JP2005217337A - 光学デバイス - Google Patents
光学デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005217337A JP2005217337A JP2004025063A JP2004025063A JP2005217337A JP 2005217337 A JP2005217337 A JP 2005217337A JP 2004025063 A JP2004025063 A JP 2004025063A JP 2004025063 A JP2004025063 A JP 2004025063A JP 2005217337 A JP2005217337 A JP 2005217337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- base
- opening
- taper
- translucent member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Abstract
【解決手段】光学デバイスは、基台10と、基台10に取り付けられた受発光素子15及び透光板16とを備えている。基台10の開口部12の側面25には、モールド樹脂の抜き勾配であるテーパが形成されている。透光板16の側面26にも、上方に向かうほど拡大する抜き勾配に相当するテーパが形成されていて、各側面25,26は接着剤層20を挟んで互いに係合している。透光板16に代えてホログラムを配置してもよい。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスは、主要部材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部12を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられた受発光素子15と、基台10の開口部12の側面に係合して取り付けられたガラスからなる透光板16と、透光板16と基台10とを機械的に接続するための接着剤層20とを備えている。ここで、本実施形態の受発光素子15は、CCD固体撮像素子等の受光素子のみである。ただし、CCD固体撮像素子及びその上に搭載された半導体レーザ(発光素子)を含むものであってもよい。その場合には、本実施形態の光学デバイスと光ピックアップ等に組み込む際に、透光板16をはずしてから、第3の実施形態に示すようなホログラムを基台10に取り付けることになる(ホログラムユニット)。そして、ホログラムを取り付ける場合には、最終的に鏡筒は取り付けられないのが一般的である。
図2(a)〜(f)は、第1の実施形態に係る光学デバイスの製造工程を示す断面図である。ただし、図2(a)〜(c)に示す工程において、2個の光学デバイス形成領域のみが表示されているが、一般には、図2(a)〜(c)に示す工程においては、多数の光学デバイス形成領域を碁盤目状に有するリードフレームを用いて製造工程が進められる。
図4は、第2の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスは、主要部材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部12を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられたCCD及びCCD上に取り付けられた半導体レーザからなる受発光素子15と、基台10の上面側に開口部12を挟んで受発光素子15に対向するように取り付けられた樹脂からなるホログラム17と、ホログラム17と基台10とを機械的に接続するための接着剤層20とを備えている。
図5(a),(b),(c)は、それぞれ順に、第1及び第2の実施形態の第1,第2,第3の変形例に係る光学デバイスの一部を示す部分断面図である。
12 開口部
14 配線
14a 内部端子部
14b 外部端子部
14x リードフレーム
15 受発光素子
15a 受発光領域
15b パッド電極
16 透光板
17 ホログラム
18 バンプ
20 接着剤層
21 半田ボール
22 シール樹脂
25 側面
25a 下部側面
25b 上部側面
26 側面
27 下部側面
30 モールド金型
30a ダイキャビティ
Claims (10)
- 側面がモールド樹脂の抜き勾配に相当する,上面側で広くなるテーパを有する開口部が設けられた環状の基台と、
平面視で上記基台の開口部内に受発光領域が位置するように取り付けられた受発光素子と、
側面の少なくとも一部が上記基台の開口部側面と係合するように下面側で広くなるテーパを有する透光性部材と、
上記基台の開口部側面と上記透光性部材の側面との間隙に設けられた接着剤層と
を備えている光学デバイス。 - 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
上記基台の開口部側面のテーパ角は、1〜20°の範囲にある,光学デバイス。 - 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
上記基台の開口部側面のテーパ角は、3〜12°の範囲にある,光学デバイス。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
上記基台の開口部側面の上面側領域には、上記抜き勾配に相当するテーパよりもテーパ角の大きいもう1つのテーパが形成されている,光学デバイス。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
上記基台の開口部側面には、段差が形成されている,光学デバイス。 - 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
上記透光性部材は、ガラス窓であり、
上記透光性部材の上面と上記基台の上面との高さ位置の差は、300μm以下である,光学デバイス。 - 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
上記透光性部材は、ガラス窓であり、
上記透光性部材の上面と上記基台の上面との高さ位置の差は、100μm以下である,光学デバイス。 - 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
上記透光性部材は、ホログラムである,光学デバイス。 - 配線パターンを有するリードフレームを、側壁にリードフレームから遠ざかるほど狭くなる抜き勾配が形成されたダイキャビティに設置する工程(a)と、
上記工程(a)の後で、モールド工程を行なって、上記抜き勾配に相当するテーパが形成された側面を有する開口部を囲む複数の光学デバイス形成領域を有する成形体を形成する工程(b)と、
上記工程(b)の後で、上記成形体を切断することにより、上記成形体から分離された分離体を形成する工程(c)と、
上記工程(b)の後で、上記成形体又は分離体の上記開口部の下側に受発光素子を取り付ける工程(d)と、
上記工程(b)の後で、上記成形体又は分離体の上記開口部の側面に、上記抜き勾配に相当するテーパが形成された透光性部材の側面の少なくとも一部を接着剤層を介して係合させる工程(e)と
を含む光学デバイスの製造方法。 - 請求項9記載の光学デバイスの製造方法において、
上記工程(a)では、上記配線となるリードフレームを封止テープの上に載置した状態でモールド金型に取り付ける,光学デバイスの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025063A JP2005217337A (ja) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 光学デバイス |
CNB2004100857567A CN100433344C (zh) | 2004-02-02 | 2004-10-11 | 光学器件 |
US10/962,594 US7242538B2 (en) | 2004-02-02 | 2004-10-13 | Optical device |
KR1020040082116A KR20050078633A (ko) | 2004-02-02 | 2004-10-14 | 광학디바이스 |
TW093131227A TWI236155B (en) | 2004-02-02 | 2004-10-14 | Optical device |
EP04024782A EP1560270A3 (en) | 2004-02-02 | 2004-10-18 | Optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025063A JP2005217337A (ja) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 光学デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005217337A true JP2005217337A (ja) | 2005-08-11 |
Family
ID=34650877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004025063A Pending JP2005217337A (ja) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 光学デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7242538B2 (ja) |
EP (1) | EP1560270A3 (ja) |
JP (1) | JP2005217337A (ja) |
KR (1) | KR20050078633A (ja) |
CN (1) | CN100433344C (ja) |
TW (1) | TWI236155B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095875A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Denso Corp | 半導体装置の取付構造 |
JP2012112535A (ja) * | 2012-03-22 | 2012-06-14 | Nsk Ltd | 玉軸受 |
JP2013229675A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Sony Corp | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4170968B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2008-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイス |
JP2008277593A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板、それを用いた光学デバイス、カメラモジュール、およびその製造方法 |
KR100896645B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 패키지 |
JP2009277950A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | 光学半導体装置 |
JP5093121B2 (ja) * | 2009-01-06 | 2012-12-05 | 日立電線株式会社 | 光モジュール |
JP5389970B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2014-01-15 | シャープ株式会社 | 撮像モジュール、および撮像モジュールの製造方法 |
US11942496B2 (en) | 2020-06-04 | 2024-03-26 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Slanted glass edge for image sensor package |
KR20220051486A (ko) * | 2020-10-19 | 2022-04-26 | 삼성전자주식회사 | 투명 커버를 갖는 이미지 센서 패키지 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0400176B1 (de) * | 1989-05-31 | 2000-07-26 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements |
ATE149743T1 (de) * | 1990-04-27 | 1997-03-15 | Omron Tateisi Electronics Co | Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit fresnel-linse |
DE19549818B4 (de) * | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
JP4372241B2 (ja) | 1998-08-05 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
TW454309B (en) | 2000-07-17 | 2001-09-11 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Package structure of CCD image-capturing chip |
JP2002043553A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
DE10151113B4 (de) * | 2001-10-15 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2003174574A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
KR100514917B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2005-09-14 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 고체 촬상소자 장착용 패키지 |
-
2004
- 2004-02-02 JP JP2004025063A patent/JP2005217337A/ja active Pending
- 2004-10-11 CN CNB2004100857567A patent/CN100433344C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-13 US US10/962,594 patent/US7242538B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-14 KR KR1020040082116A patent/KR20050078633A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-10-14 TW TW093131227A patent/TWI236155B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-18 EP EP04024782A patent/EP1560270A3/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095875A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Denso Corp | 半導体装置の取付構造 |
JP4591297B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置の取付構造および半導体装置の取付方法 |
JP2012112535A (ja) * | 2012-03-22 | 2012-06-14 | Nsk Ltd | 玉軸受 |
JP2013229675A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Sony Corp | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1560270A2 (en) | 2005-08-03 |
CN1652342A (zh) | 2005-08-10 |
EP1560270A3 (en) | 2006-07-19 |
CN100433344C (zh) | 2008-11-12 |
KR20050078633A (ko) | 2005-08-05 |
US7242538B2 (en) | 2007-07-10 |
US20050168845A1 (en) | 2005-08-04 |
TWI236155B (en) | 2005-07-11 |
TW200527685A (en) | 2005-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4606063B2 (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
US7511367B2 (en) | Optical device and method for fabricating the same | |
US7528884B2 (en) | Optical device | |
JP4170950B2 (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
US8077248B2 (en) | Optical device and production method thereof | |
JP2009081346A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
JP2008277593A (ja) | 回路基板、それを用いた光学デバイス、カメラモジュール、およびその製造方法 | |
JP2005217337A (ja) | 光学デバイス | |
JP4428526B2 (ja) | 光学デバイス | |
JP2009111334A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス | |
JP4196937B2 (ja) | 光学装置 | |
JP4444931B2 (ja) | 光学デバイスの製造方法 | |
JP2007165749A (ja) | 内側へボンディングされた映像検知チップと回路板とのアセンブリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090722 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |