JP5009209B2 - ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 - Google Patents

ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 Download PDF

Info

Publication number
JP5009209B2
JP5009209B2 JP2008074430A JP2008074430A JP5009209B2 JP 5009209 B2 JP5009209 B2 JP 5009209B2 JP 2008074430 A JP2008074430 A JP 2008074430A JP 2008074430 A JP2008074430 A JP 2008074430A JP 5009209 B2 JP5009209 B2 JP 5009209B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resin
module
lens
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008074430A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009229749A (ja
Inventor
正博 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008074430A priority Critical patent/JP5009209B2/ja
Priority to US12/736,175 priority patent/US20110096213A1/en
Priority to PCT/JP2009/055356 priority patent/WO2009116600A1/ja
Publication of JP2009229749A publication Critical patent/JP2009229749A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5009209B2 publication Critical patent/JP5009209B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0085Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0015Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design
    • G02B13/002Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design having at least one aspherical surface
    • G02B13/0035Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design having at least one aspherical surface having three lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632Wafer-level processed structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687Wafer level processing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24777Edge feature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

本発明は、入射光を集光する複数のレンズまたは、出射光を直進させたり反射させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする複数の光学機能素子からなるウエハ状光学装置およびその製造方法、各レンズにそれぞれ対応して、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子または、各光学機能素子にそれぞれ対応して、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子とが複数モジュール化(一体化)された電子素子ウエハモジュール、この電子素子ウエハモジュールから一括切断されて製造される電子素子モジュール、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子と、入射光を撮像素子上に結像するためのレンズとが複数モジュール化(一体化)されたセンサウエハモジュール、これを切断したセンサモジュールを、車載用カメラなどの画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、車載用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)または、この電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器に関する。
この種の従来の電子素子モジュールとしてのセンサモジュールは、主に、カメラモジュールとして、カメラ付き携帯電話装置や携帯端末装置(PDA)、さらにはカードカメラなどに用いられ、セラミックスやガラス入りエポキシ樹脂などのマウント基板上に、被写体からの画像光をそれぞれ光電変換して被写体を撮像する複数の受光部を有する電子素子としての撮像素子を有する固体撮像チップと、入射光を撮像素子上に結像するための集光レンズを固定したホルダー部材とが設けられている。この場合に、固体撮像チップはマウント基板上に配設されてワイヤボンディングされている。
一方、この集光レンズなどのレンズモジュールは、携帯電話用カメラモジュールやレーザピックアップ装置などの各種の電子情報機器に広く用いられている。従来、レンズモジュールは、樹脂射出形成手法により、少数のレンズを高温高圧下で製造する手法が用いられている。
米国特許の特許文献1には、複数のレンズモジュールを一括で形成する手法が開示されている。図18および図19はそれぞれその一例である。図18に示すように、レンズモジュール100は、シリコン基板101に複数の穴102を開け、その穴102に球状のガラスボール103を入れ、このガラスボール103を半田104で脱落しないように固定し、ガラスボール103を上側から所定量だけ研磨して平らにすることにより下側が球面の集光レンズを形成するものである。
図19に示すように、レンズモジュール200は、ガラス基板201の片面にフォト/エッチング方法を用いてレンズ形状202を形成する。この反対側の面203に、このレンズ形状202と光軸が合う位置にフォトレジストでエッチング処理してフォトレジスト形状をガラス基板201側に転写させてレンズ形状(図示せず)を形成することにより、レンズ基板を作成している。
これらはいずれも、複数の集光レンズを所定のウエハ形状に一括形成する手法として示されている。
US6049430号公報
図18に示される上記従来の構成では、球面のガラスボール103を使用しているが、球面のガラスボール103では目的とする位置に焦点が合わず、目的とする位置に焦点を合わすためには、非球面形状のガラスボールを用いる必要がある。ところが、非球面形状のガラスボールを、所望のレンズ特性が確保できるようにコントロールして穴102に搭載する技術は現在存在しないため、非球面形状のレンズを本手法を用いて製造することはできない。また、所望のレンズ特性を得ることができるほど均一にガラスボール103を研磨することも困難である。さらに、シリコン基板101にウェットエッチングにより複数の穴102を間口が広がるように形成されるが、その穴102の大きさがばらつき、この穴102の大きさのばらつきによりガラスボール103の上下位置が変わる。このため、最終的なレンズ厚さが変化する。厚さ1mmの集光レンズを製造するために、ガラスボール103の大きさが700μm、基板厚さを500μmとすると、エッチングばらつきを2パーセントとしても、レンズ厚さに換算すると、10μmものばらつきが発生し、レンズ性能に要求される数μmのばらつき範囲内に収めなければならないという条件を満足しない。
図19に示される上記従来の構成では、ガラス基板201をレンズの一部として用いる。このレンズは、レジスト(樹脂)材料(レンズ形状202)とガラス材料(ガラス基板201)とのハイブリッド構造となり、屈折率が途中で変化するため、設計制約が大きくなる。また、ガラス基材(ガラス基板201)は、基板間の基板厚さのばらつきが+/−5パーセント程度発生するため、厚みが100μmのガラス基板201を用いたとしても、トータルで10μmのレンズ厚ばらつきが発生することになり、所望のレンズ特性を満足することができない。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、レンズなどの光学部品部分に単一の材料を用いて高い光学精度を得ることができるウエハ状光学装置およびその製造方法、このウエハ状光学装置を用いた電子素子ウエハモジュール、このウエハ状光学装置を用いた電子素子が固体撮像素子であるセンサウエハモジュール、この電子素子ウエハモジュールから一括切断した個々の電子素子モジュール、このセンサウエハモジュールから一括切断した個々のセンサモジュール、このセンサモジュールなどの電子素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
本発明のウエハ状光学装置は、一または複数の貫通孔が設けられた基材基板と、該基材基板の貫通孔に設けられた樹脂製の光学素子部と、該光学素子部の周辺の該基材基板位置に設けられたこば部とを有し、前記こば部には、前記基材基板の上面および下面の少なくともいずれかに前記光学素子部と同一の樹脂材料が膜状に配設されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における基材基板はガラス基板である。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における基材基板の表面には遮光膜が設けられている。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における遮光膜は、遮光用のクロムメッキと、その下地層としての低反射用のクロムメッキとの2層構造である。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における光学素子部は、レンズ、ミラー光学素子、導波路手段、プリズムおよびホログラム素子のいずれかである。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置におけるこば部は、前記基材基板、および前記光学素子部と同一の樹脂材料のうちの少なくとも該基材基板で構成されている。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における貫通孔は、円形、楕円形、長方形および多角形のいずれかである。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置における光学素子部の樹脂材料は、熱硬化性樹脂材料または光硬化性樹脂材料である。
本発明のウエハ状光学装置の製造方法は、基材基板を骨組として該基材基板の穴の位置に樹脂製の光学素子部を成形するウエハ状光学装置の製造方法であって、該基材基板に一または複数の穴を形成する穴形成工程と、該穴に対応するように形成された光学素子用下金型および上金型により光学素子用樹脂および該基材基板を挟み込んで少なくとも該光学素子部を成形するプレス工程と、熱または光を用いて該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法における穴形成工程は、前記基材基板上に、遮光膜を前記穴の位置に対応させてパターン形成し、該遮光膜をマスクとしてエッチング処理により該穴を形成する。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法におけるプレス工程では、前記下金型上に前記基材基板を浮かせて支持した状態で少なくとも前記光学素子部を成形する。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法におけるプレス工程は、前記下金型と前記上金型の間隔を制御して前記光学素子の厚さおよび該光学素子の周辺のこば部の厚さを設定する。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法における樹脂硬化工程は、前記下金型と前記上金型を透明金型としてその上面および下面の少なくともいずれかから光照射して樹脂硬化させる。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法における樹脂硬化工程は、前記基材基板をガラス基板として、該ガラス基板の端面側から光照射して樹脂硬化させる。
さらに、好ましくは、本発明のウエハ状光学装置の製造方法における樹脂硬化工程は、前記下金型および前記上金型を回転させつつ光照射して樹脂硬化させる。
本発明の電子素子ウエハモジュールは、貫通電極を有する複数の電子素子が配設された電子素子ウエハと、該電子素子ウエハ上の所定領域に形成された樹脂接着層と、該電子素子ウエハ上を覆い、該樹脂接着層上に固定された透明カバー部材と、該複数の電子素子のそれぞれに対応するように該透明カバー部材上に接着固定された本発明の上記ウエハ状光学装置の一または、積層された複数とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールにおける電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールにおける電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している。
本発明の電子素子モジュールは、本発明の上記電子素子ウエハモジュールから一または複数個毎に切断されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明のセンサウエハモジュールは、貫通電極を有する複数のセンサチップ部が配設されたセンサウエハと、該センサウエハ上の所定領域に形成された樹脂接着層と、該センサウエハ上を覆い、該樹脂接着層上に固定された透明カバー部材と、該透明カバー部材上に、該複数の撮像素子にそれぞれ対応するように搭載されて接着固定された本発明の上記ウエハ状光学装置としての一または、積層された複数のレンズモジュールとを有し、該複数のセンサチップ部はそれぞれ、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子が設けられているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明のセンサモジュールは、本発明の上記センサウエハモジュールから一または複数個毎に切断されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子ウエハモジュールから切断された電子素子モジュールをセンサモジュールとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子ウエハモジュールから切断された電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
本発明においては、一または複数の穴が設けられた基材基板と、基材基板の穴に設けられた樹脂製の光学素子部と、光学素子部の周辺の該基材基板位置に設けられたこば部とを有している。
これによって、ガラスなどの基材を用いることにより全体的な樹脂収縮の影響が、樹脂レンズなどの光学部品部分に及ぼされることがなく、樹脂レンズなどの光学部品部分には基材は入っておらず単一の光学樹脂材料を用いて高い光学精度が得られる。
以上により、本発明によれば、穴のあいたガラス基板を基材として用いることにより、製造時に発生する樹脂収縮を抑制し、精度の高いウエーハ状態のレンズモジュールを形成することができる。さらに、ガラス基板上に形成されるレンズ樹脂によって、ガラス基板の厚さばらつきを吸収することにより、レンズこば部分の厚さを正確に制御することができて、レンズを積層するときのレンズ間ばらつきを高精度にコントロールすることができる。さらに、レンズ部分は、樹脂のみで形成することにより、屈折率を一様に保ち、設計を容易とすると共に、レンズ厚さを精度良くコントロールすることができて、光学精度の高いレンズを得ることができる。
以下に、本発明のウエハ状光学装置としてのレンズモジュールおよびその製造方法の実施形態1および、このウエハ状光学装置としてのレンズモジュールを用いた電子素子ウエハモジュールの実施形態2としてセンサウエハモジュールに適用する場合、さらには、センサウエハモジュールを一括切断して得られるセンサモジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態3について図面を参照しながら詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るレンズモジュールの要部構成例を模式的に示す一部縦断面図である。
図1において、本実施形態1のウエハ状光学装置としてのレンズモジュール10は、複数の穴11が形成された基材(骨組)としてのガラス基板1と、複数の穴11のそれぞれに対応して形成された樹脂レンズ2およびこれと同じ樹脂材質で樹脂レンズ2の周辺のガラス基板1の上下面に形成された周辺樹脂部3とを有している。
ガラス基板1は、図2に示すように、表面側に遮光用にクロムメッキ12が施された薄い円盤状で、複数の穴11が均等な間隔でマトリクス状に形成されている。このガラス基板1は、樹脂レンズ2の全体的な収縮を抑制する効果を有している。図13に示すように、このクロムメッキ12の下地層12a(低反射クロムメッキ)側は反射防止膜になっており、余計な反射光が内部に戻らないようにしてフレアを防止している。これらのクロムメッキ12および下地層12a(低反射クロムメッキ)は、複数の穴11をエッチング加工するときのマスクとしても用いることができる。
樹脂レンズ2は、ガラス基板1の複数の穴11にそれぞれ単一の樹脂材料のみで形成されており、樹脂レンズ2中での屈折率は一様で設計がし易い。この樹脂レンズ2のレンズ膜厚は、金型間の樹脂厚さによって決定し、機械樹脂成形が可能であるため、レンズ厚さのばらつきを1μm程度に抑えることが可能であり、高精度の樹脂レンズ2を得ることができる。また、樹脂レンズ2のレンズ形状は、金型形状を転写することにより、正確な焦点距離を持つ所望の非球面形状を形成することができる。また、ガラス基板1が基材となって全体的な樹脂収縮の悪影響を個々の樹脂レンズ2に及ぼすことがないため、寸法精度がよく光学精度の高い非球面形状の樹脂レンズ2を形成することができる。
周辺樹脂部3は、ガラス基板1の上下面側にそれぞれ形成され、ガラス基板1の厚さばらつきを吸収し、周辺樹脂部3およびガラス基板1のトータル膜厚は、金型間の機械精度で形成可能であるため、その厚さばらつきを1μm程度に抑えることができ、レンズ周辺の重ね合わせ部としての高精度のレンズコバ部4を得ることができる。
上記構成の本実施形態1のレンズモジュール10の製造方法について説明する。
まず、図3に示すようにレンズモジュール10の下金型21を準備する。下金型21は、金属を加工しても、ガラスを加工しても、あるいはガラス上に複数の型を形成してもよい。
次に、図4に示すようにレンズモジュール10の下金型21上にレンズ樹脂材料22aを塗布する。このレンズ樹脂材料22aの塗布は、スピンコートやディスペンスなどの通常手法で実施することが可能である。
続いて、図5に示すように下金型21上のレンズ樹脂材料22a上にガラス基板1をアライメントをとって載置する。
その後、図6に示すようにガラス基板1の中心部上に、レンズ樹脂材料22aと同じ材質のレンズ樹脂材料22bを塗布する。このレンズ樹脂材料22bの塗布方法は、一般的な手法を用いることが可能であるが、図6では、ガラス基板1の中心部上にディスペンスする。
さらに、図7に示すように上金型23を下金型21と位置あわせ(アライメント)して、下金型21および上金型23でガラス基板1およびレンズ樹脂材料22aおよび22bを上下からプレスすることにより、レンズ樹脂材料22bを全面に均一に伸ばすことができる。このとき、上金型23と下金型21との間隔を、図8に示すように保持具5によりガラス基板1を両側から保持した状態で、ガラス基板1の厚さに関係なく精密に機械制御(型間隔制御)することにより、レンズモジュール10の全体の厚さばらつきを1μm程度に抑えることが可能となる。これにより、レンズ樹脂およびガラス基板1を含むレンズ周辺のレンズこば部分4を均一な厚さに制御することができ、寸法精度の高い樹脂レンズ2を製造することが可能である。
この後、光または熱により樹脂レンズ2の樹脂材料を硬化させる。この場合、図9に示すように例えば平面視で下金型21と上金型23で挟まれたガラス基板1の厚み部分に対して互いに直交する4方向から、下金型21および上金型23を回転させつつ均一に、例えば紫外線UVをガラス基板1の端面から照射することによりガラス基板1を光透過さて効率よく、ガラス基板1の穴11に位置する各樹脂レンズ2を樹脂硬化させることができる。ガラス基板1の穴11に対応した樹脂レンズ2の部分と、レンズこば部分4に対応したガラス基板1上下の周辺樹脂部3とにおいて、樹脂レンズ2の部分が硬化するときに、薄い周辺樹脂部3はガラス基板1上下の固着によって位置が変化せず、樹脂レンズ2の部分だけで硬化する。このため、レンズモジュール10の全体的な樹脂収縮の悪影響をガラス基板1が食い止めて個々の樹脂レンズ2に及ぼすことがなくなり、樹脂レンズ2は単一の樹脂材料を用いて高い寸法精度を得ることができる。ガラス基板1の穴11に対応した樹脂レンズ2の部分だけが樹脂硬化時にちじむことになる。なお、下金型21と上金型23を透明な下金型と上金型として、その上下平面に対してそれぞれ例えば紫外線UVを照射することによりレンズ樹脂材料をいっせいに効率よく均一に樹脂硬化させるようにしてもよい。
続いて、下金型21および上金型23を外すことにより、図10に示すように複数の穴11のそれぞれに対応して樹脂レンズ2をそれぞれ形成すると共に、同じ樹脂材質で樹脂レンズ2周辺のガラス基板1上にも周辺樹脂部3を形成することができる。
この他、上金型23と下金型21との間隔を更に広く設定し、金型の形状を変化させることにより、図11に示すように、レンズ樹脂およびガラス基板1を含むレンズ周辺のレンズこば部分4Aが厚いレンズモジュール10Aを形成することもできる。このように、レンズ周辺のレンズこば部分4Aの形状を、レンズモジュール10Aの全体膜厚は均一に保ちながら、自由に変更することが可能である。
以上により、本実施形態1によれば、複数の穴11を持つガラス基板1を基材(骨組み)として用いることにより、製造時に発生する全体的な樹脂収縮を抑制し、寸法精度の高い複数の樹脂レンズを持つウエーハ状態のレンズモジュール10または10Aを形成することができる。さらに、ガラス基板1上に形成されるレンズ樹脂によって、ガラス基板1の膜厚ばらつきを吸収することにより、こば部分4または4Aの厚さを正確に制御することができて、樹脂レンズ2を積層するときのレンズ間ばらつきを高精度にコントロールすることができる。さらに、樹脂レンズ2のレンズ部分は、単一のレンズ樹脂のみで形成することにより、屈折率を一様に保ち、設計を容易とすると共に、膜厚を精度良くコントロールすることができ、精度の高い集光レンズを製造することができる。さらに、樹脂レンズ2のレンズこば部分4または4Aには硬いガラス基板1が骨組みとして入っているので、ウエーハ状態のレンズモジュール10または10A自体が形状を保持して扱いやすい。
なお、本実施形態1では、図8に示すように保持具5によりガラス基板1を両側から保持し、ガラス基板1を下金型21から浮かした状態で、その上下位置に樹脂レンズ2の樹脂材料を位置させるように構成したが、これに限らず、下金型21上にガラス基板1を直に搭載し、そのガラス基板1の中心部上にレンズ樹脂材料22bをディスペンスする。それを上金型と下金型でアライメントを取ってプレスして樹脂硬化させた後に離型して、図12に示すレンズモジュール10Bを取り出す。レンズモジュール10Bのレンズ周辺のレンズこば部分4Bでは、ガラス基板1の下面側にレンズ樹脂が回っておらず、ガラス基板1の上面側にのみレンズ樹脂が存在して、周辺樹脂部3Bを構成している。また、図13のレンズモジュール10Cに示すようにガラス基板1の穴11に樹脂レンズ2が設けられるが、ガラス基板1の上下面側にレンズ樹脂が全く回っておらず、周辺樹脂部3がない状態である。この場合、金型による厚さ制御(間隔制御)を行う必要がなく、下金型21上のガラス基板1に上金型23を単に押え付けるだけでよく、金型装置の機能上、容易であり、レンズモジュール10Cは量産性がある。なお、ガラス基板1の厚さは均一ではない(基板間で基板厚さの5パーセント程度ばらつく、例えば厚さ200μmの基板で厚さ10μmばらつく)ので、金型による厚さ制御(間隔制御)の方が寸法精度が高く(1μm程度の誤差)、周辺樹脂部3が存在する方が、ガラス基板1の厚さの不均一性が吸収されてよい。
また、本実施形態1では、ウエハ状光学装置としてのレンズモジュール10、10A,10Bおよび10Cについて説明したが、これに限らず、ウエハ状光学装置として、複数の反射板であってもよく、複数の導波路であってもよく、入射光または出射光を所定方向に曲げたりするための複数のホログラム素子であってもよい。例えば複数の反射板の場合、図14に示すようにウエハ状光学装置としてのプリズムモジュール30は、上記実施形態1の樹脂レンズ2をプリズム31に置き換えて金型を製作すればよい。この場合も、上記実施形態1の場合と同様に、ガラス基板1の複数の穴11のそれぞれに対応して形成されたプリズム31およびこれと同じ樹脂材質でプリズム31の周辺のガラス基板1上に形成された周辺樹脂部33とを有している。各プリズム31の反射方向にRGB(赤、緑、青)の3原色の各フィルタを設けてカラーモニタを構成することもできる。また、このプリズム31の代わりに、図15に示すようにホログラム素子41を設けることもできる。
ここで、本発明の電子素子ウエハモジュールを切断して一括製造された電子素子モジュールの実施形態2として、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子と、入射光を撮像素子上に結像するための一または複数のレンズモジュール(上記実施形態1のレンズモジュール10、10A,10Bおよび10Cのいずれかを含んでいてもよい)とが複数モジュール化(一体化)されたセンサウエハモジュールを切断して一括製造されたセンサモジュールに適用した場合について、図16を参照しながら詳細に説明する。
(実施形態2)
図16は、本発明の実施形態2に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。
図16において、本実施形態2のセンサモジュール50は、ウエハチップ表面に、複数の画素に対応した各光電変換部(フォトダイオード)である複数の受光部からなる撮像素子51aが電子素子として設けられ、貫通孔51bが表面と裏面間に設けられて導通した貫通ウエハ51と、この貫通ウエハ51の撮像素子51aの周囲上に形成された樹脂接着層52と、この樹脂接着層52上を覆うカバーガラスとしてのガラス板53と、このガラス板53上に設けられ、撮像素子51aに入射光を集光させるための光学素子としての複数のレンズ板541〜543が積層されたレンズ板54と、これらのレンズ板541〜543を接着して固定するためのレンズ接着層55および56と、各レンズ板541〜543のうちの最上位置のレンズ板541の中央部を円形の光取入口として開口すると共に、それ以外の表面部分および、各レンズ板541〜543およびガラス板53の側面部分を遮光する遮光部材57とを有しており、貫通ウエハ51上に、ガラス板53およびレンズ板54がこの順に互いにアライメントをとって樹脂接着層52およびレンズ接着層55および56などにより上下に貼り合わされている。この本実施形態2のセンサモジュール50は、貫通ウエハ51と、樹脂接着層52と、ガラス板53と、複数のレンズ板541〜543(上記実施形態1のレンズモジュール10、10A,10Bおよび10Cのいずれから一括切断したものでもよい)と、レンズ接着層55および56とが貼り合わされたウエハレベルのセンサウエハモジュールを切断した後にこれに遮光部材57を上側から装着することにより個々に一括して製造されている。
センサウエハモジュールは、切断前の複数の貫通ウエハ51が設けられたセンサウエハの各表面側には、複数の撮像素子51a(撮像素子毎に複数の画素を構成する複数の受光部が設けられている)がマトリクス状に配列されており、貫通ウエハ51の厚さが100〜200μmであり、その裏面から表面のパッド下に貫通する複数の貫通穴51bが明けられている。この貫通穴51bの側壁と裏面側は絶縁膜で覆われており、そのパッドにコンタクトを持つ配線層が貫通穴51bを介して裏面まで形成されている。この配線層上および裏面にはソルダーレジストが形成され、配線層上に半田ボールが形成される部分はソルダーレジストが窓明けされて半田ボールが外部に露出して形成されている。各層の形成方法は通常の半導体プロセスに使われるフォトリソ、エッチング、メッキおよびCVD法などの各種の技術によって形成が可能である。なお、ウエハ切断後は、貫通ウエハ51として、中央部に素子領域を有するセンサ基板(電子素子チップ部としてのセンサチップ部)を構成する。
樹脂接着層52は、貫通ウエハ51上の所定場所に通常のフォトリソ技術により形成され、その上にガラス板53が接着されるが、このフォトリソ技術の他にスクリーン印刷手法またはディスペンス手法を用いて形成することができる。この樹脂接着層52は、ガラス板53が固定される側の表面の一部に浅い溝(エアーパス)が形成されている。この溝は、樹脂接着層52を形成するときに、同時にフォトリソ技術により形成が可能である。樹脂厚は30μm〜300μm、溝の深さは3μm〜20μm程度である。この溝は、半導体表面上方が、ガラス板53で覆われる場合に、貫通ウエハ51上の電子素子としての撮像素子51aが設けられたセンサ領域の内部空間が密閉されてそこに結露が生じないようにするためであるが、後で個々のモジュールにダイシングするときに、切削水、スラリーなどもセンサ領域の内部空間内に侵入してセンサ表面上に付着し難いように途中にたまり空間領域を持つ構造となっている。空間領域を半密閉状にするための溝(エアーパス)を斜めの直線状、S字状または迷路状(ここでは斜めの直線状にしている)にしたりこれらを組み合わせたりしてある程度の距離を持たせるようにする。
さらに、樹脂接着層52は、ここでは、複数の撮像素子51aそれぞれ上の空間領域から外部に連通させるための溝が形成されているだけではなく、さらに、この空間領域と溝で連通した別の空間領域を介してさらに外部と連通させるための溝が形成されている。また、樹脂接着層52は、各撮像素子51a毎に配設され、撮像素子51aの領域以外の領域上および、隣接する撮像素子51a間のダイシング領域以外の領域上に配設されている。ない、樹脂接着層52の溝に限らず、他のエアーパスが設けられていてもよく、材料的に内部と連通可能な素材構成(材料粒子が粗くまたは材質的に水分を外部と内部がエアーパス可能な材料)とされていてもよい。
レンズ板54は、透明樹脂レンズ板であり、上記実施形態1のレンズモジュール10、10A,10Bおよび10Cのいずれから一括切断したものを含んでいてもよく、上記実施形態1の場合と同様の構成である。このレンズ板54において、レンズ機能を有するレンズ領域と、スペーサ機能を有するスペーサ部としての周囲のレンズこば部とで構成され、全体は同じ種類の樹脂材料で形成されている。このレンズ板54の形成方法は、成形上型23と成形下型21間に、ガラス基板1を基材としてレンズ樹脂材料22aおよび22bを入れて、所定の厚さになるように成形型間の距離を精密にコントロールし、紫外線(UV)硬化または熱硬化などの手法によりレンズ樹脂を硬化させ、さらに熱処理を行うことにより、内部応力を緩和してレンズ形状を安定化させて形成する方法を用いる。これにより、所定のレンズ形状、所定のレンズ厚さの樹脂製のレンズ板541〜543を形成することが可能である。
前述したが、成形上型23と成形下型21は、ガラス型でも、金属型でもよい。本実施形態2では、形成されたレンズ板541〜543が3枚、レンズこば部分で貼り合わされた構造となっている。これらの貼り合わせには、接着部材55および56を用いるが、接着部材55および56は、遮光機能を有していてもよい。
光学素子としての複数枚のレンズ板54は、収差補正レンズ543、拡散レンズ542および集光レンズ541であり(1枚の場合は集光レンズ)、レンズ板54は、中央部分にレンズ領域が設けられ、そのレンズ領域の外周側に所定厚さを持つスペーサ部である周囲部分としてのレンズこば部分が設けられているが、それらのレンズ板54の各外周側にそれぞれ設けられた所定厚さを持つ各スペーサ部が下からこの順に積層されて配置されている。このスペーサ部は位置決め機能を有しており、その位置決め機能は、テーパの付いた凹部と凸部またはアライメントメークで構成されている。3枚のレンズ板4を接着する接着層55および/または56は、遮光機能を兼ねていてもよく、接着層55および56は、スペースを決定する固体が含有されていてもよい。
次に、この電子素子モジュールを用いた完成品を実施形態3として、本実施形態2のセンサモジュールを撮像部に用いるかまたは、他の電子素子モジュールを例えば情報記録再生部に用いた電子情報機器を図面を参照しながら詳細に説明する。
(実施形態3)
図17は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態2のセンサモジュール50を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図17において、本実施形態3の電子情報機器90は、上記実施形態2のセンサモジュール50からの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段94とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示手段93と、通信手段94と、プリンタなどの画像出力手段95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
したがって、本実施形態2によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力装置95により良好にプリントアウト(印刷)したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
なお、上記実施形態2の電子情報機器90に限らず、本発明の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器であってもよい。この場合のピックアップ装置の光学素子としては、出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて所定方向に入射させる光学機能素子(例えばホログラム光学素子)である。また、ピックアップ装置の電子素子としては、出射光を発生させるための発光素子(例えば半導体レーザ素子またはレーザチップ)および入射光を受光するための受光素子(例えばフォトIC)を有している。
なお、本実施形態1では、特に詳細には説明してないが、一または複数の穴が設けられた基材基板(ガラス基板1)と、基材基板の穴11に設けられた樹脂製の光学素子部(樹脂レンズ2)と、光学素子部の周辺の基材基板位置に設けられたレンズこば部4とを有している。これによって、ガラス基板1などの基材を用いることにより全体的な樹脂収縮の影響を、樹脂レンズ2などの光学部品部分に及ぼすことがなく、樹脂レンズ2などの光学部品部分には基材が骨組みとして入っておらず単一の光学樹脂材料を用いて高い光学精度が得られる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態1〜3を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1〜3に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1〜3の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、入射光を集光する複数のレンズまたは、出射光を直進させたり反射させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする複数の光学機能素子からなるウエハ状光学装置およびその製造方法、各レンズにそれぞれ対応して、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子または、各光学機能素子にそれぞれ対応して、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子とが複数モジュール化(一体化)された電子素子ウエハモジュール、この電子素子ウエハモジュールから一括切断されて製造される電子素子モジュール、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子と、入射光を撮像素子上に結像するためのレンズとが複数モジュール化(一体化)されたセンサウエハモジュール、これを切断したセンサモジュールを、車載用カメラなどの画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、車載用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)または、この電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器の分野において、穴のあいたガラス基板を基材として用いることにより、製造時に発生する樹脂収縮を抑制し、精度の高いウエーハ状態のレンズモジュールを形成することができる。さらに、ガラス基板上に形成されるレンズ樹脂によって、ガラス基板の厚さばらつきを吸収することにより、レンズこば部分の厚さを正確に制御することができて、レンズを積層するときのレンズ間ばらつきを高精度にコントロールすることができる。さらに、レンズ部分は、樹脂のみで形成することにより、屈折率を一様に保ち、設計を容易とすると共に、レンズ厚さを精度良くコントロールすることができて、光学精度の高いレンズを得ることができる。
本発明の実施形態1に係るレンズモジュールの要部構成例を模式的に示す一部縦断面図である。 図1のガラス基板を模式的に示す斜視図である。 図1のレンズモジュールを成形するための下金型の要部構成例を模式的に示す一部断面図である。 図3の下金型上にレンズ樹脂を塗布した状態を式的に示す一部断面図である。 図4のレンズ樹脂上にガラス基板を搭載した状態を式的に示す一部断面図である。 図5のガラス基板の中央部上にレンズ樹脂をディスペンスした状態を式的に示す一部断面図である。 図6のレンズ樹脂およびガラス基板を下金型と上金型とでプレスした状態を式的に示す一部断面図である。 図7のプレス時にガラス基板の端面を支持して固定する状態を式的に示す一部断面図である。 図7の下金型と上金型間のレンズ樹脂を紫外線により樹脂硬化させる状態を式的に示す一部断面図である。 図1のレンズモジュールを下金型と上金型から取り出した状態を式的に示す一部断面図である。 図1のレンズモジュールに対してレンズこば部分を厚くした場合を模式的に示すレンズモジュールの一部断面図である。 図1のレンズモジュールの他の変形例を模式的に示すレンズモジュールの一部断面図である。 図1のレンズモジュールの更に他の変形例を模式的に示すレンズモジュールの一部断面図である。 本発明のプリズムモジュールの断面構造を模式的に示す図である。 ホログラム素子の断面構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態2に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。 本発明の実施形態3として、本発明の実施形態2のセンサモジュール50を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。 特許文献1に開示されている従来のレンズモジュールの一例を模式的に示す断面図である。 特許文献1に開示されている従来のレンズモジュールの他の一例を模式的に示す断面図である。
符号の説明
1 ガラス基板
11 穴
12 クロムメッキ
12a 下地層(低反射クロムメッキ)
2 樹脂レンズ
22a,22b レンズ樹脂材料
21 下金型
23 上金型
3 周辺樹脂部
4、4A,4B レンズこば部分
5 保持具(ガラス基板支持部材)
10、10A、10B、10C レンズモジュール
30 プリズムモジュール
31 プリズム
41 ホログラム素子
50 センサモジュール
51 貫通ウエハ
51a 撮像素子
51b 貫通孔
52 樹脂接着層
53 ガラス板
54、541〜543 レンズ板
55、56 レンズ接着層
57 遮光部材
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段。

Claims (23)

  1. 一または複数の貫通孔が設けられた基材基板と、該基材基板の貫通孔に設けられた樹脂製の光学素子部と、該光学素子部の周辺の該基材基板位置に設けられたこば部とを有したウエハ状光学装置であって、前記こば部には、前記基材基板の上面および下面の少なくともいずれかに前記光学素子部と同一の樹脂材料が膜状に配設されているウエハ状光学装置
  2. 前記基材基板はガラス基板である請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  3. 前記基材基板の表面には遮光膜が設けられている請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  4. 前記遮光膜は、遮光用のクロムメッキと、その下地層としての低反射用のクロムメッキとの2層構造である請求項3に記載のウエハ状光学装置。
  5. 前記光学素子部は、レンズ、ミラー光学素子、導波路手段、プリズムおよびホログラム素子のいずれかである請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  6. 前記こば部は、前記基材基板、および前記光学素子部と同一の樹脂材料のうちの少なくとも該基材基板で構成されている請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  7. 前記貫通孔は、円形、楕円形、長方形および多角形のいずれかである請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  8. 前記光学素子部の樹脂材料は、熱硬化性樹脂材料または光硬化性樹脂材料である請求項1に記載のウエハ状光学装置。
  9. 基材基板を骨組として該基材基板の穴の位置に樹脂製の光学素子部を成形するウエハ状光学装置の製造方法であって、
    該基材基板に一または複数の穴を形成する穴形成工程と、
    該穴に対応するように形成された光学素子用下金型および上金型により光学素子用樹脂および該基材基板を挟み込んで少なくとも該光学素子部を成形するプレス工程と、
    熱または光を用いて該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程とを有するウエハ状光学装置の製造方法。
  10. 前記穴形成工程は、前記基材基板上に、遮光膜を前記穴の位置に対応させてパターン形成し、該遮光膜をマスクとしてエッチング処理により該穴を形成する請求項に記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  11. 前記プレス工程では、前記下金型上に前記基材基板を浮かせて支持した状態で少なくとも前記光学素子部を成形する請求項に記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  12. 前記プレス工程は、前記下金型と前記上金型の間隔を制御して前記光学素子の厚さおよび該光学素子の周辺のこば部の厚さを設定する請求項または11に記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  13. 前記樹脂硬化工程は、前記下金型と前記上金型を透明金型としてその上面および下面の少なくともいずれかから光照射して樹脂硬化させる請求項に記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  14. 前記樹脂硬化工程は、前記基材基板をガラス基板として、該ガラス基板の端面側から光照射して樹脂硬化させる請求項に記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  15. 前記樹脂硬化工程は、前記下金型および前記上金型を回転させつつ光照射して樹脂硬化させる請求項13および14のいずれかに記載のウエハ状光学装置の製造方法。
  16. 貫通電極を有する複数の電子素子が配設された電子素子ウエハと、
    該電子素子ウエハ上の所定領域に形成された樹脂接着層と、
    該電子素子ウエハ上を覆い、該樹脂接着層上に固定された透明カバー部材と、
    該複数の電子素子のそれぞれに対応するように該透明カバー部材上に接着固定された請求項1〜のいずれかに記載の一または、積層された複数のウエハ状光学装置とを有する電子素子ウエハモジュール。
  17. 前記電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である請求項16に記載の電子素子ウエハモジュール。
  18. 前記電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している請求項16に記載の電子素子ウエハモジュール。
  19. 請求項1618のいずれかに記載の電子素子ウエハモジュールから一または複数個毎に切断された電子素子モジュール。
  20. 貫通電極を有する複数のセンサチップ部が配設されたセンサウエハと、
    該センサウエハ上の所定領域に形成された樹脂接着層と、
    該センサウエハ上を覆い、該樹脂接着層上に固定された透明カバー部材と、
    該透明カバー部材上に、該複数の撮像素子にそれぞれ対応するように搭載されて接着固定された請求項1〜のいずれかに記載のウエハ状光学装置としての一または、積層された複数のレンズモジュールとを有し、
    該複数のセンサチップ部はそれぞれ、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子が設けられているセンサウエハモジュール。
  21. 請求項20に記載のセンサウエハモジュールから一または複数個毎に切断されたセンサモジュール。
  22. 請求項17に記載の電子素子ウエハモジュールから切断された電子素子モジュールをセンサモジュールとして撮像部に用いた電子情報機器。
  23. 請求項18に記載の電子素子ウエハモジュールから切断された電子素子モジュールを情報記録再生部に用いた電子情報機器。
JP2008074430A 2008-03-21 2008-03-21 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 Expired - Fee Related JP5009209B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008074430A JP5009209B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
US12/736,175 US20110096213A1 (en) 2008-03-21 2009-03-18 Wafer-shaped optical apparatus and manufacturing method thereof, electronic element wafer module, sensor wafer module, electronic element module,sensor module, and electronic information device
PCT/JP2009/055356 WO2009116600A1 (ja) 2008-03-21 2009-03-18 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008074430A JP5009209B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009229749A JP2009229749A (ja) 2009-10-08
JP5009209B2 true JP5009209B2 (ja) 2012-08-22

Family

ID=41090999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008074430A Expired - Fee Related JP5009209B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110096213A1 (ja)
JP (1) JP5009209B2 (ja)
WO (1) WO2009116600A1 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8456560B2 (en) * 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
US8605208B2 (en) 2007-04-24 2013-12-10 Digitaloptics Corporation Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
US9118825B2 (en) * 2008-02-22 2015-08-25 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. Attachment of wafer level optics
US9419032B2 (en) * 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
WO2011055655A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 コニカミノルタオプト株式会社 撮像装置、光学ユニット、ウエハレンズ積層体及びウエハレンズ積層体の製造方法
US20120314309A1 (en) * 2010-02-19 2012-12-13 Keisuke Tatebayashi Image-Capturing Lens Unit
JP5010699B2 (ja) * 2010-03-03 2012-08-29 株式会社東芝 光学素子およびカメラモジュール
US7974023B1 (en) * 2010-03-11 2011-07-05 Himax Semiconductor, Inc. Wafer level optical lens substrate, wafer level optical lens module and fabrication method thereof
KR101155988B1 (ko) * 2010-05-20 2012-07-03 삼성전자주식회사 렌즈 모듈 및 웨이퍼 레벨 렌즈 모듈 제조장치
JP2012044091A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ
KR101208215B1 (ko) * 2011-01-14 2012-12-04 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 이의 제조방법
NL2006373C2 (nl) * 2011-03-11 2012-09-17 Anteryon Internat B V Optische eenheid.
JP5841731B2 (ja) 2011-03-11 2016-01-13 シャープ株式会社 光学素子、光学素子モジュール、電子素子モジュールおよび電子情報機器
TWI537626B (zh) * 2011-03-28 2016-06-11 柯尼卡美能達精密光學股份有限公司 攝像透鏡單元之製造方法、以及攝像透鏡單元
US9595553B2 (en) 2012-11-02 2017-03-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
US9258467B2 (en) * 2013-11-19 2016-02-09 Stmicroelectronics Pte Ltd. Camera module
US9121994B2 (en) 2013-12-17 2015-09-01 Anteryon Wafer Optics B.V. Method of fabricating a wafer level optical lens assembly
NL2012262C2 (en) 2014-02-13 2015-08-17 Anteryon Wafer Optics B V Method of fabricating a wafer level optical lens assembly.
JP6479536B2 (ja) * 2015-03-31 2019-03-06 パナソニック デバイスSunx株式会社 光電センサ
CN106324784B (zh) * 2015-06-17 2018-11-02 玉晶光电(厦门)有限公司 具有背胶型遮光组件的镜头
JP2017032798A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 レンズ付き基板、積層レンズ構造体、カメラモジュール、並びに、製造装置および方法
KR102396585B1 (ko) * 2015-11-06 2022-05-11 삼성전자주식회사 방수 구조를 가진 전자 장치
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
WO2020255191A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24 日本電信電話株式会社 光回路ウェハ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4154506A (en) * 1976-08-12 1979-05-15 Izon Corporation Projection lens plate for microfiche
JPH1062604A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Sony Corp 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP2000147232A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Canon Inc 回折光学装置及びそれを用いた投影露光装置
US6049430A (en) * 1998-11-12 2000-04-11 Seagate Technology High numerical aperture objective lens manufacturable in wafer form
JP2003004909A (ja) * 2001-04-20 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイ
DE60200225T2 (de) * 2001-04-20 2004-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Mikrolinsen-Array und Methode für seine Herstellung
JP4281512B2 (ja) * 2003-10-31 2009-06-17 株式会社ニコン 光学素子の製造方法
JP2006106229A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透過型光学素子の製造方法および透過型光学素子
KR100922669B1 (ko) * 2005-01-04 2009-10-19 가부시키가이샤 아이스퀘어리서치 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP2007240807A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法
KR100826452B1 (ko) * 2006-12-18 2008-04-29 삼성전기주식회사 광학 부품 및 그 제조방법
US7923298B2 (en) * 2007-09-07 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier
US7920328B2 (en) * 2008-02-28 2011-04-05 Visera Technologies Company Limited Lens module and a method for fabricating the same
WO2011148756A1 (ja) * 2010-05-27 2011-12-01 コニカミノルタオプト株式会社 ウェハレンズの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110096213A1 (en) 2011-04-28
WO2009116600A1 (ja) 2009-09-24
JP2009229749A (ja) 2009-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5009209B2 (ja) ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
JP4764941B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
TWI402979B (zh) 電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置
JP4793618B2 (ja) Cmosイメージセンサ構造体及びこれを用いたカメラモジュールを製作する為のプロセス
KR100817060B1 (ko) 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP4768060B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP5118674B2 (ja) 光学素子モジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
TWI475674B (zh) 照相模組及其製造方法
JP5094802B2 (ja) 光学素子ウエハの製造方法
JP4819152B2 (ja) 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
KR100956250B1 (ko) 웨이퍼 스케일 렌즈조립체 제조방법 및 이에 의해 제조된웨이퍼 스케일 렌즈조립체
US8796798B2 (en) Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device
US9075182B2 (en) Camera module and spacer of a lens structure in the camera module
JP2003204053A (ja) 撮像モジュール及び該撮像モジュールの製造方法、デジタルカメラ
JP4891214B2 (ja) 電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュール、センサウエハモジュール、センサモジュール、レンズアレイ板、センサモジュールの製造方法および電子情報機器
KR20020071475A (ko) 촬상모델 및 촬상장치
JP2010103493A (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2007053337A (ja) 光学デバイス、光学デバイス装置、カメラモジュールおよび光学デバイスの製造方法
JP4800291B2 (ja) センサモジュールの製造方法および電子情報機器の製造方法
JP2008250285A (ja) 光学部材及びそれを備えた撮像デバイス
US20140284746A1 (en) Solid state imaging device and portable information terminal
JP2009251249A (ja) ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
JP2009266901A (ja) 転写装置、ウエハ状光学装置の製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュールおよび電子情報機器
JP2006080597A (ja) 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法
JP2002368235A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120509

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120530

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608

Year of fee payment: 3

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees