JP2000286401A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000286401A JP2000286401A JP11086990A JP8699099A JP2000286401A JP 2000286401 A JP2000286401 A JP 2000286401A JP 11086990 A JP11086990 A JP 11086990A JP 8699099 A JP8699099 A JP 8699099A JP 2000286401 A JP2000286401 A JP 2000286401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- glass substrate
- imaging device
- groove frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で小型且つ薄型の固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供しようとするものである。 【解決手段】 外部に電気信号を出力する電極端子群と
該電極端子群の周囲に溝枠を有するガラス基板と、前記
ガラス基板上の電極端子群と前記溝枠の形成された面に
対して接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を
封止するための封止樹脂とで構成した固体撮像装置とす
る。
の製造方法を提供しようとするものである。 【解決手段】 外部に電気信号を出力する電極端子群と
該電極端子群の周囲に溝枠を有するガラス基板と、前記
ガラス基板上の電極端子群と前記溝枠の形成された面に
対して接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を
封止するための封止樹脂とで構成した固体撮像装置とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は安価で小型且つ薄型
の固体撮像装置およびその製造方法に関するものであ
る。
の固体撮像装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置はＣＣＤを代表とす
る固体撮像素子をセラミックパッケージに搭載し、ガラ
スで封止した構造が一般的である。以下、従来の固体撮
像装置について図面を参照しながら説明する。
る固体撮像素子をセラミックパッケージに搭載し、ガラ
スで封止した構造が一般的である。以下、従来の固体撮
像装置について図面を参照しながら説明する。
【０００３】図１は従来の固体撮像装置の斜視図であ
る。１はセラミックパッケージで、外部に電気信号を出
力する端子群２を有している。セラミックパッケージ１
の上面の凹部１ａには固体撮像素子３が受光部を上にし
た状態で搭載され、セラミックパッケージ１の上面の凹
部１ａ内の電極４と固体撮像素子３表面の周辺に形成さ
れた電極（不図示）とが、ワイヤーボンディング法で金
属細線５により電気的に接続されている。６はガラス
で、固体撮像素子３の保護を目的としてセラミックパッ
ケージ１の上部開口部分を蓋状に封止して固体撮像装置
を構成している。
る。１はセラミックパッケージで、外部に電気信号を出
力する端子群２を有している。セラミックパッケージ１
の上面の凹部１ａには固体撮像素子３が受光部を上にし
た状態で搭載され、セラミックパッケージ１の上面の凹
部１ａ内の電極４と固体撮像素子３表面の周辺に形成さ
れた電極（不図示）とが、ワイヤーボンディング法で金
属細線５により電気的に接続されている。６はガラス
で、固体撮像素子３の保護を目的としてセラミックパッ
ケージ１の上部開口部分を蓋状に封止して固体撮像装置
を構成している。
【０００４】図２は従来の固体撮像装置をレンズ体に組
み込んだ状態を示す断面図である。セラミックパッケー
ジ１は、電極端子群２を介して基板７に接続され、セラ
ミックパッケージ１の上面にはレンズ８ａを備える筒状
のレンズ体８が搭載されている。レンズ体に組み込まれ
た固体撮像装置はビデオカメラ等の撮像部として用いら
れている。
み込んだ状態を示す断面図である。セラミックパッケー
ジ１は、電極端子群２を介して基板７に接続され、セラ
ミックパッケージ１の上面にはレンズ８ａを備える筒状
のレンズ体８が搭載されている。レンズ体に組み込まれ
た固体撮像装置はビデオカメラ等の撮像部として用いら
れている。
【０００５】被写体などを撮影した場合の入射光９はレ
ンズ８ａを通り、セラミックパッケージ１の上面に設け
られたガラス６を通過し、固体撮像素子３に入射する。
入射した光は固体撮像素子３の受光部で電気信号に変換
されて、画像データとして処理される。
ンズ８ａを通り、セラミックパッケージ１の上面に設け
られたガラス６を通過し、固体撮像素子３に入射する。
入射した光は固体撮像素子３の受光部で電気信号に変換
されて、画像データとして処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の固
体撮像装置の構成では、固体撮像素子の電気的な接続方
法として、セラミックパッケージの電極と固体撮像素子
の電極とをワイヤーボンディングで接続しているが、固
体撮像素子の周辺部に金属細線を配線するための電極を
形成する領域が必要であり、固体撮像素子と封止用のガ
ラスとの間に金属細線のループ形成に必要なスペースも
確保する必要がある。このため、固体撮像装置が大きく
なってしまい、小型、薄型化が困難であった。
体撮像装置の構成では、固体撮像素子の電気的な接続方
法として、セラミックパッケージの電極と固体撮像素子
の電極とをワイヤーボンディングで接続しているが、固
体撮像素子の周辺部に金属細線を配線するための電極を
形成する領域が必要であり、固体撮像素子と封止用のガ
ラスとの間に金属細線のループ形成に必要なスペースも
確保する必要がある。このため、固体撮像装置が大きく
なってしまい、小型、薄型化が困難であった。
【０００７】また、製造工程においても工数がかかり、
ワイヤーボンディングを行うことにより固体撮像素子が
大気に汚染される時間が長くなり固体撮像素子に悪影響
を与えてしまう。さらに、セラミックパッケージを用い
ているので部材コストが高くなり、固体撮像装置が高価
なものになっていた。
ワイヤーボンディングを行うことにより固体撮像素子が
大気に汚染される時間が長くなり固体撮像素子に悪影響
を与えてしまう。さらに、セラミックパッケージを用い
ているので部材コストが高くなり、固体撮像装置が高価
なものになっていた。
【０００８】本発明は安価で小型且つ薄型の固体撮像装
置およびその製造方法を提供しようとするものである。
置およびその製造方法を提供しようとするものである。
【０００９】外部に電気信号を出力する電極端子群と該
電極端子群の周囲に溝枠を有するガラス基板と、前記ガ
ラス基板上の電極端子群と前記溝枠の形成された面に対
して接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を封
止するための封止樹脂とで構成した固体撮像装置とす
る。
電極端子群の周囲に溝枠を有するガラス基板と、前記ガ
ラス基板上の電極端子群と前記溝枠の形成された面に対
して接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を封
止するための封止樹脂とで構成した固体撮像装置とす
る。
【００１０】ガラス基板上に溝枠を形成する工程と、前
記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程と、前記ガラ
ス基板上の電極端子群と固体撮像素子の突起電極とを接
合する工程と、前記固体撮像素子を封止樹脂にて封止す
る工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程と、前記ガラ
ス基板上の電極端子群と固体撮像素子の突起電極とを接
合する工程と、前記固体撮像素子を封止樹脂にて封止す
る工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【００１１】同一ガラス基板上に複数の溝枠を形成する
工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程
と、前記ガラス基板上に形成した電極端子群と固体撮像
素子の突起電極とを接合し、複数個の固体撮像素子をマ
トリクス状に実装する工程と、前記複数個の固体撮像素
子を封止樹脂にて封止する工程と、前記複数個の固体撮
像素子が実装されたガラス基板をダイシングにより切断
し、個々の固体撮像装置に分離する工程とを有する固体
撮像装置の製造方法。
工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程
と、前記ガラス基板上に形成した電極端子群と固体撮像
素子の突起電極とを接合し、複数個の固体撮像素子をマ
トリクス状に実装する工程と、前記複数個の固体撮像素
子を封止樹脂にて封止する工程と、前記複数個の固体撮
像素子が実装されたガラス基板をダイシングにより切断
し、個々の固体撮像装置に分離する工程とを有する固体
撮像装置の製造方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態を図に基
づいて説明する。図３は本発明の一実施形態で固体撮像
装置の断面図である。１０はガラス基板であり、該ガラ
ス基板１０上には溝枠１０ａが形成されている。１１は
ガラス基板１０上に形成された外部に電気信号を出力す
る電極端子群で、溝枠１０ａの外周に形成されている。
１２は固体撮像素子であり、固体撮像素子１２に設けら
れた突起電極１３と基板１０上の電極端子群１１が導電
性接着剤等（不図示）により接続されている。１４は封
止樹脂で、固体撮像素子１２とガラス基板１０の隙間を
樹脂封止するものである。この場合、封止樹脂１４は固
体撮像素子１２の外周に沿って塗布されている。前記封
止樹脂１４を加熱硬化して固体撮像装置を構成してい
る。
づいて説明する。図３は本発明の一実施形態で固体撮像
装置の断面図である。１０はガラス基板であり、該ガラ
ス基板１０上には溝枠１０ａが形成されている。１１は
ガラス基板１０上に形成された外部に電気信号を出力す
る電極端子群で、溝枠１０ａの外周に形成されている。
１２は固体撮像素子であり、固体撮像素子１２に設けら
れた突起電極１３と基板１０上の電極端子群１１が導電
性接着剤等（不図示）により接続されている。１４は封
止樹脂で、固体撮像素子１２とガラス基板１０の隙間を
樹脂封止するものである。この場合、封止樹脂１４は固
体撮像素子１２の外周に沿って塗布されている。前記封
止樹脂１４を加熱硬化して固体撮像装置を構成してい
る。
【００１３】図３の矢印は光の入射方向を示すもので、
ガラス基板１０の溝枠１０ａの内側が受光エリアとなっ
ている。溝枠１０ａは固体撮像素子１２を樹脂封止する
際に、固体撮像素子１２とガラス基板１０の隙間から封
止樹脂１４が受光エリア内に流れ込むのを防止するため
に設けられたものである。樹脂封止において封止樹脂１
４が受光エリア側に流れ込んでも溝枠１０ａで吸収され
ることにより受光エリアへの侵入が防止できる。
ガラス基板１０の溝枠１０ａの内側が受光エリアとなっ
ている。溝枠１０ａは固体撮像素子１２を樹脂封止する
際に、固体撮像素子１２とガラス基板１０の隙間から封
止樹脂１４が受光エリア内に流れ込むのを防止するため
に設けられたものである。樹脂封止において封止樹脂１
４が受光エリア側に流れ込んでも溝枠１０ａで吸収され
ることにより受光エリアへの侵入が防止できる。
【００１４】次に本発明の固体撮像装置の製造方法につ
いて図面を参照しながら説明する。図４から図６は各製
造工程を示す図である。
いて図面を参照しながら説明する。図４から図６は各製
造工程を示す図である。
【００１５】本発明の製造方法は、ガラス基板上に溝枠
を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群を
形成する第２工程と、前記ガラス基板上の電極端子群と
固体撮像素子の突起電極とを接合する第３工程と、前記
固体撮像素子を封止樹脂にて封止する第４工程とを有す
る。
を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群を
形成する第２工程と、前記ガラス基板上の電極端子群と
固体撮像素子の突起電極とを接合する第３工程と、前記
固体撮像素子を封止樹脂にて封止する第４工程とを有す
る。
【００１６】図４はガラス基板の平面図で、ガラス基板
上に溝枠を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極
端子群を形成する第２工程を示す図である。まず、ガラ
ス基板１０に溝枠１０ａを形成する。溝枠１０ａの形成
は、エッチング法を用いることで容易にできる。溝枠１
０ａを形成した後、溝枠１０ａの外側周辺に電極端子群
１１を形成する。電極端子群１１は、ガラス基板１０の
表面に蒸着法により銅、クロム、アルミニウム等の金属
層を形成することで容易にできる。
上に溝枠を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極
端子群を形成する第２工程を示す図である。まず、ガラ
ス基板１０に溝枠１０ａを形成する。溝枠１０ａの形成
は、エッチング法を用いることで容易にできる。溝枠１
０ａを形成した後、溝枠１０ａの外側周辺に電極端子群
１１を形成する。電極端子群１１は、ガラス基板１０の
表面に蒸着法により銅、クロム、アルミニウム等の金属
層を形成することで容易にできる。
【００１７】図５はガラス基板上の電極端子群と固体撮
像素子の突起電極とを接合する第３工程を示す図であ
る。固体撮像素子３の周辺部に形成された電極上には、
Ａｕバンプ等によリ突起電極１３が形成されており、導
電性接着剤等（不図示）を用いてガラス基板１０上の電
極端子群１１と前記突起電極１３を接合する。突起電極
１３の形成面は固体撮像素子１２の受光面と同一面にあ
り、ガラス基板１０の溝枠１０ａと電極端子群１１の形
成された面に対して、フェースダウン実装する。ガラス
基板１０の電極端子群１１と固体撮像素子１２の突起電
極１３との接合は自動実装機により精度よく接合するこ
とが可能である。
像素子の突起電極とを接合する第３工程を示す図であ
る。固体撮像素子３の周辺部に形成された電極上には、
Ａｕバンプ等によリ突起電極１３が形成されており、導
電性接着剤等（不図示）を用いてガラス基板１０上の電
極端子群１１と前記突起電極１３を接合する。突起電極
１３の形成面は固体撮像素子１２の受光面と同一面にあ
り、ガラス基板１０の溝枠１０ａと電極端子群１１の形
成された面に対して、フェースダウン実装する。ガラス
基板１０の電極端子群１１と固体撮像素子１２の突起電
極１３との接合は自動実装機により精度よく接合するこ
とが可能である。
【００１８】図６は本発明の固体撮像素子を封止樹脂に
て封止する第４工程を示す平面図である。第３工程にお
いて、ガラス基板１０と固体撮像素子１２を接合した
後、固体撮像素子１２の外周に封止樹脂１４を塗布し、
加熱して硬化する。封止樹脂にはエポキシ系の樹脂を用
いるが、封止樹脂が固体撮像素子１２とガラス基板１０
の狭い隙間から受光エリア側に多少侵入しても溝枠１０
ａに流れ込むことによって、受光エリア内までは侵入す
ることが無い。上記工程を経て固体撮像装置が完成され
る。
て封止する第４工程を示す平面図である。第３工程にお
いて、ガラス基板１０と固体撮像素子１２を接合した
後、固体撮像素子１２の外周に封止樹脂１４を塗布し、
加熱して硬化する。封止樹脂にはエポキシ系の樹脂を用
いるが、封止樹脂が固体撮像素子１２とガラス基板１０
の狭い隙間から受光エリア側に多少侵入しても溝枠１０
ａに流れ込むことによって、受光エリア内までは侵入す
ることが無い。上記工程を経て固体撮像装置が完成され
る。
【００１９】次に、同一基板上から複数個の固体撮像装
置を製造する方法を説明する。ガラス基板上に複数の溝
枠を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群
を形成する第２工程と、前記ガラス基板上の電極端子群
と固体撮像素子の突起電極とを接合し、複数個の固体撮
像素子をマトリクス状に実装する第３工程と、前記複数
個の固体撮像素子を封止樹脂にて封止する第４工程と、
前記複数個の固体撮像素子が実装されたガラス基板をダ
イシングにより切断し、個々の固体撮像装置に分離する
第４工程とを有する。
置を製造する方法を説明する。ガラス基板上に複数の溝
枠を形成する第１工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群
を形成する第２工程と、前記ガラス基板上の電極端子群
と固体撮像素子の突起電極とを接合し、複数個の固体撮
像素子をマトリクス状に実装する第３工程と、前記複数
個の固体撮像素子を封止樹脂にて封止する第４工程と、
前記複数個の固体撮像素子が実装されたガラス基板をダ
イシングにより切断し、個々の固体撮像装置に分離する
第４工程とを有する。
【００２０】図７は本発明の多面取りしたガラス基板の
斜視図で、ガラス基板上に複数の溝枠を形成する第１工
程と、前記複数の溝枠の周囲それぞれに電極端子群を形
成する第２工程を示す図である。１５はガラス基板で、
複数の溝枠１５ａがマトリクス状に形成される。溝枠形
成はエッチング法により複数の溝枠１５ａを同時に形成
する。次に、溝枠１５ａの外側周辺にに電極端子群１６
を蒸着法により銅等の金属層を蒸着して形成する。
斜視図で、ガラス基板上に複数の溝枠を形成する第１工
程と、前記複数の溝枠の周囲それぞれに電極端子群を形
成する第２工程を示す図である。１５はガラス基板で、
複数の溝枠１５ａがマトリクス状に形成される。溝枠形
成はエッチング法により複数の溝枠１５ａを同時に形成
する。次に、溝枠１５ａの外側周辺にに電極端子群１６
を蒸着法により銅等の金属層を蒸着して形成する。
【００２１】図８はガラス基板上に搭載した固体撮像素
子の斜視図で、複数個の固体撮像素子をマトリクス状に
実装する第３工程を示す図である。複数の溝枠１５ａと
該溝枠１５ａの周囲に電極端子群１６を形成したガラス
基板上に、突起電極が形成された固体撮像素子１７をフ
ェースダウン実装する。
子の斜視図で、複数個の固体撮像素子をマトリクス状に
実装する第３工程を示す図である。複数の溝枠１５ａと
該溝枠１５ａの周囲に電極端子群１６を形成したガラス
基板上に、突起電極が形成された固体撮像素子１７をフ
ェースダウン実装する。
【００２２】第１から第３行程を経た後、第４行程では
複数の固体撮像素子１７のそれぞれの外周部に封止樹脂
を塗布し、加熱して硬化する。
複数の固体撮像素子１７のそれぞれの外周部に封止樹脂
を塗布し、加熱して硬化する。
【００２３】最後に、第５工程においてガラス基板上に
搭載され、樹脂封止された複数の固体撮像素子を個々の
固体撮像装置に切断分離する。切断にはダイシング装置
を用い、ガラス基板をカットして個々の固体撮像装置が
完成する。
搭載され、樹脂封止された複数の固体撮像素子を個々の
固体撮像装置に切断分離する。切断にはダイシング装置
を用い、ガラス基板をカットして個々の固体撮像装置が
完成する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板に突起電極
を形成した固体撮像素子を直接実装することでセラミッ
クパッケージ等の部材が必要なくなり、小型、薄型化し
た固体撮像装置を提供できる。また、工数が削減でき
る。
を形成した固体撮像素子を直接実装することでセラミッ
クパッケージ等の部材が必要なくなり、小型、薄型化し
た固体撮像装置を提供できる。また、工数が削減でき
る。
【００２５】多面取りした基板上に複数個の固体撮像素
子を実装し、樹脂封止後個々に分割する方法により、固
体撮像装置の量産性が向上し、容易に製造でき、安価な
装置を提供することができる。
子を実装し、樹脂封止後個々に分割する方法により、固
体撮像装置の量産性が向上し、容易に製造でき、安価な
装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の固体撮像装置の斜視図
【図２】従来の固体撮像装置をレンズ体に組み込んだ状
態を示す断面図
態を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態で固体撮像装置の断面図
【図４】本発明の固体撮像装置の平面図
【図５】本発明の第３工程を示す図
【図６】本発明の固体撮像素子を封止樹脂した平面図
【図７】本発明の多面取りしたガラス基板の斜視図
【図８】本発明の基板上に搭載した固体撮像素子の斜視
図
図
１ セラミックパッケージ １ａ 凹部 ２ 電極端子群 ３ 固体撮像素子 ４ 電極 ５ 金属細線 ６ ガラス ７ 基板 ８ レンズ体 ８ａ レンズ ９ 入射光 １０ ガラス基板 １０ａ 溝枠 １１ 電極端子群 １２ 固体撮像素子 １３ 突起電極 １４ 封止樹脂 １５ ガラス基板 １５ａ 溝枠 １６ 電極端子群 １７ 固体撮像素子
Claims (3)
- 【請求項１】 外部に電気信号を出力する電極端子群と
該電極端子群の周囲に溝枠を有するガラス基板と、前記
ガラス基板上の電極端子群と前記溝枠の形成された面に
対して接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を
封止するための封止樹脂とで構成したことを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項２】 ガラス基板上に溝枠を形成する工程と、
前記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程と、前記ガ
ラス基板上の電極端子群と固体撮像素子の突起電極とを
接合する工程と、前記固体撮像素子を封止樹脂にて封止
する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製
造方法。 - 【請求項３】 同一ガラス基板上に複数の溝枠を形成す
る工程と、前記溝枠の周囲に電極端子群を形成する工程
と、前記ガラス基板上に形成した電極端子群と固体撮像
素子の突起電極とを接合し、複数個の固体撮像素子をマ
トリクス状に実装する工程と、前記複数個の固体撮像素
子を封止樹脂にて封止する工程と、前記複数個の固体撮
像素子が実装されたガラス基板をダイシングにより切断
し、個々の固体撮像装置に分離する工程とを有すること
を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086990A JP2000286401A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086990A JP2000286401A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286401A true JP2000286401A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13902318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086990A Pending JP2000286401A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286401A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030069321A (ko) * | 2002-02-19 | 2003-08-27 | 주식회사 씨큐브디지탈 | 플립칩 범핑을 이용한 반도체 촬상소자 패키지 및 그제조방법 |
| KR100494044B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2005-06-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 촬상장치 및 그의 제조방법 |
| WO2005060004A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ |
| US6943423B2 (en) | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| WO2005098944A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-20 | Optopac, Inc. | Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof |
| WO2006025698A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Optopac, Inc. | Method of making camera module in wafer level |
| US7141869B2 (en) | 2004-11-08 | 2006-11-28 | Optopac, Inc. | Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof |
| US7528884B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-05-05 | Panasonic Corporation | Optical device |
| JP2009105459A (ja) * | 2009-02-12 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | 光デバイス、光モジュール及び電子機器 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086990A patent/JP2000286401A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494044B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2005-06-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 촬상장치 및 그의 제조방법 |
| KR20030069321A (ko) * | 2002-02-19 | 2003-08-27 | 주식회사 씨큐브디지탈 | 플립칩 범핑을 이용한 반도체 촬상소자 패키지 및 그제조방법 |
| US7291518B2 (en) | 2003-10-01 | 2007-11-06 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| US6943423B2 (en) | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| WO2005060004A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、その生産方法、及びその固体撮像装置を備えるカメラ、並びに受光チップ |
| US8319871B2 (en) | 2003-12-18 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip |
| JP4839084B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| US7859586B2 (en) | 2003-12-18 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device, and light receiving chip |
| US7528884B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-05-05 | Panasonic Corporation | Optical device |
| US7122874B2 (en) | 2004-04-12 | 2006-10-17 | Optopac, Inc. | Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof |
| WO2005098944A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-20 | Optopac, Inc. | Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof |
| WO2006025698A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Optopac, Inc. | Method of making camera module in wafer level |
| US7141869B2 (en) | 2004-11-08 | 2006-11-28 | Optopac, Inc. | Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof |
| JP2009105459A (ja) * | 2009-02-12 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | 光デバイス、光モジュール及び電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7112864B2 (en) | Module for optical device, and manufacturing method therefor | |
| US7265916B2 (en) | Module for optical devices, and manufacturing method of module for optical devices | |
| KR100684703B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100604190B1 (ko) | 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼, 광학장치용 모듈,고체촬상장치의 제조방법, 및 광학장치용 모듈의 제조방법 | |
| JP3540281B2 (ja) | 撮像装置 | |
| KR100366934B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| JP2003116066A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2006332680A (ja) | イメージセンサをパッケージングするための方法及びパッケージングされたイメージセンサ | |
| JP2002329850A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
| JPH06204442A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US9111827B2 (en) | Manufacturing method of solid-state imaging apparatus, solid-state imaging apparatus, and electronic imaging apparatus | |
| JP2007317719A (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2000269472A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2000286401A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2002009265A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08148666A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US7615397B2 (en) | Micro-element package and manufacturing method thereof | |
| JP2003078077A (ja) | カメラモジュール | |
| JP2006080597A (ja) | 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法 | |
| JP2001068654A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
| US7205095B1 (en) | Apparatus and method for packaging image sensing semiconductor chips | |
| JP2006005612A (ja) | 撮像モジュール | |
| JP4145619B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2002222935A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、固体撮像システム | |
| JPH01228178A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051028 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090331 |