JPWO2005020328A1 - 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置並びに固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法 - Google Patents

固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置並びに固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2005020328A1
JPWO2005020328A1 JP2005513276A JP2005513276A JPWO2005020328A1 JP WO2005020328 A1 JPWO2005020328 A1 JP WO2005020328A1 JP 2005513276 A JP2005513276 A JP 2005513276A JP 2005513276 A JP2005513276 A JP 2005513276A JP WO2005020328 A1 JPWO2005020328 A1 JP WO2005020328A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging device
solid
state imaging
microlens array
convex portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005513276A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4710610B2 (ja
Inventor
高山 淳
淳 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Opto Inc
Original Assignee
Konica Minolta Opto Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Opto Inc filed Critical Konica Minolta Opto Inc
Priority to JP2005513276A priority Critical patent/JP4710610B2/ja
Publication of JPWO2005020328A1 publication Critical patent/JPWO2005020328A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4710610B2 publication Critical patent/JP4710610B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0075Arrays characterized by non-optical structures, e.g. having integrated holding or alignment means
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0012Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

製造工程を増加させることなく、低コストで固体撮像素子をパッケージングした固体撮像装置及びこの固体撮像装置を備えた撮像装置並びにこの固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法を得る。受光画素群と、マイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの光入射側に配置される透明部材と、を有し、マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、マイクロレンズアレイと一体に形成し、透明部材をこの凸部で支持したことを特徴とする固体撮像装置、とする。

Description

本発明は、カメラ等に使用される撮像装置に関し、特に携帯端末に搭載される薄型カメラユニットに好適な固体撮像装置に関するものである。
小型で薄型の撮像装置が、携帯電話機やPDA(Personal Digital Assistant)等の小型、薄型の電子機器に搭載されるようになった。これにより遠隔地へ音声情報だけでなく画像情報も相互に伝送することが可能となっている。
これらの撮像装置に使用される撮像素子としては、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサやCMOS(Complementary Metal−Oxide Semiconductor)型イメージセンサ等の固体撮像素子が使用されている。
また、これらの撮像素子は、個々の受光画素上に各々マイクロレンズを形成して小型、高画素化に伴う受光画素面積の縮小による感度低下を補う工夫がなされている。
一方、上記の撮像装置は、搭載する機器の薄型化に伴い極力薄いことが求められ、従来のセラミックパッケージや樹脂モールドパッケージを使用しては、この要求に対応することは困難である。このため、マイクロレンズの形成された半導体イメージセンサチップをそのまま、撮像装置を構成するプリント基板に実装し、この後光学系等を組み立てて一体化することで小型薄型化をおこなうのが一般的であった。
この場合、工程中でマイクロレンズ上に塵埃が付着すると、受光画素への光が遮蔽され、被写体画像データに支障をきたす問題を発生させる場合がある。
これに対し、撮像素子を薄型に保ちつつパッケージングした固体撮像装置が提案されている。
この例として、マイクロレンズアレイ上にマイクロレンズより低屈折率の層を形成し、透明板をこの低屈折率の層上に配置したもの、マイクロレンズアレイ上にスペーサを介して透明板を配置しマイクロレンズアレイと透明板の間を空気層としたものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−31782号公報 上記の特許文献1に記載の固体撮像装置は、撮像装置が完成されるまでの工程の初期の段階からマイクロレンズアレイ部が透明板により覆われ、外気と隔絶されているため、種々の工程を経由してもマイクロレンズ上に塵埃が付着することが無く、また透明板上に付着しても容易に拭き取ることができる利点を有している。
しかし、マイクロレンズアレイ上に低屈折率の層を形成する方法では、低屈折率層の層厚管理が困難であることと、低屈折率の層を形成するための工程が増加し、コストアップを誘引する問題がある。
またマイクロレンズアレイ上にスペーサを介して透明板を配置する方法では、スペーサを形成する工程、もしくはスペーサ部材及びその組み込みが、工程に追加となり同様のコストアップを誘引する問題がある。
本発明は上記問題に鑑み、薄型に保ったまま、製造のための工程を増加させることなく、即ち低コストで固体撮像素子をパッケージングした固体撮像装置及びこの固体撮像装置を備えた撮像装置並びにこの固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法を得ることを目的とするものである。
上記の課題は、以下のようにすることで解決される。
受光画素群と、マイクロレンズアレイと、前記マイクロレンズアレイの光入射側に配置される透明部材と、を有し、前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、マイクロレンズアレイと一体に形成し、前記透明部材を前記凸部で支持したことを特徴とする固体撮像装置、とする。
第1(a)図および第1(b)図は、本実施の形態における撮像装置100の斜視図である。
第2図は撮像装置100に用いられる、本発明に係る固体撮像装置の側断面図である。
第3図は本発明に係る固体撮像装置を受光画素面方向から見た正面図である。
第4図は固体撮像装置に形成されるカラーモザイクフィルタの配列例を示す図である。
第5(a)図および第5(b)図は固体撮像装置に形成されるマイクロレンズアレイと凸部及び欠損部の1例の模式図である。
第6(a)図〜第6(d)図は本発明に係るマイクロレンズアレイと凸部を同時に一体的に形成する方法の模式図である。
第7図は撮像装置100を第1(a)図に示すF−F線で切断した概略の断面図である。
第8図は撮像装置200の内部構成を示す概略の断面図である。
第9図はボールグリッドアレイタイプに形成した固体撮像装置のその他の例を示したものである。
第10図はマイクロレンズアレイと一体で形成される凸部の形状のその他の例を示した図である。
第11図はマイクロレンズアレイと一体で形成される凸部の形状のその他の例を示した図である。
第12図はマイクロレンズアレイと一体で形成される凸部の形状のその他の例を示した図である。
第13図はマイクロレンズアレイと一体で形成される凸部の形状のその他の例を示した図である。
以下に、本発明の好ましい形態を説明する。
1) 入射光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群と、前記受光画素に対応して2次元的に配置されたマイクロレンズアレイと、前記マイクロレンズアレイの光入射側に配置される透明部材と、を有し、前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成し、前記透明部材を前記凸部で支持したことを特徴とする固体撮像装置。
2) 前記凸部は、前記マイクロレンズアレイと同一工程で一体に形成されている
ことを特徴とする、1)の固体撮像装置。
3) 前記同一工程はリソグラフィーによる工程であることを特徴とする、
2)の固体撮像装置。
4) 前記リソグラフィーによる工程は、
前記マイグロレンズアレイを、熱可塑性の透明感光性樹脂膜に所望のパターンを露光して形成する固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法において、
前記透明感光性樹脂膜への露光時に、前記マイクロレンズアレイの領域とそれ以外の領域とで、露光されるパターンを異ならせることにより、
前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成する、3)の固体撮像装置。
5) 前記透明感光樹脂層を形成する工程は、塗布による工程であることを特徴とする、
4)の固体撮像装置。
6) 露光が行なわれた前記透明感光性樹脂膜は、エッチングを用いた方法により現像されることを特徴とする、
7) 前記マイクロレンズアレイおよび前記凸部を形成する工程は、熱リフロー法やエッチバックによる工程であることを特徴とする、
4)の固体撮像装置。
8) 前記凸部は、前記マイクロレンズアレイを取り囲むように配置されている1)〜7)の固体撮像装置。
9) 前記透明部材は、前記凸部と当接した状態で接着され、前記マイクロレンズアレイの領域を封止した1)〜8)のいずれかの固体撮像装置。
10) 前記透明部材は、成形部材である1)〜9)のいずれかの固体撮像装置。
11) 前記透明部材に赤外光カット機能を持たせた1)〜10)のいずれかの固体撮像装置。
12) 前記凸部の領域内に、前記凸部が欠損した部位を形成し、前記透明部材に前記凸部の欠損した部位に係合する係合部を形成した1)〜11)のいずれかの固体撮像装置。
13) 前記透明部材の光入射側の面の一部に、凹部又は凸部を形成した1)〜12)のいずれかの固体撮像装置。
14) 前記透明部材に遮光部を設けた1)〜13)のいずれかの固体撮像装置。
15) 前記透明部材の少なくとも一方の面に反射防止処理を施した1)〜14)のいずれかの固体撮像装置。
16) 前記透明部材の少なくとも一方の面に、回折格子からなる光学的ローパスフィルタを設けた1)〜15)の固体撮像装置。
17) 1)〜16)のいずれかの固体撮像装置と前記固体撮像装置に被写体光を結像させる撮像光学系を備えたことを特徴とする撮像装置。
18) 前記透明部材の光入射面側の面に、前記撮像光学系を当接させた17)の撮像装置。
19) 入射した光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群の前記受光画素に対応して配置されるマイクロレンズアレイを、熱可塑性の透明感光性樹脂膜に所望のパターンを露光して形成する固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法において、前記透明感光性樹脂膜への露光時に、前記マイクロレンズアレイの領域とそれ以外の領域とで、露光されるパターンを異ならせることにより、前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成することを特徴とする固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法。
以下、実施の形態により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、本実施の形態においては、入射光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群を有する半導体イメージセンサチップを撮像素子と称し、この撮像素子にマイクロレンズ、透明部材等を設けた状態を固体撮像装置と称し、この固体撮像装置に撮像光学系を設けカメラモジュールの形態となったものを撮像装置と称して説明する。
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態について説明する。第1の実施の形態は、撮像素子を所謂フリップチップ実装法でプリント基板に実装した撮像装置である。
第1(a)図および第1(b)図は、本実施の形態における撮像装置100の斜視図である。第1(a)図は撮像装置を表側の面である光入射側から見た斜視図であり、第1(b)図は裏側の面である撮像素子側から見た斜視図である。
第1(a)図に示すように、撮像装置100の表側はフレキシブルプリント基板FPCと、このフレキシブルプリント基板FPCに取り付けられた補強板16を介して、光学部材を内包する外枠部材4と、この外枠部材の光入射側には開口部を有する蓋部材5が取り付けられている。
また第1(b)図に示すように、撮像装置100の裏面にはフレキシブルプリント基板FPCの他方の面に本発明に係る固体撮像装置8がフリップチップ実装法により電気的に接続されると共に固着されている。この固体撮像装置8からの光電変換信号や固体撮像装置8を制御するための信号は、フレキシブルプリント基板FPCを介し、接続端子部17が図示しない携帯端末本体側の基板と接続されて相互に入出力が可能となっている。
第2図は、撮像装置100に用いられる、本発明に係る固体撮像装置8の側断面図である。
第2図に示すように、固体撮像装置8は、入射光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群(図示せず)と、この受光画素に対応して2次元的に配置されたモザイクカラーフィルタ層21を有する半導体イメージセンサーチップ20と受光画素に対応して2次元的に配置されたマイクロレンズアレイ22と、このマイクロレンズアレイ22の光入射側に配置される透明部材23で構成されている。
マイクロレンズアレイ22の周囲には、マイクロレンズアレイ22より高さの高い凸部24が、マイクロレンズアレイ22を形成する同一プロセスで同時に一体的に形成される。このプロセスにはリソグラフィーの手法を用いることができる。透明部材23は、この凸部24に当接して支持されている。これにより、マイクロレンズアレイ22と透明部材23の間には空気層を介在させることができ、マイクロレンズアレイ22の屈折力を確保している。なお、空気層が最も特性的に有利であるが、マイクロレンズアレイ22より屈折率の低い透明な光学材料を充填してもよい。
この凸部24の領域内に、凸部の無い欠損部24kが少なくとも2箇所形成されている。透明部材23は、この欠損部24kに対応する位置に突起部23kが形成されており、この透明部材23の突起部23kと欠損部24kを係合させることにより、透明部材23の位置決めがなされるようになっている。このように位置決めがなされた後、凸部24と透明部材23の周囲を、例えば紫外線硬化型の接着剤Cにより接着され、透明部材23と凸部24で、マイクロレンズアレイ22の光入射側の空間が封止されている。
また、透明部材23の光入射側23rには、赤外光カット機能を有する例えば公知の赤外カットコーティングが施され、加えて撮像光学系からの被写体光束が透過する領域以外は、例えば黒色の遮光性の印刷23sが施されている。このようにすることで赤外光カットのための部材の厚みを省略でき、また遮光性の印刷により、撮像素子に入射する不要光を遮断し、被写体画像のコントラストの低下を防止でき、被写体画像の画質を向上させることができる。
なお、透明部材23には、反射防止処理を施すことが望ましい。これにより、被写体画像のコントラストの低下を防止でき、被写体画像の画質を向上させることができる。
この反射防止処理としては、公知の誘電体多層膜等のコーティングによる方法の他、特開2003−114316号公報に記載されているような微細な円錐体、角錐体を配列した形状を形成し、そのピッチはランダムにかつ臨界波長以上の光の入射側及び出射側における0次以外の次数の回折光が実質的に0となるように設定することで反射防止をおこなうことが望ましい。
このようにすることにより、成型で反射防止処理がおこなえるためコーティングの工程を省略でき、より低コスト化が可能である。
加えて、透明部材23の少なくとも一方の面に、回折格子からなる光学的ローパスフィルタを形成し、複屈折光学素子と同様の機能を持たせることが好ましい。この回折格子からなる光学的ローパスフィルタは、例えば特開平5−2151号公報、特公昭49−20105号公報、特開昭48−53741号公報等に記載されているような、格子面と撮像素子面との距離、所望のカットオフ周波数等に応じて格子ピッチやその深さ等が決定される格子形状のものである。
これにより、従来より高画素数の撮像素子を搭載した撮像装置に使用されていた、水晶板を用いたオプチカルローパスフィルタを不要とでき、低コスト化、光軸方向の薄型化が可能になる。
更に、透明部材23の光入射側23rの面には、凹部23hが複数箇所形成されている。
このため透明部材23には、厚みを精度よく管理でき、上述の反射防止の凹凸形状や回折格子構造、突起部23kと凹部23hなどを一体に形成できる成形部材、即ち樹脂成形やガラスモールドにより形成した部材が好適であり、一体成形による低コスト化が可能である。
なお、本例では、凸部に2箇所の欠損部を有し、透明部材には係合する2箇所の突起部を有して位置決めするもので説明したが、凸部を額縁状の欠損部とし、突起部を額縁状もしくは下駄の歯状に形成して、係合させることで位置決めしてもよい。
第3図は、本発明に係る固体撮像装置8を受光画素面方向から見た正面図である。以下の図においては、説明の重複を避けるため同部材には同符号を付して説明する。
第3図に示すように、固体撮像装置8は半導体イメージセンサーチップ20上の外縁周囲に、受光画素からの信号を送出したり、固体撮像装置8の動作を制御するための信号線に接続された所定数の電極パッド10が設けられ、この電極パッド10上には、突起電極(バンプ)11が各々形成されている。
固体撮像装置8の中央部には、受光画素群25が形成され、この受光画素の各々に対し、後述のカラーモザイクフィルタ層21が形成されている。更に、受光画素の各々に対応してマイクロレンズが形成されている。このマイクロレンズアレイ22の領域は受光画素群25の領域よりも広範囲にわたって形成される。更にマイクロレンズアレイ22の領域を取り囲むように凸部24が一体的に形成されている。この凸部24上には、この凸部24の領域より面積の小さい透明部材23が配置されている。
第4図は、固体撮像装置8に形成されるカラーモザイクフィルタの配列例を示す図である。第4図は、公知の原色系のフィルタ配列を示している。受光画素の各々に対応して、受光画素群の長辺方向にR(レッド)とG(グリーン)が交互に形成されたラインと、GとB(ブルー)が交互に形成されたラインが交互に配列されている。また、RとGのラインのRの下に、GとBのラインのGが来るように配列されている。なお、このカラーモザイクフィルタはその他の原色系の配列でもよいし、公知のCy(シアン)、Ye(イエロー)、Mg(マゼンタ)、G(グリーン)を用いた補色系の配列であってもよい。
第5(a)図および第5(b)図は、固体撮像装置8に形成されるマイクロレンズアレイ22と凸部24及び欠損部24kの1例の模式図である。第5(a)図は、正面図であり、第5(b)図は、第5(a)図に示すG−G線で切断した断面図である。
第5(a)図、第5(b)図に示すように、中央部の受光画素群に対応し、マイクロレンズアレイ22と、このマイクロレンズアレイ22の領域を取り囲むように凸部24が一体的に形成されている。本例では、この凸部24の領域内に長方形の欠損部24kが2箇所形成されている。既に説明したようにこの欠損部24kが透明部材23との位置決めに使用されるものである。
第6(a)図〜第6(d)図は、本発明に係るマイクロレンズアレイ22と凸部24を同時に一体的に形成する方法の模式図である。
マイクロレンズアレイの形成方法としては、一般的な加熱溶融法(熱リフロー法とも言う)や特開平3−190166号公報に記載されたエッチバックを用いた方法が知られている。本発明では、加熱溶融法を用いて、マイクロレンズアレイ22と凸部24を一体的に形成する方法を詳しく説明する。
第6(a)図〜第6(d)図は、工程順であり、以下この工程に従い説明する。
(1)光を電荷に変換する受光画素30が形成され、このそれぞれには前述のカラーフィルタ(図示せず)が形成された半導体イメージセンサチップ20に、表面の平滑化された透明膜31を形成する(第6(a)図)。
(2)次に、透明膜31上に、熱可塑性の透明感光性樹脂膜32を形成する(第6(b)図)。この透明感光性樹脂膜を形成する方法としては、塗布を用いることができる。
(3)形成された透明感光性樹脂膜32に所望のパターンで露光をおこなう。この時の露光のパターンとして、例えば透明感光性樹脂膜32がポジ型感光性樹脂膜の場合について説明する。受光画素30の領域上では、幅広の露光される部分(透過部)32aと幅の狭い露光されない部分(遮光部)32bのパターンで露光され、一方、受光画素30の無い領域では、幅の狭い露光される部分(透過部)32cと幅広の露光されない部分(遮光部)32dのパターンとなるような碁盤目状のパターンマスクを用いて露光をおこなう。この露光はレーザー等でスキャニングして同様の露光をおこなってもよい。量産時は前者の方が望ましく、半導体ウエハー上で一括して多数の半導体イメージセンサー部に対し露光を行えるためコスト的に有利である。
このような露光の後、現像をおこなうと、ポジ型感光性樹脂膜の場合、露光された部分の樹脂膜が削除され、図示のように受光画素30上に残る樹脂膜は小さく、受光画素30の無い領域では大きい状態となる(第6図(c))。現像には、エッチングを用いることができる。
(4)この後、加熱溶融し、残った樹脂膜を流動化させることにより、レンズ形状に形成する。この時、図示のように、残った樹脂膜が少量となったレンズ33の形状は薄く形成され、残った樹脂膜が多量の受光画素30の無い領域では、受光画素30上のレンズ33よりも高く形成することができる(第6(d)図)。
なお欠損部は同様に、欠損部にあわせた形状の露光をおこなうことで樹脂膜を削除して欠損部として形成することが可能である。
このように、透明感光性樹脂膜への露光時に、マイクロレンズアレイの領域とそれ以外の領域とで、露光されるパターンを異ならせることにより、マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと同時に一体に形成することができ、製造プロセスの増加無く、低コストで製造できる。
なお、この方法は、前述のエッチバックを用いた方法にも露光時に同様のパターンマスクを使用することで適用可能である。またネガ型感光性樹脂膜を用いた場合には、上記と逆のパターンマスクを用いればよい。
以上のようにして形成された固体撮像装置8を用いた撮像装置100の内部構成について説明する。
第7図は、撮像装置100を第1(a)図に示すF−F線で切断した概略の断面図である。
第7図において、外枠部材4の内部は、被写体側より第1レンズ1、第2レンズ2、で構成された撮像光学系と、フレキシブルプリント基板FPCに実装された本発明に係る固体撮像装置8、弾性部材である圧縮コイルバネ9、蓋部材5で構成されている。
撮像光学系は、図示のように第1レンズ1、第2レンズ2を、光学有効面以外のフランジ部で相互に当接させ、接着剤等で互いに固着することでユニット化されており、他の部材を介さず構成することで、相互のレンズ間隔の誤差を最少に組み立てることが可能となっている。
以下、撮像装置100を組み立て順に従い説明する。
まず、本発明に係る固体撮像装置8は突起電極(バンプ)11を介してフレキシブルプリント基板FPCと電気的に接続され、例えば紫外線硬化型の接着剤Bによりその周囲が接着されると共に封止される。フレキシブルプリント基板FPCには、事前に補強として開口部を有する補強板16が接着されている。
次に、外枠部材4が、治具に設けられた位置決め用カメラにより、固体撮像装置上の受光画素群の位置を確認して位置を決められ、補強板16上に載置され、その周囲を例えば紫外線硬化型或いはゴム系の接着剤Aで接着固定される。
更に、固体撮像装置8の透明部材23の光入射側23rに形成された凹部23hと、第2レンズ2に一体で成形された突起部2tが係合するよう組み立てられる。これにより光軸に直交する方向の撮像光学系の位置決めがなされる。また、透明部材23の光入射側23rの面には、第2レンズ2と一体で成形された円筒部2fの端部が当接する。
なお、透明部材23に凹部23hを形成し、第2レンズ2に突起部2tを形成して係合させ、光軸直交方向の位置決めとしたが、逆に透明部材23に凸部を形成し、第2レンズ2に凹部を形成して係合させるようにしてもよいのは勿論である。
次に、圧縮コイルバネ9、蓋部材5を組み込み蓋部材5を外枠部材4に接着剤Dで接着することにより、第2レンズ2、即ち撮像光学系は圧縮コイルバネ9により付勢されて、透明部材23の光入射側23rの面に当接される。これにより光軸方向の撮像光学系の位置決めがなされる。
このように、マイクロレンズアレイの製造プロセスで同時に一体的に凸部を形成することにより凸部の高さをばらつき無く形成し、樹脂成形で厚み方向の良好な精度の透明部材を、この凸部で支持することにより、受光画素群の面と透明部材の光入射側の面の位置をばらつき無く形成でき、この透明部材の光入射側の面に、撮像光学系を当接させることで、受光画素群の面と撮像光学系の光軸方向の位置関係を精度よく保ちつつ組み立てをおこなうことが可能となり、無調整で所望の被写体距離に焦点の合った撮像装置を組み立てることができる。
以上が、本発明に係る固体撮像装置8と、この固体撮像装置8を用いた撮像装置100の概略の内部構成である。
即ち、本発明の固体撮像装置は、撮像装置の製造工程の初期の段階から、マイクロレンズアレイ部が透明部材により、封止されているため、湿気、塵埃から固体撮像装置の重要部を守ることができ、製造工程中の塵埃付着による歩留まり低下を最少に抑えることができ、ひいてはコストダウンを可能とできる。
(第2の実施の形態)
以下、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態は、本発明の固体撮像装置を所謂ボールグリッドアレイタイプに形成した撮像装置の例である。
第8図は、撮像装置200の内部構成を示す概略の断面図である。第8図に示す、固体撮像装置8は、カラーフィルタ層、マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイと一体の凸部、透明部材の構成は第2図及び第3図での説明と同様であるので省略し、異なる部分について説明する。
第8図において、40は基板であり、この基板40上に半導体イメージセンサーチップ20を配置し、外縁周囲に、受光画素からの信号を送出したり、固体撮像装置8の動作を制御するための信号線に接続された所定数の電極パッドより、ボンディングワイヤ41を介して、基板40の図示しない接続端子と接続される。この基板40は接続端子の各々の周辺でスルーホール等で裏面側の図示しない電極パッドに接続され、この裏面側の電極パッド上にバンプ11が形成される。
この、透明部材23が接着された固体撮像装置8が基板40上に配置され、基板40と電極パッドがボンディングワイヤ41により接続された状態で、所謂インサート成形と同様な方法で、樹脂部42を形成する。これは紫外線消去型のPROM(Programable Read Only Memory)等のパッケージングと同様の方法で製作することができる。これにより樹脂部42の寸法精度のよい固体撮像装置8のパッケージングが可能である。
このようにして形成した、固体撮像装置8の樹脂部42に、第7図で既に説明したように、外枠部材4、第1レンズ1と第2レンズ2で構成された撮像光学系、弾性部材である圧縮コイルバネ9及び蓋部材5を組み込むことで撮像装置200が完成される。
この撮像装置200は、携帯端末側に配置される基板にバンプ11を介して接続されることになる。また透明部材23がガラス材料で形成されている場合には、リフローによるハンダ付けも可能である。
第9図は、ボールグリッドアレイタイプに形成した固体撮像装置のその他の例を示したものである。第9図は、カラーフィルタ層、マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイと一体の凸部、透明部材の構成は第2図及び第3図での説明と同様であるので省略し、異なる部分について説明する。
固体撮像装置8を基板40上に配置し、第8図で説明したボンディングワイヤ41による基板40との接続をせず、コの字状の接続部材51により固体撮像装置8上の電極パッドから基板40の裏面側へパターンを引き出したものである。バンプ11は、この接続部材51上に形成される。樹脂部42の形成方法及び外枠部材、撮像光学系、圧縮コイルバネ、蓋部材の組み込みについては第8図と同様であるため省略する。
第10図〜第13図は、マイクロレンズアレイと一体で形成される凸部の形状のその他の例を示した図である。
第10図に示すマイクロレンズアレイ22とこれに一体で形成される凸部24の形状は、第5(a)図および第5(b)図と同様の方法で形成されたものである。凸部24の領域内の対角方向に欠損部24kを4箇所形成したものである。この欠損部24kの位置に対応して透明部材の位置決め用突起部が形成され、位置決めされる。
第11図に示す凸部24の形状は、断面をシリンドリカルレンズ形状としたものである。欠損部24kは、前述の露光によりこのシリンドリカルレンズ形状を削除して形成される。このシリンドリカルレンズ形状は、透明部材を接着する際の、余剰の接着剤が内側のマイクロレンズアレイ22部への侵入の防止に効果がある。
第12図に示す凸部24の形状は、台形状に形成したものである。この場合は凸部24の領域に前述の露光を与えないことで形成される。また欠損部24kは、長辺方向に円形と長円形の2箇所で形成したもので、対応する透明部材は位置決め用突起部として、2箇所の円筒形のボスで位置決めされる。
第13図に示す凸部24の形状は、ワッフル状にしたものである。また欠損部24kは、対角方向に円形と長円形の2箇所で形成したものである。
凸部の断面形状と欠損部の組み合わせはこれに限るものでなくそれぞれ自由に組み合わせてよい。
本発明によれば、マイクロレンズアレイ形成時に、マイクロレンズアレイと一体で凸部を形成し、この凸部で透明部材を支持することで、薄型に保ったまま、製造のための工程を増加させることなく、即ち低コストで固体撮像素子をパッケージングした固体撮像装置を得ることが可能となる。
また、受光画素群を取り囲むように凸部を配置し、この凸部と透明部材を接着することにより、マイクロレンズ部の封止を容易に行えるようになり、マイクロレンズ部への湿気、塵埃の侵入を防止できるようになる。
更に、透明部材を成形部材とすることにより、透明部材の厚みの精度向上が可能となり、この透明部材の光入射面側を撮像光学系の光軸方向基準とすることができるようになる。
更に、透明部材に赤外光カット機能をもたせることで、撮像装置の厚み方向を薄くすることが可能となる。
更に、凸部領域内に凸部の欠損した部位を形成することにより、撮像素子上での透明部材の位置決めが簡単にできるようになる。
更に、透明部材の光入射面側に凹部又は凸部を形成することにより、撮像光学系の光軸と直交する方向の位置決めが簡単にできるようになる。
更に、透明部材の撮像光束透過部以外に遮光部を設けることにより、撮像素子に入射する不要光を遮断し、被写体画像のコントラストの低下を防止でき、被写体画像の画質を向上できるようになる。
更に、透明部材に反射防止処理を施すことにより、被写体画像のコントラストの低下を防止でき、被写体画像の画質を向上できるようになる。
更に、透明部材に回折格子からなる光学的ローパスフィルタを設けることにより、複屈折光学素子機能を持たせることができ、従来の水晶板等を用いることなく偽色、モアレ等の問題を解消でき、低コスト化、薄型化が可能になる。
また、この固体撮像装置と被写体光を結像させる撮像光学系を備えた撮像装置とすることで、上記の効果を有する撮像装置を得ることができる。
更に透明部材の光入射面側の面に、撮像光学系を当接させた撮像装置とすることで、固体撮像装置と撮像光学系の位置関係をばらつき無く精度よく組み立てることが可能となる。
加えて、本発明のマイクロレンズアレイと凸部を同時に一体に形成するマイクロレンズアレイ製造方法により、低コストで固体撮像素子をパッケージングした固体撮像装置を得ることが可能となる。

Claims (19)

  1. 入射光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群と、
    前記受光画素に対応して2次元的に配置されたマイクロレンズアレイと、
    前記マイクロレンズアレイの光入射側に配置される透明部材と、を有し、
    前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成し、
    前記透明部材を前記凸部で支持したことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記凸部は、前記マイクロレンズアレイと同一工程で一体に形成されていることを特徴とする、請求の範囲第1項に記載の固体撮像装置。
  3. 前記同一工程はリソグラフィーによる工程であることを特徴とする、
    請求の範囲第2項に記載の固体撮像装置。
  4. 前記リソグラフィーによる工程は、
    前記マイクロレンズアレイを、熱可塑性の透明感光性樹脂膜に所望のパターンを露光して形成する固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法において、
    前記透明感光性樹脂膜への露光時に、前記マイクロレンズアレイの領域とそれ以外の領域とで、露光されるパターンを異ならせることにより、
    前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成する、請求の範囲第3項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記透明感光樹脂層を形成する工程は、塗布による工程であることを特徴とする、
    請求の範囲第4項に記載の固体撮像装置。
  6. 露光が行なわれた前記透明感光性樹脂膜は、エッチングを用いた方法により現像されることを特徴とする、
    請求の範囲第4項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記マイクロレンズアレイおよび前記凸部を形成する工程は、熱リフロー法やエッチバック法による工程であることを特徴とする、
    請求の範囲第4項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記凸部は、前記マイクロレンズアレイを取り囲むように配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項から第8項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記透明部材は、前記凸部と当接した状態で接着され、前記マイクロレンズアレイの領域を封止したことを特徴とする請求の範囲第1項から第8項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記透明部材は、成形部材であることを特徴とする請求の範囲第1項から第8項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  11. 前記透明部材に赤外光カット機能を持たせたことを特徴とする請求の範囲第1項から第10項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  12. 前記凸部の領域内に、前記凸部が欠損した部位を形成し、前記透明部材に前記凸部の欠損した部位に係合する係合部を形成したことを特徴とする請求の範囲第1項から第11項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  13. 前記透明部材の光入射側の面の一部に、凹部又は凸部を形成したことを特徴とする請求の範囲第1項から第12項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  14. 前記透明部材に遮光部を設けたことを特徴とする請求の範囲第1項から第13項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  15. 前記透明部材の少なくとも一方の面に反射防止処理を施したことを特徴とする請求の範囲第1項から第14項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  16. 前記透明部材の少なくとも一方の面に、回折格子からなる光学的ローパスフィルタを設けたことを特徴とする請求の範囲第1項から第15項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  17. 請求の範囲第1項から第16項のいずれか1項に記載の固体撮像装置と前記固体撮像装置に被写体光を結像させる撮像光学系を備えたことを特徴とする撮像装置。
  18. 前記透明部材の光入射面側の面に、前記撮像光学系を当接させたことを特徴とする請求の範囲第17項に記載の撮像装置。
  19. 入射した光を光電変換する受光画素を2次元的に配置した受光画素群の前記受光画素に対応して配置されるマイクロレンズアレイを、熱可塑性の透明感光性樹脂膜に所望のパターンを露光して形成する固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法において、
    前記透明感光性樹脂膜への露光時に、前記マイクロレンズアレイの領域とそれ以外の領域とで、露光されるパターンを異ならせることにより、
    前記マイクロレンズアレイより高さの高い凸部を、前記マイクロレンズアレイと一体に形成することを特徴とする固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法。
JP2005513276A 2003-08-22 2004-08-10 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置 Expired - Fee Related JP4710610B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005513276A JP4710610B2 (ja) 2003-08-22 2004-08-10 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003298418 2003-08-22
JP2003298418 2003-08-22
JP2005513276A JP4710610B2 (ja) 2003-08-22 2004-08-10 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
PCT/JP2004/011731 WO2005020328A1 (ja) 2003-08-22 2004-08-10 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置並びに固体撮像装置のマイクロレンズアレイ製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2005020328A1 true JPWO2005020328A1 (ja) 2006-10-19
JP4710610B2 JP4710610B2 (ja) 2011-06-29

Family

ID=34191208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005513276A Expired - Fee Related JP4710610B2 (ja) 2003-08-22 2004-08-10 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7535509B2 (ja)
JP (1) JP4710610B2 (ja)
KR (1) KR20060059873A (ja)
WO (1) WO2005020328A1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004003013B3 (de) * 2004-01-20 2005-06-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bilderfassungssystem und dessen Verwendung
US20060109366A1 (en) * 2004-05-04 2006-05-25 Tessera, Inc. Compact lens turret assembly
CN1969539A (zh) * 2004-05-04 2007-05-23 德塞拉股份有限公司 紧凑透镜塔形组件
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
JP4365743B2 (ja) * 2004-07-27 2009-11-18 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 撮像装置
US20090008682A1 (en) * 2004-10-13 2009-01-08 Junya Kusunoki Light-Receiving Device
KR100691157B1 (ko) * 2005-04-07 2007-03-09 삼성전기주식회사 포커싱 무조정형 카메라 모듈
US7736939B2 (en) * 2005-07-07 2010-06-15 United Microelectronics Corp. Method for forming microlenses of different curvatures and fabricating process of solid-state image sensor
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
JP4673721B2 (ja) * 2005-10-21 2011-04-20 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
JP2007142058A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法
JP2008066702A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子及びカメラ
US7659501B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-09 United Microelectronics Corp. Image-sensing module of image capture apparatus and manufacturing method thereof
JP5047679B2 (ja) * 2007-04-26 2012-10-10 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像ユニットおよび、この撮像ユニットの製造方法
KR20090033070A (ko) * 2007-09-27 2009-04-01 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
JP2009260269A (ja) * 2008-03-18 2009-11-05 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
JP2009239106A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Sony Corp 半導体装置及び同半導体装置の製造方法
JP5185019B2 (ja) * 2008-08-25 2013-04-17 パナソニック株式会社 半導体装置及びそれを用いた電子機器
JP5329903B2 (ja) * 2008-10-15 2013-10-30 オリンパス株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法
JP5511180B2 (ja) * 2008-12-19 2014-06-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
US8450821B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing combined spacer and optical lens element
KR101069289B1 (ko) * 2009-08-10 2011-10-05 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서 모듈 및 이미지 센서 모듈의 제조 방법
US8436255B2 (en) * 2009-12-31 2013-05-07 Stmicroelectronics Pte Ltd. Fan-out wafer level package with polymeric layer for high reliability
US8502394B2 (en) * 2009-12-31 2013-08-06 Stmicroelectronics Pte Ltd. Multi-stacked semiconductor dice scale package structure and method of manufacturing same
US8884422B2 (en) 2009-12-31 2014-11-11 Stmicroelectronics Pte Ltd. Flip-chip fan-out wafer level package for package-on-package applications, and method of manufacture
US20110156240A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Reliable large die fan-out wafer level package and method of manufacture
US8466997B2 (en) * 2009-12-31 2013-06-18 Stmicroelectronics Pte Ltd. Fan-out wafer level package for an optical sensor and method of manufacture thereof
US8796798B2 (en) * 2010-01-27 2014-08-05 Ricoh Company, Ltd. Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device
JP5676953B2 (ja) * 2010-07-27 2015-02-25 京セラ株式会社 光電変換装置、ならびに光電変換モジュール
JP2012099639A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Toppan Printing Co Ltd イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
US9013037B2 (en) 2011-09-14 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte Ltd. Semiconductor package with improved pillar bump process and structure
KR101920314B1 (ko) * 2011-10-31 2019-02-08 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
US8916481B2 (en) 2011-11-02 2014-12-23 Stmicroelectronics Pte Ltd. Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
US8779601B2 (en) 2011-11-02 2014-07-15 Stmicroelectronics Pte Ltd Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
JP2013109011A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Toshiba Corp カメラモジュール
JP5872868B2 (ja) * 2011-12-01 2016-03-01 オリンパス株式会社 撮像ユニットおよび撮像ユニットの製造方法
JP2013225705A (ja) * 2013-07-22 2013-10-31 Canon Inc 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
WO2015087818A1 (ja) * 2013-12-14 2015-06-18 コニカミノルタ株式会社 積層型レンズアレイユニット及び撮像装置
JP6200340B2 (ja) 2014-02-04 2017-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
KR102055840B1 (ko) 2014-02-20 2019-12-17 삼성전자 주식회사 이미지 센서 패키지
US9917991B2 (en) * 2014-10-24 2018-03-13 Apple Inc. Camera actuator
JP6439604B2 (ja) * 2015-06-17 2018-12-19 コニカミノルタ株式会社 光学素子及び光学素子の製造方法
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10924667B2 (en) * 2018-10-04 2021-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and image sensing method
US11375092B2 (en) 2018-10-04 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and image sensing method
US11721657B2 (en) 2019-06-14 2023-08-08 Stmicroelectronics Pte Ltd Wafer level chip scale package having varying thicknesses
TWI692068B (zh) * 2019-08-07 2020-04-21 勝麗國際股份有限公司 封裝元件
JP7377082B2 (ja) * 2019-11-29 2023-11-09 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び検出装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278871A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH03190166A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法
JPH04206966A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像素子の製造方法
JPH04246859A (ja) * 1991-01-31 1992-09-02 Kuraray Co Ltd 撮像素子
JPH05110960A (ja) * 1991-10-17 1993-04-30 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPH0888339A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像素子
JP2002176158A (ja) * 1992-06-23 2002-06-21 Sony Corp 固体撮像装置
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2003068908A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Kyocera Corp 撮像素子収納用パッケージ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4853741A (ja) 1971-10-08 1973-07-28
US5119235A (en) * 1989-12-21 1992-06-02 Nikon Corporation Focusing screen and method of manufacturing same
US5177637A (en) * 1990-09-11 1993-01-05 Nikon Corporation Focusing screen including different height microlenses arranged in a cyclical pattern
JP2968357B2 (ja) 1991-02-01 1999-10-25 株式会社クラレ 光学的ローパスフィルタ
JP4023043B2 (ja) * 1999-08-31 2007-12-19 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズアレイ基板の製造方法
TW540157B (en) * 2001-05-31 2003-07-01 Konishiroku Photo Ind CMOS image sensor
JP3778817B2 (ja) 2001-07-11 2006-05-24 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2003114316A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Japan Science & Technology Corp 光学素子
US6744109B2 (en) * 2002-06-26 2004-06-01 Agilent Technologies, Inc. Glass attachment over micro-lens arrays
US7414661B2 (en) * 2002-08-13 2008-08-19 Micron Technology, Inc. CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278871A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH03190166A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法
JPH04206966A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像素子の製造方法
JPH04246859A (ja) * 1991-01-31 1992-09-02 Kuraray Co Ltd 撮像素子
JPH05110960A (ja) * 1991-10-17 1993-04-30 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP2002176158A (ja) * 1992-06-23 2002-06-21 Sony Corp 固体撮像装置
JPH0888339A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像素子
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2003068908A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Kyocera Corp 撮像素子収納用パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005020328A1 (ja) 2005-03-03
JP4710610B2 (ja) 2011-06-29
KR20060059873A (ko) 2006-06-02
US7535509B2 (en) 2009-05-19
US20050041134A1 (en) 2005-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4710610B2 (ja) 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
TWI394269B (zh) 電子元件晶圓模組、電子元件晶圓模組之製造方法、電子元件模組及電子資訊裝置
US7265916B2 (en) Module for optical devices, and manufacturing method of module for optical devices
JP2005109092A (ja) 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP5009209B2 (ja) ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
US6635941B2 (en) Structure of semiconductor device with improved reliability
JP4764941B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP4698874B2 (ja) イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
EP1239519A2 (en) Image pickup model and image pickup device
US20100044815A1 (en) Cmos image sensor package and camera module using same
JP4768060B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
US20080283730A1 (en) Cmos image sensor using gradient index chip scale lenses
KR20060046412A (ko) 촬상장치 및 전자기기
CN102376731B (zh) 图像拾取模块和照相机
EP1603166A1 (en) Image pickup device and camera module
JP2003204053A (ja) 撮像モジュール及び該撮像モジュールの製造方法、デジタルカメラ
US7630016B2 (en) Imaging device having transparent unit and electronic apparatus
JP2006032886A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
JP2009290033A (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
JP2002329851A (ja) 撮像モジュールとその製造方法、および撮像モジュールを備えた撮像機器
JP2006080597A (ja) 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法
JP2011165774A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2002368235A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4957564B2 (ja) 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置
JP2004096638A (ja) 撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110120

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees