JP4170950B2 - 光学デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置や、光ピックアップシステムに用いられる受光デバイスや、ホログラムユニットなどの光学デバイスおよびその製造方法に関する。
近年、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等に内蔵されている光学デバイスは、CCD等の撮像素子を絶縁性材料からなる基台などのアダプタ部材に搭載した状態で、受光領域を透光板で覆ってパッケージされ、パッケージ体として提供される。
ところで、光学デバイスの小型化のために、撮像素子は、ベアチップのままで基台などのアダプタ部材に搭載される(例えば、特許文献1を参照)。
図6は、従来の光学デバイスの構造を示す断面図である。同図に示すように、光学デバイスは、主要部材として、セラミックまたは可塑性樹脂からなり、中央部に開口部132を有する枠状の基台131と、基台131の下面側に取り付けられたCCD等からなる撮像素子135と、基台131の上面側に開口部132を挟んで撮像素子135に対向するように取り付けられたガラスからなる透光板136とを備えている。
基台131の下面における開口部132の周縁に沿った領域には凹部133が形成されており、基台131の下面における開口部132の近傍から基台131の外周側面に亘る領域を覆う,金メッキ層からなる配線134が設けれている。撮像素子135は、基台131の下面のうち凹部133の周縁部に取り付けられており、受光領域135aが開口132に露出するように配置されている。
また、撮像素子135の上面における外周付近には、撮像素子135と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド(図示せず)が設けられている。また、配線134における開口部132に隣接した端部に内部端子部が形成されており、配線134の内部端子部と電極パッドとがバンプ(突起電極)138を挟んで電気的に接続されている。そして、撮像素子135,配線134及びバンプ138は、基台131の下面上で撮像素子135の周囲に設けられたシール樹脂137によって密封されている。
以上のように、撮像素子135の受光領域135aは、開口部132に形成された閉鎖空間内に配置されている。この光学デバイスは、同図に示されるように、透光板136を上方に向けた状態で回路基板上に搭載される。そして、配線134における凹部133よりも外側にはみ出た領域のうち基台131の下面上に位置する部分に外部端子部が形成されており、この外部端子部が回路基板上の電極と接続するために用いられる。
また、同図には示されていないが、透光板136の上方には、撮像光学系が組み込まれた鏡筒が装着される。この鏡筒と受光領域135aとの相互の位置関係は、所定の誤差内に収まるように、その要求精度が定められている。
そして、鏡筒に組み込まれた撮像光学系を通して、被撮像対象からの光が撮像素子135の受光領域135aに集光され、撮像素子135によって光電変換される。
なお、図6に示される基台131の構造とは異なり、撮像素子135が搭載される面に凹部133が形成されていない,全体として平坦な平板形状を有する基台を用いた光学デバイスの例も知られている(例えば、特許文献2を参照)。その場合には、基台の開口部周縁からはみ出た外周部に配置された外部端子部と、回路基板上の電極とは、径の大きいハンダボール等により接続される。そして、ハンダボールにより、撮像素子の下面と回路基板の上面との間隔が調節される。
このような構造の固体撮像装置は、パッケージの高さや占有面積が小さく、高密度実装に適している。
また、DVD,CD,MD等の記録媒体との間で情報の書き込み,読み出し,書き換えなどを行なう光ピックアップシステムに用いられる受光デバイスや、光ピックアップ中の複数の要素を一体化したホログラムユニットなどの光学デバイスにおいても、基本的には同様の構成が採用されている。
特開2000−58805号公報 特開2002−43554号公報
しかしながら、図6に示される従来の光学デバイスの構造では、固体撮像装置や光ピックアップなどのシステム全体としての集約度が十分でなく、まだ改善の余地がある。
本発明の目的は、配線をモールドする際のスペースを利用して、集約度の高い光学デバイス及びその製造方法を提供することにある。
本発明の光学デバイスは、光学素子チップ及び透光性部材を取り付けるための基台を構成するモールド樹脂により、配線と共に半導体チップ及び金属細線等の接続部材をモールドして形成されている。
これにより、光学素子チップと周辺回路等を含む半導体チップとを1パッケージ化することができ、集約度の高い光学デバイスを得ることができる。また、光学デバイスが組み込まれるシステム全体の小型化,コストの低減を図ることができる。
基台の厚みが実質的に一定である,つまり,平板状であることにより、光学素子チップが取り付けられる面の平坦度を高く保持することができるので、光学部品の取り付けの安定化及び取り付け精度の向上を図ることができる。
半導体チップは、配線上に搭載されていることが好ましい。
本発明の光学デバイスの製造方法は、配線パターンを有するリードフレームと半導体チップと半導体チップ−リードフレーム間を接続する接続部材とをモールドして、各々開口部を囲む複数の光学デバイス形成領域を有する成形体を形成する方法である。
この方法により、モールド樹脂内のスペースを利用して半導体チップを配線と共にモールドすることができる。
本発明の光学デバイス及びその製造方法によれば、光学素子チップ,透光性部材,配線などを連結するための基台を構成するモールド樹脂により、半導体チップや接続部材を配線と共にモールドすることにより、光学素子チップと周辺回路用の半導体チップとを1パッケージ化することができる。
(第1の実施形態)
−光学デバイスの構造−
図1(a),(b)は、順に、第1の実施形態に係る光学デバイスのIA−IA線における断面図及び裏面図である。ただし、図1(a)と図1(b)とは、互いに異なる縮尺で描かれている。
同図に示すように、本実施形態の光学デバイスは、エポキシ樹脂等の可塑性樹脂からなり、中央部に開口部2を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられた光学素子チップ5と、基台10の上面側に開口部2を挟んで光学素子チップ5に対向するように取り付けられたガラスなどからなる透光性部材である窓部材6と、半田ボール13とを備えている。基台10は、光学デバイスの光学素子チップ窓部材6とを連結する部材である。この構造は、モールド工程を行なってから光学素子チップを基台10上に搭載する手順により形成されるので、いわゆるプリモールド構造といわれている。
本実施形態においては、光学素子チップは、CCD等の固体撮像素子を搭載しており、光学デバイスは、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等に用いられる固体撮像装置である。
ただし、光学素子チップが、固体撮像素子に代えて複数の受光素子を離散的に配置したものでもよく、その場合には、光学デバイスは、DVD,CD,MDなどを備えたシステムに用いられる光ピックアップに配置される受光デバイスである。
基台10内には配線12が埋め込まれており、配線12の一方の端部は基台10の下面の開口部2付近の領域で基台10を構成するモールド樹脂から露出して内部端子部12aとなり、配線12の他方の端部は基台10の下面の外縁部において基台10を構成するモールド樹脂から露出して外部端子部12bとなっている。
さらに、基台10内には、光学素子チップ5の周辺回路などを内蔵した半導体チップ51と、半導体チップのパッド電極と配線12とを接続するための金属細線52とが埋め込まれている。ここで、半導体チップ51内に内蔵されている集積回路装置は、光学素子チップ5のドライバ回路,各種ロジック回路,フロントエンド回路,タイミングジェネレータなどの周辺回路や、メモリなどである。
図2は、半導体チップ51が基台10を構成するモールド樹脂によってモールドされている構造の例を示す斜視図である。同図においては、モールド樹脂は破線で表示して、透明体として扱っている。同図に示すように、半導体チップ51は、例えば1つの配線12上に接着剤(図示せず)を介して固着されており、半導体チップ51のパッド電極(図示せず)と配線12とが、金属細線52によって電気的に接続されている。ただし、半導体チップは必ずしも配線12上に搭載されている必要はなく、光学素子チップにつながる支持部材上に搭載されていてもよいし、後述する製造工程において、接着剤が設けられた封止テープ上に半導体チップが固着されていてもよい。
光学素子チップ5は、基台10の下面のうち開口部2の周辺に位置する領域に、その受光領域が設けられた主面5aが開口部2に露出するように取り付けられている。光学素子チップ5の上面における外周付近には、光学素子チップ5と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド5bが設けられている。そして、配線12の内部端子部12aと電極パッド5bとがバンプ(突起電極)8を挟んで電気的に接続されている。つまり、バンプ8を介して光学素子チップ5の電極パッド5bと接続されている。そして、光学素子5,配線12及びバンプ8は、基台10の下面上で光学素子チップ5の周囲に設けられたシール樹脂7によって密封されている。一方、基台10の上面上では、基台10と透光性部材6との間の間隙が、透光性部材6の周囲に設けられたシール樹脂15によって密封されている。
本実施形態において、パッケージ体全体の厚みは、例えば1.5mm以下に設定されている。そして、半導体チップ51の大きさは、縦0.5〜5mm,横0.5〜5mm,厚さ0.05〜0.5mmの範囲であり、光学素子チップ5の大きさは、縦1〜10mm,横1〜10mm,厚さ0.1mm〜0.5mmの範囲である。
本実施形態の光学デバイスによると、基台10を構成するモールド樹脂により、配線12と共に半導体チップ51や金属細線52等の接続部材をモールドしたことにより、光学素子チップと周辺回路等を含む半導体チップとを1パッケージ化することができ、集約度の高い光学デバイスが得られる。また、光学デバイスが組み込まれるカメラ等のシステム全体の小型化と製造コストの低減とを図ることできる。
なお、本実施形態の基台10に代えて、図6に示す凹部を有する基台131内に半導体チップや金属細線等を埋め込む構造を採用することによっても、光学素子チップと周辺回路等を含む半導体チップとを1パッケージ化するという効果は発揮することができる。
−光学デバイスの製造工程−
図3(a)〜(f)は、本発明の実施形態に係る光学デバイスの製造工程を示す断面図である。ただし、図3(a)〜(c)に示す工程において、2個の光学デバイス形成領域のみが表示されているが、一般には、図3(a)〜(c)に示す工程においては、多数の光学デバイス形成領域を碁盤目状に有するリードフレームを用いて製造工程が進められる。
また、図4(a),(b)は、実施形態に係る光学デバイスの製造工程のうちモールド工程を示す断面図である。
まず、図3(a)に示す工程で、配線パターンが形成されたリードフレーム12xを封止テープ20の上に載置する。このとき、リードフレーム12xの配線となる部分には、図2に示した状態で半導体チップ51,金属細線52等が取り付けられている。リードフレーム12xの大部分は、その下部にハーフエッチ又はプレスされてなる凹部が設けられ、外部端子部12b又は内部端子部12aとなる部分だけが、凹部の底面から下方に突出した構造となっている。
次に、図3(b)に示す工程で、モールド工程を行なう。すなわち、図3(a),(b)に示すように、リードフレーム12xに封止テープ20を取り付けたものを、モールド金型30に装着し、エポキシ樹脂などの可塑性樹脂(モールド樹脂)をモールド金型30のダイキャビティ30aに充填して、リードフレーム12xの内部端子部12a及び外部端子部12b以外の部分をモールド樹脂内に埋め込んで成形体10xを形成する。このとき、半導体チップ51及び金属細線もモールド樹脂内に埋め込まれる。モールド金型30の各ダイキャビティ30a間を隔てる仕切部30bにはモールド樹脂が充填されないので、成形体10xの各光学デバイス形成領域の中央部には、光学素子を取り付けるための開口部2が形成される。
次に、図3(c)に示す工程で、封止テープ20を成形体10xから剥がした後、成形体10xを内部端子部12a及び外部端子部12bが露出している面を上方に向けて設置して、外部端子部12bの上に半田ボール13を形成する。
次に、図3(d)に示す工程で、ブレードにより、成形体10xの相隣接する光学デバイス形成領域間の境界部分を切り込み部の中央部分で切断して、成形体10xから個々の光学デバイスの基台10(分離体)を形成する。このとき、基台10には、それぞれ多数の内部端子部12a及び外部端子部12bを有する配線10と共に、半導体チップ51及び金属細線52が埋め込まれている。
次に、図3(e)に示す工程で、基台10の上に光学素子5をその主面5aを下方に向けて搭載する。そのとき、各基台10の内部端子部12aの上にバンプ8を設けて、バンプ8の上に光学素子チップ5の電極パッド5bを接続させ、シール樹脂7によって接続部の間隙を埋める。
次に、図3(f)に示す工程で、基台10の光学素子チップ5が搭載された側(下面)を下方に向けて、基台10の上面に開口部2を覆うガラスからなる窓部材6を載置して、シール樹脂15によって窓部材6と基台10との間隙を埋め、開口部を密封する。
本実施形態の製造方法によると、図3(a)に示す工程で、リードフレーム12x上に半導体チップ51及び金属細線52を搭載しておいて、図3(b)に示す工程で、半導体チップ51及び金属細線52をリードフレーム12x(配線)とともにモールド樹脂によりモールドすることにより、モールド樹脂内のスペースを利用して、集約度の高い光学デバイスを容易に製造することができる。
なお、図3(d)に示す切断工程は、図3(e)に示す光学素子チップの取り付け工程の後、又は、図3(f)に示す窓部材6の取り付け工程の後で行なうことも可能である。
なお、実施形態における製造工程においては、リードフレームを封止テープの上に載置した状態でモールド工程を行なったが、必ずしも封止テープを用いる必要はない。ただし、封止テープを用いた場合には、リードフレームの上下面を、上金型および下金型でクランプすることにより、金型面とリードフレームの上下面が密着した状態を安定して得ることができる。その結果、成形による樹脂ばりの発生が効果的に抑制されるとともに、外部端子部が封止樹脂から突出した構造が得られるので、光学デバイスをマザーボードに取り付ける際の半田接合が容易になるなど、実装の容易化,迅速化を図ることができる。
(第2の実施形態)
図5(a),(b)は、順に、第2の実施形態に係る光学デバイスのVA−VA線における断面図及び裏面図である。ただし、図5(a)と図5(b)とは、互いに異なる縮尺で描かれている。
同図に示すように、本実施形態の光学デバイスは、エポキシ樹脂等の可塑性樹脂からなり、中央部に開口部2を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられた光学素子チップ5と、基台10の上面側に開口部2を挟んで光学素子チップ5に対向するように取り付けられた光学用樹脂などからなるホログラム40と、半田ボール13とを備えている。基台10は、光学デバイスの光学素子チップとホログラム40とを連結する部材である。この構造は、モールド工程を行なってから光学素子チップを基台上に搭載する手順により形成されるので、いわゆるプリモールド構造といわれている。本実施形態においては、光学素子チップ5は、発光ダイオードなどの発光素子5cと受光素子5dとを搭載して構成されており、光学デバイスは、DVD,CD,MDなどを備えたシステムに用いられる光ピックアップ中の複数の要素を組み込んだホログラムユニットである。
基台10内には配線12が埋め込まれており、配線12の一方の端部は基台10の下面の開口部2付近の領域で基台10を構成するモールド樹脂から露出して内部端子部12aとなり、配線12の他方の端部は基台10の下面の外縁部において基台10を構成するモールド樹脂から露出して外部端子部12bとなっている。
さらに、基台10内には、光学素子チップ5の周辺回路などを内蔵した半導体チップ51と、半導体チップのパッド電極と配線12とを接続するための金属細線52とが埋め込まれている。ここで、半導体チップ51内に内蔵されている集積回路装置は、光学素子チップ5内の発光素子や受光素子のドライバ回路,各種ロジック回路,フロントエンド回路,タイミングジェネレータなどの周辺回路や、メモリなどである。
本実施形態においても、半導体チップ51が基台10を構成するモールド樹脂によってモールドされている構造は、第1の実施形態における図2に示す構造と基本的には同じである。すなわち、半導体チップ51は、例えば1つの配線12上に接着剤を介して固着されており、半導体チップ51のパッド電極と配線12とが、金属細線52によって電気的に接続されている。ただし、半導体チップは必ずしも配線12上に搭載されている必要はなく、光学素子チップにつながる支持部材上に搭載されていてもよいし、後述する製造工程において、接着剤が設けられた封止テープ上に半導体チップが固着されていてもよい。
光学素子チップ5は、基台10の下面のうち開口部2の周辺に位置する領域に、発光素子5cや受光素子5dが設けられた主面5aが開口部2に露出するように取り付けられている。光学素子チップ5の上面における外周付近には、光学素子チップ5の発光素子5cや受光素子5dと外部機器との間で信号を授受するための電極パッド5bが設けられている。そして、配線12の内部端子部12aと電極パッド5bとがバンプ(突起電極)8を挟んで電気的に接続されている。つまり、バンプ8を介して光学素子チップ5の電極パッド5bと接続されている。そして、光学素子チップ5,配線12及びバンプ8は、基台10の下面上で光学素子チップ5の周囲に設けられたシール樹脂7によって密封されている。
ホログラム40は、例えば光学用樹脂などの透光性材料からなる本体部40aと、本体部40の上面に設けられたホログラム領域40bとを有している。ホログラム40の本体部40aの外周部及び下面において接着剤15によって基台10の上端部に固着されている。そして、接着剤15によりホログラム40と基台10との間隙が埋められて内部空間2が密封されて、パッケージ体が構成されている。
ホログラム40の高さは例えば0.5〜10mmの範囲であり、パッケージ体全体の厚みは、例えば1.5mm以下に設定されている。なお、半導体チップ51の大きさは第1の実施形態と同じであり、光学素子チップ5の大きさは、縦1〜10mm,横1〜10mm,厚さ0.1〜1.0mmの範囲である。
本実施形態の光学デバイスによると、基台10を構成するモールド樹脂により、配線12と共に半導体チップ51や金属細線52等の接続部材をモールドしたことにより、ホログラムに加えて光学素子チップと周辺回路等を含む半導体チップとを1パッケージ化することができ、集約度の高いホログラムユニットが得られる。また、ホログラムユニットが組み込まれる光ピックアップのシステム全体の小型化と製造コストの低減とを図ることできる。
なお、本実施形態の基台10に代えて、図6に示す凹部を有する基台131内に半導体チップや金属細線等を埋め込む構造を採用することによっても、光学素子チップと周辺回路等を含む半導体チップとを1パッケージ化するという効果は発揮することができる。
本発明に係る光学デバイスは、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等の部品、あるいは、DVD,CD,MDなどを利用するシステムの光ピックアップに利用することができる。
(a),(b)は、順に、第1の実施形態に係る光学デバイスのIA−IA線における断面図及び裏面図である。 第1の実施形態における半導体チップが基台を構成するモールド樹脂内に埋め込まれている構造の例を示す斜視図である。 (a)〜(f)は、第1の実施形態に係る光学デバイスの製造工程を示す断面図である。 (a),(b)は、第1の実施形態に係る光学デバイスの製造工程のうちモールド工程を示す断面図である。 (a),(b)は、順に、第2の実施形態に係る光学デバイスのVA−VA線における断面図及び裏面図である。 従来の光学デバイスの構造を示す断面図である。
符号の説明
2 開口部
光学素子チップ
5a 主面
5b パッド電極
6 窓部材
7 シール樹脂
8 バンプ
10 基台
10x 成形体
12 配線
12a 内部端子部
12b 外部端子部
13 半田ボール
15 シール樹脂
20 封止テープ
30 モールド金型
30a ダイキャビティ
30b 仕切部
40 ホログラム
40a 本体部
40b ホログラム領域
51 半導体チップ
52 金属細線

Claims (9)

  1. 開口部を有するようにモールド樹脂によってモールドしてなる平板状の基台と、
    上記基台の入光方向に対峙する第1の面に上記開口部を覆って取り付けられた透光性部材と、
    上記基台を構成する上記モールド樹脂内に埋め込まれ、上記基台の上記第1の面に対向する第2の面における上記開口部の周辺に位置する領域に内部端子部を露出させると共に、上記第2の面における上記基台の外縁部に位置する領域に外部端子部を露出させた複数の配線と、
    上記基台の上記第2の面に、上記開口部を覆い且つその主面を上記透光性部材に向けて取り付けられ、その電極が上記内部端子部に電気的に接合された光学素子チップと、
    上記基台を構成する上記モールド樹脂内に埋め込まれた半導体チップと、
    上記基台を構成する上記モールド樹脂内に埋め込まれ、上記半導体チップと上記モールド樹脂内に埋め込まれた上記配線とを電気的に接続する接続部材と
    を備えている光学デバイス。
  2. 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
    配線はリードフレームである,光学デバイス。
  3. 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
    上記基台の厚みが実質的に一定である,光学デバイス。
  4. 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記半導体チップは、上記配線上に搭載されている,光学デバイス。
  5. 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記光学素子チップは、撮像素子を搭載しており、
    固体撮像装置である,光学デバイス。
  6. 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記光学素子チップは、受光素子を搭載しており、
    光ピックアップ装置に組み込まれている,光学デバイス。
  7. 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記透光性部材は、ホログラムであり、
    上記光学素子チップは、受光素子と発光素子とを搭載しており、
    ホログラムユニットである,光学デバイス。
  8. 配線パターンを有し、下部に内部端子部及び外部端子となる凸部が設けられたリードフレームを準備する工程と、
    上記リードフレームの上方に半導体チップを載置し、上記半導体チップ−上記リードフレーム間を接続部材により電気的に接続する工程と、
    各々開口部を有する複数の光学デバイス形成領域を含み、各前記光学デバイス形成領域内に上記半導体チップ及び上記リードフレームを埋め込むと共に上記開口部の周辺に位置する領域に上記内部端子を露出させ且つ外縁部に位置する領域に上記外部端子を露出させるようにモールド樹脂によってモールドしてなる成形体を形成する工程と、
    上記成形体を切断することにより、上記開口部を有する個別の平板状の基台を形成する工程と、
    上記基台の上面に上記開口部を覆って透光性部材を取り付ける工程と、
    上記基台の下面に上記開口部を覆って、光学素子チップをその電極と上記内部端子部とが電気的に接続され且つその主面が上記透光性部材に向くように取り付ける工程と
    を含む光学デバイスの製造方法。
  9. 請求項8記載の光学デバイスの製造方法において、
    前記成形体を形成する工程において、配線となるリードフレームを封止テープの上に載置した状態でモールド金型に取り付けて、樹脂モールドを行ない、上記樹脂モールド後に封止テープを剥がす,光学デバイスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7674225B2 (en) 2004-03-26 2010-03-09 International Innovative Solutions, Llc Anatomic device

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7492023B2 (en) * 2004-03-26 2009-02-17 Fujifilm Corporation Solid state imaging device
KR100731123B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100731120B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
SG139570A1 (en) * 2006-07-13 2008-02-29 Avago Technologies General Ip A miniature composite assembly that incorporates multiple devices that use different wavelengths of light and a method for making the composite assembly
JP5349024B2 (ja) * 2007-11-29 2013-11-20 京セラ株式会社 光学装置および光学装置の製造方法
JP2011023595A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Renesas Electronics Corp 固定撮像素子
US8265487B2 (en) * 2009-07-29 2012-09-11 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method
US9113862B2 (en) 2010-09-30 2015-08-25 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Surgical stapling instrument with a variable staple forming system
JP5634380B2 (ja) 2011-10-31 2014-12-03 アオイ電子株式会社 受光装置およびその製造方法
US9716193B2 (en) * 2012-05-02 2017-07-25 Analog Devices, Inc. Integrated optical sensor module
JP6409575B2 (ja) * 2013-01-30 2018-10-24 パナソニック株式会社 積層型半導体装置
US10884551B2 (en) 2013-05-16 2021-01-05 Analog Devices, Inc. Integrated gesture sensor module
US9142695B2 (en) * 2013-06-03 2015-09-22 Optiz, Inc. Sensor package with exposed sensor array and method of making same
US9590129B2 (en) 2014-11-19 2017-03-07 Analog Devices Global Optical sensor module
KR102259146B1 (ko) 2015-03-05 2021-06-01 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
WO2017080526A1 (zh) * 2015-11-13 2017-05-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其电气支架和组装方法
CN105611135B (zh) * 2015-11-13 2019-03-19 宁波舜宇光电信息有限公司 系统级摄像模组及其电气支架和制造方法
CN109510932B (zh) * 2016-02-18 2021-05-04 宁波舜宇光电信息有限公司 基于模塑工艺的摄像模组及其模塑线路板组件及制造方法
JP7015686B2 (ja) * 2017-12-14 2022-02-03 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
US10712197B2 (en) 2018-01-11 2020-07-14 Analog Devices Global Unlimited Company Optical sensor package
EP3840353A4 (en) * 2018-08-21 2021-09-15 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. CAMERA MODULE, PHOTOSENSITIVE MOLDING ASSEMBLY AND ITS MANUFACTURING PROCESS, AND ELECTRONIC DEVICE
US20240006439A1 (en) * 2020-12-03 2024-01-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor module and method for manufacturing the same

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648131A (en) * 1969-11-07 1972-03-07 Ibm Hourglass-shaped conductive connection through semiconductor structures
US5113466A (en) * 1991-04-25 1992-05-12 At&T Bell Laboratories Molded optical packaging arrangement
JP2843464B2 (ja) 1992-09-01 1999-01-06 シャープ株式会社 固体撮像装置
JP3412609B2 (ja) 1992-10-22 2003-06-03 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
US5406543A (en) * 1993-04-07 1995-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Optical head with semiconductor laser
EP0630056B1 (en) * 1993-05-28 1998-02-18 Toshiba Ave Co., Ltd Use of anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board with electrode pads of photoelectric converting device and mounting method of the device
US5489771A (en) * 1993-10-15 1996-02-06 University Of Virginia Patent Foundation LED light standard for photo- and videomicroscopy
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
JP3239640B2 (ja) 1994-10-04 2001-12-17 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3318811B2 (ja) * 1994-12-29 2002-08-26 ソニー株式会社 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
US6795120B2 (en) * 1996-05-17 2004-09-21 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
US6331692B1 (en) * 1996-10-12 2001-12-18 Volker Krause Diode laser, laser optics, device for laser treatment of a workpiece, process for a laser treatment of workpiece
JP3443406B2 (ja) 1997-02-10 2003-09-02 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置
KR100500919B1 (ko) 1997-02-10 2005-07-14 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법
JP3447510B2 (ja) * 1997-04-09 2003-09-16 Necエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
JPH11260996A (ja) 1998-03-16 1999-09-24 Matsushita Electron Corp 光学半導体装置とその製造方法
EP1022822B1 (en) * 1998-08-05 2007-12-12 Seiko Epson Corporation Optical module
JP4372241B2 (ja) 1998-08-05 2009-11-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6590152B1 (en) * 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2001077277A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
FR2800911B1 (fr) * 1999-11-04 2003-08-22 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication d'un tel boitier
US6396116B1 (en) 2000-02-25 2002-05-28 Agilent Technologies, Inc. Integrated circuit packaging for optical sensor devices
TW441134B (en) * 2000-03-06 2001-06-16 Lin Hung Ming Chip photosensor assembly
TW454309B (en) 2000-07-17 2001-09-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure of CCD image-capturing chip
CN1259732C (zh) * 2000-09-29 2006-06-14 欧姆龙株式会社 光学器件及其应用
TW548843B (en) 2001-02-28 2003-08-21 Fujitsu Ltd Semiconductor device and method for making the same
US6798031B2 (en) * 2001-02-28 2004-09-28 Fujitsu Limited Semiconductor device and method for making the same
US20040012698A1 (en) * 2001-03-05 2004-01-22 Yasuo Suda Image pickup model and image pickup device
JP2003229627A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Hitachi Ltd 光デバイスの実装方法及び光ヘッド装置
US7274094B2 (en) * 2002-08-28 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Leadless packaging for image sensor devices
JP4554152B2 (ja) * 2002-12-19 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体チップの作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7674225B2 (en) 2004-03-26 2010-03-09 International Innovative Solutions, Llc Anatomic device

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