JP4170968B2 - 光学デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等のカメラ類や、CD,DVD,MDなどの光ピックアップシステムに用いられる光学チップを搭載して構成される光学デバイスに関する。
近年、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等のカメラ類や、CD,DVD,MDなどの光ピックアップシステムに配置される光学デバイスは、光学チップを絶縁性材料からなる基台に搭載した状態で、主面を透光板で覆ってパッケージされ、パッケージ体として提供される。
図9は、従来の光学デバイスの一種である固体撮像装置の構造を示す断面図である(特許文献1参照)。同図に示すように、固体撮像装置は、主要部材として、熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部132を有する枠状の基台131と、基台131の下面側に取り付けられたCCD等からなる固体撮像素子135と、基台131の上面側に開口部132を挟んで固体撮像素子135に対向するように取り付けられたガラスからなる透光板136と、透光板136と基台131とを機械的に接続するための接着剤層140とを備えている。
また、基台131の下面には、樹脂内に埋め込まれた金メッキ層からなる配線134が設けられている。固体撮像素子135は、基台131の下面に取り付けられており、受光領域135aが開口132に露出するように配置されている。
また、固体撮像素子135には、固体撮像素子135と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド(図示せず)が設けられている。また、配線134における開口部132に隣接した端部に内部端子部が樹脂から露出されており、配線134の内部端子部と固体撮像素子の電極パッドとがバンプ(突起電極)138を挟んで電気的に接続されている。さらに、配線134の外部端子部に半田ボール141が付設されている。そして、固体撮像素子135,配線134及びバンプ138は、基台131の下面上で固体撮像素子135の周囲に設けられたシール樹脂137によって密封されている。
この固体撮像装置は、同図に示されるように、透光板136を上方に向けた状態で回路基板上に搭載される。そして、基台131の上には、同図の破線に示すように、撮像光学系が組み込まれた鏡筒が装着される。この鏡筒と基台131との相互の位置関係は、所定の誤差内に収まるように、その要求精度が定められている。
以上のように、固体撮像素子135の受光領域135aは、平面視で開口部132内に配置されている。そして、鏡筒に組み込まれた撮像光学系を通して、被撮像対象からの光が固体撮像素子135の受光領域135aに集光され、固体撮像素子135によって光電変換される。
なお、図9に示される基台131の構造とは異なり、固体撮像素子が搭載される面に凹部が形成されている基台を用いた固体撮像装置の例も知られている(例えば、特許文献2を参照)。
なお、受光素子と発光素子とを配置する場合には、比較的小さい発光素子を受光素子の上に搭載した構造を採るのが一般的である。
また、最近では、受光素子と発光素子とを配置した光学デバイスも実用化されており、その場合、透光板136に代えて、基台131の上にホログラムを取り付けることになる(ホログラムユニット)。
特開2002−43554号公報 特開2000−58805号公報
しかしながら、図9に示される従来の固体撮像装置の構造において、図9に示される寸法Hの制約が厳しいために、以下のような不具合があった。
すなわち、図9に示す寸法Hの許容範囲は、ある上限値(例えば350μm程度の値)以下に定められている。一方、透光板136(ガラス板)は、その強度の確保にはある程度の厚みが必要であり,しかも厚みの製造ばらつきを考慮すると、許容される接着剤層140の厚みAの上限は極めて小さくなってしまう。ところが、接着剤層140をあまりに薄くすると、基台131と透光板136との接合強度が極めて弱くなり、信頼性が劣化するおそれがある。
透光板136に代えてホログラムを基台131上に載置する構造においても、同様の不具合がある。
本発明の目的は、上述のような寸法制限を満たしつつ、接着強度を確保する手段を講ずることにより、信頼性の高い光学デバイスを提供することにある。
本発明の光学デバイスは、窓部材,ホログラムなどを取り付けるための環状の基台の上面に、凹部を形成し、凹部に接着剤層を設けたものである。
これにより、基台の上面と透光性部材の下面との間隙を狭くしても、凹部における接着剤層の厚みは十分厚くすることができるので、基台と透光性部材との機械的接続強度を高く維持することができ、よって、高さ寸法の縮小を図りつつ、光学デバイスの信頼性の向上を図ることができる。
凹部としては、開口部に接する領域に形成された斜面状凹部と、溝状凹部とがある。
基台の主面に、接着剤層の接着剤の流れを抑制する流れ抑制部を設けることにより、接着剤のはみ出しを防止することができる。
流れ抑制部としては、荒仕上げ領域,環状凸部,環状溝部などがある。
基台には、光学デバイスに付設される部材の取り付け位置の基準となる位置決め孔や、基台に対する光学チップの相対的な位置の基準となる位置決め孔が設けられてることにより、光学デバイスをその利用システムに組立む際の手間が簡素化され、かつ、組立精度が向上する。
本発明の光学デバイスによると、全体の厚みを薄く維持しつつ、基台と透光性部材との間の接着剤層を厚くして信頼性の高い光学デバイスが得られる。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスは、主要部材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部12を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられた光学チップ15と、基台10の上面側に開口部12を挟んで光学チップ15に対向するように取り付けられたガラスからなる透光板16と、透光板16と基台10とを機械的に接続するための接着剤層20とを備えている。ここで、本実施形態の光学チップ15は、CCD固体撮像素子等の受光素子のみである。ただし、受光素子及び半導体レーザ(発光素子)を搭載したものであってもよい。その場合には、本実施形態の光学デバイスと光ピックアップ等に組み込む際に、透光板16をはずしてから、第5の実施形態に示すようなホログラムを基台10上に取り付けることになる(ホログラムユニット)。
また、基台10の下面には、樹脂内に埋め込まれた金メッキ層からなる配線14が設けられている。光学チップ15は、基台10の下面に取り付けられており、主面15aが開口部12に露出するように配置されている。
また、光学チップ15には、光学チップ15と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド(図示せず)が設けられている。また、配線14における開口部12に隣接した端部に内部端子部が形成されており、配線14の内部端子部と電極パッドとがバンプ(突起電極)18を挟んで電気的に接続されている。さらに、配線14の外部端子部に半田ボール21が付設されている。そして、光学チップ15,配線14及びバンプ18は、基台10の下面上で光学チップ15の周囲に設けられたシール樹脂22によって密封されている。
この光学デバイスは、同図に示されるように、透光板16を上方に向けた状態で回路基板上に搭載される。そして、基台10の上には、同図の破線に示すように、撮像光学系が組み込まれた鏡筒が装着される。この鏡筒と基台10との相互の位置関係は、所定の誤差内に収まるように、その要求精度が定められている。基台10には、基台10への鏡筒の取り付け位置を規定する第1位置決め孔10bが形成されている。さらに、第1位置決め孔10bとは同心位置に第1位置決め孔10bよりも小径で光学チップ15の基台10への取り付け位置を規制するための第2位置決め孔10cが形成されている。つまり、各位置決め孔10b,10cは、段付き孔を構成している。ただし、位置決め孔10b,10cは、必ずしも設けられていなくてもよい。
以上のように、光学チップ15の主面15aは、平面視で開口部12内に配置されている。そして、鏡筒に組み込まれた光学系を通して、被撮像対象からの光が光学チップ15の主面15aに集光される。
ここで、本実施形態においては、図1に示すように、基台10の上面には、平坦部11aと凹部である斜面状凹部11bとが形成されている。そして、接着剤層20は、基台10の平坦部11aの一部及び斜面状凹部11bの全体と透光板16の下面との間隙を埋めるように形成されている。さらに、基台10の平坦部11aの少なくとも斜面状凹部11bに接する領域,斜面状凹部11b及び開口部12の内壁面は、表面粗さRzが例えば5μm〜35μmの荒仕上げ領域10fとなっている。この荒仕上げ領域10fは、サンドブラスト処理された封止金型を用いて樹脂封止工程を行なうことにより形成されている。そして、平坦部11a等の表面粗さが大きいことにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cや開口部12への侵入がくい止められている。ただし、開口部12側への接着剤の侵入が問題とならない場合には、斜面状凹部11bや開口部12の内壁面まで荒く仕上げられている必要はない。つまり、荒仕上げ領域10fは、少なくとも基台10の平坦部11a(上面)のうち透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位までの領域に形成されていれば、接着剤の流れを抑制する機能は得られる。また、表面を荒くする処理として、サンドブラスト以外の処理,例えばエッチングなどを用いることも可能である。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
また、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内や開口部12側に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aの一部などの表面粗さが大きいので、接着剤の流れがくい止められて、位置決め孔10b,10cや開口部12への接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しによる不具合を防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
ここで、本実施形態における基台10の上面の平坦部11aと斜面状凹部11bとの境界部B1は平面視において透光板16とオーバーラップした位置にある。これにより、接着剤層20を形成する際に、透光板16に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aと透光板16との間隙が変化しても、平坦部11aによって透光板16を支えつつ、斜面状凹部11bと透光板16との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
また、本実施形態における斜面状凹部11bの最下部と最上部との高さ位置の差は、100〜500μmの範囲にあることが好ましい。接着剤層20は斜面状凹部11b全体を覆っている必要はなく、斜面状凹部11bの少なくとも一部を覆っていればよい。
本実施形態の基台10の斜面状凹部11bは、その断面形状が本実施形態のように平面でなくて曲面であっても、本実施形態と同じ効果を発揮することができる。
(第2の実施形態)
図2(a)〜(d)は、第2の実施形態及び第2の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。
図2(a)に示すように、本実施形態の光学デバイスは、図1に示す第1の実施形態と基本的には同じ構造を有しているが、第1の実施形態と異なる点は、基台10の平坦部11aの表面粗さがあらく形成される代わりに、基台10の平坦部11aにおける透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に環状凸部10aが形成されている点である。そして、この環状凸部10aにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第1の変形例−
また、図2(b)に示す本実施形態の第1の変形例においては、基台10の平坦部11aにおける透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に、環状凸部に代えて環状溝部10dが形成されている。そして、この環状溝部10dにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
第1の変形例によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状溝部10dが形成されているので、接着剤の流れが環状溝部10d内の側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第2の変形例−
また、図2(c)に示す本実施形態の第2の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第2の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、環状凸部10aは、鏡筒の位置決め部材としても機能する。そして、位置決め孔10b,10cは設けられていない。すなわち、本変形例においては、環状凸部10aの内壁面により、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の外方への流れが阻止され、環状凸部10aの外壁面により鏡筒の位置決めが行なわれている。
第2の変形例によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が鏡筒を設置する領域に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの内壁面でくい止められて、鏡筒取り付け領域への接着剤の侵入が阻止されるとともに、環状凸部10aの外壁面で鏡筒の位置決めが行なわれることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第3の変形例−
また、図2(d)に示す本実施形態の第3の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第2の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、第1位置決め孔10bは設けられているが、第2位置決め孔は設けられていない。本変形例における位置決め孔10bは底付き孔であるが、貫通孔であってもよい。
第1,第2の実施形態や、第2の実施形態の第1の変形例においても、第1位置決め孔10bや第2位置決め孔10cは、必ずしも必要でない。そして、第1位置決め孔10b及び第2位置決め孔10cのうちいずれか一方あるいは双方がない構造に対しても、第1,第2の実施形態及び第2の実施形態の第1の変形例を、その効果を奏するように適用することができる。位置決め孔10b,10cがなくても、鏡筒を設置する領域に接着剤が流れ込むと、鏡筒が傾いて設置されるなど、不具合が生じるからである。
なお、第2の実施形態及びその各変形例においても、第1の実施形態と同様に、基台10の上面の平坦部11aと斜面状凹部11bとの境界部B1は平面視において透光板16とオーバーラップした位置にある。これにより、接着剤層20を形成する際に、透光板16に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aと透光板16との間隙が変化しても、平坦部11aによって透光板16を支えつつ、斜面状凹部11bと透光板16との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
また、第2の実施形態及び各変形例においても、斜面状凹部11bの最下部と最上部との高さ位置の差は、100μm〜500μmの範囲にあることが好ましい。接着剤層20は斜面状凹部11b全体を覆っている必要はなく、斜面状凹部11bの少なくとも一部を覆っていればよい。
第2の実施形態及び各変形例の基台10の斜面状凹部11bは、その断面形状が本実施形態のように平面でなくて曲面であっても、本実施形態と同じ効果を発揮することができる。
第2の実施形態及びその各変形例においても、斜面状凹部11b及び開口部12の内壁面を表面粗さRzが例えば5μm〜35μmになるように荒くしてもよく、これにより、接着剤の開口部12への侵入を阻止することができる。
(第3の実施形態)
図3は、第3の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスの構造は、凹部の形状以外の構造は、基本的には第1の実施形態と同様であるので、第1の実施形態と異なる点のみ説明する。
本実施形態の光学デバイスにおいては、基台10の上面の内周に沿って凹部として淺い溝状凹部11cが形成されている。基台10の溝状凹部11cと内周との間には平坦部11aの一部が存在している。そして、接着剤層20は、溝状凹部11cと透光板16の下面との間隙を埋めるように形成されている。基台10には、基台10への鏡筒の取り付け位置を規定する第1位置決め孔10bが形成されている。さらに、第1位置決め孔10bとは同心位置に第1位置決め孔10bよりも小径で光学チップ15の基台10への取り付け位置を規制するための第2位置決め孔10cが形成されている。つまり、各位置決め孔10b,10cは、段付き孔を構成している。ただし、位置決め孔10b,10cは、必ずしも設けられていなくてもよい。
さらに、基台10の平坦部11aの少なくとも溝状凹部11cに接する領域,溝状凹部11cの内壁面及び開口部12の内壁面は、表面粗さRzが例えば5μm〜35μmの荒仕上げ領域10fとなっている。この荒仕上げ領域10fは、サンドブラスト処理された封止金型を用いて樹脂封止工程を行なうことにより形成されている。そして、平坦部11a等の表面粗さが大きいことにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cや開口部12への侵入がくい止められている。ただし、開口部12側への接着剤の侵入が問題とならない場合には、溝状凹部11cや開口部12の内壁面まで荒く仕上げられている必要はない。つまり、荒仕上げ領域10fは、少なくとも基台10の平坦部11a(上面)のうち透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位までの領域に形成されていれば、接着剤の流れを抑制する機能は得られる。また、表面を荒くする処理として、サンドブラスト以外の処理,例えばエッチングなどを用いることも可能である。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である溝状凹部11cが形成され、溝状凹部11cと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、溝状凹部11cにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
また、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aの一部などの表面粗さが大きいので、接着剤の流れがくい止められて、位置決め孔10b,10cや開口部12への接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しによる不具合を防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
ここで、本実施形態における基台10の上面の平坦部11aのうち内周部は平面視において透光板16とオーバーラップした位置にある。これにより、透光板16に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aと透光板16との間隙が変化しても、平坦部11aによって透光板16を支えつつ、溝状凹部11cと透光板16との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
また、本実施形態における溝状凹部11cの深さは、50μm〜300μmの範囲にあることが好ましい。
なお、溝部の断面形状は、図3に示す角溝形状に限定されるものではなく、丸溝,U溝,V溝など各種の形状を採ることができる。
(第4の実施形態)
図4(a)〜(d)は、第4の実施形態及び第4の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。
図4(a)に示すように、本実施形態の光学デバイスは、図3に示す第3の実施形態と基本的には同じ構造を有しているが、第3の実施形態と異なる点は、基台10の平坦部11aの表面粗さがあらく形成される代わりに、基台10の平坦部11aにおける透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に環状凸部10aが形成されている点である。そして、この環状凸部10aにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である溝状凹部11cが形成され、溝状凹部11cと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、溝状凹部11cにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第1の変形例−
また、図4(b)に示す本実施形態の第1の変形例においては、基台10の平坦部11aにおける透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に、凸部に代えて環状溝部10dが形成されている。そして、この環状溝部10dにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
第1の変形例によると、基台10の上面に凹部である溝状凹部11cが形成され、溝状凹部11cと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、溝状凹部11cにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状溝部10dが形成されているので、接着剤の流れが凹部10d内の側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第2の変形例−
また、図4(c)に示す本実施形態の第2の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第4の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、環状凸部10aは、鏡筒の位置決め部材としても機能する。そして、位置決め孔10b,10cは設けられていない。すなわち、本変形例においては、環状凸部10aの内壁面により、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の外方への流れが阻止され、環状凸部10aの外壁面により鏡筒の位置決めが行なわれている。
また、溝状凹部11cよりも内方側の縁領域10eの上面は、平坦部11aよりも上方に位置している。平坦部11aと縁領域10eとの高さ位置の差ΔHは、10μm〜500μm程度が好ましい。これにより、透光板16の下面と、基台10の溝状凹部11cよりも内方側の縁領域10eの上面とが実質的に接触することになるので、接着剤層20の接着剤の開口部12への侵入が阻止され、より高い信頼性を発揮することができる。ここで、「実質的に接触する」とは、2つの面同士が直接接触している場合だけでなく、製造工程で2つの面同士の間に印加される圧力によっては、2つの面間にごく薄い接着剤層が残存する状態をも含む意味である。
また、溝状凹部11cよりも内方側の縁領域10eの上面を平坦部11aよりも上方に位置させて、透光板16の下面と溝状凹部11cよりも内方側の縁領域10eの上面とが接触するようにする構成は、第4の実施形態及び第4の実施形態の第1の変形例にも適用することができ、これにより、接着剤層20の接着剤の開口部12への侵入が阻止され、より高い信頼性を発揮することができる。その場合にも、両者の高さ位置の差ΔHは、10μm〜500μm程度が好ましい。
第2の変形例によると、基台10の上面に凹部である溝状凹部11cが形成され、溝状凹部11cと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aと透光板16との間隙を狭くしても、溝状凹部11cにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が鏡筒を設置する領域に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが凸部10aの内壁面でくい止められて、鏡筒取り付け領域への接着剤の侵入が阻止されるとともに、凸部10aの外壁面で鏡筒の位置決めが行なわれることになる。
よって、透光板16の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
また、縁領域10eの上面は平坦部11aよりも上方に位置して、透光板16の下面と縁領域10eの上面とが接触するように構成することにより、接着剤層20の接着剤の開口部12への侵入が阻止され、より高い信頼性を発揮することができる。
−第3の変形例−
また、図4(d)に示す本実施形態の第3の変形例においては、平坦部11aは、溝状凹部11cよりも内方側の縁領域10eのみであり、溝状凹部11cよりも外方側の領域は、全て環状凸部10aとなっている。そして、透光板16の下面と縁領域10eの上面とが接触するように構成されている。言い換えると、溝状凹部11cの内方側の縁領域10eの上面は、外方側の領域である環状凸部10aよりも下方に位置している。また、本変形例においては、第1位置決め孔10bは設けられているが、第2位置決め孔は設けられていない。本変形例における位置決め孔10bは底付き孔であるが、貫通孔であってもよい。
第4の実施形態や、第4の実施形態の第1の変形例においても、第1位置決め孔10bや第2位置決め孔10cは、必ずしも必要でない。そして、第1位置決め孔10b及び第2位置決め孔10cのうちいずれか一方あるいは双方がない構造に対しても、第4の実施形態及び第4の実施形態の第1の変形例を、その効果を奏するように適用することができる。位置決め孔10b,10cがなくても、鏡筒を設置する領域に接着剤が流れ込むと、鏡筒が傾いて設置されるなど、不具合が生じるからである。
なお、第4の実施形態及びその各変形例においても、第3の実施形態と同様に、基台10の上面の平坦部11aのうち内周部は平面視において透光板16とオーバーラップした位置にある。これにより、透光板16に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aと透光板16との間隙が変化しても、平坦部11aによって透光板16を支えつつ、溝状凹部11cと透光板16との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
第4の実施形態及びその各変形例の基台10の溝状凹部11cの深さは、50μm〜300μmの範囲にあることが好ましい。
なお、溝部の断面形状は、図4(a)〜(d)に示す角溝形状に限定されるものではなく、丸溝,U溝,V溝など各種の形状を採ることができる。
第4の実施形態及びその各変形例においても、溝状凹部11cの内壁面や開口部12の内壁面を表面粗さRzが例えば5μm〜35μmになるように荒くしてもよく、これにより、接着剤の開口部12への侵入を阻止することができる。
(第5の実施形態)
図5は、第5の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスは、主要部材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部12を有する枠状の基台10と、主面15a上に受光素子及び半導体レーザ(発光素子)を搭載し、基台10の下面側に取り付けられた光学チップ15と、基台10の上面側に開口部12を挟んで光学チップ15の主面15aに対向するように取り付けられた樹脂からなるホログラム17と、ホログラム17と基台10とを機械的に接続するための接着剤層20とを備えている。
基台10の上面には、平坦部11aと凹部である斜面状凹部11bとが形成されている。そして、接着剤層20は、基台10の平坦部11aの一部及び斜面状凹部11bの全体とホログラム17下面との間隙を埋めるように形成されている。
また、基台10の下面には、樹脂内に埋め込まれた金メッキ層からなる配線14が設けられている。光学チップ15は、基台10の下面に取り付けられており、主面15aが開口部12に露出するように配置されている。
また、光学チップ15には、光学チップ15と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド(図示せず)が設けられている。また、配線14における開口部12に隣接した端部に内部端子部が形成されており、配線14の内部端子部と電極パッドとがバンプ(突起電極)18を挟んで電気的に接続されている。さらに、配線14の外部端子部に半田ボール21が付設されている。そして、光学チップ15,配線14及びバンプ18は、基台10の下面上で光学チップ15の周囲に設けられたシール樹脂22によって密封されている。
光学チップ15の主面15aは、平面視で開口部12内に配置されている。そして、本実施形態の光学デバイスにおいては、透光板16に代わって、ホログラム17が基台10の上面上に載置されている。ホログラム17は、半導体レーザから記録媒体等に照射されて戻ってくる光を複数の受光素子に分岐して入射させるものである。ホログラム17を構成する材料は、本実施形態では樹脂(プラスチック)であるが、ガラスであってもよい。
そして、基台10の上には、同図の破線に示すように、対物レンズを固定するための固定部材が装着される。この固定部材(対物レンズ)と基台10との相互の位置関係は、所定の誤差内に収まるように、その要求精度が定められている。基台10には、基台10への固定部材の取り付け位置を規定する第1位置決め孔10bが形成されている。さらに、第1位置決め孔10bとは同心位置に第1位置決め孔10bよりも小径で光学チップ15の基台10への取り付け位置を規制するための第2位置決め孔10cが形成されている。つまり、各位置決め孔10b,10cは、段付き孔を構成している。ただし、位置決め孔10b,10cは、必ずしも設けられていなくてもよい。
さらに、基台10の平坦部11aの少なくとも斜面状凹部11bに接する領域,斜面状凹部11b及び開口部12の内壁面は、表面粗さRzが例えば5μm〜35μmの荒仕上げ領域10fとなっている。この荒仕上げ領域10fは、サンドブラスト処理された封止金型を用いて樹脂封止工程を行なうことにより形成されている。そして、平坦部11a等の表面粗さが大きいことにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cや開口部12への侵入がくい止められている。ただし、開口部12側への接着剤の侵入が問題とならない場合には、斜面状凹部11bや開口部12の内壁面まで荒く仕上げられている必要はない。つまり、荒仕上げ領域10fは、少なくとも基台10の平坦部11a(上面)のうち透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位までの領域に形成されていれば、接着剤の流れを抑制する機能は得られる。また、表面を荒くする処理として、サンドブラスト以外の処理,例えばエッチングなどを用いることも可能である。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aとホログラム17との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内や開口部12側に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aの一部などの表面粗さが大きいので、接着剤の流れがくい止められて、位置決め孔10b,10cや開口部12への接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、ホログラム17の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しによる不具合を防止しつつ、ホログラム17と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
ここで、本実施形態における基台10の上面の平坦部11aと斜面状凹部11bとの境界部B1は平面視においてホログラム17とオーバーラップした位置にある。これにより、接着剤層20を形成する際に、ホログラム17に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aとホログラム17との間隙が変化しても、平坦部11aによってホログラム17を支えつつ、斜面状凹部11bとホログラム17との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
また、本実施形態における斜面状凹部11bの最下部と最上部との高さ位置の差は、100μm〜500μmの範囲にあることが好ましい。接着剤層20は斜面状凹部11b全体を覆っている必要はなく、斜面状凹部11bの少なくとも一部を覆っていればよい。
本実施形態の基台10の斜面状凹部11bは、その断面形状が本実施形態のように平面でなくて曲面であっても、本実施形態と同じ効果を発揮することができる。
(第6の実施形態)
図6(a)〜(d)は、第6の実施形態及び第6の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。
図6(a)に示すように、本実施形態の光学デバイスは、図5に示す第5の実施形態と基本的には同じ構造を有しているが、第5の実施形態と異なる点は、基台10の平坦部11aは、その表面粗さがあらく形成される代わりに、基台10の平坦部11aにおけるホログラム17の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に環状凸部10aが形成されている点である。そして、この環状凸部10aにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
本実施形態によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aとホログラム17との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。よって、ホログラム17の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、ホログラム17と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
また、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、ホログラム17の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、ホログラム17と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第1の変形例−
また、図6(b)に示す本実施形態の第1の変形例においては、基台10の平坦部11aにおけるホログラム17の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位に、環状凸部に代えて環状溝部10dが形成されている。そして、この環状溝部10dにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
第1の変形例によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aとホログラム17との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状溝部10dが形成されているので、接着剤の流れが環状溝部10d内の側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、ホログラム17の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、ホログラム17と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第2の変形例−
また、図6(c)に示す本実施形態の第2の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第6の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、環状凸部10aは、固定部材の位置決め部材としても機能する。そして、位置決め孔10b,10cは設けられていない。すなわち、本変形例においては、環状凸部10aの内壁面により、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の外方への流れが阻止され、環状凸部10aの外壁面により固定部材の位置決めが行なわれている。
第2の変形例によると、基台10の上面に凹部である斜面状凹部11bが形成され、斜面状凹部11bと基台10の間隙に接着剤層20が形成されているので、平坦部11aとホログラム17との間隙を狭くしても、斜面状凹部11bにおける接着剤層20の厚みを十分厚くすることができる。かつ、接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が固定部材を設置する領域に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの内壁面でくい止められて、固定部材取り付け領域への接着剤の侵入が阻止されるとともに、環状凸部10aの外壁面で固定部材の位置決めが行なわれることになる。よって、ホログラム17の下面と基台10の上面との隙間の寸法を縮小しても、接着剤のはみ出しを防止しつつ、ホログラム17と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第3の変形例−
また、図6(d)に示す本実施形態の第3の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第6の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、第1位置決め孔10bは設けられているが、第2位置決め孔は設けられていない。本変形例における位置決め孔10bは底付き孔であるが、貫通孔であってもよい。
第5,第6の実施形態や、第6の実施形態の第1の変形例においても、第1位置決め孔10bや第2位置決め孔10cは、必ずしも必要でない。そして、第1位置決め孔10b及び第2位置決め孔10cのうちいずれか一方あるいは双方がない構造に対しても、第5,第6の実施形態及び第6の実施形態の第1の変形例を、その効果を奏するように適用することができる。位置決め孔10b,10cがなくても、固定部材を設置する領域に接着剤が流れ込むと、固定部材が傾いて設置されるなど、不具合が生じるからである。
なお、第6の実施形態及びその各変形例においても、第5の実施形態と同様に、基台10の上面の平坦部11aと斜面状凹部11bとの境界部B1は平面視においてホログラム17とオーバーラップした位置にある。これにより、接着剤層20を形成する際に、ホログラム17に印加する圧力が多少変動して、平坦部11aとホログラム17との間隙が変化しても、平坦部11aによってホログラム17を支えつつ、斜面状凹部11bとホログラム17との間には十分厚い接着剤層が存在することになるので、本実施形態の効果を確実に発揮することができる。
また、第6の実施形態及び各変形例においても、斜面状凹部11bの最下部と最上部との高さ位置の差は、100μm〜500μmの範囲にあることが好ましい。接着剤層20は斜面状凹部11b全体を覆っている必要はなく、斜面状凹部11bの少なくとも一部を覆っていればよい。
第6の実施形態及び各変形例の基台10の斜面状凹部11bは、その断面形状が本実施形態のように平面でなくて曲面であっても、本実施形態と同じ効果を発揮することができる。
第6の実施形態及びその各変形例においても、斜面状凹部11b及び開口部12の内壁面を表面粗さRzが例えば5μm〜35μmになるように荒くしてもよく、これにより、接着剤の開口部12への侵入を阻止することができる。
第5,第6の実施形態及び第6の実施形態の各変形例において、斜面状凹部11bに代えて第3,第4の実施形態及び第4の実施形態の各変形例に示す溝状凹部11cを設け、かつ、第3,第4の実施形態及び第4の実施形態の各変形例に示す基台10の構造を適用することができ、ホログラムユニットを備えた光学デバイスにおいて、第3,第4の実施形態及び第4の実施形態の各変形例と同じ効果を発揮することができる。
(第7の実施形態)
図7は、第7の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。本実施形態の光学デバイスは、主要部材として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、中央部に開口部12を有する枠状の基台10と、基台10の下面側に取り付けられた光学チップ15と、基台10の上面側に開口部12を挟んで光学チップ15に対向するように取り付けられたガラスからなる透光板16と、透光板16と基台10とを機械的に接続するための接着剤層20とを備えている。ここで、本実施形態の光学チップ15は、CCD固体撮像素子等の受光素子のみである。ただし、受光素子及び半導体レーザ(発光素子)を搭載したものであってもよい。その場合には、本実施形態の光学デバイスを光ピックアップ等に組み込む際に、透光板16をはずしてから、第5の実施形態に示すようなホログラムを基台10上に取り付けることになる(ホログラムユニット)。
また、基台10の下面には、樹脂内に埋め込まれた金メッキ層からなる配線14が設けられている。光学チップ15は、基台10の下面に取り付けられており、主面15aが開口部12に露出するように配置されている。
また、光学チップ15には、光学チップ15と外部機器との間で信号を授受するための電極パッド(図示せず)が設けられている。また、配線14における開口部12に隣接した端部に内部端子部が形成されており、配線14の内部端子部と電極パッドとがバンプ(突起電極)18を挟んで電気的に接続されている。さらに、配線14の外部端子部に半田ボール21が付設されている。そして、光学チップ15,配線14及びバンプ18は、基台10の下面上で光学チップ15の周囲に設けられたシール樹脂22によって密封されている。
この光学デバイスは、同図に示されるように、透光板16を上方に向けた状態で回路基板上に搭載される。そして、基台10の上には、同図の破線に示すように、撮像光学系が組み込まれた鏡筒が装着される。この鏡筒と基台10との相互の位置関係は、所定の誤差内に収まるように、その要求精度が定められている。基台10には、基台10への鏡筒の取り付け位置を規定する第1位置決め孔10bが形成されている。さらに、第1位置決め孔10bとは同心位置に第1位置決め孔10bよりも小径で光学チップ15の基台10への取り付け位置を規制するための第2位置決め孔10cが形成されている。つまり、各位置決め孔10b,10cは、段付き孔を構成している。ただし、位置決め孔10b,10cは、必ずしも設けられていなくてもよい。
以上のように、光学チップ15の主面15aは、平面視で開口部12内に配置されている。そして、鏡筒に組み込まれた光学系を通して、被撮像対象からの光が光学チップ15の主面に集光される。
ここで、本実施形態においては、図7に示すように、基台10の上面は、全体が平坦部11aとなっており、接着剤層20は、基台10の平坦部11aの一部と透光板16の下面との間隙を埋めるように形成されている。さらに、基台10の平坦部11aの少なくとも開口部12に接する領域及び開口部12の内壁面は、表面粗さRzが例えば5μm〜35μmの荒仕上げ領域10fとなっている。この荒仕上げ領域10fは、サンドブラスト処理された封止金型を用いて樹脂封止工程を行なうことにより形成されている。そして、平坦部11a等の表面粗さが大きいことにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cや開口部12への侵入がくい止められている。ただし、開口部12側への接着剤の侵入が問題とならない場合には、開口部12の内壁面まで荒く仕上げられている必要はない。つまり、荒仕上げ領域10fは、少なくとも基台10の平坦部11a(上面)のうち透光板16の側端の下方に位置する部位から所定距離隔てた部位までの領域に形成されていれば、接着剤の流れを抑制する機能は得られる。また、表面を荒くする処理として、サンドブラスト以外の処理,例えばエッチングなどを用いることも可能である。
基台10と透光板16との接続強度向上のために接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内や開口部12側に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aの一部などの表面粗さが大きいので、接着剤の流れがくい止められて、位置決め孔10b,10cや開口部12への接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、本実施形態により、接着剤のはみ出しによる不具合を防止しつつ、接着剤層20を厚くして透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
(第8の実施形態)
図8(a)〜(d)は、第8の実施形態及び第8の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。
図8(a)に示すように、本実施形態の光学デバイスは、図7に示す第7の実施形態と基本的には同じ構造を有しているが、第7の実施形態と異なる点は、基台10の平坦部11aの表面粗さがあらく形成される代わりに、基台10の平坦部11aの透光板16の下方に位置する部位から外側に所定距離隔てた部位に環状凸部10aが形成されている点である。そして、この環状凸部10aにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
基台10と透光板16との接続強度向上のために接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本実施形態では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、本実施形態により、接着剤のはみ出しを防止しつつ、接着剤層20を厚くして透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、小型化された,信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第1の変形例−
また、図8(b)に示す本実施形態の第1の変形例においては、基台10の平坦部11aの透光板16の下方に位置する部位から外側に所定距離隔てた部位に、環状凸部に代えて環状溝部10dが形成されている。そして、この環状溝部10dにより、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の位置決め孔10b,10cへの侵入が阻止されている。
基台10と透光板16との接続強度向上のために接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が位置決め孔10b,10c内に流れ込むおそれがあるが、本変形例では、基台10の平坦部11aに環状溝部10dが形成されているので、接着剤の流れが環状溝部10d内の側壁でくい止められて、位置決め孔10b,10cへの接着剤の侵入が阻止されることになる。よって、本変形例により、接着剤のはみ出しを防止しつつ、接着剤層20を厚くして透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第2の変形例−
また、図8(c)に示す本実施形態の第2の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第8の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、環状凸部10aは、鏡筒の位置決め部材としても機能する。そして、位置決め孔10b,10cは設けられていない。すなわち、本変形例においては、環状凸部10aの内壁面により、接着剤層20を形成するために塗布された接着剤の外方への流れが阻止され、環状凸部10aの外壁面により鏡筒の位置決めが行なわれている。
基台10と透光板16との接続強度向上のために接着剤層20を厚くすると、接着剤を塗布したときに、厚く塗布された接着剤が鏡筒を設置する領域に流れ込むおそれがあるが、本変形例では、基台10の平坦部11aに環状凸部10aが形成されているので、接着剤の流れが環状凸部10aの内壁面でくい止められて、鏡筒取り付け領域への接着剤の侵入が阻止されるとともに、環状凸部10aの外壁面で鏡筒の位置決めが行なわれることになる。よって、本変形例により、接着剤のはみ出しを防止しつつ、接着剤層20を厚くして透光板16と基台10との機械的接続強度を高く維持することができ、信頼性の高い光学デバイスの提供を図ることができる。
−第3の変形例−
また、図8(d)に示す本実施形態の第3の変形例においては、基台10の平坦部11a中に環状凸部10aが形成されている点は、第8の実施形態と同じである。しかし、本変形例においては、第1位置決め孔10bは設けられているが、第2位置決め孔は設けられていない。本変形例における位置決め孔10bは底付き孔であるが、貫通孔であってもよい。
第7,第8の実施形態や、第8の実施形態の第1の変形例においても、第1位置決め孔10bや第2位置決め孔10cは、必ずしも必要でない。そして、第1位置決め孔10b及び第2位置決め孔10cのうちいずれか一方あるいは双方がない構造に対しても、第7,第8の実施形態及び第8の実施形態の第1の変形例を、その効果を奏するように適用することができる。位置決め孔10b,10cがなくても、鏡筒を設置する領域に接着剤が流れ込むと、鏡筒が傾いて設置されるなど、不具合が生じるからである。
第8の実施形態及びその各変形例においても、開口部12の内壁面を表面粗さRzが例えば5μm〜35μmになるように荒くしてもよく、これにより、接着剤の開口部12への侵入を阻止することができる。
なお、上記各実施形態の各図に示す構造では、バンプ18の外側にのみシール樹脂22が充填されているが、受光素子の画素面に干渉しなければ、密着性向上のためにバンプ18の内外両側にシール樹脂22を設けても構わない。
本発明に係る光学デバイスは、ビデオカメラ,デジタルカメラ,デジタルスチルカメラ等のカメラ類や、CD,DVD,MDなどの光ピックアップシステムに用いられる光学チップを搭載して構成される,イメージセンサ,ホログラムユニットなどとして利用することができる。
第1の実施形態に係る光学デバイスの構造を示す断面図である。 (a)〜(d)は、第2の実施形態及び第2の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。 第3の実施形態に係る光学デバイスの構造を示す断面図である。 (a)〜(d)は、第4の実施形態及び第4の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。 第5の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。 (a)〜(d)は、第6の実施形態及び第6の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。 第7の実施形態に係る光学デバイスの断面図である。 (a)〜(d)は、第8の実施形態及び第8の実施形態の第1〜第3の変形例に係る光学デバイスの断面図である。 従来の光学デバイスの構造を示す断面図である。
符号の説明
10 基台
10a 環状凸部
10b 第1位置決め孔
10c 第2位置決め孔
10d 環状溝部
10e 縁領域
10f 荒仕上げ領域
11a 平坦部
11b 斜面状凹部
11c 溝状凹部
12 開口部
14 配線
15 光学チップ
15a 主面
16 透光板
17 ホログラム
18 バンプ
20 接着剤層
21 半田ボール
22 シール樹脂

Claims (9)

  1. 開口部を有する環状の基台と、
    上記基台の下面に取り付けられた光学チップと、
    上記基台の上面に取り付けられた透光性部材と、
    上記基台と上記透光性部材との間の間隙に設けられた接着剤層とからなる光学デバイスであって、
    上記基台の上面に、上記接着剤層を構成する接着剤の流れを止めるための環状凸部が設けられ、上記環状凸部の外壁面は上記光学デバイスに付設される部材の取り付け位置を規制する機能を有する光学デバイス。
  2. 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
    上記基台の厚みが上記開口部に向かって細くなるように、上記基台の上面が傾斜している光学デバイス。
  3. 請求項1記載の光学デバイスにおいて、
    上記基台の上面の上記開口部から所定距離離れ、上記環状凸部の内側で上記透光性部材が形成された位置に溝状凹部を有する光学デバイス。
  4. 請求項3記載の光学デバイスにおいて、
    上記基台の上記溝状凹部よりも内側に位置する部分の上面は、上記透光性部材の下面と上記接着材層を介して接触している,光学デバイス。
  5. 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記基台の上面の少なくとも上記透光性部材の側端の下方に位置する部位から外側に所定距離隔てた部位までの領域、表面粗さRzが5μm〜35μmの荒仕上げ領域である,光学デバイス。
  6. 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記光学チップは主面に光学素子を有し、
    上記光学素子は、受光素子と発光素子とを含み、
    上記透光性部材は、ホログラムである,光学デバイス。
  7. 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記透光性部材は、透光板である,光学デバイス。
  8. 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の光学デバイスにおいて、
    上記光学チップは主面に光学素子を含み、
    上記光学チップは、上記光学素子が上記開口部に露出するように上記基台に取り付けられている光学デバイス。
  9. 請求項8記載の光学デバイスにおいて、
    上記光学素子は受光素子である光学デバイス。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7423334B2 (en) * 2005-11-17 2008-09-09 Kingpak Technology Inc. Image sensor module with a protection layer and a method for manufacturing the same
WO2007060861A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-31 Matsushita Electric Works, Ltd. Infrared detector and process for fabricating the same
JP2007173496A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子用パッケージおよび固体撮像装置
JP2007234977A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Citizen Electronics Co Ltd 半導体パッケージ
JP2009164720A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置及び撮像装置の製造方法
JP5185019B2 (ja) * 2008-08-25 2013-04-17 パナソニック株式会社 半導体装置及びそれを用いた電子機器
GB2465607A (en) 2008-11-25 2010-05-26 St Microelectronics CMOS imager structures
JP5047220B2 (ja) * 2009-04-30 2012-10-10 パナソニック株式会社 カメラ装置およびカメラ装置の製造方法
US8866067B2 (en) 2009-12-24 2014-10-21 Kyocera Corporation Imaging device with an imaging element and an electronic component
KR20130120981A (ko) * 2010-06-28 2013-11-05 쿄세라 코포레이션 배선 기판, 촬상 장치, 및 촬상 장치 모듈
EP2602820B1 (en) * 2010-08-04 2014-10-15 Panasonic Corporation Solid-state image pickup device
JP5372986B2 (ja) * 2011-03-11 2013-12-18 シャープ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法
JP5296130B2 (ja) * 2011-03-22 2013-09-25 シャープ株式会社 光学モジュール及び光学モジュールの製造方法
US20130075850A1 (en) * 2011-08-19 2013-03-28 Timothy Patrick Patterson Flip-chip bonded imager die
JP2013143520A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像装置および撮像装置の製造方法
KR20130087249A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 이미지 센서 패키지
JP6022888B2 (ja) * 2012-10-19 2016-11-09 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板および電子装置
JP5930982B2 (ja) * 2013-02-06 2016-06-08 三菱電機株式会社 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP6096890B2 (ja) * 2013-04-26 2017-03-15 京セラ株式会社 撮像素子実装用基板および撮像装置
US9608029B2 (en) * 2013-06-28 2017-03-28 Stmicroelectronics Pte Ltd. Optical package with recess in transparent cover
US9664874B2 (en) 2013-07-30 2017-05-30 Kyocera Corporation Substrate for mounting imaging element, and imaging device
CN104469105B (zh) * 2013-09-13 2019-10-01 Lg伊诺特有限公司 相机模块
US9258467B2 (en) * 2013-11-19 2016-02-09 Stmicroelectronics Pte Ltd. Camera module
KR101540459B1 (ko) * 2014-05-09 2015-07-31 한국광기술원 광학접촉 접합을 이용한 레이저용 모노 블록 모듈 및 그 제조방법
TWI651841B (zh) * 2014-07-14 2019-02-21 日商新力股份有限公司 攝像裝置
CN107615477B (zh) * 2015-06-18 2021-12-28 京瓷株式会社 电子元件安装用基板以及电子装置
JP2017139316A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 ソニー株式会社 半導体装置および製造方法、並びに電子機器
JP2017158097A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 株式会社デンソー カメラ装置
JP6500812B2 (ja) * 2016-03-03 2019-04-17 株式会社デンソー カメラ装置
DE102016208547A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Robert Bosch Gmbh Kameramodul für ein Fahrzeug
FR3065318B1 (fr) * 2017-04-18 2021-09-10 E2V Semiconductors Boitier hermetique de composant electronique, en particulier pour capteur d'image
US10338340B2 (en) * 2017-08-23 2019-07-02 Funder Electrical Global Co., Ltd. Visual camera bearing structure capable of supporting barrel lens of a large area
JP2019129276A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、撮像装置および半導体装置の製造方法
US20190295914A1 (en) * 2018-03-23 2019-09-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and a method of manufacturing the same
JP2020013928A (ja) * 2018-07-19 2020-01-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
US10985087B2 (en) * 2018-10-05 2021-04-20 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board
JP7237990B2 (ja) * 2018-12-26 2023-03-13 京セラ株式会社 電子素子実装用基板、および電子装置
KR102613873B1 (ko) * 2021-04-30 2023-12-15 삼성전기주식회사 카메라 모듈
CN113143501B (zh) * 2021-05-12 2022-01-28 有研医疗器械(北京)有限公司 一种口腔正畸用间接粘接导板及制造方法
WO2023042792A1 (ja) * 2021-09-16 2023-03-23 旭化成株式会社 紫外線照射装置
TWI808761B (zh) * 2022-05-17 2023-07-11 力成科技股份有限公司 感測裝置的封裝結構

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3981074A (en) * 1974-08-23 1976-09-21 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing plastic base caps for split cavity type package semi-conductor units
JPS6292661A (ja) 1985-10-18 1987-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報記録再生方法
JP3206362B2 (ja) 1995-04-17 2001-09-10 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
JP3138191B2 (ja) 1995-08-10 2001-02-26 三洋電機株式会社 固体撮像素子
JPH1065035A (ja) 1996-08-23 1998-03-06 Sony Corp 半導体装置
JPH10154762A (ja) 1996-11-25 1998-06-09 Sony Corp 固体撮像装置用の中空パッケージ
JP3673047B2 (ja) 1997-01-20 2005-07-20 株式会社シチズン電子 固体イメージセンサ装置
JPH11111959A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Matsushita Electron Corp 固体撮像素子収納容器およびそれを用いた固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6204454B1 (en) * 1997-12-27 2001-03-20 Tdk Corporation Wiring board and process for the production thereof
JPH11195723A (ja) 1997-12-27 1999-07-21 Tdk Corp 配線基板
JP3877860B2 (ja) 1998-03-11 2007-02-07 松下電器産業株式会社 固体撮像素子付半導体装置及び該半導体装置の製造方法
JP4372241B2 (ja) 1998-08-05 2009-11-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2000286401A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Miyota Kk 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001358997A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
TW454309B (en) 2000-07-17 2001-09-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure of CCD image-capturing chip
JP3578400B2 (ja) 2000-12-28 2004-10-20 吉川工業株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
FR2819101B1 (fr) 2000-12-28 2003-04-11 Atmel Grenoble Sa Capteur photosensible en technologie des circuits integres
JP2002279683A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Ricoh Co Ltd 光ピックアップ装置
JP2002299592A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Sony Corp 半導体装置
TW521410B (en) * 2001-11-15 2003-02-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package article
US6590269B1 (en) * 2002-04-01 2003-07-08 Kingpak Technology Inc. Package structure for a photosensitive chip
JP4012428B2 (ja) 2002-04-30 2007-11-21 富士フイルム株式会社 撮像素子ユニット
JP2004260787A (ja) * 2002-09-09 2004-09-16 Rohm Co Ltd イメージセンサモジュール
CN2598149Y (zh) 2002-12-30 2004-01-07 胜开科技股份有限公司 光传感器封装改良构造
CN2612063Y (zh) 2003-03-11 2004-04-14 胜开科技股份有限公司 具粗糙接合面的影像感测器
JP2005217337A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス

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