JP2002329850A - チップサイズパッケージおよびその製造方法 - Google Patents
チップサイズパッケージおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロレンズ群を有する固体撮像素子で
も、平面寸法がほとんどチップと同一になるチップサイ
ズパッケージを実現する。 【解決手段】 固体撮像素子、及びこの素子と直接又は
他の回路を経由して電気的に接続された複数の電極と
を、第１の表面に有するＩＣチップと、ガラス、水晶、
ニオブ酸リチウム、合成樹脂などの部材、それらの組み
合わせによって、構成される透光性基板とから構成され
ており、前記ＩＣチップの電極は、前記透光性基板の、
第１の表面の導電パターンを経由して、チップの第２の
表面ないし第３の表面上の電極パターンに到達する構成
にしている。
も、平面寸法がほとんどチップと同一になるチップサイ
ズパッケージを実現する。 【解決手段】 固体撮像素子、及びこの素子と直接又は
他の回路を経由して電気的に接続された複数の電極と
を、第１の表面に有するＩＣチップと、ガラス、水晶、
ニオブ酸リチウム、合成樹脂などの部材、それらの組み
合わせによって、構成される透光性基板とから構成され
ており、前記ＩＣチップの電極は、前記透光性基板の、
第１の表面の導電パターンを経由して、チップの第２の
表面ないし第３の表面上の電極パターンに到達する構成
にしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体集
積回路、特にＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの固体撮像素子や受
光素子、その他、光電変換素子を含む集積回路の超小型
実装において使用するチップサイズパッケージおよびそ
の製造方法に関する。
積回路、特にＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの固体撮像素子や受
光素子、その他、光電変換素子を含む集積回路の超小型
実装において使用するチップサイズパッケージおよびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路（以下、ＩＣとい
う）を機器に搭載するには、図１４に示すように、機器
の配線基板５との、チップの半田付けを行い易くするた
めに、以下の実装方法が多く用いられてきた。即ち、半
導体製造工程を完了したシリコンウエハを切断（ダイシ
ング）して、小片（ＩＣチップ：１０１）とした後、セ
ラミックやプラスチックなどのケース２００に収納し、
半田付け用の端子（リード）２０２とＩＣチップの電極
１ｃとを、金属細線２０３で接続（ワイヤーボンディン
グ）し、その後に、ケース２００に対して、気密封止の
蓋２０１を接着する。
う）を機器に搭載するには、図１４に示すように、機器
の配線基板５との、チップの半田付けを行い易くするた
めに、以下の実装方法が多く用いられてきた。即ち、半
導体製造工程を完了したシリコンウエハを切断（ダイシ
ング）して、小片（ＩＣチップ：１０１）とした後、セ
ラミックやプラスチックなどのケース２００に収納し、
半田付け用の端子（リード）２０２とＩＣチップの電極
１ｃとを、金属細線２０３で接続（ワイヤーボンディン
グ）し、その後に、ケース２００に対して、気密封止の
蓋２０１を接着する。
【０００３】通常、固体撮像素子、受光素子などのＩＣ
も、多くは、上記の方法で実装しており、ここでは、外
部からの光線３００がチップ上の受光素子領域に到達す
るように、蓋２０１の材質に透明ガラスなどが用いられ
ている。
も、多くは、上記の方法で実装しており、ここでは、外
部からの光線３００がチップ上の受光素子領域に到達す
るように、蓋２０１の材質に透明ガラスなどが用いられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＩＣの設計・製
造技術の進展によって、回路の高度集積化かつ低消費電
力化が可能となり、高機能な情報機器が、よりコンパク
トで、携帯可能になってきている。当然、上記のような
従来の実装方法では、ＩＣチップ以外のケース、蓋やリ
ードの占める体積、実装コストなどの比率が相対的に大
きくなり、これらを極限まで圧縮することが課題となっ
てきた。
造技術の進展によって、回路の高度集積化かつ低消費電
力化が可能となり、高機能な情報機器が、よりコンパク
トで、携帯可能になってきている。当然、上記のような
従来の実装方法では、ＩＣチップ以外のケース、蓋やリ
ードの占める体積、実装コストなどの比率が相対的に大
きくなり、これらを極限まで圧縮することが課題となっ
てきた。
【０００５】この課題を解決するため、さまざまな超小
型実装方式が提案されている。例えば、特開平１１−１
２１６５３号公報に述べられているような、ＣＯＧ（チ
ップ・オン・ガラス）方式などがある。ここでは、図１
５に示すように透光性基板に電極パターンを設け、これ
とＩＣ電極を接続した上で空隙を封止する方法が述べら
れている。このような構造は、従来例に比べて、よりコ
ンパクトにはなるものの、透光性基板上に外部接続のた
めの電極を設ける必要があるため、平面寸法がチップよ
り大きくなることが避けられない。
型実装方式が提案されている。例えば、特開平１１−１
２１６５３号公報に述べられているような、ＣＯＧ（チ
ップ・オン・ガラス）方式などがある。ここでは、図１
５に示すように透光性基板に電極パターンを設け、これ
とＩＣ電極を接続した上で空隙を封止する方法が述べら
れている。このような構造は、従来例に比べて、よりコ
ンパクトにはなるものの、透光性基板上に外部接続のた
めの電極を設ける必要があるため、平面寸法がチップよ
り大きくなることが避けられない。
【０００６】次に、図１６に示す、特表平９-５１１９
７号公報（シェルケース：エル・ティー・ディー）の例
について述べると、ここでのＩＣチップ（ダイ）には、
絶縁保護板と第２の絶縁外装膜が接着されており、チッ
プの電極（パッド部）と接続する金属膜の接触端子が、
絶縁保護板の端面から表面に延長されている。
７号公報（シェルケース：エル・ティー・ディー）の例
について述べると、ここでのＩＣチップ（ダイ）には、
絶縁保護板と第２の絶縁外装膜が接着されており、チッ
プの電極（パッド部）と接続する金属膜の接触端子が、
絶縁保護板の端面から表面に延長されている。
【０００７】なお、この公報には図示されていないが、
接触端子を第２の絶縁外装膜側に引き出すことも可能で
あり、このようにすれば、固体撮像素子の超小型実装、
いわゆる、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が可能に
なる。
接触端子を第２の絶縁外装膜側に引き出すことも可能で
あり、このようにすれば、固体撮像素子の超小型実装、
いわゆる、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が可能に
なる。
【０００８】しかしながら、上記の例では、固体撮像素
子を含むＩＣチップと透明な絶縁保護板とは、エポキシ
樹脂により接着されるため、固体撮像素子上に集光のた
めのマイクロレンズ群を形成してある場合には適用でき
ない。すなわち、エポキシ樹脂がマイクロレンズ群の凹
凸を充填して、そのレンズ効果を減殺してしまうからで
ある。
子を含むＩＣチップと透明な絶縁保護板とは、エポキシ
樹脂により接着されるため、固体撮像素子上に集光のた
めのマイクロレンズ群を形成してある場合には適用でき
ない。すなわち、エポキシ樹脂がマイクロレンズ群の凹
凸を充填して、そのレンズ効果を減殺してしまうからで
ある。
【０００９】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、マイクロレンズ群を有する固体撮像素子でも、平
面寸法がほとんどチップと同一になるチップサイズパッ
ケージを実現することを目的としている。
ので、マイクロレンズ群を有する固体撮像素子でも、平
面寸法がほとんどチップと同一になるチップサイズパッ
ケージを実現することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明のチップサイズパッケージでは、固体撮像素
子、及びこの素子と直接又は他の回路を経由して電気的
に接続された複数の電極とを第１の表面に有するＩＣチ
ップと、ガラス、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂な
どの部材、及び／又はそれらの組み合わせによって構成
される透光性基板とから構成されており、前記ＩＣチッ
プの電極は、前記透光性基板の第１の表面に設けられた
導電パターンを経由して、チップの第２の表面（端面）
ないし第３の表面（裏面）上の電極パターンに到達する
構成にしたことを特徴とする。
め、本発明のチップサイズパッケージでは、固体撮像素
子、及びこの素子と直接又は他の回路を経由して電気的
に接続された複数の電極とを第１の表面に有するＩＣチ
ップと、ガラス、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂な
どの部材、及び／又はそれらの組み合わせによって構成
される透光性基板とから構成されており、前記ＩＣチッ
プの電極は、前記透光性基板の第１の表面に設けられた
導電パターンを経由して、チップの第２の表面（端面）
ないし第３の表面（裏面）上の電極パターンに到達する
構成にしたことを特徴とする。
【００１１】ここでは、透光性基板表面の、ＩＣ電極と
相対する位置、及びその近傍に導電パターンを設け、か
つ電極と導電パターンの間には導電性の突起ないし粒子
を置いて両者を電気的に接続させると同時に固体撮像素
子（マイクロレンズ群）と透光性基板との間に空隙を確
保する。
相対する位置、及びその近傍に導電パターンを設け、か
つ電極と導電パターンの間には導電性の突起ないし粒子
を置いて両者を電気的に接続させると同時に固体撮像素
子（マイクロレンズ群）と透光性基板との間に空隙を確
保する。
【００１２】この場合、本発明の実施の形態として、空
隙の周辺部、チップの端面、さらに望ましくはチップの
裏面を絶縁性かつ不透湿性の樹脂で封止することで、透
光性基板とチップとを強固に一体化し、固体撮像素子及
びマイクロレンズ群を空気中の水分や腐食性ガスなどか
ら保護する。また、チップ端面、さらに望ましくは、チ
ップ裏面の封止樹脂に、透光性基板の導電パターンに接
続する電極パターンを設けることで、チップサイズパッ
ケージ（ＣＳＰ）を構成するのがよい。
隙の周辺部、チップの端面、さらに望ましくはチップの
裏面を絶縁性かつ不透湿性の樹脂で封止することで、透
光性基板とチップとを強固に一体化し、固体撮像素子及
びマイクロレンズ群を空気中の水分や腐食性ガスなどか
ら保護する。また、チップ端面、さらに望ましくは、チ
ップ裏面の封止樹脂に、透光性基板の導電パターンに接
続する電極パターンを設けることで、チップサイズパッ
ケージ（ＣＳＰ）を構成するのがよい。
【００１３】なお、透光性基板は、単に固体撮像素子な
どの保護にとどまらず、結像レンズ機能、光学ローパス
フィルター機能、その他各種の光学機能を付与すること
で、きわめて小型、高機能の光学素子モジュールを構成
することができる。
どの保護にとどまらず、結像レンズ機能、光学ローパス
フィルター機能、その他各種の光学機能を付与すること
で、きわめて小型、高機能の光学素子モジュールを構成
することができる。
【００１４】上記の構造は、ウエハからＩＣチップを切
断（ダイシング）した後に組立てることも可能である
が、数個以上のＩＣチップ、より好ましくは、未切断の
ウエハごと組立てることで、チップサイズパッケージの
生産性の向上が可能となる。
断（ダイシング）した後に組立てることも可能である
が、数個以上のＩＣチップ、より好ましくは、未切断の
ウエハごと組立てることで、チップサイズパッケージの
生産性の向上が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１によっ
て、本発明の第１の実施形態について、具体的に説明す
る。なお、図１は断面図である。ここで、符号１０１は
ＩＣチップであり、その第１の表面１１側に固体撮像素
子１０２、絶縁膜１ｂ、保護膜１ｄ、電極１ｃなどのＩ
Ｃが形成されている。
て、本発明の第１の実施形態について、具体的に説明す
る。なお、図１は断面図である。ここで、符号１０１は
ＩＣチップであり、その第１の表面１１側に固体撮像素
子１０２、絶縁膜１ｂ、保護膜１ｄ、電極１ｃなどのＩ
Ｃが形成されている。
【００１６】また、固体撮像素子１０２の表面には、集
光効率を高める目的でマイクロレンズ群１０３が形成さ
れている。一方、透光性基板２０１の第１の表面２１１
には、遮光層２２１と導電パターン２２２が形成され、
第２の表面２１３には結像レンズ２３０が形成されてい
る。
光効率を高める目的でマイクロレンズ群１０３が形成さ
れている。一方、透光性基板２０１の第１の表面２１１
には、遮光層２２１と導電パターン２２２が形成され、
第２の表面２１３には結像レンズ２３０が形成されてい
る。
【００１７】これら透光性基板や結像レンズの表面には
必要に応じて反射防止膜を設けることもある。導電パタ
ーン２２２と電極１ｃの間には、金属突起２２３が設け
られ、両者を電気的に接続すると同時に、透光性基板の
第１の表面２１１とマイクロレンズ群１０３との間に空
隙３１０を形成する。
必要に応じて反射防止膜を設けることもある。導電パタ
ーン２２２と電極１ｃの間には、金属突起２２３が設け
られ、両者を電気的に接続すると同時に、透光性基板の
第１の表面２１１とマイクロレンズ群１０３との間に空
隙３１０を形成する。
【００１８】空隙３１０の厚さは金属突起２２３の寸法
によりほぼ定まり、スタッドバンプやメッキバンプを用
いると、一般には数十マイクロメートル程度である。図
では、金属突起２２３は透光性基板側に設けたが、これ
とは逆にＩＣ電極１ｃの上に設けても良い。
によりほぼ定まり、スタッドバンプやメッキバンプを用
いると、一般には数十マイクロメートル程度である。図
では、金属突起２２３は透光性基板側に設けたが、これ
とは逆にＩＣ電極１ｃの上に設けても良い。
【００１９】符号３は絶縁性かつ不透湿性の樹脂であ
り、空隙３１０の周囲を囲うように充填され、固体撮像
素子１０２などＩＣを空気中の水分や腐食性の雰囲気な
どから保護する。なお、空隙３１０に窒素等の不活性ガ
スを封入しておけば、より効果的にＩＣを保護できる。
り、空隙３１０の周囲を囲うように充填され、固体撮像
素子１０２などＩＣを空気中の水分や腐食性の雰囲気な
どから保護する。なお、空隙３１０に窒素等の不活性ガ
スを封入しておけば、より効果的にＩＣを保護できる。
【００２０】樹脂３は、固体撮像素子１０２の上を被わ
ず、ＩＣチップの第１の表面１１から、切れ目無く第二
の表面（端面）１２、そして、第三の表面（裏面）１３
を被っている。前記導電パターン２２２と接続した電極
パターン２ｂは、この樹脂表面に沿って、ＩＣチップの
端面から裏面にまで達しており、このチップサイズパッ
ケージと回路基板（図示せず）との接続を可能にしてい
る。
ず、ＩＣチップの第１の表面１１から、切れ目無く第二
の表面（端面）１２、そして、第三の表面（裏面）１３
を被っている。前記導電パターン２２２と接続した電極
パターン２ｂは、この樹脂表面に沿って、ＩＣチップの
端面から裏面にまで達しており、このチップサイズパッ
ケージと回路基板（図示せず）との接続を可能にしてい
る。
【００２１】なお、回路基板との接続には半田付け、ソ
ケットへの挿入、異方性導電接着剤による接着など、広
く用いられている手段が適用可能である。
ケットへの挿入、異方性導電接着剤による接着など、広
く用いられている手段が適用可能である。
【００２２】（第２の実施の形態）図２には、本発明の
第２の実施形態が示されている。なお、導電パターン２
２２と電極１ｃとの接続には、導電粒子２２４が用いら
れる。この粒子は金属の粒子や樹脂の粒子表面を金属メ
ッキしたものなど、直径が数十マイクロメートルから数
百マイクロメートル程度のものが使用でき、空隙３１０
の寸法を第１の実施形態より広い範囲で設定可能であ
る。
第２の実施形態が示されている。なお、導電パターン２
２２と電極１ｃとの接続には、導電粒子２２４が用いら
れる。この粒子は金属の粒子や樹脂の粒子表面を金属メ
ッキしたものなど、直径が数十マイクロメートルから数
百マイクロメートル程度のものが使用でき、空隙３１０
の寸法を第１の実施形態より広い範囲で設定可能であ
る。
【００２３】（第３の実施の形態）図３には、本発明の
第３の実施形態が示されている。なお、マイクロレンズ
群が不要である固体撮像素子、例えば、一次元配列のラ
インセンサなどでも、本発明の適用が可能である。
第３の実施形態が示されている。なお、マイクロレンズ
群が不要である固体撮像素子、例えば、一次元配列のラ
インセンサなどでも、本発明の適用が可能である。
【００２４】その場合、透光性基板２０１と固体撮像素
子１０２との間に透明樹脂３ａを充填し、空隙を無くす
ことで、より信頼性と機械的強度を向上することができ
る。なお、透明樹脂３ａは、熱併用紫外線硬化の特性を
もつことが望ましい。また、透光性基板２０１がガラス
など絶縁性の材質であれば、第１の表面２１１に導電パ
ターン２２２を直接設けても良い。
子１０２との間に透明樹脂３ａを充填し、空隙を無くす
ことで、より信頼性と機械的強度を向上することができ
る。なお、透明樹脂３ａは、熱併用紫外線硬化の特性を
もつことが望ましい。また、透光性基板２０１がガラス
など絶縁性の材質であれば、第１の表面２１１に導電パ
ターン２２２を直接設けても良い。
【００２５】図４〜図１３には、第１の実施形態におけ
るチップサイズパッケージの製造工程を示す。ここで
は、まず、固体撮像素子、電極、及びマイクロレンズ群
などの形成を終わったウエハ１の、第１の表面１１から
切断砥石９などを用いて、切断ライン１ｅに沿って溝入
れ加工を行う。
るチップサイズパッケージの製造工程を示す。ここで
は、まず、固体撮像素子、電極、及びマイクロレンズ群
などの形成を終わったウエハ１の、第１の表面１１から
切断砥石９などを用いて、切断ライン１ｅに沿って溝入
れ加工を行う。
【００２６】この溝によって、ウエハには、第２の表面
すなわちチップ端面１２が形成される。溝の幅は、概ね
１００マイクロメートルから２００マイクロメートル程
度が妥当である（図４および図５を参照）。
すなわちチップ端面１２が形成される。溝の幅は、概ね
１００マイクロメートルから２００マイクロメートル程
度が妥当である（図４および図５を参照）。
【００２７】これとは別に、ガラスなどの透光性基板２
０１の、第１の表面２１１に、樹脂印刷などにより、絶
縁性かつ不透明の遮光膜２２１を形成する。この遮光膜
はウエハ１の切断ライン１ｅと相対し、かつ、固体撮像
素子１０２を被わぬ位置に設けられる。遮光膜２２１の
上には導電パターン２２２が、さらに、その上に金属突
起２２３が設けられる。
０１の、第１の表面２１１に、樹脂印刷などにより、絶
縁性かつ不透明の遮光膜２２１を形成する。この遮光膜
はウエハ１の切断ライン１ｅと相対し、かつ、固体撮像
素子１０２を被わぬ位置に設けられる。遮光膜２２１の
上には導電パターン２２２が、さらに、その上に金属突
起２２３が設けられる。
【００２８】ここで、突起２２３はスタッドバンプボン
ディング、電解メッキなど、広く行われているプロセス
により形成し、その配置はＩＣチップの電極１ｃと厳密
に対応している。なお、透光性基板２０１の表面２１３
に撮像レンズ２３０などの光機能素子を形成しておくこ
ともできる（図６を参照）。
ディング、電解メッキなど、広く行われているプロセス
により形成し、その配置はＩＣチップの電極１ｃと厳密
に対応している。なお、透光性基板２０１の表面２１３
に撮像レンズ２３０などの光機能素子を形成しておくこ
ともできる（図６を参照）。
【００２９】導電パターン２２２と金属突起２２３を被
い、かつ遮光膜２２１からはみ出さぬように、絶縁性か
つ不透湿の樹脂３を塗付する。これには、紫外線などの
電磁波および熱により硬化する熱併用紫外線硬化接着剤
が適する（図７を参照）。
い、かつ遮光膜２２１からはみ出さぬように、絶縁性か
つ不透湿の樹脂３を塗付する。これには、紫外線などの
電磁波および熱により硬化する熱併用紫外線硬化接着剤
が適する（図７を参照）。
【００３０】ウエハ１と透光性基板２０１とを、電極１
ｃと金属突起２２３とが重ね合うよう位置決めした後に
圧着する。この時、透光性基板の２１３側から紫外線３
０１などを照射しながら圧着することで、樹脂３は遮光
膜２２１からはみだした部分でただちに硬化し、固体撮
像素子１０２を被うことが無い。未硬化の余剰樹脂は溝
部に押し出されるため、電極１ｃと金属突起２２３の接
触を妨げることも無い（図８および図９を参照）。紫外
線照射後に加熱硬化すると、透光性基板２０１とウエハ
１とは強固に接着され、かつマイクロレンズ１０３との
間に空隙３１０が形成される。
ｃと金属突起２２３とが重ね合うよう位置決めした後に
圧着する。この時、透光性基板の２１３側から紫外線３
０１などを照射しながら圧着することで、樹脂３は遮光
膜２２１からはみだした部分でただちに硬化し、固体撮
像素子１０２を被うことが無い。未硬化の余剰樹脂は溝
部に押し出されるため、電極１ｃと金属突起２２３の接
触を妨げることも無い（図８および図９を参照）。紫外
線照射後に加熱硬化すると、透光性基板２０１とウエハ
１とは強固に接着され、かつマイクロレンズ１０３との
間に空隙３１０が形成される。
【００３１】ウエハ１の第３の表面１３、すなわち裏面
を研削、エッチングなどの手段で除去し、第２の表面１
２（溝部）を露出させる（図１０を参照）。
を研削、エッチングなどの手段で除去し、第２の表面１
２（溝部）を露出させる（図１０を参照）。
【００３２】前記工程（図７）で用いた樹脂３と同様の
樹脂を、新たに削り落とされた第３の表面１３及び第２
の表面１２を切れ目なく被うように、塗布し、硬化させ
る（図１１を参照）。
樹脂を、新たに削り落とされた第３の表面１３及び第２
の表面１２を切れ目なく被うように、塗布し、硬化させ
る（図１１を参照）。
【００３３】樹脂３に孔４をあけ、導電パターン２２２
を底部に露出させる。孔４の内径は１００マイクロメー
トル程度、深さは数百マイクロメートルが望ましい。こ
のような深孔加工にはレーザ孔あけが有利である（図１
２を参照）。
を底部に露出させる。孔４の内径は１００マイクロメー
トル程度、深さは数百マイクロメートルが望ましい。こ
のような深孔加工にはレーザ孔あけが有利である（図１
２を参照）。
【００３４】孔４の底部に露出した導電パターン２２２
から、ウエハの裏面１３を被う樹脂３まで達するよう
に、無電解メッキなどの手段により金属の電極２を設け
る（図１３を参照）。
から、ウエハの裏面１３を被う樹脂３まで達するよう
に、無電解メッキなどの手段により金属の電極２を設け
る（図１３を参照）。
【００３５】最後に電極２を結ぶ中心線上を、孔４の直
径より小さい幅の切断砥石（図示せず）で切断する。こ
れで、図１のＣＳＰ（チップサイズパッケージ）が完成
するのである。
径より小さい幅の切断砥石（図示せず）で切断する。こ
れで、図１のＣＳＰ（チップサイズパッケージ）が完成
するのである。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のＣＳＰ（チ
ップサイズパッケージ）は、固体撮像素子、なかでも、
マイクロレンズ群を有する固体撮像素子で、ウエハレベ
ルＣＳＰを実現でき、デバイスの超小型かつローコスト
化を達成できる。
ップサイズパッケージ）は、固体撮像素子、なかでも、
マイクロレンズ群を有する固体撮像素子で、ウエハレベ
ルＣＳＰを実現でき、デバイスの超小型かつローコスト
化を達成できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における第１の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における第２の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態における第３の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態における第４の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態における第５の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態における第６の製造工
程を表す断面図である。
程を表す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態における第７の製造
工程を表す断面図である。
工程を表す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態における第８の製造
工程を表す断面図である。
工程を表す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態における第９の製造
工程を表す断面図である。
工程を表す断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態における第１０の製
造工程を表す断面図である。
造工程を表す断面図である。
【図１４】従来の固体撮像素子の実装形態を示す断面図
である。
である。
【図１５】固体撮像素子のＣＯＧ（チップ・オン・ガラ
ス）の例を示す断面図である。
ス）の例を示す断面図である。
【図１６】ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）の例を示
す断面図である。
す断面図である。
１ ウエハ １０１ ＩＣチップ １１ 第１の表面（表面） １２ 第２の表面（端面） １３ 第３の表面（裏面） １ｃ ＩＣ電極 １０２ 固体撮像素子 １０３ マイクロレンズ群 ２０１ 透光性基板 ２１１ 第１の表面 ２１３ 第２の表面 ２２１ 遮光層 ２２２ 導電パターン ２２３ 金属突起 ２２４ 導電粒子 ２ 電極 ２ｂ 電極パターン ３ 絶縁樹脂 ３ａ 透明樹脂 ３００ 光線 ３０１ 紫外線
Claims (11)
- 【請求項１】 固体撮像素子、及びこの素子と直接又は
他の回路を経由して電気的に接続された複数の電極とを
第１の表面に有するＩＣチップと、ガラス、水晶、ニオ
ブ酸リチウム、合成樹脂などの部材、及び／又はそれら
の組み合わせによって構成される透光性基板とから構成
されており、 前記ＩＣチップの電極は、前記透光性基板の第１の表面
に設けられた導電パターンを経由して、チップの第２の
表面（端面）ないし第３の表面（裏面）上の電極パター
ンに到達する構成にしたことを特徴とするチップサイズ
パッケージ。 - 【請求項２】 前記ＩＣ電極と前記透光性基板の導電パ
ターンとは、金属突起、導電粒子、異方性導電接着剤な
どで接続されていることを特徴とする、請求項１に記載
のチップサイズパッケージ。 - 【請求項３】 前記チップの第２の表面（端面）ないし
第３の表面（裏面）は、絶縁性の樹脂で被われているこ
とを特徴とする、請求項２に記載のチップサイズパッケ
ージ。 - 【請求項４】 前記固体撮像素子上には、マイクロレン
ズ群が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３
の何れか１項に記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項５】 前記マイクロレンズ群と前記透光性基板
との間には空隙が設けられていることを特徴とする、請
求項４に記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項６】 前記空隙の、固体撮像素子を被わない周
辺部に絶縁性の接着剤が充填されていることを特徴とす
る、請求項５に記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項７】 前記チップの第２の表面（端面）ないし
第３の表面（裏面）上の電極パターンは、前記絶縁性の
樹脂表面近傍に設けられていることを特徴とする、請求
項３に記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項８】 前記透光性基板と固体撮像素子の間に
は、絶縁性の透明樹脂が充填されていることを特徴とす
る、請求項１〜３、及び請求項７の何れか１項に記載の
チップサイズパッケージ。 - 【請求項９】 前記透光性基板には結像レンズ、光学ロ
ーパスフィルター、赤外線カットフィルターなどの光機
能素子が形成されていることを特徴とする請求項１〜８
の何れか１項に記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項１０】 前記透光性基板と光機能素子の、光線
が通過する表面の一部又は全部に反射防止膜が形成され
ていることを特徴とする、請求項１〜９の何れか１項に
記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項１１】 前記透光性基板は、複数のＩＣチップ
を形成したウエハと接続固定され、その後に個々のＩＣ
チップの大きさに切断されることを特徴とする、請求項
１〜９の何れか１項に記載のチップサイズパッケージの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134431A JP2002329850A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | チップサイズパッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134431A JP2002329850A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | チップサイズパッケージおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329850A true JP2002329850A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18982115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001134431A Pending JP2002329850A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | チップサイズパッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002329850A (ja) |
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- 2001-05-01 JP JP2001134431A patent/JP2002329850A/ja active Pending
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