JP (1) JP2962563B2 (ja)
DE (2) DE58909875D1 (ja)
ES (1) ES2150409T3 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05218507A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
JP2003075690A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Matsushita Electric Works Ltd トランスミッタ及びレシーバ
JP2003512727A (ja) * 1999-10-18 2003-04-02 オブシェストボ エス オグラノチェノイ オトヴェツトヴェノスチウ “コルヴェト−ライツ” 発光ダイオード
JP2004363454A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Stanley Electric Co Ltd 高信頼型光半導体デバイス
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
JP2006156662A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2006173561A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co Ltd ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
JP2006295082A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Citizen Electronics Co Ltd 光源体
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led
JP2007027765A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ
JP2007281468A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd アノダイジング絶縁層を有するledパッケージおよびその製造方法
JP2007288014A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Pioneer Electronic Corp 発光ダイオード用キャップ
JP2008502159A (ja) * 2004-06-04 2008-01-24 クリー インコーポレイテッド 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
JPWO2005091386A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2008532300A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 照明装置
US7695177B2 (en) 2004-12-02 2010-04-13 Olympus Corporation Optical device and illumination device
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US8376680B2 (en) 2009-02-10 2013-02-19 Rolls-Royce Plc Assembly
JP2016029687A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置

Families Citing this family (161)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5195154A (en) * 1990-04-27 1993-03-16 Ngk Insulators, Ltd. Optical surface mount technology (o-smt), optical surface mount circuit (o-smc), opto-electronic printed wiring board (oe-pwb), opto-electronic surface mount device (oe-smd), and methods of fabricating opto-electronic printed wiring board
JP3166917B2 (ja) * 1990-05-07 2001-05-14 オムロン株式会社 光電スイッチ
GB9024713D0 (en) * 1990-11-14 1991-01-02 Plessey Telecomm Optical backplane interconnecting circuit boards
US5101454A (en) * 1991-02-20 1992-03-31 At&T Bell Laboratories Light emitting diode with multifaceted reflector to increase coupling efficiency and alignment tolerance
US5151963A (en) * 1991-03-05 1992-09-29 Boston University Apparatus for coupling an optical transducer to a light guide
US5258867A (en) * 1991-10-10 1993-11-02 Light Ideas Incorporated Base station performance enhancements for infrared-linked telephone and communications systems
DE4311530A1 (de) * 1992-10-02 1994-04-07 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement mit engem Öffnungswinkel
EP0632511A3 (en) * 1993-06-29 1996-11-27 Mitsubishi Cable Ind Ltd Light emitting diode module and method for its manufacture.
US5416872A (en) * 1993-07-06 1995-05-16 At&T Corp. Arrangement for interconnecting an optical fiber an optoelectronic component
DE59402033D1 (de) 1993-09-30 1997-04-17 Siemens Ag Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
AT401587B (de) * 1993-12-30 1996-10-25 Rosenitsch Harald Ing Anzeigevorrichtung mit einem rasterkörper
NL9400766A (nl) * 1994-05-09 1995-12-01 Euratec Bv Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
US5902997A (en) * 1994-05-20 1999-05-11 Siemens Aktiengesellschaft Device for spacing at least one lens from an optoelectronic component
DE4418477C1 (de) * 1994-05-20 1995-11-16 Siemens Ag Optoelektronische Baugruppe
DE19536454B4 (de) * 1995-09-29 2006-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19549818B4 (de) 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
CA2166334C (en) * 1995-12-29 2001-12-25 Albert John Kerklaan Combination diffused and directed infrared transceiver
WO1997044614A1 (de) * 1996-05-23 1997-11-27 Siemens Aktiengesellschaft Leuchteinrichtung zur signalabgabe, kennzeichnung oder markierung
KR100537349B1 (ko) * 1996-06-26 2006-02-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19640423C1 (de) * 1996-09-30 1998-03-26 Siemens Ag Optoelektronisches Modul zur bidirektionalen optischen Datenübertragung
DE19653054A1 (de) * 1996-12-19 1998-07-02 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement zur Datenübertragung
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3403306B2 (ja) * 1997-01-17 2003-05-06 古河電気工業株式会社 光モジュール
US6365920B1 (en) * 1997-03-18 2002-04-02 Korvet Lights Luminescent diode
EP0936683A4 (en) * 1997-06-27 2000-11-22 Iwasaki Electric Co Ltd REFLECTIVE LIGHT-EMITTING DIODE
EP2267798B1 (de) 1997-07-29 2015-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
EP0897172A3 (de) * 1997-08-11 1999-12-08 Vossloh MAN Systemelektronik GmbH Displayanordnung zum Anzeigen von Informationen und deren Verwendung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung
EP0987572A3 (de) * 1998-09-17 2000-09-20 Siemens Electromechanical Components GmbH & Co. KG Vorrichtung für den Anschluss von Lichtwellenleitern an eine elektrische Schaltung
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
GB2344681A (en) * 1998-12-07 2000-06-14 Alstom Uk Ltd A display panel
AU2170000A (en) * 1998-12-22 2000-07-12 Intel Corporation Clearmold photosensor package having diffractive/refractive optical surfaces
JP2002533892A (ja) * 1998-12-29 2002-10-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 側方に斜めの光入力結合部を有する光源素子
DE19922361C2 (de) * 1999-05-14 2003-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul für Anzeigeeinrichtungen
DE19928576C2 (de) * 1999-06-22 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr
DE19940319B4 (de) * 1999-08-25 2004-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
US6704515B1 (en) * 1999-12-30 2004-03-09 The Boeing Company Fiber optic interface module and associated fabrication method
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
DE10004411A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Sende-/Empfangsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10020465A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6799902B2 (en) 2000-12-26 2004-10-05 Emcore Corporation Optoelectronic mounting structure
US6905260B2 (en) 2000-12-26 2005-06-14 Emcore Corporation Method and apparatus for coupling optical elements to optoelectronic devices for manufacturing optical transceiver modules
US6863444B2 (en) 2000-12-26 2005-03-08 Emcore Corporation Housing and mounting structure
US6867377B2 (en) 2000-12-26 2005-03-15 Emcore Corporation Apparatus and method of using flexible printed circuit board in optical transceiver device
US7021836B2 (en) 2000-12-26 2006-04-04 Emcore Corporation Attenuator and conditioner
US6940704B2 (en) 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
FR2822326B1 (fr) * 2001-03-16 2003-07-04 Atmel Grenoble Sa Camera electronique a faible cout en technologie des circuits integres
FR2822960B3 (fr) 2001-03-30 2003-06-20 Thomson Marconi Sonar Sas Systeme de detection sous-marine basse frequence remorque
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
DE10117890B4 (de) * 2001-04-10 2007-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement
US6686580B1 (en) 2001-07-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Image sensor package with reflector
US6717126B1 (en) 2001-07-16 2004-04-06 Amkor Technology, Inc. Method of fabricating and using an image sensor package with reflector
DE10135190A1 (de) * 2001-07-19 2003-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10140831A1 (de) * 2001-08-21 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement und Anzeige- und/oder Beleuchtungsanordnung mit strahlungsemittierenden Bauelementen
JP4388806B2 (ja) 2001-08-21 2009-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線放出構成部材のためのケーシング及び導体フレーム、放射線放出構成部材、放射線放出構成部材を備えたディスプレイ装置及び/又は照明装置
CA2377116A1 (en) 2001-08-28 2003-02-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical waveguide module
DE10153259A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
FR2835654B1 (fr) * 2002-02-06 2004-07-09 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a porte-lentille accouple
DE10206464A1 (de) * 2002-02-16 2003-08-28 Micronas Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensor- oder Aktuatoranordnung sowie Sensor- oder Aktuatoranordnung
WO2004044877A2 (en) * 2002-11-11 2004-05-27 Cotco International Limited A display device and method for making same
EP1383175A1 (de) * 2002-07-16 2004-01-21 Abb Research Ltd. Optisches chipmodul
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP5204947B2 (ja) * 2002-11-27 2013-06-05 ディーエムアイ バイオサイエンシズ インコーポレイテッド リン酸受容体化合物の使用、ならびにリン酸受容体化合物を含んでいる、薬学的組成物、スキンケア用の組成物、およびキット
US6863453B2 (en) 2003-01-28 2005-03-08 Emcore Corporation Method and apparatus for parallel optical transceiver module assembly
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005197329A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2005217337A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス
EP1751806B1 (de) 2004-05-31 2019-09-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
CN100373641C (zh) * 2004-06-15 2008-03-05 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管的封装结构
US7352969B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-01 Intel Corporation Fiber optic communication assembly
US20060067630A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Kim Brian H Optical transceiver module
US7575380B2 (en) * 2004-10-15 2009-08-18 Emcore Corporation Integrated optical fiber and electro-optical converter
DE102004056252A1 (de) * 2004-10-29 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, Kfz-Scheinwerfer und Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
DE102005012398B4 (de) * 2004-11-30 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Reflektor und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US7342841B2 (en) 2004-12-21 2008-03-11 Intel Corporation Method, apparatus, and system for active refresh management
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
DE102005002352A1 (de) * 2005-01-18 2006-07-27 Vishay Semiconductor Gmbh Infrarot-Transceiver und Herstellungsverfahren
JP4698234B2 (ja) 2005-01-21 2011-06-08 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体素子
KR100631901B1 (ko) * 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지
DE102005061431B4 (de) 2005-02-03 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. LED-Einheit der Art Seitenausstrahlung
DE102005033709B4 (de) 2005-03-16 2021-12-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes Modul
CN100377376C (zh) * 2005-03-21 2008-03-26 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管反射盖制造方法
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
ES2265780B1 (es) * 2005-08-04 2007-11-16 Odeco Electronica, S.A. Valla publicitaria electronica para pie de campo.
DE102006004397A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102005059524A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
KR100649765B1 (ko) * 2005-12-21 2006-11-27 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
DE102007004579A1 (de) * 2006-01-26 2007-08-02 Eschenbach Optik Gmbh + Co. Zwischenprodukt bei der Fertigung von Lichtquellen mit optischen Vorsatz-Strahlführungselementen zur Einengung der Strahldivergenz und/oder zur Strahlformung von Lichtemittern
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7578623B2 (en) 2006-08-21 2009-08-25 Intel Corporation Aligning lens carriers and ferrules with alignment frames
US7371014B2 (en) * 2006-08-21 2008-05-13 Intel Corporation Monolithic active optical cable assembly for data device applications and various connector types
DE102006046678A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
DE102007004807A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
DE102007021904A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
DE102007015474A1 (de) 2007-03-30 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
DE102007046348A1 (de) 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit Glasabdeckung und Verfahren zu dessen Herstellung
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
DE102008011282A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuseanordnung und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
JP5426091B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-26 豊田合成株式会社 発光装置
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
DE102008025159A1 (de) 2008-05-26 2009-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Reflexlichtschranke und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
US20110260192A1 (en) * 2008-10-01 2011-10-27 Chang Hoon Kwak Light-emitting diode package using a liquid crystal polymer
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
DE102010004825A1 (de) * 2010-01-15 2011-07-21 Schott Ag, 55122 Kollimierte Lichtquelle und Verfahren zu deren Herstellung
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101859149B1 (ko) 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102010053809A1 (de) 2010-12-08 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung eines derartigen Bauelements
JP2012155034A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置
WO2012127355A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Substrate for mounting a plurality of light emitting elements
JP2012230264A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置
WO2013031319A1 (ja) 2011-08-29 2013-03-07 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置およびテレビ受像機
US8529140B2 (en) * 2011-11-01 2013-09-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for use in a parallel optical communications system for passively aligning an optics module with optoelectronic devices of the parallel optical communications module
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
DE102013100121A1 (de) * 2013-01-08 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5998962B2 (ja) * 2013-01-31 2016-09-28 三菱電機株式会社 半導体光装置
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
DE102013220960A1 (de) * 2013-10-16 2015-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014101787B4 (de) * 2014-02-13 2021-10-28 HELLA GmbH & Co. KGaA Verfahren zum Aufbau eines LED-Lichtmoduls
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
US10765009B2 (en) 2016-12-21 2020-09-01 Lumileds Llc Method for addressing misalignment of LEDs on a printed circuit board
US10194495B2 (en) * 2016-12-21 2019-01-29 Lumileds Llc Method for addressing misalignment of LEDs on a printed circuit board
DE102017115798A1 (de) 2017-07-13 2019-01-17 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056199A (ja) * 1973-09-14 1975-05-16
JPS582080A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Nippon Denyo Kk Ledランプ
JPS62105486A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 Koudenshi Kogyo Kenkyusho:Kk アタツチメントレンズ付光電変換素子
JPS6381992A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd 光電子装置
JPS63193579A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Toshiba Corp 光半導体装置
JPS63191647U (ja) * 1987-05-29 1988-12-09

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914786A (en) * 1974-04-19 1975-10-21 Hewlett Packard Co In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes
US4000437A (en) * 1975-12-17 1976-12-28 Integrated Display Systems Incorporated Electric display device
JPS55105388A (en) * 1979-02-07 1980-08-12 Toshiba Corp Manufacture of light emission display device
JPS5785273A (en) * 1980-11-17 1982-05-27 Toshiba Corp Photo-semiconductor device
US4439006A (en) * 1981-05-18 1984-03-27 Motorola, Inc. Low cost electro-optical connector
DE3128187A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
FR2520935B1 (fr) * 1982-01-29 1985-09-27 Radiotechnique Compelec Procede pour coupler un element d'optique avec un corps semi-conducteur plan photoactif, et dispositif semi-conducteur photoactif obtenu par ce procede
DE3231277A1 (de) * 1982-08-23 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart
JPS6020587A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Sanyo Electric Co Ltd 光結合器の製造方法
GB2147148A (en) * 1983-09-27 1985-05-01 John Patrick Burke Electronic circuit assembly
JPS6142939A (ja) * 1984-08-07 1986-03-01 Yamagata Nippon Denki Kk チツプ型半導体装置
DE8500013U1 (de) * 1985-01-04 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optisches Sender- oder Detektorbauelement mit variabler Abstrahl- bzw. Empfangscharakteristik
DE3675734D1 (de) * 1985-09-30 1991-01-03 Siemens Ag Bauelement fuer die oberflaechenmontage und verfahren zur befestigung eines bauelements fuer die oberflaechenmontage.
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
JPH0719892B2 (ja) * 1986-07-12 1995-03-06 キヤノン株式会社 半導体受光装置の封止方法
DE3703423A1 (de) * 1987-02-05 1988-08-25 Kuhnke Gmbh Kg H Mehrpolige elektrische steckverbinder-vorrichtung
JP2522304B2 (ja) * 1987-05-29 1996-08-07 ソニー株式会社 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法
JPH01108753A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Fuji Electric Co Ltd 光電半導体装置
US4814947A (en) * 1988-02-17 1989-03-21 North American Philips Corporation Surface mounted electronic device with selectively solderable leads
US4897711A (en) * 1988-03-03 1990-01-30 American Telephone And Telegraph Company Subassembly for optoelectronic devices
US4945400A (en) * 1988-03-03 1990-07-31 At&T Bell Laboratories Subassembly for optoelectronic devices
US4930857A (en) * 1989-05-19 1990-06-05 At&T Bell Laboratories Hybrid package arrangement

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056199A (ja) * 1973-09-14 1975-05-16
JPS582080A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Nippon Denyo Kk Ledランプ
JPS62105486A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 Koudenshi Kogyo Kenkyusho:Kk アタツチメントレンズ付光電変換素子
JPS6381992A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd 光電子装置
JPS63193579A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Toshiba Corp 光半導体装置
JPS63191647U (ja) * 1987-05-29 1988-12-09

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05218507A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
US7675132B2 (en) 1997-12-15 2010-03-09 Osram Gmbh Surface mounting optoelectronic component and method for producing same
JP2003512727A (ja) * 1999-10-18 2003-04-02 オブシェストボ エス オグラノチェノイ オトヴェツトヴェノスチウ “コルヴェト−ライツ” 発光ダイオード
JP2003075690A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Matsushita Electric Works Ltd トランスミッタ及びレシーバ
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
JP2004363454A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Stanley Electric Co Ltd 高信頼型光半導体デバイス
JPWO2005091386A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 東芝ライテック株式会社 照明装置
US8932886B2 (en) 2004-06-04 2015-01-13 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP2011176347A (ja) * 2004-06-04 2011-09-08 Cree Inc 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージ
US8446004B2 (en) 2004-06-04 2013-05-21 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP2008502159A (ja) * 2004-06-04 2008-01-24 クリー インコーポレイテッド 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
US7901113B2 (en) 2004-10-07 2011-03-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
JP2006156662A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
US7695177B2 (en) 2004-12-02 2010-04-13 Olympus Corporation Optical device and illumination device
JP2006173561A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co Ltd ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
JP4523496B2 (ja) * 2004-12-16 2010-08-11 ソウル半導体株式会社 発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
JP2009206529A (ja) * 2004-12-16 2009-09-10 Seoul Semiconductor Co Ltd ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
US8525206B2 (en) 2005-02-28 2013-09-03 Osram Opto Semiconductor Gmbh Illumination device
JP2008532300A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 照明装置
KR101285492B1 (ko) * 2005-02-28 2013-07-12 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 조명장치
JP2013070082A (ja) * 2005-02-28 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh 照明装置
JP2006295082A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Citizen Electronics Co Ltd 光源体
JP4743844B2 (ja) * 2005-04-14 2011-08-10 シチズン電子株式会社 光源体
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led
JP2007027765A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ
US8030762B2 (en) 2006-04-05 2011-10-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
US8304279B2 (en) 2006-04-05 2012-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
JP2007281468A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd アノダイジング絶縁層を有するledパッケージおよびその製造方法
JP2007288014A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Pioneer Electronic Corp 発光ダイオード用キャップ
US8376680B2 (en) 2009-02-10 2013-02-19 Rolls-Royce Plc Assembly
JP2016029687A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0400176A1 (de) 1990-12-05
US5040868A (en) 1991-08-20
DE58909888D1 (de) 2003-06-12
EP0400176B1 (de) 2000-07-26
EP1022787A1 (de) 2000-07-26
DE58909875D1 (de) 2000-08-31
ES2150409T3 (es) 2000-12-01
EP1187227A3 (de) 2002-08-28
EP1022787B2 (de) 2012-07-11
EP1187227A2 (de) 2002-03-13
EP1022787B1 (de) 2003-05-07
DE58909888C5 (de) 2017-03-02
JP2962563B2 (ja) 1999-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0311771A (ja) 表面実装可能なオプトデバイス
US5947578A (en) Back lighting device
JP5006781B2 (ja) 面発光システムの実装方法及び面発光システム
KR101093324B1 (ko) 발광 다이오드를 구비한 백라이트 유닛
EP0573520B1 (en) Optoelectronic component
JP5311779B2 (ja) Led発光装置
US20040175189A1 (en) Light-emitting diode carrier
JPH07235207A (ja) バックライト
JP2006508514A (ja) 複数の光源を用いる照明システム
WO2009041767A2 (en) Led package and back light unit using the same
JPH0983018A (ja) 発光ダイオードユニット
KR20060131805A (ko) 고상 광소자를 포함하는 표시 장치와 이를 사용하는 방법
JP2002043630A (ja) 液晶バックライト用光源モジュール
JPH1184137A (ja) 線状照明装置及びそれを用いた画像読取装置
KR19990013827A (ko) 선 형상 조명장치 및 그것을 이용한 화상 판독장치
US5198655A (en) Image reading device having a light waveguide means widened toward an end nearest to an image surface
US6570188B1 (en) Optoelectronic component for data transmission
JP2687859B2 (ja) 光路変換方法
EP2405501B1 (en) Molded light emitting device package
CN112946836A (zh) 一种光发射组件及其装配方法
JPH0935594A (ja) 光センサ
JP2001134220A (ja) 発光ダイオード表示装置
US20240085645A1 (en) Assembly alignment structure for optical component
US6808321B2 (en) Optical communication module
CN217513778U (zh) 定位组装治具

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806

Year of fee payment: 11