JP5175620B2 - 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 - Google Patents
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Description
該光学フィルタは、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って取り除かれており、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体としているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
図1は、本発明の実施形態1に係る電子素子ウェハモジュールの構成例を示す要部縦断面図である。
図8は、本発明の実施形態2に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。
図9は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態1のセンサモジュール11または11Aや本発明の実施形態2のセンサモジュール50のいずれかを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
11,11A センサモジュール
2 半導体基板
21 固体撮像素子
22 電極パッド
23 貫通孔
24 配線
25 外部接続端子
3 スペーサー
4 カバーガラス4(ガラス基板)
5 赤外線カットフィルタ基板
5a 赤外線カットフィルタ層
6 接着剤
7 光学ローパスフィルタ基板
7a 光学ローパスフィルタ層
A、A’ アライメントマーク
D ダイシングライン
Da 中心線
H 光学フィルタ層の除去領域
50 センサモジュール
51 貫通ウエハ
51a 撮像素子(電子素子)
51b 貫通孔(貫通電極)
52 樹脂接着層
531 ガラス板
532 赤外線カットフィルタ基板
533 光学ローパスフィルタ基板
54、541〜543 レンズ板
551、552 レンズ接着層
56 遮光部材
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
Claims (20)
- 複数の電子素子が形成された電子素子ウエハ上に、該複数の電子素子上をそれぞれ覆って保護する透光性支持基板が接合され、該透光性支持基板の少なくとも一方面に、該電子素子に対応して光学フィルタが形成されており、
該光学フィルタは、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って取り除かれており、
該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体としている電子素子ウエハモジュール。 - 前記ダイシングラインの一部は、ダイシングラインに沿った格子状の一つ置きかまたは二つ置きである請求項1に記載の電子素子ウエハモジュール。
- 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項1に記載の電子素子ウェハモジュール。
- 前記光学フィルタとして、光学ローパスフィルタが形成されている請求項1に記載の電子素子ウエハモジュール。
- 前記光学フィルタは、板状、シート状、フィルム状および層状のうちの少なくともいずれかに形成されている請求項1に記載の電子素子ウエハモジュール。
- 前記透光性支持基板は、ガラス、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂および/またはそれらの組み合わせによって構成されている請求項1に記載の電子素子ウェハモジュール。
- 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項1に記載の電子素子ウェハモジュール。
- 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項1に記載の電子素子ウェハモジュール。
- 前記電子素子ウエハは、前記電子素子毎に表面に設けられた配線部またはパッド部が貫通電極を経由して裏面側の外部接続端子に電気的に接続されている請求項1に記載の電子素子ウェハモジュール。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、
透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程と、該複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該ダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除いた透明支持基板とを接合する基板接合工程とを有し、
該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とする電子素子ウエハモジュールの製造方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、
透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該光学フィルタを形成した透明支持基板とを接合する基板接合工程と、反りを軽減するべく、該複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程とを有し、
該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とする電子素子ウエハモジュールの製造方法。 - 前記光学フィルタ形成工程は、前記光学フィルタとして、前記透明支持基板の少なくとも一方の面に、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタを形成する請求項10または11に記載の電子素子ウエハモジュールの製造方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の電子素子ウェハモジュールから、前記電子素子ウエハと前記光学フィルタを形成した透光性支持基板とを前記電子素子毎にダイシングラインの中心線に沿って裁断することにより個片化された電子素子モジュール。
- 請求項13に記載の電子素子モジュールと、該電子素子モジュールの電子素子上に配置された光学系または、該光学系が組み込まれた光学ユニットとを有する電子素子モジュール。
- 前記電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である請求項13または14に記載の電子素子モジュール。
- 前記電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している請求項13または14に記載の電子素子モジュール。
- 前記光学系がレンズモジュールであり、前記電子素子が撮像素子である請求項14に記載の電子素子モジュール。
- 前記光学系がプリズムモジュールおよびホログラム素子モジュールのいずれかであり、前記電子素子が発光素子および受光素子である請求項14に記載の電子素子モジュール。
- 請求項15に記載の電子素子モジュールをセンサモジュールとして撮像部に用いた電子情報機器。
- 請求項16に記載の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いた電子情報機器。
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US3760181A (en) * | 1972-03-03 | 1973-09-18 | Us Army | Universal viewer for far infrared |
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JP2000241606A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Canon Inc | 平板型マイクロレンズ、平板型レンズ、液晶表示装置、光学系および投射型表示装置 |
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JP2003084125A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶表示装置の製造方法及び製造装置、el発光層配設基板の製造方法及び製造装置、el発光装置の製造方法及び製造装置、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003279726A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Kinseki Ltd | 赤外線カットフィルタ付き光学ローパスフィルタ |
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2005072978A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
AU2003263417A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package |
WO2004041969A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Albemarle Netherlands B.V. | Fischer-tropsch process using a fischer-tropsch catalyst and zeolite y |
JP2004312666A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2005019573A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
EP1981084A3 (en) * | 2003-12-18 | 2009-02-18 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device and light-receiving chip |
JP2005234038A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Seiko Epson Corp | 誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法並びに固体撮像デバイス |
JP2006032886A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール |
JP2006100763A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法及び接合装置 |
JP4428526B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-03-10 | パナソニック株式会社 | 光学デバイス |
US7456384B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-11-25 | Sony Corporation | Method and apparatus for acquiring physical information, method for manufacturing semiconductor device including array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, light-receiving device and manufacturing method therefor, and solid-state imaging device and manufacturing method therefor |
JP2006228837A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP4704792B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2011-06-22 | シャープ株式会社 | 薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置 |
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KR100809682B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법 |
US7288757B2 (en) * | 2005-09-01 | 2007-10-30 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements |
JP2007188909A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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US7773300B2 (en) * | 2006-05-12 | 2010-08-10 | Semrock, Inc. | Multiphoton fluorescence filters |
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US8013350B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
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