DE19536454B4 - Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement - Google Patents
Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE19536454B4 DE19536454B4 DE19536454A DE19536454A DE19536454B4 DE 19536454 B4 DE19536454 B4 DE 19536454B4 DE 19536454 A DE19536454 A DE 19536454A DE 19536454 A DE19536454 A DE 19536454A DE 19536454 B4 DE19536454 B4 DE 19536454B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chip
- carrier part
- chip carrier
- semiconductor
- component according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
– der Halbleiterchip (1) auf dem Chipträgerteil (2) innerhalb einer an diesem ausgebildeten Wanne, deren Innenfläche (5) derart ausgebildet ist, dass sie einen Reflektor für die vom Halbleiterchip (1) ausgesandte und/oder empfangene Strahlung bildet, befestigt ist und
– der Halbleiterchip (1) und ein Teilbereich des Leiterrahmens von der Umhüllung (3) umgeben sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
– eine vom Halbleiterchip abgewandte Rückseite des Chipträgerteiles (2) zumindest teilweise derart aus der Umhüllung (3) herausragt, daß der Chipträgerteil (2) im Bereich der Wanne (4) von außerhalb elektrisch und/oder thermisch anschließbar ist.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
- Ein solches Halbleiterbauelement ist beispielsweise aus der europäischen Patentanmeldung
EP 400 176 A1 - Die Druckschriften
US 3,820,237 ,US 3,914,786 und4,255,688 beschreiben jeweils ein Leuchtdiodenbauelement, bei dem ein LED-Chip in einer Reflektorwanne auf einem metallischen Leadframe angeordnet ist und die Reflektorwanne vollständig mit Kunststoff umhüllt ist. - Die Offenlegungsschrift
DE 31 29 996 A1 beschreibt einen Optokoppler, bei dem ein freier Anschluß eines symmetrischen Leiterrahmens zur Verbesserung des Wärmeverhaltens des Bauelements mit dem Trägerteil einer LED verbunden ist. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art so weiterzubilden, daß es eine erhöhte Strahlstärke aufweist und in einfacher Weise hergestellt werden kann. Außerdem soll dieses Halbleiterbauelement eine gute Wärmeableitung vom Halbleiterchip aufweisen.
- Diese Aufgaben werden durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Die Erfindung wird anhand von zwei Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den
1a und1b näher erläutert. Es zeigen: -
1a eine Draufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, und -
1b einen Schnitt durch das erste Ausführungsbeispiel. - Bei dem Halbleiterbauelement der
1a und1b handelt es sich um eine sogenannte Top-LED in SMD-Bauweise. Diese setzt sich zusammen aus einem metallenen Leiterrahmen, bestehend aus einem Chipträgerteil2 und einem Anschlußteil10 mit jeweils zwei externen Anschlüssen11 ,12 , einem auf dem Chipträgerteil2 befestigten Strahlung aussendenden Halbleiterchip1 und einer quaderförmigen Umhüllung3 . Der Halbleiter chip1 weist an seiner Oberseite und an seiner Unterseite jeweils eine Kontaktmetallisierung16 ,17 auf. Die Kontaktmetallisierung17 an der Unterseite ist beispielsweise mittels eines metallischen Lotes oder eines elektrisch leitenden Klebstoffes mit dem Chipträgerteil2 und die Kontaktmetallisierung16 an der Oberseite ist mittels eines Bonddrahtes20 , der z. B. aus Gold oder einem anderen geeigneten metallischen Werkstoff besteht, mit dem Anschlußteil10 elektrisch leitend verbunden. In dem Chipträgerteil2 ist in dem Bereich, in dem der Halbleiterchip1 befestigt ist, beispielsweise mittels Prägen eine Wanne4 ausgebildet, deren Innenfläche5 annähernd die Form eines auf den Kopf gestellten Kegelstumpfes aufweist und für die vom Halbleiterchip1 ausgesandte Strahlung einen Reflektor bildet. Die externen Anschlüsse11 ,12 des Chipträgerteiles2 und des Anschlußteiles10 ragen jeweils auf gegenüberliegenden Seiten aus dieser Umhüllung3 heraus und sind außerhalb der Umhüllung3 an der Umhüllung3 entlang zunächst nach unten und anschließend nach innen in Richtung zur Mitte der Umhüllung3 gebogen. Sie können jedoch auch jede beliebige andere Form aufweisen. - Die Umhüllung
3 ist zweiteilig aus einem strahlungsundurchlässigen Grundkörper7 mit einer Ausnehmung8 und einem diese Ausnehmung8 ausfüllenden strahlungsdurchlässigen Fensterteil9 gefertigt. Der Grundkörper7 und der Fensterteil9 bestehen beispielsweise aus einem gefüllten Kunstharz oder aus einem Thermoplast bzw. aus einem transparenten Kunstharz oder Polycarbonat. Als Füllstoff für Kunstharz kommen beispielsweise Metallpulver, Metalloxide, Metallcarbonate oder Metallsilikate in Frage. Der Chipträgerteil2 und der Anschlußteil10 sind so von dem strahlungsundurchlässigen Grundkörper7 umgeben bzw. in diesen eingebettet, daß ein Teilbereich des Anschlußteiles10 und ein Teilbereich des Chipträgerteiles2 , in dem sich die Wanne4 befindet, auf der Innenfläche13 der Ausnehmung8 aufliegt. Die Innenfläche13 der Ausnehmung8 ragt nach oben über die Wanne4 hinaus. - Bei einer bevorzugten Weiterbildung des ersten Ausführungsbeispieles ist die Innenfläche der Wanne
4 und evtl. auch der an das Fensterteil9 angrenzende Teil der Oberseite des Anschlußteiles10 zur Verbesserung der Reflexion poliert oder mit einem reflexionssteigernden Material beschichtet. Als reflexionssteigerndes Material eignet sich beispielsweise ein glänzender Lack oder Aluminium, das aufgedampft, aufgesputtert oder mittels eines anderen geeigneten Verfahrens aufgebracht wird. Ebenso können auch die nicht vom Chipträgerteil2 und Anschlußteil10 bedeckten Bereiche der Innenfläche13 mit einer reflexionssteigernden Schicht versehen sein, so daß auch diese Bereich die vom Halbleiterchip1 ausgesandte Strahlung in die vorgesehene Hauptstrahlrichtung6 reflektieren. Hierzu eignet sich z. B. wiederum ein glänzender Lack oder Aluminium, das nach den oben genannten Verfahren aufgebracht wird. - Denkbar wäre auch, daß die Ausnehmung
8 nicht vollständig von dem Fensterteil9 ausgefüllt ist, sondern daß nur der Halbleiterchip1 und die Wanne4 oder jeder andere beliebige Teilbereich der Ausnehmung8 von dem Fensterteil umgeben bzw. bedeckt ist. Ebenso kann der Fensterteil9 so gefertigt sein, daß dieser über die Oberkante der Ausnehmung8 hinausragt. - Zur Verbesserung der Wärmeableitung vom Halbleiterchip
1 können, wie in den1a und1b gezeigt, die externen Anschlüsse11 des Chipträgerteiles2 breiter sein als die externen Anschlüsse12 des Anschlußteiles10 . Ebenso kann, falls notwendig bzw. möglich, vom Chipträgerteil2 nur ein externer Anschluß11 oder eine Mehrzahl (> 2) externer Anschlüsse11 aus der Umhüllung herausgeführt sein. Das gleiche gilt für den Anschlußteil10 . - Bei einem möglichen Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nach dem Ausführungsbeispiel kann im Falle, daß der Grundkörper
7 aus einem Thermoplasten oder einem anderen temperaturstabilen Material besteht, der Leiterrahmen zunächst mit dem Grundkörpermaterial umhüllt werden, anschließend der Halbleiterchip und der Bonddraht befestigt werden und abschließend die Ausnehmung8 mit dem Material des Fensterteiles9 gefüllt werden. - Der Chipträgerteil
2 ist derart in den Grundkörper7 eingebettet, daß die Bodenwandung18 der Wanne4 auf der Unterseite des Grundkörpers aus diesem herausragt. Dadurch ist es möglich, den Chipträgerteil2 direkt von außen zu kontaktieren, indem dieser beispielsweise direkt auf eine Leiterplatte geklebt oder gelötet wird. Darüber hinaus besitzen in diesem Ausführungsbeispiel die externen Anschlüsse11 des Chipträgerteiles2 eine größere Breite als die externen Anschlüsse12 des Anschlußteiles10 . Durch diese Maßnahmen, einzeln oder in Kombination, ist eine verbesserte Wärmeableitung vom Halbleiterchip1 gewährleistet. - Das zweite Ausführungsbeispiel weist bis auf den Unterschied, daß die Umhüllung vollständig aus einem transparenten Material, beispielsweise ein transparentes Kunstharz, gefertigt ist, sämtliche Merkmale des ersten Ausführungsbeispieles auf.
- Die oben beschriebenen Ausführungsformen bzw. -beispiele des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements sind nicht nur auf die Verwendung eines Strahlung aussendenden Halbleiterchips
1 eingeschränkt sondern können ebenso für Photodioden-, Phototransistor- und andere Strahlung empfangende Halbleiterchips eingesetzt werden. Die Wanne4 ist in diesem Fall so ausgebildet, daß die durch den Fensterteil9 einfallende Strahlung in Richtung Halbleiterchip reflektiert wird.
Claims (9)
- Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement mit einem Strahlung aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (
1 ), mit einem elektrischen Leiterrahmen, der einen Chipträgerteil (2 ) und einen Anschlußteil (10 ) aufweist, und mit einer Umhüllung (3 ), bei dem: – der Halbleiterchip (1 ) auf dem Chipträgerteil (2 ) innerhalb einer an diesem ausgebildeten Wanne, deren Innenfläche (5 ) derart ausgebildet ist, dass sie einen Reflektor für die vom Halbleiterchip (1 ) ausgesandte und/oder empfangene Strahlung bildet, befestigt ist und – der Halbleiterchip (1 ) und ein Teilbereich des Leiterrahmens von der Umhüllung (3 ) umgeben sind, dadurch gekennzeichnet, daß – eine vom Halbleiterchip abgewandte Rückseite des Chipträgerteiles (2 ) zumindest teilweise derart aus der Umhüllung (3 ) herausragt, daß der Chipträgerteil (2 ) im Bereich der Wanne (4 ) von außerhalb elektrisch und/oder thermisch anschließbar ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Chipträgerteil (
2 ) mit zwei externen Anschlüssen (11 ) versehen ist, die an einander gegenüberliegenden Seitenflächen aus der Umhüllung (3 ) herausragen. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußteil (
10 ) mit zwei externen Anschlüssen (12 ) versehen ist, die an einander gegenüberliegenden Seitenflächen aus der Umhüllung (3 ) herausragen. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Innenflächen (
5 ) der Wanne (4 ) mit einem reflektionssteigernden Material beschichtet ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die externen Anschlüsse (
11 ) des Chipträgerteiles (2 ) breiter sind als die externen Anschlüsse (12 ) des Anschlußteiles (10 ). - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (
3 ) vollständig aus einem strahlungsdurchlässigen Material besteht. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (
3 ) einen Grundkörper (7 ) mit einer Ausnehmung (8 ) und einen in der Ausnehmung (8 ) angeordneten strahlungsdurchlässigen Fensterteil (9 ) aufweist und daß der strahlungsundurchlässige Grundkörper (7 ) zumindest einen Teilbereich des Chipträgerteils (2 ) umhüllt, derart, daß zumindest die Wanne (4 ) in der Ausnehmung (8 ) angeordnet ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberkante (
14 ) der Wanne (4 ) unterhalb der Oberkante (15 ) der Ausnehmung (8 ) verläuft und daß der Teilbereich der Innenfläche (13 ) der Ausnehmung, die nicht von der Wanne (4 ) bedeckt ist, derart ausgebildet ist, daß er für die vom Halbleiterchip (1 ) ausgesandte Strahlung einen Reflektor bildet. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Innenflächen (
13 ) der Ausnehmung (8 ) mit einem reflektionssteigernden Material beschichtet ist.
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19549818A DE19549818B4 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
PCT/DE1996/001730 WO1997012386A2 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-13 | Optoelektronisches halbleiter-bauelement |
US09/043,840 US6459130B1 (en) | 1995-09-29 | 1996-09-13 | Optoelectronic semiconductor component |
EP01127563A EP1199753A3 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-13 | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
DE59609374T DE59609374D1 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-13 | Optoelektronisches halbleiter-bauelement |
EP96942999A EP0852816B1 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-13 | Optoelektronisches halbleiter-bauelement |
TW085111461A TW315528B (de) | 1995-09-29 | 1996-09-19 | |
MYPI96004006A MY115210A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Optoelectronic semiconductor component |
US10/173,055 US6927469B2 (en) | 1995-09-29 | 2002-06-17 | Surface mountable light emitting or receiving device |
US10/819,638 US6975011B2 (en) | 1995-09-29 | 2004-04-06 | Optoelectronic semiconductor component having multiple external connections |
US11/002,959 US7199454B2 (en) | 1995-09-29 | 2004-12-02 | Optoelectronic semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19549818A DE19549818B4 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19536454A1 DE19536454A1 (de) | 1997-04-03 |
DE19536454B4 true DE19536454B4 (de) | 2006-03-09 |
Family
ID=35871000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19536454A Expired - Lifetime DE19536454B4 (de) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19536454B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007040874A1 (de) | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0646971B1 (de) | 1993-09-30 | 1997-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2001518692A (ja) * | 1997-07-29 | 2001-10-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 光電素子 |
DE19829197C2 (de) | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
DE19947044B9 (de) * | 1999-09-30 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE19963264B4 (de) * | 1999-12-17 | 2007-05-31 | Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. | Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement |
DE10117889A1 (de) | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10117890B4 (de) * | 2001-04-10 | 2007-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement |
AUPR598201A0 (en) * | 2001-06-28 | 2001-07-19 | Showers International Pty Ltd | Light assembly for solid state light devices |
DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10308917A1 (de) * | 2003-02-28 | 2004-09-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit metallisiertem Reflektor |
DE102004014207A1 (de) | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper |
DE102004040468B4 (de) * | 2004-05-31 | 2022-02-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement |
US8975646B2 (en) | 2004-05-31 | 2015-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component |
DE102004057804B4 (de) * | 2004-11-30 | 2010-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäusekörper für einen Halbleiterchip aus gegossener Keramik mit reflektierender Wirkung und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR100924474B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2009-11-03 | 쿄세라 코포레이션 | 발광장치 |
TWI302041B (en) * | 2006-01-19 | 2008-10-11 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode packaging structure |
DE102006008793A1 (de) | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil |
EP2073280A1 (de) | 2007-12-20 | 2009-06-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Reflektive Sekundäroptik und Halbleiterbaugruppe sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008003971A1 (de) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit Schutzrahmen |
DE102008049399B4 (de) * | 2008-09-29 | 2021-09-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
DE102013110355A1 (de) | 2013-09-19 | 2015-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Leiterrahmenverbunds |
JP2019017734A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 新日本無線株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3820237A (en) * | 1971-05-17 | 1974-06-28 | Northern Electric Co | Process for packaging light emitting devices |
US3914786A (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-21 | Hewlett Packard Co | In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes |
US4255688A (en) * | 1977-12-15 | 1981-03-10 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Light emitter mounted on reflector formed on end of lead |
DE3129996A1 (de) * | 1981-07-29 | 1983-02-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optokoppler |
DE3148843C2 (de) * | 1981-12-10 | 1986-01-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung |
EP0400176A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement |
US5298768A (en) * | 1992-02-14 | 1994-03-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Leadless chip-type light emitting element |
DE4232644A1 (de) * | 1992-09-29 | 1994-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
-
1995
- 1995-09-29 DE DE19536454A patent/DE19536454B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3820237A (en) * | 1971-05-17 | 1974-06-28 | Northern Electric Co | Process for packaging light emitting devices |
US3914786A (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-21 | Hewlett Packard Co | In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes |
US4255688A (en) * | 1977-12-15 | 1981-03-10 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Light emitter mounted on reflector formed on end of lead |
DE3129996A1 (de) * | 1981-07-29 | 1983-02-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optokoppler |
DE3148843C2 (de) * | 1981-12-10 | 1986-01-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung |
EP0400176A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement |
US5298768A (en) * | 1992-02-14 | 1994-03-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Leadless chip-type light emitting element |
DE4232644A1 (de) * | 1992-09-29 | 1994-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Siemens Components" 28 (1990) H. 6, S. 254 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007040874A1 (de) | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19536454A1 (de) | 1997-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19549818B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement | |
DE19536454B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement | |
EP1095411B1 (de) | Strahlungaussendendes und/oder -empfangendes bauelement | |
EP2267798B1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
EP2062301B1 (de) | Gehäuse für optoelektronisches bauelement und anordnung eines optoelektronischen bauelementes in dem gehäuse | |
DE60318611T2 (de) | Lichtemittierende Diode | |
DE102016119002B4 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
DE102005013265A1 (de) | Leuchtdiode | |
DE102005028748A1 (de) | Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse | |
WO2011157515A1 (de) | Optoelektronisches bauteil | |
WO2009076922A1 (de) | Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement | |
EP2327110B1 (de) | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils | |
DE102005037888A1 (de) | Leuchtdiodengehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102012217623A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE102021208179A1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE19963264B4 (de) | Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement | |
DE10032839A1 (de) | Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE29824728U1 (de) | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement | |
DE102008043345A1 (de) | Leuchtmodul | |
DE202008000420U1 (de) | Rundstrahlende Leuchtdiode | |
DE102013218058A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
EP2608285A1 (de) | Leuchtdiodenanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG, 93049 RE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG, |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref document number: 19549818 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref document number: 19549818 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, , DE |
|
R008 | Case pending at federal patent court | ||
R039 | Revocation action filed |
Effective date: 20110706 |
|
R020 | Patent grant now final | ||
R040 | Withdrawal/refusal of revocation action now final |
Effective date: 20130821 |
|
R071 | Expiry of right |