JP5175620B2 - 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 - Google Patents

電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 Download PDF

Info

Publication number
JP5175620B2
JP5175620B2 JP2008141707A JP2008141707A JP5175620B2 JP 5175620 B2 JP5175620 B2 JP 5175620B2 JP 2008141707 A JP2008141707 A JP 2008141707A JP 2008141707 A JP2008141707 A JP 2008141707A JP 5175620 B2 JP5175620 B2 JP 5175620B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic element
optical filter
electronic
module
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008141707A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009290031A (ja
Inventor
徹 井田
栄一 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008141707A priority Critical patent/JP5175620B2/ja
Priority to TW098115457A priority patent/TWI394269B/zh
Priority to CN2009101418521A priority patent/CN101593762B/zh
Priority to US12/455,169 priority patent/US8390003B2/en
Publication of JP2009290031A publication Critical patent/JP2009290031A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5175620B2 publication Critical patent/JP5175620B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02377—Fan-in arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05541—Structure
    • H01L2224/05548—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本発明は、複数の電子素子上を保護するカバーガラスに光学フィルタ層が設けられた電子素子ウェハモジュール、この電子素子ウェハモジュールの製造方法、この電子素子ウェハモジュールを電子素子毎に個片化した電子素子モジュール、その上に光学素子が更に接合された電子素子モジュール、これらの電子素子モジュールのいずれかを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
従来より、この種の電子素子モジュールとしてのセンサモジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いたデジタルカメラやビデオカメラが普及している。
現在、主に用いられているセンサモジュールは、例えば、シリコン製の半導体基板上に固体撮像素子が設けられた固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップを収納するセラミック製のパッケージと、このパッケージを封止する透明なカバーガラスとからなっている。このパッケージに収納された固体撮像素子チップは、固体撮像素子チップ上に設けられた電極パッドとパッケージの接続端子との間がワイヤーボンディングによって電気的に接続され、パッケージの外部接続端子が実装基板上に実装されることによって実装基板上の回路に接続されている。
また、携帯電話装置や電子手帳などの小型電子情報機器に電子素子として固体撮像素子を組み込んで、撮影機能を付加することも行なわれている。このような小型電子情報機器への撮影機能の組み込みを容易にするために、固体撮像素子と撮像光学系が組み込まれた光学ユニットと、制御回路が設けられた実装基板とを予め組み立て、ユニット化したカメラモジュールが提供されている。
特許文献１では、画質向上のために、赤外線カットフィルタおよび光学ローパスフィルタが組み込まれた従来のカメラモジュールが開示されている。この従来のカメラモジュールを図１０に示している。
図１０は、特許文献１に開示されている従来のカメラモジュールの一例を模式的に示す要部縦断面図である。
図１０において、従来の固体撮像装置１００は、半導体基板１０１（半導体ウェハ）上に複数の固体撮像素子１０２が設けられた固体撮像素子チップ１０３と、この固体撮像素子チップ１０３の固体撮像素子１０２側の表面に、各固体撮像素子１０２の形成領域をそれぞれ囲む枠部１０４と、各枠部１０４上に設けられ、各固体撮像素子１０２上を密閉する透明支持基板としてのカバーガラス１０５と、このカバーガラス１０５の上面に、画質向上のために接合された赤外線カットフィルタ基板１０６と、この赤外線カットフィルタ基板１０６上に接合された光学ローパスフィルタ基板１０７とを有している。
これらの赤外線カットフィルタ基板１０６および光学ローパスフィルタ基板１０７は、固体撮像素子１０２上を覆うように配置される。通常の赤外線カットフィルタの材質は、チタン酸化膜またはタンタル酸化膜と酸化シリコン膜との積層構造である。
一方、特許文献２には、赤外線カットフィルタ材料としてニオブ酸化膜（Ｎｂ２Ｏ５）が開示されている。
特開２００６−３２８８６号公報 特開２００６−３５１６１５号公報
上記従来の構成では、赤外線カットフィルタ基板１０６および光学ローパスフィルタ基板１０７が接合されたカバーガラス１０５と、複数の固体撮像素子１０２が設けられた半導体ウェハである半導体基板１０１とを貼り合わせた場合に、外線カットフィルタ基板１０６および光学ローパスフィルタ基板１０７が接合されたカバーガラス１０５と半導体基板１０１との積層構造体が反るという問題を有していた。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、電子素子ウェハである半導体基板と、赤外線カットフィルタなどの光学フィルタが接合されたカバーガラスとを貼り合わせた場合の反りを低減することができる電子素子ウェハモジュール、この電子素子ウェハモジュールの製造方法、この電子素子ウェハモジュールを電子素子毎に個片化した電子素子モジュール、その上に光学素子が更に接合された電子素子モジュール、これらの電子素子モジュールのいずれかを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
本発明の電子素子ウエハモジュールは、複数の電子素子が形成された電子素子ウエハ上に、該複数の電子素子上をそれぞれ覆って保護する透光性支持基板が接合され、該透光性支持基板の少なくとも一方面に、該電子素子に対応して光学フィルタが形成されており、
該光学フィルタは、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って取り除かれており、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体としているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールにおけるダイシングラインの一部は、ダイシングラインに沿った格子状の一つ置きかまたは二つ置きである。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける光学フィルタは、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける光学フィルタは、赤外線カットフィルタおよび光学ローパスフィルタのうちの少なくともいずれかである。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける光学フィルタは、板状、シート状、フィルム状および層状のうちの少なくともいずれかに形成されている。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける透光性支持基板は、ガラス、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂および／またはそれらの組み合わせによって構成されている。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける光学フィルタは、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける光学フィルタは、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールにおける電子素子ウエハは、前記電子素子毎に表面に設けられた配線部またはパッド部が貫通電極を経由して裏面側の外部接続端子に電気的に接続されている。
本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法は、本発明の上記電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程と、該複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該ダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除いた透明支持基板とを接合する基板接合工程とを有し、該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とするものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法は、本発明の上記機電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該光学フィルタを形成した透明支持基板とを接合する基板接合工程と、反りを軽減するべく、該複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程とを有し、該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とするものであり、そのことにより上記目的が達成される。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウェハモジュールの製造方法における光学フィルタ形成工程は、前記光学フィルタとして、前記透明支持基板の少なくとも一方の面に、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタを形成する。
本発明の電子素子モジュールは、本発明の上記電子素子ウェハモジュールから、前記半導体ウエハと前記光学フィルタを形成した透光性支持基板とを前記電子素子毎にダイシングラインの中心線に沿って裁断することにより個片化されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の上記電子素子モジュールと、該電子素子モジュールの電子素子上に配置された光学系または、該光学系が組み込まれた光学ユニットとを有する。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける光学系がレンズモジュールであり、前記電子素子が撮像素子である。
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける光学系がプリズムモジュールおよびホログラム素子モジュールのいずれかであり、前記電子素子が発光素子および受光素子である。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子モジュールをセンサモジュールとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
本発明においては、透光性支持基板に接合される光学フィルタは、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部（格子状）に沿って取り除かれている。また、透光性支持基板に接合される光学フィルタは、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から薄膜に構成した赤外線カットフィルタである。さらに、電子素子ウエハの反りを、この反りを軽減するべく、光学フィルタが形成された透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で互いに反りを緩和するべく、透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体する。
このように、光学フィルタを、ダイシングラインの一部または全部に沿って分断して反りの応力を緩和したり、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜を用いて光学フィルタの厚さを半減して反りの応力を半減させたり、透光性支持基板と、その反りとは逆方向の半導体ウェハとを接合させて互いに反りの応力を相殺させたりして、電子素子ウェハと、赤外線カットフィルタなどの光学フィルタが接合された透光性支持基板とを貼り合わせた場合の反りを、より低減することが可能となる。
以上により、本発明によれば、光学フィルタを、ダイシングラインの一部または全部（格子状）に沿って分断して反りの応力を緩和したり、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜を用いて光学フィルタの厚さを半減して反りの応力を半減させたり、透光性支持基板と、その反りとは逆方向の半導体ウェハとを接合させて互いに反りの応力を相殺させたりしているため、電子素子ウェハと、赤外線カットフィルタなどの光学フィルタが接合された透光性支持基板とを貼り合わせた場合の反りを、より低減することができる。
以下に、本発明の電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、この電子素子ウェハモジュールから個片化された電子素子モジュールとしてのセンサモジュールの一例を実施形態１とし、このセンサモジュール上に更に光学素子を接合した電子素子モジュールとしてのセンサモジュールの一例を実施形態２とし、これらのセンサモジュールのいずれかを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の一例を実施形態３として、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る電子素子ウェハモジュールの構成例を示す要部縦断面図である。
図１において、本実施形態例１の電子素子ウェハモジュール１は、上面に電子素子としての固体撮像素子２１が複数形成された半導体基板２と、この固体撮像素子２１毎の周囲を取り囲むように半導体基板２上に取り付けられた枠形状のスペーサー３と、このスペーサー３の上に接合されて固体撮像素子２１上を覆って封止するための透明支持基板としてのカバーガラス４（ガラス基板）と、このカバーガラス４の上に貼り付けられて光学フィルタ基板を形成する赤外線カットフィルタ基板５とを有している。
半導体基板２は、矩形状でチップ状に個片化されて分割される前のシリコン製の半導体ウエハであり、複数の固体撮像素子２１がマトリクス状に形成されている。この固体撮像素子２１はそれぞれ、例えばマトリクス状に配列され、被写体光（入射光）を光電変換する多数個の受光素子（複数の受光部）と、これらの受光素子に蓄積された信号電荷を垂直方向さらに水平方向に電荷転送する電荷結合素子（ＣＣＤ）とを有している。複数の受光素子上には、それぞれ、ＲＧＢのカラーフイルタさらにその上に集光用のマイクロレンズが積層されて設けられている。なお、この固体撮像素子２１としては、このＣＣＤイメージセンサに代えて、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサを用いることもできる。電子素子としての固体撮像素子２１の周辺部に配線部または端子部として電極パッド２２が配設され、この電極パッド２２が、貫通孔２３を通して裏面の配線２４に接続され、この裏面の配線２４が外部接続端子２５に接続されている。この外部接続端子２５はそれぞれ、固体撮像素子２１毎の周辺部分に複数個設けられている。
スペーサー３は、固体撮像素子２１毎に、中央素子領域に正方形または矩形状の開口部３１が形成されたロ字形状であり、固体撮像素子２１の外周部に中央素子領域を取り囲むように半導体基板２の上面に接合している。このスペーサー３は、例えば、シリコンなどの無機材料で形成されている。このスペーサー３によって、表面側の固体撮像素子２１上とカバーガラス４の下面との間に密閉空間が形成され、表面側の固体撮像素子２１のマイクロレンズがカバーガラス４の下面と物理的に干渉するのを防いでいる。
カバーガラス４は、スペーサー３の開口部３１上を塞ぐようにスペーサー３の上面に接合されている。カバーガラス４には、固体撮像素子２１の各受光素子（各受光部）がα線によって破壊されるのを防止するために、α線の放出が少ない低α線ガラスが用いられている。
赤外線カットフィルタ基板５は、センサモジュール２の撮像画質を向上させるために設けられている。この赤外線カットフィルタ基板２５は、特定波長域の赤外線をカットして赤外光によるゴーストやかぶりを防止するためのものである。
上記構成により、以下、その動作について説明する。
以下、電子素子ウェハモジュール１の製造方法としてのセンサウェハモジュールの製造方法、さらに、センサウェハモジュールから一括切断する電子素子モジュールとしてのセンサモジュールの製造方法について、図２（ａ）〜図２（ｆ）の各工程断面図を参照しながら詳細に説明する。
図２（ａ）〜図２（ｆ）は、図１の電子素子ウェハモジュール１を切断してセンサモジュールを製造するセンサモジュールの各製造工程を示す要部縦断面図である。
まず、第１の工程では、カバーガラス４の基材となるガラス基板上への光学フィルタ基板（基板状の他にシート状またはフィルム状でもよい）の形成が行なわれる。図２（ａ）に示すように、光学フィルタ基板の形成は、カバーガラス４の基材となるガラス基板（ガラス基板４として同一番号を用いる）上に、ほぼ同サイズの赤外線カットフィルタ基板５を接着剤６によって接合する。
これらのガラス基板４と赤外線カットフィルタ基板５との接合に使用される接着剤６は、例えば、固化後に透明になるＵＶ接着剤が使用される。この接着剤６は、ガラス基板４の上に均一な厚みで薄く塗布される。ガラス基板４と赤外線カットフィルタ基板５との貼り合せは、間に空気が入り込まないようにするため、例えば真空環境内で行なわれ、貼り合せ後には真空加圧によって両者が密着される。その後、ガラス基板４を通して紫外線を照射することにより接着剤６を固化させ、ガラス基板４と赤外線カットフィルタ基板５とは強固に接合される。
次に、第２の光学フィルタ一部除去工程では，図２（ｂ）に示すように、ガラス基板４の上方に設置した光学フィルタ（赤外線カットフィルタ基板５）について、切断後のセンサモジュール１１として必要な中央部の固体撮像素子領域（撮像領域）を含むまたは覆うように残し、隣接する固体撮像素子２１間のダイシングラインＤの一部または全部に対応した部分（例えば図３の格子状のダイシングラインＤの一部または全部に対応）を除去する。このときの除去手法としては 一般的なフォトリソグラフィとエッチングの作業により実施される。また、その他の除去手法としては 赤外線カットフィルタ基板５をレーザビームやダイシングブレードにより赤外線カットフィルタ基板５だけを格子状に分断してもよい。
続いて、第３のスペーサー形成工程では、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板４の下面側に、各固体撮像素子２１をそれぞれ囲う多数のスペーサー３を形成する。このスペーサー３の形成は、例えば次のような手順によって行なわれる。まず、ガラス基板４の下面側に、シリコン製のスペーサー用ウエハを接着剤によって接合する。次に、そのスペーサー用ウエハの上に、フォトリソグラフィーによってスペーサー３の形状（チップ中央部毎に開口部３１を有する形状）のレジストマスクを形成する。さらに、このマスクで覆われていない部分がプラズマエッチングによって除去されることにより、ガラス基板４上に多数のスペーサー３が形成（各固体撮像素子２１毎にスペーサー３が形成）される。エッチング後のレジストマスクは、アッシングなどによって除去される。
その後、第４の基板接合工程では、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板４と、多数の固体撮像素子２１が形成された半導体ウエハである半導体基板２との接合が行なわれる。この接合には、アライメント貼付け装置が使用される。このアライメント貼付け装置は、ガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２との各オリフラまたはノッチを基準にしつつ、図３（ａ）の格子状のダイシングラインＤを基準にして、半導体基板２側に設けられた図３（ｂ）のような縦横４個の正方形（または矩形）のアライメントマークＡを位置合わせする。この場合、縦横４個の正方形のアライメントマークＡの間に十字状のダイシングラインＤが位置するように、赤外光（接着層も見える）を用いてカメラにより拡大して表示画面上で確認しつつ、ガラス基板４と半導体基板２との両者のＸＹ方向および回転方向の位置調整を行う。さらに、両者を重ね合わせて加圧することにより、ガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２とを正確に接合する。このガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２との接合により、半導体ウエハである半導体基板２上の各固体撮像素子２１は、スペーサー３とガラス基板４とによって覆われて封止されるため、以後の工程によって生じた塵芥が固体撮像素子２１上に付着することはない。
また、第４の基板接合工程において、図４に示すように、赤外線カットフィルタ基板５が接合されたガラス基板４は上に突状に反り、多数の固体撮像素子２１が形成された半導体基板２は下に突状に反るが、これらの互いに逆に反ったガラス基板４と半導体基板２とを接合すると、接合したガラス基板４と半導体基板２の積層体の反りが互いに相殺（材料の線膨張係数の違いを利用して材料を選定する）されて緩和される。このとき、ガラス基板４上の赤外線カットフィルタ基板５は、図３（ａ）のように格子状のダイシングラインＤによって分断されている。これによって、ガラス基板４の材料はＳｉＯ２系であり、赤外線カットフィルタ基板５の材料はニオブ酸化物系（シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜）であって、図５に示すように、線膨張係数に差があっても、赤外線カットフィルタ基板５が格子状に細かく分断されることによってガラス基板４と赤外線カットフィルタ基板５との積層体の反りも緩和されている。これによって、接合したガラス基板４と半導体基板２の積層体の反りも緩和される。
なお、ここでは、ガラス基板４の反りとこれとは逆の半導体基板２の反りとを積層体にすることにより反り緩和とすると共に、これに加えて、格子状のダイシングラインＤによるガラス基板４および赤外線カットフィルタ基板５の積層体の反り緩和を複合化させて、ガラス基板４および赤外線カットフィルタ基板５と、半導体基板２との積層体の反りを軽減する事例であるが、これに限らず、ガラス基板４および赤外線カットフィルタ基板５と、半導体基板２との積層体の反りを軽減できれば、ガラス基板４の反りとこれとは逆の半導体基板２の反りとを積層体にすることによる反り緩和と、格子状のダイシングラインＤによるガラス基板４および赤外線カットフィルタ基板５の積層体の反り緩和とのいずれであってもよい。
さらに、第５の貫通電極・外部接続端子形成工程では、図２（ｅ）に示すように、半導体ウェハである半導体基板２の裏面から表面に貫通して形成された素子への回路接続を行う貫通電極構造およびそれに接続された各外部接続端子２５の形成を実施する。この貫通電極構造およびそれに接続された各外部接続端子２５の形成には 既存のフォトリソグラフィ、エッチングおよびめっき技術が用いられる。これによって、半導体ウエハである半導体基板２と、これに接合されたガラス基板４と、このガラス基板４上に接合された赤外線カットフィルタ基板５との積層構造体の電子素子ウェハモジュール１としてのセンサウェハモジュールが製造される。
その後、第６のダイシング工程では、図２（ｆ）に示すように、半導体ウエハである半導体基板２と、これに接合されたガラス基板４と、このガラス基板４上に接合された赤外線カットフィルタ基板５との積層構造体のセンサウェハモジュールをダイシングラインＤの中心線Ｄａにてダイシングブレードによりダイシングする。接合された基板は、ガラス基板４に保護のためのダイシングテープが貼着されてダイシング装置に固定されてセットされる。このダイシング装置は、基板に冷却水をかけながら、例えば、ダイヤモンド砥粒をレジンで固めたメタルレジン砥石などを使用して、半導体ウエハである半導体基板２、ガラス基板４および赤外線カットフィルタ基板５の積層構造体のセンサウェハモジュールを、各固体撮像素子２１毎にダイシングラインＤで一括して分割する。これによって、電子素子ウェハモジュール１としてのセンサウェハモジュールから切断して、個片化された電子素子モジュールとしてのセンサモジュール１１を製造することができる。
このセンサモジュール１１を８インチサイズの半導体ウエハで製造した場合、１回の製造で２０００個ほどのセンサモジュール１１が同時にセンサウェハモジュールから個片化されて形成される。これら２０００個のセンサモジュールのそれぞれにおいて、赤外線カットフィルタ基板５を個別に接合しようとすると、多大な製造工数とコストが必要になるが、そのことが解消される。
しかしながら、本実施形態１のように、ガラス基板４に赤外線カットフィルタ基板５を接着剤６により接合し、半導体ウエハである半導体基板２と一緒に、隣接スペーサー３間のダイシングラインＤの中心線Ｄａでダイシングブレードにより切断して個片化することにより、第４の基板接合工程を１回にすることができるため、大幅な工数削減とコストダウンとが可能となる。更には 固体撮像素子２１との電気的接続を基板裏面より行なうことにより、センサモジュール１１の面積縮小も可能となる。
完成したセンサモジュール１１は、機能検査などを経て光学ユニットと共に実装基板上に実装され、カメラモジュール（実施形態３で後述する固体撮像装置）として組み立てられる。
また、このカメラモジュールは、センサモジュールを含む固体撮像装置として、後述する実施形態３の携帯電話機などの小型電子情報機器に組み込まれる。本実施形態１のセンサモジュール１１は、赤外線カットフィルタ基板５を別途設けるのではなく、赤外線カットフィルタ基板５をカバーガラスであるガラス基板４上に形成したので、光学ユニットを小型化することができ、センサモジュールが組み込まれる小型電子情報機器の小型化にも寄与することができる。
なお、本実施形態１では、ダイシングラインＤの一部（ダイシングラインの一つ置きや二つ置きの格子状）または全部（格子状）に沿って光学フィルタを取り除くように構成したが、ダイシングラインＤの一部として、正方形や矩形の連接２辺の繰り返し形状などの格子状以外の形状に沿って光学フィルタを取り除いてもよい。要するに、透光性支持基板と電子素子ウエハとを接合した状態で、その接合構造体（モジュール）の反りが軽減されるように、光学フィルタを、ダイシングラインの一部に沿って取り除けばよい。
なお、本実施形態１では、透光性支持基板（透明支持基板）としてガラス基板４を用いたが、これに限らず、透光性支持基板材料として、ガラスの他に、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂および／またはそれらの組み合わせによって構成されていてもよい。
なお、本実施形態１では、赤外線カットフィルタ基板５や赤外線カットフィルタ層５ａとして、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜を用いたが、これに限らず、赤外線カットフィルタ基板５や赤外線カットフィルタ層５ａとして、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成されていてもよく、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成されていてもよい。これらのシリコン酸化膜とチタン酸化膜の誘電体多層膜や、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜の誘電体多層膜では、同等の赤外線カット機能を得るのに、６０層程度の膜厚を必要とするところ、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜の誘電体多層膜であれば、３０層程度の膜厚でよい。即ち、赤外線カットフィルタ基板５や赤外線カットフィルタ層５ａの厚さが、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜の誘電体多層膜の方が薄くなり、基板の反りに対しても半分の応力で済む。したがって、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜の誘電体多層膜の方が、シリコン酸化膜とチタン酸化膜の誘電体多層膜や、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜の誘電体多層膜に比べて、赤外線カットフィルタ基板５が接合されたガラス基板４の反りが軽減される。よって、赤外線カットフィルタ基板５や赤外線カットフィルタ層５ａとしてシリコン酸化膜とニオブ酸化膜の誘電体多層膜を用いれば、赤外線カットフィルタ基板５や赤外線カットフィルタ層５ａが格子状のダイシングラインＤによって分断されていてもよく、格子状のダイシングラインＤによって分断されていなくてもよい。
なお、本実施形態１では、電子素子ウェハモジュール１において、赤外線カットフィルタ基板５をガラス基板４上に接合して光学フィルタ基板を形成したが、これに限らず、電子素子ウェハモジュール１Ａとして、図６に示すようにカバーガラスであるガラス基板４上に、成膜処理によって赤外線カットフィルタ層５ａと光学ローパスフィルタ層７ａとをこの順に形成してもよい。もちろん、電子素子ウェハモジュール１Ａとして、カバーガラスであるガラス基板４上に、成膜処理によって赤外線カットフィルタ基板５と光学ローパスフィルタ基板７とをこの順に基板構成として形成してもよい。この光学ローパスフィルタ基板７または光学ローパスフィルタ層７ａの機能は、偽色や色モアレの発生を防止するためのものである。
なお、上記実施形態１では、電子素子ウェハモジュール１において、赤外線カットフィルタ基板５をガラス基板４上に接合し、赤外線カットフィルタ基板５に格子状のスリットを入れたが、これに限らず、ガラス基板４の表面上に格子状のスリットを入れると、格子状のスリットにより、ガラス基板４のスリット位置では赤外線カットフィルタ層が連続して付着せず、ガラス基板４のスリット位置では結果的には、赤外線カットフィルタ基板５に格子状のスリットを入れたのと同じ効果がある。
成膜によるカバーガラスであるガラス基板４上への光学フィルタ層（赤外線カットフィルタ層５ａと光学ローパスフィルタ層７ａ）の形成は、前述した基板の接合による形成と同様に、カバーガラスの基材であるガラス基板４に対してＣＶＤ装置や真空蒸着装置などを使用して実施される。その後、上述した実施形態１の場合と同様に、図６に示すように、ガラス基板４の下面へのスペーサー層３の形成処理と、スペーサー層３が形成されたガラス基板４と、半導体ウエハである半導体基板２との接合処理と、固体撮像素子２１毎のダイシング処理とが実施されて、電子素子ウェハモジュール１Ａとしてのセンサウェハモジュールから多数のセンサモジュール１１Ａが一括して切断されて製造される。
このように、成膜処理によって光学フィルタ層（赤外線カットフィルタ層５ａと光学ローパスフィルタ層７ａ）を形成する場合でも、多数個の固体撮像素子２１に対する成膜処理が１度で済むため、多数個の固体撮像素子２１のそれぞれに成膜処理を施す場合に比べて大幅な工数削減とコストダウンとが可能となる。
また、上記実施形態１では、光学フィルタ層の一部除去を、ガラス基板４と半導体ウェハである半導体基板２とが接合される前に行なうようにしたが、これに限らず、光学フィルタ層の一部領域除去（図２（ａ）の格子状のダイシングラインＤ）は、ガラス基板４と半導体ウェハである半導体基板２とが接合された後に行なわれてもよい。また、上記実施形態１では、ガラス基板４上への光学フィルタ層の形成を行なった後で、ガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２とを接合したが、ガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２とを接合した後で、ガラス基板４上に、赤外線カットフィルタ基板５と光学ローパスフィルタ基板６とを接合する場合や、赤外線カットフィルタ層５ａと光学ローパスフィルタ層６ａとの成膜処理によって光学フィルタ層を形成してもよい。
さらに、固体撮像素子２１を覆うガラス基板４上に複数の光学フィルタ基板や光学フィルタ層を形成する場合には、接合処理と成膜処理とを組み合わせてもよい。
なお、上記実施形態１の第４工程のガラス基板４と半導体ウエハである半導体基板２との接合処理において、図３（ａ）の格子状のダイシングラインＤ（光学フィルタ基板の一部領域除去した部分）を基準にして、半導体基板２側に設けられた図３（ｂ）のような縦横４個の正方形のアライメントマークＡを位置合わせ（半導体基板２とガラス基板４との位置合わせ）を行う際に、縦横４個の正方形のアライメントマークＡの間に十字状のダイシングラインＤが位置するように、赤外線カメラにより撮影した画像を表示画面上で拡大して位置を確認しつつ、ガラス基板４と半導体基板２との両者のＸＹ方向および回転方向の位置調整を行う場合について説明したが、これに限らず、図７（ａ）の正方形または矩形状の光学フィルタ層（赤外線カットフィルタ層５ａと光学ローパスフィルタ層７ａ）の除去領域Ｈおよび格子状のダイシングラインＤを基準にして、半導体基板２側に設けられた図７（ｂ）のような縦横４個の正方形のアライメントマークＡを位置合わせを行う際に、縦横４個の正方形のアライメントマークＡの外周を光学フィルタ層の除去領域Ｈ内に含みかつ、縦横４個の正方形のアライメントマークＡの間にダイシングラインＤの端が位置するように、赤外線カメラにより撮影した画像を表示画面上で拡大して位置を確認しつつ、ガラス基板４と半導体基板２との両者のＸＹ方向および回転方向のより精度のよい位置調整を行ってもよい。この場合に、図７（ｃ）に示すようにアライメントマークＡ’として、４つの直角三角形の頂点が互いに対向した外形がひし形としてもよい。このとき、図７（ｃ）の外形がひし形の光学フィルタ層の除去領域Ｈ’およびダイシングラインＤの端を基準にして、半導体基板２側に設けられた図７（ｃ）のような４つの直角三角形のアライメントマークＡ’を位置合わせを行う際に、４つの直角三角形のアライメントマークＡ’の外周を光学フィルタ層の除去領域Ｈ’内に含みかつ、４つの直角三角形のアライメントマークＡ’の間にダイシングラインＤの端が位置するように、カメラにより拡大して表示部に表示して確認しつつ、ガラス基板４と半導体基板２との両者のＸＹ方向および回転方向のより精度のよい位置調整（ガラス基板４と半導体基板２との位置合わせ）を行ってもよい。
なお、本実施形態１において、更に説明すると、電子素子としての撮像素子上にはマイクロレンズ群が形成されているが、このマイクロレンズ群と透光性支持基板としてのガラス基板４との間には空隙が設けられている。この空隙の、撮像素子を覆わない周辺部に絶縁性接着剤としてスペーサー３が充填されている。
以上のように、光学フィルタとしての赤外線カットフィルタ基板５を、ダイシングラインＤに沿って格子状に分断して基板反りの応力を緩和したり、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜を用いて光学フィルタとしての赤外線カットフィルタ基板５の厚さを半減して基板反りの応力を半減させたり、透光性支持基板としてのガラス基板４と、その反りとは逆方向の半導体ウェハとしての半導体基板２とを接合させて互いに反りの応力を相殺させたりして、半導体基板２と、赤外線カットフィルタ基板５が接合された透光性支持基板としてのガラス基板４とを貼り合わせた場合の反りを、より低減することができる。
以上の場合、電子素子としては、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子であったが、これに限らず、電子素子として、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子などであってもよい。
本実施形態１の電子素子モジュールとしてのセンサモジュール１１または１１Ａ上に更にレンズ板のような光学素子を接合した電子素子モジュールとしてのセンサモジュールの一例を実施形態２として、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子（固体撮像素子２１に対応）が設けられた半導体基板２と、赤外線カットフィルタ基板５と光学ローパスフィルタ基板７とが接合されたガラス基板４と、入射光を撮像素子上に結像するための一または複数枚のレンズモジュール（次の実施形態２では、光学素子が３枚のレンズ板）とが積層されたセンサモジュールの事例について、次の図８を参照しながら詳細に説明する。
（実施形態２）
図８は、本発明の実施形態２に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。
図８において、本実施形態２のセンサモジュール５０は、チップ表面に、複数の画素に対応した各光電変換部（フォトダイオード）である複数の受光部からなる電子素子としての撮像素子５１ａが設けられ、貫通孔５１ｂが貫通電極）として表面と裏面間に設けられて配線として導通した貫通ウエハ５１（電子素子ウェハモジュールから個片化された各チップに対応）と、この貫通ウエハ５１の撮像素子５１ａの周囲上に形成された樹脂接着層５２（図１のスペーサー３に対応）と、この樹脂接着層５２上を覆い、その表面に赤外線カットフィルタ基板５３２（図１の赤外線カットフィルタ基板５に対応）と光学ローパスフィルタ基板５３３（図６の光学ローパスフィルタ層７ａに対する光学ローパスフィルタ基板に対応）が接合されたカバーガラスとして個片化されたガラス板５３１（図１の透明支持基板としてのガラス基板４に対応）と、このガラス板５３１、赤外線カットフィルタ基板５３２および光学ローパスフィルタ基板５３３の積層構造上に設けられ、撮像素子５１ａに入射光を集光させるための光学素子としての複数のレンズ板５４１〜５４３が積層されたレンズ板５４（レンズモジュール）と、これらのレンズ板５４１〜５４３を接着して固定するためのレンズ接着層５５１および５５２と、各レンズ板５４１〜５４３のうちの最上位置のレンズ板５４１の中央部を円形の光取入口として開口すると共に、それ以外の表面部分および、各レンズ板５４１〜５４３およびガラス板５３１などの側面部分を遮光する遮光部材５６とを有しており、貫通ウエハ５１上に、ガラス板５３１およびレンズ板５４がこの順に互いにアライメントをとって樹脂接着層５２およびレンズ接着層５５１および５５２などにより上下に貼り合わされている。
要するに、本実施形態２の電子素子モジュールとしてのセンサモジュール５０は、上記実施形態１の電子素子ウェハモジュール１または１Ａに、複数のレンズ板５４１〜５４３がレンズ接着層５５１および５５２などで貼り合わされ、これを新たな電子素子ウェハモジュールとし、これを個片化したものに遮光部材５６を上側から装着したものである。これによって本実施形態２のセンサモジュール５０が製造されている。
レンズ板５４は、透明樹脂製または透明ガラス製のレンズ板である。このレンズ板５４において、レンズ機能を有するレンズ領域と、スペーサ機能を有するスペーサ部としての周囲のレンズこば部とで構成され、全体は同じ種類のガラスまたは樹脂材料で形成されている。これにより、所定のレンズ形状、所定のレンズ厚さのレンズ板５４１〜５４３を形成することが可能である。
本実施形態２では、形成されたレンズ板５４１〜５４３が３枚、レンズ周辺部分のレンズこば部分で貼り合わされた構造となっている。これらの貼り合わせには、接着部材５５１および５５２を用いるが、接着部材５５１および５５２は、遮光機能を有していてもよい。
光学素子としての複数枚のレンズ板５４は、収差補正レンズ５４３、拡散レンズ５４２および集光レンズ５４１であり（１枚の場合は集光レンズ）、レンズ板５４は、中央部分にレンズ領域が設けられ、そのレンズ領域の外周側に所定厚さを持つスペーサ部である周囲部分としてのレンズこば部分が設けられているが、それらのレンズ板５４の各外周側にそれぞれ設けられた所定の厚さを持つ各スペーサ部が下からこの順に積層されて配置されている。このスペーサ部は位置決め機能を有しており、その位置決め機能は、テーパの付いた凹部と凸部またはアライメントマークＡ，Ａ’などで構成されている。３枚のレンズ板５４１〜５４３を接着する接着層５５１および／または５５２は、遮光機能を兼ねていてもよく、接着層５５１および５５２は、スペースを決定する固体が含有されていてもよい。
次に、これらの電子素子モジュールとしてのセンサモジュールを用いた完成品を実施形態３として、上記実施形態１のセンサモジュール１１または１１Ａや本実施形態２のセンサモジュール５０のいずれかを撮像部に用いた電子情報機器を、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施形態３）
図９は、本発明の実施形態３として、本発明の実施形態１のセンサモジュール１１または１１Ａや本発明の実施形態２のセンサモジュール５０のいずれかを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図９において、本実施形態３の電子情報機器９０は、上記実施形態１のセンサモジュール１１または１１Ａや、上記実施形態２のセンサモジュール５０のいずれかからの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置９１と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部９２と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段９３と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段９４とを有している。なお、この電子情報機器９０として、これに限らず、固体撮像装置９１の他に、メモリ部９２と、表示手段９３と、通信手段９４と、プリンタなどの画像出力手段９５とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
この電子情報機器９０としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置（ＰＤＡ）などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
したがって、本実施形態３によれば、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力装置９５により良好にプリントアウト（印刷）したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部９２に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
なお、上記実施形態３の電子情報機器９０に限らず、本発明の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器であってもよい。この場合のピックアップ装置の光学素子としては、出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて所定方向に入射させる光学機能素子（ウエハ状光学装置；例えばプリズムモジュールおよびホログラム素子モジュール、即ちホログラム光学素子やプリズム光学素子）である。また、ピックアップ装置の電子素子としては、出射光を発生させるための発光素子（例えば半導体レーザ素子またはレーザチップ）および入射光を受光するための受光素子（例えばフォトＩＣ）を有している。
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜３を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜３に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜３の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、複数の電子素子上を保護するカバーガラスに光学フィルタ層が設けられた電子素子ウェハモジュール、この電子素子ウェハモジュールの製造方法、この電子素子ウェハモジュールを電子素子毎に個片化した電子素子モジュール、その上に光学素子が更に接合された電子素子モジュール、これらの電子素子モジュールのいずれかを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、光学フィルタを、ダイシングラインに沿って格子状に分断して反りの応力を緩和したり、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜を用いて光学フィルタの厚さを半減して反りの応力を半減させたり、透光性支持基板と、その反りとは逆方向の半導体ウェハとを接合させて互いに反りの応力を相殺させたりしているため、電子素子ウェハと、赤外線カットフィルタなどの光学フィルタが接合された透光性支持基板とを貼り合わせた場合の反りを、より低減することができる。
本発明の実施形態１に係る電子素子ウェハモジュールの構成例を示す要部縦断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、図１の電子素子ウェハモジュールを切断してセンサモジュールを製造するセンサモジュールの各製造工程を示す要部縦断面図である。 （ａ）は格子状のダイシングラインＤを示す光学フィルタの平面図、（ｂ）は、ダイシングラインＤとアライメントマークとの関係を説明するための光学フィルタの平面図である。 図１の半導体基板と、赤外線カットフィルタ基板が接合されたガラス基板との反り状態を示す縦断面図である。 各材料の線膨張係数を示す図である。 図１の電子素子ウェハモジュールの変形例を示す要部縦断面図である。 （ａ）は格子状のダイシングラインＤおよび光学フィルタ層の除去領域Ｈを示す光学フィルタの平面図、（ｂ）は、ダイシングラインＤおよび光学フィルタ層の除去領域Ｈとアライメントマークとの関係を説明するための光学フィルタの平面図である。 本発明の実施形態２に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。 本発明の実施形態３として、本発明の実施形態１のセンサモジュールや本発明の実施形態２のセンサモジュールのいずれかを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。 特許文献１に開示されている従来のカメラモジュールの一例を模式的に示す要部縦断面図である。
符号の説明
１，１Ａ 電子素子ウェハモジュール
１１，１１Ａ センサモジュール
２ 半導体基板
２１ 固体撮像素子
２２ 電極パッド
２３ 貫通孔
２４ 配線
２５ 外部接続端子
３ スペーサー
４ カバーガラス４（ガラス基板）
５ 赤外線カットフィルタ基板
５ａ 赤外線カットフィルタ層
６ 接着剤
７ 光学ローパスフィルタ基板
７ａ 光学ローパスフィルタ層
Ａ、Ａ’ アライメントマーク
Ｄ ダイシングライン
Ｄａ 中心線
Ｈ 光学フィルタ層の除去領域
５０ センサモジュール
５１ 貫通ウエハ
５１ａ 撮像素子（電子素子）
５１ｂ 貫通孔（貫通電極）
５２ 樹脂接着層
５３１ ガラス板
５３２ 赤外線カットフィルタ基板
５３３ 光学ローパスフィルタ基板
５４、５４１〜５４３ レンズ板
５５１、５５２ レンズ接着層
５６ 遮光部材
９０ 電子情報機器
９１ 固体撮像装置
９２ メモリ部
９３ 表示手段
９４ 通信手段
９５ 画像出力手段

Claims (20)

  1. 複数の電子素子が形成された電子素子ウエハ上に、該複数の電子素子上をそれぞれ覆って保護する透光性支持基板が接合され、該透光性支持基板の少なくとも一方面に、該電子素子に対応して光学フィルタが形成されており、
    該光学フィルタは、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って取り除かれており、
    該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体としている電子素子ウエハモジュール。
  2. 前記ダイシングラインの一部は、ダイシングラインに沿った格子状の一つ置きかまたは二つ置きである請求項１に記載の電子素子ウエハモジュール。
  3. 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項１に記載の電子素子ウェハモジュール。
  4. 前記光学フィルタとして、光学ローパスフィルタが形成されている請求項１に記載の電子素子ウエハモジュール。
  5. 前記光学フィルタは、板状、シート状、フィルム状および層状のうちの少なくともいずれかに形成されている請求項１に記載の電子素子ウエハモジュール。
  6. 前記透光性支持基板は、ガラス、水晶、ニオブ酸リチウム、合成樹脂および／またはそれらの組み合わせによって構成されている請求項１に記載の電子素子ウェハモジュール。
  7. 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項１に記載の電子素子ウェハモジュール。
  8. 前記光学フィルタは、シリコン酸化膜とタンタル酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタである請求項１に記載の電子素子ウェハモジュール。
  9. 前記電子素子ウエハは、前記電子素子毎に表面に設けられた配線部またはパッド部が貫通電極を経由して裏面側の外部接続端子に電気的に接続されている請求項１に記載の電子素子ウェハモジュール。
  10. 請求項１〜９のいずれかに記載の電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、
    透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、反りを軽減するべく、複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程と、該複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該ダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除いた透明支持基板とを接合する基板接合工程とを有し、
    該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とする電子素子ウエハモジュールの製造方法。
  11. 請求項１〜９のいずれかに記載の電子素子ウエハモジュールを製造する製造方法であって、
    透明支持基板の少なくとも一方の面に光学フィルタを形成する光学フィルタ形成工程と、複数の電子素子が形成された電子素子ウエハと、該光学フィルタを形成した透明支持基板とを接合する基板接合工程と、反りを軽減するべく、該複数の電子素子モジュールに個片化するためのダイシングラインの一部または全部に沿って該光学フィルタを取り除く光学フィルタ一部除去工程とを有し、
    該基板接合工程は、該電子素子ウエハの反りを、該反りを軽減するべく、該光学フィルタが形成された該透光性支持基板の反りとは逆方向の状態で、該光学フィルタを形成した該透光性支持基板と該電子素子ウエハとを接合して積層体とする電子素子ウエハモジュールの製造方法。
  12. 前記光学フィルタ形成工程は、前記光学フィルタとして、前記透明支持基板の少なくとも一方の面に、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜から構成された赤外線カットフィルタを形成する請求項１０または１１に記載の電子素子ウエハモジュールの製造方法。
  13. 請求項１〜９のいずれかに記載の電子素子ウェハモジュールから、前記電子素子ウエハと前記光学フィルタを形成した透光性支持基板とを前記電子素子毎にダイシングラインの中心線に沿って裁断することにより個片化された電子素子モジュール。
  14. 請求項１３に記載の電子素子モジュールと、該電子素子モジュールの電子素子上に配置された光学系または、該光学系が組み込まれた光学ユニットとを有する電子素子モジュール。
  15. 前記電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である請求項１３または１４に記載の電子素子モジュール。
  16. 前記電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している請求項１３または１４に記載の電子素子モジュール。
  17. 前記光学系がレンズモジュールであり、前記電子素子が撮像素子である請求項１４に記載の電子素子モジュール。
  18. 前記光学系がプリズムモジュールおよびホログラム素子モジュールのいずれかであり、前記電子素子が発光素子および受光素子である請求項１４に記載の電子素子モジュール。
  19. 請求項１５に記載の電子素子モジュールをセンサモジュールとして撮像部に用いた電子情報機器。
  20. 請求項１６に記載の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いた電子情報機器。
JP2008141707A 2008-05-29 2008-05-29 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 Expired - Fee Related JP5175620B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008141707A JP5175620B2 (ja) 2008-05-29 2008-05-29 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
TW098115457A TWI394269B (zh) 2008-05-29 2009-05-08 電子元件晶圓模組、電子元件晶圓模組之製造方法、電子元件模組及電子資訊裝置
CN2009101418521A CN101593762B (zh) 2008-05-29 2009-05-26 电子元件晶片模块及制造、电子元件模块和电子信息装置
US12/455,169 US8390003B2 (en) 2008-05-29 2009-05-29 Electronic element wafer module with reduced warping

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008141707A JP5175620B2 (ja) 2008-05-29 2008-05-29 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009290031A JP2009290031A (ja) 2009-12-10
JP5175620B2 true JP5175620B2 (ja) 2013-04-03

Family

ID=41378657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008141707A Expired - Fee Related JP5175620B2 (ja) 2008-05-29 2008-05-29 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8390003B2 (ja)
JP (1) JP5175620B2 (ja)
CN (1) CN101593762B (ja)
TW (1) TWI394269B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI402979B (zh) * 2007-12-13 2013-07-21 Sharp Kk 電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置
JP5010661B2 (ja) * 2009-09-30 2012-08-29 株式会社東芝 電子機器および電子機器の製造方法
JP5324667B2 (ja) * 2009-12-24 2013-10-23 京セラ株式会社 撮像装置
US8581386B2 (en) * 2010-02-26 2013-11-12 Yu-Lin Yen Chip package
CN102782862B (zh) * 2010-02-26 2015-08-26 精材科技股份有限公司 芯片封装体及其制造方法
US8536671B2 (en) * 2010-06-07 2013-09-17 Tsang-Yu Liu Chip package
WO2011156926A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 Heptagon Oy Method of manufacturing a plurality of optical devices
JP2012049401A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光センサの製造方法
JP5721370B2 (ja) * 2010-08-27 2015-05-20 キヤノン株式会社 光センサの製造方法、光センサ及びカメラ
CN102280456B (zh) * 2011-05-11 2013-06-26 北京大学 一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法
JP2013041878A (ja) 2011-08-11 2013-02-28 Sony Corp 撮像装置およびカメラモジュール
JP5903796B2 (ja) 2011-08-12 2016-04-13 ソニー株式会社 撮像装置およびカメラモジュール
US8872196B2 (en) * 2011-12-19 2014-10-28 Xintec Inc. Chip package
JP2013143520A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像装置および撮像装置の製造方法
US20130221469A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Dongbu Hitek Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
CN103367548A (zh) * 2013-07-16 2013-10-23 英利集团有限公司 硅片标记点的制作方法
JP6390117B2 (ja) 2014-02-26 2018-09-19 セイコーエプソン株式会社 光学モジュール、及び電子機器
JP2015192006A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 セイコーエプソン株式会社 半導体ウェハー、受光センサー製造方法及び受光センサー
CN105514129B (zh) * 2014-09-25 2018-10-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种图像传感器装置及其制造方法
CN104691123A (zh) * 2015-03-18 2015-06-10 苏州五方光电科技有限公司 一种蓝玻璃加工工艺
TWI600125B (zh) * 2015-05-01 2017-09-21 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
JP6672812B2 (ja) * 2016-01-14 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6851773B2 (ja) * 2016-10-31 2021-03-31 キヤノン株式会社 半導体装置
DE102017204980B3 (de) * 2017-03-24 2018-06-21 Ifm Electronic Gmbh Anzeigeeinheit für ein Messgerät der Prozess- und Automatisierungstechnik und Messgerät mit einer solchen Anzeigeeinheit
CN109814281B (zh) 2017-11-20 2023-10-27 菲尼萨公司 可调光滤波器及其制造方法以及可调光滤波器组件
US11195820B2 (en) * 2020-03-03 2021-12-07 Sandisk Technologies Llc Semiconductor device including fractured semiconductor dies

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760181A (en) * 1972-03-03 1973-09-18 Us Army Universal viewer for far infrared
JPH0823083A (ja) * 1994-07-08 1996-01-23 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2000241606A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 平板型マイクロレンズ、平板型レンズ、液晶表示装置、光学系および投射型表示装置
JP2002026068A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Canon Inc 固体撮像装置の製造方法及び製造装置
TW556004B (en) * 2001-01-31 2003-10-01 Planar Systems Inc Methods and apparatus for the production of optical filters
JP2003084125A (ja) * 2001-07-04 2003-03-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶表示装置の製造方法及び製造装置、ｅｌ発光層配設基板の製造方法及び製造装置、ｅｌ発光装置の製造方法及び製造装置、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2003279726A (ja) * 2002-03-20 2003-10-02 Kinseki Ltd 赤外線カットフィルタ付き光学ローパスフィルタ
JP4443865B2 (ja) * 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005072978A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Renesas Technology Corp 固体撮像装置およびその製造方法
AU2003263417A1 (en) * 2002-09-17 2004-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package
WO2004041969A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Albemarle Netherlands B.V. Fischer-tropsch process using a fischer-tropsch catalyst and zeolite y
JP2004312666A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP2005019573A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
EP1981084A3 (en) * 2003-12-18 2009-02-18 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, its production method, camera with the solid-state imaging device and light-receiving chip
JP2005234038A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Seiko Epson Corp 誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法並びに固体撮像デバイス
JP2006032886A (ja) * 2004-06-15 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
JP2006100763A (ja) * 2004-09-06 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法及び接合装置
JP4428526B2 (ja) * 2004-10-15 2010-03-10 パナソニック株式会社 光学デバイス
US7456384B2 (en) * 2004-12-10 2008-11-25 Sony Corporation Method and apparatus for acquiring physical information, method for manufacturing semiconductor device including array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, light-receiving device and manufacturing method therefor, and solid-state imaging device and manufacturing method therefor
JP2006228837A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006309151A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Seiko Epson Corp 光学ローパスフィルタ
JP4704792B2 (ja) * 2005-04-04 2011-06-22 シャープ株式会社 薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP4432837B2 (ja) 2005-06-13 2010-03-17 ミツミ電機株式会社 半導体光センサ装置
KR100809682B1 (ko) * 2005-07-11 2008-03-06 삼성전자주식회사 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
JP2007188909A (ja) * 2005-12-14 2007-07-26 Fujifilm Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP4825542B2 (ja) * 2006-02-23 2011-11-30 富士フイルム株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7773300B2 (en) * 2006-05-12 2010-08-10 Semrock, Inc. Multiphoton fluorescence filters
EP2057693A1 (en) * 2006-08-29 2009-05-13 Osram-Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
JP4403424B2 (ja) * 2006-11-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置
US8013350B2 (en) * 2007-02-05 2011-09-06 Panasonic Corporation Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device
JP4380718B2 (ja) * 2007-03-15 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4924141B2 (ja) * 2007-03-28 2012-04-25 コニカミノルタオプト株式会社 撮像レンズ、撮像装置及び携帯端末
JP5082542B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 ソニー株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI394269B (zh) 2013-04-21
CN101593762A (zh) 2009-12-02
US8390003B2 (en) 2013-03-05
US20090294779A1 (en) 2009-12-03
CN101593762B (zh) 2013-11-20
JP2009290031A (ja) 2009-12-10
TW201013906A (en) 2010-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5175620B2 (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
JP2009290033A (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
JP4966931B2 (ja) 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP4764941B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
US6635941B2 (en) Structure of semiconductor device with improved reliability
US7728398B2 (en) Micro camera module and method of manufacturing the same
JP4710610B2 (ja) 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP4542768B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TWI467747B (zh) 固態攝影裝置及其製造方法
JP4768060B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
CN102386192B (zh) 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
JP2006032886A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
US20090283311A1 (en) Electronic element wafer module and method for manufacturing electronic element wafer module, electronic element module, and electronic information device
JP4819152B2 (ja) 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
WO2007052796A1 (ja) 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体
JP2005109092A (ja) 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP2010165939A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TWI345306B (en) Method for image sensor protection
JP2009176949A (ja) 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法
JP2008117918A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2006100859A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2006080123A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2008010535A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP2010219077A (ja) 半導体ウエハ基板および電子素子モジュール、電子情報機器
JP2005347399A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100826

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5175620

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees