TWI402979B - 電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置 - Google Patents

電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置 Download PDF

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Description

電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置
本發明係關於一種電子元件晶圓模組、電子晶圓模組、感測器晶圓模組、感測器模組及感測器模組之製造方法、透鏡陣列盤、及電子資訊裝置。該電子元件晶圓模組係藉由以下方式來形成：將用於聚焦入射光之複數個透鏡與一影像捕獲元件模組化(整合)，該影像捕獲元件對應於每一透鏡並具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部；或者，藉由將用於筆直地推進出射光並以一預定方向彎曲與導引入射光之複數個光學功能元件與一用於對應於每一光學功能元件並產生出射光之發射元件以及一用於接收入射光之光接收元件模組化(整合)。該電子元件模組係藉由切割該電子元件晶圓模組來製造。該感測器晶圓模組係藉由將具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光的複數個光接收部之影像捕獲元件與一用於將入射光形成為在一影像捕獲元件上之一影像的透鏡模組化(整合)而形成。該感測器模組係藉由切割該感測器晶圓模組來形成。該透鏡陣列盤係用於該感測器模組。該電子資訊裝置包括，例如，數位相機(例如，數位視訊相機與數位靜態相機)、影像輸入相機(例如，一車載相機)、掃描器、傳真機、配備相機的行動電話裝置以及具有作為一影像輸入裝置用於一影像捕獲部的感測器模組之個人數位助理(PDA)，或在一資訊記錄及重現部中使用該電子元件模組之一拾取設備。
此非臨時申請案根據35 U.S.C. §119(a)主張對2007年12月13日在日本申請的專利申請案第2007-322626號及2007年12月13日在日本申請的專利申請案第2007-322627號之優先權，其全部內容係以引用的方式併入於此。
此類型之一傳統感測器模組用作一電子元件模組，其係作為一相機模組用於一配備相機的行動電話裝置及一個人數位助理(PDA)而進一步用於一卡相機及類似物。此一感測器模組具備一固態影像捕獲晶片及一固持器構件。該固態影像捕獲晶片具有：一影像捕獲元件，其用作一電子元件，具有複數個光接收部，用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光；以及該固持器構件，其用於固定一聚焦透鏡，該聚焦透鏡用於將入射光形成為在一影像捕獲元件上之一影像，此等兩者皆係提供於一由陶瓷、含環氧樹脂的玻璃及類似物構成之裝載基板上。在此一情況下，該固態影像捕獲晶片係定位於該裝載基板上，並實行導線接合。此外，重要的係，準確地固定在該聚焦透鏡與該影像捕獲元件之間的影像形成距離，以將入射光精確地形成為在該影像捕獲元件上之一影像，從而可獲得一清楚的影像。
接下來，美國專利案參考文獻1建議如圖19所示之一傳統電子元件模組100之一實際範例。該電子元件模組100經組態為一拾取設備。一裝載基板102裝載一光學電子元件101，其係一發射元件以及一光接收元件，接著將一用於確保一空間的間隔件基板103層壓於該裝載基板102上，而將具備一光學功能元件104之一密封基板105連續地層壓於該間隔件基板103上。該光學電子元件101具有一組態，在此組態中將一線路接點106向外拖曳至該密封件之外側。該間隔件基板103具有一在內側包括一斜坡表面107之形式。該斜坡表面107係塗布有一反射膜。該光學功能元件104具有一光學功能，例如從一發射元件將光筆直地輸出至外側以及彎曲並導引包括來自一光碟及類似物的資訊之反射光。可藉由切割該電子元件晶圓模組(該裝載基板102、該間隔件基板103及該密封基板105係層壓於其中)來一次性製造複數個電子元件模組100。
此外，依據美國專利案參考文獻2，如圖20所示，將一具有形成於其上面之一透鏡203的基底基板204對齊於一具有形成於其上面之一透鏡201的基底基板202上方，而藉由一黏著層205來垂直層壓及黏著該基底基板204及該基底基板202以成整體地形成一多級透鏡模組200。此外，依據美國專利案參考文獻3，如圖21所示，經由在一具有形成於其上面的複數個透鏡301之基底基板302上方之一間隔件303來對齊一基底基板304，並藉由一黏著樹脂來垂直層壓及黏著該基底基板304及該基底基板302以成整體地形成一透鏡模組300。美國專利案參考文獻3建議一種用於在一切割位置305切割此整合式透鏡模組300以便一次性製造各透鏡模組之方法。
依據參考文獻4，複數個玻璃光學元件(透鏡)包括：一透鏡部，其係藉由用一上部模具與一下部模具按壓模製軟化玻璃來形成；一管狀支腳部，其係在該按壓模製時從其在該透鏡部之周圍邊緣向下彎曲並延伸；以及一平坦盤部，其係從該管狀支腳部向外彎曲並水平延伸以與一透鏡部之另一管狀支腳部耦合。一薄片構件(其中整合該複數個玻璃光學元件)係黏著於在一基板上之一罩蓋玻璃，該基板具有以一將每一影像感測器對應於每一透鏡部之方式提供於其上面的複數個影像感測器。針對每一影像感測器而切割此一薄片構件。
依據非專利案參考文獻1，揭示在一矽晶圓中提供一通孔並經由該通孔將一晶圓前表面與一晶圓背表面彼此電連接。
參考文獻1：美國專利案第7224856 B2號(圖1)
參考文獻2：美國專利案第6049430號
參考文獻3：美國專利案第6096155號
參考文獻4：日本特許公開公告案第2003-277085號
非專利參考文獻1：2004年東京固態裝置及材料國際會議，第276至277頁"高可靠度矽通孔在影像感測器CSP中的應用"
但是，若在上述參考文獻1中的傳統技術中使用該裝載基板，則該模組之高度增加。此外，需要用於該裝載基板本身之一構件而用於製造的工時增加。另外，為將該光學元件安裝於該裝載基板上，不僅需要一安裝設備，而且還需要用於安裝該設備之工時，因此增加製造成本。
此外，傳統參考文獻2及3說明用於在一基底基板上形成一聚焦透鏡之一方法。由於該方法使用一基底基板，因此需要此一基底基板本身。由於該基底基板，該模組之高度增加。此外，需要用於該基底基板本身之一構件而用於製造的工時增加。另外，為將該光學元件安裝於該裝載基板上，不僅需要一安裝設備，而且還需要安裝之工時，因此增加製造成本。因此，藉由使用該基底基板，該聚焦透鏡基板之厚度影響其光學設計，由此延伸光學長度。另外，儘管傳統參考文獻3使用一間隔件來確保在基底基板之間用於一聚焦透鏡的一空間，但不僅針對該間隔件本身的處理而且針對欲插入該等基底基板之間的該間隔件之裝配，皆需要一工時，由此增加製造成本。
另外，儘管存在用於藉由一基底基板之回蝕來形成一聚焦透鏡之一方法，但此方法產生一低劣精度之一透鏡形狀。另外，儘管該傳統參考文獻4藉由從頂部與底部按壓模製軟化玻璃來形成複數個透鏡部，但此方法產生一低劣精度之一透鏡形狀，而因此，無法獲得一準確的透鏡功能。另外，由於此方法從該頂部及底部按壓模製此類軟化玻璃，因此需要高溫度及高壓力。此外，若該玻璃之溫度從其高溫度至其低溫度快速下降，則該玻璃可能破裂，而因此該透鏡之處理不精確。
另外，依據傳統非專利案參考文獻1，提供一通孔以使得一晶圓前表面與一晶圓背表面係經由該通孔而彼此電連接。藉由使用該通孔，在一感測器晶片與一裝載基板之間不需要導線接合。但是，單獨此一組態將不允許藉由切割一感測器晶圓模組(其係一具有附接於一晶圓級之一透鏡的電子元件晶圓模組)來一次性獲得具有良好精度及品質之複數個模組。
本發明希望解決上述傳統問題。本發明之目的係提供一種電子元件晶圓模組，其不需要一傳統裝載基板、基底基板或一間隔件，減少用於製造該模組之工時及安裝元件及該間隔件所需要的工時，減小每一模組之高度並提供良好的精度及品質。本發明之另一目的係提供一種可藉由切割該電子元件晶圓模組、一感測器晶圓模組來製造之電子元件模組、藉由切割該感測器晶圓模組來製造之感測器模組及用於該感測器模組之製造方法、用於該感測器模組之透鏡陣列盤及作為一影像輸入裝置在一影像捕獲捕獲部或一資訊記錄及重現部中使用該電子元件模組之電子資訊裝置。
依據本發明之一電子元件晶圓模組包括：一電子元件晶圓，其係配置有具有一通孔電極的複數個電子元件；一樹脂黏著層，其係形成於在該電子元件晶圓上之一預定區域中；一透明覆蓋構件，其覆蓋該電子元件晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個樹脂光學元件，其係黏著並固定於該透明覆蓋構件上以至於以一對應於該個別複數個電子元件之方式來整合，由此實現上述目的。
較佳的係，依據本發明在該電子元件晶圓模組中的樹脂黏著層係在該電子元件晶圓的複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態。即，依據本發明之電子元件晶圓模組包括：一電子元件晶圓，其係配置有具有一通孔電極的複數個電子元件；一樹脂黏著層，其係在該電子元件晶圓之複數個電子元件之周圍上形成為一半密封狀態；一透明覆蓋構件，其覆蓋該電子元件晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個光學元件，其係以一對應於該個別複數個電子元件之方式裝載以黏著並固定於該透明覆蓋構件上，由此實現上述目的。較佳的係，藉由整合來形成依據本發明在該電子元件晶圓模組中之該複數個光學元件。另外，依據本發明之電子元件晶圓模組包括：一電子元件晶圓，其係配置有複數個具有一通孔電極之電子元件；一樹脂黏著層，其係在該電子元件晶圓之該複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態；以及一透明覆蓋構件，其覆蓋該電子元件晶圓且係固定於該樹脂黏著層上，由此實現上述目的。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，藉由在一平面圖中的中心部分之周圍側上的光學元件之間插入的黏著層來層壓該複數個光學元件。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，用於黏著該光學元件之黏著層亦具有一遮光功能。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，在用於黏著該光學元件之黏著層中包括一用於決定一空間的固體。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該光學元件係由一或多個透鏡構成。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組，該透鏡具備在該中心部分之一透鏡區域且具備在該透鏡區域之周圍側上之一具有一預定厚度的間隔件部。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該透鏡係一聚焦透鏡。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該透鏡係一像差校正透鏡、擴散透鏡及一聚焦透鏡，而以像差校正透鏡、擴散透鏡及一聚焦透鏡之此順序來層壓一具有一預定厚度且提供於該等透鏡之每一者之周圍側上的間隔件部。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該間隔件部具有一位置決定功能。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該間隔件部之位置決定功能係由具有一錐形或一對齊標記之一凹陷部分與一凸出部分組成。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該光學元件係用於筆直推進出射光並讓入射光彎曲以允許以一預定方向進入之一光學功能元件。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該樹脂黏著層具有形成為與該複數個電子元件之每一者上方的空間部分連通至外側之一溝槽。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該樹脂黏著層具有形成為經由另一空間部分與該外側連通之一溝槽，該另一空間部分藉由一溝槽與在該複數個電子元件之每一者上方的該空間部分連通。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該樹脂黏著層係定位用於該複數個電子元件之每一者且還係定位於除該電子元件之區域以外之一區域以及除介於相鄰電子元件之間的一切塊區域以外之一區域中。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該溝槽係形成為在一平面圖中與該樹脂黏著層之一四邊形之一邊緣方向相關的一對角直線、一S形狀或一曲徑形狀。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該樹脂黏著層具有可與該內側物性連通之一材料組態。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該透明覆蓋構件係一透明樹脂盤或一玻璃盤。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該透明覆蓋構件具備在該表面上之IR(紅外線)塗層或AR(抗反射)塗層。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該電子元件具有一影像捕獲元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件晶圓模組中，該電子元件具有用於產生出射光之一發射元件及用於接收入射光之一光接收元件。
依據本發明之一電子元件模組係從依據本發明之電子元件晶圓模組切割成個別或多個群組，由此實現上述目的。
較佳的係，在依據本發明之一電子元件模組中，該電子元件模組之一切割側具有一遮光功能或具備一遮光功能。
依據本發明之一感測器晶圓模組包括：一感測器晶圓，其係配置有複數個具有一通孔電極之感測器晶片部；一樹脂黏著層，其係形成於在該感測器晶圓上之一預定區域中；一透明覆蓋構件，其覆蓋該感測器晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個樹脂聚焦透鏡陣列盤，其係以一對應於該個別複數個影像捕獲元件之方式裝載以黏著且固定於該透明覆蓋構件上，其中該複數個感測器晶片部之每一部具備一影像捕獲元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部，由此實現上述目的。另外，依據本發明之一感測器晶圓模組包括：一感測器晶圓，其係配置有複數個具有一通孔電極之感測器晶片部；一樹脂黏著層，其係在該感測器晶圓上之該複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態；一透明覆蓋構件，其覆蓋該感測器晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個聚焦透鏡，其係以一對應於該個別複數個電子元件之方式裝載以黏著且固定於該透明覆蓋構件上，其中該感測器晶片部具備一影像捕獲元件作為該電子元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部，由此實現上述目的。
依據本發明之一感測器模組係從依據本發明之感測器晶圓模組切割成個別或多個群組。
依據本發明用於製造一感測器模組之一方法包括以下步驟：在配置有複數個感測器晶片之複數個影像捕獲元件之每一周圍上形成一樹脂黏著層；將一罩蓋玻璃黏著於該樹脂黏著層上；針對每一感測器晶片，形成從該感測器晶圓之一背表面穿透至一前表面而到達一墊體之一背表面的複數個通孔；經由該通孔在該感測器晶圓之背表面上形成一線路；將一或多個樹脂透鏡盤於每一樹脂透鏡盤之一透鏡區域之周圍側上的一間隔件部處黏著於該罩蓋玻璃之表面上；針對一或多個感測器晶片部一次性切割該感測器晶圓、該罩蓋玻璃及該透鏡；以及在至少一切割部上形成一遮光層，由此實現上述目的。另外，依據本發明用於製造一感測器模組之一方法包括以下步驟：在配置有複數個感測器晶片部之一感測器晶圓的複數個影像捕獲元件之每一周圍上將一樹脂黏著層形成為一半密封狀態；將一罩蓋玻璃黏著於該樹脂黏著層上；讓該感測器晶圓之一背側變薄；針對每一感測器晶片部，形成從該感測器晶片之一背表面穿透至一前表面而到達一墊體之一背表面的複數個通孔；經由該通孔在該感測器晶圓之背表面上形成一線路；將一或多個透鏡盤黏著於該罩蓋玻璃之表面上；針對一或多個感測器晶片部一次性切割該感測器晶圓、該罩蓋玻璃及該透鏡；以及在至少一切割部上形成一遮光層，由此實現上述目的。
較佳的係，在依據本發明用於製造一感測器模組之方法中，該切割步驟使用雷射或一線鋸。
依據本發明之一電子資訊裝置使用從依據本發明之電子元件晶圓模組切割之一電子元件模組作為在一影像捕獲部中之一感測器模組，由此實現上述目的。
依據本發明之一電子資訊裝置在一資訊記錄及重現部中使用從如請求項23之電子元件晶圓模組切割之一電子元件模組，由此實現上述目的。
依據本發明之一薄片形式的一透鏡陣列盤包括複數個透鏡，每一透鏡皆具備在該中心部分中之一透鏡區域並具備在該透鏡區域的周圍側上之一具有一預定厚度的間隔件部，該複數個透鏡係整合於一矩陣中，由此實現上述目的。
下面將說明具有上述結構的本發明之功能。
共享一具有形成於其上面之一電子元件的元件基板(電子元件晶片部)與一傳統裝載基板之一線路基板，並製造一從一前表面至一背表面穿透該元件基板以至於形成一線路的通孔，因此將不需要此一傳統裝載基板。此外，不使用一傳統基底基板。替代地，使用一聚焦透鏡，該聚焦透鏡係(例如)藉由一用於樹脂模製一透鏡的樹脂模製技術精確地形成，該透鏡用作一光學元件。因此，在該聚焦透鏡的周圍側上之一間隔件部(邊緣部)可準確地確保一空間。
如上所述，不再需要用於藉由導線接合來安裝一電子元件晶片部之傳統裝載基板，從而可減少用於製造該基板本身之工時及用於安裝該電子元件之工時，由此減小製造成本並在該裝載基板的厚度量方面實現一低輪廓。
此外，不再需要用於裝載一透鏡之傳統基底基板，從而減少用於製造該基板本身之工時及用於裝載一透鏡之工時，由此減小製造成本並在該基底基板的厚度量方面實現一低輪廓。此外，不再需要一用於保持在用於裝載一透鏡的基底基板之間的一空間之間隔件，從而減少用於製造該間隔件本身之工時及用於將一間隔件安裝於該基底基板(其上面裝載有一透鏡)中之工時，由此減小製造成本。
此外，不使用一傳統基底基板。替代地，使用一聚焦透鏡，該聚焦透鏡係(例如)藉由一用於樹脂模製一透鏡的樹脂模製技術精確地形成，該透鏡用作一光學元件。因此，在該聚焦透鏡的周圍側上之一間隔件部(邊緣部)可準確地確保一空間。
即，若使用該傳統基底基板及間隔件，則藉由添加該基底基板之一變化、該樹脂之一變化及該間隔件之變化來產生一總變化。因此，在一高度方向上產生一明顯較大程度的變化。另一方面，在本發明中，唯一的問題係在一次性形成該透鏡盤時每一透鏡盤之一大小之一變化。明確言之，如上所述，重要的係獲得一清楚影像以準確地固定在該聚焦透鏡盤與該影像捕獲元件之間的影像形成距離並將入射光精確地聚焦成在該影像捕獲元件上之一影像。在該垂直方向(z方向)上之此精度明顯較高。
另外，儘管一樹脂需要為一密封樹脂，但難以獲得一密封的樹脂，而且水有可能進入該樹脂。若不具有藉由一溝槽形成之通風孔，則有可能因已進入內側的水而形成冷凝。若存在藉由一溝槽形成之一通風孔，則可使用具有空氣滲透性之一黏著樹脂，由此使得該樹脂之選擇變寬。根據此一意義，可以提高該處理之精度及品質。
此外，若一樹脂黏著層係在該電子元件晶圓的複數個電子元件之周圍上形成為一半密封狀態(例如，藉由一溝槽形成之一通風孔，以及具有空氣滲透性之黏著樹脂)，而且即使水曾進入該複數個電子元件之空間部分，亦可藉由半密封狀態(例如，存在藉由一溝槽形成之一通風孔)之此空氣通道來控制此類水或防止其形成冷凝，由此保持良好品質。
另外，可精細地保持該處理之該精度及該品質。
另外，不再需要傳統的裝載基板，從而可以一晶片大小(光學元件大小)中製造該模組，由此進一步使安裝區域最小化。
依據具有上述組態之本發明，當一次性製造大量模組時，不像以前一樣使用用於安裝一電子元件之裝載基板、用於裝載一透鏡之基底基板及間隔件。因此，減少用於製造該裝載基板、該基底基板或該間隔件之工時。將不再需要用於將一光學元件安裝於該裝載基板(其用於將一透鏡裝載於該基底基板上)及安裝一間隔件之設備以及與該設備相關之工時，由此明顯減少用於製造之工時。此外，由於不再需要該裝載基板或基底基板，因此可將每一模組之高度以及進一步將整個透鏡構件之厚度控制為較薄，由此精細地實現該處理之精度及該品質。
此外，不使用一傳統基底基板。替代地，使用一聚焦透鏡，該聚焦透鏡係(例如)藉由一用於樹脂模製一透鏡的樹脂模製技術精確地形成，該透鏡用作一光學元件。因此，在該聚焦透鏡的周圍側上之一間隔件部(邊緣部)可準確地確保一空間。
另外，由於本發明一次性形成一透鏡，因此唯一的問題係每一透鏡之一大小之一變化。因此，在該垂直方向(z方向)上之此精度可能明顯較高。
另外，若一樹脂黏著層係在該電子元件晶圓的複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態(例如，藉由一溝槽形成之一通風孔，以及具有空氣滲透性之黏著樹脂)，而且即使水曾進入該複數個電子元件之空間部分，亦可藉由半密封狀態(例如，藉由一溝槽形成之一通風孔，以及具有空氣滲透性之黏著樹脂)之此空氣通道來控制此類水或防止其形成冷凝，由此保持良好品質。在此一情況下，該樹脂之選擇變寬，而可以提高該處理之精度以及品質。
另外，不再需要傳統的裝載基板，從而可以一晶片大小(光學元件大小)中製造該模組，由此進一步使該安裝區域最小化。
熟習此項技術者在閱讀並瞭解下文中參考附圖的詳細說明後，便會明白本發明之該些及其他優點。
下面，作為具體實施例1，將藉由切割依據本發明之一電子元件晶圓模組而一次性製造之一電子元件模組及一電子元件模組之製造方法應用於藉由切割一感測器晶圓模組而一次性製造之一感測器模組及一感測器模組之製造方法，並將參考附圖來詳細說明具體實施例1。隨後，作為具體實施例2，將使用此電子元件模組之一完成的產品應用於使用依據具體實施例1的感測器模組作為一影像捕獲部之一電子資訊裝置或在(例如)一資訊記錄及重現部中使用其他電子元件模組之一電子資訊裝置，並將參考附圖來詳細說明具體實施例2。
(具體實施例1)
圖1係解說依據本發明之具體實施例1之一感測器模組的一範例性基本結構之一縱向斷面圖。
在圖1中，依據具體實施例1之一感測器模組10在一晶圓晶片之一表面上具備作為一電子元件之一影像捕獲元件11，該影像捕獲元件11係由複數個光接收部構成，該複數個光接收部係對應於複數個像素之光電轉換部(光二極體)。該感測器模組10進一步包括：一穿透晶圓1，其具有一通孔晶圓，在該通孔晶圓中在該前表面與該背表面之間提供一通孔12並將其電連接；一樹脂黏著層2，其係形成於該通孔晶圓1之影像捕獲元件11之周圍上；一玻璃盤3，其用作一罩蓋玻璃以覆蓋該樹脂黏著層2；一透鏡盤4，其係提供於該玻璃盤3上，聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43係層壓於該玻璃盤3上而用作一用於將入射光 聚焦於該影像捕獲元件11上之光學元件；透鏡黏著層51及52，其用於黏著並固定該聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43；以及一遮光構件6，其用於開啟該聚焦透鏡41之中心，其係位於該聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43之頂部上，作為一圓形光入口並用於遮蔽該聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43及該玻璃盤3之其他表面部分及側部分。在該通孔晶圓1上，該玻璃盤3與該透鏡盤4係以此順序對齊並係藉由該樹脂黏著層2、透鏡黏著層51與52及類似者而頂部與底部黏著。藉由切割一晶圓級之一感測器晶圓模組(其中將該通孔晶圓1、該樹脂黏著層2、該玻璃盤3、該聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43及該等透鏡黏著層51與52黏著在一起)，且隨後將該遮光構件6從頂部附接於該感測器晶圓模組，來一次性地個別製造依據具體實施例1之感測器模組10。
該感測器晶圓模組係配置有在一感測器晶圓1A的前表面側(其在切割之前具備該複數個通孔晶圓1)上在一矩陣中之複數個影像捕獲元件11(針對每一影像捕獲元件而提供組成複數個像素的複數個光接收部分)。該通孔晶圓1之厚度範圍係從100至200 μm。如圖2所示，提供從該通孔晶圓1之背表面穿透至在一墊體13下方的前表面之複數個通孔12。該通孔12之側壁及背表面側係覆蓋有一絕緣膜14，經由該通孔12將一線路層15(其具有與該墊體13之一接點)形成至該背表面。在該線路層15及該通孔1之背表面上形成一阻焊膜16。對於在該線路層15上形成一焊球之部分，該阻焊膜16係開放而該焊球係以一曝露於外側之方式形成。可藉由用於一般半導體程序之一技術，例如微影蝕刻、蝕刻、鍍金、CVD方法，來形成每一層。繼切割該晶圓後，將一感測器基板(作為一電子元件晶片部之感測器晶片部)組態為該通孔晶圓1，即具有一元件區域之感測器基板。
藉由一般微影蝕刻技術將該樹脂黏著層2形成於該通孔晶圓1上之一預定位置上，並將該玻璃盤3黏著於該樹脂黏著層2上。不限於此，該樹脂黏著層2可以係藉由除該微影蝕刻技術外之一網版印刷方法或分配方法來形成。該樹脂黏著層2具有在該玻璃盤3所固定之側上的一表面之一部分上形成之一淺溝槽21(空氣通道)，如圖3及圖4所示。可在形成該樹脂黏著層2之同時藉由該微影蝕刻技術來形成該溝槽21。該樹脂之厚度範圍係約從30μm至300μm，而該溝槽21之深度範圍係約從3μm至20μm。該溝槽21係用於防止在一半導體之表面受該玻璃盤3覆蓋時在一內部空間22中形成冷凝，而密封一感測器區域之內部空間22，在其中提供在該通孔晶圓1上用作一電子元件之影像捕獲元件11。該溝槽21亦在該溝槽之中間具有一累積空間區域23(儲存空間區域)之一結構，以至於在將感測器晶圓模組切塊成各模組時切割水、漿料及類似物將難以進入該感測器區域之內部空間22並黏著於一感測器之表面。用於在一半密封狀態中形成該空間區域22及23之溝槽21(空氣通道)係形成為一直線、一S形狀、一曲徑形狀(在此，該溝槽係一對角直線)或者其任一組合，以便提供一特定距離。
另外，該樹脂黏著層2不僅具有形成於其中用以將在該複數個影像捕獲元件11的每一者上方之空間區域22連接至該外側之一溝槽21，而且具有形成於其中之一溝槽21用以經由藉由該溝槽21連接的另一空間區域23來連接該空間區域22與該外側。此外，該樹脂黏著層2係定位用於每一影像捕獲元件11，且還係定位於除該影像捕獲元件11之區域以外之一區域以及除介於相鄰影像捕獲元件11之間的一切塊區域以外之一區域中。不限於該樹脂黏著層2之溝槽21，可提供另一空氣通道。或者，該組態可具備一可與該內側連接之材料(具有一粗糙材料顆粒之材料或其水可在該外側與該內側之間穿過的材料)。
該透鏡盤4係一透明樹脂透鏡盤。例如，如圖5所示，該聚焦透鏡41經組態具有一中心部分44(其係具有一透鏡功能之一透鏡區域)與一周圍部分45(其係具有一間隔件功能之一間隔件部分)。整個透鏡盤係由相同的樹脂材料形成。如圖6所示，用於形成該聚焦透鏡41之方法包括：將一透鏡樹脂材料4a插入於一上部模製圖案46與一下部模製圖案47之間，準確地控制該等模製圖案之間的距離以便形成一預定厚度，藉由一方法(例如紫外線(UV)固化及熱固化)來切割該透鏡樹脂，以及進一步實行一熱處理來減輕內部壓力並穩定該透鏡形狀。因此，可將該等樹脂聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43形成為具有一預定透鏡形狀及一預定透鏡厚度。
該上部模製圖案46及下部模製圖案47可以係玻璃或金屬。依據具體實施例1之結構係形成為具有黏著在一起的聚焦透鏡41、擴散透鏡42及像差校正透鏡43。為黏著該等 透鏡盤，使用該等黏著構件51及52。該等黏著構件51及52可具有一遮光功能。
形成為具有複數個光學元件的透鏡盤4係由一像差校正透鏡43、擴散透鏡42及一聚焦透鏡41(當提供僅一透鏡時，其係一聚焦透鏡)構成。該聚焦透鏡41具備在該中心部分44中之一透鏡區域，而一周圍部分45係提供於該透鏡區域之周圍側上，該周圍部分45用作具有一預定厚度之一間隔件部。針對該透鏡盤4的個別周圍側提供之具有一預定厚度的間隔件部係以此順序從該下部側層壓。該等間隔件部具有一位置決定功能，而該位置決定功能係藉由具有一錐形或一對齊標記之一凹陷部分與一凸出部分組成。該黏著層51及/或黏著層52(其黏著包括三個透鏡之透鏡盤4)亦可具有一遮光功能。該等黏著層51及52可包括決定一空間之一固體主體。
在此，將說明用於製造一感測器模組10之一方法來製造具有上述結構之感測器模組10。
用於製造該感測器模組10之方法包括：一形成步驟，其在具有該複數個影像捕獲元件11之該感測器晶圓1A的每一影像捕獲元件11之周圍上形成該樹脂黏著層2並進一步將該玻璃盤3(其係一罩蓋玻璃)黏著於該樹脂黏著層2上(圖7)；一拋光步驟，其將該感測器晶圓1A之背側拋光為一薄層以至於形成具有一預定厚度之一薄感測器晶圓1A'(圖8)；一形成步驟，其藉由使用一光阻膜12a作為一遮罩進行蝕刻，來針對每一感測器晶片部(經切割的通孔晶圓1)形成從該感測器晶圓1A的背表面穿透至在該表面上的墊體13之背部的複數個通孔12(圖9及圖10)；一提供步驟，其在該感測器晶圓1A'之背表面上提供一絕緣膜12b(圖11)，在該絕緣膜12b上形成一金屬線路材料12c之一膜，以及在感測器晶圓1A'之背表面上形成取道該墊體13至該通孔12之一金屬線路12d(圖12及圖13)；一形成步驟，其在該線路層15(其係該金屬線路12d)上以及在該晶圓之背表面上形成該阻焊膜16並開啟一部分用於形成該阻焊膜16之一焊球(圖14)；一形成步驟，其在該線路層15上形成一焊球17(圖15)；一黏著步驟，其使用在該等透鏡區域之周圍側上的間隔件部將組成一或複數個樹脂透鏡之透鏡盤4黏著於該玻璃盤3之表面上；一切割步驟，其針對一或複數個感測器晶片部(通孔晶圓1)而一次性切割層壓的感測器晶圓1A'、玻璃盤3及透鏡盤4；以及一形成步驟，其在至少一切割部上形成該遮光構件6(圖1)。
在此，說明將始於製造一由薄片形成的透鏡陣列盤，該透鏡陣列盤係藉由將在該透鏡區域之周圍側上具有一間隔件部(邊緣部)之複數個透鏡耦合於一陣列中來形成，直至製造用於每一晶片之感測器模組10，其中將該說明內容詳細分成(1)至(5)之步驟。
(1)形成Ni打印機之步驟(步驟S1)
首先，作為用於製造一打印機之一原始圖案的一方法，在一玻璃或金屬盤上精確地切割與處理複數個圖案。
在一打印機原始圖案48f上實行採用鎳(Ni)材料48g之電鍍，並藉由電鑄來轉移該打印機原始圖案48f之表面。形成一Ni打印機48g'(透鏡形狀)，作為具有精細脫模之一金屬透鏡圖案。為作檢查而測量該打印機之基本部分之尺寸，並實行一模擬來防止在該尺寸方面之低劣功能，並向該打印機形成步驟發出回授。
(2)形成一透鏡陣列盤之步驟(步驟S2)
接下來，如圖16所示，將該打印機48g'用作一下部圖案打印機48a，而將一透鏡樹脂材料48h施加於該下部圖案打印機48g'。矽石(奈米矽石)係包括於該透鏡樹脂材料48h中作為一填充劑而透射率不會劣化以便保持該透鏡形狀。使用一雙側按壓設備(未顯示)，一上部圖案打印機48j(其係採取與該下部圖案打印機48g'類似之一方式製造)固持施加於該下部圖案打印機48g'之透鏡樹脂材料48h以便高精度地控制該透鏡膜之厚度。另外，使用該雙側按壓設備，將該上部圖案打印機48j與該下部圖案打印機48g'彼此分離以便將一透鏡陣列盤48k脫模並將其移除，其包括耦合的樹脂透鏡。對所移除的透鏡陣列48k實行熱退火以軟化該內部應力，並形成一透鏡陣列盤48k。為檢查而測量該透鏡陣列盤48k之基本部分之尺寸，並基於關於該透鏡陣列盤48k的收縮量之資料來實行用於測量之一模擬以防止在該尺寸方面的低劣功能(例如，收縮)。接著，向一光學設計系統發出回授以用於形成一主模之步驟，從而使得一主模48a之設計及尺寸可以係可校正的。
(3)形成一透鏡陣列盤之步驟(步驟S3)
另外，如圖17所示，與僅由經模製透鏡樹脂製成的複數個透鏡整合之複數個類型的透鏡陣列，即該透鏡陣列盤48k與一透鏡陣列盤48m係彼此對齊並黏著。在此，一固體矽石及/或間隔件球48i(其用作一間隔件)實行均勻保持一黏著層48n之樹脂空間。
(4)構造步驟(步驟S4)
藉由黏著複數個類型的透鏡陣列盤(藉由以一薄片形式連接具有邊緣部的複數個透鏡來形成之一板)，例如該透鏡陣列盤48k與該透鏡陣列盤48m，來形成一組合的透鏡構件，並以一方式所組合的透鏡構件對齊並黏著於該玻璃盤3上以對應於該等影像捕獲元件11之每一中心。結果，形成一晶圓級之電子元件晶圓模組。
在此，藉由網版印刷預先將該黏著樹脂層2黏著於該玻璃盤3之一預定位置上。此外，藉由輸送在該玻璃盤3上的組合的透鏡構件之一輸送器並採用一預定對齊標記作為一參考來精確地決定在該玻璃盤3上的組合的透鏡構件之X與Y方向上之定位，並可將組合的透鏡構件配備於該玻璃盤3上。
(5)切割步驟(步驟S5)
藉由一導線或雷射照射將組成該通孔晶圓1(感測器晶圓1A)之矽、該玻璃盤3之玻璃材料及組合的透鏡構件之透鏡樹脂材料(其皆係層壓並整合為一晶圓級之一電子元件晶圓模組)一起全部切割。
依據具有上述結構之具體實施例1，不再需要傳統裝載基板、基底基板或間隔件。因此，減少用於其製造之工時及用於安裝該等元件及插入該間隔件之工時。另外，可減小每一模組之高度並可提供精細的精度及品質。
(具體實施例2)
圖18係解說本發明之具體實施例2之一電子資訊裝置之一範例性概略結構的一方塊圖，其使用在一影像捕獲部中包括依據本發明之具體實施例1的感測器模組之一固態影像捕獲設備。
在圖18中，依據本發明之具體實施例2之電子資訊裝置90包括：一固態影像捕獲設備91，其用於對來自依據具體實施例1之感測器模組10之一影像捕獲信號實行各種信號處理以便獲得一彩色影像信號；一記憶體部92(例如，一記錄媒體)，其用於在對來自該固態影像捕獲設備91之一彩色影像信號實行一預定信號處理以作記錄後對該影像信號進行資料記錄；一顯示部93(例如，一彩色液晶顯示設備)，其用於在對來自該固態影像捕獲設備91之彩色影像信號實行預定信號處理以作顯示後將該彩色影像信號信號顯示於一顯示螢幕(例如，液晶顯示螢幕)上；一通信部94(例如，一發送與接收裝置)，其用於在對來自該固態影像捕獲設備91之彩色影像信號實行預定信號處理以作通信後傳達該影像信號；以及一影像輸出設備95，其用於在實行預定信號處理以作印刷後印刷來自該固態影像捕獲設備91之彩色影像信號。因此，依據具體實施例2之電子資訊裝置90可包括所有記憶體部92、顯示部93、通信部94及影像輸出設備95。不限於此，該電子資訊裝置可包括此等部之至少任何部。
作為該電子資訊裝置90，可構思一具有諸如以下之一影像輸入裝置的電子資訊裝置：數位相機(例如，數位視訊相機及數位靜態相機)、一影像輸入相機(例如，一監視相機、一門鈴對講機相機、配備於一車輛中之一相機及一電視相機)、一掃描器、一傳真機及一配備相機的行動電話裝置。
因此，依據本發明之具體實施例2，來自該固態影像捕獲設備91之彩色影像信號可以係：藉由該顯示部93精細地顯示於一顯示螢幕上；使用一影像輸出設備95在一紙張上印出；藉由該通信部94經由一導線或一無線電作為通信資料來精細地傳達；藉由實行預定的資料壓縮處理在該記憶體部92處精細地儲存；並可精細地實行各種資料處理。
此外，不限於上述依據具體實施例2之電子資訊裝置90，該電子資訊裝置可以係(例如)在一資訊記錄及重現部中使用本發明之電子元件模組之一拾取設備。在此一情況下，該拾取設備之一光學元件係用於筆直地推進及發射輸出光並用於以一預定方向彎曲與導引入射光之一光學功能元件(例如，一全像光學元件)。此外，該拾取設備之一電子元件具有用於產生出射光之一發射元件(例如，半導體雷射元件或雷射晶片)以及用於接收入射光之一光接收元件(例如，光IC)。
儘管上述具體實施例1中未說明，但可在該玻璃盤3之表面上提供IR(紅外線)塗層或AR(抗反射)塗層而用作一透明覆蓋構件。一IR塗層膜係反射紅外線之一塗層膜。一AR塗層膜係一反射防止膜。
如上所述，藉由使用本發明之較佳具體實施例1至2來例示本發明。但是，不應單獨依據上述具體實施例1至2來解譯本發明。應瞭解，應單獨依據申請專利範圍來解譯本發明之範疇。還應瞭解，熟習此項技術者能依據本發明之說明，以及從本發明之詳細較佳具體實施例1至2的說明中得到的一般常識，來實施等效的技術範疇。此外，應瞭解，在本說明書中引用之任何專利、任何專利申請案及任何參考文獻，將在本說明書中以如本文明確說明該等內容之相同方式以引用方式併入。
 業界適用性
本發明可應用於電子元件晶圓模組、電子晶圓模組、感測器晶圓模組、感測器模組及感測器模組之製造方法、透鏡陣列盤、及電子資訊裝置之領域。該電子元件晶圓模組係藉由以下方式來形成：將用於聚焦入射光之複數個透鏡與一影像捕獲元件模組化(整合)，該影像捕獲元件對應於每一透鏡並具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部；或者，藉由將用於筆直地推進出射光並以一預定方向彎曲與導引入射光之複數個光學功能元件與一用於對應於每一光學功能元件並產生出射光之發射元件以及一用於接收入射光之光接收元件模組化(整合)。該電子元件模組係藉由切割該電子元件晶圓模組來製造。該感測器晶圓模組係藉由將具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光的複數個光接收部之影像捕獲元件與一用於將入射光形成為在一影像捕獲元件上之一影像的透鏡模組化(整合)而形成。該感測器模組係藉由切割該感測器晶圓模組來形成。該透鏡陣列盤係用於該感測器模組。該電子資訊裝置包括，例如，數位相機(例如，數位視訊相機與數位靜態相機)、影像輸入相機(例如，一車載相機)、掃描器、傳真機、配備相機的行動電話裝置以及具有作為一影像輸入裝置用於一影像捕獲部的感測器模組之個人數位助理(PDA)，或在一資訊記錄及重現部中使用該電子元件模組之一拾取設備。依據本發明，當一次性製造大量模組時，不像以前一樣使用用於安裝一電子元件之裝載基板、用於裝載一透鏡之基底基板及間隔件。因此，減少用於製造該裝載基板、該基底基板或該間隔件之工時。將不再需要用於將一光學元件安裝於該裝載基板或用於將一透鏡裝載於該基底基板上及安裝一間隔件之設備以及與該設備相關之工時，由此明顯減少用於製造之工時。此外，由於不再需要該裝載基板或基底基板，因此可將每一模組之高度以及進一步將整個透鏡構件之厚度控制為較薄，由此精細地實現該處理之精度及該品質。
此外，不使用一傳統基底基板。替代地，使用一聚焦透鏡，該聚焦透鏡係(例如)藉由一用於樹脂模製一透鏡的樹脂模製技術精確地形成，該透鏡用作一光學元件。因此，在該聚焦透鏡的周圍側上之一間隔件部(邊緣部)可準確地確保一空間。
另外，由於本發明一次性形成一透鏡，因此唯一的問題係每一透鏡之一大小之一變化。因此，在該垂直方向(z方向)上之此精度可能明顯較高。
另外，若一樹脂黏著層係在該電子元件晶圓的複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態(例如，藉由一溝槽形成之一通風孔，以及具有空氣滲透性之黏著樹脂)，而且即使水曾進入該複數個電子元件之空間部分，亦可藉由半密封狀態(例如，藉由一溝槽形成之一通風孔，以及具有空氣滲透性之黏著樹脂)之此空氣通道來控制此類水或防止其形成冷凝，由此保持良好品質。在此一情況下，可以提高該處理之精度及該品質。
另外，不再需要傳統的裝載基板，從而可以在一晶片大小(光學元件大小)中製造該模組，由此使該安裝區域進一步最小化。
熟習此項技術者將會明白並容易作出各種其他修改，而不會脫離本發明之範疇及精神。因此，並不希望隨附申請專利範圍之範疇受本文說明所限制，而應對該等申請專利範圍作廣泛的解釋。
1．．．通孔晶圓
1A、1A'．．．感測器晶圓
2．．．樹脂黏著層
3．．．玻璃盤
4．．．透鏡盤
4a．．．透鏡樹脂材料
6．．．遮光構件
10．．．感測器模組
11．．．影像捕獲元件
12．．．通孔
12a．．．光阻膜
12b．．．絕緣膜
12c．．．金屬線路材料
12d．．．金屬線路
13．．．墊體
14．．．絕緣膜
15．．．線路層(金屬線路12d)
16．．．阻焊膜
17．．．焊球
21．．．溝槽
22．．．內部空間
23．．．空間區域
41．．．聚焦透鏡
42．．．擴散透鏡
43．．．像差校正透鏡
44．．．一透鏡區域之中心部分
45．．．作為一間隔件部之周圍部分
46．．．上部模製圖案
47．．．下部模製圖案
48f．．．打印機原始圖案
48g．．．鎳(Ni)材料
48g'．．．Ni打印機
48h．．．透鏡樹脂材料
48i．．．矽石(固體)及/或間隔件球(間隔件)
48j．．．上部圖案打印機
48k、48m．．．透鏡陣列盤
48n．．．黏著層
51、52．．．透鏡黏著層
90．．．電子資訊裝置
91．．．固態影像捕獲設備
92．．．記憶體部
93．．．顯示部
94．．．通信部
95．．．影像輸出設備
100．．．傳統電子元件模組
101．．．光學電子元件
102．．．裝載基板
103．．．間隔件基板
104．．．光學功能元件
105．．．密封基板
106．．．線路接點
107．．．斜坡表面
200．．．多級透鏡模組
201．．．透鏡
202．．．基底基板
203．．．透鏡
204．．．基底基板
205．．．黏著層
300．．．透鏡模組
301．．．透鏡
302．．．基底基板
303．．．間隔件
304．．．基底基板
305．．．切割位置
圖1係解說依據本發明之具體實施例1之一感測器模組的一範例性基本結構之一縱向斷面圖。
圖2係示意性解說藉由一樹脂黏著層黏著的圖1中之一通孔晶圓與玻璃盤之一範例性基本結構的一縱向斷面圖。
圖3係示意性解說在圖1中的通孔晶圓之一影像捕獲元件之每一表面上定位之一樹脂黏著層的一平面圖。
圖4係沿圖3中該樹脂黏著層的線A-A'之一縱向斷面圖。
圖5係示意性解說圖1中之一透鏡盤之一單元結構的一縱向斷面圖。
圖6係示意性解說在模製一樹脂黏著層之時的一模製圖案之一狀態之一縱向斷面圖。
圖7係解說黏著一玻璃盤之一步驟的一主要部分斷面圖，其中一玻璃盤係藉由一樹脂黏著層黏著於圖2中的通孔晶圓。
圖8係解說將圖2中的通孔晶圓從其背表面拋光之一拋光步驟的一主要部分斷面圖。
圖9係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一通孔之一第一步驟的一主要部分斷面圖。
圖10係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一通孔之一第二步驟的一主要部分斷面圖。
圖11係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一絕緣膜之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖12係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面上層壓一金屬線路材料之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖13係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一金屬線路之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖14係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一阻焊膜之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖15係解說在圖2中的通孔晶圓之背表面中形成一焊球之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖16係解說使用一打印機來製造本發明之一透鏡陣列之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖17係解說黏著圖18中的複數個透鏡陣列盤之一步驟的一主要部分斷面圖。
圖18係解說本發明之具體實施例2之一電子資訊裝置之一範例性概略結構的一方塊圖，其使用在一影像捕獲部中包括依據本發明之具體實施例1的感測器模組之一固態影像捕獲設備。
圖19係示意性解說在美國專利案參考文獻1中揭示之一傳統光學設備的一主要部分斷面圖。
圖20係在美國專利案參考文獻2中揭示之一傳統透鏡晶圓的一斷面結構圖。
圖21係在美國專利案參考文獻3中揭示之一傳統透鏡晶圓的一斷面結構圖。
1．．．通孔晶圓
2．．．樹脂黏著層
3．．．玻璃盤
4．．．透鏡盤
6．．．遮光構件
10．．．感測器模組
11．．．影像捕獲元件
12．．．通孔
41．．．聚焦透鏡
42．．．擴散透鏡
43．．．像差校正透鏡
51．．．透鏡黏著層
52．．．透鏡黏著層

Claims (33)

  1. 一種電子元件晶圓模組，其包含：一電子元件晶圓，其係配置有複數個具有通孔電極之電子元件；一樹脂黏著層，其係形成於在該電子元件晶圓上之一預定區域中；一透明覆蓋構件，其覆蓋該電子元件晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個樹脂光學元件，其係垂直黏著並固定於該透明覆蓋構件上並以一對應於該等個別複數個電子元件之方式整合。
  2. 一種電子元件晶圓模組，其包含：一電子元件晶圓，其係配置有複數個具有一通孔電極之電子元件；一樹脂黏著層，其係在該電子元件晶圓之該複數個電子元件之每一者之周圍上形成為一半密封狀態；一透明覆蓋構件，其覆蓋該電子元件晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個光學元件，其係以一對應於該等個別複數個電子元件之方式裝載以垂直黏著並固定於該透明覆蓋構件上。
  3. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該等複數個光學元件係整合以作組態。
  4. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中藉由在一平面 圖中的中心部分之周圍側上的該等光學元件之間插入的黏著層來層壓該等複數個光學元件。
  5. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中用於黏著該光學元件之該黏著層亦具有一遮光功能。
  6. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中在用於黏著該光學元件之該黏著層中包括一用於決定一空間的固體。
  7. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該光學元件係由一或多個透鏡構成。
  8. 如請求項7之電子元件晶圓模組，其中該透鏡具備在該中心部分之一透鏡區域且具備在該透鏡區域之該周圍側上之一具有一預定厚度的間隔件部。
  9. 如請求項7之電子元件晶圓模組，其中該透鏡係一聚焦透鏡。
  10. 如請求項7之電子元件晶圓模組，其中該透鏡係一像差校正透鏡、擴散透鏡及一聚焦透鏡，而以像差校正透鏡、擴散透鏡及一聚焦透鏡之此順序來層壓一具有一預定厚度且提供於該等透鏡之每一者之該周圍側上的間隔件部。
  11. 如請求項8之電子元件晶圓模組，其中該間隔件部具有一位置決定功能。
  12. 如請求項11之電子元件晶圓模組，其中該間隔件部之該位置決定功能係由具有一錐形或一對齊標記之一凹陷部分與一凸出部分組成。
  13. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該光學元件係 用於筆直地推進出射光並讓入射光彎曲以允許以一預定方向進入之一光學功能元件。
  14. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該樹脂黏著層具有形成為與該等複數個電子元件之每一者上方的該間隔件部分連通至外側之一溝槽。
  15. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該樹脂黏著層具有形成為經由另一空間部分與該外側連通之一溝槽，該另一空間部分藉由一溝槽與在該等複數個電子元件之每一者上方的該空間部分連通。
  16. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該樹脂黏著層係定位用於該等複數個電子元件之每一者且還係定位於除該電子元件之區域以外之一區域以及除介於相鄰電子元件之間的一切塊區域以外之一區域中。
  17. 如請求項14之電子元件晶圓模組，其中該溝槽係形成為在一平面圖中與該樹脂黏著層之一四邊形之一邊緣方向相關的一對角直線、一S形狀或一曲徑形狀。
  18. 如請求項15之電子元件晶圓模組，其中該溝槽係形成為在一平面圖中與該樹脂黏著層之一四邊形之一邊緣方向相關的一對角直線、一S形狀或一曲徑形狀。
  19. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該樹脂黏著層具有可與內側物性連通之一材料組態。
  20. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該透明覆蓋構件係一透明樹脂盤或一玻璃盤。
  21. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該透明覆蓋構 件具備在該表面上之IR(紅外線)塗層或AR(抗反射)塗層。
  22. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該電子元件具有一影像捕獲元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並捕獲該影像光之複數個光接收部。
  23. 如請求項1或2之電子元件晶圓模組，其中該電子元件具有用於產生出射光之一發射元件及用於接收入射光之一光接收元件。
  24. 一種電子元件模組，其從如請求項1或2之電子元件晶圓模組切割成個別或多個群組。
  25. 如請求項24之電子元件模組，其中該電子元件模組之一切割側具有一遮光功能或具備一遮光功能。
  26. 一種感測器晶圓模組，其包含：一感測器晶圓，其係配置有複數個具有通孔電極之感測器晶片部；一樹脂黏著層，其係形成於該感測器晶圓上之一預定區域中；一透明覆蓋構件，其覆蓋該感測器晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個樹脂聚焦透鏡陣列盤，其係垂直黏著並固定於該透明覆蓋構件上並以一對應於該等個別複數個影像捕獲元件之方式裝載，其中該等複數個感測器晶片部之每一者具備一影像捕 獲元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並加以捕獲之複數個光接收部。
  27. 一種感測器晶圓模組，其包含：一感測器晶圓，其係配置有複數個具有通孔電極之感測器晶片部；一樹脂黏著層，其係在該感測器晶圓之該等複數個電子元件之每一者之該周圍形成為一半密封狀態；一透明覆蓋構件，其覆蓋該感測器晶圓且係固定於該樹脂黏著層上；以及複數個聚焦透鏡，其係垂直黏著並固定於該透明覆蓋構件上並以一對應於該個別複數個電子元件之方式裝載，其中該感測器晶片部具備作為該電子元件之一影像捕獲元件，該影像捕獲元件具有用於對來自一物體之影像光實行光電轉換並加以捕獲之複數個光接收部。
  28. 一種感測器模組，其從如請求項26或27之感測器晶圓模組切割成個別或多個群組。
  29. 一種用於製造一感測器模組之方法，其包含以下步驟：在配置有複數個感測器晶片之複數個影像捕獲元件之每一周圍形成一樹脂黏著層；將一罩蓋玻璃黏著於該樹脂黏著層上；讓該感測器晶圓之一背側變薄；針對每一感測器晶片，形成從該感測器晶圓之一背表面穿透至一前表面而到達一墊體之一背表面的複數個通 孔；經由該通孔在該感測器晶圓之該背表面上形成一線路；將複數個樹脂透鏡盤在每一樹脂透鏡盤之一透鏡區域之周圍側上之一間隔件部處垂直黏著於該罩蓋玻璃之該表面上；針對一或多個感測器晶片部一次性切割該感測器晶圓、該罩蓋玻璃及該透鏡；以及在至少一切割部上形成一遮光層。
  30. 一種用於製造一感測器模組之方法，其包含以下步驟：在配置有複數個感測器晶片部之一感測器晶圓之複數個影像捕獲元件之每一周圍形成一半密封狀態之樹脂黏著層；將一罩蓋玻璃黏著於該樹脂黏著層上；讓該感測器晶圓之一背側變薄；針對每一感測器晶片部，形成從該感測器晶圓之一背表面穿透至一前表面而到達一墊體之一背表面的複數個通孔；經由該通孔在該感測器晶圓之該背表面上形成一線路；將複個透鏡盤垂直黏著於該罩蓋玻璃之該表面上；針對一或多個感測器晶片部一次性切割該感測器晶圓、該罩蓋玻璃及該透鏡；以及在至少一切割部上形成一遮光層。
  31. 如請求項29或30之用於製造一感測器模組之方法，其中切割步驟使用雷射或一線鋸。
  32. 一種電子資訊裝置，其使用從如請求項22之電子元件晶圓模組切割之一電子元件模組作為在一影像捕獲部中之一感測器模組。
  33. 一種電子資訊裝置，其在一資訊記錄及重現部中使用從如請求項23之電子元件晶圓模組切割之一電子元件模組。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100867520B1 (ko) * 2007-04-23 2008-11-07 삼성전기주식회사 결상 렌즈 및 그 제조 방법
WO2010091053A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-12 Tessera North America, Inc. Optical imaging apparatus and methods of making the same
JP2011209699A (ja) * 2010-03-10 2011-10-20 Fujifilm Corp ウェハレンズアレイ及びその製造方法
EP2369371A3 (en) * 2010-03-10 2013-05-01 Fujifilm Corporation Wafer lens array and method for manufacturing the same
DE102010014669A1 (de) * 2010-04-12 2011-10-13 Pacific Speed Ltd. Linsenmodulaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2012018993A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Toshiba Corp カメラモジュールおよびその製造方法
US8455984B2 (en) * 2010-11-15 2013-06-04 Nanya Technology Corp. Integrated circuit structure and method of forming the same
GB2485996A (en) * 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev A combined proximity and ambient light sensor
KR101294393B1 (ko) * 2010-12-27 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 유닛, 이를 포함하는 카메라 모듈 및 이의 제조방법
JP5841731B2 (ja) 2011-03-11 2016-01-13 シャープ株式会社 光学素子、光学素子モジュール、電子素子モジュールおよび電子情報機器
WO2013005359A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 パナソニック株式会社 撮像装置
JP6053331B2 (ja) * 2012-05-30 2016-12-27 キヤノン株式会社 画像読取装置および組立方法
US9547231B2 (en) * 2013-06-12 2017-01-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for making photomask assembly and photodetector device having light-collecting optical microstructure
JP6682327B2 (ja) 2016-04-01 2020-04-15 キヤノン株式会社 電子デバイス、その製造方法及びカメラ
US10222555B2 (en) * 2017-01-10 2019-03-05 International Business Machines Corporation Integrated optoelectronic chip and lens array
KR102632442B1 (ko) * 2018-05-09 2024-01-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
JP2020113573A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 キヤノン株式会社 光電変換装置
DE112020001821T5 (de) * 2019-04-08 2021-12-23 Ams Ag Optischer sensor mit integriertem diffusor
US11063083B2 (en) 2019-10-11 2021-07-13 Omnivision Technologies, Inc. Light-shielded cameras and methods of manufacture

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575087A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
TW200522343A (en) * 2003-11-12 2005-07-01 Konica Minolta Opto Inc Image pickup apparatus and portable terminal with image pickup apparatus
JP2005322809A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Sharp Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び光学装置用モジュール
TW200609099A (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Asahi Rubber Inc Method for manufacturing resin lens for semiconductor optical element
JP2007129164A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Sharp Corp 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5060526A (en) * 1989-05-30 1991-10-29 Schlumberger Industries, Inc. Laminated semiconductor sensor with vibrating element
US5536455A (en) * 1994-01-03 1996-07-16 Omron Corporation Method of manufacturing lens array
US6096155A (en) 1996-09-27 2000-08-01 Digital Optics Corporation Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
JP3454497B2 (ja) * 1997-07-15 2003-10-06 キヤノン株式会社 投影露光方法および装置
US6129613A (en) * 1998-01-30 2000-10-10 Philips Electronics North America Corp. Semiconductor manufacturing apparatus and method for measuring in-situ pressure across a wafer
US6049430A (en) 1998-11-12 2000-04-11 Seagate Technology High numerical aperture objective lens manufacturable in wafer form
JP4131891B2 (ja) * 1999-09-03 2008-08-13 ローム株式会社 レンズアレイ、およびレンズアレイの製造方法
DE10003575A1 (de) * 2000-01-27 2001-08-02 Behr Gmbh & Co Bauteil für ein Kraftfahrzeug
US7224856B2 (en) 2001-10-23 2007-05-29 Digital Optics Corporation Wafer based optical chassis and associated methods
US6812725B2 (en) * 2002-02-27 2004-11-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor processing apparatus and wafer sensor module
JP4175607B2 (ja) 2002-03-26 2008-11-05 フジノン株式会社 複数のガラス光学素子を備えた光学部品及びその製造方法
US6900509B2 (en) * 2003-09-19 2005-05-31 Agilent Technologies, Inc. Optical receiver package
KR100539259B1 (ko) 2004-04-26 2005-12-27 삼성전자주식회사 자동으로 정렬되는 렌즈를 포함하는 이미지 센서 모듈, 그제조방법 및 렌즈의 자동 초점 조절방법
KR20080047002A (ko) * 2006-11-24 2008-05-28 엘지이노텍 주식회사 카메라모듈의 렌즈 어셈블리 및 그 제작 방법
KR101378418B1 (ko) * 2007-11-01 2014-03-27 삼성전자주식회사 이미지센서 모듈 및 그 제조방법
JP5175620B2 (ja) * 2008-05-29 2013-04-03 シャープ株式会社 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575087A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
TW200522343A (en) * 2003-11-12 2005-07-01 Konica Minolta Opto Inc Image pickup apparatus and portable terminal with image pickup apparatus
JP2005322809A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Sharp Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び光学装置用モジュール
TW200609099A (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Asahi Rubber Inc Method for manufacturing resin lens for semiconductor optical element
JP2007129164A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Sharp Corp 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体

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Publication number Publication date
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